CN104620178A - 基板处理装置及元件制造方法 - Google Patents

Abstract

基板处理装置具备：基板支承部件，具有从规定轴以固定半径弯曲的曲面，且基板的一部分被卷绕于曲面而支承基板；处理部，从轴观察时配置在基板支承部件的周围，并对位于周向中特定位置的曲面上的基板实施处理；温度调节装置，对供给到基板支承部件之前的基板的温度进行调节。

Description

基板处理装置及元件制造方法

技术领域

本发明涉及对位于基板支承部件的曲面上的基板实施处理的基板处理装置及元件制造方法。

背景技术

在光刻工序所使用的曝光装置中，已知下述专利文献所公开的那样的、使圆筒状或者圆柱状的光罩旋转而对基板进行曝光的曝光装置(例如，参照专利文献1)。

不仅在使用板状的光罩的情况下，即使在使用圆筒状或者圆柱状的光罩对基板进行曝光的情况下，为了将光罩的图案的像良好地投影曝光在基板上，也需要准确地获取光罩的图案的位置信息。为此，期望研究出能够准确地获取圆筒状或者圆柱状的光罩的位置信息、且能够准确地调整该光罩与基板的位置关系的技术。

因此，在专利文献1所公开的曝光装置中，公开了如下结构：在光罩中的图案形成面的规定区域中，相对于图案以规定的位置关系形成位置信息获取用的标记(刻度、格子等)，利用编码器系统检测标记，由此获取图案形成面的周向上的图案的位置信息、或者光罩的旋转轴向上的位置信息。

另外，近年来也提出了如下装置：为了将大型显示面板(液晶、有机EL等)等电子元件形成于具有挠性的树脂薄膜、塑料片材、极薄玻璃片材等，将卷绕成辊状的具有挠性的长条状的薄膜或片材(以下，也称为挠性基板)拉出，在该挠性基板的表面涂敷光感应层，并在该光感应层上曝光电子电路用的各种图案(例如，专利文献2)。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008－076650号公报

专利文献2：日本特开2010－217877号公报

发明内容

如上述专利文献2所公开的在挠性基板上实施处理的基板处理装置中，要求抑制基板的伸缩，提高处理的精度。

本发明的方案是鉴于上述情况而研发出的，其目的在于提供一种抑制基板的伸缩，提高处理的精度的基板处理装置及元件制造方法。

根据本发明的第1方案，提供一种基板处理装置，其具备：基板支承部件，具有从规定轴以固定半径弯曲的曲面，且基板的一部分被卷绕于所述曲面而支承所述基板；处理部，从轴观察时配置在所述基板支承部件的周围，并对位于周向中特定位置的所述曲面上的所述基板实施处理；温度调节装置，对供给到所述基板支承部件之前的所述基板的温度进行调节。

根据本发明的第2方案，提供一种元件制造方法，其使用本发明的第1方案的基板处理装置而在基板上形成图案。

根据本发明的第3方案，提供一种元件制造方法，其包括：一边沿基板支承部件的在所述长度方向弯曲而成的支承面对具有挠性的长条状的基板的长度方向的一部分进行支承，一边以规定的速度沿所述长度方向搬送所述基板；在所述基板支承部件的支承面中的所述长度方向的特定位置，将构成所述电子元件的图案转印至被支承于所述支承面的所述基板上；进行温度控制，以使相对于所述基板支承部件的支承面位于搬送方向的上游侧的所述基板的温度与在所述支承面的所述基板的温度成为规定的差。

发明效果

根据本发明的方案，在基板处理装置及元件制造方法中，能够抑制基板的伸缩，提高处理的精度。

附图说明

图1是表示第1实施方式的元件制造系统的构成的图。

图2是表示第1实施方式涉及的处理装置(曝光装置)的整体构成的示意图。

图3是表示图2中的照明区域及投影区域的配置的示意图。

图4是表示适用于图2的处理装置(曝光装置)的投影光学系统的构成的示意图。

图5是适用于图2的处理装置(曝光装置)的旋转筒的立体图。

图6是用于说明适用于图2的处理装置(曝光装置)的检测探针与读取装置之间的关系的立体图。

图7是沿旋转中心线方向观察到的第1实施方式涉及的刻度圆盘的用于说明读取装置的位置的图。

图8是说明第1实施方式涉及的温度调节装置的说明图。

图9是说明对准标记的一个例子的说明图。

图10是对由基板的伸缩导致的对准标记的变化的一个例子进行示意性说明的说明图。

图11是表示对第1实施方式涉及的处理装置(曝光装置)的处理进行修正的步骤的一个例子的流程图。

图12是表示第2实施方式涉及的处理装置(曝光装置)的整体构成的示意图。

图13是表示第3实施方式涉及的处理装置(曝光装置)的整体构成的示意图。

图14是表示第4实施方式涉及的处理装置(曝光装置)的整体构成的示意图。

图15是表示第5实施方式涉及的处理装置(曝光装置)的整体构成的示意图。

图16是表示第6实施方式涉及的处理装置(曝光装置)的整体构成的示意图。

图17是表示使用有第1实施方式涉及的处理装置(曝光装置)的元件制造方法的流程图。

具体实施方式

参照附图对用于实施本发明的方式(实施方式)进行详细地说明。本发明不受以下的实施方式所记载的内容限定。另外，以下记载的构成要素包括本领域技术人员容易想到且实质上相同的技术。此外，以下记载的构成要素能够适当组合。另外，在不脱离本发明宗旨的范围内也能够省略、替换或者改变各种构成要素。例如，在以下的实施方式中，作为元件对制造柔性显示器的情况进行说明，但不限于此。作为元件也能够制造布线基板、半导体基板等。

(第1实施方式)

在第1实施方式中，对基板实施曝光处理的基板处理装置是曝光装置。另外，曝光装置被组装在对曝光后的基板实施各种处理而制造元件的元件制造系统中。首先，对元件制造系统进行说明。

＜元件制造系统＞

图1是表示第1实施方式的元件制造系统的构成的图。图1所示的元件制造系统1是制造作为元件的柔性显示器的生产线(柔性显示器生产线)。作为柔性显示器，例如有有机EL显示器等。该元件制造系统1是从将具有挠性的基板P卷绕成辊状的供给用辊FR1送出该基板P，并对送出的基板P连续地实施各种处理后，将处理后的基板P作为具有挠性的元件卷绕于回收用辊FR2的、所谓卷对卷(Roll to Roll)的方式。在第1实施方式的元件制造系统1中，示出了作为薄膜状的片材的基板P被从供给用辊FR1送出，且从供给用辊FR1送出的基板P依次经过n台处理装置U1、U2、U3、U4、U5、…Un直至被卷绕于回收用辊FR2为止的例子。首先，对作为元件制造系统1的处理对象的基板P进行说明。

基板P例如使用树脂薄膜、由不锈钢等金属或者合金形成的箔(foil)等。作为树脂薄膜的材质，例如包含聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酯树脂、乙烯乙烯酯共聚物树脂、聚氯乙烯树脂、纤维素树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯乙烯树脂、乙酸乙烯酯树脂中的一种或者两种以上。

优选的是，基板P选定热膨胀系数不是明显较大的材料，以使得实际上能够忽视因在对基板P实施的各种处理中受热而产生的变形量。热膨胀系数例如可以通过将无机填料混合于树脂薄膜中而设定为比与工艺温度等相应的阈值小。无机填料例如可以是氧化钛、氧化锌、氧化铝、氧化硅等。另外，基板P可以是通过浮式法等制造的厚度为100μm左右的极薄玻璃的单层体，也可以是在该极薄玻璃上粘贴上述树脂薄膜、箔等而成的层叠体。

这样构成的基板P，被卷绕成辊状而成为供给用辊FR1，该供给用辊FR1被安装于元件制造系统1。安装有供给用辊FR1的元件制造系统1，对从供给用辊FR1送出的基板P重复执行用于制造一个元件的各种处理。因此，处理后的基板P成为多个元件连接的状态。就是说，从供给用辊FR1送出的基板P成为多件同时处理用的基板。另外，基板P可以是预先通过规定的前处理对其表面进行改性而使其活性化的部件，或者，也可以是在表面上形成有用于精密图案化的微细的隔壁构造(凹凸构造)的部件。

处理后的基板P被卷绕成辊状作为回收用辊FR2而被回收。回收用辊FR2安装于未图示的切割装置。安装有回收用辊FR2的切割装置将处理后的基板P按每个元件分割(切割)而成为多个元件。基板P的尺寸例如为，宽度方向(成为短边的方向)的尺寸为10cm～2m左右，长度方向(成为长边的方向)的尺寸为10m以上。此外，基板P的尺寸不限于上述的尺寸。

接下来，参照图1，对元件制造系统1进行说明。在图1中，X方向、Y方向及Z方向为正交的直角坐标系。X方向是在水平面内将供给用辊FR1及回收用辊FR2连结的方向，是图1中的左右方向。Y方向是在水平面内与X方向正交的方向，是图1中的前后方向。Y方向是供给用辊FR1及回收用辊FR2的轴方向。Z方是向铅垂方向，是图1中的上下方向。

元件制造系统1具备供给基板P的基板供给装置2、对由基板供给装置2供给来的基板P实施各种处理的处理装置U1～Un、对由处理装置U1～Un实施了处理的基板P进行回收的基板回收装置3、和对元件制造系统1的各装置进行控制的上位控制装置5。

基板供给装置2能够旋转地安装有供给用辊FR1。基板供给装置2具有从安装的供给用辊FR1送出基板P的驱动辊DR1、和调整基板P的宽度方向(Y方向)上的位置的边缘位置控制器EPC1。驱动辊DR1一边夹持基板P的表背两面一边旋转，将基板P从供给用辊FR1朝向回收用辊FR2的搬送方向送出，由此将基板P供给处理装置U1～Un。这时，边缘位置控制器EPC1，以使得基板P在宽度方向的端部(边缘)的位置相对于目标位置位于±十几μm～几十μm左右的范围内的方式使基板P在宽度方向上移动，从而修正基板P的宽度方向(Y方向)上的位置。

基板回收装置3上能够旋转地安装有回收用辊FR2。基板回收装置3具有将处理后的基板P拉向回收用辊FR2侧的驱动辊DR2、和调整基板P的宽度方向(Y方向)上的位置的边缘位置控制器EPC2。基板回收装置3通过驱动辊DR2一边夹持基板P的表背两面一边旋转，将基板P拉向搬送方向并且使回收用辊FR2旋转，由此卷绕基板P。这时，边缘位置控制器EPC2与边缘位置控制器EPC1同样地构成，修正基板P的宽度方向上的位置，以免基板P的宽度方向的端部(边缘)在宽度方向上产生不均。

处理装置U1是将感光性功能液涂敷于从基板供给装置2供给来的基板P的表面的涂敷装置。作为感光性功能液，例如可以使用抗蚀剂、感光性硅烷耦合剂材料、UV固化树脂液等。处理装置U1从基板P的搬送方向的上游侧开始依次设有涂敷机构Gp1和干燥机构Gp2。涂敷机构Gp1具有使基板P卷绕的压印辊R1、和与压印辊R1相对的涂敷辊R2。涂敷机构Gp1在被供给的基板P卷绕于压印辊R1的状态下，通过压印辊R1及涂敷辊R2夹持基板P。而且，涂敷机构Gp1通过使压印辊R1及涂敷辊R2旋转，一边使基板P沿搬送方向移动，一边通过涂敷辊R2涂敷感光性功能液。干燥机构Gp2吹出热风或干燥空气等干燥用空气，除去感光性功能液中所包含的溶质(溶剂或者水分)，并使涂敷有感光性功能液的基板P干燥，由此在基板P上形成感光性功能层。

处理装置U2是加热装置，为了使形成于基板P的表面的感光性功能层稳定，将从处理装置U1搬送来的基板P加热至规定温度(例如，几十℃～120℃左右)。处理装置U2从基板P的搬送方向的上游侧开始依次设有加热腔室HA1和冷却腔室HA2。加热腔室HA1在其内部设有多个辊及多个空气转向杆(air turn bar)，多个辊及多个空气转向杆构成基板P的搬送路径。多个辊以旋转接触基板P的背面的方式设置，多个空气转向杆以不接触状态设置于基板P的表面侧。多个辊及多个空气转向杆是为了加长基板P的搬送路径，而形成蛇行状的搬送路径的配置。从加热腔室部HA1内通过的基板P，一边沿蛇行状的搬送路径被搬送一边被加热至规定温度。冷却腔室HA2使基板P冷却至环境温度，以使在加热腔室部HA1加热后的基板P的温度与之后工序(处理装置U3)的环境温度一致。冷却腔室HA2在其内部设有多个辊，与加热腔室HA1同样地，多个辊是加长基板P的搬送路径，而形成蛇行状的搬送路径的配置。从冷却腔室HA2内通过的基板P，一边沿蛇行状的搬送路径被搬送一边被冷却。在冷却腔室HA2的搬送方向上的下游侧，设有驱动辊DR3，驱动辊DR3一边夹持从冷却腔室HA2通过后的基板P一边旋转，由此将基板P朝向处理装置U3供给。

处理装置(基板处理装置)U3是曝光装置，对从处理装置U2供给来的表面形成有感光性功能层的基板(感光基板)P，将显示器用的电路或布线等的图案进行投影曝光(转印)。详细内容留作后述，处理装置U3对透过型或者反射型的圆筒光罩(光罩)DM照射照明光束，将照明光束透过圆筒光罩(光罩)DM或者由其反射而得到的投影光束投影曝光于基板P。处理装置U3具有将从处理装置U2供给来的基板P送至搬送方向的下游侧的驱动辊DR4、和调整基板P的宽度方向(Y方向)上的位置的边缘位置控制器EPC。驱动辊DR4一边夹持基板P的表背两面一边旋转，将基板P送出至搬送方向的下游侧，由此将基板P朝向曝光位置供给。边缘位置控制器EPC与边缘位置控制器EPC1同样地构成，修正基板P的宽度方向上的位置，以使曝光位置上的基板P的宽度方向成为目标位置。处理装置U3通过温度调节装置60调整边缘位置控制器EPC供给的基板P的温度之后，由驱动辊DR5搬送基板P。

另外，处理装置U3具备缓冲部DL，该缓冲部DL具有在对曝光后的基板P赋予松弛度的状态下，将基板P送至搬送方向的下游侧的两组驱动辊DR6、DR7。两组驱动辊DR6、DR7在基板P的搬送方向上相隔规定的间隔而配置。驱动辊DR6夹持搬送的基板P的上游侧而旋转，驱动辊DR7夹持搬送的基板P的下游侧而旋转，由此将基板P朝向处理装置U4供给。这时，基板P由于被赋予松弛度，因此能够吸收在比驱动辊DR7靠搬送方向的下游侧所产生的搬送速度的变动，从而能够消除搬送速度的变动导致的对基板P的曝光处理的影响。另外，在处理装置U3内，为了将圆筒光罩(光罩)DM的光罩图案的一部分的像和基板P进行相对地对位(对准)，而设有检测预先形成在基板P上的对准标记的对准显微镜AMG1、AMG2。

处理装置U4是湿式处理装置，其对从处理装置U3搬送来的曝光后的基板P，进行湿式的显影处理、无电解电镀处理等。处理装置U4在其内部具有：沿铅垂方向(Z方向)分层的3个处理槽BT1、BT2、BT3、和搬送基板P的多个辊。多个辊以成为基板P依次从3个处理槽BT1、BT2、BT3的内部通过的搬送路径的方式配置。在处理槽BT3的搬送方向上的下游侧，设有驱动辊DR8，驱动辊DR8一边夹持从处理槽BT3通过后的基板P一边旋转，由此将基板P朝向处理装置U5供给。

虽省略图示，但处理装置U5是干燥装置，其对从处理装置U4搬送来的基板P进行干燥。处理装置U5将在处理装置U4中经湿式处理的基板P所附着的水分含量调整为规定的水分含量。通过处理装置U5被干燥的基板P经过几个处理装置，被搬送至处理装置Un。而且，在以处理装置Un处理后，基板P被基板回收装置3的回收用辊FR2卷起。

上位控制装置5对基板供给装置2、基板回收装置3及多个处理装置U1～Un进行统括控制。上位控制装置5控制基板供给装置2及基板回收装置3，而使基板P从基板供给装置2朝向基板回收装置3搬送。另外，上位控制装置5一边使基板P的搬送同步，一边控制多个处理装置U1～Un，从而执行对基板P的各种处理。

＜曝光装置(基板处理装置)＞

接下来，参照图2至图4，对第1实施方式的作为处理装置U3的曝光装置(基板处理装置)的构成进行说明。图2是表示第1实施方式的曝光装置(基板处理装置)的整体构成的图。图3是表示图2所示的曝光装置的照明区域及投影区域的配置的图。图4是表示图2所示的曝光装置的投影光学系统的构成的图。

如图2所示，处理装置U3包括曝光装置(处理机构)EX、搬送装置9和温度调节装置60。曝光装置EX通过搬送装置9供给基板P(片材、薄膜等)。曝光装置EX是所谓的扫描曝光装置，一边使圆筒光罩DM的旋转和具有挠性的基板P的传送同步驱动，一边经由投影倍率为等倍(×1)的投影光学系统PL(PL1～PL6)将形成在圆筒光罩DM上的图案的像投影至基板P。此外，图2所示的曝光装置EX，将直角坐标系XYZ的Y轴设定为与第1筒部件21的旋转中心线AX1平行。同样地，曝光装置EX将直角坐标系XYZ的Y轴设定为与作为旋转筒的第2筒部件22的旋转中心线AX2平行。

如图2所示，曝光装置EX具备光罩保持装置12、照明机构IU、投影光学系统PL、及控制装置14。曝光装置EX使保持在光罩保持装置12上的圆筒光罩DM旋转移动，并且通过搬送装置9搬送基板P。照明机构IU通过照明光束EL1以均匀的亮度对保持在光罩保持装置12上的圆筒光罩DM的一部分(照明区域IR)进行照明。投影光学系统PL将圆筒光罩DM上的照明区域IR中的图案的像投影至由搬送装置9搬送的基板P的一部分(投影区域PA)中。随着圆筒光罩DM的移动，配置于照明区域IR的圆筒光罩DM上的部位会发生变化，另外，随着基板P的移动，配置于投影区域PA的基板P上的部位会发生变化。由此，圆筒光罩DM上的规定的图案(光罩图案)的像被投影于基板P。控制装置14控制曝光装置EX的各部分，使各部分执行处理。另外，在本实施方式中，控制装置14控制搬送装置9。

此外，控制装置14可以是上述元件制造系统1的统括控制多个处理装置的上位控制装置5的一部分或者全部。另外，控制装置14也可以是被上位控制装置5控制的、与上位控制装置5不同的装置。控制装置14例如包含计算机系统。计算机系统例如包含CPU及各种存储器或OS、周边设备等硬件。处理装置U3的各部分的动作的过程以程序的形式存储在计算机可读取的记录介质的存储部中，通过计算机系统读取并执行该程序，来进行各种处理。计算机系统能够与互联网或局域网系统连接的情况下，也包括主页提供环境(或者显示环境)。另外，计算机可读取的记录介质包含软盘、光磁盘、ROM、CD－ROM等可移动介质、内置于计算机系统中的硬盘等存储装置。计算机可读取的记录介质也包括：如经由互联网等网络和/或电话线路等通信线路发送程序的情况下的通信线那样，在短时间内动态地保持程序的介质；如该情况下的成为服务器或客户端的计算机系统内部的易失性存储器那样，将程序保持一定时间的介质。另外，程序可以是用于实现处理装置U3的一部分功能的程序，也可以是通过与已记录在计算机系统中的程序组合而能够实现处理装置U3的功能的程序。上位控制装置5与控制装置14同样地，能够利用计算机系统实现。

如图2所示，光罩保持装置12具备：保持圆筒光罩DM的第1筒部件21；支承第1筒部件21的引导辊23；根据控制装置14的控制指令，第1驱动部26驱动第1筒部件21的驱动辊24；及检测第1筒部件21的位置的第1检测器25。

第1筒部件21是具有从作为规定轴的旋转中心线AX1(以下，也称为第1中心轴AX1)以固定半径弯曲的曲面的圆筒部件，绕规定轴旋转。第1筒部件21形成第1面P1，该第1面P1配置有圆筒光罩DM上的照明区域IR。在本实施方式中，第1面P1包含使线段(母线)绕与该线段平行的轴(第1中心轴AX1)旋转而成的面(以下，称为圆筒面)。圆筒面例如是圆筒的外周面、圆柱的外周面等。第1筒部件21由例如玻璃或石英等构成，是具有一定壁厚的圆筒状，其外周面(圆筒面)形成第1面P1。即，在本实施方式中，圆筒光罩DM上的照明区域IR弯曲成从旋转中心线AX1具有固定半径r1的圆筒面状。这样，第1筒部件21具有从作为规定轴的旋转中心线AX1以固定半径弯曲的曲面。而且，第1筒部件21被驱动辊24驱动，能够绕作为规定轴的旋转中心线AX1旋转。

圆筒光罩DM作为透过型的平面状片光罩而制作成，该透过型的平面状片光罩例如是通过铬等遮光层在平坦性良好的长条状的极薄玻璃板(例如厚度100～500μm)的一个面上形成图案而成的。光罩保持装置12使圆筒光罩DM仿照第1筒部件21的外周面的曲面而弯曲，在卷绕(粘贴)于该曲面的状态下使用。圆筒光罩DM具有未形成图案的图案非形成区域，并在图案非形成区域中安装于第1筒部件21。圆筒光罩DM能够相对于第1筒部件21拆卸(release)。

此外，也可以代替由极薄玻璃板构成圆筒光罩DM并将该圆筒光罩DM卷绕于由透明圆筒母材形成的第1筒部件21的结构，而是在由透明圆筒母材形成的第1筒部件21的外周面上，直接描绘形成基于铬等遮光层而实现的光罩图案并使其一体化。在该情况下，第1筒部件21也作为圆筒光罩DM的图案的支承部件发挥功能。

第1检测器25能够光学地检测第1筒部件21的旋转位置，例如由旋转编码器等构成。第1检测器25将表示所检测到的第1筒部件21的旋转位置的信息，例如来自后述的编码器读头的双相信号等输出至控制装置14。包含电动马达等致动器的第1驱动部26按照从控制装置14输入的控制信号，来调整用于使驱动辊24旋转的转矩及旋转速度。控制装置14通过基于第1检测器25的检测结果控制第1驱动部26，来控制第1筒部件21的旋转位置。而且，控制装置14控制保持在第1筒部件21上的圆筒光罩DM的旋转位置和旋转速度的一方或者双方。

第2筒部件22是具有从作为规定轴的旋转中心线AX2(以下，也称为第2中心轴AX2)以固定半径弯曲的曲面(第1曲面)的圆筒部件，是绕规定轴旋转的旋转筒。第2筒部件22形成第2面(支承面)P2，该第2面(支承面)P2将包含来自投影光学系统PL的成像光束所投射的基板P上的投影区域PA在内的一部分支承为圆弧状(圆筒状)。另外，第2筒部件22是通过从包含电动马达等致动器的第2驱动部36供给的转矩而旋转的驱动辊DR5。

这样，第2筒部件22是驱动辊DR5，并且兼作支承曝光(处理)对象的基板P的基板支承部件(基板载台)。即，第2筒部件22也可以是曝光装置EX的一部分。而且，第2筒部件22能够绕第2筒部件22的旋转中心线AX2(第2中心轴AX2)旋转，基板P仿照第2筒部件22上的外周面(圆筒面)弯曲成圆筒面状，在弯曲的部分的一部分上配置投影区域PA。

在本实施方式中，如图2所示，在从第2筒部件22的第2中心轴AX2观察时，到达至投影区域PA的成像光束EL2中的、从投影区域PA的各中心点通过的主光线，分别隔着中心面P3而在周向上配置在角度θ的位置上，并到达第1特定位置PX1、第2特定位置PX2。而且，在从旋转中心线AX2观察时，位于第1特定位置PX1和第2特定位置PX2之间的特定位置PX，是位于第2筒部件22的曲面上的基板P的被平均地曝光的区域的中心。

搬送装置9具备驱动辊DR4、第2筒部件22(驱动辊DR5)、驱动辊DR6。搬送装置9使基板P沿搬送基板P的搬送方向移动，以使得基板P从第1特定位置PX1、特定位置PX及第2特定位置PX2通过。第2驱动部36按照从控制装置14输出的控制信号，来调整使第2筒部件22旋转的转矩。

在本实施方式中，从搬送路径的上游向驱动辊DR4搬送来的基板P经由驱动辊DR4被搬送至温度调节装置60。温度调节装置60按照从控制装置14输出的控制信号，调整向第2筒部件22供给之前的基板P的温度。经由温度调节装置60调节温度后的基板P被第1引导部件31、第2引导部件32引导，而向第2筒部件22搬送。基板P被支承于第2筒部件22的表面，向第3引导部件33搬送。经由第3引导部件33的基板P，向搬送路径的下游搬送。此外，第2筒部件22(驱动辊DR5)的旋转中心线AX2与驱动辊DR4、DR6的各旋转中心线均设定为与Y轴平行。

在第2筒部件22的周围，配置有限制搬送基板P的搬送方向、且引导基板P的第1引导部件31、第2引导部件32及第3引导部件33。第2筒部件22卷绕基板P的一部分，支承从基板P开始与第2面P2的曲面接触的搬送方向的进入位置IA到基板P开始从第2面P2的曲面离开的搬送方向的脱离位置OA为止的基板P。第2引导部件32及第3引导部件33，例如通过沿基板P的搬送方向移动，来调整搬送路径中作用于基板P的张力等。另外，第2引导部件32及第3引导部件33，例如通过沿基板P的搬送方向移动，能够调整卷绕于第2筒部件22的外周的上述进入位置IA及脱离位置OA等。此外，搬送装置9、第1引导部件31、第2引导部件32及第3引导部件33只要能沿投影光学系统PL的投影区域PA搬送基板P即可，能够适当改变搬送装置9、第1引导部件31、第2引导部件32及第3引导部件33的构成。

第2检测器35例如由旋转编码器等构成，光学地检测第2筒部件22的旋转位置。第2检测器35将表示所检测到的第2筒部件22的旋转位置的信息(例如，后述的来自编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4、EN5的双相信号等)输出至控制装置14。控制装置14通过基于第2检测器35的检测结果控制第2驱动部36，来控制第2筒部件22的旋转位置，使第1筒部件21(圆筒光罩DM)和第2筒部件22同步移动(同步旋转)。此外，关于第2检测器35的详细构成将后述。

本实施方式的曝光装置EX是假定了搭载所谓多透镜方式的投影光学系统PL的曝光装置。投影光学系统PL具备对圆筒光罩DM的图案中的一部分的像进行投影的多个投影组件。例如，在图2中，在中心面P3的左侧沿Y方向以固定间隔配置有三个投影组件(投影光学系统)PL1、PL3、PL5，在中心面P3的右侧也沿Y方向以固定间隔配置有三个投影组件(投影光学系统)PL2、PL4、PL6。

在这种多透镜方式的曝光装置EX中，利用扫描使通过多个投影组件PL1～PL6而被曝光的区域(投影区域PA1～PA6)的Y方向上的端部相互重合，由此投影所期望的图案的整体像。这种曝光装置EX具有如下优点：即使在圆筒光罩DM上的图案的Y方向尺寸增大从而必然产生对Y方向的宽度较大的基板P进行处理的必要性的情况下，也只需沿Y方向增设投影组件PL、和与投影组件PL对应的照明机构IU侧的组件即可，因此能够容易地应对面板尺寸(基板P的宽度)的大型化。

此外，曝光装置EX也可以不是多透镜方式。例如，在基板P的宽度方向上的尺寸在某种程度上较小的情况下等，曝光装置EX也可以通过一个投影组件而将图案的整个宽度的像投影至基板P。另外，多个投影组件PL1～PL6可以分别投影与一个元件对应的图案。即，曝光装置EX也可以通过多个投影组件并行地投影多个元件用的图案。

本实施方式的照明机构IU具备光源装置13及照明光学系统。照明光学系统具备与多个投影组件PL1～PL6分别对应地沿Y轴方向排列的多个(例如六个)照明组件IL。光源装置13例如包含水银灯等灯光源、或者激光二极管、发光二极管(LED)等固体光源。光源装置13所射出的照明光是例如从灯光源射出的明线(g线、h线、i线)、KrF准分子激光(波长248nm)等远紫外光(DUV光)、ArF准分子激光(波长193nm)等。从光源装置射出的照明光的照度分布均匀，例如经由光纤等导光部件而被分配至多个照明组件IL。

多个照明组件IL分别包含透镜等多个光学部件。在本实施方式中，将从光源装置13射出并从多个照明组件IL中的任一个通过的光称为照明光束EL1。多个照明组件IL分别包含例如积分器光学系统、柱状透镜、复眼透镜等，通过均匀的照度分布的照明光束EL1对照明区域IR进行照明。在本实施方式中，多个照明组件IL配置于圆筒光罩DM的内侧。多个照明组件IL分别从圆筒光罩DM的内侧对形成在圆筒光罩DM的外周面上的光罩图案的各照明区域IR进行照明。

图3是表示本实施方式中的照明区域IR及投影区域PA的配置的图。此外，在图3中图示出了从－Z侧观察配置于第1筒部件21上的圆筒光罩DM上的照明区域IR时的平面图(图3中的左侧的图)、和从+Z侧观察配置于第2筒部件22上的基板P上的投影区域PA时的平面图(图3中的右侧的图)。图3中的附图标记Xs表示第1筒部件21或者第2筒部件22的旋转方向(移动方向)。

多个照明组件IL分别对圆筒光罩DM上的第1照明区域IR1到第6照明区域IR6进行照明。例如，第1照明组件IL对第1照明区域IR1进行照明，第2照明组件IL对第2照明区域IR2进行照明。

将第1照明区域IR1设为沿Y方向细长的梯形状的区域进行说明，但是，如投影光学系统(投影组件)PL那样，在形成中间像面的构成的投影光学系统的情况下，为了能够在该中间像的位置配置具有梯形开口的视场光阑板，也可以设为包含该梯形开口的长方形的区域。第3照明区域IR3及第5照明区域IR5分别为形状与第1照明区域IR1相同的区域，且沿Y轴方向空出固定间隔地配置。另外，第2照明区域IR2是关于中心面P3而与第1照明区域IR1对称的梯形状(或者长方形)的区域。第4照明区域IR4及第6照明区域IR6分别为与第2照明区域IR2相同形状的区域，且沿Y轴方向空出固定间隔地配置。

如图3所示，在沿第1面P1的周向观察第1照明区域IR1到第6照明区域IR6的各区域的情况下，以使相邻的梯形状的照明区域的斜边部的三角部重合(重叠)的方式配置。因此，例如通过第1筒部件21的旋转而从第1照明区域IR1通过的圆筒光罩DM上的第1区域A1，和通过第1筒部件21的旋转而从第2照明区域IR2通过的圆筒光罩DM上的第2区域A2有一部分重复。

在本实施方式中，圆筒光罩DM包括：形成有图案的图案形成区域A3、和未形成图案的图案非形成区域A4。该图案非形成区域A4以呈框状地包围图案形成区域A3的方式配置，具有遮蔽照明光束EL1的特性。圆筒光罩DM的图案形成区域A3随着第1筒部件21的旋转而沿移动方向Xs移动，图案形成区域A3中的Y轴方向上的各部分区域从第1照明区域IR1至第6照明区域IR6中的任一个通过。换言之，第1照明区域IR1至第6照明区域IR6以将图案形成区域A3的Y轴方向上的整个宽度覆盖的方式配置。

如图2所示，沿Y轴方向排列的多个投影组件PL1～PL6分别与第1至第6照明组件IL一对一地对应，将在由相对应的照明组件照亮的照明区域IR内所显现的圆筒光罩DM的局部图案的像，投影至基板P上的各投影区域PA。

例如，第1投影组件PL1与第1照明组件IL相对应，将由第1照明组件IL照亮的第1照明区域IR1(参照图3)中的圆筒光罩DM的图案的像，投影至基板P上的第1投影区域PA1。第3投影组件PL3、第5投影组件PL5分别与第3照明组件IL、第5照明组件IL相对应。第3投影组件PL3及第5投影组件PL5在从Y轴方向观察时配置在与第1投影组件PL1重合的位置。

另外，第2投影组件PL2与第2照明组件IL相对应，将由第2照明组件IL照亮的第2照明区域IR2(参照图3)中的圆筒光罩DM的图案的像，投影至基板P上的第2投影区域PA2。第2投影组件PL2在从Y轴方向观察时配置在隔着中心面P3而与第1投影组件PL1对称的位置。

第4投影组件PL4、第6投影组件PL6分别与第4照明组件IL、第6照明组件IL对应地配置，第4投影组件PL4以及第6投影组件PL6在从Y轴方向观察时配置在与第2投影组件PL2重合的位置。

此外，在本实施方式中，将从照明机构IU的各照明组件IL到达至圆筒光罩DM上的各照明区域IR1～IR6内的光设为照明光束EL1。另外，将受到与各照明区域IR1～IR6中所显现的圆筒光罩DM的部分图案相应的强度分布调制后入射至各投影组件PL1～PL6并到达至各投影区域PA1～PA6内的光，设为成像光束EL2。而且，如图2所示，在从第2筒部件22的第2中心轴AX2观察时，到达至各投影区域PA1～PA6内的成像光束EL2中的、从投影区域PA1～PA6的各中心点通过的主光线，隔着中心面P3而在周向上分别配置在角度θ的位置(特定位置)。

如图3所示，第1照明区域IR1中的图案的像被投影至第1投影区域PA1，第3照明区域IR3中的图案的像被投影至第3投影区域PA3，第5照明区域IR5中的图案的像被投影至第5投影区域PA5。在本实施方式中，第1投影区域PA1、第3投影区域PA3及第5投影区域PA5以沿Y轴方向并排为一列的方式配置。

另外，第2照明区域IR2中的图案的像被投影至第2投影区域PA2。在本实施方式中，第2投影区域PA2在从Y轴方向观察时关于中心面P3而与第1投影区域PA1对称地配置。另外，第4照明区域IR4中的图案的像被投影至第4投影区域PA4，第6照明区域IR6中的图案的像被投影至第6投影区域PA6。在本实施方式中，第2投影区域PA2、第4投影区域PA4及第6投影区域PA6以沿Y轴方向并排为一列的方式配置。

第1投影区域PA1至第6投影区域PA6分别以如下方式配置：在沿第2面P2的周向观察的情况下，在与第2中心轴AX2平行的方向上相邻的投影区域(第奇数个和第偶数个)彼此的端部(梯形的三角部分)重合。因此，例如通过第2筒部件22的旋转而从第1投影区域PA1通过的基板P上的第3区域A5，与通过第2筒部件22的旋转而从第2投影区域PA2通过的基板P上的第4区域A6有一部分重复。第1投影区域PA1和第2投影区域PA2的各自的形状等设定为：使第3区域A5和第4区域A6重复的区域中的曝光量与不重复的区域的曝光量实质上相同。而且，第1投影区域PA1至第6投影区域PA6以将曝光在基板P上的曝光区域A7的Y方向上的整个宽度覆盖的方式配置。

接下来，参照图4说明本实施方式的投影光学系统PL的详细构成。此外，在本实施方式中，第2投影组件PL2至第5投影组件PL5分别为与第1投影组件PL1相同的构成。因此，以第1投影组件PL1的构成为代表而说明投影光学系统PL，省略第2投影组件PL2至第5投影组件PL5的各自的说明。

图4所示的第1投影组件PL1具备：第1光学系统41，其使配置于第1照明区域IR1的圆筒光罩DM的图案的像在中间像面P7上成像；第2光学系统42，其使第1光学系统41所形成的中间像的至少一部分在基板P的第1投影区域PA1内再成像；和第1视场光阑43，其配置于供中间像形成的中间像面P7。

另外，第1投影组件PL1具备：聚焦修正光学部件44、像偏移修正光学部件45、旋转修正机构46及倍率修正用光学部件47。聚焦修正光学部件44是对形成在基板P上的光罩的图案像(以下称为投影像)的聚焦状态进行微调整的聚焦调整装置。另外，像偏移修正光学部件45是使投影像在像面内微少地横向偏移的偏移调整装置。倍率修正用光学部件47是对投影像的倍率进行微少修正的倍率调整装置。旋转修正机构46是使投影像在像面内微少旋转的偏移调整装置。

来自圆筒光罩DM的图案的成像光束EL2从第1照明区域IR1沿法线方向(D1)射出，从聚焦修正光学部件44通过而入射至像偏移修正光学部件45。透过像偏移修正光学部件45后的成像光束EL2由作为第1光学系统41的要素的第1偏转部件50的第1反射面(平面镜)p4反射，从第1透镜组51通过而由第1凹面镜52反射，并再次从第1透镜组51通过而由第1偏转部件50的第2反射面(平面镜)p5反射，而入射至第1视场光阑43。从第1视场光阑43通过后的成像光束EL2由作为第2光学系统42的要素的第2偏转部件57的第3反射面(平面镜)p8反射，从第2透镜组58通过而由第2凹面镜59反射，并再次从第2透镜组58通过而由第2偏转部件57的第4反射面(平面镜)p9反射，而入射至倍率修正用光学部件47。从倍率修正用光学部件47射出的成像光束EL2入射至基板P上的第1投影区域PA1，在第1照明区域IR1内显现的图案的像等倍(×1)地投影至第1投影区域PA1。

将图2所示的圆筒光罩DM的半径设为半径r1，将卷绕于第2筒部件22上的基板P的圆筒状的表面的半径设为半径r2，在使半径r1和半径r2相等的情况下，各投影组件PL1～PL6的光罩侧的成像光束EL2的主光线以从圆筒光罩DM的旋转中心线AX1通过的方式倾斜，但其倾斜角与基板侧的成像光束EL2的主光线的倾斜角θ(相对于中心面P3为±θ)相同。

第2偏转部件57的第3反射面p8与第2光轴AX4所成的角度θ3，和第1偏转部件50的第2反射面p5与第1光轴AX3所成的角度θ2实质上相同。另外，第2偏转部件57的第4反射面p9与第2光轴AX4所成的角度θ4，和第1偏转部件50的第1反射面p4与第1光轴AX3所成的角度θ1实质上相同。为了提供上述的倾斜角θ，使图4所示的第1偏转部件50的第1反射面p4相对于第1光轴AX3的角度θ1比45°仅小Δθ1，并使第2偏转部件57的第4反射面p9相对于第2光轴AX4的角度θ4比45°仅小Δθ4。Δθ1和Δθ4相对于图2所示的角度θ设定为Δθ1＝Δθ4＝θ/2的关系。

图5是适用于图2的处理装置(曝光装置)的旋转筒的立体图。图6是用于说明适用于图2的处理装置(曝光装置)的检测探针与读取装置的关系的立体图。图7是用于说明在旋转中心线AX2方向上观察第1实施方式涉及的刻度圆盘SD时的、读取装置的位置的说明图。此外，在图5中，为了方便，仅图示出第2投影区域PA2～第4投影区域PA4，省略了第1投影区域PA1、第5投影区域PA5、第6投影区域PA6的图示。

图2所示的第2检测器35是光学地检测第2筒部件22的旋转位置的部件，包含高真圆度的刻度圆盘(刻度部件)SD、和作为读取装置的编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4、EN5。

刻度圆盘SD固定在与第2筒部件22的旋转轴ST正交的第2筒部件22的端部。因此，刻度圆盘SD与旋转轴ST一同绕旋转中心线AX2一体地旋转。在刻度圆盘SD的外周面上刻设有例如刻度(格子)作为刻度部GP。刻度部GP沿第2筒部件22旋转的周向呈环状地排列，且与第2筒部件22一同在旋转轴ST(第2中心轴AX2)的周围旋转。编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4、EN5在从旋转轴ST(第2中心轴AX2)观察时配置于刻度部GP的周围。编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4、EN5与刻度部GP相对配置，能够以非接触的方式读取刻度部GP。另外，编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4、EN5配置于第2筒部件22的周向上的不同位置。

编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4、EN5是对刻度部GP的切线方向(XZ面内)的位移的变动具有测量灵敏度(检测灵敏度)的读取装置。如图5所示，在用设置方位线Le1、Le2、Le3、Le4、Le5表示编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4、EN5的设置方位(以旋转中心线AX2为中心的XZ面内的角度方向)的情况下，如图7所示，以设置方位线Le1、Le2相对于中心面P3成为角度±θ°的方式配置编码器读头EN1、EN2。此外，在本实施方式中，例如角度θ为15°。

图4所示的投影组件PL1～PL6是将基板P设为被处理物体、并对基板P实施照射光的照射处理的曝光装置EX的处理部。曝光装置EX相对于基板P而使2个成像光束EL2的主光线入射至基板P。投影组件PL1、PL3、PL5为第1处理部，投影组件PL2、PL4、PL6为第2处理部，相对于基板P而使2个成像光束EL2的主光线入射至基板P上的各位置成为对基板P实施照射光的照射处理的特定位置。特定位置是在从第2筒部件22的第2中心轴AX2观察时，为第2筒部件22上的曲面的基板P中的、隔着中心面P3而在周向上为角度±θ的位置。编码器读头EN1的设置方位线Le1与从第奇数个投影组件PL1、PL3、PL5的各投影区域(投影视场)PA1、PA3、PA5的中心点通过的主光线相对于中心面P3的倾斜角θ一致，编码器读头EN2的设置方位线Le2与从第偶数个投影组件PL2、PL4、PL6的各投影区域(投影视场)PA2、PA4、PA6的中心点通过的主光线相对于中心面P3的倾斜角θ一致。因此，编码器读头EN1成为对位于将第1特定位置PX1与第2中心轴AX2连结的方向上的刻度部GP进行读取的读取装置。而且，编码器读头EN2成为对位于将第2特定位置PX2与第2中心轴AX2连结的方向上的刻度部GP进行读取的读取装置。

编码器读头EN4配置于基板P的传送方向的后方侧、即曝光位置(投影区域)的近前方，且设定在设置方位线Le4上，该设置方位线Le4是使编码器读头EN1的设置方位线Le1绕旋转中心线AX2的轴朝向基板P的传送方向的后方侧旋转而得到的。另外，在设置方位线Le5上设定编码器读头EN5，该设置方位线Le5是使编码器读头EN1的设置方位线Le1绕旋转中心线AX2的轴朝向基板P的传送方向的后方侧旋转而得到的。

另外，编码器读头EN3相对于编码器读头EN1、EN2配置于隔着旋转中心线AX2的相反侧，其设置方位线Le3设定于中心面P3上。

作为刻度部件的刻度圆盘SD以低热膨胀的金属、玻璃、陶瓷等为母材，且为了提高测量分辨率而以成为尽可能大的直径(例如直径20cm以上)的方式制作。在图5中，刻度圆盘SD的直径图示得比第2筒部件22的直径小，但是，通过使第2筒部件22的外周面中的、卷绕基板P的外周面的直径、与刻度圆盘SD的刻度部GP的直径一致(大致一致)，能够进一步减小所谓的测量阿贝误差。

沿刻度部GP的周向刻设的刻度(格子)的最小间距受到加工刻度圆盘SD的刻度刻线装置等的性能的限制。因此，若将刻度圆盘SD的直径形成得较大，则能够与此相应地也提高与最小间距对应的角度测量分辨率。

使配置有对刻度部GP进行读取的编码器读头EN1、EN2的设置方位线Le1、Le2的方向，在从旋转中心线AX2观察时相对于基板P而与成像光束EL2的主光线入射至基板P的方向相同，由此，例如，即使在因支承旋转轴ST的轴承(bearing)的略微反冲(2μm～3μm左右)而导致第2筒部件22沿X方向偏移的情况下，也能够通过编码器读头EN1、EN2高精度地测量因该偏移而可能在投影区域PA1～PA6内产生的与基板P的传送方向(Xs)相关的位置误差。

如图6所示，在支承于第2筒部件22的曲面上的基板P的一部分上，为了使通过图2所示的投影光学系统PL而被投影的光罩图案的一部分的像与基板P相对地进行对位(对准)，而设有检测预先形成在基板P上的对准标记等的对准显微镜AMG1、AMG2。对准显微镜AMG1、AMG2是用于检测离散或者连续地形成在基板P上的特定图案的检测探针、以及以该检测探针的检测区域与上述的特定位置相比设定于基板P的传送方向后方侧的方式配置于第2筒部件22的周围的图案检测装置。

如图6所示，对准显微镜AMG1、AMG2具有沿Y轴方向(基板P的宽度方向)排成一列的多个(例如4个)检测探针。对准显微镜AMG1、AMG2能够通过第2筒部件22的Y轴方向上的两侧端的检测探针始终对形成在基板P的两端附近的对准标记进行观察或者检测。而且，对准显微镜AMG1、AMG2能够通过第2筒部件22的Y轴方向(基板P的宽度方向)上的两侧端以外的检测探针，例如对在形成于余白部等的对准标记进行观察或者检测，其中，余白部位于在基板P上沿长度方向形成有多个的显示面板的图案形成区域之间。

如图6及图7所示，在设置方位线Le4上配置有编码器读头EN4，其中，该设置方位线Le4在XZ面内且从旋转中心线AX2观察时，以与对准显微镜AMG1对基板P的观察方向AM1(朝向第2中心轴AX2)的检测中心成为同一方向的方式沿刻度部GP的径向设定。另外，在设置方位线Le5上配置有编码器读头EN5，其中，设置方位线Le5在XZ面内且从旋转中心线AX2观察时，以与对准显微镜AMG2对基板P的观察方向AM2(朝向旋转中心线AX2)的检测中心成为同一方向的方式沿刻度部GP的径向设定。这样，对准显微镜AMG1、AMG2的检测探针在从第2中心轴AX2观察时配置于第2筒部件22的周围，并且以将配置有编码器读头EN4、EN5的位置和第2中心轴AX2连结的方向(设置方位线Le4、Le5)，与将第2中心轴AX2和对准显微镜AMG1、AMG2的检测区域连结的方向一致的方式配置。此外，对准显微镜AMG1、AMG2及编码器读头EN4、EN5所配置的绕旋转中心线AX2方向上的位置，设定于基板P开始与第2筒部件22接触的进入位置IA、与基板P离开第2筒部件22的脱离位置OA之间。

上述的对准显微镜AMG2的观察方向AM2配置于基板P的搬送方向的前方侧、即曝光位置(投影区域)的后方，是在以规定速度传送基板P的状态下通过摄像元件等高速地对形成在基板P的Y方向上的端部附近的对准标记(形成于几十μm～几百μm见方内的区域)进行图像检测的部件，且在显微镜视场(摄像范围)中高速地对标记的像进行采样。在进行该采样的瞬间，存储通过编码器读头EN5逐次测量到的刻度圆盘SD的旋转角度位置，由此求出基板P上的对准标记的标记位置与第2筒部件22的旋转角度位置之间的对应关系。

另一方面，上述的对准显微镜AMG1的观察方向AM1配置于基板P的搬送方向的后方侧、即曝光位置(投影区域)的前方，与对准显微镜AMG2同样地通过摄像元件等高速地对形成在基板P的Y方向上的端部附近的对准标记(形成于几十μm～几百μm见方内的区域)的像进行采样，并在进行该采样的瞬间，存储通过编码器读头EN4逐次测量到的刻度圆盘SD的旋转角度位置，由此求出基板P上的对准标记的标记位置与第2筒部件22的旋转角度位置之间的对应关系。

在由对准显微镜AMG2检测到由对准显微镜AMG1所检测到的标记时，将通过编码器读头EN4测量并存储的角度位置和通过编码器读头EN5测量并存储的角度位置的差值，与预先精密地校正过的两个对准显微镜AMG1、AMG2的设置方位线Le4、Le5所成的开度角进行比较。而且，在所述开度角具有误差的情况下，有可能是基板P在进入位置IA与脱离位置OA之间，在第2筒部件22上略微发生了滑动、或者沿传送方向(周向)或沿与第2中心轴AX2平行的方向(Y轴方向)发生了伸缩。

通常，图案化时的位置误差取决于形成在基板P上的元件图案的微细度和/或重合精度，例如，为了相对于基底的图案层准确地重合10μm宽的线条图案并曝光，仅允许其几分之一以下的误差、即换算为基板P上的尺寸时，仅允许±2μm左右的位置误差。

为了实现这样的高精度的测量，需要预先使各对准显微镜AMG1、AMG2对标记图像的测量方向(XZ面内的第2筒部件22的外周切线方向)、与各编码器读头EN4、EN5的测量方向(XZ面内的刻度部GP的外周切线方向)在允许角度误差内一致。

如上所述，以与对准显微镜AMG1、AMG2对基板P上的对准标记的测量方向(第2筒部件22的圆周面的切线方向)一致的方式配置有编码器读头EN4、EN5。因此，即使在由对准显微镜AMG1、AMG2对基板P(标记)进行位置检测时(图像采样时)第2筒部件22(刻度圆盘SD)在XZ面内沿与设置方位线Le4或Le5正交的周向(切线方向)发生了偏移的情况下，也能够实现将第2筒部件22的偏移考虑在内的高精度的位置测量。

在从第2中心轴AX2观察时，在刻度圆盘SD的刻度部GP的周围的5处配置有编码器读头EN1～EN5，因此通过将其中适当的2个或者3个编码器读头的测量值的输出组合而进行运算处理，能够求出刻度圆盘SD的刻度部GP的真圆度(形状应变)、偏心误差等。

＜温度调节装置＞

如上所述，基板P有时因处理装置U3内部的温度环境沿搬送方向(周向)或者与第2中心轴AX2平行的方向(Y轴方向)，根据基板P的温度而伸缩。伸缩取决于基板P的材料物性，包括随着基板P的温度增加而产生延伸的材料、和随着基板P的温度增加而产生收缩的材料。图8是用于说明第1实施方式涉及的温度调节装置的说明图。如图2所示，温度调节装置60是对从第1特定位置PX1、特定位置PX及第2特定位置PX2通过的基板P的搬送方向上游侧进行温度调节的装置。优选处理装置U3中，第1引导部件31、第2引导部件32所引导的基板P的从温度调节装置60的温度调整结束至搬送到第2筒部件22的进入位置IA为止的长度尽可能短，但是也可以根据由温度调节装置60设定的温度与第2筒部件22的温度之间的差来决定。例如，由于第2筒部件22通常热容量大且改变设定温度需要花费时间，因此通过图2中的基板支承部件温度调节装置73始终持续地调温，以使第2筒部件22保持某个固定的温度。而且，基于从温度调节装置60到进入位置IA的搬送距离、这之间的搬送空间的温度、以及基板P的速度，决定由温度调节装置60设定的温度。作为一个例子，在第2筒部件22的表面温度为25℃的情况下，温度调节装置60所设定的温度设定为在基板P移动搬送距离量的时间(秒数)之后，刚好降至25℃。然而，由于通常基板P较薄，会快速地成为环境温度，因此，优选的是，从温度调节装置60到进入位置IA的搬送距离尽可能短，且如上述那样地预测并且控制变化温度。

温度调节装置60具备引导部件61、介质送风部件62、送风压力均匀化部件63、介质调节装置71、加热单元HU、和冷却单元CU。介质送风部件62经由由多孔质材料形成的介质的送风压力均匀化部件63，将介质送风至基板P。搬送装置9使基板P通过引导部件61与介质送风部件62之间的空间67。介质送风部件62将从介质调节装置71经由介质供给配管AP供给来的介质送风至引导部件61侧。加热单元HU是经由介质供给配管HH将高温的介质供给至介质调节装置71的第1介质供给部。冷却单元CU是经由介质供给配管CC将温度比加热单元HU的高温介质低的低温介质供给至介质调节装置71的第2介质供给部。介质调节装置71具备：流量调整阀72H，其对从介质供给配管HH供给至介质供给配管AP的高温介质的流量进行调整；流量调整阀72C，其对从介质供给配管CC供给至介质供给配管AP的低温介质的流量进行调整。流量调整阀72H及流量调整阀72C，例如由电磁阀构成。介质调节装置71根据控制装置14的控制信号的输出而对从流量调整阀72H通过的高温介质的量以及从流量调整阀72C通过的低温介质的量进行调整，由此能够使供给至介质送风部件62的高温介质与低温介质的比发生变化。因此，介质调节装置71能够混合高温介质和低温介质来作为供给至介质送风部件62的介质，使其流通。温度调节装置60能够使任意温度的介质流通至引导部件61的周围，从而调节基板P的温度。此外，也可以是将与图8中的送风压力均匀化部件63同等的部件设置在基板P的相反一侧，经由与介质供给配管AP同等的部件，将温度调节后的介质吹送至基板P的相反一侧的构成。

基板支承部件温度调节装置73是对作为基板支承部件的第2筒部件22的温度进行调节的装置。基板支承部件温度调节装置73具备：流量调整阀74H，其对从介质供给配管HH供给至介质供给配管AD的高温介质的流量进行调整；流量调整阀74C，其对从介质供给配管CC供给至介质供给配管AD的低温介质的流量进行调整。流量调整阀74H及流量调整阀74C，例如由电磁阀构成。基板支承部件温度调节装置73根据控制装置14的控制信号的输出而对从流量调整阀74H通过的高温介质的量以及从流量调整阀74C通过的低温介质的量进行调整，由此能够使供给至第2筒部件22的高温介质与低温介质的比发生变化。因此，基板支承部件温度调节装置73能够混合高温介质和低温介质来作为供给至第2筒部件22的内部的介质，而经由介质供给配管AD，使其流通至第2筒部件22的内部。优选的是，基板支承部件温度调节装置73被控制装置14控制为使第2筒部件22保持固定的温度。由此，能够使传递至与第2筒部件22的曲面接触的基板P的热容量保持大致固定，并且使在第2筒部件22的曲面产生的基板P的伸缩状态稳定。

温度调节装置60及基板支承部件温度调节装置73是将经过温度调整的介质供给至基板P或者第2筒部件22的装置，但介质也可以通过使液体在管线中循环，而以放射热来调节基板P或者第2筒部件22的温度。介质调节装置71及基板支承部件温度调节装置73例如可以将加热器与散热片组合而构成。

用于检测搬送至引导部件61之前的基板P的温度的温度测量装置T1，能够将检测结果输出至控制装置14。控制装置14能够基于温度测量装置T1的检测结果，对温度调节装置60进行前馈控制。另外，用于检测从温度调节装置60(引导部件61)通过之后的基板P的温度的温度测量装置T2，能够将检测结果输出至控制装置14。能够基于温度测量装置T2的检测结果，对温度调节装置60进行反馈控制。控制装置14通过对温度调节装置60进行前馈控制及反馈控制中的至少一种控制，能够控制从介质送风部件62送风的介质的温度，从而提高施加给基板P的温度的精度。例如，温度测量装置T1、T2能够使用用于测量基板P所放射出的红外线的能量的非接触式红外线温度计等。

如图8所示，使基板P通过引导部件61与介质送风部件62之间的空间67的情况下，优选的是，在引导部件61具备基板P的支承机构。介质送风部件62将来自介质供给配管AP的介质经由开在位于送风压力均匀化部件63的位置的贯通孔AH，送入至送风压力均匀化部件63。送风压力均匀化部件63，例如是多孔质材料，因此在基板P侧的相对面63S，以每单位面积的介质压力均等的方式喷出介质。在引导部件61具备用于按压基板P的Y方向(宽度方向)的端部的限制部件64和限制部件65，在搬送基板P时，限制部件64和限制部件65隔着基板P的宽度方向。限制部件65经由轴承BE固定于引导部件61的内侧面。限制部件64经由弹簧SS与音圈马达66的磁铁VCMm连接。根据流至音圈马达66的线圈VCMc的电流，磁铁VCMm的Y方向位置发生变化，并且音圈马达66能够使基板P的Y方向的位置发生变化。

如图2所示，在温度调节装置60的内部或者搬送方向的出口侧，设有对准显微镜PMG1，其检测预先形成在基板P上的对准标记等。对准显微镜PMG1具有沿Y方向(基板P的宽度方向)排成一列的多个(例如4个)检测探针。图9是说明对准标记的一个例子的说明图。图2所示的对准显微镜PMG1能够通过引导部件61的Y方向上的两侧端的检测探针，始终对沿搬送方向α形成在图9所示的基板P的两端附近的对准标记ma进行观察或者检测。

图10是对由基板的伸缩导致的对准标记的变化的一个例子进行示意性说明的说明图。图11是表示对第1实施方式涉及的处理装置(曝光装置)的处理进行修正的步骤的一个例子的流程图。如图10所示，对准显微镜AMG1作为第1检测探针，在位于观察方向(检测方向)AM1的显微镜视场(摄像范围)mam的范围内检测对准标记ma。同样地，对准显微镜PMG1作为第2检测探针，在位于检测方向PM1的显微镜视场(摄像范围)map的范围内检测对准标记ma。这样，对准显微镜AMG1及对准显微镜PMG1检测图10所示的基板P上的作为特定图案的对准标记ma(步骤S11)。对准显微镜AMG1将对准标记ma的摄像输出至控制装置14，控制装置14及对准显微镜AMG1作为第1图案检测装置，将对准标记ma作为摄像数据存储于控制装置14的存储部。对准显微镜PMG1将对准标记ma的摄像输出至控制装置14，控制装置14及对准显微镜PMG1作为第2图案检测装置，将对准标记ma作为摄像数据存储于控制装置14的存储部。

接下来，通过将存储于存储部的、显微镜视场(摄像范围)map的对准标记ma的摄像数据与显微镜视场(摄像范围)mam的对准标记ma的摄像数据进行比较，在不存在由基板P的伸缩导致的对准标记ma的摄像数据的变化的情况下(步骤S12、否)，控制装置14执行步骤S11的处理。如图10所示，通过将存储于存储部的、显微镜视场(摄像范围)map的对准标记ma的摄像数据与显微镜视场(摄像范围)mam的对准标记ma的摄像数据进行比较，在存在由基板P的伸缩导致的对准标记ma的摄像数据的变化的情况下(步骤S12、是)，控制装置14使处理进入步骤S13。例如，存在由基板P的伸缩导致的对准标记ma的摄像数据的变化的情况是指，图10所示的、对准标记ma的摄像数据的变化Δm超过作为偏移调整装置的像偏移修正光学部件45所允许的、能够在像面内使投影像微少地横向偏移的量的情况。另外，存在由基板P的伸缩导致的对准标记ma的摄像数据的变化的情况是指，对准标记ma的摄像数据的变化Δm超过作为倍率调整装置的倍率修正用光学部件47所允许的、能够对投影像的倍率进行微少修正的倍率的情况等。

接下来，控制装置14根据基板P的材料，对温度调节装置60的介质调节装置71进行控制，且进行基板P的温度调整，以使基板P的宽度方向上的目标宽度成为例如图10所示的目标宽度PP(步骤S13)。控制装置14基于温度测量装置T1、T2的检测结果，在未达到特定的基板温度的情况下(步骤S14、否)，继续基板P的温度调整(步骤S13)。控制装置14基于温度测量装置T1、T2的检测结果，在达到特定的基板温度的情况下(步骤S14、是)，使处理进入步骤S15。

接下来，曝光装置EX，根据上述的像偏移调整装置重新通过上述第1图案检测装置及上述第2图案检测装置的输出而求出的对准标记ma(特定图案)的变化Δm，进行使投影像的位置偏移的投影像的修正(步骤S15)。另外，曝光装置EX也可以根据上述的倍率调整装置重新通过上述第1图案检测装置及上述第2图案检测装置的输出而求出的对准标记ma(特定图案)的变化Δm，进行使投影像的倍率修正的投影像的修正。或者，曝光装置EX还可以根据上述倍率调整装置及像偏移调整装置重新通过上述第1图案检测装置及上述第2图案检测装置的输出而求出的对准标记ma(特定图案)的变化Δm，进行使投影像偏移以及倍率修正的投摄像的修正。

如以上说明那样，通过温度调节装置60调整卷绕于第2筒部件22之前的基板P的一部分的温度，处理装置U3能够使位于上述第1特定位置PX1、特定位置PX或者第2特定位置PX2的基板P的伸缩状态稳定。因此，曝光装置EX在第1特定位置PX1、特定位置PX或者第2特定位置PX2，能够精密地进行照射曝光用光的处理。

通过温度调节装置60调整卷绕于第2筒部件22之前的基板P的一部分的温度，能够将基板P的伸缩控制在倍率调整装置及像偏移调整装置能够修正投影像的范围内。因此，曝光装置EX在第1特定位置PX1、特定位置PX或者第2特定位置PX2，能够精密地进行照射曝光用光的处理。

此外在本实施方式中，设有控制第2筒部件22的外周面(支承面)的温度的基板支承部件温度调节装置73、和设在第2筒部件22的上游侧的温度调节装置60，在基板P的搬送方向上，能够在对准位置和/或曝光位置的特定位置与其上游侧的位置之间，进行使基板P具有固定的温度差的温度控制。由此，也能够调整基板P被支承于第2筒部件22的时间点的基板P的伸缩量。在该情况下，如果将由温度调节装置60设定的基板P的温度设为Tu，将经由第2筒部件22由基板支承部件温度调节装置73设定的基板P的温度设为Td，则设定为Tu＞Td或者Tu＜Td，以该差大致固定的方式进行温度控制。

(第2实施方式)

接下来，参照图12来说明本发明涉及的处理装置的第2实施方式。图12是表示第2实施方式涉及的处理装置(曝光装置)的整体构成的示意图。在该图中，对与第1实施方式的构成要素相同的要素标注相同附图标记，并省略其说明。

如图12所示，温度调节装置60A具备：引导部件32A，该引导部件32A具有从与第2中心轴AX2平行的平行基准轴BX1以固定半径r3弯曲而成的曲面(第2曲面)61S，且使基板P的一部分与曲面61S接触；和使温度调节后的介质流通至引导部件32A的周围的空间67的介质调节装置71。搬送装置9使基板P通过引导部件32A与介质送风部件62A之间的空间67。介质送风部件62A将从介质调节装置71经由介质供给配管AP供给来的介质送风至引导部件32A侧。引导部件32A由于从平行基准轴BX1观察时沿曲面61S弯曲，因此能够抑制空间67的紊流。

温度调节装置60A通过使温度调节后的介质流通至引导部件32A的周围的空间67，将介质的温度传递至基板P。引导部件32A由于形成为使基板P的一部分与曲面61S接触，因此能够从引导部件32A直接向第2筒部件22供给基板P，且缩短从引导部件32A到第2筒部件22之间的距离。因此，处理装置U3能够抑制由温度调节装置60A的温度调整所调整后的、基板P的伸缩状态在从温度调节装置60A到第2筒部件22之间产生变化。

更优选的是，上述引导部件32A的曲面61S的半径r3与第2筒部件22的半径r2相同。通过该结构，能够使作用于卷绕于第2筒部件22的基板P的张力与作用于卷绕于引导部件32A的基板P的张力相同。其结果为，能够从对准标记的变化抑制张力的差造成的误差，检测因温度导致的对准标记的变化。

(第3实施方式)

接下来，参照图13来说明本发明涉及的处理装置的第3实施方式。图13是表示第3实施方式涉及的处理装置(曝光装置)的整体构成的示意图。在该图中，对与第1实施方式及第2实施方式的构成要素相同的要素标注相同附图标记，并省略其说明。

如图13所示，第3实施方式涉及的处理装置U3是将介质调节装置71作为调节引导部件32A的引导部件温度调节装置。介质调节装置71能够混合高温介质和低温介质来作为供给至引导部件32A的内部的介质，使其流通。介质调节装置71被控制装置14控制并调整引导部件32A的温度，且将引导部件32A的温度传递至与引导部件32A接触的基板P。由此，传递至与引导部件32A的曲面61S接触的基板P的热容量保持为大致固定。

更优选的是，上述引导部件32A的曲面61S的半径r3与第2筒部件22的半径r2相同。通过该结构，能够使作用于卷绕于第2筒部件22的基板P的张力与作用于卷绕于引导部件32A的基板P的张力相同。例如，通过使介质调节装置71所施加的传递至与引导部件32A的曲面61S接触的基板P的热容量、与传递至与第2筒部件22的曲面接触的基板P的热容量一致，能够提高从对准显微镜PMG1所检测的对准标记在对准显微镜AMG1中的对准标记的变化的预测精度。

(第4实施方式)

接下来，参照图14来说明本发明涉及的处理装置的第4实施方式。图14是表示第4实施方式涉及的处理装置(曝光装置)的整体构成的示意图。在该图中，对与从第1实施方式至第3实施方式的构成要素相同的要素标注相同附图标记，并省略其说明。曝光装置EX2将从光源对圆筒光罩DM照明的照明光束EL1射出。

将从光源射出的照明光束EL1引导至照明组件IL，在设有多个照明光学系统的情况下，将来自光源的照明光束EL1分离为多个，并将多个照明光束EL1引导至多个照明组件IL。

在此，从光源射出的照明光束EL1入射至偏振光分光镜SP1、SP2。在偏振光分光镜SP1、SP2中，为了抑制因照明光束EL1的分离而产生的能量损失，优选采用使入射的照明光束EL1全部反射那样的光束。在此，偏振光分光镜SP1、SP2将成为S偏振光的直线偏振光的光束反射，并使成为P偏振光的直线偏振光的光束透过。因此，光源使入射至偏振光分光镜SP1、SP2的照明光束EL1成为直线偏振光(S偏振光)的光束的照明光束EL1射出至第1筒部件21。由此，光源射出波长及相位一致的照明光束EL1。

偏振光分光镜SP1、SP2将来自光源的照明光束EL1反射，另一方面，使由圆筒光罩DM反射的成像光束(投影光束)EL2透过。换言之，来自照明光学组件的照明光束EL1作为反射光束而入射至偏振光分光镜SP1、SP2，来自圆筒光罩DM的成像光束EL2作为透过光束而入射至偏振光分光镜SP1、SP2。

这样，作为处理部的照明组件IL进行使照明光束EL1反射至作为被处理物体的圆筒光罩DM上的规定图案(光罩图案)的处理。由此，投影光学系统PL能够将圆筒光罩DM上的照明区域IR中的图案的像投影至由搬送装置9搬送的基板P的一部分(投影区域PA)上。曝光装置EX2通过由圆筒光罩DM发射的投影光束，能够进行对第1特定位置PX1、第2特定位置PX2中的基板P照射曝光用光的处理。

(第5实施方式)

接下来，参照图15来说明本发明涉及的处理装置的第5实施方式。图15是表示第5实施方式涉及的处理装置(曝光装置)的整体构成的示意图。在该图中，对与从第1实施方式至第4实施方式的构成要素相同的要素标注相同附图标记，并省略其说明。曝光装置EX3具备多个多边形扫描单元PO1、PO2，各多边形扫描单元PO一边在基板P上沿与作为轴的旋转中心AX2平行的方向用来自紫外线激光光源的光束点进行高速扫描，一边通过未图示的AOM(Acousto-Optic Modulator：声光调制元件)等基于图案描绘数据(CAD数据)对光束进行调制(On/Off)，由此在基板P上描绘图案。

曝光装置EX3是即使没有圆筒光罩DM也能对第1特定位置PX1、第2特定位置PX2上的基板P照射曝光用光(激光点)，而形成规定的图案的无光罩曝光装置，除点扫描以外，也可以是使用DMD(Digital Micro mirror Device)或SLM(Spatial lightmodulator：空间光调制器)来进行描绘图案的方式。

(第6实施方式)

接下来，参照图16来说明本发明涉及的处理装置的第6实施方式。图16是表示第6实施方式涉及的处理装置(曝光装置)的整体构成的示意图。在该图中，对与第1实施方式的构成要素相同的要素标注相同附图标记，并省略其说明。

曝光装置EX4是对基板P实施所谓靠近式曝光的处理装置。曝光装置EX4将圆筒光罩DM与第2筒部件22的间隙设定为微小，照明机构IU直接对基板P照射照明光束EL，进行非接触曝光。在本实施方式中，第2筒部件22通过从包含电动马达等致动器的第2驱动部36供给的转矩而旋转。例如由磁齿轮连结的驱动辊MGG以与第2驱动部36的旋转方向成为反向旋转的方式驱动第1筒部件21。第2驱动部36使第2筒部件22旋转，并且使驱动辊MGG和第1筒部件21联动地旋转，从而使第1筒部件21(圆筒光罩DM)和第2筒部件22同步移动(同步旋转)。

另外，曝光装置EX4具备编码器读头EN6，该编码器读头EN6对基板P检测照明光束(成像光束)EL的主光线入射至基板P的特定位置的刻度部GP的位置PX6。在此，由于使第2筒部件22的外周面中的卷绕基板P的外周面的直径、与刻度圆盘SD的刻度部GP的直径一致，因此位置PX6在从第2中心轴AX2观察时与上述的特定位置一致。而且，编码器读头EN7设定于设置方位线Le7上，该设置方位线Le7是使编码器读头EN6的设置方位线Le6朝向基板P的传送方向的后方侧绕旋转中心线AX2的轴旋转大致90°而得到的。

本实施方式的曝光装置EX4能够实施如下处理：将编码器读头EN7设为第1读取装置，将编码器读头EN6设为第2读取装置，利用第1读取装置的读取输出，对根据刻度部GP的读取输出求出的、将第2筒部件22的轴的位置与特定位置连结且与轴正交的方向的位移的成分进行修正。

以上说明的第1实施方式至第6实施方式例示了曝光装置来作为处理装置。作为处理装置，不限于曝光装置，也可以是处理部利用喷墨式的油墨滴下装置在作为被处理物体的基板P上印刷图案的装置。或者处理部也可以是检查装置。

＜元件制造方法＞

接下来，参照图17来说明元件制造方法。图17是表示使用有第1实施方式涉及的处理装置(曝光装置)的元件制造方法的流程图。

在图17所示的元件制造方法中，首先，进行例如基于有机EL等自发光元件的显示面板的功能和性能设计，通过CAD等设计所需的电路图案和/或布线图案(步骤S201)。然后，基于通过CAD等而设计的各种图层中的每一种图层的图案，来制作所需的图层量的圆筒光罩DM(步骤S202)。另外，准备卷绕有成为显示面板的基材的具有挠性的基板P(树脂薄膜、金属箔膜、塑料等)的供给用辊FR1(步骤S203)。此外，在该步骤S203中准备的辊状的基板P根据需要可以是，对其表面进行了改性的基板、事先形成有基底层(例如基于压印方式的微小凹凸)的基板、预先层压有光感应性的功能膜和/或透明膜(绝缘材料)的基板。

然后，在基板P上形成由构成显示面板元件的电极和布线、绝缘膜、TFT(薄膜半导体)等构成的底平面层，并且以层叠于该底平面的方式形成基于有机EL等自发光元件的发光层(显示像素部)(步骤S204)。在该步骤S204中，也包含使用之前的各实施方式中说明的曝光装置EX、EX2、EX3、EX4对光致抗蚀剂层进行曝光的以往的光刻工序，也包含基于以下工序的处理：对代替光致抗蚀剂而涂敷有感光性硅烷耦合材料的基板P进行图案曝光而在表面形成亲水性和防水性的图案的曝光工序；对光感应性的催化剂层进行图案曝光并通过无电解电镀法形成金属膜的图案(布线、电极等)的湿式工序；或者利用含有银纳米粒子的导电性油墨等描绘图案的印刷工序等。

然后，按通过辊方式在长条的基板P上连续地制造的每一显示面板元件来切割基板P、在各显示面板元件的表面上粘贴保护薄膜(环境应对阻挡层)和彩色滤光片等，从而组装元件(步骤S205)。然后，进行检查工序，检查显示面板元件是否正常地发挥功能、是否满足所期望的性能和特性(步骤S206)。通过以上所述，能够制造显示面板(柔性显示器)。

附图标记说明

1  元件制造系统

2  基板供给装置

3  基板回收装置

5  上位控制装置

9  搬送装置

12 光罩保持装置

13 光源装置

14 控制装置

22 第2筒部件

DR1～DR8  驱动辊

31 第1引导部件

32 第2引导部件

33 第3引导部件

35 第2检测器

44 聚焦修正光学部件

45 像偏移修正光学部件

46 旋转修正机构

47 倍率修正用光学部件

60、60A  温度调节装置

61、32A  引导部件

61S  曲面

62、62A 介质送风部件

63  送风压力均匀化部件

64、65  限制部件

66  音圈马达

67  空间

71  介质调节装置

72H、72C、74H、74C  流量调整阀

73  基板支承部件温度调节装置

CC  介质供给配管

CU  冷却单元

HH  介质供给配管

HU  加热单元

AMG1、AMG2、PMG1 对准显微镜

DM  圆筒光罩

EN1、EN2、EN3、EN4、EN5 编码器读头

EX、EX2、EX3、EX4 曝光装置(基板处理装置)

PO1、PO2 多边形扫描单元

Claims (14)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

基板支承部件，其具有从规定的轴以固定半径弯曲而成的曲面，使基板的一部分卷绕于所述曲面而支承所述基板；

处理部，其从所述轴观察时配置在所述基板支承部件的周围，并对位于周向中特定位置的所述曲面上的所述基板实施处理；

温度调节装置，其对供给到所述基板支承部件之前的所述基板的温度进行调节。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，具备：

搬送装置，其以使所述基板从所述特定位置通过的方式，使所述基板沿搬送所述基板的搬送方向移动，

所述温度调节装置，对从所述基板支承部件的所述特定位置通过的所述基板的所述搬送方向的上游侧进行温度调节。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述温度调节装置具备介质调节装置，该介质调节装置使经过温度调节的介质流通至搬送所述基板的空间。

4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板支承部件的所述曲面为第1曲面，

所述温度调节装置具备：

引导部件，其具有从与所述轴平行的平行基准轴以固定半径弯曲而成的第2曲面，并使所述基板的一部分接触所述第2曲面；

介质调节装置，其使经过温度调节的介质流通至所述引导部件的周围的空间。

5.根据权利要求3或4所述的基板处理装置，其特征在于，

所述温度调节装置具备供给高温介质的第1介质供给部、和供给温度比所述高温介质低的低温介质的第2介质供给部，所述温度调节装置使所述高温介质与所述低温介质混合来作为所述介质而流通。

6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板支承部件的所述曲面为第1曲面，

所述温度调节装置具备：

引导部件，其具有从与所述轴平行的平行基准轴以固定半径弯曲而成的第2曲面，并使所述基板的一部分接触所述第2曲面；

引导部件温度调节装置，其调节所述引导部件的温度。

7.根据权利要求4或6所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第2曲面的半径与所述基板支承部件的所述曲面的半径相同。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，具备：

第1图案检测装置，其包括第1检测探针，该第1检测探针用于检测离散或者连续地形成于所述基板上的特定图案，该第1检测探针配置在所述基板支承部件的周围；

第2图案检测装置，其包括第2检测探针，该第2检测探针用于在不与所述第1检测探针重叠的位置检测所述特定图案，该第2检测探针配置在以下位置：能够检测位于通过所述温度调节装置而被调节温度且被卷绕于曲面之前的所述基板上的所述特定图案的位置；

控制装置，其基于所述第1图案检测装置及所述第2图案检测装置的检测结果，对所述温度调节装置进行控制。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，具备：

温度测量装置，其对所述基板的温度进行测量；

控制装置，其基于所述温度测量装置的检测结果，对所述温度调节装置进行控制。

10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

所述处理部具备对曝光用光所包括的投影像的倍率进行调整的倍率调整装置，所述处理部是对位于所述特定位置的所述基板实施所述曝光用光的照射处理的装置；

所述倍率调整装置，根据通过所述第1图案检测装置及所述第2图案检测装置的输出而求出的所述特定图案的变化，修正所述投影像的倍率。

11.根据权利要求8或10所述的基板处理装置，其特征在于，

所述处理部具备使曝光用光所包括的投影像的位置偏移的像偏移调整装置，

所述像偏移调整装置根据通过所述第1图案检测装置及所述第2图案检测装置的输出而求出的所述特定图案的变化，使所述像的位置偏移。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，还具备：

基板支承部件温度调节装置，其对所述基板支承部件的温度进行调节。

13.一种元件制造方法，其特征在于，

使用权利要求1至12中任一项所述的基板处理装置而在所述基板上形成图案。

14.一种元件制造方法，在具有挠性的长条状的基板上制造电子元件，其特征在于，包括：

一边沿基板支承部件的支承面对所述基板的长度方向的一部分进行支承，一边以规定的速度沿所述长度方向搬送所述基板，所述支承面通过使所述基板支承部件沿所述长度方向弯曲而成；

在所述基板支承部件的支承面中的所述长度方向的特定位置，将构成所述电子元件的图案转印至被所述支承面支承的所述基板上；和

进行温度控制，以使相对于所述基板支承部件的支承面位于搬送方向的上游侧的所述基板的温度与在所述支承面的所述基板的温度成为规定的差。