KR20140147494A - 가요성 표시장치 - Google Patents

가요성 표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20140147494A
KR20140147494A KR20130070859A KR20130070859A KR20140147494A KR 20140147494 A KR20140147494 A KR 20140147494A KR 20130070859 A KR20130070859 A KR 20130070859A KR 20130070859 A KR20130070859 A KR 20130070859A KR 20140147494 A KR20140147494 A KR 20140147494A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
flexible substrate
metal wiring
electrode
thin film
gate
Prior art date
Application number
KR20130070859A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102008324B1 (ko
Inventor
이규황
송태준
문태형
이경하
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020130070859A priority Critical patent/KR102008324B1/ko
Publication of KR20140147494A publication Critical patent/KR20140147494A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102008324B1 publication Critical patent/KR102008324B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED

Abstract

본 발명은 영상을 표시하는 표시영역과 상기 표시영역을 둘러싸는 비표시영역을 포함하는 가요성기판과; 상기 가요성기판 상부에 형성되는 버퍼층과; 상기 버퍼층의 상부에 형성되고, 서로 교차하여 다수의 화소를 정의하는 게이트배선 및 데이터배선과; 상기 게이트배선 및 상기 데이터배선에 연결되는 박막트랜지스터와; 상기 게이트배선 및 상기 데이터배선 중 적어도 하나에 연결되며, 상기 표시영역과 상기 비표시영역에 걸쳐서 형성되어 신호를 전달하는 금속배선과; 상기 금속배선 상부에 부착되고, 내부에 상기 금속배선과 평행한 방향으로 배치되는 다수의 도전패턴을 포함하는 필름을 특징으로 하는 가요성표시장치를 제공한다.

Description

가요성 표시장치{Flexible Display Device}
본 발명은 가요성 표시장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 베젤부의 단선불량을 방지할 수 있는 가요성 표시장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치(liquid crystal display: LCD), 플라즈마표시장치(plasma display panel: PDP), 유기발광표시장치(organic light emitting diode: OLED)와 같은 여러 가지 평판표시장치(flat panel display: FPD)가 활용되고 있다.
이들 평판표시장치 중에서, 액정표시장치는 소형화, 경량화, 박형화, 저전력 구동의 장점을 가지고 있어 현재 널리 사용되고 있다.
그리고 최근, 플라스틱과 같이 휘어지는 연성을 갖는 가요성 기판에 박막트랜지스터 등의 어레이소자를 형성하는 가요성 표시장치가 각광받고 있다.
이러한 가요성 표시장치는 다수의 화소를 포함하며 화상을 표시하는 패널과, 패널의 각 화소에 신호를 인가하는 구동부를 포함한다.
이때, 패널은 가요성기판을 포함할 수 있으며, 구동부는 인쇄회로기판(printed circuit board: PCB)를 포함할 수 있다.
도 1은 종래의 가요성 표시장치의 일부를 도시한 단면도이다.
도 1 에 도시한 바와 같이, 표시영역(AA)과 비표시영역(NAA)을 가진 가요성기판(10) 상에는, 영상을 표시하기 위한 박막트랜지스터(T) 및 유기발광 다이오드(E)가 형성되고, 박막트랜지스터(T) 및 유기발광 다이오드(E)에 신호를 전달하기 위한 금속배선(12)이 형성된다.
이때, 금속배선(12)은 예를 들어 박막트랜지스터(T)의 게이트전극에 게이트신호를 전달하는 배선일 수 있다.
그리고, 금속배선(12)의 상부에는 금속배선(12) 및 박막트랜지스터(T)을 보호하기 위한 보호층(15)이 형성되고, 비표시영역(NAA)의 금속배선(12)의 일끝의 보호층 상부에는 가요성기판 상부의 박막트랜지스터(T) 및 유기발광 다이오드(E)에 전달되는 신호를 공급받기위한 패드(13)가 형성된다.
이때, 도시하지 않았지만 패드(13)에는 외부의 구동부가 연결된다.
그리고, 가요성기판(10)의 표시영역(AA)의 금속배선(12) 및 보호층(15) 상부에는 평탄화막(16)과 유기발광 다이오드(E)가 형성되고, 유기발광 다이오드(E)의 상부에는 유기발광 다이오드(E)를 보호하기 위한 커버층(19)이 형성된다.
한편, 가요성기판(10)의 비표시영역(NAA)의 금속배선(12)과 보호층(15)은 네로우 베젤을 구현하기 위해 패드(13)에 연결된 구동부와 함께 가요성기판(10)의 배면으로 젖혀진다.
이와 같이 비표시영역(NAA)의 금속배선(12)과 보호층(15)을 배면으로 젖힐 경우, 금속배선(12)에 크랙(crack)이 발생하여 신호가 전달되지 않는 전기적 단선이 발생하는 문제가 있다.
본 발명은, 상기한 문제점을 해결하기 위하여 제시된 것으로, 단선불량없이 베젤의 폭을 최소화할 수 있는 가요성 표시장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은 영상을 표시하는 표시영역과 상기 표시영역을 둘러싸는 비표시영역을 포함하는 가요성기판과; 상기 가요성기판 상부에 형성되는 버퍼층과; 상기 버퍼층의 상부에 형성되고, 서로 교차하여 다수의 화소를 정의하는 게이트배선 및 데이터배선과; 상기 게이트배선 및 상기 데이터배선에 연결되는 박막트랜지스터와; 상기 게이트배선 및 상기 데이터배선 중 적어도 하나에 연결되며, 상기 표시영역과 상기 비표시영역에 걸쳐서 형성되어 신호를 전달하는 금속배선과; 상기 금속배선 상부에 부착되고, 내부에 상기 금속배선과 평행한 방향으로 배치되는 다수의 도전패턴을 포함하는 필름을 특징으로 하는 가요성표시장치를 제공한다.
이때, 상기 필름은, 상기 다수의 도전패턴 상하부에 형성되는 도전볼을 더 포함하여, 이방성 도전 특성을 가진 전도성 테이프로 이루어 지는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 가요성기판, 상기 버퍼층 및 상기 필름의 두께 및 탄성률을 조절하여 상기 금속배선이 상기 가요성기판, 상기 버퍼층 및 상기 필름 사이에서 중립면에 위치하도록 하는 것을 포함한다.
그리고, 상기 가요성기판은 폴리스티렌(polystyrene), 폴리에테르설폰(polyethersulfone), 폴리이미드(polyimide) 중의 하나를 포함한다.
그리고, 상기 가요성기판과, 상기 금속배선 및 상기 필름은 상기 가요성기판의 배면으로 젖혀지는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 가요성기판 상부에 형성되는 구동 박막트랜지스터 및 유기발광 다이오드를 더 포함한다.
그리고, 상기 가요성기판 상부에 형성되는 광학적 이방성을 갖는 액정층을 더 포함한다.
본 발명은 영상표시장치에 있어서, 배면으로 젖혀지는 금속배선 상부에 가요성 기판의 두께에 대응되는 두께를 갖는 테이프를 부착함으로써, 금속배선의 단선을 방지할 수 있다.
또한, 배면으로 젖혀지는 금속배선 상부에 도전성 테이프를 부착함으로써, 단선이 발생한 금속배선을 연결하여 신호전달을 원활하게 할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 가요성표시장치의 일부를 도시한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 가요성표시장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ을 도시한 단면도이다.
도 4는 휘어짐에 따른 응력을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 가요성 표시장치의 일부를 도시한 단면도이다.
도 6은 전도성 테이프와 금속배선을 개략적으로 도시한 평면도이다.
이하 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 가요성 표시장치를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ을 도시한 단면도이다.
도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 가요성기판(100)은 영상이 표시되는 표시영역(AA)과, 표시영역(AA)을 둘러싸는 비표시영역(NAA)을 포함한다.
이때, 가요성기판(100)은 플렉서블한 특성을 갖기위해 예를들어 폴리스티렌(polystyrene), 폴리에테르설폰(polyethersulfone), 폴리이미드(polyimide) 중의 하나로 형성될 수 있다.
그리고, 가요성기판(100) 상부의 표시영역(AA)에는 서로 교차하여 다수의 화소(p)를 정의하는 게이트배선(GL) 및 데이터 배선(DL)과, 데이터 배선(DL)과 대응되는 전력공급선(VL)이 형성되고, 각각의 화소(p)에는 스토리지캐패시터(CS)와 구동 박막트랜지스터(TD) 및 스위칭 박막트랜지스터(TS)와, 유기발광 다이오드(E)가 위치한다.
이때, 게이트배선(GL) 및 데이터배선(DL)은 스위칭 박막트랜지스터(TS)와 연결되고, 구동 박막트랜지스터(TD)와 스토리지캐패시터(CS)는 스위칭 박막트랜지스터(TS)와 연결된다.
그리고, 전력공급선(VL)은 구동 박막트랜지스터(TD)와 스토리지캐패시터(CS)에 연결된다.
구동 박막트랜지스터(TD) 및 스위칭 박막트랜지스터(TS)는 각각 반도체층(121)과, 게이트전극(125)과, 소스전극(128) 및 드레인전극(129)을 포함한다.
이하 설명하는 구동 박막트랜지스터(TD)는 스위칭 박막 트랜지스터(TS)와 그 구조나 형성하는 방법이 동일하다.
먼저, 가요성기판(100) 상부에는 버퍼층(110)이 형성되고, 버퍼층(110) 상부에는 형성되는 구동 박막트랜지스터(TD)의 반도체층(121)이 형성된다. 반도체층(121)은 다결정실리콘으로 이루어지며, 채널영역과 채널영역 양측에 위치하는 드레인영역 및 소스영역을 포함한다.
한편, 버퍼층(100)은 무기물질로 이루어질 수 있으며, 다른 실시예에서는 생략할 수 있다.
반도체층(121) 상부에는, 게이트절연막(123)이 형성되고, 게이트절연막(123) 상부에는, 채널영역에 대응하여 게이트전극(125)이 형성된다.
게이트전극(125) 상부에는, 층간절연막(127)이 형성되는데, 층간절연막(127)과 게이트절연막(123)에는, 반도체층(121)의 소스영역과 드레인영역 각각을 노출하는 반도체콘택홀이 형성된다.
층간절연막(127) 상부에는, 소스전극(128) 및 드레인전극(129)이 형성되는데, 소스전극(128) 및 드레인전극(129)은, 대응되는 반도체콘택홀을 통해, 반도체층(121)의 소스영역 및 드레인영역과 각각 접촉한다.
소스전극(128) 및 드레인전극(129) 상부에는, 보호층(150)이 형성되고, 보호층(150) 상부에는, 평탄화막(160)과 유기발광다이오드(E)가 형성된다.
이때, 보호층(150)에는 드레인 전극(129)을 노출하는 제1 개구부가 형성되고, 평탄화막(160)에는 제1 개구부와 연동되는 제2 개구부가 형성된다. 그리고, 평탄화막(160)은 유기물질로 이루어질 수 있는데, 예를 들어 포토아크릴(Photoacryl), 폴리이미드(Polyimide), BCB(Benzo cyclo butene)를 포함할 수 있다.
이와 같은 보호층(150)의 제1 개구부와 평탄화막(160)의 제2 개구부를 통해, 유기발광다이오드(E)와 구동 박막 트랜지스터(TD)가 전기적으로 연결될 수 있다.
그리고, 유기발광다이오드(E)는, 제1 및 2 전극(171, 173)과, 제1 및 2 전극(171, 173) 사이에 형성된 유기발광층(175)을 포함할 수 있다.
한편 제1 전극(171)은, 화소전극이라 불릴 수 있고, 투명도전성물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, ITO, IZO, GZO, IGZO 등의 물질이 사용될 수 있다.
이에 따라, 유기발광층(175)에서 생성된 빛은 제1 전극(171)을 통과할 수 있게 되며, 더 나아가 가요성기판(100)을 통과하여 외부로 출사될 수 있게 된다.
제2 전극은(173), 반사특성이 높은 불투명한 도전성물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, Al, AlNd, MgAg, MgAl 등과 같이 반사특성을 갖는 물질로 이루어 질 수 있다. 이에 따라, 유기발광층(175)에서 생성된 빛은 제2 전극(173)을 통과하지 않고 제1 전극(171) 방향으로 반사되어 나아갈 수 있게 된다.
제1 및 2 전극(171, 173) 각각은, 애노드 및 캐소드의 역할을 할 수 있다. 애노드의 역할을 하는 제1 전극(171)은 일함수 값과 투과도가 상대적으로 높은 물질로 이루어질 수 있으며, 캐소드 역할을 하는 제2 전극(173)은 일함수 값과 투과도가 상대적으로 낮은 물질로 이루어질 수 있다.
또는 제1 전극(171)과 제2 전극(173) 모두 금속재질로 만들고 그중 하나의 두께를 얇게 형성하여 빛이 투과되도록 할 수도 있다.
이때, 제1 전극(171)과 제2 전극(173)은 서로 자리를 바꾸어 형성할 수 있다. 제1 전극(171)과 제2 전극(173)의 서로 자리를 바꾸면 상부 발광 방식의 유기발광 디스플레이장치로 사용할 수 있다.
한편, 제 1 전극(171) 상부에는, 화소영역(P) 마다 개구부를 갖는 뱅크(bank)층(180)이 형성될 수 있다.
이때, 뱅크층(180)은 제1 전극(171)의 가장자리를 덮을 수 있고, 제1 전극(171)의 중앙부를 노출하는 제3 개구부를 포함하는데, 이와 같은 뱅크층(180)의 제3 개구부에는 적, 녹, 청의 빛을 발광하는 유기발광층(175)이 형성될 수 있다.
그리고, 뱅크층(180) 상부에는 커버층(190)이 형성된다.
전술한 바와 같은 구성을 갖는 유기발광다이오드(E)는, 스위칭 박막 트랜지스터(TS) 및 구동 박막트랜지스터(TD) 각각의 게이트전극(미도시, 121)과 소스전극(미도시, 128)에 인가된 신호에 따라 대응되는 휘도의 빛을 생성하여 가요성기판(100) 방향을 향해 방출하게 된다.
이때, 스위칭 박막트랜지스터(TS)의 게이트전극은 게이트배선(GL)과 연결되어 게이트신호를 인가받고, 소스전극는 데이터배선(DL)과 연결되어 데이터신호를 인가받는다.
그리고, 구동 박막트랜지스터(TD)의 소스전극(128)과 스토리지캐패시터(CS)는 전력공급선(VL)과 연결되어 파워전압을 공급받는다.
한편 가요성기판(100) 상부에는 표시영역(AA) 및 비표시영역(NAA)에 걸쳐서 금속배선(120)이 형성된다.
이때, 게이트 배선(GL) 및 데이터배선(DL) 또는 전력공급선(VL)은 금속배선(120)에 연결되어 외부의 구동부(135)로부터 게이트 전압, 데이터 전압 또는 전원 전압을 공급받을 수 있다.
이와 같은 금속배선(120)은 예를 들어 구리, 금, 알루미늄 중의 하나로 이루어질 수 있다.
따라서, 가요성기판(100) 상부의 비표시영역(NAA)에는 버퍼층(110)과, 금속배선(120) 및 보호층(150)이 형성된다.
이때, 비표시영역(NAA)의 보호층(150) 상부에는 보호층(150) 및 금속배선(120)의 단선을 방지하기 위한 필름(155)이 형성된다.
그리고, 비표시영역(NAA)의 금속배선(120)의 일끝에는 가요성기판(100) 상부의 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(TS, TD) 및 유기발광 다이오드(E)에 전달되는 신호를 공급받기위한 패드(130)가 형성된다.
패드(130)는 외부의 구동부(135)에 연결된다.
따라서 구동부(135)는 금속배선(120)을 통하여 표시영역(AA)의 스위칭 및 구동박막트랜지스터(TS, TD) 로 신호를 공급한다.
이때, 구동부에서 공급하는 신호는 예를 들어 게이트신호 또는 데이터신호 및 전력신호가 될 수 있고 이에 한정되지 않는다.
이와 같은 가요성기판(100)을 가진 본 발명의 가요성표시장치에서는, 베젤부의 면적을 축소시키기 위해 가요성기판(100)의 비표시영역(NAA)과 구동부(135)가 가요성기판(100)의 배면으로 젖혀진다.
이때, 가요성기판(100)과 버퍼층(110)과 금속배선(120)과 보호층(150) 및 필름(155)이 휘어진다.
이때, 휘어지는 가요성기판(100) 및 버퍼층(110)은 제1 두께(t1)를 가지고, 보호층(150) 및 필름(155)도 제2 두께(t2)를 가지는데, 금속배선(120)의 위치를 가요성 기판(100) 및 버퍼층(110)과, 보호층(150) 및 필름(155) 사이의 휨 응력이 0이고 신축이 없는 중립면에 대응되도록 형성하여 금속배선(120)의 신축을 최소화할 수 있다. 예를들어 가요성기판(100) 및 버퍼층(110)의 두께(t1)와, 보호층(150) 및 필름(155)의 두께(t2)와 탄성률을 실질적으로 동일하게 형성하면 금속배선(120)의 신축이 일어나지 않아 금속배선(120)의 크랙 발생을 방지할 수 있다.
즉, 금속배선(120)이 중립면에 위치하도록 형성하기 위해, 예를 들어 금속배선(120) 및 보호층(150)의 상부에 필름(155) 혹은 테이프를 부착하면 금속배선(120)이 중립면에 위치하게 되어 신축이 일어나지 않으며, 단선이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이때, 가요성기판(100)과 금속배선(120)이 휘어지는데 휘어질 때 가요성기판(100)과, 금속배선(120)이 받는 응력을 도면을 참조하여 설명한다.
도 4는 휘어짐에 따른 응력을 설명하기 위한 도면이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 높이가 h이고, 세로가 b인 직사각기둥(200)에 있어서 상면을 A라하고 A면과 대응되는 하면을 A'라 할 때, 직사각기둥(200)의 양단을 상부로 휘었을 때, A면에 발생하는 최대굽힘응력(maximum compression stress, a)은
Figure pat00001
(Mmax:최대굽힘모멘트)의 수식으로 구할 수 있고, A'면에 발생하는 최대인장응력(maximum tensile stress, b)은
Figure pat00002
으로 구할 수 있다.
이때, 직사각기둥(200)이 최대인장응력(a)을 넘는 힘을 받아 휘어지면 직사각기둥(200)의 A'면이 찢어지는 현상이 발생한다.
한편, 휘어지는 직사각기둥(200) 중앙부의 면 B는 휨 응력이 0이고 신축이 없는 중립면으로 신축이 없어 찢어지는 현상이 발생하지 않는다.
따라서 금속배선을 B면에 위치하도록 형성하면, 금속배선에 금이 생기거나 끊어져서 신호가 전달되지 않는 단선문제를 해결할 수 있다.
이하, 도 5을 참조하여 본 발명의 제2 실시예의 패드 및 금속배선이 가요성기판(100)의 배면으로 젖혀져 휘어지는 것을 설명한다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 가요성 표시장치의 일부를 도시한 단면도이다.
이때, 본 발명의 제2 실시예에 따른 가요성표시장치는 전술한 본 발명의 제1 실시예의 다른예로, 본 발명의 제1 실시예의 평면도인 도 2를 참조하여 설명한다.
가요성기판(300)은 영상이 표시되는 표시영역(AA)과, 표시영역(AA)을 둘러싸는 비표시영역(NAA)을 포함한다.
이때, 가요성기판(300)은 플렉서블한 특성을 갖기위해 예를들어 폴리스티렌(polystyrene), 폴리에테르설폰(polyethersulfone), 폴리이미드(polyimide) 중의 하나로 형성될 수 있다.
그리고, 가요성기판(300) 상부의 표시영역(AA)에는 서로 교차하여 다수의 화소(p)를 정의하는 게이트배선(GL) 및 데이터 배선(DL)과, 데이터 배선(DL)과 대응되는 전력공급선(VL)이 형성되고, 각각의 화소(p)에는 스토리지캐패시터(CS)와 구동 박막트랜지스터(TD) 및 스위칭 박막트랜지스터(TS)와, 유기발광 다이오드(E)가 위치한다.
이때, 게이트배선(GL) 및 데이터배선(DL)은 스위칭 박막트랜지스터(TS)와 연결되고, 구동 박막트랜지스터(TD)와 스토리지캐패시터(CS)는 스위칭 박막트랜지스터(TS)와 연결된다.
그리고, 전력공급선(VL)은 구동 박막트랜지스터(TD)와 스토리지캐패시터(CS)에 연결된다.
구동 박막트랜지스터(TD) 및 스위칭 박막트랜지스터(TS)는 각각 반도체층(321)과, 게이트전극(325)과, 소스전극(328) 및 드레인전극(329)을 포함한다.
이하 설명하는 구동 박막트랜지스터(TD)는 스위칭 박막 트랜지스터(TS)와 그 구조나 형성하는 방법이 동일하다.
먼저, 가요성기판(300) 상부에는 버퍼층(310)이 형성되고, 버퍼층(310) 상부에는 형성되는 구동 박막트랜지스터(TD)의 반도체층(321)이 형성된다. 반도체층(321)은 다결정실리콘으로 이루어지며, 채널영역과 채널영역 양측에 위치하는 드레인영역 및 소스영역을 포함한다.
한편, 버퍼층(300)은 무기물질로 이루어질 수 있으며, 다른 실시예에서는 생략할 수 있다.
반도체층(321) 상부에는, 게이트절연막(323)이 형성되고, 게이트절연막(323) 상부에는, 채널영역에 대응하여 게이트전극(325)이 형성된다.
게이트전극(325) 상부에는, 층간절연막(327)이 형성되는데, 층간절연막(327)과 게이트절연막(323)에는, 반도체층(321)의 소스영역과 드레인영역 각각을 노출하는 반도체콘택홀이 형성된다.
층간절연막(327) 상부에는, 소스전극(328) 및 드레인전극(329)이 형성되는데, 소스전극(328) 및 드레인전극(329)은, 대응되는 반도체콘택홀을 통해, 반도체층(321)의 소스영역 및 드레인영역과 각각 접촉한다.
소스전극(328) 및 드레인전극(329) 상부에는, 보호층(350)이 형성되고, 보호층(350) 상부에는, 평탄화막(360)과 유기발광다이오드(E)가 형성된다.
이때, 보호층(350)에는 드레인 전극(329)을 노출하는 제1 개구부가 형성되고, 평탄화막(360)에는 제1 개구부와 연동되는 제2 개구부가 형성된다. 그리고, 평탄화막(360)은 유기물질로 이루어질 수 있는데, 예를 들어 포토아크릴(Photoacryl), 폴리이미드(Polyimide), BCB(Benzo cyclo butene)를 포함할 수 있다.
이와 같은 보호층(350)의 제1 개구부와 평탄화막(360)의 제2 개구부를 통해, 유기발광다이오드(E)와 구동 박막 트랜지스터(TD)가 전기적으로 연결될 수 있다.
그리고, 유기발광다이오드(E)는, 제1 및 2 전극(371, 373)과, 제1 및 2 전극(371, 373) 사이에 형성된 유기발광층(375)을 포함할 수 있다.
한편 제1 전극(371)은, 화소전극이라 불릴 수 있고, 투명도전성물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, ITO, IZO, GZO, IGZO 등의 물질이 사용될 수 있다.
이에 따라, 유기발광층(375)에서 생성된 빛은 제1 전극(371)을 통과할 수 있게 되며, 더 나아가 가요성기판(300)을 통과하여 외부로 출사될 수 있게 된다.
제2 전극은(373), 반사특성이 높은 불투명한 도전성물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, Al, AlNd, MgAg, MgAl 등과 같이 반사특성을 갖는 물질로 이루어 질 수 있다. 이에 따라, 유기발광층(375)에서 생성된 빛은 제2 전극(373)을 통과하지 않고 제1 전극(371) 방향으로 반사되어 나아갈 수 있게 된다.
제1 및 2 전극(371, 373)각각은, 애노드 및 캐소드의 역할을 할 수 있다. 애노드의 역할을 하는 제1 전극(371)은 일함수 값과 투과도가 상대적으로 높은 물질로 이루어질 수 있으며, 캐소드 역할을 하는 제2 전극(373)은 일함수 값과 투과도가 상대적으로 낮은 물질로 이루어질 수 있다.
또는 제1 전극(371)과 제2 전극(373) 모두 금속재질로 만들고 그중 하나의 두께를 얇게 형성하여 빛이 투과되도록 할 수도 있다.
이때, 제1 전극(371)과 제2 전극(373)은 서로 자리를 바꾸어 형성할 수 있다. 제1 전극(371)과 제2 전극(373)의 서로 자리를 바꾸면 상부 발광 방식의 유기발광 디스플레이장치로 사용할 수 있다.
한편, 제 1 전극(371) 상부에는, 화소영역(P) 마다 개구부를 갖는 뱅크(bank)층(380)이 형성될 수 있다.
이때, 뱅크층(380)은 제1 전극(371)의 가장자리를 덮을 수 있고, 제1 전극(371)의 중앙부를 노출하는 제3 개구부를 포함하는데, 이와 같은 뱅크층(380)의 제3 개구부에는 적, 녹, 청의 빛을 발광하는 유기발광층(375)이 형성될 수 있다.
그리고, 뱅크층(380) 상부에는 커버층(390)이 형성된다.
전술한 바와 같은 구성을 갖는 유기발광다이오드(E)는, 스위칭 박막 트랜지스터(TS) 및 구동 박막트랜지스터(TD) 각각의 게이트전극(미도시, 321)과 소스전극(미도시, 328)에 인가된 신호에 따라 대응되는 휘도의 빛을 생성하여 가요성기판(300) 방향을 향해 방출하게 된다.
이때, 스위칭 박막트랜지스터(TS)의 게이트전극은 게이트배선(GL)과 연결되어 게이트신호를 인가받고, 소스전극는 데이터배선(DL)과 연결되어 데이터신호를 인가받는다.
그리고, 구동 박막트랜지스터(TD)의 소스전극(328)과 스토리지캐패시터(CS)는 전력공급선(VL)과 연결되어 파워전압을 공급받는다.
한편 가요성기판(300) 상부에는 표시영역(AA) 및 비표시영역(NAA)에 걸쳐서 금속배선(320)이 형성된다.
이때, 게이트 배선(GL) 및 데이터배선(DL) 또는 전력공급선(VL)은 금속배선(320)에 연결되어 외부의 구동부(135)로부터 게이트 전압, 데이터 전압 또는 전원 전압을 공급받을 수 있다.
이와 같은 금속배선(320)은 예를 들어 구리, 금, 알루미늄 중의 하나로 이루어질 수 있다.
한편, 가요성기판(300) 상부의 비표시영역(NAA)에는 버퍼층(310)과, 금속배선(320) 및 보호층(350)이 위치한다.
이때, 보호층(350) 상부에는 보호층(350) 및 금속배선(320)의 단선을 방지하기 위한 전도성 테이프(355)가 형성된다.
그리고, 비표시영역(NAA)의 금속배선(320)의 일끝에는 가요성기판(300) 상부의 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(TS, TD) 및 유기발광 다이오드(E)에 전달되는 신호를 공급받기위한 패드(330)가 형성된다.
이때, 패드(330)는 외부의 구동부(135)와 연결된다.
따라서 구동부(135)는 금속배선(320)을 통하여 표시영역(AA)의 스위칭 및 구동박막트랜지스터(TS, TD)로 신호를 전달한다.
이때, 구동부에서 공급하는 신호는 예를 들어 게이트신호 또는 데이터신호 및 전력신호가 될 수 있고 이에 한정되지 않는다.
이와 같은 가요성기판(300)을 가진 본 발명의 가요성표시장치에서는 베젤부의 면적을 축소시키기 위해 가요성기판(300)의 비표시영역(NAA)과 구동부가 가요성기판(300)의 배면으로 젖혀진다.
이때, 비표시영역(NAA)의 보호층(350)은 제거될 수 있는데, 보호층(350)을 제거하고 비표시영역(NAA)의 금속배선(320) 상부에 이방성 도전 특성을 가진 전도성 테이프(355)를 부착하면, 금속배선(320)이 크랙에 의하여 단선되더라도 신호가 전도성 테이프(355)를 통해 원활하게 전달할 수 있다.
이와 같은 전도성 테이프는 차후에 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
그리고, 전도성 테이프(355)는 내부에 일방향으로 도전 패턴이 형성되며, 이러한 도전패턴으로 의해 신호를 일방향으로 전달한다. 따라서 도전 패턴이 형성된 전도성 테이프(355)를 사용하여 단선이 발생한 배선을 전기적으로 연결할 수 있다.
한편, 전도성 테이프(355)을 부착할 때, 금속배선(320)의 위치가 가요성기판(100)내지 전도성 테이프(355) 사이의 휨 응력이 0이며, 신축이 없는 중립면에 위치하도록 가요성기판(300) 내지 전도성 테이프(355)의 두께와 탄성률을 결정할 수 있는데, 이 경우 금속배선(320)의 신축이 발생하지 않으므로 금속배선(320)의 단선을 방지하여 신호를 원활하게 전달할 수 있다.
이와 같이, 전도성 테이프(355)가 필름역할을 하도록 부착하면 금속배선(320)이 중립면에 위치하여 신축이 발생하지 않고 단선이 발생하는 것이 방지되며, 단선이 발생하더라도 전도성 테이프(355)로 인해 신호가 원활하게 전달된다.
이하 도 6을 참조하여 전도성 테이프를 설명한다.
도 6은 전도성 테이프와 금속배선을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 6에 도시한 바와 같이, 전도성 테이프(355) 내부에는 제1 방향(X1)으로 평행하고, 서로 이격되는 다수의 금속패턴(358)이 형성된다.
이때 도시하지 않았지만, 다수의 금속패턴(358) 상하부에도 다수의 도전볼이 형성될 수 있으며, 다수의 금속패턴(358)은 도전볼을 통하여 금속배선(320)과 접촉할 수 있다.
따라서, 다수의 금속패턴(358)이 금속배선(320)과 평행하도록 전도성 테이프(355)를 가요성 기판(300)의 비표시영역(NAA)에 부착할 경우, 금속배선(320)에 크랙이 발생한 경우에도 금속패턴(358)을 통하여 신호가 전달될 수 있다.
이때, 금속패턴(358)에 평행한 제1 방향(X1)에 수직한 제2 방향(X2)으로는 도전되지 않으므로, 인접판 금속배선(320) 사이의 단락을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시예에서는 유기발광 디스플레이 장치로 예를들어 설명하였지만, 예를들어 액정표시장치, 플라즈마표시장치등에 사용되는 모든 가요성기판에 적용가능하다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 가요성기판 120 : 금속배선
130 : 패드 150 : 보호층
155 : 필름 160 : 평탄화막
190: 커버층 T : 박막트랜지스터
E : 유기발광 다이오드

Claims (7)

  1. 영상을 표시하는 표시영역과 상기 표시영역을 둘러싸는 비표시영역을 포함하는 가요성기판과;
    상기 가요성기판 상부에 형성되는 버퍼층과;
    상기 버퍼층의 상부에 형성되고, 서로 교차하여 다수의 화소를 정의하는 게이트배선 및 데이터배선과;
    상기 게이트배선 및 상기 데이터배선에 연결되는 박막트랜지스터와;
    상기 게이트배선 및 상기 데이터배선 중 적어도 하나에 연결되며, 상기 표시영역과 상기 비표시영역에 걸쳐서 형성되어 신호를 전달하는 금속배선과;
    상기 금속배선 상부에 부착되고, 내부에 상기 금속배선과 평행한 방향으로 배치되는 다수의 도전패턴을 포함하는 필름
    을 특징으로 하는 가요성표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 필름은, 상기 다수의 도전패턴 상하부에 형성되는 도전볼을 더 포함하여, 이방성 도전 특성을 가진 전도성 테이프로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 가요성표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 가요성기판, 상기 버퍼층 및 상기 필름의 두께 및 탄성률을 조절하여 상기 금속배선이 상기 가요성기판, 상기 버퍼층 및 상기 필름 사이에서 중립면에 위치하도록 하는 것을 포함하는 가요성표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 가요성기판은 폴리스티렌(polystyrene), 폴리에테르설폰(polyethersulfone), 폴리이미드(polyimide) 중의 하나를 포함하는 가요성표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 가요성기판과, 상기 금속배선 및 상기 필름은 상기 가요성기판의 배면으로 젖혀지는 것을 특징으로 하는 가요성표시장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 가요성기판 상부에 형성되는 구동 박막트랜지스터 및 유기발광 다이오드를 더 포함하는 가요성표시장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 가요성기판 상부에 형성되는 광학적 이방성을 갖는 액정층을 더 포함하는 가요성표시장치.

KR1020130070859A 2013-06-20 2013-06-20 가요성 표시장치 KR102008324B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130070859A KR102008324B1 (ko) 2013-06-20 2013-06-20 가요성 표시장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130070859A KR102008324B1 (ko) 2013-06-20 2013-06-20 가요성 표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140147494A true KR20140147494A (ko) 2014-12-30
KR102008324B1 KR102008324B1 (ko) 2019-08-07

Family

ID=52676266

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130070859A KR102008324B1 (ko) 2013-06-20 2013-06-20 가요성 표시장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102008324B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018078057A (ja) * 2016-11-11 2018-05-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN110010662A (zh) * 2018-01-05 2019-07-12 三星显示有限公司 显示面板
KR20210010621A (ko) * 2017-11-29 2021-01-27 삼성에스디아이 주식회사 광학표시장치의 보호 필름, 이를 포함하는 광학 부재 및 이를 포함하는 광학표시장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110106539A (ko) * 2010-03-23 2011-09-29 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 평판표시장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110106539A (ko) * 2010-03-23 2011-09-29 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 평판표시장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018078057A (ja) * 2016-11-11 2018-05-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20210010621A (ko) * 2017-11-29 2021-01-27 삼성에스디아이 주식회사 광학표시장치의 보호 필름, 이를 포함하는 광학 부재 및 이를 포함하는 광학표시장치
CN110010662A (zh) * 2018-01-05 2019-07-12 三星显示有限公司 显示面板
KR20190084192A (ko) * 2018-01-05 2019-07-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR102008324B1 (ko) 2019-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11437463B2 (en) Display device
EP3188244B1 (en) Organic light emitting diode display device
US11189815B2 (en) Display panel
KR20160035696A (ko) 곡면형 표시 장치
US20080062373A1 (en) Flat panel display device
CN108110029B (zh) 显示装置
KR20170078985A (ko) 유기발광 표시장치
US11362304B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
TW201807816A (zh) 顯示裝置
KR20190012970A (ko) 발광 다이오드 표시 장치 및 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치
KR102541880B1 (ko) 표시 패널
KR20230047339A (ko) 배선 필름 및 그를 포함한 표시 장치
KR102008324B1 (ko) 가요성 표시장치
KR102433358B1 (ko) 표시 장치
KR102463349B1 (ko) 표시장치
KR102150839B1 (ko) 표시 장치
KR102632269B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US20240072224A1 (en) Display device
TWI835242B (zh) 可撓式顯示裝置
KR20180025523A (ko) 표시장치
KR20180079481A (ko) 유기 발광 표시 장치
US20240038953A1 (en) Display device
KR102648794B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102449319B1 (ko) 디스플레이 장치
KR20210008221A (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant