CN104630887A - 氟硼酸钡钠双折射晶体及其制备方法和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种氟硼酸钡钠双折射晶体及其制备方法和应用，该晶体化学式为Na3Ba2(B3O6)2F，分子量459.37，属于六方晶系，空间群为P6(3)/m，晶胞参数为a=7.3490(6)?，c=12.6340(2)?，V=590.93(12)?3，Z=2；该晶体用于红外-深紫外波段，为负单轴晶体，ne<no，透过范围为180-3300nm；双折射在0.090(3300nm)-0.240(180nm)之间，采用高温熔体法（自熔体自发结晶法、熔体提拉法、熔体顶部籽晶法）或助熔剂法生长晶体；通过本发明所述方法获得的晶体易于生长、易于切割、易于研磨、易于抛光和易于保存，在空气中稳定，不易潮解，不溶于水；可用于制作格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜、洛匈棱镜或光束分离偏振器等偏振分束棱镜，在光学和通讯领域有重要应用。

Description

氟硼酸钡钠双折射晶体及其制备方法和应用
技术领域
本发明涉及一种氟硼酸钡钠双折射晶体及其制备方法和应用，特别是一种用于红外-深紫外波段的分子式为Na3Ba2(B3O6)2F的氟硼酸钡钠双折射晶体及其制备方法和应用。
背景技术
双折射现象是光在非均匀的介质晶体中传播时表现出来的重要特性之一，可以用光的横波性质来解释。光在非均质体（如立方系以外的晶体）中传播时，除了个别特殊的方向（沿光轴方向）外，会改变其振动特点，分解为两个电场矢量振动方向互相垂直，传播速度不同，折射率不等的两束偏振光，这种现象称为双折射，这样的晶体称为双折射晶体。两束光中其中一束遵守折射定律的称为o光（ordinary ray、寻常光），其折射率用no表示，另一束不遵从折射定律的称为e光（extraordinary ray、非常光），其折射率用ne表示，这两束光都是偏振光。由于晶体材料各向异性，这两束折射光线的夹角大小与光波的传播方向以及偏振状态有关。产生双折射现象的晶体可分为单轴晶体和双轴晶体，称为单轴晶体的材料属于三、四或六方晶系，称为双轴晶体的材料属于三斜、单斜或正交晶系，方便使用的双折射材料是单轴晶体。利用双折射晶体的特性可以得到线偏振光，实现对光束的位移等，从而使得双折射晶体成为制作光隔离器、环形器、光束位移器、光学起偏器和光学调制器等光学元件的关键材料。
常用的双折射材料主要有方解石晶体、金红石晶体、LiNbO3晶体、YVO4晶体、α-BaB2O4晶体以及MgF2晶体等。然而方解石晶体主要以天然形式存在，人工合成比较困难，一般尺寸都比较小，杂质含量比较高，无法满足大尺寸光学偏光元件的要求，而且易于解离，加工比较困难，晶体利用率低，普通方解石晶体只能使用于350nm以上波段，紫外光学级方解石晶体获得困难，其使用波段也无法达到深紫外区（<250nm)。金红石也主要以天然形式存在，人工合成比较困难，且尺寸较小，硬度大，难以加工。LiNbO3晶体易于得到大尺寸晶体，但双折射率太小。YVO4是一种性能良好的人工双折射晶体，但是它的透过范围是400-5000nm，不能用于紫外区，而且由于YVO4熔点高，必须使用铱坩埚进行提拉生长，且生长的气氛为弱氧气氛，从而在生长时存在铱元素的变价问题，从而使得晶体的质量下降，不易获得高质量的晶体。α-BaB2O4由于存在固态相变，很容易在晶体生长过程中开裂。MgF2晶体的透过范围是110-8500nm，它是一种应用于深紫外很好的材料，但是它的双折射率太小，不适合用作制造格兰棱镜，只能用于洛匈棱镜，且光速分离角小，器件尺寸大，使用不便。本发明提供的Na3Ba2(B3O6)2F双折射晶体的透过范围宽(180-3300nm),并且双折射率大(0.090-0.240)，且可用于紫外深紫外波段(180-350nm)。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种氟硼酸钡钠双折射晶体，该晶体化学式为Na3Ba2(B3O6)2F，分子量为459.37，属于六方晶系，空间群为P6(3)/m，晶胞参数为 Z=2，其透过范围宽180-3300nm，并且双折射率大0.090-0.240，且能用于紫外深紫外波段180nm-350nm。
本发明的另一目的在于提供Na3Ba2(B3O6)2F双折射晶体的制备方法。
本发明的再一目的在于提供Na3Ba2(B3O6)2F双折射晶体的应用。
本发明所述的一种氟硼酸钡钠双折射晶体，该晶体化学式为Na3Ba2(B3O6)2F，分子量为459.37，属于六方晶系，空间群为P6(3)/m，晶胞参数为 Z=2。
所述氟硼酸钡钠双折射晶体的制备方法，采用化合物高温熔体法生长晶体或加入助溶剂生长晶体，具体操作步骤按下进行：
a、将含钠、含钡、含硼和含氟化合物按摩尔比钠:钡:硼:氟=3:2:6:1混合研磨，装入铂金坩埚中，加热至温度820℃得混合熔体，恒温1-100小时；
或将含钠、含钡、含硼和含氟化合物按摩尔比钠:钡:硼:氟=3:2:6:1中加入助熔剂，混合研磨，装入铂金坩埚中，加热至温度820℃得混合熔体，恒温1-100小时；
b、在混合熔体表面或熔体中生长晶体：先将步骤a中的混合熔体降温至803-816℃，再将籽晶固定在籽晶杆上，从籽晶杆顶部下籽晶至混合熔体表面或熔体中，以0-100r/min的转速旋转籽晶或坩埚，同时以O-15mm/h的速度向上提拉晶体；
或先将步骤a中加入助熔剂的混合熔体降温至700-795℃，再将籽晶固定在籽晶杆上，从籽晶杆顶部下籽晶至混合熔体中，以0-100r/min的旋转速率旋转籽晶杆，以0.1-5℃/d的速率缓慢降温，同时以O-15mm/h的速度向上提拉晶体；
c、待单晶生长到所需尺度后，加大提拉速度，使晶体脱离熔体液面，以温度1-100℃/h的速率降至室温，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到钠钡硼氧氟双折射晶体。
步骤a中所述的含钠化合物为纯度99.9%的氧化钠、氢氧化钠、氯化钠、溴化钠、氟化钠、碳酸钠、硝酸钠或偏硼酸钠；所述的含钡化合物为纯度99.9%的氧化钡、氢氧化钡、氯化钡、溴化钡、氟化钡、碳酸钡或硝酸钡；所述的含硼化合物为纯度99.9%的硼酸或氧化硼；所述的含氟化合物为纯度99.9%的氟化钠或氟化钡。
步骤a中助熔剂为纯度99.9%的氟化钠、氧化钠、氯化钠、氧化硼、偏硼酸钠、氟化钡、氯化钡、溴化钠或硼酸。
步骤a中Na3Ba2(B3O6)2F与助熔剂的摩尔比为1:0.2-4。
所述氟硼酸钡钠双折射晶体，该晶体用于红外-深紫外波段，为负单轴晶体，ne<no，透过范围180-3300nm，双折射率为0.090(3300nm)-0.240(180nm)之间。
所述氟硼酸钡钠双折射晶体在制备制作偏振分束棱镜的应用。
所述的偏振分束棱镜为格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜、洛匈棱镜或光束分离偏振器。
制备Na3Ba2(B3O6)2F的化学方程式为：
NaF+Na2CO3+2BaCO3+6H3BO3→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑
NaF+2NaOH+2BaCO3+6H3BO3→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑
NaF+2NaCl+2BaCO3+6H3BO3→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑+HCl↑
NaF+2NaBr+2BaCO3+6H3BO3→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑+HBr↑
NaF+2NaO+2Ba(NO3)2+6H3BO3→Na3Ba2(B3O6)2F+NO2↑+H2O↑
NaF+Na2CO3+2BaO+6H3BO3+0.6BaF2→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑+HF↑
NaF+Na2CO3+2Ba(OH)2+6H3BO3+0.4B2O3→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑
NaF+Na2CO3+2BaCl2+6H3BO3+NaCl→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑+HCl↑
NaF+Na2CO3+2BaBr2+6H3BO3+2NaBO2→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑+HBr↑
NaF+Na2CO3+2BaBr2+6H3BO3+2.5NaNO3→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑+HBr↑+NO2↑
NaF+Na2CO3+2BaBr2+6H3BO3+3NaBr→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑+HBr↑
NaF+Na2CO3+2BaBr2+6H3BO3+2NaBr→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑+HBr↑
NaF+Na2CO3+2BaBr2+6H3BO3+4NaBO2→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑+HBr↑
NaF+Na2CO3+2BaO+6H3BO3+BaF2→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑+HF↑。
本发明所述的氟硼酸钡钠双折射晶体，化学式为Na3Ba2(B3O6)2F，分子量为459.37，属于六方晶系，空间群为P6(3)/m，晶胞参数为 Z=2，为负单轴晶体，ne<no，透过范围是180-3300nm;双折射率在0.090(3300nm)-0.240(180nm)之间；晶体易于生长、易于切割、易于研磨、易于抛光和易于保存，在空气中稳定，不易潮解，不溶于水；在制备方法中采用高温熔体法（自熔体自发结晶法、熔体提拉法、熔体顶部籽晶法）或助熔剂法生长晶体。所获得的晶体在空气中稳定，不易潮解，不溶于水。能够用于制作格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜、洛匈棱镜或光束分离偏振器等偏振分束棱镜，在光学和通讯领域有重要应用。
附图说明
图1为用于红外-深紫外波段的Na3Ba2(B3O6)2F双折射晶体的结构图；
图2为用于红外-深紫外波段的Na3Ba2(B3O6)2F双折射晶体的XRD图；
图3用于红外-深紫外波段的Na3Ba2(B3O6)2F双折射晶体的照片；
图4为本发明楔形双折射晶体偏振分束器示意图；
图5为本发明光隔离器示意图；
图6为本发明光束位移器示意图，其中1为入射光，2为o光，3为e光，4为光轴，5为Na3Ba2(B3O6)2F晶体，6透光方向，7光轴面。
具体实施方式
实施例1,熔体顶部籽晶法生长Na3Ba2(B3O6)2F：
按化学方程式：NaF+Na2CO3+2BaCO3+6H3BO3→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑制备Na3Ba2(B3O6)2F，所用原料（分析纯）：NaF25.194g、Na2CO363.597g、BaCO3236.832g、H3BO3222.616g，(其中的Na、Ba、B与F的摩尔比为3:2:6:1)具体步骤如下：
将称量后的原料放入研钵中混合研磨，然后装入Φ100mm×100mm铂金坩埚中，加热至温度820℃得混合熔体，恒温48小时；
在混合熔体表面生长晶体：先将混合熔体降温至803℃，再将籽晶固定在籽晶杆上，从籽晶杆顶部下籽晶至混合熔体表面，以20r/min的转速旋转籽晶杆，同时以O-15mm/h的速度向上提拉晶体；
待单晶生长到所需尺度后，加大提拉速度，使晶体脱离熔体液面，以温度5℃/h的速率降至室温，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到50×31×8mm3钠钡硼氧氟双折射晶体，晶体透明区域大，将所得晶体进行透过测试，结果表明透过范围为180-3300nm，折射率为0.090-0.240。
实施例2，熔体提拉法生长Na3Ba2(B3O6)2F：
按化学方程式：NaF+2NaOH+2BaCO3+6H3BO3→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑制备Na3Ba2(B3O6)2F，所用原料（分析纯）：NaF25.194g、NaOH48.012g、BaCO3236.832g、H3BO3222.616g(其中的Na、Ba、B与F的摩尔比为3:2:6:1)具体步骤如下：
将称量后原料放入研钵中混合研磨，然后装入Φ100mm×100mm铂金坩埚中，加热至温度820℃得混合熔体，恒温10小时；
在混合熔体中生长晶体：先将混合熔体降温至804℃，再将籽晶固定在籽晶杆上，从籽晶杆顶部下籽晶至混合熔体中，以25r/min的转速旋转籽晶杆，同时以0.05mm/h的速度向上提拉晶体；
待单晶生长到所需尺度后，加大提拉速度，使晶体脱离熔体液面，以温度10℃/h的速率降至室温，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到30×26×9mm3的钠钡硼氧氟双折射晶体。
实施例3，熔体提拉法生长Na3Ba2(B3O6)2F：
按化学方程式：NaF+2NaCl+2BaCO3+6H3BO3→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑+HCl↑制备Na3Ba2(B3O6)2F，所用原料（分析纯）：NaF25.194g、NaCl70.128g、BaCO3236.832g、H3BO3222.616g(其中的Na、Ba、B与F的摩尔比为3:2:6:1)具体步骤如下：
将称量后原料放入研钵中混合研磨，然后装入Φ100mm×100mm铂金坩埚中，加热至温度820℃得混合熔体，恒温20小时；
在混合熔体中生长晶体：先将混合熔体降温至808℃，再将籽晶固定在籽晶杆上，从籽晶杆顶部下籽晶至混合熔体中，以20r/min的转速旋转籽晶杆，同时以0.05mm/h的速度向上提拉晶体；
待单晶生长到所需尺度后，加大提拉速度，使晶体脱离熔体液面，以温度5℃/h的速率降至室温，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到35×26×11mm3的钠钡硼氧氟双折射晶体。
实施例4，熔体提拉法生长Na3Ba2(B3O6)2F：
按化学方程式：NaF+2NaBr+2BaCO3+6H3BO3→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑+HBr↑制备Na3Ba2(B3O6)2F，所用原料（分析纯）：NaF25.194g、NaBr123.468g、BaCO3236.832g、H3BO3222.616g(其中的Na、Ba、B与F的摩尔比为3:2:6:1)具体步骤如下：
将称量后原料放入研钵中混合研磨，然后装入Φ100mm×100mm铂金坩埚中，加热至温度820℃得混合熔体，恒温30小时；
在混合熔体中生长晶体：先将混合熔体降温至804℃，再将籽晶固定在籽晶杆上，从籽晶杆顶部下籽晶至混合熔体中，以15r/min的转速旋转籽晶杆，同时以0.05mm/h的速度向上提拉晶体；
待单晶生长到所需尺度后，加大提拉速度，使晶体脱离熔体液面，以温度10℃/h的速率降至室温，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到33×18×7mm3的钠钡硼氧氟双折射晶体。
实施例5，熔体自发结晶法生长Na3Ba2(B3O6)2F：
按化学方程式：NaF+2NaO+2Ba(NO3)2+6H3BO3→Na3Ba2(B3O6)2F+NO2↑+H2O↑制备Na3Ba2(B3O6)2F，所用原料（分析纯）：NaF25.194g、NaO74.375g、Ba(NO3)2313.620g、H3BO3222.616g(其中的Na、Ba、B与F的摩尔比为3:2:6:1)具体步骤如下：
将称量后原料放入研钵中混合研磨，然后装入Φ100mm×100mm铂金坩埚中，加热至温度820℃得混合熔体，恒温20小时；
在混合熔体中生长晶体：先将混合熔体降温至810℃，再将籽晶固定在籽晶杆上，从籽晶杆顶部下籽晶至混合熔体中，以0r/min的转速（不旋转籽晶杆），同时以0.05mm/h的速度向上提拉晶体；
待单晶生长到所需尺度后，加大提拉速度，使晶体脱离熔体液面，以温度10℃/h的速率降至室温，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到42×35×7mm3的钠钡硼氧氟双折射晶体。
实施例6，助熔剂法生长Na3Ba2(B3O6)2F：
按化学方程式：NaF+Na2CO3+2BaO+6H3BO3+0.6BaF2→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑+HF↑制备Na3Ba2(B3O6)2F，所用原料（分析纯）：NaF25.194g、Na2CO363.597g、BaO184.008g、H3BO3222.616g、BaF263.115g(其中的Na、Ba、B、F与BaF2的摩尔比为3:2:6:1:0.6,等同于Na3Ba2(B3O6)2F与BaF2的摩尔比为1:0.6)具体步骤如下：
将称量后的原料放入研钵中混合研磨，然后装入Φ100mm×100mm铂金坩埚中，加热至温度820℃得混合熔体，恒温30小时；
将加入助溶剂的混合熔体降温至790℃，再将籽晶固定在籽晶杆上，从籽晶杆顶部下籽晶至混合熔体中，以15r/min的旋转速率旋转籽晶杆，以温度0.2℃/d的速率缓慢降温，同时以O-15mm/h的速度向上提拉晶体；
待单晶生长到所需尺度后，加大提拉速度，使晶体脱离熔体液面，以温度5℃/h的速率降至室温，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到30×23×6mm3钠钡硼氧氟双折射晶体。
实施例7，助熔剂法生长Na3Ba2(B3O6)2F：
按化学方程式：NaF+Na2CO3+2Ba(OH)2+6H3BO3+0.4B2O3→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑制备Na3Ba2(B3O6)2F，所用原料（分析纯）：NaF25.194g、Na2CO363.597g、Ba(OH)2205.620g、H3BO3222.616g、B2O316.708g，(其中的Na、Ba、B、F与B2O3的摩尔比为3:2:6:1:0.4,等同于Na3Ba2(B3O6)2F与B2O3的摩尔比为1:0.4)具体步骤如下：
将称量后的原料放入研钵中混合研磨，然后装入Φ100mm×100mm铂金坩埚中，加热至温度820℃得混合熔体，恒温25小时；
将加入助溶剂的混合熔体降温至787℃，再将籽晶固定在籽晶杆上，从籽晶杆顶部下籽晶至混合熔体表面，以35r/min的旋转速率旋转籽晶杆，以温度0.1℃/d的速率缓慢降温，同时以O-15mm/h的速度向上提拉晶体；
待单晶生长到所需尺度后，加大提拉速度，使晶体脱离熔体液面，以温度8℃/h的速率降至室温，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到23×18×6mm3钠钡硼氧氟双折射晶体。
实施例8，助熔剂法生长Na3Ba2(B3O6)2F：
按化学方程式：NaF+Na2CO3+2BaCl2+6H3BO3+NaCl→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑+HCl↑制备Na3Ba2(B3O6)2F，所用原料（分析纯）：NaF25.194g、Na2CO363.597g、BaCl2249.984g、H3BO3222.616g、NaCl35.064g(其中的Na、Ba、B、F与BaF2的摩尔比为3:2:6:1:1,等同于Na3Ba2(B3O6)2F与NaCl的摩尔比为1:1)具体步骤如下：
将称量后的原料放入研钵中混合研磨，然后装入Φ100mm×100mm铂金坩埚中，加热至温度820℃得混合熔体，恒温30小时；
将加入助溶剂的混合熔体降温至782℃，再将籽晶固定在籽晶杆上，从籽晶杆顶部下籽晶至混合熔体中，以30r/min的旋转速率旋转籽晶杆，以温度0.5℃/d的速率缓慢降温，同时以O-15mm/h的速度向上提拉晶体；
待单晶生长到所需尺度后，加大提拉速度，使晶体脱离熔体液面，以温度5℃/h的速率降至室温，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到16×15×6mm3钠钡硼氧氟双折射晶体。
实施例9，助熔剂法生长Na3Ba2(B3O6)2F：
按化学方程式：NaF+Na2CO3+2BaBr2+6H3BO3+2NaBO2→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑+HBr↑制备Na3Ba2(B3O6)2F，所用原料（分析纯）：NaF25.194g、Na2CO363.597g、BaBr2356.028g、H3BO3222.616g、NaBO278.960g(其中的Na、Ba、B、F与NaBO2的摩尔比为3:2:6:1:2,等同于Na3Ba2(B3O6)2F与NaBO2的摩尔比为1:2)具体步骤如下：
将称量后的原料放入研钵中混合研磨，然后装入Φ100mm×100mm铂金坩埚中，加热至温度820℃得混合熔体，恒温24小时；
将加入助溶剂的混合熔体降温至753℃，再将籽晶固定在籽晶杆上，从籽晶杆顶部下籽晶至混合熔体中，以35r/min的旋转速率旋转籽晶杆，以温度0.5℃/d的速率缓慢降温，同时以O-15mm/h的速度向上提拉晶体；
待单晶生长到所需尺度后，加大提拉速度，使晶体脱离熔体液面，以温度5℃/h的速率降至室温，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到27×16×8mm3钠钡硼氧氟双折射晶体。
实施例10，助熔剂法生长Na3Ba2(B3O6)2F：
按化学方程式：NaF+Na2CO3+2BaBr2+6H3BO3+2.5NaNO3→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑+HBr↑+NO2↑制备Na3Ba2(B3O6)2F，所用原料（分析纯）：NaF25.194g、Na2CO363.597g、BaBr2356.028g、H3BO3222.616g、NaNO3127.485g(其中的Na、Ba、B、F与NaNO3的摩尔比为3:2:6:1:2.5,等同于Na3Ba2(B3O6)2F与NaNO3的摩尔比为1:2.5)具体步骤如下：
将称量后的原料放入研钵中混合研磨，然后装入Φ100mm×100mm铂金坩埚中，加热至温度820℃得混合熔体，恒温24小时；
将加入助溶剂的混合熔体降温至790℃，再将籽晶固定在籽晶杆上，从籽晶杆顶部下籽晶至混合熔体中，以20r/min的旋转速率旋转籽晶杆，以温度0.5℃/d的速率缓慢降温，同时以O-15mm/h的速度向上提拉晶体；
待单晶生长到所需尺度后，加大提拉速度，使晶体脱离熔体液面，以温度5℃/h的速率降至室温，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到32×24×9mm3钠钡硼氧氟双折射晶体。
实施例11，助熔剂法生长Na3Ba2(B3O6)2F：
按化学方程式：NaF+Na2CO3+2BaBr2+6H3BO3+3NaBr→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑+HBr↑制备Na3Ba2(B3O6)2F，所用原料（分析纯）：NaF25.194g、Na2CO363.597g、BaBr2356.028g、H3BO3222.616g、NaBr185.202g(其中的Na、Ba、B、F与NaBr的摩尔比为3:2:6:1:3,等同于Na3Ba2(B3O6)2F与NaBr的摩尔比为1:3)具体步骤如下：
将称量后的原料混合物放入研钵中混合研磨，然后装入Φ100mm×100mm铂金坩埚中，加热至温度820℃得混合熔体，恒温24小时；
将加入助溶剂的混合熔体降温至747℃，再将籽晶固定在籽晶杆上，从籽晶杆顶部下籽晶至混合熔体表面，以15r/min的旋转速率旋转籽晶杆，以温度0.2℃/d的速率缓慢降温，同时以O-15mm/h的速度向上提拉晶体；
待单晶生长到所需尺度后，加大提拉速度，使晶体脱离熔体液面，以温度5℃/h的速率降至室温，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到35×23×10mm3钠钡硼氧氟双折射晶体。
实施例12，助熔剂法生长Na3Ba2(B3O6)2F：
按化学方程式是：NaF+Na2CO3+2BaBr2+6H3BO3+2NaBr→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑+HBr↑制备Na3Ba2(B3O6)2F，所用原料（分析纯）：NaF25.194g、Na2CO363.597g、BaBr2356.028g、H3BO3222.616g、NaBr123.468g(其中的Na、Ba、B、F与NaBr的摩尔比为3:2:6:1:2,等同于Na3Ba2(B3O6)2F与NaBr的摩尔比为1:2)具体步骤如下：
将称量后的原料放入研钵中混合研磨，然后装入Φ100mm×100mm铂金坩埚中，加热至温度820℃得混合熔体，恒温30小时；
将加入助溶剂的混合熔体降温至772℃，再将籽晶固定在籽晶杆上，从籽晶杆顶部下籽晶至混合熔体中，以20r/min的旋转速率旋转籽晶杆，以温度0.4℃/d的速率缓慢降温，同时以O-15mm/h的速度向上提拉晶体；
待单晶生长到所需尺度后，加大提拉速度，使晶体脱离熔体液面，以温度5℃/h的速率降至室温，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到23×15×6mm3钠钡硼氧氟双折射晶体。
实施例13，助熔剂法生长Na3Ba2(B3O6)2F：
按化学方程式：NaF+Na2CO3+2BaBr2+6H3BO3+4NaBO2→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑+HBr↑制备Na3Ba2(B3O6)2F，所用原料（分析纯）：NaF25.194g、Na2CO363.597g、BaBr2356.028g、H3BO3222.616g、NaBO2157.920g(其中的Na、Ba、B、F与NaBO2的摩尔比为3:2:6:1:4,等同于Na3Ba2(B3O6)2F与NaBO2的摩尔比为1:4)具体步骤如下：
将称量后的原料放入研钵中混合研磨，然后装入Φ100mm×100mm铂金坩埚中，加热至温度820℃得混合熔体，恒温24小时；
将加入助溶剂的混合熔体降温至724℃，再将籽晶固定在籽晶杆上，从籽晶杆顶部下籽晶至混合熔体中，以45r/min的旋转速率旋转籽晶杆，以温度0.3℃/d的速率缓慢降温，同时以0-15mm/h的速度向上提拉晶体；
待单晶生长到所需尺度后，加大提拉速度，使晶体脱离熔体液面，以温度5℃/h的速率降至室温，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到32×24×12mm3钠钡硼氧氟双折射晶体。
实施例14，助熔剂法生长Na3Ba2(B3O6)2F：
按化学方程式：NaF+Na2CO3+2BaO+6H3BO3+BaF2→Na3Ba2(B3O6)2F+CO2↑+H2O↑+HF↑制备Na3Ba2(B3O6)2F，所用原料（分析纯）：NaF25.194g、Na2CO363.597g、BaO184.008g、H3BO3222.616g、BaF2105.192g(其中的Na、Ba、B、F与BaF2的摩尔比为3:2:6:1:1,等同于Na3Ba2(B3O6)2F与BaF2的摩尔比为1:1)具体步骤如下：
将称量后的原料放入研钵中混合研磨，然后装入Φ100mm×100mm铂金坩埚中，加热至温度820℃得混合熔体，恒温30小时；
将加入助溶剂的混合熔体降温至772℃，再将籽晶固定在籽晶杆上，从籽晶杆顶部下籽晶至混合熔体中，以10r/min的旋转速率旋转籽晶杆，以温度0.3℃/d的速率缓慢降温，同时以0-15mm/h的速度向上提拉晶体；
待单晶生长到所需尺度后，加大提拉速度，使晶体脱离熔体液面，以温度5℃/h的速率降至室温，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到43×28×13mm3钠钡硼氧氟双折射晶体。
实施例15
将实施例1－14所得任意的Na3Ba2(B3O6)2F晶体，用于制备楔形双折射晶体偏振分束器（如图3所示），一个楔形的双折射晶体，光轴的取向如图3所示，一束自然光入射后经过晶体可以分成两束线偏振光，双折射率越大，两束光可以分开的越远，便于光束的分离。
实施例16
将实施例1－14所得任意的Na3Ba2(B3O6)2F晶体，用于制备光隔离器，将一个入射光束偏振面旋转45°的法拉第光旋转器置于一对彼此45°交叉放置的双折射晶体偏转器之间，则可构成一台光隔离器，它只允许正向传播的光束通过该系统，而将反向传播的光束阻断，图4a表示入射的光束可以通过，图4b表示反射光被阻止了。
实施例17
将实施例1－14所得的任意的Na3Ba2(B3O6)2F晶体，用于制备光束位移器，加工一个双折射晶体，令其光轴面与棱成一角度θ（如图5a所示），当自然光垂直入射后，可以分成两束振动方向互相垂直的线偏振光（如图5b所示），分别是o光和e光，双折率越大，两束光可以分开的越远，便于光束的分离。

Claims (8)

1.一种氟硼酸钡钠双折射晶体，其特征在于该晶体化学式为Na3Ba2(B3O6)2F，分子量为459.37，属于六方晶系，空间群为P6(3)/m，晶胞参数为a = 7.3490(6)Å， c = 12.6340(2)Å，V = 590.93(12)Å3，Z=2。
2.根据权利要求1所述的氟硼酸钡钠双折射晶体的制备方法，其特征在于采用化合物高温熔体法生长晶体或加入助溶剂生长晶体，具体操作步骤按下进行：
a、将含钠、含钡、含硼和含氟化合物按摩尔比钠:钡:硼:氟=3:2:6:1 混合研磨，装入铂金坩埚中，加热至温度820℃得混合熔体，恒温1-100小时；
或将含钠、含钡、含硼和含氟化合物按摩尔比钠:钡:硼:氟=3:2:6:1中加入助熔剂，混合研磨，装入铂金坩埚中，加热至温度820℃得混合熔体，恒温1-100小时；
b、在混合熔体表面或熔体中生长晶体：先将步骤a中的混合熔体降温至803-816℃，再将籽晶固定在籽晶杆上，从籽晶杆顶部下籽晶至混合熔体表面或熔体中，以0-100r/min的转速旋转籽晶或坩埚，同时以O-15mm/h的速度向上提拉晶体；
或先将步骤a中加入助熔剂的混合熔体降温至700-795℃，再将籽晶固定在籽晶杆上，从籽晶杆顶部下籽晶至混合熔体中，以0-100r/min的旋转速率旋转籽晶杆，以0.1-5℃/d的速率缓慢降温，同时以O-15mm/h的速度向上提拉晶体；
c、待单晶生长到所需尺度后，加大提拉速度，使晶体脱离熔体液面，以温度1-100℃/h的速率降至室温，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到钠钡硼氧氟双折射晶体。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于步骤a中所述的含钠化合物为纯度99.9%的氧化钠、氢氧化钠、氯化钠、溴化钠、氟化钠、碳酸钠、硝酸钠或偏硼酸钠；所述的含钡化合物为纯度99.9%的氧化钡、氢氧化钡、氯化钡、溴化钡、氟化钡、碳酸钡或硝酸钡；所述的含硼化合物为纯度99.9%的硼酸或氧化硼；所述的含氟化合物为纯度99.9%的氟化钠或氟化钡。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于步骤a中助熔剂为纯度99.9%的氟化钠、氧化钠、氯化钠、氧化硼、偏硼酸钠、氟化钡、氯化钡、溴化钠或硼酸。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于步骤a中Na3Ba2(B3O6)2F与助熔剂的摩尔比为1:0.2-4。
6.根据权利要求1所述的氟硼酸钡钠双折射晶体，其特征在于该晶体在制备用于红外-深紫外波段，为负单轴晶体，ne<no，透过范围180-3300nm，双折射率为0.090(3300nm)-0.240(180nm)之间。
7.根据权利要求1所述的氟硼酸钡钠双折射晶体在制备制作偏振分束棱镜的应用。
8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于所述的偏振分束棱镜为格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜、洛匈棱镜或光束分离偏振器。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103849932A (zh) * 2014-03-13 2014-06-11 中国科学院理化技术研究所 一种氟硼酸钡钠紫外双折射晶体及生长方法和用途
CN106868590A (zh) * 2017-02-21 2017-06-20 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物氟硼酸钡镁和氟硼酸钡镁非线性光学晶体及制备方法和用途
WO2017107608A1 (zh) * 2015-12-24 2017-06-29 中国科学院新疆理化技术研究所 偏硼酸锂晶体及制备方法和用途
CN116282058A (zh) * 2022-12-14 2023-06-23 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物氟化硼酸钠和氟化硼酸钠双折射晶体及制备方法和用途

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115287758B (zh) * 2022-07-11 2024-03-26 上海应用技术大学 六水合钠铷碳氮氧溴双折射光学晶体及其制备方法和用途

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102677171A (zh) * 2012-05-03 2012-09-19 中国科学院理化技术研究所 一种硼酸钡钙双折射晶体及生长方法和用途
CN102839421A (zh) * 2011-06-21 2012-12-26 中国科学院理化技术研究所 可用于紫外深紫外的硼酸盐双折射晶体及生长方法和用途
CN102978702A (zh) * 2011-09-02 2013-03-20 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物氟硼酸钡和氟硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途
CN103074684A (zh) * 2013-01-15 2013-05-01 中国科学院理化技术研究所 用于紫外波段的硼酸盐双折射晶体及生长方法和用途

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US241102A (en) * 1881-05-03 Shoe-stretching device
US5945037A (en) * 1996-03-05 1999-08-31 The Regents Of The University Of California Optical polarizer material
CN101799609B (zh) * 2009-02-11 2012-12-19 中国科学院理化技术研究所 非线性光学晶体BaZnBO3F及其制备方法和用途
CN102021640B (zh) * 2009-09-14 2013-07-24 中国科学院理化技术研究所 BaAlBO3F2非线性光学晶体及生长方法和用途
CN101717643B (zh) * 2009-11-24 2012-09-26 北京工商大学 一种白光led用碱土卤硼酸盐红色荧光材料及其制备方法
CN102337586B (zh) * 2010-07-20 2013-11-27 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物氟硼酸钡非线性光学晶体及其制备方法和用途
DE102010048922A1 (de) * 2010-10-07 2012-04-12 Schott Ag Elektrochemischer Energiespeicher und Verwendung eines glasbasierten Materials zur Herstellung eines Separators für einen solchen
CN103205811B (zh) * 2012-01-16 2015-08-19 中国科学院新疆理化技术研究所 大尺寸氯氟硼酸钡非线性光学晶体及其制备方法和用途
JP2013154286A (ja) * 2012-01-30 2013-08-15 Ohara Inc 光触媒多孔質体
CN103359755B (zh) * 2012-04-09 2015-03-11 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物一氟三硼酸五钡和一氟三硼酸五钡非线性光学晶体及制备方法和用途

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102839421A (zh) * 2011-06-21 2012-12-26 中国科学院理化技术研究所 可用于紫外深紫外的硼酸盐双折射晶体及生长方法和用途
CN102978702A (zh) * 2011-09-02 2013-03-20 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物氟硼酸钡和氟硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途
CN102677171A (zh) * 2012-05-03 2012-09-19 中国科学院理化技术研究所 一种硼酸钡钙双折射晶体及生长方法和用途
CN103074684A (zh) * 2013-01-15 2013-05-01 中国科学院理化技术研究所 用于紫外波段的硼酸盐双折射晶体及生长方法和用途

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
T. B. BEKKER等: "Crystal Growth and Phase Equilibria in the BaB2O4-NaF System", 《CRYSTAL GROWTH AND DESIGN》 *
V.D. ANTSYGIN等: "Optical properties of borate crystals in terahertz region", 《OPTICS COMMUNICATIONS》 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103849932A (zh) * 2014-03-13 2014-06-11 中国科学院理化技术研究所 一种氟硼酸钡钠紫外双折射晶体及生长方法和用途
WO2017107608A1 (zh) * 2015-12-24 2017-06-29 中国科学院新疆理化技术研究所 偏硼酸锂晶体及制备方法和用途
CN106917139A (zh) * 2015-12-24 2017-07-04 中国科学院新疆理化技术研究所 偏硼酸锂晶体的制备方法和用途
CN106917139B (zh) * 2015-12-24 2019-10-15 中国科学院新疆理化技术研究所 偏硼酸锂晶体的制备方法和用途
US10604863B2 (en) 2015-12-24 2020-03-31 Xinjiang Technical Institute Of Physics & Chemistry, Chinese Academy Of Sciences Lithium metaborate crystal, preparation method and use thereof
CN106868590A (zh) * 2017-02-21 2017-06-20 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物氟硼酸钡镁和氟硼酸钡镁非线性光学晶体及制备方法和用途
CN106868590B (zh) * 2017-02-21 2019-02-19 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物氟硼酸钡镁和氟硼酸钡镁非线性光学晶体及制备方法和用途
CN116282058A (zh) * 2022-12-14 2023-06-23 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物氟化硼酸钠和氟化硼酸钠双折射晶体及制备方法和用途

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