CN104681579A - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种有机发光显示装置及其制造方法。该有机发光显示OLED装置包括：薄膜晶体管阵列(TFT)基板，该薄膜晶体管阵列(TFT)包括：支承基板，其包括软材料；和多个薄膜晶体管，其在支承基板上并且与多个像素区域相对应，该OLED装置还包括：发光阵列(LEA)，该发光阵列(LEA)包括多个有机发光器件，所述多个有机发光器件在TFT阵列基板上与所述多个像素区域相对应；密封结构，其面对TFT阵列基板，使得LEA插入在TFT阵列基板和密封结构之间；以及粘合层，其在LEA与密封结构之间，以将LEA粘附到密封结构，其中，密封结构包括：在LEA上的保护层、在TFT阵列基板上方的密封层以及将保护层粘附到密封层的阻挡层。

Description

有机发光显示装置及其制造方法
技术领域
以下描述涉及可用作柔性显示装置的有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
近期向信息社会的转变已经使得视觉呈现电信息信号的显示器领域得到快速发展，并且已经相应地开发了呈现极好属性(诸如薄剖面、轻重量以及低功率消耗)的各种平板显示装置。
这些平板显示装置的代表性示例可以包括：液晶显示器(LCD)、等离子体显示板(PDP)、场发射显示器(FED)、电致发光显示器(ELD)、电润湿显示器(EWD)以及有机发光显示装置。
所有的上述平板显示装置中基本上包括平坦显示板以显示图像。通过结合一对基板以面对彼此来制造平显示板，其中固有发光材料或偏光器插入这一对基板之间。平板显示器包括显示面，显示面由显示区域和在该显示区域周围的周边非显示区域所限定。显示区域由多个像素区域限定。
最近，已开发一种平板显示装置(柔性显示装置)，其包括由软材料形成的柔性基板，从而能够在可像一张纸一样弯曲时维持显示性能。
这样的柔性显示装置可以具有比没有柔性的常规显示装置更广泛的应用范围，并且因此对柔性显示装置的商业化的研究和开发正在进行。
同时，有机发光显示装置被构造成使用自发光有机发光器件来显示图像。也就是说，有机发光显示装置包括与多个像素区域相对应的多个有机发光器件。
通常，这样的有机发光器件包括：布置成面对彼此的第一电极和第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的发光层，该发光层由有机材料形成以基于第一电极和第二电极之间的驱动电流来实现电致发光。
然而，有机发光层可能由于水、氧气等而容易地且迅速地劣化。因此，典型的有机发光显示装置包括密封结构以防止水和氧气侵入到有机层中。
图1是典型的有机发光显示装置的局部截面图。
如图1中所示，典型的有机发光显示装置10包括：薄膜晶体管阵列基板11；在薄膜晶体管阵列基板11上的发光阵列12；以及结合到薄膜晶体管阵列基板11的密封结构13。薄膜晶体管阵列基板11和密封结构13面对彼此，其中发光阵列12插入薄膜晶体管阵列基板11和密封结构13之间。
密封结构13包括：结合成面对薄膜晶体管阵列基板11的密封层13a；布置成覆盖发光阵列12的顶部的保护层13b；以及布置在密封层13a与保护层13b之间的阻挡层13c，使得密封层13a和保护层13b通过阻挡层13而彼此粘结。
保护层13b是由具有不同组分或厚度的有机和无机绝缘材料形成的多个层的堆叠。也就是说，保护层13b包括由无机绝缘材料形成的至少一个绝缘体层。
然而，由无机绝缘材料形成的薄膜往往转印(transfer)薄膜上任何对象的轮廓。尽管可以期待厚膜防止这种问题，但是这不利地要求高的成本和长的处理时间。然而，为了补偿发光阵列12上的杂质，布置在发光阵列12上的保护层13b基本上包括由有机绝缘材料形成的绝缘体层。和厚无机绝缘体层相比，厚有机绝缘体层的形成更容易。然而，有机绝缘体层的这种添加不利于减少显示装置的厚度。
而且，由无机绝缘材料形成的绝缘体层比由有机绝缘材料形成的绝缘体层更易受弯曲应力的影响。因此，当柔性显示装置弯曲时保护层13b可能容易地破裂，从而引起杂质的产生。
此外，因为保护层13b和发光阵列12是由不同材料形成的，所以当柔性显示装置弯曲时，可能容易地发生保护层13b和发光阵列12的分离。
上面所描述的破裂、杂质的产生以及分离可以为水和氧气提供到发光阵列12的侵入路径，从而导致装置的寿命和可靠性的劣化。
本申请根据要求于2013年11月29日提交的韩国专利申请No.10-2013-0147436的权益和优先权，其整个公开内容在此通过引用并入本文中用于所有目的。
发明内容
因此，本申请的实施方式涉及一种有机发光显示装置及其制造方法，其基本上减轻由于现有技术的局限性和缺点而导致的一个或多个问题。
实施方式的一个目的在于提供一种有机发光显示装置及其制造方法，该有机发光显示装置用来防止由弯曲引起的寿命和可靠性的劣化，从而有利地用作柔性显示装置。
本公开内容的优点、目的以及特征一部分将在以下描述中阐述，并且一部分内容对于本领域的普通技术人员而言在研究了下文之后变得显而易见，或者可以从本发明的实践中习得。可以通过在书面描述及其权利要求书以及附图中所特别地指出的结构来实现和获得本发明的目的和其它优点。
为了实现这些目的和其它优点，并且依照根据本发明的一个方面的目标，提供了一种有机发光显示装置，包括：薄膜晶体管阵列基板，该薄膜晶体管阵列基板包括：支承基板，该支承基板包括软材料；和多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管在支承基板上并且与多个像素区域相对应，该有机发光显示装置还包括：发光阵列，该发光阵列包括多个有机发光器件，所述多个有机发光器件在薄膜晶体管阵列基板上并且与多个像素区域相对应；密封结构，该密封结构在薄膜晶体管阵列基板上方，使得发光阵列插入在薄膜晶体管阵列基板和密封结构之间；以及粘合层，该粘合层在发光阵列和密封结构之间，使得发光阵列和密封结构通过粘合层彼此粘结，其中，密封结构包括：保护层，该保护层在发光阵列上；密封层，该密封层在薄膜晶体管阵列基板上方；以及阻挡层，该阻挡层将保护层和密封层彼此粘结。
在另一方面，提供了有机发光显示装置的制造方法，所述方法包括：提供薄膜晶体管阵列基板和发光阵列，该薄膜晶体管阵列基板包括：支承基板，该支承基板包括软材料；和多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管在支承基板上并且与多个像素区域相对应，并且发光阵列包括多个有机发光器件，所述多个有机发光器件在薄膜晶体管阵列基板上并且与所述多个像素区域相对应；将粘合层提供到发光阵列的顶部，粘合层包括透明属性，粘合层的两个表面都是粘合表面；在粘合层上提供保护层，保护层包括含有氧化铝的第一绝缘体层；在保护层上对齐密封层以面对薄膜晶体管阵列基板；以及使用在密封层和保护层之间的阻挡层将密封层附着到薄膜晶体管阵列基板。
对于本领域的技术人员而言，其它系统、方法、特征以及优点在研究以下图和具体描述之后将是或将变得显而易见。希望所有这样附加的系统、方法、特征以及优点被包括在本描述内，落入本公开的范围内，并且由所附权利要求保护。该部分中内容不应该被认为是对那些权利要求的限制。下面与实施方式相结合地讨论另外的方面和优点。应当理解的是，本公开的之前的概括描述和以下的具体描述两者都是示例和说明性的，并且旨在提供对如所要求保护的本公开的进一步说明。
附图说明
附图被包括来提供对本发明的进一步理解，并且被并入且构成本说明书的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并且连同本描述一起用来说明本发明的原理。
图1是示出典型的有机发光显示装置的局部截面图。
图2是示出根据一种实施方式的有机发光显示装置的局部截面图。
图3A至3E是示出取决于由氧化铝基材料形成的第一绝缘体层的厚度的特性的变化的曲线。
图4是示出图2的薄膜晶体管阵列基板和发光阵列的电路图。
图5是示出每个像素区域中的薄膜晶体管阵列基板和发光阵列的示例的截面图。
图6A至6D是根据实施方式的有机发光显示装置的局部截面图。
图7是示出根据一种实施方式的有机发光显示装置的制造方法的流程图。
图8A至8E是示出图7的相应操作的过程图。
在整个附图和具体描述中，除非有另外描述，否则相同的附图标记应该被理解成指代相同的元件、特征以及结构。为了清楚、例示和方便起见，可以夸大这些元件的相对尺寸和描绘。
具体实施方式
现将对本发明的实施方式进行详细地描述，在附图中例示本发明的实施方式的示例。在以下描述中，当与本文相关的众所周知的功能或构造的具体描述被确定为不必要地使本发明的要点模糊时，将省略其具体描述。所描述的处理步骤和/或操作的进程是示例；然而，步骤和/或操作的顺序不限于本文中所阐述的顺序，并且除非步骤和/或操作必需以特定次序发生之外，可以像本领域已知的那样改变步骤和/或操作的顺序。遍及全文，同样的附图标记表示同样的元件。在以下说明中所使用的相应元件的名称被选择成仅为了方便撰写本说明书，并且可能因此不同于在实际产品中所使用的那些元件名称。
在实施方式的描述中，当结构被描述为位于另一结构“上或之上”或“下或之下”时，这种描述应该被解释为包括如下情况，即结构彼此接触的情况以及第三结构被布置在这些结构之间的情况。
在下文中，将参照附图对实施方式进行详细地描述。
将参照图2至5对根据一种实施方式的有机发光显示装置进行描述。
图2是示出根据一种实施方式的有机发光显示装置的局部截面图。图3A至3E是示出取决于由氧化铝基材料形成的第一绝缘体层的厚度的特性的变化的图表。图4是示出图2的薄膜晶体管阵列基板和发光阵列的电路图。图5是示出每个像素区域中的薄膜晶体管阵列基板和发光阵列的示例的截面图。
如图2的示例中所示，根据一种实施方式的有机发光显示装置100包括：薄膜晶体管阵列基板110、发光阵列120、密封结构130以及粘合层140。薄膜晶体管阵列基板110可以包括：由软材料形成的支承基板；以及形成在支承基板上并且与多个像素区域相对应的多个薄膜晶体管。发光阵列120可以形成在薄膜晶体管阵列基板110上，可以包括与多个像素区域相对应的多个有机发光器件。密封结构130可以形成为面对薄膜晶体管阵列基板110，使得发光阵列120可以插入在薄膜晶体管阵列基板110与密封结构130之间。并且，可以在发光阵列120与密封结构130之间形成粘合层140，使得发光阵列120和密封结构130可以通过粘合层140而彼此粘结。
下面将参照图4和5详细地描述薄膜晶体管阵列基板110和发光阵列120。
密封结构130可以包括：形成在发光阵列120上的保护层131；结合成面对薄膜晶体管阵列基板110的密封层132；以及将保护层131和密封层132彼此粘结的阻挡层133。保护层131可以包括第一绝缘体层131a(例如由氧化铝(AlOx)基材料形成)。在一个示例中，氧化铝基第一绝缘体层131a可以具有在20nm至50nm范围内的厚度。在以下表1和表2以及图3A至3E中例示了取决于第一绝缘体层131a的厚度的特性的变化的示例。
表1
表2
如表1、表2以及图3A的示例中所例示的那样，应了解，当第一绝缘体层131a的厚度超过约70nm时，水蒸汽透过率(WVTR)[g/m2-天]可以迅速地增加。为了参照，WVTR是在给定温度和湿度条件下每单位时间穿过样品的单位面积的水蒸汽的测量量。
如表1、表2以及图3B的示例中所例示的那样，应了解，当第一绝缘体层131a的厚度小于约20nm并且超过约70nm时，密度[g/m3]可以小得多。为了参照，密度指示薄膜的密度/孔隙率。
如表1、表2以及图3C的示例中所例示的那样，应了解，当第一绝缘体层131a的厚度小于约20nm并且超过约60nm时，折射率(RI)可以不在1.63～1.64的范围内。
如表1、表2以及图3D的示例中所例示的那样，应了解，当第一绝缘体层131a的厚度超过约70nm时，应力[MPa]可以不是110MPa或更少，例如，可以超过110MPa。为了参照，应力指示在不同材料之间的界面处破裂或剥离的发生概率。
如表1、表2以及图3E的示例中所例示的那样，应了解，当第一绝缘体层131a的厚度小于约20nm并且超过约70nm时，台阶覆盖[％]可以是98％或更少。为了参照，台阶覆盖指示针对与给定孔径比(aspect ratio)相对应的区域的覆盖均匀性。
如上所述，考虑到WVTR、密度、折射率、应力以及台阶覆盖，第一绝缘体层131a可以具有在20nm至50nm范围内的厚度。包括上面所描述的第一绝缘体层131a的保护层131可以具有：在5x10-2～1x10-4g/m2-天的范围内的WVTR、在孔径比为0.25～2.0的区域中的80％或更多的台阶覆盖、在-200～200MPa的范围内的应力、以及针对具有在380～780nm范围内的波长的光的97％或更多的透射比。
因此，即使保护层131具有包括仅第一绝缘体层131a的单层结构，保护层131也可以防止由于发光阵列120上的杂质转移保护层131的表面而导致的分辨率的劣化，并且还可以充分地遮蔽发光阵列120免遭水和氧气的侵入，这可以防止装置的寿命和可靠性的劣化。以这种方式，保护层131可以不需要厚的有机绝缘体层来补偿发光阵列120上的杂质，并且防止氧气和水的侵入。这可以有利于减少装置的厚度。
进一步参照图2，密封层132可以由包括各向同性或相差膜(λ/4膜)的透明膜形成。密封层132的至少一个表面可以涂覆有无机材料或有机材料。阻挡层133可以由具有粘附力和透水属性的绝缘材料形成。
粘合层140可以是具有透明属性的膜，并且其两个表面均具有粘附力。粘合层140可以粘附到发光阵列120的顶部。粘合层140可以由透明且绝缘材料形成，该透明且绝缘材料例如可以选自烯烃基(olefin-based)、丙烯基(acryl-based)以及硅基绝缘材料。特别地，粘合层140可以由憎水性烯烃基绝缘材料形成。
当粘合层140可以由憎水性烯烃基绝缘材料形成时，粘合层140可以具有10g/m2-天或更少的WVTR。同样地，除了密封结构130之外，粘合层140可以用来防止水和氧气侵入到发光阵列120，从而防止装置的寿命和可靠性的劣化。此外，当粘合层140由憎水性烯烃基绝缘材料形成时，粘合层140可以呈现至少900gf或更多的粘附力。
如上所述，与图1典型的有机发光显示装置10相比，有机发光显示装置100可以进一步包括在发光阵列120与密封结构130之间的粘合层140。在以下表3中例示了有机发光显示装置100与典型的发光显示装置10之间的特性的比较结果。如以下表3中所例示的那样，在典型的有机发光装置(图1的10)中，发光阵列(图1的12)与密封结构(图1的13)之间的粘附力小于500gf。
因此，在典型的有机发光显示装置10中，在其中设置为5mm的弯曲半径被保持长达24小时的条件下，发光阵列(图1的12)和密封结构(图1的13)的分离发生，从而引起水和/或氧气侵入到发光阵列12、产生杂质并且因此引起差的发光。因此，典型的有机发光显示装置10遭受装置的寿命和可靠性的劣化。
另一方面，在有机发光显示装置100中，能够检查到发光阵列120与密封结构130之间的粘附力可以增加至900gf或更多。也就是说，有机发光显示装置100可以实现比典型的有机发光装置10高至少400gf的粘附力。
因此，在相同的条件下，在有机发光显示装置100中，发光阵列120和密封结构130之间的粘合层140(其可以在没有分离的情况下实现强粘附力)可以防止水和/或氧气侵入到发光阵列120，从而维持良好的发光，并且因此防止装置的寿命的劣化并且提高装置的可靠性。
表3
如上所述，有机发光显示装置100可以包括在发光阵列120与保护层131之间的粘合层140。因此，发光阵列120与密封结构130之间的增强粘附力可以在装置弯曲时防止由于弯曲应力而导致的杂质产生和破裂，并且因此可以更加稳固地遮蔽发光阵列120免遭水和/或氧气，这可以推迟装置的寿命、可靠性以及分辨率的劣化。即便在其弯曲状态下，有机发光显示装置(可以抵抗寿命、可靠性以及分辨率的劣化)也可以有利地用作柔性显示装置。
如图4的示例中所示，根据一种实施方式的薄膜晶体管阵列基板110可以包括：选通线GL和数据线DL，二者彼此交叉以限定多个像素区域PA；以及多个薄膜晶体管TFT，其与所述多个像素区域PA相对应。
发光阵列120可以包括多个有机发光器件ED，所述多个有机发光器件ED中的每一个都可以形成在像素区PA中的对应一个的发光区域中。例如，每个有机发光器件ED可以连接在对应的薄膜晶体管TFT与基准电源Vdd之间，并且可以基于驱动电流(对应于薄膜晶体管TFT与基准电源Vdd之间的电位差)发光。
如图5的示例中所示，薄膜晶体管阵列基板110可以包括：由透明软材料形成的支承基板111；以及形成在支承基板111上的多个薄膜晶体管TFT。所述多个薄膜晶体管TFT可以对应于所述多个像素区域PA。
例如，支承基板111可以包括：基极层111a；形成在基极层111a的一个表面上以阻止氧气和/或水的多缓冲层111b；形成在基极层111a的另一个表面上的光学粘合层111c；以及经由光学粘合层111c结合到基极层111a的所述另一个表面的背板111d。作为示例，基极层111a可以是由聚酰亚胺基材料形成的膜。
多缓冲层111b可以是由从有机绝缘材料和无机绝缘材料中选择的至少一中材料形成的多个绝缘体层的堆叠。也就是说，多缓冲层111b可以是在以下各方面中的至少一个方面具有至少一个差异的两个或更多个绝缘体膜的堆叠：厚度、组分以及组成比。在一个示例中，多缓冲层111b可以由SiNx或SiOy形成。多缓冲层111b可以防止劣化因素(诸如水、氧气等)通过支承基板111进入发光阵列120。
光学粘合层111c可以是光学清洁粘合(Optical Clean Adhesive，OCA)膜。背板111d可以是柔性金属或塑料板。例如，背板111d可以由塑料材料形成，所述塑料材料诸如为聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等。另选的是，背板111d可以由金属材料(诸如铝、铜等)形成。
薄膜晶体管TFT可以包括：有源层ACT、栅极GE、源极SE以及漏极DE。有源层ACT可以形成在每个像素区域PA在支承基板111上的非发光区域的至少一部分上。有源层ACT可以包括：沟道区、源区ACT_S以及在沟道区的相对侧的漏区ACT_D。
栅绝缘体膜112可以形成在支承基板111的表面上方，以覆盖有源层ACT。栅极GE可以形成在栅绝缘体膜112上，以至少与有源层的沟道区重叠。层间绝缘体膜113可以形成在栅绝缘体膜112的表面上方，以覆盖栅极GE。
源极SE和漏极DE可以在层间绝缘体膜113上彼此间隔开。在一个示例中，源极SE可以至少与有源层的源区ACT_S重叠，并且可以通过形成在栅绝缘体膜112和层间绝缘体膜113中的接触孔连接到有源层的源区ACT_S。漏极DE可以至少与有源层的漏区ACT_D重叠，并且可以通过形成在栅绝缘体膜112和层间绝缘体膜113中的接触孔连接到有源层的漏区ACT_D。可以包括有源层ACT、栅极GE、源极SE以及漏极DE的薄膜晶体管TFT可以用形成在层间绝缘体膜113的表面上方的涂覆膜114来覆盖。
发光器件ED中的每一个都可以包括：彼此面对的第一电极EX1和第二电极EX2、插入在第一电极EX1和第二电极EX2之间的发光层EL以及形成在每个像素区域PA的非发光区域中的堤部BK。第一电极EX1可以形成在涂覆膜114上以对应于每个像素区域PA的发光区域，并且可以通过形成在涂覆膜114中的像素接触孔CTH连接到薄膜晶体管TFT。堤部BK可以形成在涂覆膜114上以对应于每个像素区域PA的非发光区域，并且堤部BK的至少一部分可以与第一电极EX1的边缘重叠。发光层EL可以形成在第一电极EX1上。第二电极EX2可以形成为面对第一电极EX1，使得发光层EL可以插入在第一电极EX1和第二电极EX2之间。
另选的是，对于上面描述的有机发光显示装置100，保护层131可以是多个层的堆叠，而不是仅包括由氧化铝形成的第一绝缘体层131a的单个层。此外，另选的是，对于上面描述的有机发光显示装置100，密封结构130的至少一部分可以覆盖发光阵列120的顶表面以及侧壁。
图6A至6D是根据实施方式的有机发光显示装置的局部截面图。
如图6A示例中所示，除了呈多层形式的保护层131之外，根据此实施方式的有机发光显示装置100a与图2示例中示出的有机发光显示装置100类似，所述呈多层形式的保护层131可以包括每个都由无机绝缘材料或有机-无机混合绝缘材料形成的至少一个第一绝缘体层131a和一个或多个第二绝缘体层131b。将在下文中省略类似元件的重复描述。
例如，第二绝缘体层131b中的每一个都可以形成在第一绝缘体层131a的上表面和/或下表面上。第二绝缘体层131b中的每一个都可以例如由SiNx、SiOy以及SiOCz中的任何一个形成。
同样地，包括第一131a和第二绝缘体层131b的多层保护层131可以实现增加的WVRT和台阶覆盖，并且因此可以更加有效地防止发光阵列120的劣化，并且可以推迟装置的寿命和可靠性的劣化。
如图6B示例中所示，除了密封结构130之外，根据此实施方式的有机发光显示装置100b与图2示例中示出的有机发光显示装置100类似，所述密封结构130可以被结合成面对薄膜晶体管阵列基板110以覆盖发光阵列120和粘合层140的侧壁。将在下文中省略类似元件的重复描述。
如图6C示例中所示，除了密封结构130之外，根据此实施方式的有机发光显示装置100c与图2示例中示出的有机发光显示装置100类似，所述密封结构130可以包括：形成在粘合层140上的保护层131；以及密封层132和阻挡层133，阻挡层133被结合成面对薄膜晶体管阵列基板110以覆盖发光阵列120、粘合层140以及保护层131的侧壁。将省略类似元件的重复描述。
如图6D示例中所示，除了密封结构130之外，根据此实施方式的有机发光显示装置100d与图2示例中示出的有机发光显示装置100类似，所述密封结构130可以包括：保护层131，其形成在粘合层140上；阻挡层133，其形成以覆盖发光阵列120、粘合层140以及保护层131的侧壁；以及密封层132，其形成在阻挡层133上以面对薄膜晶体管阵列结构110。将在下文中省略类似元件的重复描述。
将参照图7和图8A至8E对根据实施方式的有机发光显示装置的制造方法进行描述。
如图7示例中所示，有机发光显示装置的制造方法可以包括：提供薄膜晶体管阵列基板110和发光阵列120(S110)、在发光阵列120上形成粘合层140(S120)、在粘合层140上形成保护层131(S130)、以及在保护层131上形成阻挡层133和密封层132(S140)。
如图8A示例中所示，在操作S110中，可以在可以由软材料形成的支承基板上形成多个薄膜晶体管TFT，从而提供薄膜晶体管(TFT)阵列基板110。所述多个薄膜晶体管TFT可以对应于多个像素区域。随后，并且同样在操作S110中，可以在薄膜晶体管阵列基板110上形成多个有机发光器件ED，从而提供包括所述多个有机发光器件ED的发光阵列120。所述多个有机发光器件ED可以对应于相应的像素区域。
如图8B示例中所示，在操作S120中，可以在发光阵列120上形成粘合层140。例如，粘合层140可以由例如选自烯烃基、丙烯基以及硅基材料的透明且绝缘材料形成。在一个示例中，粘合层140可以由憎水性烯烃基绝缘材料形成。同样地，粘合层140可以防止分辨率的劣化，并且可以将到发光阵列120的粘附力提高至900gf或更多。
如图8C示例中所示，在操作S130中，可以在粘合层140上形成保护层131。保护层131可以包括例如由氧化铝基材料形成的至少一个第一绝缘体层131a。在一个示例中，第一绝缘体层131a的厚度可以是在20nm至50nm的范围内。
在操作S140中，在提供了密封层132(阻挡层133附着到其上)之后，如图8D的示例中所示，如图8E示例中所示，阻挡层133可以附着到保护层131，以允许密封层132被结合成面对薄膜晶体管阵列110。以这种方式，根据实施方式，可以制造可以有利地用作柔性显示装置的有机发光显示装置。
如从上述描述显而易见的那样，根据实施方式的有机发光显示装置可以包括用于将发光阵列和保护层彼此粘合的粘合层。通过这种粘合层，发光阵列和保护层可以在其界面处获得强的粘附力。因此，即使当有机发光显示器件弯曲时，也不会发生发光阵列和保护层的分离。此外，可以没有由于彼此分离的发光阵列和保护层的摩擦而导致的杂质。
此外，因为粘合层可以补偿发光阵列上的杂质，所以可以防止发光阵列上的杂质转移到保护层而无需由有机绝缘材料形成的厚绝缘体膜，并且因此可以防止分辨率的劣化。此外，提供粘合层可以减轻施加到保护层的弯曲应力，这可以减少保护层在装置弯曲时的破裂，并且可以减少由于破裂而导致的杂质的产生。
粘合层可以由憎水性材料形成。在这种情况下，可以提高针对防止透水到发光阵列的可靠性。以这种方式，根据实施方式的有机发光显示装置可以甚至在其弯曲状态下减少破裂和杂质的产生，并且可以防止发光阵列和保护层的分离，从而防止可靠性和寿命的劣化。结果，有机发光显示装置可以有利地用作柔性显示装置。
对于本领域的技术人员而言将显而易见的是，在不背离本发明的精神或范围的情况下，能够在本发明中做出各种修改和变化。因此，本发明意欲涵盖落入所附权利要求和它们的等同物的范围内的本发明的修改和变化。

Claims (13)

1.一种有机发光显示装置，包括：
薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：
支承基板，所述支承基板包括软材料；和
多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管在所述支承基板上并且与多个像素区域相对应；
发光阵列，所述发光阵列包括多个有机发光器件，所述多个有机发光器件在所述薄膜晶体管阵列基板上并且与所述多个像素区域相对应；
密封结构，所述密封结构在所述薄膜晶体管阵列基板上方，使得所述发光阵列插入在所述薄膜晶体管阵列基板和所述密封结构之间；以及
粘合层，所述粘合层在所述发光阵列和所述密封结构之间，使得所述发光阵列和所述密封结构通过所述粘合层彼此粘结，
其中，所述密封结构包括：
保护层，所述保护层在所述发光阵列上；
密封层，所述密封层在所述薄膜晶体管阵列基板上方；以及
阻挡层，所述阻挡层将所述保护层和所述密封层彼此粘结。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述粘合层包括选自以下各项中的一个或多个的透明且绝缘材料：烯烃基、丙烯基以及硅基绝缘材料。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述粘合层包括具有憎水性和粘合属性的所述烯烃基绝缘材料。
4.根据权利要求2所述的装置，其中：
所述粘合层包括在两侧具有粘合表面的膜，并且
所述粘合层附着到所述发光阵列。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述保护层包括含有氧化铝基材料的第一绝缘体层。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述第一绝缘体层具有在20nm～50nm范围内的厚度。
7.根据权利要求5所述的装置，其中，所述保护层包括：
至少一个第一绝缘体层；以及
至少一个第二绝缘体层，所述至少一个第二绝缘体层在所述第一绝缘体层的上表面或下表面上，所述第二绝缘体层包括以下各项中的任何一个或多个：SiNx、SiOy以及SiOCz。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述保护层、所述密封层以及所述阻挡层中的至少一个包围所述发光阵列的侧壁。
9.一种有机发光显示装置的制造方法，所述方法包括：
提供薄膜晶体管阵列基板和发光阵列，所述薄膜晶体管阵列基板包括：支承基板，所述支承基板包括软材料；和多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管在所述支承基板上并且与多个像素区域相对应，并且所述发光阵列包括多个有机发光器件，所述多个有机发光器件在所述薄膜晶体管阵列基板上并且与所述多个像素区域相对应；
将粘合层提供到所述发光阵列的顶部，所述粘合层包括透明属性，所述粘合层的两个表面都是粘合表面；
在所述粘合层上提供保护层，所述保护层包括含有氧化铝的第一绝缘体层；
在所述保护层上对齐密封层以面对所述薄膜晶体管阵列基板；以及
使用在所述密封层和所述保护层之间的阻挡层将所述密封层附着到所述薄膜晶体管阵列基板。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述粘合层包括选自以下各项中的一个或多个的透明且绝缘材料：烯烃基、丙烯基以及硅基绝缘材料。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述粘合层包括具有憎水性和粘合属性的所述烯烃基绝缘材料。
12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一绝缘体层具有在20nm～50nm范围内的厚度。
13.根据权利要求9所述的方法，其中，所述保护层包括：
至少一个第一绝缘体层；以及
至少一个第二绝缘体层，所述至少一个第二绝缘体层形成在所述第一绝缘体层的上表面或下表面上，所述第二绝缘体层包括以下各项中的任何一个或多个：SiNx、SiOy以及SiOCz。
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