CN104641297A

CN104641297A - 平台系统以及包括该平台系统的光刻设备

Info

Publication number: CN104641297A
Application number: CN201380048294.9A
Authority: CN
Inventors: R·A·C·M·比伦斯; R·J·T·鲁滕; J·S·C·韦斯特拉肯; K·J·J·M·扎尔; R·H·A·范莱肖特; E·A·F·范德帕施
Original assignee: ASML Netherlands BV
Current assignee: ASML Netherlands BV
Priority date: 2012-09-18
Filing date: 2013-08-19
Publication date: 2015-05-20
Anticipated expiration: 2033-08-19
Also published as: NL2011322A; CN104641297B; TWI514091B; KR20150056638A; JP2015531879A; TW201416803A; JP6132917B2; US20150227060A1; WO2014044477A1; US9785060B2

Abstract

一种平台系统，包括：可移动平台；以及用于测量平台的位置的编码器，其中编码器包括用于发射编码器束的发射器、用于与编码器束相互作用的光栅、以及用于检测已经与光栅相互作用的编码器束的检测器，编码器束在使用中沿着光路径传播；净化帽体，至少部分地包围光学路径；以及净化介质供应装置，用于将净化介质供应到净化帽体中。

Description

平台系统以及包括该平台系统的光刻设备

相关申请的交叉引用

本申请要求享有2012年9月18日提交的美国临时申请61/702,634的优先权，并且将其通过整体引用并入本文。

技术领域

本发明涉及平台系统以及包括该平台系统的光刻设备。

背景技术

光刻设备是将所需图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备例如可以用在集成电路(IC)的制造中。在该情形下，备选地称作掩模或掩模版的图案形成装置可以用于产生将要形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以转移至衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或数个裸片的一部分)上。图案的转移通常是经由向辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上成像而被提供在衬底上。通常，单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。常规的光刻设备包括其中通过一次将整个图案曝光至目标部分上而照射每个目标部分的、所谓的步进机，以及其中通过沿给定方向(“扫描”方向)通过辐射束扫描图案、同时与该方向平行或反平行同步扫描衬底而照射每个目标部分的、所谓的扫描机。也可以通过将图案压印至衬底上而将图案从图案形成装置转移至衬底。

光刻设备的可移动平台(诸如被构造用于保持衬底的衬底台)的位置通过位置传感器进行测量。基于编码器的位置传感器通常用于位置测量。例如，静止光栅被连接至光刻设备的参考结构，而多个编码器头被连接至衬底台。每个编码器头被布置用于与静止光栅协作以测量位置量(在一个或多个尺度上)，从而允许确定衬底台相对于静止光栅的位置。在这种编码器类型的位置传感器中，编码器束沿着光路径传播，该光路径部分通过介质(诸如空气、合成空气或者另一气体或气体混合物)传播。从编码器类型的位置传感器获得的位置测量因此可以展现出对于这种介质的传播特性(例如折射率)的依赖性，从而使得编码器类型的位置测量依赖于诸如温度、湿度等之类的因素。已经提出了通过净化气体对光刻设备的净化。然而，由于诸如压力波动、热波动、湿度波动等之类的因素，仍然可能得到太大的不精确性。

发明内容

希望提供一种平台系统以及包括这种平台系统的光刻设备，该平台系统具有高平台位置测量精确度。

根据本发明的一个实施例，提供了一种平台系统，包括：

可移动平台，以及

编码器类型的位置测量系统，用于测量平台的位置，其中编码器类型的位置测量系统包括用于发射编码器束的发射器、用于与编码器束相互作用的光栅、以及用于检测与光栅相互作用之后的编码器束的检测器，编码器束在操作中沿着光路径传播，

其中平台系统还包括

净化帽体，包围净化区域，该净化区域至少部分地包括光路径；以及

净化介质供应装置，用于将净化介质供应到净化区域中。

在本发明的另一个实施例中，提供了一种光刻设备，被布置用于将图案从图案形成装置转移到衬底上，该光刻设备包括根据本发明的一个实施例的可移动平台。

附图说明

现在将参照其中对应的附标记表示对应的部件的示意性附图、仅借由示例的方式描述本发明的实施例，并且其中：

图1描绘了根据本发明的一个实施例的光刻设备；

图2描绘了根据本发明的一个实施例的平台系统的编码器类型的位置测量系统的示意性侧视图；

图3描绘了根据本发明的另一实施例的平台系统的编码器类型的位置测量系统的示意性侧视图；以及

图4描绘了根据本发明的又一实施例的平台系统的编码器类型的位置测量系统的示意性侧视图。

贯穿附图，相同或相似的附图标记指代相同或相似的部分。

具体实施方式

图1示意性地描绘了根据本发明的一个实施例的光刻设备。该设备包括：照射系统(照射器)IL，被配置为调节辐射光束B(例如，UV辐射或者任何其它合适的辐射)；支撑结构或者图案形成装置支撑件(如，掩模台)MT，被构造为支撑图案形成装置(如，掩模)MA并且连接至第一定位装置PM，该定位装置被配置为以根据特定参数精确地定位图案形成装置。该设备还包括衬底台(如，晶片台)WT或“衬底支撑件”，被构造为保持衬底(例如涂有抗蚀剂的晶片)W并连接第二定位装置PW，该定位装置被配置为根据特定参数精确定位衬底。该设备还包括投射系统(如，折射投射透镜系统)PS，被配置为将由图案形成装置MA施加至辐射光束B的图案投射至衬底W的目标部分C上(例如，包括一个或多个裸片)。

照射系统可以包括用于引导、成形或控制辐射的各种类型的光学部件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电或其它类型的光学部件，或者其任意组合。

支撑结构支撑图案形成装置，也即承载了其重量。其以取决于图案形成装置的朝向、光刻设备的设计、以及其它条件的方式来保持图案形成装置，其它条件诸如例如图案形成装置是否被保持在真空环境中。支撑结构可以使用机械、真空、静电或其它夹持技术来保持图案形成装置。支撑结构可以是框架或台，例如其根据需要可以是固定或者可移动的。支撑结构可以确保图案形成装置例如相对于投射系统处于所需位置处。在本文中术语“掩模版”或“掩模”的任何使用可以视作与更通用术语“图案形成装置”含义相同。

在本文中使用的术语“图案形成装置”应该广义地解释为涉及可以用于在辐射束的截面中对辐射束施加图案以便于在衬底的目标部分中形成图案的任何装置。应该注意的是施加至辐射束的图案可以不精确地对应于衬底的目标部分中所需的图案，例如如果图案包括相移特征或者所谓的辅助特征。通常，施加至辐射束的图案将对应于在目标部分中正在形成的器件中的特定功能层，诸如集成电路。

图案形成装置可以是透射或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程镜面阵列、以及可编程LCD面板。掩模在光刻中是众所周知的，并且包括诸如二元、交替相移、和衰减相移之类的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程镜面阵列的示例采用了小镜面的矩阵布置，每个小镜面可以单独地倾斜以便于沿不同方向反射入射的辐射束。倾斜的镜面在由镜面矩阵反射的辐射束中施加了图案。

在本文中使用的术语“投射系统”应该广义地解释为涵盖任何类型投射系统，包括折射、反射、反折射、磁性、电磁和静电光学系统，或其任意组合，如适合于正在使用的曝光辐射，或者适合于诸如使用沉浸液体或使用真空的其它因素。在本文中对术语“投射透镜”的任何使用可以视作与更通用术语“投射系统”含义相同。

如在此所述，设备是透射型(例如采用投射掩模)。备选地，设备可以是反射型(例如采用如上所述类型的可编程镜面阵列，或者采用反射掩模)。

光刻设备可以是具有两个(双平台)或多个衬底台(和/或两个或更多掩模台或“掩模支撑件”)的类型。在该“多平台”机器中，附加的台或支撑件可以并行使用，或者可以对一个或多个台或支撑件执行预备步骤，而使用一个或多个其它台或支撑件以用于曝光。

光刻设备也可以是其中由具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖衬底的至少一部分的类型，以便于填充投射系统与衬底之间的空间。沉浸液体也可以施加至光刻设备中的其它空间，例如图案形成装置(例如掩模)与投射系统之间。沉浸技术可以用于增大投射系统的数值孔径。在本文中使用的术语“沉浸”并非意味着诸如衬底的结构必须浸入液体中，而是仅意味着在曝光期间液体位于投射系统与衬底之间。

参照图1，照射器IL从辐射源SO接收辐射束。源和光刻设备可以是单独实体，例如当源是受激准分子激光器时。在这些情形中，源并未视作形成了光刻设备的一部分，并且辐射束借助于包括例如合适的引导镜面和/或扩束器的束输送系统BD而从源SO传递至照射器IL。在其它情形中，源可以是光刻设备的整体部分，例如当源是水银灯时。源SO和照射器IL与束输送系统BD(如果需要的话)一起可以称作辐射系统。

照射器IL可以包括被配置用于调整辐射束的角强度分布的调节器AD。通常，可以调整在照射器的光瞳面中的强度分布的至少外径向范围和/或内径向范围(通常分别称作σ-外和σ-内)。此外，照射器IL可以包括各种其它部件，诸如积分器IN和冷凝器CO。照射器可以用于调节辐射束，以在辐射束的截面中具有所需的均匀性和强度分布。

辐射束B入射在被保持于支撑结构(例如掩模台)MT上的图案形成装置(例如掩模)MA上，并且由图案形成装置进行图案化。在已经遍历图案形成装置(例如掩模)MA之后，辐射束B通过将束聚焦至衬底W的目标部分C上的投射系统PS。借助于第二定位装置PW和位置传感器IF(例如干涉仪装置，线性编码器或电容传感器)，衬底台WT可以精确地移动，例如以便于在辐射束B的路径中定位不同目标部分C。类似地，第一定位装置PM和另一位置传感器(图1中并未明确示出)可以用于例如在从图案形成装置库机械检索之后或者在扫描期间相对于辐射束B的路径而精确地定位图案形成装置(例如掩模)MA。通常，可以借助于形成第一定位装置PM的一部分的长冲程模块(粗略定位)和短冲程模块(精细定位)而实现支撑结构(例如掩模台)MT的移动。类似地，可以使用形成第二定位器PW的一部分的长冲程模块和短冲程模块实现衬底台WT或“衬底支撑件”的移动。在步进机的情形中(如与扫描机相反)，支撑结构(例如掩模台)MT可以仅连接至短冲程致动器，或者可以固定。图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W可以使用图案形成装置对准标记M1、M2以及衬底对准标记P1、P2而对准。尽管如所示的衬底对准标记占据了专用的目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间中(这些作为划片线对准标记是已知的)。类似地，在其中多于一个裸片设置在图案形成装置(例如掩模)MA上的情形中，图案形成装置对准标记可以位于裸片之间。

可以在以下模式的至少一个中使用所描绘的设备：

1、在步进模式中，支撑结构(例如掩模台)MT或“掩模支撑件”和衬底台WT或“衬底支撑件”保持基本上静止，此时施加至辐射束的整个图案一次性投射至目标部分C上(也即单次静态曝光)。衬底台WT或“衬底支撑件”随后沿X和/或Y方向偏移以使得可以曝光不同的目标部分C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了单次静态曝光中成像的目标部分C的尺寸。

2、在扫描模式中，支撑结构(例如掩模台)MT或“掩模支撑件”和衬底台WT或“衬底支撑件”同步被扫描，此时施加至辐射束的图案投射至目标部分C上(也即单次动态曝光)。衬底台WT或“衬底支撑件”相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速率和方向可以由投射系统PS的(缩小)放大率和成像翻转特性而确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次动态曝光中目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而扫描动作的长度确定了目标部分的高度(沿扫描方向)。

3、在另一模式下，支撑结构(例如掩模台)MT或“掩模支撑件”保持基本上静止，从而保持可编程图案形成装置，并且衬底台WT或“衬底支撑件”被移动或被扫描，此时施加至辐射束的图案投射至目标衬底C上。在该模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在衬底台WT或“衬底支撑件”的每一次移动之后或者在扫描期间的相继辐射脉冲之间根据需要更新可编程图案形成装置。该操作模式可以容易地应用于无掩模光刻，其利用了诸如如上所述类型的可编程镜面阵列之类的可编程图案形成装置。

也可以采用对如上所述的使用模式的组合和/或改变或者完全不同的使用模式。

图2描绘了编码器类型的位置测量系统的一部分的示意性侧视图。注意，在该文档中，编码器类型的位置测量系统也可以被称作编码器。编码器类型的位置测量系统包括源SRC，源SRC被布置用于产生光束(在该文档中，也被称作编码器束)。源例如可以是激光，例如发射单色激光束。在此所描绘的编码器的实施例中，编码器束由两个光栅(即第一光栅GR1和第二光栅GR2)衍射。其它配置也是可能的并且例如在NL2006220和US2011/0304839A1中进行了描述。在如图2中所描绘的编码器配置中，编码器束由第二光栅GR2衍射，第一阶和负第一阶衍射束朝向第一光栅传播。在第一光栅GR1处，这些束被衍射，从而提供再次朝向第二光栅传播的零(0)ORD、第一阶(+1)ORD、以及负第一阶(-1)ORD衍射束。从第二光栅，该束沿着相似的路径返回，从而提供所产生的束以到达编码器类型的位置测量系统的检测器DET。在所描绘的实施例中，第一光栅被连接至可移动平台。因此，随着可移动平台相对于第一光栅移动，观察到由检测器接收的束的改变。该检测器可以是任何合适的类型的光检测器，诸如光电二极管。通过衍射，编码器束可以分成多个束，该多个束一起形成沿着光路径传播的编码器束。

根据本发明的一个方面，提供了净化帽体PC，其包围净化区域，该净化区域至少部分地包括光路径。净化介质供应装置(在所描绘的实施例中包括净化气体供应管道GI)供应净化介质(诸如净化气体)至净化区域中。因此，可以获得介质沿着光路径的更恒定的传播行为，这可以导致更精确的编码器位置感测。

注意，尽管图2中的实施例包括两个光栅，但是其它配置(例如省略第二光栅)也是可能的。此外，注意，替代将第一光栅连接至(静止)参考结构、以及将源、检测器和第二光栅连接至可移动平台，这一配置也可以颠倒，即将第一光栅连接至可移动平台、以及将源、检测器和第二光栅连接至(静止)参考结构。光学领域的技术人员可以理解在除了基于编码器的位置感测之外的应用中由所述净化帽体创建的微环境；例如，与非平台相关的编码器系统或经受危害目标端部效应(end-effect)的环境干扰的任何其它光传播束。

净化介质可以包括净化气体，诸如空气、合成空气或者另一气体或气体混合物。备选地，净化介质可以包括真空或部分真空。

在一个实施例中，如图2所示，净化帽体包括侧壁SW和盖部CV，盖部可以基本上平行于第一光栅延伸。因此，可以获得传播束对于来自环境气体的效应(热、压力、湿度、气流)的高屏蔽性。备选地，净化帽体仅包括侧壁并且在其顶侧开口，从而允许例如容易的撤回或高度调节，而不存在净化帽体与编码器束干涉的风险。

盖部可以包括开口以允许编码器束通过，因此避免了编码器束与净化帽体之间的相互作用。盖部(即在开口以外的盖部的部分)可以用作若干目的。在一方面，在净化气体入口处进入净化区域的净化气体将经由在净化帽体的盖部与第一光栅之间的间隙从净化帽体排放。帽体的盖部(尤其是在平行于第一光栅延伸时)将与第一光栅一起形成平行于第一光栅延伸的排放通道，并且提供气动阻力，以便减少净化气体的排放，因此允许降低净化气体的供应速率(由此减小由于净化气体流和/或净化气体压力在可移动平台上引起的可能的力)。另一方面，净化帽体的盖部可以在一定程度上防止来自净化帽体外的气体经由开口进入净化帽体，因此有可能减小净化区域中的湿度、温度、压力或其它变化的风险。在所描绘的实施例中，开口位于盖部的中心处，以便朝向所有方向提供基本上相同的气动阻力，从而导致净化气体流提供基本上对称的力分布至净化帽体和/或光栅上，由此减小其潜在的干扰效应。更进一步，在所描绘的编码器配置中，形成编码器束的衍射束在靠近第一光栅处相互更加紧密，而它们在靠近第二光栅处相互更加远离，使得沿着编码器束的光路径的非均匀性在衍射束彼此更远离的地方具有更多影响。由于开口并且因此均匀性中的可能干扰位于束更加紧密处，所以其效应可以更小。

在如图2所示的实施例中，净化介质供应装置的净化气体供应管道GI在净化区域的底侧排放，换而言之，在净化区域的与排放开口相对的一侧。在图3中示意性地描绘了另一实施例。在该实施例中，净化气体供应管道GI沿着净化帽体的侧壁朝向侧壁的顶部延伸。因此，可以假设净化区域的其中衍射束彼此更加远离(因此引起针对非均匀性的位置确定的更高局部灵敏度)的部分被保持尽可能地平稳，因为净化气体流大部分被朝向其中编码器束更加紧密的非关键区域被引导。如图3所示，净化气体供应管道可以沿着盖部朝向开口延伸并且排放到开口中，因此很大程度上避免了在更灵敏的区域处的净化气体流，因此保持了这一灵敏区域平稳和稳定。图4描绘了与图3中所描绘的类似的实施例，其中净化气体供应管道排气到净化帽体与第一光栅之间的间隙中，以便有效地屏蔽净化区域与外部影响。

注意，在备选实施例中(未描绘)，净化帽体可以包括可调开口；例如，形成开口的隔膜。与沿高度可移动的帽体相结合，隔膜例如可以在降低时被开口更宽，以便考虑衍射束的会聚/发散几何结构，因此一方面避免与束的干扰，而另一方面避免不必要的大开口。

在另一实施例中，净化帽体的开口是沟槽或十字形状，以便一方面保持净化帽体中的开口的总有效尺寸尽可能小，而另一方面允许衍射束通过开口的有沟槽的开口部分。备选形状可以包括圆形或椭圆形开口。

总体而言，保持净化帽体的开口小将允许减小净化气体供应速率，因此减小由于净化气体流而在可移动平台上引起的可能的力，并且同时减小了经由开口干扰净化区域的风险。

在另一实施例中，净化帽体包括透明盖部，以便允许编码器束通过盖部，从而允许进一步减小净化气体供应速率。

净化帽体可以基本上闭合，以便基本上闭合净化区域，因此在很大程度上防止净化帽体外部的干扰影响介质沿着光路径的传播特性。此外，基本闭合的净化帽体使得能够在其中应用部分真空的真空，从而提供了沿着光路径的限定的传播特性。

净化帽体的盖部也可以沿着第一光栅远离净化区域延伸。因此，可以防止盖部与干涉仪束的干涉，而同时提供屏蔽的形式以保持干扰效应远离净化区域、和/或从净化区域提供气动阻力至净化气体的排放流。具体而言，当净化帽体是可移动的时(例如在朝向或背离第一光栅的方向上在运动范围之上可移动)，这一盖部形式可以允许相对较大的运动范围，而盖部不与编码器束干扰。

在一个实施例中，净化帽体是可缩回的，以便允许净化帽体例如在所讨论的编码器通过投射透镜时被缩回，因此避免了净化帽体可能损坏光刻设备的投射透镜。可以提供合适的致动器以使帽体缩回。在一个实施例中，由净化介质供应装置提供致动器，例如可以通过来自净化介质供应装置的大的气体流来提升致动器帽体，并且在减小来自净化介质供应装置的净化气体流时由于重力而下降。

为了实现缩回能力，帽体的侧壁可以是波纹管(bellow)形状，并且由柔性材料形成。许多其它实施例也是可能的。

光刻设备的衬底台可以移动，以便将衬底的将要曝光的部分保持在投射系统的聚焦平面中。因此，编码器的第一光栅和第二光栅之间的距离可以改变。这一高度改变可以引起帽体和第一光栅之间的间隙改变，因此有可能引起压力变化(由于净化气体的排放可以根据间隙的尺寸而变化)或者引起由于通过间隙的净化气体流排放而加到衬底台上的力的变化。因此，对其的高度和/或压力的测量可能是希望的，在一个实施例中，净化帽体包括用于测量净化帽体的位置和气体压力中的至少一项的传感器。位置传感器例如可以被布置用于测量净化帽体与第一光栅之间的间隙，例如借助于电容性位置传感器。气体压力可以通过净化区域中或者净化帽体与第一光栅之间的间隙中的传感器进行测量(更高的压力指示更少的净化气体排放)。可以基于传感器的输出来提供安全控制：在传感器的输出提供净化帽体和第一光栅之间的距离低于预定最小值时，可以提供致动器以将净化帽体移动远离第一光栅。

此外，可以提供控制系统或控制器来基于传感器输出主动地控制对净化帽体的定位。净化帽体的至少一部分可以是由净化帽体的净化区域与周围环境之间的压力差可移动的。为了控制净化帽体的位置，净化介质供应装置包括用于控制气体供应速率的气体供应控制器，气体供应控制器包括被连接至传感器的测量输入，气体供应控制器被布置用于使用由传感器提供的测量结果来控制气体供应。因此，气体供应速率可以被调节以将净化帽体保持在希望的位置。传感器可以包括提供表示净化帽体与第一光栅之间的距离的信号的位置传感器，以便将该距离保持在特定范围内。备选地，传感器可以提供压力信号，以便将净化气体压力保持在特定范围内(降低净化气体压力可以允许净化帽体由于重力而下降，反之亦然)。此外，可以应用其中测量位置和压力的组合控制，从而在设计这样的控制中提供了附加的自由度。例如，净化气体压力和帽体可以被保持在预定范围内。气体供应速率例如可以由控制阀来控制。

注意，替代控制气体供应装置的气体供应速率，通过任何其它合适的致动器来驱动净化帽体的位置也是可能的，诸如借助于电制动器。

尽管在上文中已经在衬底的编码器类型的位置测量系统的上下文中描述了净化帽体，但是可以将相同的构思应用于光刻设备的任何其它平台，诸如掩模平台(即掩模台，也称作用于保持图案形成装置的支撑件)。

尽管可以在该上下文中对于IC制造的光刻设备的使用做出特殊参考，但是应该理解的是，在本文中所述的光刻设备可以具有其他应用，诸如集成光学系统、用于磁畴存储器的导引和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员将知晓的是，在这些备选应用的上下文中，在本文中术语“晶片”或“裸片”的任何使用可以视作分别与更通用术语“衬底”和“目标部分”含义相同。可以在曝光之前或之后例如在轨道(通常施加抗蚀剂层至衬底并且显影已曝光的抗蚀剂的工具)、测量工具和/或检查工具中处理在本文中涉及的衬底。可适用的，在本文中的本公开可以应用于这些和其他衬底处理工具。此外，可以多于一次处理衬底，例如以便于形成多层IC，以使得在本文中使用的术语衬底也可以涉及已经包含了多个已处理层的衬底。

尽管在光学光刻的上下文中如上所述已经对本发明实施例的使用做出了特殊参考，但是将要知晓的是本发明可以用于其他应用，例如压印光刻，并且上下文允许其不限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的拓扑结构限定了形成在衬底上的图案。图案形成装置的拓扑结构可以挤压进入被供应至衬底的抗蚀剂层，通过施加电磁辐射、热量、压力或其组合固化了在衬底上的抗蚀剂。从在抗蚀剂固化之后在其中留下图案的抗蚀剂移除了图案形成装置。

在本文中使用的术语“辐射”和“束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有或约365、248、193、157或126nm的波长)以及极紫外(EUV)辐射(例如具有在5－20nm范围内的波长)，以及粒子束，诸如离子束或电子束。

上下文允许的术语“透镜”可以涉及各种类型光学部件的任何一个或其组合，包括折射、反射、磁性、电磁和静电光学部件。

尽管已经如上描述了本发明的具体实施例，但是应该知晓的是除了如所述之外可以另外实施本发明。例如，本发明可以采取包含了描述了如上所述方法的机器可读指令的一个或多个序列的计算机程序、或者具有其中存储了该计算机程序的数据存储媒介(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。

以上描述意在为示意性并非限定性的。因此，对于本领域技术人员明显的是可以不脱离以下列出的权利要求的范围对本发明做出修改。

Claims

1.一种平台系统，包括：

可移动平台；

编码器类型的位置测量系统，用于测量所述平台的位置，其中所述编码器类型的位置测量系统包括用于发射编码器束的发射器、用于与所述编码器束相互作用的第一光栅、以及用于检测与所述第一光栅相互作用之后的所述编码器束的检测器，所述编码器束在操作中沿着光路径传播，

净化帽体，包围净化区域，所述净化区域至少部分地包括所述光路径；以及

净化介质供应装置，用于将净化介质供应到所述净化区域中。

2.根据权利要求1所述的平台系统，其中所述第一光栅被连接至所述平台的可移动部分和所述平台的静止部分中的一个部分，所述发射器、所述检测器和所述净化帽体被连接至所述平台的所述可移动部分和所述平台的所述静止部分中的另一个部分。

3.根据权利要求2所述的平台系统，其中所述编码器类型的位置测量系统进一步包括在操作中与所述编码器束相互作用的第二光栅，所述第二光栅被连接至所述平台的所述可移动部分和所述平台的所述静止部分中的所述另一个部分。

4.根据任一前述权利要求所述的平台系统，其中所述净化帽体包括侧壁。

5.根据任一前述权利要求所述的平台系统，其中所述净化帽体包括侧壁和盖部，所述盖部基本上平行于所述第一光栅延伸。

6.根权利要求5所述的平台系统，其中所述盖部包括开口以允许所述编码器束通过。

7.根据任一前述权利要求所述的平台系统，其中所述净化介质包括净化气体。

8.根据任一前述权利要求所述的平台系统，其中所述净化介质包括部分真空的真空。

9.根据权利要求4或5中任一项所述的平台系统，其中所述净化介质供应装置包括净化介质供应管道，所述净化介质供应管道沿着所述净化帽体的所述侧壁朝向所述净化帽体的顶部延伸。

10.根据权利要求6所述的平台系统，其中所述净化介质供应管道还沿着所述盖部朝向所述开口延伸。

11.根据任一前述权利要求所述的平台系统，其中所述净化帽体包括可调开口。

12.根据权利要求6所述的平台系统，其中所述净化帽体的所述开口是圆形的、椭圆形的、沟槽或十字形状。

13.根据任一前述权利要求所述的平台系统，其中所述净化帽体包括透明盖部。

14.根据任一前述权利要求所述的平台系统，其中所述净化帽体基本上闭合所述净化区域。

15.根据任一前述权利要求所述的平台系统，其中所述净化帽体的至少一部分是可缩回的。

16.根据任一前述权利要求所述的平台系统，其中所述净化帽体的所述侧壁是波纹管形状。

17.根据任一前述权利要求所述的平台系统，其中所述净化帽体包括用于测量所述净化帽体的位置和气体压力中的至少一项的传感器。

18.根据权利要求17所述的平台系统，其中所述净化介质包括净化气体，所述净化介质供应装置包括气体供应控制器，所述气体供应控制器用于控制所述净化气体的气体供应速率，所述气体供应控制器被连接至所述传感器并且被布置用于使用由所述传感器提供的测量结果来控制所述气体供应。

19.根据权利要求18所述的平台系统，其中所述传感器包括位置传感器和压力传感器，所述气体供应控制器被布置用于使用由所述位置传感器测量的位置和由所述压力传感器测量的压力来控制所述气体供应速率。

20.根据权利要求18或19所述的平台系统，其中所述净化帽体的至少一部分是通过在所述净化区域与周围环境之间的压力差可移动的，所述气体供应控制器被布置用于控制所述气体供应速率，以便控制所述净化帽体的位置。

21.一种光刻设备，被布置用于将图案从图案形成装置转移到衬底上，包括根据任一前述权利要求所述的可移动平台。

22.根据权利要求21所述的光刻设备，其中所述可移动平台是被构造为保持所述衬底的衬底台。

23.一种平台系统，包括：

可移动平台；

编码器类型的位置测量系统，被配置用于测量所述平台的位置，所述编码器类型的位置测量系统包括被配置用于发射编码器束的发射器、被配置用于与所述编码器束相互作用的光栅、以及被配置用于检测与所述光栅相互作用之后的所述编码器束的检测器，所述编码器束在使用中沿着光路径传播，

净化介质供应装置，被配置用于将净化介质供应到所述净化区域中。

24.一种光刻设备，包括：

图案形成装置支撑件，被配置用于支撑所述图案形成装置，所述图案形成装置被配置用于图案化辐射束以形成经图案化的辐射束；

衬底支撑件，被配置用于支撑衬底；

投射系统，被配置用于将所述经图案化的辐射束投射到所述衬底上，以及

平台系统，包括：

可移动平台，被配置用于定位所述支撑件之一；