TWI814117B - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

顯示裝置包含陣列基板以及密封結構。陣列基板具有顯示區、位於顯示區之外的非顯示區以及發光陣列。密封結構設置於陣列基板上，其中密封結構密封發光陣列，並將面向密封結構且呈板狀的加強基板固定到陣列基板。就此而言，密封結構包含面向陣列基板的第一黏著層、面向加強基板的第二黏著層以及設置於第一黏著層與第二黏著層之間的障壁層。因此，密封結構具有較臨界厚度還大的厚度，以避免由黏著材料所製成的單層中的製程缺陷。由於這種密封結構，避免固定具有較大厚度的加強基板的可靠度降低。因此，由於加強基板，剛性和散熱效果為充足的。

Description

顯示裝置及其製造方法
本發明涉及一種顯示裝置及其製造方法，其中顯示裝置包含用來密封發光元件的密封結構。
顯示裝置應用於各種電子產品，例如電視、行動電話、筆記型電腦與平板電腦。為此，正在持續研究開發輕薄且低功耗的顯示裝置。
顯示裝置的例子包含液晶顯示裝置(LCD)、電漿顯示裝置(PDP)、場發射顯示裝置(FED)、電濕潤顯示裝置(EWD)、電致發光顯示裝置(ELDD)、有機發光顯示裝置(OLED)及其相似物。
有機發光顯示裝置(OLED)包含多個像素區以及多個有機發光元件，這些像素區排列於顯示影像的顯示區中，且這些有機發光元件分別對應到這些像素區。每一個有機發光元件為發出光線的自體發光元件。因而，相較於液晶顯示裝置，有機發光顯示裝置具有較快的響應速度、較高的發光效率與亮度、較大的視角以及出色的對比度與色彩再現範圍。
有機發光元件包含容易因濕氣與氧氣而劣化的有機材料。如此一來，為了避免有機材料暴露於濕氣與氧氣等，且為了延遲有機材料的劣化，有機發光顯示裝置具有用於密封有機發光元件的封裝膜以及位於封裝膜上的封裝基板。
在行動式與攜帶式的裝置中所使用的小尺寸面板具有小的面板面積，使得熱量從裝置快速地消散，且幾乎沒有黏著的問題。然而，在顯示器、平板電腦、電視機中所使用的大尺寸面板中，面板面積很大，而會需要封裝結構以將散熱與黏著最佳化。
圖36係根據習知技術的顯示裝置的示意圖。如圖36所示，一發光陣列420設置於一電晶體陣列410上，且一封裝基板423設置於被一密封材料415密封的一陣列基板405上。此外，為了補償剛性的不足，一顯示裝置400更可包含設置於封裝基板423上的獨立內板430。內板430可透過一黏著件435附接到一底蓋460。在此情況下，需要確保用來在其內容納獨立內板430的空間。內板430的重量會對顯示裝置400的薄型化與輕量化造成限制。此外，會因為了將封裝基板423與內板430彼此黏合所設置的黏著膠帶425的厚度而在封裝基板423與內板430之間產生空氣間隙，而導致一第一垂直間隔區域g1的產生，從而降低散熱性能。
此外，由於印刷電路板440，柔性電路板445與積體電路晶片450附接到封裝基板423的上表面的一側，並且內板430設置在與印刷電路板440間隔一預定間距的位置，因此內板430不附接到設置有印刷電路板440、柔性電路板445與積體電路晶片450的封裝基板423的上表面的部分。如此一來，與設置有印刷電路板440、柔性電路板445與積體電路晶片450的區域相比，在沒有內板430附接的水平間隔區域g3與一第二垂直間隔區域g2中會有無法散熱的問題。
本發明的目的在於提供一種包含密封結構的顯示裝置，密封結構可在具有能固定相對較厚的加強基板並省略獨立內板的厚度的情況下同時抑制製程缺陷。
此外，本發明旨在透過引入能夠在其上方提供具有相對較大厚度之加強基板的多層結構之密封結構，以改善剛性與散熱效果。
此外，本發明旨在透過抑制濕氣在陣列基板的側方向與前方向上的滲透，來避免在面板的前表面上發生缺陷。
再者，本發明旨在引入具有多層結構的密封結構，以減小顯示裝置彎曲的翹曲量。
此外，本發明旨在提供一種顯示裝置，此顯示裝置的內部配置可透過引入多層結構的密封結構以確保顯示裝置的剛性並省略內板之方式而被簡化，進而使得顯示裝置比現有的顯示裝置更薄更輕。
此外，本發明旨在即使引入多層結構的密封結構，仍能在避免用來驅動面板的柔性印刷電路板受損的同時在非顯示區中實現窄邊框。
根據本發明的目的不限於上述目的。根據本發明之未提及的其他目的與優點可基於以下描述而被理解，並且可基於根據本發明之實施例而更加清楚地被理解。再者，可以容易理解到，可使用請求項中所示的手段及其結合來實現根據本發明的目的與優點。
本發明之一示例提供一種顯示裝置，包含陣列基板與密封結構。陣列基板具有顯示區、位於顯示區之外的非顯示區以及包含多個發光元件的發光陣列，這些發光元件對應到顯示區上的多個像素區。密封結構設置於陣列基板上，其中密封結構密封發光陣列並將面向密封結構且呈板狀的加強基板固定到陣列基板。就此而言，密封結構包含面向陣列基板的第一黏著層、面向加強基板的第二黏著層以及設置於第一黏著層與第二黏著層之間的障壁層。也就是說，密封結構具有第一與第二黏著層透過障壁層彼此間隔的堆疊結構。此外，密封結構可被配置成更包含保護結構，保護結構面向加強基板同時設置於第二黏著層上。
如此一來，可將密封結構提供成具有比臨界厚度還大的厚度，以避免在黏性材料所製成之單層中產生的製程缺陷。由於此密封結構，可避免用來固定具有相對較大厚度的加強基板的可靠度的下降。因而，可充分地確保因加強基板所提供的剛性與散熱效果。
因此，可省略獨立的內板。這可有利於顯示裝置的薄型化與輕量化。封裝基板與內板之間的間距所導致的散熱效果的劣化便得以避免。
因為密封結構的第一黏著層接觸到陣列基板，所以僅有第一黏著層可由包含無機填料的混合物所製成。因而，便得以降低準備密封結構的成本。再者，由於第二黏著層不包含無機填料，因此第二黏著層中所包含之具有黏性之聚合物材料的含量便得以增加。因而，第二黏著層的黏性可相對較高。結果，加強基板可更牢固地附接於密封結構。
此外，第二黏著層是由含有不含羧基之聚合物的混合物所製成，而可避免障壁層的腐蝕或膜均勻性的劣化，從而避免在顯示裝置中發生缺陷。
此外，因為加強基板比密封結構更加遠離陣列基板的墊部，所以可避免連接到陣列基板之墊部的柔性電路板接觸到加強基板。如此一來，可減緩或避免對柔性電路板的損傷。
本發明的另一示例提供一種顯示裝置，包含陣列基板與密封結構。陣列基板具有顯示區、位於顯示區之外的非顯示區以及包含多個發光元件的發光陣列，這些發光元件對應到顯示區上的多個像素區。密封結構設置於陣列基板上，其中密封結構密封發光陣列、具有多層結構並將面向密封結構且呈板狀的加強基板固定到陣列基板。就此而言，密封結構包含面向陣列基板的第一黏著層、面向保護結構的第二黏著層、設置於第一黏著層與第二黏著層之間的障壁層以及設置於加強基板與第二黏著層之間的保護結構。
此外，保護結構的保護層可具有能避免彎曲所導致的損傷同時阻擋外界衝擊的厚度，而可進一步確保顯示裝置的剛性。
再者，本發明之另一示例提供製造顯示裝置的方法，此方法包含：提供陣列基板，陣列基板具有發光陣列，發光陣列包含多個發光元件，這些發光元件分別對應到多個像素區；提供密封結構，其中密封結構包含彼此相對的第一與第二黏著層以及設置於第一與第二黏著層之間的障壁層；以及在陣列基板上設置密封結構，使得發光陣列被第一黏著層密封。
根據本發明的一實施例，用來將陣列基板與加強基板彼此接合且用來將陣列基板的發光陣列密封的密封結構具有透過障壁層來分開第一與第二黏著層的堆疊結構。如此一來，可將密封結構提供成具有約為臨界值兩倍大的厚度，其中臨界值為在黏性材料所製成的單層中避免製程缺陷的值。也就是說，可在避免製程缺陷的同時將密封結構準備成具有相對較大的厚度。
結果，可準備相對較厚的加強基板。因而，可充分地確保由加強基板所提供的剛性與散熱效果。
因此，可省略用來確保剛性的獨立內板。這可有利於顯示裝置的薄型化與輕量化。可簡化顯示裝置的組裝流程。再者，可避免內板與封裝基板之間的間距所導致的散熱效果的劣化。
此外，密封結構更可包含用來進一步確保顯示裝置之剛性的保護結構，從而即使當外界衝擊施加到顯示裝置時仍能防止陣列基板的發光陣列受損。
此外，保護結構的保護層可具有能避免彎曲所導致的損傷同時阻擋外界衝擊的厚度，以進一步確保顯示裝置的剛性。因而，即使外界衝擊在附接製程期間施加到裝置，保護層仍能避免密封結構受損，並進一步地避免陣列基板的發光陣列受損。
此外，將密封結構實施為多層結構可使得顯示裝置彎曲的翹曲量降低。
此外，可透過使用具有高熱導率的材料作為加強基板的材料來有效地逸散熱量，從而減少面板上後像的機率，並改善發光陣列的壽命。
此外，控制加強基板的厚度與寬度可能使柔性印刷電路板不會接觸到密封結構或加強基板，從而避免柔性印刷電路板受損。
本發明的效果不以上述效果為限，其他未提及的效果將會從以下描述中被本領域技術人員清楚地理解。
以上關於本發明內容的說明及以下實施方式的說明係用以示範與解釋本發明的原理，並且提供本發明的專利申請範圍更進一步的解釋。
為了描述上的簡潔，圖式中的元件不一定按比例繪示。在不同圖式中相同的參考標號代表相同或相似的元件，並因此執行相似的功能。再者，為了描述簡便，省略了周知的步驟與元件的描述和細節。進一步來說，在本發明的以下詳細描述中，闡述了許多具體細節以提供對本發明的透徹理解。然而，應當理解可在沒有這些具體細節的情況下實踐本發明。在其他情況下，沒有對周知的方法、過程、元件與電路詳細描述，以免不避要地混淆本發明的態樣。以下將對各實施例的示例進一步地說明與描述。應當理解於此的敘述不旨於將請求項限制為所描述的特定實施例。相反地，旨於涵蓋可包含在由所附請求項所定義的本發明的精神與範圍內的替代、修改和等同物。
在用來描述本發明之實施例的圖式中所揭露的形狀、尺寸、比例、角度、數量等僅為示例性的，且本發明不以此為限。於此相同的參考標號代表相同的元件。再者，為了描述簡便，省略了周知的步驟與元件的描述和細節。進一步來說，在本發明的以下詳細描述中，闡述了許多具體細節以提供對本發明的透徹理解。然而，應當理解可在沒有這些具體細節的情況下實踐本發明。在其他情況下，沒有對周知的方法、過程、元件與電路詳細描述，以免不避要地混淆本發明的態樣。
於此所使用的術語僅為用於描述特定實施例的目的，並不旨於限制本發明。如本文中所使用，單數形式的「一」、「一個」除非上下文中另有明確指出，否則亦旨於包含複數的形式。應當進一步地理解當在本說明書中使用「包含」、「包括」、「含」、「含有」這些用語明確指出所述特徵、整數、操作、元件且/或組件的存在，但不排除存在或添加一或多個其他特徵、整數、操作、元件、組件及/或上述的部分。如本文中所使用，「且/或」、「及/或」的用語包含一或多個相關所列項目的任何與所有組合。當在元件列表處，例如「至少一者」等表達方式可修改這些元件列表的全部且可不修改列表中的個別元件。當提到「C到D」時，除非另有明確指出，否則意味著包含C到包含D。
應當理解儘管「第一」、「第二」、「第三」等用語於此可被用來描述各種元件、組件、區域、層體且/或部分，這些元件、組件、區域、層體且/或部分不應受這些用語的限制。這些用語被用來將一個元件、組件、區域、層體或部分與另一個元件、組件、區域、層體或部分區分開來。因此，下述的第一元件、組件、區域、層體或部分可在不脫離本發明之精神與範圍的情況下被稱為第二元件、組件、區域、層體或部分。
此外，亦應當理解當第一元件或層體被稱為存在於第二元件或層體「上」或「之上」時，第一元件可直接設置於第二元件上或之上，或者可有第三元件或層體設置於第一與第二元件或層體之間而第一元件間接設置於第二元件上或之上。應當理解當一個元件或層體被稱為「連接到」或「耦合到」另一個元件或層體時，其可為直接在另一個元件或層體上、連接到另一個元件或耦合到另一個元件，或者可存在一或多個中間元件或層體。此外，亦應當理解當一個元件或層體被稱為在兩個元件或層體「之間」時，其可為這兩個元件或層體之間唯一的元件，或者亦可存在一或多個中間元件。
再者，如本文中所使用，當一個層體、膜體、區域、板體等設置於另一個層體、膜體、區域、板體等「上方」或「頂部」時，前者可直接接觸後者，或仍可有再一個層體、膜體、區域、板體等設置於其間。如本文中所使用，當一個層體、膜體、區域、板體等直接設置於另一個層體、膜體、區域、板體等「上方」或「頂部」時，前者直接接觸後者，且沒有額外的層體、膜體、區域、板體等設置於其間。再者，如本文中所使用，當一個層體、膜體、區域、板體等設置於另一個層體、膜體、區域、板體等「下方」或「以下」時，前者可直接接觸後者，或仍可有再一個層體、膜體、區域、板體等設置於其間。如本文中所使用，當一個層體、膜體、區域、板體等直接設置於另一個層體、膜體、區域、板體等「下方」或「以下」時，前者直接接觸後者，且沒有額外的層體、膜體、區域、板體等設置於其間。
除非另有定義，否則包含本文中所使用的技術用語與科學用語等術語具有本發明概念所屬之領域的普通技術人員所通常理解的相同含義。除非於此有明確的定義，否則應當進一步地理解在通用詞典中所定義的這些用語應被解釋為具有與其在相關領域的上下文中之含義一致的含義，不會以理想化或過度正式的含義被解釋。
在一示例中，當特定實施例可被不同地實現時，可用與流程圖中所指定的順序不同的順序產生在特定區塊中指定的功能或操作。舉例來說，兩個連續的區塊實際上可在相同時間執行。可依據相關的功能或操作以相反的順序這些區塊。
在時間關係的描述中，例如「之後」、「接續於」、「之前」等兩個事件之間的時間慣例關係，除非沒有指出「就在之後」、「直接接續於」、「就在之前」，否則其間可能發生另外的事件。本發明的各種實施例的特徵可部分地或完全地彼此結合，且可在技術上彼此關聯或彼此操作。各實施例可彼此獨立地實行，也可以關聯關係共同實行。如「下方」、「之下」、「下部」、「上方」、「之上」、「上部」等空間相對用語可在本文中用來易於解釋以描述一個元件或特徵與圖式中所繪示之另一個元件或特徵的關係。除了圖式中所描繪的方位外，應當理解空間相對用語還旨於包括裝置在使用或操作中的不同方位。舉例來說，當圖式中的裝置倒置時，被描述為在另一個元件或特徵「之下」、「下方」或「之上」的元件可接著被定位為在所述另一個元件或特徵的「上方」。因此，示例用語「下方」、「之下」可包括上下兩個方位。裝置可被其他方式定位，例如旋轉90度或其他方位，且應相應地解釋本文中所使用的空間相對描述。
再者，「a方向」、「b方向」與「c方向」不應被解釋為僅具有a方向、b方向與c方向彼此垂直的幾何關係。「a方向」、「b方向」與「c方向」可在本文的組件能夠功能性地運作的範圍內被解釋為具有更寬廣的方向。
以下，將參照所附圖式來描述根據本發明之每一個實施例的顯示裝置。
圖1係根據本發明第一實施例之顯示裝置的立體分解圖。
如圖1所示，根據本發明之第一實施例的顯示裝置包含一陣列基板10以及設置於陣列基板10上的一密封結構30。
陣列基板10包含設置於其至少一側緣上的一墊部。裝設有用來驅動一資料線（圖2的DL）之積體電路晶片的至少一柔性電路板22可連接到設置於陣列基板10之至少一側緣上的墊部。
再者，至少一柔性電路板22更連接到裝設有一積體電路晶片23的一印刷電路板24，其中積體電路晶片23控制陣列基板10的運作時序。也就是說，至少一柔性電路板22設置於陣列基板10與印刷電路板24之間。值得注意的是，為了清楚地示出其電路板，在圖1中將至少一柔性電路板22與印刷電路板24示於陣列基板10的上方，但在接下來的圖式中至少一柔性電路板22與印刷電路板24係設置於實際顯示裝置的加強基板40上。
密封結構30將面向密封結構30且呈板狀的加強基板40固定到陣列基板10。
密封結構30其中包含一第一黏著層31、一第二黏著層32以及一障壁層33，第一黏著層31面向陣列基板10，第二黏著層面向加強基板40，而障壁層33設置於第一黏著層31與第二黏著層32之間。第一與第二黏著層31、32可各自包含一黏著材料，如具有黏性的聚合物材料。障壁層33較第一與第二黏著層31、32還薄。也就是說，密封結構30包含透過呈薄膜型的障壁層33彼此間隔的第一與第二黏著層31、32。因此，密封結構30可具有相對較厚的厚度，同時避免取決於其厚度之黏著材料的製程缺陷。障壁層33的厚度相對於第一與第二黏著層31、32可以變化。舉例來說，障壁層33的厚度可大於第一黏著層31的厚度、第二黏著層32的厚度或兩者的厚度。由於障壁層33的厚度可變化，障壁層33的厚度可大於第一黏著層31的厚度，但小於第二黏著層32的厚度，或反之亦然。
具體來說，當存在相對較厚的單一黏著材料層時，可能會因為外來材料插入層中與層的位移，而頻繁且容易地產生如厚度不均勻的製程缺陷。如此一來，單一黏著材料層需要具有比一臨界厚度還小的厚度，以避免製程缺陷。
反之，根據本發明之第一實施例之顯示裝置的密封結構30並非由黏著材料所製成的單層所組成，而是由透過薄的障壁層33隔開的第一與第二黏著層31、32所組成。因此，密封結構30可具有約為單一黏著層之臨界厚度兩倍的厚度以避免製程缺陷，但可替代性地具有比單一黏著層之臨界厚度還大而比臨界厚度兩倍還小的厚度。在部分實施例中，基於散熱與剛性需求，密封結構30的厚度可比單一黏著層之臨界厚度的兩倍還大。
此外，由於密封結構30的厚度增加，可透過密封結構30固定到陣列基板10的加強基板40的臨界厚度便得以增加。因此，可改善由加強基板40提供的剛性與散熱效果。因此，可不需要獨立的內板，並可以可靠地達成顯示裝置的薄型化與輕量化。再者，可避免或有效地減緩散熱效果的劣化。
再者，根據本發明之第一實施例的顯示裝置更可包含加強基板40，加強基板40藉由密封結構30固定於陣列基板10上。
再者，根據本發明之第一實施例的顯示裝置更可包含一底蓋50，底蓋50容納陣列基板10、密封結構30與加強基板40。
底蓋50包含一底部51，底部51面向加強基板40。或者，底蓋50更可包含一側部52，側部52從底部51的外周垂直地向陣列基板10延伸。可額外包含能夠改善散熱及/或剛性的層體或結構。
圖2係對應到圖1之陣列基板與積體電路晶片的方塊圖。圖3係示出對應到圖2之像素區之等效電路之示例的示意圖。圖4係示出圖3之驅動薄膜電晶體與有機發光元件之示例的示意圖。
如圖2所示，根據本發明之第一實施例的顯示裝置包含陣列基板10，陣列基板10包含於顯示影像的一顯示區AA（主動區）以及驅動器61、62、63，驅動器61、62、63分別將訊號供應給陣列基板10的訊號線GL、DL。部分的驅動器61、62、63可被實施為裝設於連接到陣列基板10之至少一柔性電路板22上的積體電路晶片21，以及裝設於連接到至少一柔性電路板22之印刷電路板24上的積體電路晶片23。再者，另一個驅動器61、62、63可被嵌入在陣列基板10中。
陣列基板10包含在顯示區AA中所定義的多個像素區PA。
每一個像素區PA係指用來發出對應到一種顏色之光的區域。在這些像素區PA中，兩個以上彼此相鄰且對應到不同顏色的像素區PA可構成用來發出各種顏色之光的單元像素。也就是說，可實現一個單元像素。單元像素可藉由結合從兩個以上彼此相鄰的像素區PA所發出的光束來顯示各種顏色。
陣列基板10包含一閘極線GL以及一資料線DL，其中閘極線GL供應用來選擇欲寫入資料訊號VDATA的水平線路之掃描訊號SCAN，資料線供應資料訊號VDATA。水平線路可由在多個像素區PA中沿水平方向排列成一條線的像素區所組成。
此外，陣列基板10更可包含第一與第二驅動電力線（圖3的VDDL與VSSL），第一與第二驅動電力線分別供應用於發光元件之運作的第一與第二驅動電力VDD、VSS。
驅動器包含一時序控制器61、連接到資料線DL的一資料驅動器62以及連接到閘極線GL的一閘極驅動器63。
時序控制器61基於陣列基板100的解析度將從外部系統所輸入的數位影片資料RGB重新排列，並將重新排列過的數位影片資料RGB'供應給資料驅動器62。
時序控制器61可基於例如為垂直同步訊號Vsync、水平同步訊號Hsync、點時脈(dot clock)訊號DCLK以及資料致能訊號DES的時序訊號，來產生並供應一資料控制訊號DDC以控制資料驅動器62的運作時序，且可產生並供應一閘極控制訊號GDC以控制閘極驅動器63的運作時序。
閘極驅動器63基於閘極控制訊號GDC在用來顯示影像的一個幀周期的期間依序將掃描訊號SCAN供應給多個閘極線GL。
也就是說，閘極驅動器63在一個幀周期的期間內，在對應到每一個閘極線GL的每一個水平周期的期間將掃描訊號SCAN供應給每一個閘極線GL。
資料驅動器62基於資料控制訊號DDC將重新排列過的數位影片資料RGB'轉換成類比資料電壓。資料驅動器62基於重新排列過的數位影片資料RGB'將資料訊號VDATA供應給資料線DL，其中資料訊號VDATA對應到在每一個水平周期的期間內供應有掃描訊號SCAN之水平線的每一個像素區PA。
如圖3所示，每一個像素區PA包含一無機發光元件OLED以及用來將驅動訊號供應給無機發光元件OLED的像素電路。
在一示例中，像素電路包含驅動電晶體DT、轉換電晶體ST以及儲存電容器Cst。這僅為示例。即使未示出，每一個像素區PA更可包含一補償電路（未繪示），以補償驅動電晶體DT與發光元件OLED中至少一者的劣化。補償電路可包含至少一電晶體（未繪示），以檢測劣化量或供應參考電力（未繪示）。
無機發光元件OLED包含第一與第二電極，即一陽極以及一陰極，並包含設置於第一與第二電極之間的一發光層。發光層基於第一與第二電極之間的驅動電流來發光。無機發光元件OLED可具有包含兩個以上之發光層的多疊結構。
驅動電晶體DT可串聯連接到發光元件OLED且可設置於第一驅動電力線VDDL與第二驅動電力線VSSL之間，其中第一驅動電力線VDDL供應第一驅動電力VDD，第二驅動電力線VSSL供應第二驅動電力VSS，且第二驅動電力VSS的電位比第一驅動電力VDD的電位還低。
轉換電晶體ST設置於一第一節點ND1與供應每一個像素區PA之資料訊號VDATA的資料線DL之間。第一節點ND1係驅動電晶體DT的閘極電極與轉換電晶體ST之間的一個接觸點。再者，轉換電晶體ST的閘極電極連接到閘極線GL。
儲存電容器Cst設置於第一節點ND1與第二節點ND2之間。第二節點ND2係驅動電晶體DT與無機發光元件OLED之間的接觸點。
像素電路的運作如下。基於閘極線GL的掃描訊號SCAN來導通轉換電晶體ST。就此而言，資料線DL的資料訊號VDATA透過導通的轉換電晶體ST與第一節點ND1被供應到驅動電晶體DT的閘極電極與儲存電容器Cst。
被供應到第一節點ND1的資料訊號VDATA向儲存電容器Cst進行充電。
再者，基於被供應到第一節點ND1的資料訊號VDATA與儲存電容器Cst的充電電壓來導通驅動電晶體DT，以產生對應到資料訊號VDATA的驅動電流。如此一來，由導通的驅動電晶體DT所產生的驅動電流可被供應到第二節點ND2，即被供應到無機發光元件OLED。
如圖4所示，陣列基板10包含一電晶體陣列110以及一發光陣列120，電晶體陣列110包含多個像素電路，這些像素電路分別對應到多個像素區PA，發光陣列包含多個無機發光元件OLED，這些無機發光元件OLED分別對應到多個像素區PA。
電晶體陣列110可包含一基座基板111以及一驅動薄膜電晶體DT，基座基板111包含一顯示區AA，顯示區AA對應到多個像素區PA，驅動薄膜電晶體DT設置於基座基板111上且對應到每一個像素區PA。再者，電晶體陣列110更可包含一平坦化膜115，平坦化膜115以平坦化的方式覆蓋驅動薄膜電晶體DT。
基座基板111可由絕緣材料所製成且可為平坦的。在一示例中，基座基板111可由玻璃或塑膠所製成。
驅動薄膜電晶體DT包含一主動層ACT、一閘極絕緣層113、閘極電極GE、一層間絕緣膜114、一源極電極SE以及一汲極電極DE，其中主動層ACT設置於覆蓋基座基板111的一緩衝膜112上，閘極絕緣層113設置於主動層ACT的通道區域上，閘極電極GE設置於閘極絕緣層113上，層間絕緣膜114覆蓋緩衝膜112、主動層ACT以及閘極電極GE，源極電極SE設置於層間絕緣膜114上並連接到主動層ACT的一源極區域，且汲極電極DE設置於層間絕緣膜114上並連接到主動層ACT的一汲極區域。
緩衝膜112可由能輕易地黏著到主動層ACT的絕緣材料所製成，例如為矽氮化物SiN x與二氧化矽SiO 2。緩衝膜112不但可幫助固定主動層ACT，還可阻擋濕氣或氧氣透過基座基板111侵入，並避免基座基板111的缺陷轉移到基座基板111上的層間絕緣膜114與平坦化膜115。然而，取決於基座基板111的材料，可從電晶體陣列110省略緩衝膜112。
主動層ACT可由矽半導體或氧化物半導體所製成。
此外，儘管於圖4中未繪示，電晶體陣列110更可包含轉換薄膜電晶體（圖3的ST）、連接到轉換薄膜電晶體ST之閘極電極的閘極線（圖3的GL）以及連接到轉換薄膜電晶體ST之源極電極與汲極電極中的一者的資料線（圖3的DL）。
因為驅動薄膜電晶體DT的閘極電極GE可設置於閘極絕緣層113上，所以閘極線GL可設置於閘極絕緣層113上。
因為驅動薄膜電晶體DT的源極電極SE與汲極電極DE可設置於層間絕緣膜114上，所以資料線DL可設置於層間絕緣膜114上。
層間絕緣膜114設置於緩衝膜112上並以平坦化的方式覆蓋主動層ACT與閘極電極GE。層間絕緣膜114可具有由有機絕緣材料與無機絕緣材料中選出的至少一絕緣材料所製成的多個層垂直地堆疊的結構。無機絕緣材料的示例包含矽氮化物SiN x與二氧化矽SiO 2。有機絕緣材料的示例包含丙烯酸樹脂(acryl resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、酚樹脂(phenolic resin)、聚醯胺樹脂(polyamide resin)與聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)。
與層間絕緣膜114類似，平坦化膜115可具有由有機絕緣材料與無機絕緣材料中選出的至少一絕緣材料所製成的多個層垂直地堆疊的結構。
發光陣列120可設置於電晶體陣列110的平坦化膜115上，且可包含分別對應到多個像素區PA的多個有機發光元件OLED。
每一個有機發光元件OLED可包含相對的第一與第二電極121、122以及設置於第一與第二電極121、122之間的發光層123。
發光陣列120可包含多個第一電極121、一堤部124、發光層123以及第二電極122，第一電極121分別對應到多個像素區PA並設置於電晶體陣列110上，堤部124設置於電晶體陣列110上並設置於像素區PA之外且覆蓋第一電極121的一邊緣，發光層123設置於堤部124與第一電極121上，第二電極122設置於發光層123上並對應到多個像素區PA。
密封結構30設置於陣列基板10上且覆蓋發光陣列120。密封結構30可具有不同厚度的多個膜與多個材料堆疊的結構。密封結構30的一部分可由具有黏性的材料所製成。
密封結構30的第一黏著層31以平坦化的方式覆蓋發光陣列120並密封發光陣列120。
圖5係以分解的方式示出圖1之陣列基板、密封結構、加強基板、柔性電路板與印刷電路板的示意圖。
如圖5所示，將掃描訊號SCAN供應給閘極線GL的閘極驅動器（圖2的63）可被嵌入至陣列基板10中。
在一示例中，可將閘極驅動器（圖2的63）設置在位於顯示區AA之外的非顯示區NA中設置在鄰近顯示區AA之一側緣的一部分區域GDA（閘極驅動器區域）中。就此而言，非顯示區NA亦可被稱為邊框區。
用來將資料訊號VDATA供應給資料線DL的資料驅動器（圖2的62）可被實施為裝設於柔性電路板22上的積體電路晶片21。
裝設有積體電路晶片21的柔性電路板22可連接到並設置於陣列基板10的一側緣與印刷電路板24之間。
時序控制器（圖2的61）可被實施為裝設於印刷電路板24上的積體電路晶片23。
陣列基板10更可包含一墊部10p，墊部10p設置成鄰近非顯示區NA中的顯示區AA的相對邊緣。
裝設有資料驅動器（圖2的62）之積體電路晶片21的柔性電路板22包含設置於其一側上的一墊部22p。當柔性電路板22的墊部22p接合到陣列基板10的墊部10p時，陣列基板10與柔性電路板22可彼此電性連接。
圖6係示出圖1之陣列基板、密封結構、加強基板、柔性電路板與印刷電路板之排列示例的示意圖。圖7係示出圖6在ab向剖面之示例的示意圖。圖8係示出圖6在cb向剖面之示例的示意圖。
如圖6與圖7所示，根據本發明之第一實施例的顯示裝置包含陣列基板10以及密封結構30，陣列基板10具有發光陣列（圖4的120），發光陣列包含多個發光元件（圖4的OLED），這些發光元件分別對應到多個像素區（圖4的PA），密封結構30設置於陣列基板10上，其中密封結構30密封發光陣列120，並將面向密封結構30且呈板狀的加強基板40固定到陣列基板10。
密封結構30包含第一黏著層31、第二黏著層32以及障壁層33，其中第一黏著層31面向陣列基板10，第二黏著層32面向加強基板40，障壁層33設置於第一黏著層31與第二黏著層32之間。
第一黏著層31與第二黏著層32各自由具有黏性的聚合物材料所製成。
在一示例中，第一黏著層31可由烯烴基(olefin-based)聚合物、環氧基(epoxy-based)聚合物與丙烯酸酯基(acrylate-based)聚合物中一者的第一聚合物材料311所製成。再者，第二黏著層32可由各自皆不包含羧基的烯烴基、環氧基、丙烯酸酯基、胺基(amine-based)、酚基(phenol-based)與酸酐基(acid anhydride-based)聚合物中一者的第二聚合物材料321所製成。特別來說，為了後述的障壁層33的成膜均勻性與防腐蝕性，第二黏著層32優選由不含羧基的第二聚合物材料321所製成。
為了陣列基板10的散熱，在第一與第二黏著層31、32當中，至少第一黏著層31可由包含具有黏性的第一聚合物材料311與金屬材料所製成的第一粒子312的混合物所製成。在一示例中，由金屬材料所製成的第一粒子312可為由鎳(Ni)等金屬或材料所製成的粉末。
也就是說，直接接觸陣列基板10的第一黏著層31可由包含具有黏性的第一聚合物材料311與第一粒子312的混合物所製成，因而可在各種材料中具有比黏性聚合物材料的熱導率更高的熱導率。
類似地，根據本發明的第一實施例，第二黏著層32可由包含具有黏性的第二聚合物材料321與第二粒子322的混合物所製成，因而可具有比黏性聚合物材料的熱導率更高的熱導率。
這樣一來，透過密封結構30來將產生自陣列基板10的熱消散的速率便得以改善，使得從陣列基板10提供的散熱效果得以改善。
再者，為了避免濕氣滲透進陣列基板10的發光陣列120中，第一黏著層31可由更包含吸濕性無機填料313的混合物所組成。吸濕性無機填料313可在各種材料中由氧化鈣(CaO)、氧化鎂(MgO)與氧化鋇(BaO)中至少一者所製成。
與第一黏著層31不同的是，第二黏著層32不與發光陣列120接觸。因而，第二黏著層32不需要包含用來避免濕氣滲透進發光陣列120的吸濕性無機填料。如此一來，第二黏著層32不包含吸濕性無機填料，但僅包含具有黏性的第二聚合物材料321與金屬材料所製成的第二粒子322。這樣一來，可減少注入到密封結構30中相對昂貴的吸濕性無機填料的量，從而可降低密封結構30的製備成本。再者，由於吸濕性填料不包含在第二黏著層32內，因此相較於包含在第一黏著層31中的聚合物材料的混合百分比，包含在第二黏著層32中的第二聚合物材料的混合百分比便得以增加。因此，第二黏著層32的黏性可比第一黏著層31的黏性還高。如此一來，具有可改善固定加強基板40之可靠度的優點。如此一來，由於加強基板40更牢固地固定在第二黏著層32上，可更進一步改善陣列基板10與加強基板40之間的接合力的可靠度。此外，因為形成有第一黏著層31與第二黏著層32所組成的多層結構，所以會具有可減少面板彎曲的翹曲量而可改善可靠度的優點。
就此而言，陣列基板10可被稱為支撐基板，加強基板40可被稱為接合基板，而密封結構30可被稱為接合結構。此外，第一黏著層31可被稱為密封黏著層，障壁層33可被稱為接合強化熱導層，而第二黏著層32可被稱為接合強化黏著層。如此一來，接合結構可被稱為在支撐基板上由密封黏著層、接合強化熱導層與接合強化黏著層所組成。
第一與第二黏著層31、32各自的厚度31th、32th可分別被限制為小於等於避免製程缺陷之單一黏著層之臨界值的值。再者，第一與第二黏著層31、32的厚度31th、32th的總和可被限制為大於等於可確保固定加強基板40之可靠度之臨界值的值。
在一示例中，第一與第二黏著層31、32的厚度31th、32th各自可為10微米到100微米的範圍。
障壁層33可由金屬材料與無機絕緣材料中任一者所製成。也就是說，障壁層33可包含例如為鋁(Al)、銅(Cu)、錫(Sn)、銀(Ag)、鐵(Fe)或鋅(Zn)的金屬材料。在另一示例中，障壁層33可被實施為如矽氧化物(SiO x)與矽矽氮氧化物(SiON x)的無機絕緣材料的薄膜。
可引入障壁層33以加強與第一和第二黏著層31、32的黏著，且可實現用來減少翹曲的堆疊結構。具體來說，第一黏著層31與第二黏著層32可被配置成分別包含黏性聚合物材料311、321。如此一來，由相對較硬的材料所製成的障壁層33可設置於第一黏著層31與第二黏著層32之間。因而，由於第一黏著層31與第二黏著層32分別附接到障壁層33的一表面與另一表面上，因此會改善黏著度。因而，密封結構30可被實現為第一黏著層31、障壁層33與第二黏著層32彼此接合且堆疊的堆疊結構。
障壁層33的厚度33th可被限制為大於等於可避免容易發生孔洞相關缺陷之臨界值的值。再者，為了將障壁層33所導致的密封結構30的厚度增加最小化，障壁層33的厚度33th可被限制為小於第一與第二黏著層31、32各自之厚度的值。
舉例來說，障壁層33的厚度33th可落在大於10微米且小於第一與第二黏著層31、32各自的厚度31th、32th的範圍內。
因此，根據本發明之第一實施例的密封結構30可包含透過薄的障壁層33隔開的第一與第二黏著層31、32，因而可在避免製程缺陷的同時具有約為單層黏著材料之厚度的兩倍大的厚度。
如此一來，藉由密封結構30固定到陣列基板10的加強基板40可具有更大的厚度，使得剛性得以增加且散熱效果得以輕易地實現。
也就是說，當密封結構30的厚度30th為30微米到300微米的範圍時，加強基板40的厚度40th可被實現為0.1公釐到1.5公釐範圍的厚度。
在一示例中，加強基板40可由玻璃、金屬與塑膠聚合物當中選出的一種材料所製成。舉例來說，加強基板40可由包含鋁、銅、錫、銀、鐵或鋅的金屬材料所製成。
此外，顯示裝置更可包含底蓋50，底蓋50容納陣列基板10、柔性電路板22、印刷電路板24、密封結構30與加強基板40。
底蓋50可透過設置於加強基板40與底蓋50之間的至少一黏著圖案70耦接到加強基板40。
如圖6與圖8所示，顯示裝置更包含連接到陣列基板10的至少一柔性電路板22以及連接到此至少一柔性電路板22的印刷電路板24。
在每一個柔性電路板22上，裝設有對應到資料驅動器（圖2的62）的積體電路晶片21，其中資料驅動器驅動陣列基板10的資料線DL。
對應到時序控制器（圖2的61）的積體電路晶片23係裝設於印刷電路板24上，其中時序控制器用來控制資料驅動器（圖2的62）與閘極驅動器（圖2的63）各自的運作時序。
印刷電路板24設置於加強基板40中面向底蓋50之底部51的一表面上。
每一個柔性電路板22的一側連接到陣列基板10的墊部（圖5的10p），而每一個柔性電路板22的相對側連接到印刷電路板24的墊部（未繪示）。
印刷電路板24設置於加強基板40中面向底蓋50的底部51的一表面上，而加強基板40透過密封結構30固定到陣列基板10。因此，柔性電路板22被設置成跨越密封結構30與加強基板40。
就此而言，當柔性電路板22與可能具有堅硬且些許粗糙之表面的加強基板40的邊緣相接觸時，根據柔性電路板22的移動，柔性電路板22與加強基板40之間可能會重複地發生碰撞。因而，對柔性電路板22的損傷是不可避免的。
如此一來，根據本發明的第一實施例，為了避免柔性電路板22與加強基板40接觸，加強基板40可具有比密封結構30的寬度還小的寬度。
也就是說，鄰近陣列基板10之墊部10p的密封結構30的一側緣可與陣列基板10的墊部10p間隔第一間距30g。在此情況下，鄰近陣列基板10之墊部10p的加強基板40的一側緣可與陣列基板10之墊部10p間隔第二間距40g，且第二間距40g比第一間距30g還大。
換句話說，如圖8所示，鄰近陣列基板10之墊部10p的密封結構30的一側緣可比鄰近陣列基板10之墊部10p的加強基板40的一側緣還靠近墊部10p。因而，鄰近陣列基板10之墊部10p的密封結構30的一部分不會被加強基板40覆蓋而得以暴露。
再者，裝設於每一個柔性電路板22上的積體電路晶片21可設置成鄰近印刷電路板24。在一示例中，裝設於每一個柔性電路板22上的積體電路晶片21可設置在加強基板40與柔性電路板22之間的重疊區域中。
這樣，柔性電路板22可透過積體電路晶片21與加強基板40相間隔。因而，可減少柔性電路板22與加強基板40之間的碰撞。
如此一來，每一個柔性電路板22可延伸跨越過密封結構30的暴露部分之上。
在此情況下，柔性電路板22與密封結構30之間的接觸與重複碰撞是不可避免的。然而，因為密封結構30比加強基板40還柔軟，所以相較於柔性電路板22與加強基板40碰撞所導致的損傷程度，柔性電路板22與密封結構30接觸所導致的損傷程度可被降低。如此一來，可避免顯示裝置的可靠度降低與壽命縮短之問題。此外，在柔性電路板22與加強基板40間設置一最小間距以使得對柔性電路板22的損傷得以最小化，可達到能夠減小面板的邊框寬度的窄邊框效果。再者，減小密封結構30之暴露表面的面積可改善加強基板40與陣列基板10之間的接合力與散熱效果。
此外，由於柔性電路板22係設置於具有相對較厚之堆疊結構的密封結構30與加強基板40上，因此可避免從柔性電路板22所產生的熱量傳遞到陣列基板10。換句話說，柔性電路板22設置於具有高熱導率之加強基板40的上表面上且位於面板的最外側部分，而使得散熱效果得以提升。
如上所述，根據本發明之第一實施例的顯示裝置包含密封結構30，密封結構30包含其中一者堆疊在另一者之上的第一與第二黏著層31、32且同時有障壁層33安插於第一與第二黏著層31、32之間。密封結構30可具有第一與第二黏著層31、32的堆疊結構，因而可比由黏著材料所製成的單層還大，同時避免製程缺陷。
如此一來，加強基板40可相對較厚，而可改善因加強基板40所提供的剛性與散熱效果。
因此，顯示裝置不需要具有獨立的內板以確保剛性。這可有利於顯示裝置的薄型化與輕量化。再者，可避免因內板與加強基板40之間的空間所導致的散熱效果之劣化。
此外，不包含內板可有利於顯示裝置的組裝製程。
圖9係示出根據本發明第二實施例之顯示裝置的示意圖。
如圖9所示，在根據本發明之第二實施例的顯示裝置中，密封結構30的第二黏著層32可僅由具有黏性的第二聚合物材料321所製成。
也就是說，與圖6中所示的第二黏著層32不同的是，圖6中的第二金屬粒子322不被包含在密封結構30的第二黏著層32當中。結果，相較於第一黏著層31中的聚合物材料的混合百分比，第二黏著層32中所包含的聚合物材料的混合百分比得以增加。因而，第二黏著層32的黏性可比第一黏著層31的黏性還高，使得固定加強基板40的可靠度得以改善。
圖10係示出根據本發明第三實施例之顯示裝置的示意圖。
如圖10所示，在根據本發明之第三實施例的顯示裝置中，密封結構30不僅可具有由金屬材料所製成的障壁層33，還可具有第一輔助障壁層34與第二輔助障壁層35當中的至少一者，其中第一輔助障壁層34設置於第一黏著層31與障壁層33之間，且第二輔助障壁層35設置於第二黏著層32與障壁層33之間。
也就是說，密封結構30更可包含第一與第二輔助障壁層34、35中的一者。或者，密封結構30更可一併包含第一與第二輔助障壁層34、35兩者。
第一與第二輔助障壁層34、35各自是由例如為矽氧化物或矽氮氧化物的無機絕緣材料所製成。
如此一來，由於金屬材料製成的障壁層33係設置於第一與第二黏著層31、32之間，因此可改善密封結構30的熱導率。此外，可分別因為第一與第二輔助障壁層34、35而使第一黏著層31與障壁層33之間的黏性以及第二黏著層32與障壁層33之間的黏性得以改善。因而，可改善密封結構30的密封力與剛性。此外，因為由無機絕緣材料所製成的第一與第二輔助障壁層34、35係設置於金屬材料的障壁層33的上表面與下表面上，所以第一與第二輔助障壁層34、35可填充到金屬材料的障壁層33中可能產生的針孔中，從而可避免針孔缺陷。
圖11係示出根據本發明第四實施例之顯示裝置的示意圖。圖12係示出圖11在ab向剖面之示例的示意圖。圖13係示出圖11在cb向剖面之示例的示意圖。圖14係圖13之I部分的放大圖。圖15a至圖15d係示出障壁層之各種結構的示意圖。就此而言，與圖5到圖10相同或相似的元件將會被簡要地描述。
參照圖11到圖13，根據本發明之第四實施例的顯示裝置可包含一底蓋50、一黏著圖案70、一陣列基板10以及一密封結構30，底蓋50具有一底部51以及一側部52，陣列基板10具有一發光陣列120，發光陣列120包含多個發光元件，這些發光元件對應到多個像素區，密封結構30設置於陣列基板上並在密封發光陣列120的同時將面向密封結構30的板狀加強基板40固定到陣列基板10。
就此而言，陣列基板10可被稱為支撐基板，加強基板40可被稱為接合基板，而密封結構30可被稱為接合結構。再者，第一黏著層31可被稱為密封黏著層，障壁層33可被稱為接合強化熱導層，而第二黏著層32可被稱為接合強化黏著層。如此一來，接合結構可被稱為在支撐基板上由密封黏著層、接合強化熱導層與接合強化黏著層所組成。
陣列基板10包含一電晶體陣列110以及一發光陣列120。電晶體陣列110形成於由透明玻璃或塑膠所製成的基座基板111上（見圖4）。發光陣列120可包含多個無機發光元件OLED，這些無機發光元件OLED對應到多個像素區。
陣列基板10可包含一顯示區AA（見圖2）以及圍繞顯示區AA的一非顯示區NA（見圖2）。多個墊部10p可彼此隔開且可設置於非顯示區NA中鄰近顯示區AA之一側緣的區域。
發光陣列120可設置於陣列基板10的顯示區AA上，且可設置用來密封發光陣列120之前表面的密封結構30。密封結構30可在一方向上與陣列基板10的一側緣ed3間隔第一間距a1並與陣列基板10中相對於側緣ed3的側緣ed4間隔第二間距a2。就此而言，第一間距a1與第二間距a2可彼此相等。或者，由於多個墊部10p排列在陣列基板10的側緣ed3上，因此第二間距a2可具有最小化的間距值以實現窄邊框，且第一間距a1可具有比第二間距a2還大的值以確保設置有多個墊部10p的最小化空間。
由於密封結構30係分別與陣列基板10的側緣ed3、ed4間隔各自的預定間距，因此可暴露出陣列基板10之上表面的一部分。
密封結構30可包含一第一黏著層31、一第二黏著層32以及一障壁層33，其中第一黏著層31面向陣列基板10，第二黏著層32面向加強基板40，而障壁層33設置於第一黏著層31與第二黏著層32之間。
面向陣列基板10的第一黏著層31可包含具有黏性的第一聚合物材料311。第一黏著層31可圍繞陣列基板10的整個表面以抑制濕氣在陣列基板10的側方向上的滲透，並避免外界氣體與氧氣的流入對設置於陣列基板10上的發光陣列120造成損傷。
第一黏著層31是由第一聚合物材料311所製成，舉例來說，第一黏著層31可由烯烴基聚合物、環氧基聚合物與丙烯酸酯基聚合物中選出的任一個聚合物材料所製成。
在一示例中，第一黏著層31可由包含上述黏性第一聚合物材料311與金屬材料所製成之第一粒子312的混合物所組成。由金屬材料所製成的第一粒子312可包含鎳(Ni)。因為由金屬材料所製成的第一粒子312被包含在第一黏著層31內，第一黏著層31可具有比僅由黏性聚合物材料所製成的第一黏著層31的熱導率還高的熱導率。因而，可改善其散熱效果。
第一黏著層31更可包含吸濕性無機填料313。吸濕性無機填料313避免濕氣滲透進陣列基板10的發光陣列120中。吸濕性無機填料313可包含氧化鈣、氧化鎂與氧化鋇中的至少一者。
障壁層33設置於第一黏著層31與第二黏著層32之間，以避免濕氣朝向陣列基板10的前表面滲透。再者，障壁層33強化第一與第二黏著層31、32之間的接合並實現其堆疊結構，從而即使在加強基板40變得更大的時候仍能確保固定與接合的可靠度。此外，密封結構中存在有障壁層33可提升陣列基板10與加強基板40的翹曲減少量。
為了確保固定加強基板40的可靠度，構成障壁層33的材料可具有較大的伸長率與較小的降伏強度值。在一示例中，構成障壁層33之材料的伸長率為4%以上，且降伏強度值為360百萬帕斯卡(Mpa)以下。
障壁層33可包含金屬材料與無機絕緣材料中的至少一者。舉例來說，障壁層33可包含如鋁、銅、錫、銀、鐵、鋅或上述金屬材料之合金的金屬材料。再者，障壁層33可包含如矽氧化物(SiOx)或矽氮氧化物(SiONx)的無機絕緣材料。
障壁層33可具有單層結構或多層結構。舉例來說，參照圖15a至圖15d，障壁層33可形成為由包含一金屬材料之金屬膜33a所組成的單層結構（圖15a），或可形成為由包含一無機絕緣材料之無機絕緣膜33b所組成的單層結構（圖15b），或可形成為包含不同金屬材料之第一金屬膜33c與第二金屬膜33d所堆疊成的堆疊結構（圖15c），或可形成為包含不同無機絕緣材料之第一無機絕緣層33e與第二無機絕緣層33f所堆疊成的堆疊結構（圖15d）。
再者，儘管在圖式中未示出，障壁層33可具有多個周期組(cycle)堆疊而成的多層結構，其中一個周期組具有第一金屬膜33c與第二金屬膜33d堆疊的結構。或者，障壁層33可具有多個周期組堆疊而成的多層結構，其中一個周期組具有第一無機絕緣層33e與第二無機絕緣層33f堆疊的結構。或者，由單層的金屬膜33a或無機絕緣膜33b所組成的薄膜結構可重複地堆疊以形成障壁層33。
當障壁層33形成包含不同材料層的多層結構時，可改善避免濕氣向陣列基板10之前表面滲透的阻隔性能。
第二黏著層32面向加強基板40。第二黏著層32可用來固定加強基板40且可包含具有黏性的聚合物材料。
第二黏著層32是由不含羧基的聚合物材料所製成。舉例來說，第二黏著層32可由烯烴基聚合物、環氧基聚合物、丙烯酸酯基聚合物、胺基聚合物、酚基聚合物與酸酐基聚合物當中選出的任一聚合物材料所製成，且上述每一個聚合物材料都不含羧基。
第二黏著層32是由不含羧基的聚合物材料所製成，從而避免障壁層33損傷，進而避免顯示裝置有缺陷。如此一來，可確保顯示裝置的可靠度。
具體來說，黏著層可包含具有允許黏貼到黏合目標之黏著特性的聚合物材料。然而，當黏性聚合物材料中含有羧基時，可能會損傷障壁層33，而可能導致顯示裝置中的缺陷。以下，將參照圖式描述此現象。
圖16a、圖16b、圖17與圖18係用來說明缺陷的產生與否是取決於構成黏著層之材料之類型的照片。
舉例來說，參照圖16，當障壁層33是由如鋁的金屬材料所製成，且當黏著層包含含有羧基的聚合物材料時，構成障壁層33與黏著層的材料之間便會透過化學反應在黏著層上產生多個氣泡BB（見圖16a）。
氣泡會擴散到與黏著層接觸的障壁層33，因而在障壁層33的表面上產生多個氣泡。這些在障壁層33表面上產生的氣泡可作為氧氣或濕氣滲透的路徑。因而，氧氣或濕氣可造成金屬材料所製成之障壁層33的腐蝕。此外，氧氣或濕氣再次滲透到障壁層33的腐蝕處，從而導致面板的前表面上的缺陷(DF)（見圖17）。
特別來說，如圖18所示，當這些氣泡在障壁層33的一邊緣E上產生時，通過邊緣E氣泡之孔隙的濕氣滲透率會提高，而可能會進一步加速障壁層33的腐蝕(Cr)。
再者，當障壁層33包含無機絕緣材料時，障壁層33的表面可能會在含有羧基的聚合物材料被當作黏著層時為不平整的。換句話說，可能會劣化障壁層33的膜均勻度。當膜均勻度下降時，黏著力會下降。當障壁層33發生損傷時，則可能會在面板內產生缺陷。
反之，如圖16b所示，當不含羧基的聚合物材料構成根據本發明之一實施例的第二黏著層32時，第二黏著層32的表面可維持為平順沒有氣泡的表面，從而避免障壁層33腐蝕，進而實現高品質的面板。再者，障壁層33的膜均勻度可維持一致，而可避免黏著力劣化。
由於第二黏著層32不與發光陣列120接觸，因此在第二黏著層32中不會包含有吸濕性無機填料，而是僅會在第二黏著層32中包含第二黏性聚合物材料321與第二金屬粒子322。由於在第二黏著層32中包含金屬材料所製成的第二粒子322，所以會因為第二黏著層32可具有比僅由黏性聚合物材料321所製成的第二黏著層32之熱導率還高的熱導率，而可改善第二黏著層32的散熱效果。
平板形式的加強基板40可設置於第二黏著層32上。加強基板40可位於第二黏著層32中與面向障壁層33之一面相對的另一面上。
加強基板40可包含金屬材料，以在發光陣列120發光時有效地逸散來自發光陣列120的熱量。舉例來說，加強基板40可由包含鋁、銅、錫、銀、鐵、鋅或上述之合金的金屬材料所製成。在另一示例中，加強基板40可由玻璃或聚合物塑膠材料所製成。
由鐵鎳合金所製成且為其中一種具有較高熱導率之金屬材料的不變鋼(Invar)之熱導率為16 W/K.m，且不鏽鋼(SUS)的熱導率為23.9 W/K.m。反之，鋁(Al)的熱導率為193 W/K.m，約為不變鋼與不鏽鋼(SUS)各自的熱導率的十倍高。因而，鋁(Al)可更有效率地逸散熱量。如此一來，由鋁(Al)所製成的加強基板40可從而確保比不變鋼或不鏽鋼所製成的加強基板較佳的散熱效果。
特別來說，熱導率會影響與顯示裝置的散熱相關之面板內部的溫度，因而與發光陣列的後像(afterimage)和壽命高度相關。舉例來說，越高的熱導率，在面板內部則會有越低的溫度。因而，當溫度降低時，可降低面板上發生後像的機率，且可增加發光陣列的壽命。
圖19係示出基於每種類型的金屬材料，在面板內部所測量到之最高溫度與後像減少率的表格。
參照圖19，當不變鋼被當作構成加強基板40的材料時，在面板內部所測量到的最大溫度為攝氏40.3度。反之，當鋁(Al)被當作構成加強基板40的材料時，如果鋁(Al)的厚度為1.0公釐，在面板內部所測量到的最大溫度為攝氏34.6度；而如果鋁(Al)的厚度為1.5公釐，在面板內部所測量到的最大溫度為攝氏34度。
換句話說，當鋁(Al)被用於加強基板40時，相較於將不變鋼用於加強基板40的情況，面板內部所測量到的最大溫度會下降攝氏5.7度與6.3度。因而，可以發現面板內部的溫度會因為高熱導率的鋁而有效地下降。
隨著面板內部的最高溫度下降攝氏1度，基本後像的減少率會提升約4%。因此，當鋁(Al)的厚度為1.0公釐時，相較於將不變鋼用作加強基板40的情況，後像會減少22.8%。當鋁(Al)的厚度為1.5公釐時，相較於將不變鋼用作加強基板40的情況，後像會減少25.2%。也就是說，可以發現鋁比不變鋼具有更好的散熱效果。
再者，可發現當相同的鋁(Al)材料用作加強基板時，加強基板40的熱導率會基於鋁的厚度而變化。換句話說，越大的鋁厚度，加強基板40的熱導率則越高。如此一來，加強基板40可具有0.3公釐到1.5公釐的厚度範圍，以有效地散熱並改善散熱效果。
此外，鋁(Al)具有2.68g/cm 3的密度，因此相較於具有8.2g/cm 3之密度的不變鋼，以及相較於具有7.7g/cm 3之密度的不鏽鋼(SUS)，鋁(Al)具有相對較低的密度，因而鋁具有輕的重量。如此一來，當鋁、不變鋼與不鏽鋼用作具有相同厚度的加強基板時，相較於將不變鋼或不鏽鋼用作加強基板的情況，將鋁用作加強基板可讓面板重量減少兩到三倍，從而讓顯示裝置薄型化與輕量化。
第一黏著層31的厚度31th與第二黏著層32的厚度32th各自可被限制為大於等於可避免產生缺陷之厚度的厚度。就此而言，這缺陷可例如為第一黏著層31與第二黏著層32各自內部所形成的孔洞，但不以此為限。
再者，第一黏著層31的厚度31th與第二黏著層32的厚度32th各自可被限制為小於等於可避免產生製程缺陷之單一黏著層之臨界厚度的值。就此而言，製程缺陷可包含由於外來物質的插入或滑動現象所導致的厚度均勻性的下降。再者，當黏著層的厚度變得比臨界厚度還大時，暴露於外界的面積可能會增加，而使得濕氣可輕易地侵入，進而可能產生缺陷。
舉例來說，第一與第二黏著層31、32的厚度31th、32th各自可為10微米到100微米的範圍。當第一與第二黏著層31、32的厚度31th、32th各自小於10微米時，可能會產生孔洞缺陷。因而，第一與第二黏著層31、32的厚度31th、32th各自優選為大於10微米。再者，當第一與第二黏著層31、32的厚度31th、32th各自大於100微米時，可能會產生製程缺陷。
再者，第一與第二黏著層31、32的厚度31th、32th的總厚度可被限制為可確保固定加強基板40（具有厚度40th）之可靠度的厚度。就此而言，固定加強基板40的可靠度可被理解為，當加強基板40的厚度增加時，能夠固定加強基板40且不會使加強基板40從第二黏著層32移除的能力。舉例來說，第一與第二黏著層31、32的厚度31th、32th的總厚度可大於20微米。
障壁層33的厚度33th可大於10微米且小於第一與第二黏著層31、32各自的厚度31th、32th。這樣，可避免例如為障壁層33中之孔洞和/或針孔之缺陷，且同時，可避免密封結構30（具有厚度30th）的厚度因障壁層33而不必要地增加。
如此一來，根據本發明之一實施例的密封結構30可被實施為第一黏著層31與第二黏著層32分別設置於障壁層33之上表面與下表面上的堆疊結構。因而，相較於當密封結構30是由單一黏著層所製成的情況，可減少製程缺陷。再者，可實現具有較大厚度因而具有穩定外形的密封結構30。
再者，由於可實施較厚的密封結構30，因此亦可將被密封結構30固定住的加強基板40實施為具有較大的厚度。再者，由於密封結構30形成為多層結構，因此即使當加強基板40具有較大的厚度時，陣列基板10與加強基板40仍可穩定地彼此結合同時不造成如滑動的缺陷。
再者，由於可因為密封結構30而形成較厚的加強基板40，因此加強基板40可將來自發光陣列120所發出的熱量有效地逸散，因而可改善散熱。如此一來，可能因為熱量產生而發生之翹曲的量便得以減低。
在一示例中，再次參照圖11到圖14，顯示裝置更包含連接到陣列基板10的至少一柔性電路板22以及連接到柔性電路板22的一印刷電路板24。對應到資料驅動器（圖2的62）的積體電路晶片21裝設於每一個柔性電路板22上。再者，對應到時序控制器（圖2的61）的積體電路晶片23裝設於印刷電路板24上。
印刷電路板24設置於加強基板40的一表面上。每一個柔性電路板22的一側透過每一個柔性電路板22的墊部22p電性連接到陣列基板10的墊部10p，且柔性電路板22的另一側連接到印刷電路板24的墊部（未繪示）。
柔性電路板22以細長線形狀從加強基板40延伸到陣列基板10。就此而言，當柔性電路板22接觸到由堅硬材料所製成且具有些許粗糙之表面的加強基板40的一邊緣時，可能會對柔性電路板22產生損毀。如此一來，加強基板40的寬度w1會小於密封結構30的寬度w2。
具體來說，密封結構30的一側緣ed1設置在供發光陣列120設置的內部方向上並與陣列基板10的一側緣ed3間隔第一間距a1。密封結構30中相對側緣ed1的另一側緣ed2與陣列基板10的另一側緣ed4間隔第二間距a2。就此而言，由於墊部10p設置於陣列基板10的側緣ed3上，因此第一間距a1可比第二間距a2還大。
再者，加強基板40可與密封結構30的側緣ed1間隔第一間距b1，且可與另一側緣ed2間隔第二間距b2。如此一來，密封結構30之第二黏著層32之上表面的一部分會被暴露而不會被加強基板40覆蓋。
在一示例中，調整加強基板40的厚度可使得作為第一間距b1的偏移值C能被調整。就此而言，加強基板40設置在供發光陣列120設置的內部方向上且與密封結構30的側緣ed1間隔第一間距b1。控制偏移值C可避免柔性電路板22接觸加強基板40或密封結構30，因而避免柔性電路板22損傷。
此外，為了實現顯示裝置的窄邊框，柔性電路板22與密封結構30可分別與陣列基板10的側緣ed3間隔最小間距S1、S2（圖14）。再者，考量到偏移值C，加強基板40可與密封結構30的側緣ed1間隔第一間距（圖13的b1）。
也就是說，為了用最佳的方式實施窄邊框，加強基板40設置於供發光陣列120設置的內部方向上且與陣列基板10的側緣ed3間隔最小間距。加強基板40可與陣列基板10的顯示區AA和非顯示區NA之間的邊界重疊。
密封結構30與加強基板40可依序堆疊在與陣列基板10的發光面相對的表面上，即其非發光面。如此一來，陣列基板10、密封結構30與加強基板40會排列而形成階梯狀。階梯狀的最下層構成作為陣列基板10之非發光面的非顯示區NA中被暴露的一部分的區域。階梯狀的中間層構成密封結構30之第二黏著層32之上表面中被暴露的一部分的區域。階梯狀的最上層構成加強基板40之被暴露的上表面的區域。在一示例中，當朝向陣列基板10之四側面的每一者觀察時，顯示裝置可具有階梯狀。在另一示例中，當朝向設置有多個墊部10p、22p之陣列基板10的至少一部分觀察時，顯示裝置可具有階梯狀。
在具有如此階梯狀的顯示裝置中，陣列基板10、密封結構30與加強基板40的面積在平面圖上可具有彼此不同的尺寸。在一示例中，在平面圖上，陣列基板10在陣列基板10、密封結構30與加強基板40當中可具有最大的面積，而加強基板40在陣列基板10、密封結構30與加強基板40當中可具有最小的面積。再者，密封結構30可具有比陣列基板10的面積還小但比加強基板40的面積還大的面積。在另一示例中，密封結構30的四個側邊當中的三個側邊與加強基板40的三個側邊重疊，而密封結構30的四個側邊當中不與加強基板40重疊的剩餘側邊被暴露，以在其上具有多個墊部10p、22p。
將參照圖14與以下[方程式1]來描述偏移值C。
方程式1
C = 偏移值
B = 密封結構的厚度 + 加強基板的厚度
A = 墊部與密封結構之間的間距
參照圖14與[方程式1]，與密封結構30之側緣ed1向內地間隔第一間距的加強基板40的位置所位移的值可被定義為偏移值C。一側連接到陣列基板10而另一側連接到印刷電路板24的柔性電路板22之傾斜角度可被定義為傾斜角θ。再者，墊部與密封結構之間的間距A可被定義為密封結構30之一側緣與設置於陣列基板10中面向密封結構30之所述側緣的一側緣上的墊部10p之一側緣之間的間距。
隨著密封結構30與加強基板40的厚度總和B增加，偏移值C可具有更大的值。
因為模組有損傷的可能，所以墊部10p在陣列基板10上的位置是固定的，且密封結構30的位置也是固定的。因而，墊部與密封結構之間的間距A的值實質上為固定的。再者，柔性電路板22的傾斜角θ可在5到30度的範圍，優選約為11.3度。以下實施例將描述將柔性電路板22的傾斜角θ維持在約11.3度。如此一來，可基於密封結構30之厚度與加強基板40之厚度總和B來決定偏移值C。特別來說，可基於加強基板40的厚度變化來改變偏移值C。加強基板40可從密封結構30的一側緣ed1向內且朝向陣列基板10的顯示區位移。以下，將參照[表1]來說明。
【表1】
示例 θ A B C D 在臨界範圍之外或之內
密封結構的厚度 加強基板的厚度
示例1 11.3 0.74 0.1 0.3 2.0公釐 54% 之內
示例2 11.3 0.74 0.1 0.5 3.0公釐 43% 之內
示例3 11.3 0.74 0.1 1 5.5公釐 14% 之內
示例4 11.3 0.74 0.1 1.5 7.27公釐 10.50% 之內
示例5 11.3 0.74 0.1 2 10公釐 -35.90% 之外
示例6 11.3 0.74 0.1 3.5 15公釐 -92% 之外
示例7 11.3 0.74 0.1 5 25公釐 -204% 之外
[表1]示出當加強基板40的厚度改變，且當墊部和密封結構之間的間距A、密封結構30的厚度與柔性電路板22的傾斜角θ皆不變時，偏移值C的變化。參照[表1]中的示例1到示例7，可以發現當加強基板40的厚度從0.3公釐增加到5.0公釐時，偏移值C也從2.0公釐增加到25公釐。
換句話說，當加強基板40的厚度從0.3公釐增加到5.0公釐時，加強基板40從密封結構30的側緣ed1向內朝陣列基板10的顯示區位移2.0公釐到25公釐。
因為偏移值C增加而使加強基板40的位移量增加，所以可減小與加強基板40接觸之柔性電路板22的損傷。再者，由於加強基板40的厚度變大，因此可避免柔性電路板22接觸到密封結構30的側緣。
如上所述，由於偏移值C增加，所以可避免柔性電路板22的損傷。然而，當偏移值C超過臨界範圍，可能會減低加強基板40的散熱效果，可能會降低陣列基板10與加強基板40之間的接合強度，或可能會增加被彎曲之面板的翹曲量。如此一來，會期望將偏移值C限制成不超過臨界範圍。在一示例中，當加強基板40的面積具有與顯示區AA相同的尺寸時，或者加強基板40的尺寸被改變成使得加強基板40從顯示區AA朝向非顯示區NA延伸以覆蓋非顯示區NA時，散熱效果便得以維持。
具體來說，當加強基板40具有比顯示區AA的寬度或面積還小的寬度或面積時，陣列基板10上的顯示區AA中會出現陣列基板10沒有被加強基板40覆蓋的非重疊區。當非重疊區出現時，在非重疊區中可能會使陣列基板10的一部分的散熱性能降低，進而使得後像產生在此區域中。
如此一來，優選將偏移值C限制在臨界範圍內，以在確保加強基板40之散熱特徵的同時，將顯示裝置維持在窄邊框與薄型化的狀態。偏移值C的臨界範圍可被設定在非顯示區NA的寬度NAW之範圍內。以下，將參照[方程式2]來說明。
方程式2
就此而言，D可表示示出非顯示區NA與加強基板40重疊之寬度NAW的多少部分的比率（百分比）。非顯示區NA的寬度NAW可被定義為陣列基板的一邊緣與顯示區AA之間的間距。墊部邊緣寬度可被定義為陣列基板10的一側緣與密封結構30的一側緣之間的間距。再者，由於C可表示偏移值，因此非顯示區NA的寬度NAW可為固定的，且由於密封結構30的位置亦可為固定的，因此墊部邊緣寬度可具有固定的值。
參照[方程式2]，由於可根據偏移值C的變化來設置加強基板40，因此可基於比率D的範圍來決定偏移值C的臨界範圍。
舉例來說，在[表1]的示例1到示例7中，非顯示區NA的總寬度被設定成約9公釐，而墊部邊緣寬度被設定成約2公釐。然而，在表1中墊部邊緣寬度與非顯示區NA的總寬度是為了描述本發明的實施例而以示例的方式被闡述的。本發明並不以此為限。
在此情況下，在示例1中，比率（百分比）D為54%。在示例5中，比率（百分比）D為-35.9%。當在非顯示區NA中加強基板40的重疊部分相對於非顯示區NA之寬度NAW的比率（百分比）D為-35.9%時，加強基板40設置成暴露出非顯示區NA的寬度NAW的整體以及甚至一部分的顯示區AA。也就是說，加強基板40在顯示區AA的內側方向上設置於顯示區AA與非顯示區NA的邊界上。
當比率（百分比）D具有負(-)值時，加強基板40暴露出非顯示區NA的整體且亦暴露出顯示區的一部分。因而，在暴露區域中，陣列基板10所產生的運行相關熱量的散熱性能可能會有所劣化。
如此一來，在確保加強基板40之散熱性能的同時維持顯示裝置之窄邊框與薄型化的情況下的偏移值C可被設定成比率（百分比）D大於10%且小於55%的臨界範圍內。再者，優選地，加強基板40可被定位成至少重疊顯示區AA與非顯示區NA之間的邊界。
如此一來，由於在滿足比率（百分比）D落在10%到55%範圍內的同時增加加強基板40的厚度，所以加強基板40可具有比暴露出密封結構30之最上表面之一部分的密封結構30之寬度還小的寬度。
當加強基板40位移使得比率（百分比）D超出臨界範圍時，便會劣化散熱性能。因而，因為陣列基板10上所產生的大量熱量，所以墊部10p附近的區域具有較高的溫度。因而，面板彎曲的翹曲量發生在墊部10p周邊的區域。因而，陣列基板10的墊部10p與柔性電路板22的墊部22p可被彼此移除。再者，當加強基板40的厚度比臨界厚度還大而造成加強基板40的位移使得其偏移值C超出偏移值C的臨界範圍時，陣列基板10的非顯示區NA，即邊框區域，將會不可避免地增加，且因此可能無法達成窄邊框。
反之，根據本發明的一實施例，調整加強基板40的厚度使得偏移值C位在臨界範圍內可避免柔性電路板22接觸到密封結構30或加強基板40，因而可避免柔性電路板22相對密封結構30或加強基板40受到損傷。此外，陣列基板、密封結構與加強基板之間的垂直空間可被移除，且柔性電路板與密封結構或加強基板之間的水平空間可被最小化，從而確保散熱能力與實現窄邊框。
圖20係示出根據本發明第五實施例之顯示裝置的示意圖。圖21係示出圖20在cb向剖面之示例的示意圖。就此而言，以下僅就本實施例與前述實施例中不同的元件進行描述。
參照圖20，在根據本發明之第五實施例的顯示裝置中，密封結構30更可包含一保護結構295。保護結構295設置於第二黏著層32上，且包含面向加強基板40的一表面以及相對於上述表面且面向第二黏著層32的另一表面。保護結構295可構成密封結構30的最上側之部分。保護結構295包含一保護層280、一抗靜電塗膜290以及一黏著加強膜285。保護結構295的保護層280可由包含聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，以下稱為PET)的絕緣材料所製成。
保護結構295設置於第二黏著層32上以進一步地確保顯示裝置的剛性。剛性可指物體在受力時抵抗形狀或體積變形的特性。當密封結構30進一步地包含保護結構295時，可避免具有設置於其下方之發光陣列120的陣列基板10在來自外界的衝擊施加到顯示裝置時受到損傷。此外，鑒於將陣列基板10與加強基板40彼此接合且維持它們之間的接合，顯示面板的翹曲量會因為保護結構295的保護層280的物理特性與固有特性所產生的變形補償效果而得以減少。就此而言，保護層280可被稱為接合強化剛性層。
透過抗靜電處理所形成的保護結構295的抗靜電塗膜290可設置於保護層280中面向加強基板40的一表面上。透過離型處理所形成的一黏著加強膜285可設置於保護層280中面向第二黏著層32的另一表面上。
保護層280是由作為絕緣體的PET所組成，且PET具有比1011歐姆每平方(1011Ω/sq)還高的片電阻(sheet resistance)因而具有高靜電吸引力。因而，在轉移包含保護層280的密封結構之時候，兩個以上的密封結構可能不會被彼此移除或者可能掉落，造成在轉移製程期間的損傷。再者，由於PET具有高靜電吸引力，因此可能產生靜電，而可能造成顯示裝置上的缺陷。
如此一來，在保護層280之一表面上塗覆導電材料之抗靜電處理所形成的抗靜電塗膜290可減少所產生的靜電量。當形成抗靜電塗膜290時，保護層280可具有帶有靜電消散特性的片電阻。舉例來說，形成有抗靜電塗膜290的保護層280具有在105到1010歐姆每平方範圍內的片電阻值。可透過在保護層280上施加具有黏性的導電材料來形成抗靜電塗膜290。在一實施例中，抗靜電塗膜290可包含一導電黏著劑。
此外，在保護層280的另一表面上所形成的黏著加強膜285可由矽酮塗膜(silicone coating film)所組成。透過將第二黏著層32配置成包含不含羧基的聚合物材料並將黏著加強膜285設置在保護層280的另一表面上，可改善保護結構295與第二黏著層32之間的黏著力。
由於第二黏著層32包含不含羧基的聚合物材料，可改善與保護層280的另一表面上所形成之黏著加強膜285的黏著力。舉例來說，當在第二黏著層32是由不含羧基的烯烴基聚合物 材料所製成的情況下從保護層280移除黏著加強膜285，可減小保護層280與第二黏著層32之間的黏著力。如此一來，透過將黏著加強膜285設置於保護層280與第二黏著層32之間，可維持保護層280與第二黏著層32之間的黏著力。
用於進一步確保顯示裝置之剛性的保護層280的厚度優選為大於30微米且小於100微米。
也就是說，為了改善窄邊框的實現，加強基板40與朝向發光陣列120的陣列基板10之一側緣ed3間隔一最小間距。加強基板40可設置成重疊於顯示區AA與非顯示區NA之間的邊界。
在一示例中，密封結構30與加強基板40可依序堆疊在相對於陣列基板10之發光面的表面上，即其非發光面。如此一來，陣列基板10、具有保護結構295之保護層280的密封結構30以及加強基板40被排列成具有階梯狀。階梯狀的最底層構成非顯示區中被暴露的一部分，即陣列基板10的非發光面。階梯狀的中間層構成密封結構30的保護層280的上表面中被暴露的一部分。階梯狀的最上層構成加強基板40的上表面被暴露的區域。在一示例中，當朝向陣列基板10之四個側面的每一者觀察時，顯示裝置具有階梯狀。
在一示例中，由於構成密封結構30之保護層280的厚度增加，因此顯示裝置的剛性會增加而可避免面板損傷。以下將參照圖式來說明此現象。
圖22係示出基於保護層之厚度變化，顯示裝置之剛性之評價結果的表格。圖23a至圖23f係示出在剛性評價的期間，加強基板上的凹痕與面板上所產生的暗點的示意圖。
在顯示裝置的剛性評價(rigidity evaluation)中，使用剛性評價的測試設備將一恆定力，例如為1 kgf到5 kgf範圍內的力施加到加強基板40的暴露表面30秒。接著，基於是否在面板上產生暗點的識別結果來判斷是否產生缺陷。剛性評價的測試設備為具有尖端的推拉式量規裝置。
就此而言，比較例採用不變鋼作為加強基板的材料且沒有障壁層、第二黏著層與保護層。在第一實驗例到第五實驗例中，鋁(Al)作為加強基板的材料，且對第二黏著層32上設置有保護層280的結構進行評價。就此而言，在第一實驗例到第三實驗例中，當保護層280的厚度固定時，第二黏著層32的厚度改變了。在第四實驗例與第五實驗例中，當保護層280的厚度改變時，第二黏著層32的厚度則不變。
具體來說，在第一實驗例中，第二黏著層32的厚度為50微米，而保護層280的厚度為75微米。在第二實驗例中，第二黏著層32的厚度為30微米，而保護層280的厚度為75微米。在第三實驗例中，第二黏著層32的厚度為15微米，而保護層280的厚度為75微米。在第四實驗例中，第二黏著層32的厚度為50微米，而保護層280的厚度為100微米。在第五實驗例中，第二黏著層32的厚度為50微米，而保護層280的厚度為38微米。
基於剛性評價的結果，如圖22的表格所示，可發現在比較例中，在施加1 kgf到4 kgf範圍的力時，未發生由凹痕引起的暗點，但當對其施加5 kgf的力的時，則發生由凹痕引起的暗點。這可在圖23b中看出，圖23b示出面板上所產生的暗點。參照示出加強基板之一表面的圖23a以及示出在比較例中處在於剛性評價中施加5 kgf之力的情況下的面板之像素的圖23b，可以發現當凹痕M1出現在加強基板的表面上時，暗點缺陷D1出現在面板的像素上。
反之，在第一到第四實驗例中，在施加1 kgf到5 kgf整個範圍之力的情況下沒有發生缺陷。具體來說，參照示出在第三實驗例中處在於剛性評價分別施加4 kgf與5 kgf之力的情況下的加強基板之表面的圖23c與圖23e，且參照示出在第三實驗例中處在於剛性評價分別施加4 kgf與5 kgf之力的情況下的面板之像素的圖23d與圖23f，可以發現儘管在加強基板的表面上出現凹痕M2、M3，在面板的像素上仍沒有發生暗點缺陷。
再者，在第二黏著層32的厚度相同於第一實驗例之第二黏著層32的厚度但保護層280的厚度相對小於38微米的第五實驗例中，會發生缺陷。
從以上的評價結果來看，可發現當保護層280設置於第二黏著層32上時，可防止底層結構受外界影響。特別來說，可發現當保護層280的厚度越大，可確保越大的剛性。因而，可避免顯示裝置受到外界衝擊時損傷陣列基板10上的發光陣列120。
在一示例中，優選讓保護層280的厚度大到確保顯示裝置的剛性。然而，當厚度超過臨界厚度時，翹曲量會因構成顯示裝置之結構的熱膨脹係數之間的差異而增加，從而損傷顯示裝置。如此一來，會期望讓保護層280的厚度不超過臨界厚度。以下將參照圖式來說明。
圖24係示出基於保護層之厚度變化，面板之翹曲量的表格。
為了量測面板的翹曲量，將處理腔室的溫室升高到攝氏70度，接著在室溫量測面板的翹曲量。可使用一翹曲量測量器，透過放置面板的陣列基板10使得陣列基板10面向檢查用的一石料表面板體的一表面並量測面板之四邊緣的每一者的翹曲量，來量測面板的翹曲量。
參照圖24，在第一實驗例到第三實驗例中，第二黏著層32的厚度為恆定且為50微米。第一實驗例中保護層280的厚度為38微米，第二實驗例中保護層280的厚度為75微米，而第三實驗例中保護層280的厚度為100微米。面板的翹曲量是在這些條件下所量測。
參照第一實驗例到第三實驗例的結果，在第一實驗例到第三實驗例中，在輸入到處理腔室前的初始翹曲量為零。
反之，基於將處理腔室的溫度升高到攝氏70度後量測面板之翹曲量的結果，可以發現在保護層280之厚度相對較小的第一實驗例中，翹曲量在2.5公釐到6公釐的範圍內；當保護層280的厚度增加，翹曲量則增加（在第二實驗例中），且進一步來說，在保護層280之厚度相對較大的第三實驗例中，面板會受到損傷。
基於這些量測結果，優選讓保護層280具有大的厚度以確保顯示裝置的剛性，但當厚度超過臨界厚度時可能會損傷面板。因而，會期望將保護層280的厚度限制成不超過臨界厚度。在一示例中，優選將保護層280形成為具有38微米到75微米的厚度，75微米的厚度是作為可避免面板彎曲和損傷同時可確保顯示裝置之剛性的臨界厚度。
再者，根據本發明之一實施例的顯示裝置，可在多層結構中形成密封結構30，且可在具有多層結構的密封結構30上設置加強基板40。在此情況下，相較於在單層結構中形成密封結構且在密封結構上設置加強基板的情況，可降低顯示裝置彎曲的翹曲量。以下將參照圖25來說明此現象。就此而言，加強基板40可被稱為接合基板，而密封結構30可被稱為接合結構。
圖25係示出基於密封結構的配置，面板之翹曲量之變化的圖表。
參照圖25，比較例一CE1的圖表係示出陣列基板10上設置有作為單層的黏著層與加強基板40之面板的翹曲量，且處理腔室的溫度被設定為攝氏85度。比較例二CE2的圖表係示出陣列基板10上設置有作為單層的黏著層與加強基板40之面板的翹曲量，且處理腔室的溫度被設定為攝氏60度。
示例一EM1的圖表係示出陣列基板10上設置有由多層結構所組成的密封結構30與加強基板40之面板的翹曲量，且處理腔室的溫度被設定為攝氏85度。示例二EM2的圖表係示出陣列基板10上設置有由多層結構所組成的密封結構30與加強基板40之面板的翹曲量，且處理腔室的溫度被設定為攝氏60度。就此而言，由多層結構所組成的密封結構30可具有第一黏著層31、障壁層33與第二黏著層32堆疊的堆疊結構。保護層280可被添加於其。再者，障壁層33可由鋁(Al)基金屬材料所製成，且加強基板40可由鋁(Al)基金屬材料所製成。
可使用一翹曲量測量器，透過放置面板的陣列基板10使得陣列基板10面向檢查用的一石料表面板體的一表面並量測面板之四邊緣的每一者的翹曲量，來量測面板的翹曲量。
參照比較例CE1、CE2與示例EM1、EM2，可以發現當在相同溫度下進行測試時，應用有多層結構組成之密封結構30的示例EM1、EM2各自的面板翹曲量會小於應用有作為黏著層之單層的比較例CE1、CE2的面板翹曲量。
特別來說，可以發現當處理腔室的溫度被降至低於攝氏85度的攝氏60度時，翹曲量進一步地下降到當處理腔室的溫度為攝氏85度時的翹曲量的58%的程度。
再者，可以發現當加強基板40的厚度變大時，翹曲量會下降。舉例來說，可以發現當陣列基板10上設置有多層結構所組成的密封結構30與加強基板40，且在處理腔室之溫度為攝氏60度的示例二EM2中之加強基板40的厚度為0.1公釐時，翹曲量約為400公釐。可以發現當陣列基板10上設置有多層結構所組成的密封結構30與加強基板40，且在處理腔室之溫度為攝氏60度的示例二EM2中之加強基板40的厚度為1公釐時，翹曲量小於200公釐而下降了50%，或者大於當加強基板40的厚度為0.1公釐時的翹曲量。
基於此實驗例的圖表，可以發現當加強基板40的厚度較大而密封結構30是由多層結構所組成時顯示裝置彎曲的翹曲量小於當加強基板40的厚度較大而密封結構是由單層所組成時顯示裝置彎曲的翹曲量。
再者，根據本發明之一實施例的顯示裝置，隨著密封結構30的厚度越大，當加強基板40的厚度為恆定時，面板彎曲的翹曲量便可能下降。以下將參照圖26至圖28來說明此現象。
圖26係示例性地示出面板之翹曲量之變化的示意圖。圖27係基於密封結構在高溫下的厚度變化，示出翹曲量的變化的圖表。圖28係基於密封結構在室溫下的厚度變化，示出翹曲量的變化的圖表。
參照圖26，當陣列基板的中央部分外凸地突出時，面板的翹曲量變化可被定義為具有負(-)值。當陣列基板的中央部分內凹地凹陷時，翹曲量變化可被定義為具有正(+)值。就此而言，為了根據密封結構的厚變變化來量測翹曲變化量，會實施陣列基板上設置有由鋁(Al)所製成之加強基板與密封結構的面板結構。在一示例中，密封結構可由第一黏著層、障壁層與第二黏著層所組成，或可由第一黏著層、障壁層、第二黏著層與保護結構所組成。
翹曲量是透過以下方式來量測：將上述結構放進處理腔室，且將處理腔室的溫度提升到如攝氏60度的高溫，以及量測面板的翹曲，且接著保持面板直到面板再次平整，以及將處理腔室的溫度冷卻到室溫，並接著在室溫量測面板的翹曲。
在陣列基板上設置有由鋁(Al)所製成之加強基板與密封結構的面板結構包含在陣列基板上設置有具0.6公釐之厚度的加強基板與具60微米之厚度的密封結構的第一實驗例EX1、在陣列基板上設置有具0.6公釐之厚度的加強基板與具480微米之厚度的密封結構的第二實驗例EX2、在陣列基板上設置有具0.1公釐之厚度的加強基板與具60微米之厚度的密封結構的第三實驗例EX3，以及在陣列基板上設置有具1.0公釐之厚度的加強基板與具480微米之厚度的密封結構的第四實驗例EX4。
如作為使用此量測方法在高溫下根據密封結構的厚度變化量測翹曲量變化之結果的圖表的圖27所示，當把第一實驗例EX1與第二實驗例EX2彼此比較時，可以發現當加強基板具有恆定的厚度時，在密封結構之厚度較大的第二實驗例EX2中，翹曲量的變化會減小。再者，可以發現在加強基板之厚度相對較大的第三實驗例EX3與第四實驗例EX4中，翹曲量的變化小於在第一實驗例EX1與第二實驗例EX2中之翹曲量的變化。
再者，參照作為在室溫下根據密封結構的厚度變化量測翹曲量變化之結果的圖表的圖28，可以發現在第一實驗例EX1與第二實驗例EX2中，翹曲量的變化在負(-)方向上減小。再者，可以發現當加強基板具有恆定厚度時，在密封結構之厚度變得較大的第二實驗例EX2中，翹曲量的變化減小。再者，可以發現在加強基板之厚度相對較大的第三實驗例EX3與第四實驗例EX4中，翹曲量的變化小於在第一實驗例EX1與第二實驗例EX2中的翹曲量的變化。
高溫與室溫翹曲量在負(-)方向上減小的實際情況可能關聯於因為中性面隨著密封結構變大而位移而使得高溫翹曲量減小的實際情況；且隨著密封結構的厚度變大，恢復到原始平坦表面的應力鬆弛(stress relaxation)效果會更大，使得室溫翹曲量在負方向上減小。
根據本發明之一實施例的有機發光顯示裝置可包含由多層結構所組成的密封結構，以確保由高熱導率材料所製成之加強基板之更大的厚度，從而提升剛性與改善散熱效果。再者，因為可確保加強基板較大的厚度，裝置可有效地散熱，從而減小面板上發生後像的機率，且改善顯示裝置的壽命。再者，引入由多層結構所組成的密封結構並在其上放置加強基板可在加強基板的厚度變大時確保固定加強基板的可靠度，從而改善陣列基板與加強基板之間的接合力。再者，將障壁層引入具有多層結構的密封結構中可使第一黏著層與第二黏著層之間的接合力得以改善。此外，引入具有多層結構的密封結構可減小顯示裝置彎曲的翹曲量。此外，將加強基板的厚度控制而使得加強基板的偏移值落在臨界圍範內可允許在避免柔性電路板接觸到加強基板之密封結構而避免損傷柔性電路板的同時實現窄邊框。
圖29係示出根據本發明之一實施例的顯示裝置的製造方法的流程圖。圖30到圖35係示出圖29中的方法之步驟的示意圖。
如圖29所示，根據本發明之一實施例之顯示裝置的製造方法包含：步驟S10，準備具有發光陣列120的陣列基板10，發光陣列120包含多個發光元件OLED，這些發光元件OLED對應到多個像素區PA；步驟S20，準備包含第一與第二黏著層31、32以及障壁層33的密封結構30，第一與第二黏著層31、32彼此面對，障壁層33設置於第一與第二黏著層31、32之間；以及步驟S30，將密封結構30設置於陣列基板10上，使得發光陣列120被第一黏著層31密封。在另一示例中，密封結構30更可包含位於第二黏著層32上的保護結構295（參照圖20）。
再者，根據本發明之一實施例之顯示裝置的製造方法更可在將密封結構30設置於陣列基板10上的步驟S30之後包含：步驟S40，準備呈板狀的加強基板40；以及步驟S50，將加強基板40附接到第二黏著層32。
具體來說，如圖30所示，會準備具有發光陣列120的陣列基板10（步驟S10）。
如圖2所示，陣列基板包含多個像素區PA、閘極線GL以及資料線DL，其中像素區定義於顯示區AA中，閘極線GL與資料線DL將驅動訊號供應給每一個像素區的像素電路。
如圖4所示，陣列基板10包含電晶體陣列110以及發光陣列120，電晶體陣列110包含多個像素電路，這些像素電路分別對應到多個像素區PA，發光陣列120包含多個有機發光元件OLED，這些有機發光元件OLED分別對應到多個像素區PA。
此外，如圖5所示，陣列基板10更包含墊部10p，墊部10p設置於顯示區AA之外的非顯示區NA的一部分中。
接著，準備具有多層結構的密封結構30（步驟S20）。
密封結構30包含第一黏著層31、障壁層33與第二黏著層32依序堆疊的結構。也就是說，密封結構30具有第一與第二黏著層31、32透過障壁層33相間隔的堆疊結構。
可由10微米到100微米的範圍中分別選出第一與第二黏著層31、32各自的厚度31th、32th。如此一來，便得以避免如第一與第二黏著層31、32的每一者中發生的外來材料插入及其位移的製程缺陷。因而，可減小包含第一與第二黏著層31、32之密封結構30的厚度30th。
也就是說，密封結構的厚度30th可落在30微米到300微米的範圍內。
第一黏著層31可由烯烴基聚合物、環氧基聚合物與丙烯酸酯基聚合物中選出的一聚合物材料311所製成（見圖6）。第二黏著層32可由各自皆不包含羧基的烯烴基、環氧基、丙烯酸酯基、胺基、酚基與酸酐基聚合物中選出的任一聚合物材料321所製成（圖6）。
第一與第二黏著層31、32各自可由包含具黏性之聚合物材料（圖6之311、321）中的每一者以及由金屬材料所製成之粒子（圖6之312、322）中的每一者的每一種混合物所組成。在一示例中，由金屬材料所製成之第一粒子312的每一者可為由鎳(Ni)所製成的粉末。如此一來，可改善第一與第二黏著層31、32之每一者的熱導率，而可改善密封結構30所提供的散熱效果。就此而言，與第一黏著層31不同的是，第二黏著層是由不含羧基的第二黏性聚合物材料321所製成。
或者，與陣列基板10接觸的第一黏著層31可由包含具有黏性之第一聚合物材料311與金屬材料所製成之第一粒子312的混合物所製成。第二黏著層（圖9的32）可由具有黏性且不含羧基的第二聚合物材料321所製成。如此一來，第二黏著層32的黏性可比第一黏著層31的黏性還強，且可降低密封結構30的準備成本。
此外，第一黏著層31可由更包含吸濕性無機填料313的混合物所組成。吸濕性無機填料313可由氧化鈣、氧化鎂與氧化鋇中的至少一者所製成。如此一來，可改善因第一黏著層31所得到的防止濕氣滲透的效果。
障壁層33旨於將第一與第二黏著層31、32彼此分離且可被實施為金屬材料與無機絕緣材料中的一者所製成的薄膜。在一示例中，障壁層33可被實施為包含如鋁、銅、錫、銀、鐵或鋅的金屬材料的薄膜（薄片）。或者，障壁層33可被實施為由如矽氧化物(SiO x)或矽氮氧化物(SiON x)的無機絕緣材料所製成的薄膜。
障壁層33的厚度33th可落在大於10微米且小於第一與第二黏著層31、32各自之厚度31th、32th之每一者的範圍內。如此一來，可避免關聯於障壁層33之缺陷的孔洞，且可避免密封結構30的厚度因障壁層33而不必要地增加。
或者，如圖10所示，密封結構30更可包含第一與第二輔助障壁層34、35中的至少一者，第一與第二輔助障壁層34、35分別設置於由金屬材料所製成的障壁層33的兩個相對表面上。
此外，在準備密封結構30的步驟S20中，可將密封結構30提供成其兩相對的表面分別被第一與第二暫蓋層36、37覆蓋的狀態。
也就是說，在準備密封結構30的步驟S20中，可將密封結構30提供成密封結構30的第一黏著層31可被第一暫蓋層36覆蓋而第二黏著層32可被第二暫蓋層37覆蓋的狀態。第一暫蓋層36與第二暫蓋層37各自可在其分別面向第一黏著層31與第二黏著層32的表面上形成具有例如為矽酮塗膜的離型膜。離型膜可在接下來的製程中容易從密封結構30將第一暫蓋層36與第二暫蓋層37的每一者移除下來。此外，透過抗靜電處理所形成的抗靜電塗膜可形成於第一暫蓋層36與第二暫蓋層37的每一者的相對表面上。
在另一示例中，當在密封結構30的第二黏著層32上形成保護結構295的保護層280（見圖20）時，可在保護層280的一表面上形成黏著加強膜285，同時可在其相對表面上形成抗靜電塗膜290（見圖20）。
接著，將密封結構30設置於陣列基板10上的步驟S30可包含從密封結構30的第一黏著層31移除第一暫蓋層36，且可包含使用滾輪使第一黏著層31處於與陣列基板10緊密接觸的狀態。
也就是說，如圖31所示，可從密封結構30移除第一暫蓋層36，因而可暴露出第一黏著層31。
接著，如圖32所示，當在陣列基板10上對齊密封結構30的第一黏著層31時，會使用至少一滾輪170對密封結構30或陣列基板10施加一預定壓力。如此一來，密封結構30的第一黏著層31會緊密地貼合到陣列基板10。
接著，如圖33所示，準備呈板狀的加強基板40（步驟S40），接著將加強基板40附接到密封結構30（步驟S50）。
再者，將加強基板40附接到密封結構30的步驟S50可包含從密封結構30的第二黏著層32移除第二暫蓋層37，且可包含將加強基板40附接到第二黏著層32。
在準備呈板狀之加強基板40的步驟S40中，加強基板40可由玻璃、金屬與塑膠聚合物中選出的一種材料所製成。根據密封結構30所增加的厚度，加強基板40的厚度40th可落在0.1公釐到1.5公釐的範圍內。
如圖33所示，可從附接到陣列基板10的密封結構30移除第二暫蓋層37，且可暴露出第二黏著層32。
在另一示例中，當在密封結構30的第二黏著層32上進一步設置保護結構295（參照圖20）時，會暴露出保護結構295的上表面。
再者，如圖34所示，加強基板40附接到密封結構30的第二黏著層32（步驟S50）。因而，加強基板40透過密封結構30被耦合到陣列基板10。
根據本發明的一實施例，可將藉由加強基板40所達成的剛性確保在具有可維持陣列基板之形狀的程度。因而，在陣列基板10與加強基板40彼此耦合的狀態下，可將中間製程結構轉移到另一個位置。如此一來，可提供一單元裝置，其不包含用來容納陣列基板10與加強基板40的底蓋50。因而可擴大應用範圍。
或者，可提供一模組裝置，其包含容納陣列基板10與加強基板40的底蓋50。模組裝置的準備製程如下。
如圖35所示，所述至少一柔性電路板22連接到陣列基板10。連接到所述至少一柔性電路板22的印刷電路板24設置於加強基板40上。
就此而言，加強基板40比密封結構30設置在更加遠離陣列基板10的墊部10p的位置。因此，每一個柔性電路板22可延伸跨過密封結構30而非加強基板40。
再者，底蓋50中容納有陣列基板10、密封結構30、加強基板40、所述至少一柔性電路板22以及印刷電路板24，且底蓋50透過加強基板40上所設置的所述至少一黏著圖案70接合到加強基板40。
如上所述，根據本發明之每一實施例的顯示裝置包含密封結構30，密封結構30具有第一與第二黏著層31、32同時在它們間安插有障壁層33的堆疊結構。因而，密封結構30可因為第一與第二黏著層31、32的堆疊結構而具有相對較大的厚度。也就是說，密封結構30的厚度30th可約為臨界厚度的兩倍，以避免在黏性材料所製成的單層中的製程缺陷。
如此一來，可透過密封結構30固定到陣列基板10的加強基板40可具有相對較大的厚度。因此，可充分地確保因加強基板40所得到的剛性與散熱效果，且可不需要內板。換句話說，得以移除內板。這可有利於顯示裝置的薄型化與輕量化。
此外，將密封結構實施成具有多層結構可造成顯示裝置彎曲的翹曲量的下降。
此外，可藉由將具有高熱導率的材料使用作為加強基板的材料來有效地散熱。因而，可減少面板上發生後像的機率，且可改善發光陣列的壽命。
此外，調整加強基板的厚度以位移加強基板的位置可避免柔性電路板接觸密封結構或加強基板，並避免柔性電路板的損傷。加強基板的最佳化布置可在溫度相對較高的墊部區域中提升散熱效果的同時以最佳的方式實行顯示面板的窄邊框。
儘管已經參考所附圖式更詳細地描述本發明的實施例，但是本發明不一定以這些實施例為限。本發明可在不脫離本發明技術思想的範圍內以各種修改方式實施。如此一來，在本發明中所揭露的實施例不旨於限制本發明的技術思想，而是用來描述本發明。本發明之技術思想的範圍不受這些實施例的限制。因此，應當理解上述實施例在各方向都是說明性且非限制性的。本發明的保護範圍應以請求項為準，凡在本發明範圍內的技術思想均應被理解為包含在本發明的範圍內。
雖然本發明以前述之諸項實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。
10、405:陣列基板 10p、22p:墊部 110、410:電晶體陣列 111:基座基板 112:緩衝膜 113:閘極絕緣層 114:層間絕緣膜 115:平坦化膜 120、420:發光陣列 121:第一電極 122:第二電極 123:發光層 124:堤部 170:滾輪 21、23、450:積體電路晶片 22、445:柔性電路板 24、440:印刷電路板 280:保護層 285:黏著加強膜 290:抗靜電塗膜 295:保護結構 30:密封結構 30g、a1、b1:第一間距 30th、31th、32th、33th、40th:厚度 31:第一黏著層 311、321:聚合物材料 312、322:粒子 313:吸濕性無機填料 32:第二黏著層 33:障壁層 33a:金屬膜 33b:無機絕緣膜 33c:第一金屬膜 33d:第二金屬膜 33e:第一無機絕緣層 33f:第二無機絕緣層 34:第一輔助障壁層 35:第二輔助障壁層 36:第一暫蓋層 37:第二暫蓋層 40:加強基板 40g、a2、b2:第二間距 400:顯示裝置 415:密封材料 423:封裝基板 425:黏著膠帶 430:內板 435:黏著件 50、460:底蓋 51:底部 52:側部 61:控制器（驅動器） 62、63:驅動器 70:黏著圖案 A:間距 a、b、c:方向 AA:顯示區 ACT:主動層 BB:氣泡 C:偏移值 CE1:比較例一（比較例） CE2:比較例二（比較例） Cr:腐蝕 Cst:儲存電容器 D:比率 D1:暗點缺陷 DCLK:點時脈訊號 DDC:資料控制訊號 DE:汲極電極 DES:資料致能訊號 DF:缺陷 DL、GL:線 DT、ST:電晶體 E:邊緣 ed1、ed2、ed3、ed4:側緣 EM1:示例一（示例） EM2:示例二（示例） EX1:第一實驗例 EX2:第二實驗例 EX3:第三實驗例 EX4:第四實驗例 g1:第一垂直間隔區域 g2:第二垂直間隔區域 g3:水平間隔區域 GDA:區域 GDC:閘極控制訊號 GE:閘極電極 Hsync:水平同步訊號 M1、M2、M3:凹痕 NA:非顯示區 NAW、w1、w2:寬度 ND1:第一節點 ND2:第二節點 OLED:發光元件 PA:像素區 RGB、RGB':影片資料 S1、S2:最小間距 S10、S20、S30、S40、S50:步驟 SCAN:掃描訊號 SE:源極電極 VDATA:資料訊號 VDD:第一驅動電力 VDDL:第一驅動電力線 VSS:第二驅動電力 VSSL:第二驅動電力線 Vsync:垂直同步訊號 θ:傾斜角
圖1係根據本發明第一實施例之顯示裝置的立體分解圖。 圖2係對應到圖1之陣列基板與積體電路晶片的方塊圖。 圖3係示出對應到圖2之像素區之等效電路之示例的示意圖。 圖4係示出圖3之驅動薄膜電晶體與有機發光元件之示例的示意圖。 圖5係以分解的方式示出圖1之陣列基板、密封結構、加強基板、柔性電路板與印刷電路板的示意圖。 圖6係示出圖1之陣列基板、密封結構、加強基板、柔性電路板與印刷電路板之排列示例的示意圖。 圖7係示出圖6在ab向剖面之示例的示意圖。 圖8係示出圖6在cb向剖面之示例的示意圖。 圖9係示出根據本發明第二實施例之顯示裝置的示意圖。 圖10係示出根據本發明第三實施例之顯示裝置的示意圖。 圖11係示出根據本發明第四實施例之顯示裝置的示意圖。 圖12係示出圖11在ab向剖面之示例的示意圖。 圖13係示出圖11在cb向剖面之示例的示意圖。 圖14係圖13之I部分的放大圖。 圖15a至圖15d係示出障壁層之各種結構的示意圖。 圖16a、圖16b、圖17與圖18係用來說明缺陷的產生與否是取決於構成黏著層之材料之類型的照片。 圖19係示出基於每種類型的金屬材料，在面板內部所測量到之最高溫度與後像減少率的表格。 圖20係示出根據本發明第五實施例之顯示裝置的示意圖。 圖21係示出圖20在cb向剖面之示例的示意圖。 圖22係示出基於保護層之厚度變化，顯示裝置之剛性之評價結果的表格。 圖23a至圖23f係示出在剛性評價的期間，加強基板上的凹痕與面板上所產生的暗點的示意圖。 圖24係示出基於保護層之厚度變化，面板之翹曲量的表格。 圖25係示出基於密封結構的配置，面板之翹曲量之變化的圖表。 圖26係示例性地示出面板之翹曲量之變化的示意圖。 圖27係基於密封結構在高溫下的厚度變化，示出翹曲量的變化的圖表。 圖28係基於密封結構在室溫下的厚度變化，示出翹曲量的變化的圖表。 圖29係示出根據本發明之一實施例的顯示裝置的製造方法的流程圖。 圖30到圖35係示出圖29中的方法之步驟的示意圖。 圖36係根據習知技術的顯示裝置的示意圖。
10:陣列基板
21、23:積體電路晶片
22:柔性電路板
24:印刷電路板
30:密封結構
31:第一黏著層
32:第二黏著層
33:障壁層
40:加強基板
50:底蓋
51:底部
52:側部

Claims (26)

  1. 一種顯示裝置，包含：一陣列基板，具有一顯示區、一非顯示區以及一發光陣列，其中該非顯示區位於該顯示區之外，該發光陣列包含多個發光元件，該些發光元件分別對應到該顯示區內的多個像素區；以及一密封結構，設置於該陣列基板上以密封該發光陣列並將面向該密封結構且呈板狀的一加強基板固定到該陣列基板，其中，該密封結構包含：一第一黏著層，面向該陣列基板；一第二黏著層，面向該加強基板；以及一障壁層，設置於該第一黏著層與該第二黏著層之間；其中該障壁層是由伸長率大於4%與降伏強度值小於360百萬帕斯卡(Mpa)的一金屬材料所製成。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該顯示裝置更包含該加強基板，且該加強基板的厚度範圍落在0.1公釐到1.5公釐，其中，該密封結構的厚度範圍落在30微米到300微米。
  3. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一黏著層與該第二黏著層各自的厚度範圍落在10微米到100微米。
  4. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一黏著層是由烯烴基聚合物、環氧基聚合物與丙烯酸酯基聚合物所組成的群組中選出的聚合物材料所製成， 其中，該第二黏著層是由不含羧基的聚合物材料所製成。
  5. 如請求項4所述之顯示裝置，其中該第二黏著層是由皆不含羧基的烯烴基聚合物、環氧基聚合物、丙烯酸酯基聚合物、胺基聚合物、酚基聚合物與酸酐基聚合物所組成的群組中選出的聚合物材料所製成。
  6. 如請求項4所述之顯示裝置，其中該第一黏著層更包含由金屬材料所製成的多個顆粒以及由氧化鈣、氧化鎂與氧化鋇中選出的至少一者所製成的無機填料。
  7. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該金屬材料包含由鋁、銅、錫、銀、鐵、鋅或上述之合金中選出的金屬材料。
  8. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該障壁層是由包含矽氧化物或矽氮氧化物的無機絕緣材料所製成。
  9. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該障壁層的厚度大於10微米且小於該第一黏著層與該第二黏著層各自的厚度。
  10. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該密封結構更包含以下其中一者：一第一輔助障壁層，設置於該第一黏著層與該障壁層之間且由無機絕緣材料所製成；以及一第二輔助障壁層，設置於該第二黏著層與該障壁層之間且由無機絕緣材料所製成。
  11. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該障壁層具有依序堆疊且分別包含不同金屬材料的一第一金屬膜以及一第二金屬膜的結構。
  12. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該障壁層具有依序堆疊且分別包含不同無機絕緣材料的一第一無機絕緣膜以及一第二無機絕緣膜的結構。
  13. 如請求項2所述之顯示裝置，其中該加強基板是由鋁、銅、錫、銀、鐵、鋅與上述之合金中選出的金屬材料所製成。
  14. 一種顯示裝置，包含：一陣列基板，具有一顯示區、一非顯示區以及一發光陣列，其中該非顯示區位於該顯示區之外，該發光陣列包含多個發光元件，該些發光元件分別對應到該顯示區內的多個像素區；以及一密封結構，設置於該陣列基板上以密封該發光陣列並將面向該密封結構且呈板狀的一加強基板固定到該陣列基板，其中，該密封結構包含：一第一黏著層，面向該陣列基板；一第二黏著層，面向該加強基板；以及一障壁層，設置於該第一黏著層與該第二黏著層之間；其中，該密封結構更包含一保護結構，該保護結構面向該加強基板並位於該第二黏著層與該加強基板之間。
  15. 如請求項14所述之顯示裝置， 其中，該保護結構包含一保護層、一黏著加強膜以及一抗靜電塗膜，該黏著加強膜位於該保護結構中面向該第二黏著層的一表面與該保護結構中面向該保護層之一表面的另一表面上，且該抗靜電塗膜位於該保護結構中面向該保護層之另一表面的一表面上與該保護結構中面向該加強基板的另一表面上。
  16. 如請求項14所述之顯示裝置，其中該保護結構構成該密封結構中最上側的層。
  17. 如請求項15所述之顯示裝置，其中該保護層是由包含聚對苯二甲酸乙二酯的絕緣材料所製成。
  18. 如請求項15所述之顯示裝置，其中該抗靜電塗膜將該保護層的片電阻維持在105到1010歐姆每平方的範圍內。
  19. 如請求項15所述之顯示裝置，其中該保護層的厚度大於30微米且小於100微米，以避免外界衝擊施加到該陣列基板並同時避免該陣列基板因彎曲而受損。
  20. 一種顯示裝置，包含：一陣列基板，具有一顯示區、一非顯示區以及一發光陣列，其中該非顯示區位於該顯示區之外，該發光陣列包含多個發光元件，該些發光元件分別對應到該顯示區內的多個像素區；以及一密封結構，設置於該陣列基板上以密封該發光陣列並將面向該密封結構且呈板狀的一加強基板固定到該陣列基板，其中，該密封結構包含： 一第一黏著層，面向該陣列基板；一第二黏著層，面向該加強基板；以及一障壁層，設置於該第一黏著層與該第二黏著層之間；其中，該顯示裝置更包含：一印刷電路板，位於該加強基板上；至少一柔性電路板，其中該至少一柔性電路板的一側連接到該印刷電路板而該至少一柔性電路板的另一側連接到位於該陣列基板的該非顯示區中的一墊部；以及一底蓋，設置於該加強基板，其中，該印刷電路板設置於該加強基板與該底蓋之間；其中，該密封結構中鄰近該陣列基板的該墊部的一側緣與該陣列基板的該墊部間隔一第一間距；其中，該加強基板中鄰近該陣列基板之該墊部的一側緣與該陣列基板的該墊部間隔一第二間距，且該第二間距大於該第一間距，其中，該加強基板的寬度小於該密封結構的寬度，以暴露該密封結構中最上側的表面的一部分。
  21. 如請求項20所述之顯示裝置，其中該加強基板的面積至少與該顯示區的尺寸相同；或者該加強基板從該顯示區延伸到該非顯示區，使得該加強基板的面積大於該顯示區的尺寸。
  22. 如請求項20所述之顯示裝置，其中當該加強基板的厚度增加時，該加強基板與該密封結構的該側緣彼此間隔的該第二間距會增加，其中該加強基板從該密封結構的一側緣向內設置。
  23. 如請求項20所述之顯示裝置，其中該加強基板的寬度小於該密封結構的寬度，使得當該加強基板的厚度增加時，該加強基板位移示出該非顯示區與該加強基板重疊之寬度之多少部分的10%到55%範圍的距離，以暴露該密封結構中最上側的表面的一部分。
  24. 一種顯示裝置，包含：一陣列基板，具有一顯示區、一非顯示區以及一發光陣列，其中該非顯示區位於該顯示區之外，該發光陣列包含多個發光元件，該些發光元件分別對應到該顯示區內的多個像素區；以及一密封結構，設置於該陣列基板上以密封該發光陣列並將面向該密封結構且呈板狀的一加強基板固定到該陣列基板，其中，該密封結構包含：一第一黏著層，面向該陣列基板；一第二黏著層，面向該加強基板；以及一障壁層，設置於該第一黏著層與該第二黏著層之間；其中，該陣列基板、該密封結構與該加強基板依序堆疊以在堆疊的至少一側形成一階梯狀，其中該階梯狀具有： 一下部，作為該陣列基板的該非顯示區的暴露部分；一中間部，作為該密封結構的上表面的暴露部分；以及一上部，作為該加強基板的暴露上表面。
  25. 如請求項24所述之顯示裝置，其中該密封結構的上表面為該第二黏著層的上表面或該第二黏著層上所設置的該密封結構的一保護結構的上表面。
  26. 一種顯示裝置的製造方法，包含以下步驟：提供一陣列基板，其中該陣列基板具有一發光陣列，該發光陣列包含多個發光元件，且該些發光元件分別對應到多個像素區；提供一密封結構，其中該密封結構包含一第一黏著層、一第二黏著層、一障壁層以及一保護結構，該第一黏著層與該第二黏著層彼此相對，該障壁層設置於該第一黏著層與該第二黏著層之間，且該保護結構在該第二黏著層上；將該密封結構設置於該陣列基板上，使得該發光陣列被該第一黏著層密封。準備呈板狀的一加強基板；以及將該加強基板附接到該第二黏著層。
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