CN101901824A - 有机电致发光显示设备及其制造方法 - Google Patents

有机电致发光显示设备及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种有机电致发光显示设备及其制造方法，其可防止焊盘部分的损坏以提高产量。该有机电致发光显示设备包括：形成在下基板的正面上的薄膜晶体管阵列单元和从所述薄膜晶体管阵列单元延伸出的焊盘部分；有机电致发光阵列单元，其位于所述薄膜晶体管阵列单元上，并具有有机电致发光单元的矩阵；以及保护元件，其用于保护所述有机电致发光阵列单元和所述薄膜晶体管阵列单元，并将所述焊盘部分暴露在外面，其中所述下基板的与所述焊盘部分交叠的第一区域的厚度比与所述薄膜晶体管阵列单元交叠的第二区域的厚度更厚。

Description

有机电致发光显示设备及其制造方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光显示设备及其制造方法，更具体地，涉及可防止焊盘部分的损坏从而提高产量的有机电致发光显示设备及其制造方法。
背景技术
本申请要求2009年5月29日提交的韩国专利申请No.10-2009-0047342的优先权，此处以引证的方式并入其内容，就像在此进行了完整阐述一样。
近来，各种平板显示设备正在向减少重量和体积的方向发展，这也正是阴极射线管的缺点。在平板显示设备中，有液晶显示设备LCD，场致发射显示设备FED，等离子显示面板PDP，通过采用有机电致发光显示设备(有机EL显示设备)的电致发光显示设备等等。正在积极进行用于提高显示质量和制造大尺寸屏幕的研究。
在平板显示设备中，有机EL显示设备，作为一种自发发射设备(spontaneous emission device)，具有快响应速度、高发光效率和亮度、和广视角的优点。有机EL显示设备具有在透明基板上形成的薄膜晶体管阵列单元、位于薄膜晶体管阵列单元上的有机EL阵列单元、以及用于将有机阵列单元与外部环境隔离开的玻璃盖。
薄膜晶体管阵列单元具有选通线、数据线、和用于驱动有机EL单元的驱动部，例如单元驱动部。
有机EL阵列单元具有有机EL单元的矩阵，该有机EL单元连接到薄膜晶体管阵列单元中的驱动薄膜晶体管。
有机EL阵列单元中的有机EL单元由于湿气和氧气而易受劣化的影响。为了解决这些问题，执行封装步骤以保护有机EL阵列单元免受外力、以及空气中的氧气和湿气的影响。
同时，近来，为了使有机EL显示设备制造得薄或纤巧，以减小有机EL显示设备的体积，将蚀刻剂喷涂到其上形成有薄膜晶体管阵列单元的下基板上，从而减小其厚度。在这种情况下，即使利用蚀刻剂减小下基板的厚度能使有机EL显示设备制造得薄或纤巧，但是也会产生与薄膜晶体管阵列单元连接的焊盘部分的周边(neighborhood)被破坏的问题。
更详细地说，如果利用蚀刻液来减小下基板的厚度，虽然整个下基板的厚度变薄，但是，随着厚度变薄，与焊盘部分交叠的下基板会在玻上芯片步骤、FPC(柔性印刷电路)步骤、或模块化步骤中破裂。
发明内容
因此，本发明涉及有机电致发光显示设备及其制造方法。
本发明的目的是提供一种有机电致发光显示设备及其制造方法，其可防止焊盘部分的损坏以提高产量。
本公开的附加优点、目的和特征将在下面的描述中部分描述且将对于本领域普通技术人员在研究下文后变得明显，或可以通过本发明的实践来了解。通过书面的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本发明的目的和其它优点。
为了实现这些和其它优点，按照本发明的目的，作为具体和广义的描述，一种有机电致发光显示设备包括：形成在下基板的正面上的薄膜晶体管阵列单元和从所述薄膜晶体管阵列单元延伸出的焊盘部分；有机电致发光阵列单元，其位于所述薄膜晶体管阵列单元上，并具有有机电致发光单元的矩阵；以及保护元件，其用于保护所述有机电致发光阵列单元和所述薄膜晶体管阵列单元，并将所述焊盘部分暴露在外面，其中所述下基板的与所述焊盘部分交叠的第一区域的厚度比与所述薄膜晶体管阵列单元交叠的第二区域的厚度更厚。
所述下基板的第一区域是从所述下基板的背面突出的区域。
该有机电致发光显示设备还包括偏振板，该偏振板附接在所述下基板的背面并位于除了突出区域之外的区域中。
所述保护元件是用透明粘性膜粘附于所述下基板的金属片。
所述保护元件是用密封剂粘结到所述下基板的玻璃盖。
在本发明的另一方面，一种制造有机电致发光显示设备的方法包括以下步骤：在下基板的正面上形成薄膜晶体管阵列单元，并且形成从所述薄膜晶体管阵列单元延伸出的焊盘部分；在所述薄膜晶体管阵列单元上形成有机电致发光阵列单元；执行用于保护所述有机电致发光阵列单元和所述薄膜晶体管阵列单元的封装并将所述焊盘部分暴露在外面；以及蚀刻所述下基板，使得与所述焊盘部分交叠的第一区域具有比与所述薄膜晶体管阵列单元交叠的第二区域更厚的厚度。
蚀刻所述下基板的步骤包括以下步骤：在位于所述下基板的背面、隔着所述下基板与所述焊盘部分交叠的区域中形成蚀刻防止部；向所述下基板喷涂蚀刻剂，以部分地去除所述下基板的未与所述蚀刻防止部交叠的下侧；去除所述蚀刻防止部；以及在部分去除后的下基板的整个背面上对所述下基板进行蚀刻。
形成所述蚀刻防止部的步骤包括以下步骤：在所述下基板的背面上涂敷耐酸剂；烘干由此涂敷的耐酸剂；以及蚀刻由此烘干的耐酸剂，以形成所述蚀刻防止部。
所述蚀刻防止部是通过层叠而形成的耐酸膜。
该方法还包括在所述下基板的背面的与所述薄膜晶体管阵列单元交叠的区域上形成偏振板的步骤。
应当理解，本发明的上述一般描述和下述详细描述是示例性和说明性的，且旨在提供所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
附图被包括在本申请中以提供对本公开的进一步理解，并粘结到本申请中且构成本申请的一部分，附图示出了本公开的实施方式，且与说明书一起用于解释本公开的原理。附图中：
图1示出了根据本发明的优选实施方式的有机EL显示设备的截面图。
图2仅详细示出了图1中的薄膜晶体管阵列单元和有机EL阵列单元的截面图。
图3示出了图2中的薄膜晶体管阵列单元中的一个像素的电路图。
图4A至4E示出了图1中的有机EL显示设备的制造方法的步骤的截面图。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的具体实施方式，在附图中例示出了其示例。在可能的情况下，相同的标号在整个附图中代表相同或类似部件。
图1示出了根据本发明优选实施方式的有机EL显示设备的截面图，图2仅详细示出了图1中的薄膜晶体管阵列单元15和有机EL阵列单元20的截面图，并且图3示出了图2中的薄膜晶体管阵列单元中的一个像素P的电路图。
参见图1和2，有机EL显示设备包括形成在下基板2的正面上的薄膜晶体管阵列单元15，从薄膜晶体管阵列单元15延伸并暴露在外面的焊盘部分A，位于薄膜晶体管阵列单元15上的有机EL阵列单元20，和用于将有机EL阵列单元20与外部环境隔离开的保护元件50。
薄膜晶体管阵列单元15具有如图3所示的电路。参见图3，薄膜晶体管阵列单元15具有形成在由选通线GL和数据线DL交叉限定的每个区域的像素P的矩阵。当选通脉冲提供到选通线GL时，像素P在从数据线DL接收到数据信号之后发出与数据信号相对应的光。
为此，像素P包括有机EL单元EL和单元驱动部60，其中该有机EL单元EL具有连接到基础电压源GND的阴极，该单元驱动部60连接到选通线GL、数据线DL、供电电压源VDD、和有机EL单元EL的阳极，以用于驱动有机EL单元EL。单元驱动部60包括开关薄膜晶体管T1、驱动薄膜晶体管T2、和电容器C。
当扫描脉冲提供到选通线GL时，开关薄膜晶体管T1导通以将数据信号从数据线DL提供到第一节点N1。由此提供到第一节点N1的数据信号充入到电容器C中并被提供到驱动薄膜晶体管T2的栅极端。驱动薄膜晶体管T2响应于提供到栅极端的数据信号来控制从供电电压源VDD提供到有机EL单元EL的电流I的强度，以控制有机EL单元EL的发光量。即使开关薄膜晶体管T1截止，由于数据信号从电容器C释放，驱动薄膜晶体管T2也能通过从供电电压源VDD将电流I提供给有机EL单元EL直到提供下一帧的数据信号，来维持有机EL单元EL的发光。
在从薄膜晶体管阵列单元15延伸的焊盘部分A处，有从选通线延伸出来的栅焊盘和从数据线延伸出来的数据焊盘。栅焊盘和数据焊盘通过膜上芯片COF、带式自动接合TAB连接到驱动集成电路D-IC上，或者驱动集成电路D-IC通过玻上芯片COG直接安装到焊盘部分A。为此，焊盘部分A没有被保护元件50覆盖，而是暴露在外面。
有机EL阵列单元20具有有机EL单元EL的矩阵以及阳极4和阴极12，其中各个有机EL单元EL具有有机EL层10，该有机EL层10夹在阳极4和阴极12之间。由薄膜晶体管阵列单元15驱动的有机EL单元EL向保护元件50或下基板2发光。在通过向保护元件50的方向发光而生成图像的上侧发光有机EL显示设备的情况下，反射板可设置在有机EL单元EL和薄膜晶体管阵列单元15之间。
金属片用作保护元件50。金属片利用透明粘性膜26而粘附到下基板2、有机EL阵列单元20等等上。同时，玻璃盖可用作保护元件50。如果采用玻璃盖，则玻璃盖利用密封剂而粘结到下基板2上。
下基板2具有与焊盘部分A交叠的第一区域G1和不与焊盘部分A交叠的第二区域G2。第二区域G2是与薄膜晶体管阵列单元15和有机EL阵列单元20交叠的区域。第一区域G1具有从其上形成有焊盘部分A的下基板2的正面的相反面(即背面)突出的结构。由此，下基板2的第一区域G1具有比第二区域G2更厚的厚度。也可以表示为第二区域G2具有比第一区域G1更薄的厚度。
由于喷涂蚀刻剂以部分地去除下基板2的第二区域G2，所以第一区域G1比第二区域G2厚，并且再次蚀刻下基板2的背面以将其整体去除。下基板2的厚度整体变薄，以使得有机EL显示设备更薄且更纤巧。在焊盘部分A通过COF、TAB、或COG连接到驱动集成电路的情况下，第一区域G1变得比第二区域G2更厚，使得下基板2与焊盘部分A交叠以具有足够的硬度。
就是说，如果第一区域G1被蚀刻为与第二区域G2相同的高度，则焊盘部分A所在的下基板2很可能在将焊盘部分A连接到驱动集成电路的步骤中断裂。为了通过在焊盘部分A所在的区域加强下基板2的硬度来防止这种情况发生，将第一区域G1制造为具有比第二区域G2更厚的厚度。通过将偏振板55附接在下基板2的具有较薄厚度的第二区域G2上，改进了将有机EL显示设备制造得使整个有机EL显示设备薄和纤巧的方法，防止了焊盘部分A的损坏，从而提高了产量。
下面参见图4A到4E描述根据本发明的优选实施方式的有机EL显示设备的制造方法。
在下基板2上形成薄膜晶体管阵列单元15和从薄膜晶体管阵列单元15延伸出的焊盘部分A。薄膜晶体管阵列单元15包括选通线GL和数据线DL，开关薄膜晶体管T1，驱动晶体管T2，电容器C等等。随后，在薄膜晶体管阵列单元15上形成有机EL阵列单元20。
随后，利用透明粘性膜26将保护元件50粘结到下基板2和有机EL阵列单元20，以保护有机EL阵列单元20免受外部环境的影响。焊盘部分A，不受保护元件50保护，而是暴露在外面。
同时，采用金属片作为保护元件50，利用透明粘性膜26将其粘附到下基板2和有机EL阵列单元20。同时，玻璃盖可用作保护元件50。在采用玻璃盖的情况下，利用密封剂将玻璃盖粘结到下基板2。
随后，参见图4A，将下基板2放置为其背面S朝上，使得薄膜晶体管阵列单元15和有机EL阵列单元20朝下。
参见图4B，通过平网印刷(screen printing)或丝网印刷将耐酸剂(acidresistant paste)涂敷在下基板的背面S，并对其进行烘干和蚀刻以在与焊盘部分A交叠的区域形成蚀刻防止部62。
参见图4C，利用蚀刻剂喷涂器70将蚀刻剂72喷涂在下基板2上。在这种情况下，在将下基板2垂直地立起使得焊盘部分A位于下侧的状态下，从上侧向下将蚀刻剂喷涂到下基板2。在这种情况下，除了下基板2之外的部分由附加的装置和/或膜来覆盖，使得蚀刻剂72从上侧到下侧移动以仅蚀刻下基板20。
由此，与焊盘部分A交叠的区域，即，下基板2的设置有蚀刻防止部62的区域不被蚀刻，仅部分地蚀刻下基板2的未设置有蚀刻保护部62的区域。更详细地，部分地蚀刻下基板2的下侧。例如，如果下基板2具有0.5mm的厚度，则从未设置有蚀刻防止部62的区域去除的厚度在0.1mm的范围内。
据此，参见图4D，在下基板2中，与焊盘部分A交叠的第一区域G1具有比不与焊盘部分A交叠的第二区域G2更厚的厚度。随后，利用苛性钠(或氢氧化钠)来去除蚀刻防止部62。
同时，虽然参见图4B描述了利用膏剂来形成蚀刻防止部62的技术，但该技术不限于此，也可利用层叠法来形成耐酸膜。
利用附加的蚀刻步骤来在具有第一和第二区域G1和G2的整个背面S对下基板2进行蚀刻。结果，如图4E所示，虽然保留了第一和第二区域G1和G2，但是减小了下基板2的整体厚度。例如，如果下基板2的厚度为0.5mm，通过控制蚀刻速度，第一区域G1被形成为具有大约为0.2mm的厚度，第二区域G2被形成具有大约为0.1mm的厚度。
之后，通过将偏振板50附接在比第一区域G1更薄的第二区域G2，来完成如图1所示的有机EL显示设备。
如已描述的，本发明的有机电致发光显示设备及其制造方法具有下述优点。
在下基板2中，焊盘部分所位于的第一区域G1被形成得比没有焊盘部分的第二区域G2更厚。而且，偏振板55附接在下基板2的厚度较薄的第二区域G2上。由此，改进了将有机EL显示设备制造得更薄和更纤巧的方法，并防止了在COG和模块化中的焊盘部分A的损坏，从而提高了产量。
对于本领域技术人员而言很明显，在不偏离本发明的精神或范围的条件下，可以在本发明中做出各种修改和变型。因而，本发明旨在涵盖落入所附权利要求及其等同物的范围内的本发明的修改和变型。

Claims (10)

1.一种有机电致发光显示设备，该有机电致发光显示设备包括：
形成在下基板的正面上的薄膜晶体管阵列单元和从所述薄膜晶体管阵列单元延伸出的焊盘部分；
有机电致发光阵列单元，其位于所述薄膜晶体管阵列单元上，并具有有机电致发光单元的矩阵；以及
保护元件，其用于保护所述有机电致发光阵列单元和所述薄膜晶体管阵列单元，并将所述焊盘部分暴露在外面，
其中所述下基板的与所述焊盘部分交叠的第一区域的厚度比与所述薄膜晶体管阵列单元交叠的第二区域的厚度更厚。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光显示设备，其中所述下基板的第一区域是从所述下基板的背面突出的区域。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光显示设备，该有机电致发光显示设备还包括偏振板，该偏振板附接在所述下基板的背面并位于除了突出区域之外的区域中。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光显示设备，其中所述保护元件是用透明粘性膜粘附于所述下基板的金属片。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光显示设备，其中所述保护元件是用密封剂粘结到所述下基板的玻璃盖。
6.一种制造有机电致发光显示设备的方法，该方法包括以下步骤：
在下基板的正面上形成薄膜晶体管阵列单元，并且形成从所述薄膜晶体管阵列单元延伸出的焊盘部分；
在所述薄膜晶体管阵列单元上形成有机电致发光阵列单元；
执行用于保护所述有机电致发光阵列单元和所述薄膜晶体管阵列单元的封装并将所述焊盘部分暴露在外面；以及
蚀刻所述下基板，使得与所述焊盘部分交叠的第一区域具有比与所述薄膜晶体管阵列单元交叠的第二区域更厚的厚度。
7.根据权利要求6所述的方法，其中蚀刻所述下基板的步骤包括以下步骤：
在位于所述下基板的背面、隔着所述下基板与所述焊盘部分交叠的区域中形成蚀刻防止部；
向所述下基板喷涂蚀刻剂，以部分地去除所述下基板的未与所述蚀刻防止部交叠的下侧；
去除所述蚀刻防止部；以及
在部分去除后的下基板的整个背面上对所述下基板进行蚀刻。
8.根据权利要求6所述的方法，其中形成所述蚀刻防止部的步骤包括以下步骤：
在所述下基板的背面上涂敷耐酸剂；
烘干由此涂敷的耐酸剂；以及
蚀刻由此烘干的耐酸剂，以形成所述蚀刻防止部。
9.根据权利要求7所述的方法，其中所述蚀刻防止部是通过层叠而形成的耐酸膜。
10.根据权利要求6所述的方法，该方法还包括在所述下基板的背面的与所述薄膜晶体管阵列单元交叠的区域上形成偏振板的步骤。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103325337A (zh) * 2012-03-22 2013-09-25 乐金显示有限公司 平板显示装置及其制造方法
CN103370985A (zh) * 2011-02-21 2013-10-23 松下电器产业株式会社 有机电致发光器件
CN106887529A (zh) * 2015-12-15 2017-06-23 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN106918859A (zh) * 2015-11-30 2017-07-04 乐金显示有限公司 偏振膜及具有偏振膜的显示装置
CN109727536A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 乐金显示有限公司 显示设备
CN110164319A (zh) * 2018-02-13 2019-08-23 群创光电股份有限公司 可弯折显示器

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101341908B1 (ko) * 2009-05-29 2013-12-13 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP5630203B2 (ja) * 2010-10-21 2014-11-26 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、および電子機器。
KR102022393B1 (ko) 2012-12-13 2019-09-19 삼성디스플레이 주식회사 표시패널용 모 패널 및 이를 이용한 표시패널의 제조방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6433841B1 (en) * 1997-12-19 2002-08-13 Seiko Epson Corporation Electro-optical apparatus having faces holding electro-optical material in between flattened by using concave recess, manufacturing method thereof, and electronic device using same
JP2001035653A (ja) 1999-07-21 2001-02-09 Nec Corp 有機ｅｌパネルとそのフィルタ
JP2003332041A (ja) 2002-05-15 2003-11-21 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
KR100583252B1 (ko) * 2003-12-29 2006-05-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR20080035905A (ko) * 2006-10-20 2008-04-24 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101341908B1 (ko) * 2009-05-29 2013-12-13 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103370985A (zh) * 2011-02-21 2013-10-23 松下电器产业株式会社 有机电致发光器件
CN103370985B (zh) * 2011-02-21 2016-09-28 松下知识产权经营株式会社 有机电致发光器件
CN103325337A (zh) * 2012-03-22 2013-09-25 乐金显示有限公司 平板显示装置及其制造方法
CN103325337B (zh) * 2012-03-22 2016-03-23 乐金显示有限公司 平板显示装置及其制造方法
US9362467B2 (en) 2012-03-22 2016-06-07 Lg Display Co., Ltd. Flat panel display device and method of fabricating the same
CN106918859A (zh) * 2015-11-30 2017-07-04 乐金显示有限公司 偏振膜及具有偏振膜的显示装置
CN106887529A (zh) * 2015-12-15 2017-06-23 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
US10069101B2 (en) 2015-12-15 2018-09-04 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US10256431B2 (en) 2015-12-15 2019-04-09 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US10431769B2 (en) 2015-12-15 2019-10-01 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
CN109727536A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 乐金显示有限公司 显示设备
US11910644B2 (en) 2017-10-31 2024-02-20 Lg Display Co., Ltd. Display apparatus having zero bezel by bending bezel area
CN110164319A (zh) * 2018-02-13 2019-08-23 群创光电股份有限公司 可弯折显示器
CN110164319B (zh) * 2018-02-13 2021-10-08 群创光电股份有限公司 可弯折显示器

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