TWI514091B - 平台系統及包含此平台系統的微影裝置 - Google Patents

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TWI514091B
TWI514091B TW102133245A TW102133245A TWI514091B TW I514091 B TWI514091 B TW I514091B TW 102133245 A TW102133245 A TW 102133245A TW 102133245 A TW102133245 A TW 102133245A TW I514091 B TWI514091 B TW I514091B
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Ruud Antonius Catharina Maria Beerens
Rob Johan Theodoor Rutten
Jan Steven Christiaan Westerlaken
Koen Jacobus Johannes Maria Zaal
Lieshout Richard Henricus Adrianus Van
Der Pasch Engelbertus Antonius Fransiscus Van
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Asml Netherlands Bv
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Description

平台系統及包含此平台系統的微影裝置
本發明係關於一種平台系統，及一種包含此平台系統之微影裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在此狀況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。習知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
微影裝置之可移動平台(諸如，經建構以固持基板之基板台)之位置係由位置感測器量測。以編碼器為基礎之位置感測器通常用於位置量測。舉例而言，靜止光柵連接至微影裝置之參考結構，而複數個編 碼器頭連接至基板台。每一編碼器頭經配置以與靜止光柵合作而量測位置量(在一或多個維度上)，從而允許判定基板台相對於靜止光柵之位置。在此等編碼器類型位置感測器中，編碼器光束沿著光學路徑傳播，此光學路徑部分地傳播通過諸如空氣、合成空氣或另一氣體或氣體混合物之介質。因此，如自編碼器類型位置感測器獲得之位置量測可展現對此介質之傳播特性(例如，折射率)之相依性，從而使編碼器類型位置量測取決於諸如溫度、濕度等等之因素。已提議藉由淨洗氣體而進行對微影裝置之淨洗。然而，仍可歸因於諸如壓力波動、熱波動、濕度波動等等之因素而獲得過大的不準確度。
需要以平台位置量測之一高準確度提供一種平台系統及包含此平台系統之微影裝置。
根據本發明之一實施例，提供一種平台系統，該平台系統包含：-一可移動平台；及-一編碼器類型位置量測系統，其用於量測該平台之一位置，其中該編碼器類型位置量測系統包含用於發射一編碼器光束之一發射器、用於與該編碼器光束相互作用之一光柵，及用於在與該光柵之相互作用之後偵測該編碼器光束之一偵測器，該編碼器光束在操作中沿著一光學路徑傳播，其中該平台系統進一步包含：一淨洗罩蓋，其圍封至少部分地包含該光學路徑之一淨洗區域；及一淨洗介質供應器件，其用於將一淨洗介質供應至該淨洗區域中。
在本發明之另一實施例中，提供一種經配置以將一圖案自一圖 案化器件轉印至一基板上之微影裝置，該微影裝置包含根據本發明之一實施例之可移動平台。
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
CV‧‧‧覆蓋物
DET‧‧‧偵測器
GI‧‧‧淨洗氣體供應管道
GR1‧‧‧第一光柵
GR2‧‧‧第二光柵
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧圖案化器件支撐件/支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器件
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器件/第二定位器
SO‧‧‧輻射源
SRC‧‧‧光源
SW‧‧‧側壁
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件，且在該等圖式中：圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置；圖2描繪根據本發明之一實施例的平台系統之編碼器類型位置量測系統的示意性側視圖；圖3a描繪根據本發明之另一實施例的平台系統之編碼器類型位置量測系統的示意性側視圖；及圖3b描繪根據本發明之又一實施例的平台系統之編碼器類型位置量測系統的示意性側視圖。
貫穿諸圖，相同或類似元件符號指代相同或類似部件。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例之微影裝置。該裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或任何其他合適輻射)；支撐結構或圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數而準確地定位該圖案化器件之第一定位器件PM。該裝置亦包括基板台(例如，晶圓台)WT或「基板支撐件」，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數而準確地定位該基板之第二定位器件PW。該裝置進一步包括投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學 組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化器件。支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中創製之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任 何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可屬於反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台或「基板支撐件」(及/或兩個或兩個以上光罩台或「光罩支撐件」)之類型。在此等「多平台」機器中，可並行地使用額外台或支撐件，或可在一或多個台或支撐件上進行預備步驟，同時將一或多個其他台或支撐件用於曝光。
微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加於微影裝置中之其他空間，例如，圖案化器件(例如，光罩)與投影系統之間的空間。浸潤技術可用以增加投影系統之數值孔徑。本文所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈之至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照 明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿圖案化器件(例如，光罩)MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器件PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器件PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自圖案化器件庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器件PM之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構(例如，光罩台)MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT或「基板支撐件」之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構(例如，光罩台)MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件(例如，光罩)MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」及基板台WT或「基板支撐件」保持基本上靜止(亦即，單次靜態 曝光)。接著，使基板台WT或「基板支撐件」在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中成像之目標部分C之大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」及基板台WT或「基板支撐件」(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT或「基板支撐件」相對於支撐結構(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT或「基板支撐件」。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT或「基板支撐件」之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
圖2描繪編碼器類型位置量測系統之部件的示意性側視圖。應注意，在此文件中，編碼器類型位置量測系統亦可被稱作編碼器。編碼器類型量測系統包含經配置以產生光學光束(在此文件中被稱作編碼器光束)之光源SRC。舉例而言，該光源可為發射(例如)單色雷射光束之雷射。在此處所描繪之編碼器之實施例中，編碼器光束係由兩個光 柵(即，第一光柵GR1及第二光柵GR2)繞射。其他組態係可能的，且被描述於(例如)NL2006220及US 2011/0304839 A1中。在如圖2所描繪之編碼器組態中，編碼器光束係由第二光柵GR2繞射，一階繞射光束及負一階繞射光束傳播朝向第一光柵。在第一光柵GR1處，此等光束被繞射，從而提供再次傳播朝向第二光柵之零0 ORD繞射光束、一階+1 ORD繞射光束及負一階-1 ORD繞射光束。自第二光柵，光束沿著相似路徑返回，從而提供所得光束以到達編碼器類型位置量測系統之偵測器DET。在所描繪實施例中，第一光柵連接至參考結構，而第二光柵、光源及偵測器連接至可移動平台。因此，隨著可移動平台相對於第一光柵移動，觀測到如由偵測器接收之光束改變。偵測器可為任何合適類型之光電偵測器，諸如，光電二極體。藉由繞射，編碼器光束可劃分成多個光束，從而一起形成沿著光學路徑傳播之編碼器光束。
根據本發明之一態樣，提供淨洗罩蓋PC，淨洗罩蓋PC圍封至少部分地包含光學路徑之淨洗區域PA。淨洗介質供應器件(在所描繪實施例中，包含淨洗氣體供應管道GI)將諸如淨洗氣體之淨洗介質供應至淨洗區域中。因此，可達成介質沿著光學路徑之更恆定傳播行為，此情形可引起更準確之編碼器位置感測。
應注意，儘管圖2中之實施例包含2個光柵，但其他組態(例如，省略第二光柵)亦係可能的。此外，應注意，代替將第一光柵連接至(靜止)參考結構且將光源、偵測器及第二光柵連接至可移動平台，亦可顛倒此組態，亦即，將第一光柵連接至可移動平台且將光源、偵測器及第二光柵連接至(靜止)參考結構。熟習光學件技術者可瞭解如在除了以編碼器為基礎之位置感測以外之應用中由該淨洗罩蓋創製的小型環境；例如，非平台相關編碼器系統或任何其他光學傳播光束經受環境干擾，從而損害物件末端效應(objected end-effect)。
淨洗介質可包含淨洗氣體，諸如，空氣、合成空氣或另一氣體或氣體混合物。或者，淨洗介質可包含真空或部分真空。
在如圖2所描繪之實施例中，淨洗罩蓋包含側壁SW及覆蓋物CV，該覆蓋物可實質上平行於第一光柵而延伸。藉此，可達成使傳播路徑免於來自周圍氣體之效應(熱、壓力、濕度、氣流)的高屏蔽。或者，淨洗罩蓋僅包含側壁且在其頂側處敞開，從而允許(例如)容易收縮或高度調整，而沒有淨洗罩蓋干涉編碼器光束之風險。
覆蓋物可包含開口以允許編碼器光束通過，因此避免編碼器光束與淨洗罩蓋之間的相互作用。覆蓋物(亦即，在開口外部的覆蓋物之部分)可供給若干目的。一方面，在淨洗氣體入口處進入淨洗區域之淨洗氣體將經由淨洗罩蓋之覆蓋物與第一光柵之間的間隙而自淨洗罩蓋排出。罩蓋之覆蓋物(尤其是在平行於第一光柵而延伸時)將連同第一光柵形成平行於第一光柵而延伸之排出通道，且提供氣動阻力，以便縮減淨洗氣體之排出，因此允許降低淨洗氣體之供應速率(藉此縮減由於淨洗氣流及/或淨洗氣體壓力而造成的可移動平台上之可能力)。另一方面，淨洗罩蓋之覆蓋物可在某一程度上防止來自淨洗罩蓋外部之氣體經由開口而進入淨洗罩蓋，因此可能地縮減淨洗區域中之濕度、溫度、壓力或其他變化之風險。在所描繪實施例中，開口處於覆蓋物之中心，以便提供朝向所有方向之實質上相同氣動阻力，從而引起淨洗氣流將實質上對稱力剖面提供至淨洗罩蓋及/或光柵上，藉此縮減其潛在干擾效應。更進一步，在所描繪編碼器組態中，形成編碼器光束之繞射光束在第一光柵附近相互較靠近，而其在第二光柵附近相互較遠離，從而沿著編碼器光束之光學路徑造成非均質性以在繞射光束彼此較遠離時具有較多效應。因為開口(及因此，可能均質性干擾)位於光束較靠近之處，所以其效應可較少。
在如圖2所描繪之實施例中，淨洗介質供應器件之淨洗氣體供應 管道GI在淨洗區域之底側處(換言之，在與排出開口相對的淨洗區域之側處)排出，以便實現整個淨洗區域之淨洗。圖3a中示意性地描繪另一實施例。在此實施例中，淨洗氣體供應管道GI沿著淨洗罩蓋之側壁延伸朝向該側壁之頂部。藉此，可規定：使繞射光束彼此較遠離(因此造成位置判定針對非均質性之較高局域敏感度)的淨洗區域之部分保持儘可能地安靜，此係因為淨洗氣流被很大程度上導引朝向編碼器光束較靠近之較不關鍵區域。如圖3a所描繪，淨洗氣體供應管道可沿著覆蓋物延伸朝向開口且排出至開口中，因此很大程度上避免淨洗氣流處於最敏感區域，因此使此敏感區域保持安靜且穩定。圖3b描繪與圖3a所描繪之實施例相似的實施例，藉以，淨洗氣體供應管道排出至淨洗罩蓋與第一光柵之間的間隙中，以便有效地屏蔽淨洗區域免於外部效應。
應注意，在一替代實施例(未描繪)中，淨洗罩蓋可包含可調整開口；例如，形成該開口之隔膜。結合在高度方面可移動之罩蓋，該隔膜可(例如)在降低時較寬地敞開，以便考量繞射光束之會聚/發散幾何形狀，因此，一方面避免干涉該等光束，而另一方面避免不必要大的開口。
在一另外實施例中，淨洗罩蓋之開口為狹槽或十字狀，以便一方面使淨洗罩蓋中之開口之總有效大小保持儘可能地小，而另一方面允許繞射光束傳遞通過該開口之狹槽形開口部分。替代形狀可包括圓形或橢球形開口。
通常，使淨洗罩蓋之開口保持小將允許縮減淨洗氣體供應速率，因此縮減歸因於淨洗氣流而造成的可移動平台上之可能力，且同時縮減淨洗區域經由開口之干擾之風險。
在另一實施例中，淨洗罩蓋包含透明覆蓋物，以便允許編碼器光束傳遞通過該覆蓋物，同時允許進一步縮減淨洗氣體供應速率。
淨洗罩蓋可實質上封閉，以便實質上封閉淨洗區域，因此在大程度上防止淨洗罩蓋外部之干擾對介質沿著光學路徑之傳播特性有影響。此外，實質上封閉式淨洗罩蓋使能夠在其中施加部分真空或真空，從而沿著光學路徑提供經界定傳播特性。
淨洗罩蓋之覆蓋物亦可沿著第一光柵延伸離開淨洗區域。藉此，可防止覆蓋物對干涉計光束之干涉，而同時提供屏蔽形式以使干擾效應保持離開淨洗區域，及/或提供對來自淨洗區域之排出淨洗氣流之氣動阻力。詳言之，當淨洗罩蓋可移動(例如，遍及在朝向及離開第一光柵之方向上之移動範圍可移動)時，此覆蓋物形式可在覆蓋物不干涉編碼器光束的情況下允許相對大移動範圍。
在一實施例中，淨洗罩蓋可收縮，以便允許淨洗罩蓋(例如)在所討論編碼器通過投影透鏡時收縮，因此避免淨洗罩蓋可損壞微影裝置之投影透鏡。可提供合適致動器以使罩蓋收縮。在一實施例中，致動器係由淨洗介質供應器件提供，舉例而言，致動器罩蓋可由來自淨洗介質供應器件之大氣流提昇，且在來自淨洗介質供應器件之淨洗氣流縮減時歸因於重力而降低。
為了實現可收縮性，罩蓋之側壁可為伸縮囊狀(bellow shaped)且由可撓性材料形成。許多其他實施例係可能的。
微影裝置之基板台可移動，以便使基板之待曝光部分保持於投影系統之焦點平面中。結果，編碼器之第一光柵與第二光柵之間的距離可變化。此高度變化可造成罩蓋與第一光柵之間的間隙變化，因此因為淨洗氣體之排出可取決於間隙之大小而變化而可能地引起壓力變化，或由於淨洗氣流排出通過間隙而造成至基板台上之力之變化。因此，又可需要高度及/或壓力之量測，在一實施例中，淨洗罩蓋包含用以量測淨洗罩蓋之位置及氣體壓力中至少一者的感測器。舉例而言，位置感測器可經配置以(例如)借助於電容性位置感測器而量測淨 洗罩蓋與第一光柵之間的間隙。在淨洗區域中或在淨洗罩蓋與第一光柵之間的間隙中，氣體壓力可由感測器量測(較高壓力指示較少淨洗氣體排出)。可基於感測器之輸出而提供安全性控制：可提供致動器以在感測器之輸出規定淨洗罩蓋與第一光柵之間的距離低於預定最小值時使淨洗罩蓋移動離開第一光柵。
此外，可提供控制系統或控制器以基於感測器輸出而主動地控制淨洗罩蓋之定位。淨洗罩蓋之至少部分可藉由淨洗罩蓋之淨洗區域與外圍之間的壓力差而可移動。為了控制淨洗罩蓋之位置，淨洗介質供應器件包含用於控制氣體供應速率之氣體供應控制器，該氣體供應控制器包含連接至感測器之量測輸入，該氣體供應控制器經配置以使用由該感測器提供之量測結果來控制氣體供應。因此，可調整氣體供應速率以使淨洗罩蓋保持於所要位置處。感測器可包含位置感測器，該位置感測器提供表示淨洗罩蓋與第一光柵之間的距離之信號，以便使該距離保持於某一範圍內。或者，感測器可提供壓力信號，以便使淨洗氣體壓力保持於某一範圍內(降低淨洗氣體壓力可允許淨洗罩蓋歸因於重力而降低，且反之亦然)。又，可應用供量測位置及壓力之組合式控制，從而在此控制之設計中提供額外自由度。舉例而言，淨洗氣體壓力及間隙可保持於預定範圍內。舉例而言，氣體供應速率可由控制閥控制。
應注意，代替控制氣體供應器件之氣體供應速率，亦有可能由任何其他合適致動器(諸如，借助於電動馬達)來驅動淨洗罩蓋之位置。
儘管上文已在基板台之編碼器類型位置量測系統之內容背景中描述淨洗罩蓋，但相同概念亦可應用於微影裝置之任何其他平台，諸如，光罩平台(亦即，光罩台，亦被稱作用以固持圖案化器件之支撐件)。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定創製於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描 述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧圖案化器件支撐件/支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器件
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器件/第二定位器
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台

Claims (15)

  1. 一種平台(stage)系統，其包含：一可移動平台；一編碼器類型位置量測系統，其用於量測該平台之一位置，其中該編碼器類型位置量測系統包含用於發射一編碼器光束之一發射器、用於與該編碼器光束相互作用之一第一光柵(grating)，及用於偵測在與該第一光柵之相互作用之後之該編碼器光束之一偵測器，該編碼器光束在操作中沿著一光學路徑傳播(propagating)；一淨洗罩蓋(purging cap)，其設置於該第一光柵與一第二光柵之間且圍封至少部分地包含該光學路徑之一淨洗區域，其中該編碼器光束傳遞通過該淨洗罩蓋之一開口；及一淨洗介質供應器件，其用於將一淨洗介質供應至該淨洗區域中。
  2. 如請求項1之平台系統，其中該第一光柵連接至該平台之一可移動部件及該平台之一靜止部件中的一者，該發射器、該偵測器及該淨洗罩蓋連接至該平台之該可移動部件及該平台之該靜止部件中的另一者。
  3. 如請求項2之平台系統，其中該編碼器類型位置量測系統進一步包含一第二光柵，該第二光柵在操作中與該編碼器光束相互作用，該第二光柵連接至該平台之該可移動部件及該平台之該靜止部件中的該另一者。
  4. 如請求項1、2或3之平台系統，其中該淨洗罩蓋包含一側壁。
  5. 如請求項1、2或3之平台系統，其中該淨洗罩蓋包含一側壁及一覆蓋物，該覆蓋物實質上平行於該第一光柵而延伸。
  6. 如請求項5之平台系統，其中該淨洗介質供應器件包含沿著該淨洗罩蓋之該側壁延伸朝向該淨洗罩蓋之一頂部的一淨洗介質供應管道。
  7. 如請求項5之平台系統，其中該淨洗介質供應管道進一步沿著該覆蓋物延伸朝向一開口以允許該編碼器光束之一通過。
  8. 如請求項1、2或3之平台系統，其中該淨洗罩蓋包含一可調整開口。
  9. 如請求項1、2或3之平台系統，其中該淨洗罩蓋包含一透明覆蓋物。
  10. 如請求項1、2或3之平台系統，其中該淨洗罩蓋實質上封閉該淨洗區域。
  11. 如請求項1、2或3之平台系統，其中該淨洗罩蓋之至少一部分可收縮。
  12. 如請求項1、2或3之平台系統，其中該淨洗罩蓋之該側壁為伸縮囊狀。
  13. 如請求項1、2或3之平台系統，其中該淨洗罩蓋包含一感測器以量測該淨洗罩蓋之一位置及一氣體壓力中至少一者。
  14. 如請求項1、2或3之平台系統，其中該淨洗介質包含一淨洗氣體，該淨洗介質供應器件包含一氣體供應控制器以用於控制該淨洗氣體之一氣體供應速率，該氣體供應控制器連接至該感測器且經配置以使用由該感測器提供之一量測結果來控制該氣體供應。
  15. 一種經配置以將一圖案自一圖案化器件轉印至一基板上之微影裝置，其包含如請求項1-14中任一項之可移動平台。
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