TWI706234B - 圖案形成裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之目的在降低對曝光單元之振動，更合適的進行使用曝光單元之曝光。基板處理裝置(U3)，具備設在設置面(E)上之除振台(131)、設在除振台(131)上對被供應之基板(P)進行曝光處理之曝光單元(121)以及設在設置面(E)上並與曝光單元(121)成非接觸之獨立狀態設置、作為進行對曝光單元(121)之處理之處理單元的位置調整單元(120)及驅動單元(122)。

Description

圖案形成裝置

本發明係關於用以在基板上形成電子元件用圖案之基板處理裝置、元件製造系統、元件製造方法及圖案形成裝置。

一直以來，如特開平9-219353號公報所示，作為基板處理裝置，一種對設在於平台上移動之移動載台上之基板進行元件圖案之曝光的曝光裝置廣為人知。此曝光裝置之平台係透過具有除振機構之機架構件被支承於基台。移動載台在設於平台上之可動導件上移動於X方向。可動導件，藉由設在基台上之2支線性馬達於平台上移動於Y方向。2支線性馬達設在基台之X方向兩側、以非接觸方式使可動導件往Y方向移動。也就是說，各線性馬達具有可動子與固定子，固定子被固定在基台上，而可動子則分別固定在可動導件之X方向兩側，可動子與固定子為非接觸狀態。前述特開平9-219353號公報之曝光裝置，由於線性馬達之可動子及固定子為非接觸狀態，因此抑制了因干擾造成之振動透過可動導件及移動載台傳遞至平台上。

前述特開平9-219353號公報之曝光裝置，係以2條線性馬達使可動導件於平台上往Y方向移動，同樣的，移動載台相對可動導件之移動亦使用線性馬達進行。此場合，線性馬達亦係以非接觸使移動載台往X方向移動。然而， 由於係在平台上相對可動導件使移動載台移動，故因移動載台之移動產生之振動有可能會傳至平台。

又，前述特開平9-219353號公報之曝光裝置，雖係於移動載台上保持基板進行曝光，但不限於此構成，亦有以連續狀態供應薄膜狀基板，對所供應之基板進行元件圖案之掃描曝光的情形。此場合，於基板之供應時，即有基板振動之可能性。

本發明之各態樣，乃鑑於上述課題而為，其目的在提供一種能更為降低對曝光單元之振動，而能非常適合地進行使用曝光單元之曝光的基板處理裝置、元件製造系統、元件製造方法及圖案形成裝置。

本發明第1態樣，係一種基板處理裝置，具備：除振台，設在設置面上；曝光單元，設在該除振台上、對被供應之基板進行曝光處理；以及處理單元，設在該設置面上、並以與該曝光單元非接觸之獨立狀態設置，對該曝光單元進行處理。

本發明第1態樣之前述基板處理裝置，其中，該處理單元包含位置調整單元，此位置調整單元系調整供應至該曝光單元之該片狀基板於寬度方向之位置；該位置調整單元，具有：基台，設在該設置面上；寬度移動機構，係設在該基台上，相對該基台使該片狀基板移動於該片狀基板之寬度方向；以及固定輥，設在該基台上，係將以該寬度移動機構進行位置調整後之該片狀基板引導向該曝光單元，且相對該基台之位置被固定。

本發明第1態樣之前述基板處理裝置，可進一步具備：第1基板檢測部，固定在該基台上，檢測備供應至該固定輥之該片狀基板於寬度方向之位置；以及控制部，係根據該第1基板檢測部之檢測結果控制該寬度移動機構，以將被供應至該固定輥之該片狀基板於寬度方向之位置修正至第1目標位置。

本發明第1態樣之前述基板處理裝置，其中，該位置調整單元可 進一步具有調整該固定輥相對該曝光單元之位置的輥位置調整機構；並進一步具備：第2基板檢測部，係固定在該除振台上，檢測被供應至該曝光單元之該片狀基板之位置；以及控制部，係根據該第2基板檢測部之檢測結果控制該輥位置調整機構，以將被供應至該曝光單元之該片狀基板之位置修正至第2目標位置。

本發明第1態樣之前述基板處理裝置，可其進一步具備：按壓機構，係對從該位置調整單元往該曝光單元供應之該片狀基板進行按壓，以賦予張力；第2基板檢測部，係設於該除振台上，檢測被供應至該曝光單元之該片狀基板之位置；以及控制部，根據該第2基板檢測部之檢測結果控制該按壓機構，以調整對該片狀基板之按壓量。

本發明第1態樣之前述基板處理裝置，其中，該處理單元包含驅動該曝光單元之驅動單元；該曝光單元，具有保持照明光照明之光罩的光罩保持構件、與支承來自該光罩之投影光所投射之該片狀基板的基板支承構件；該驅動單元，具有為使該光罩往掃描方向移動而驅動該光罩保持構件的光罩側驅動部、與為使該片狀基板往掃描方向移動而驅動該片狀基板支承構件的基板側驅動部。

本發明第1態樣之前述基板處理裝置，其中，該曝光單元，具有支承該光罩保持構件之第1框架、與支承該片狀基板支承構件之第2框架；該除振台，包含設在該設置面與該第1框架之間的第1除振台、與設在該設置面與該第2框架之間的第2除振台。

本發明第1態樣之前述基板處理裝置，其中，該曝光單元具有支承該光罩保持構件及該片狀基板支承構件的框架；該除振台係設在該設置面與該框架之間。

本發明第1態樣之前述基板處理裝置，其中，該光罩保持構件係保持具有以第1軸為中心之第1曲率半徑之光罩面的該光罩；該光罩側驅動部，藉 由旋轉驅動該光罩保持構件，使該光罩往掃描方向移動；該片狀基板支承構件，沿著以第2軸為中心之第2曲率半徑的支承面支承該片狀基板；該片狀基板側驅動部，藉由旋轉驅動該片狀基板支承構件，使該片狀基板往掃描方向移動。

本發明第1態樣之前述基板處理裝置，其中，該光罩保持構件係保持具有成平面之光罩面的該光罩；該光罩側驅動部，藉由直線驅動該光罩保持構件，使該光罩往掃描方向移動；該片狀基板支承構件，沿著以第2軸為中心之第2曲率半徑的支承面支承該片狀基板；該片狀基板側驅動部，藉由旋轉驅動該片狀基板支承構件，使該片狀基板往掃描方向移動。

本發明第1態樣之前述基板處理裝置，其中，該光罩保持構件，係保持具有以第1軸為中心之第1曲率半徑之光罩面的該光罩；該光罩側驅動部，藉由旋轉驅動該光罩保持構件，使該光罩往掃描方向移動；該片狀基板支承構件，具有將該片狀基板之掃描方向的兩側支承為可旋轉之一對支承輥，以使該片狀基板具有平面；該片狀基板側驅動部，藉由旋轉驅動該一對支承輥，使該片狀基板往掃描方向移動。

本發明第2態樣，係一種元件製造系統，具備：本發明第1態樣之基板處理裝置、將該片狀基板供應至該片狀基板處理裝置的基板供應裝置、以及回收經該片狀基板處理裝置處理後之該片狀基板的基板回收裝置。

本發明第2態樣之前述元件製造系統，其中，該基板供應裝置，具有：第1軸承部，該片狀基板被捲繞成捲筒狀之供應用捲筒被支承為可旋轉；第1升降機構，使該第1軸承部升降；進入角度檢測部，供檢測從該供應用捲筒送出之該片狀基板對該片狀基板將被捲繞之第1輥之進入角度；以及控制部，根據該進入角度檢測部之檢測結果控制該第1升降機構，以將該進入角度修正至目標進入角度。

本發明第2態樣之前述元件製造系統，其中，該基板回收裝置具 有：第2軸承部，將經該片狀基板處理裝置處理之處理後之該片狀基板所捲繞之回收用捲筒支承為可旋轉；第2升降機構，使該第2軸承部升降；排出角度檢測部，係檢測該片狀基板相對往該回收用捲筒送出之該片狀基板所捲繞之第2輥的排出角度；以及控制部，根據該排出角度檢測部之檢測結果控制該第2升降機構，以將該排出角度修正至目標排出角度。

本發明第3態樣，係一種元件製造方法，包含使用本發明第1態樣之基板處理裝置對前述基板進行曝光處理的動作、與對經曝光處理之述基板進行處理據以形成前述光罩之圖案的動作。

本發明第4態樣，係一種在將長條之可撓性片狀基板往長度方向搬送之同時、於該片狀基板上之既定位置形成圖案，其具備：圖案化裝置，此圖案化裝置具備包含用以將該片狀基板沿既定搬送路徑往長度方向搬送之複數個引導輥的搬送部、與設在該搬送路徑之一部分用以在該片狀基板表面之該既定位置形成該圖案的圖案形成部；除振裝置，設在設置該圖案化裝置之基台面與該圖案化裝置之間；位置調整裝置，係與該圖案化裝置分別獨立的設在該基台面，包含用以朝該圖案化裝置之該搬送部送出該片狀基板之引導輥，並在與該片狀基板之長度方向正交之寬度方向調整該片狀基板之位置；基板誤差測量部，係在該搬送路徑中相對該圖案形成部之上游側，測量該片狀基板於該寬度方向之位置變化、姿勢變化、或與該片狀基板之變形相關之變化資訊；以及控制裝置，根據該變化資訊控制該位置調整裝置。

本發明第4態樣之前述圖案形成裝置，其中，該片狀基板誤差測量部可藉由檢測該片狀基板之寬度方向之邊緣、或形成在該片狀基板上之標記，據以測量該變化資訊。

本發明第4態樣之前述圖案形成裝置，其中，該片狀基板誤差測量部係設在該圖案化裝置及該位置調整裝置中之至少一方。

本發明第5態樣，係一種圖案形成裝置，在將長條之可撓性片狀基板往長度方向搬送之同時、於該片狀基板上之既定位置形成圖案，其具備：圖案化裝置，此圖案化裝置具備包含用以將該片狀基板沿既定搬送路徑往長度方向搬送之複數個引導輥的搬送部、與設在該搬送路徑之一部分用以在該片狀基板表面之該既定位置形成該圖案的圖案形成部；除振裝置，設在設置該圖案化裝置之基台面與該圖案化裝置之間；位置調整裝置，係與該圖案化裝置分別獨立的設在該基台面，包含用以朝該圖案化裝置之該搬送部送出該片狀基板之引導輥，並在與該片狀基板之長度方向正交之寬度方向調整該片狀基板之位置；位置誤差測量部，測量關於該圖案化裝置與該位置調整裝置之相對位置變化之變化資訊；以及控制裝置，根據該變化資訊控制該位置調整裝置。

本發明第5態樣之前述圖案形成裝置，可具備設在該圖案化裝置內，於該搬送路徑中相對該圖案形成部之上游側，在該長度方向有既定張力的狀態下，以使該片狀基板之該搬送路徑彎折之方式配置之可傾斜的調整輥；該控制裝置係根據該變化資訊使該調整輥傾斜，據以調整搬送至圖案形成部之片狀基板之寬度方向位置。

本發明第6態樣，係一種元件製造系統，在將長條之可撓性片狀基板往長度方向搬送之同時、對該片狀基板依序施以第1處理、第2處理，其具備：第1處理單元，設於既定之基台面，包含用以將該片狀基板沿既定搬送路徑往長度方向搬送之複數個輥，對該該片狀基板施以該第1處理；第2處理單元，設於該基台面，包含將從該第1處理單元送來之該片狀基板沿既定搬送路徑往長度方向搬送之複數個輥，對該片狀基板施以該第2處理；防振裝置，用以隔絕或抑制該基台面與該第1處理單元間之振動傳遞、或該基台面與該第2處理單元間之振動傳遞、或該第1處理單元與該第2處理單元間之振動傳遞；變化測量部，係測量該第1處理單元與該第2處理單元之相對位置變化、或與從該第1處理單元搬送至該 第2處理單元之該片狀基板之位置變化相關之變化資訊；以及位置調整裝置，根據該變化資訊調整搬入該第2處理單元內之該片狀基板在與長度方向正交之寬度方向之位置。

本發明第6態樣之前述元件製造系統，其中，該第2處理單元可包含為在該片狀基板之長度方向形成電子元件用圖案，而對形成在該片狀基板表面之光感應層投射對應該圖案之光能的曝光裝置，或藉由含有導電材料、隔絕材料、半導體材料中任一種之油墨之塗布以在該片狀基板表面描繪該圖案的印刷裝置中任一者之圖案化裝置。

本發明第6態樣之前述元件製造系統，其中，該第1處理單元係由實施與藉由該圖案化裝置對該片狀基板上施以處理之前步驟相當之處理的單獨或複數個前處理裝置構成；該位置調整裝置，係設在該片狀基板之搬送路上設置在該圖案化裝置前一個之該前處理裝置內、或該前一個之前處理裝置與該圖案化裝置之間。

本發明第6態樣之前述元件製造系統，其中，該位置調整裝置，具備將該片狀基板於長度方向彎折後引導搬送之複數個旋轉輥、使該複數個旋轉輥中之部分旋轉輥與旋轉中心軸之方向平行移動之驅動機構、以及根據以該變化測量部測量之該變化資訊控制該驅動機構之控制部。

本發明第6態樣之前述元件製造系統，其中，該位置調整裝置，具備將該片狀基板於長度方向彎折後引導搬送之複數個旋轉輥、使該複數個旋轉輥中之部分旋轉輥之旋轉中心軸傾斜之驅動部、以及根據以該變化測量部測量之該變化資訊控制該驅動部之控制部。

本發明第6態樣之前述元件製造系統，其中，該變化測量部，包含配置在該第1處理單元與該第2處理單元間之該片狀基板之搬送路，將在與該長度方向正交之該片狀基板之寬度方向相關之傾斜變化作為該變化資訊加以檢 測之感測器。

依據本發明之前述各態樣，可提供一種能更為降低對曝光單元之振動，而能非常適合地進行使用曝光單元之曝光的基板處理裝置、元件製造系統、元件製造方法及圖案形成裝置。

1:元件製造系統

2:基板供應裝置

4:基板回收裝置

5:上位控制裝置(控制部)

11:光罩保持機構

12、12a:基板支承機構(基板搬送機構)

13、13a:照明機構

16:下位控制裝置(控制部)

21:光罩載台

21a:光罩保持圓筒

22:光罩側驅動部

23:傳遞構件

25:旋轉筒

25a:旋轉筒之端部側區域

25c:標尺板

26:基板側驅動部

28:引導輥

61:第1光學系

62:第2光學系

63:投影視野光闌

64:焦點修正光學構件

65:像移動用光學構件

66:倍率修正用光學構件

67:旋轉修正機構

70:第1偏向構件

71:第1透鏡群

72:第1凹面鏡

80:第2偏向構件

81:第2透鏡群

82:第2凹面鏡

93:引導輥

94:驅動輥(絞盤輥)

111:第1軸承部

112:第1升降機構

114:進入角度檢測部

120、120a:位置調整單元

121、121a~121c:曝光單元

121d:防塵套

122:驅動單元

123:第1基板檢測部

124:第2基板檢測部

125:基台

126:固定輥

127:搬送輥

128:基台位置調整機構

130:按壓機構

131:除振台

131a:第1除振台

131b:第2除振台

132:裝置框架

132a:第1框架

132b:第2框架

135:第1下方框架

135a:脚部

135b:上面部

136:第1上方框架136

136a:脚部

136b:上面部

137:臂部

139:下面部

140:軸承部

141:空氣軸承

143:保持構件

145:墊圈構件

146:支柱框架

151:按壓構件

152:升降機構

160:位置調整單元

161:第2軸承部

162:第2升降機構

164:排出角度檢測部

165:第3基板檢測部

167:搬送輥

170:基台

180:裝置框架

181:裝置框架之下面部

182:軸承部182

183:中間部

184:脚部

185:上面部

186:臂部

196:驅動輥

197:空氣載台

198:1/4波長板

202a、202b:檢測部

204:下位控制裝置

206:致動器

207b:本體框架

210:曝光頭

212:下位控制裝置

214:基板調整部

214a:軸承

208:第2基板檢測部

216:照射系

218:受光系

220:投光部

222:柱面透鏡

224、226:反射鏡

228:成像光學系

230:攝影元件

230a:拍攝區域

234:相對位置檢測部

236:第1檢測部

238:第2檢測部

240a、240b:投光部

242a、242b:受光部

244:光二極體

252:集光透鏡

254:描繪用光學元件(光變調器)

256:吸收體

258:準直透鏡

260:反射鏡

262:柱面透鏡

264:聚焦透鏡

266:反射鏡

268:多面鏡(光掃描構件)

270:反射鏡

272:f-θ透鏡

274:柱面透鏡

A3:圖案形成區域

A4:圖案非形成區域

A7:曝光區域

AM1、AM2:對準顯微鏡

AR1、AR2:調整輥

AX1:旋轉中心線

AX2:旋轉軸

AX3a、AX3b:旋轉軸

BT1~BT3:處理槽

BX2:第2光軸

BX3:第3光軸

CL:中心面

CUr、CUs:線圈單元

DR1:壓輥

DR2:塗布輥

DT1、DT2:變位感測器

DU1~DU5:描繪單元

E:設置面

ECV:調溫室

EH:讀取頭

EL1:照明光束

EL2:投影光束

EPC1、EPC2、EPC3、EPC3a:邊緣位置控制器

FR1:供應用捲筒

FR2:回收用捲筒

Gp1:塗布機構

Gp2:乾燥機構

HA1:加熱室

HA2:冷卻室

IL:照明光學系

IL1~IL6:照明模組

ILa1~ILa6:照明模組

IR1~IR6:照明區域

Ks:對準標記

M、MB:光罩

MA:圓筒光罩

MUr、MUs:磁石單元

NA:驅動輥

P:基板

P2:支承面

P3~P6:第1~第4反射面

P7:中間像面

PA1~PA6:投影區域

PBS:偏光分束器

R2、R3、R4、R5、R6、R7:驅動輥

Rs3:引導輥

RT:旋轉子

RT1、RT2、RT3:張力輥

PA1~PA6:投影區域

PL:投影光學系

PL1~PL6:投影模組

Rfa:曲率半徑

SG1、SG2:變位感測器

U1~Un:處理裝置

圖1係顯示第1實施形態之元件製造系統之構成的圖。

圖2係顯示將第1實施形態之元件製造系統加以簡化時之構成的圖。

圖3係顯示第1實施形態之曝光裝置(基板處理裝置)之部分構成的圖。

圖4係顯示圖3所示之第1實施形態之曝光裝置之部分構成的圖。

圖5顯示第1實施形態之曝光單元之整體構成的圖。

圖6係顯示圖5所示之曝光單元之照明區域及投影區域之配置的圖。

圖7係顯示圖5所示之曝光單元之投影光學系之構成的圖。

圖8係顯示第1實施形態之元件製造方法的流程圖。

圖9係顯示第2實施形態之曝光裝置(基板處理裝置)之部分構成的圖。

圖10係顯示圖9之第2實施形態之曝光單元之整體構成的圖。

圖11係顯示第3實施形態之曝光單元之整體構成的圖。

圖12係顯示第4實施形態之曝光裝置之構成的圖。

圖13係在圖12所示之曝光裝置內被搬送之基板從+Z方向側觀察時的圖。

圖14係在圖13所示之位置調整單元側之最後輥與曝光單元側之最初輥之間被搬送之基板P從-Y方向側觀察時的圖。

圖15係被圖12所示之旋轉筒搬送之基板從-X方向側觀察時的圖。

圖16係顯示圖12所示之基板調整部之構成的圖。

圖17A係顯示圖12所示之第2基板檢測部之構成的圖、圖17B係顯示以第2基板檢測部對基板照射之光束的圖、圖17C係顯示以第2基板檢測部受光之光束的圖。

圖18係顯示圖12所示之相對位置檢測部之構成的圖。

圖19係顯示以圖12所示之曝光頭於基板上掃描之點光之掃描線及對準顯微鏡的圖。

圖20係顯示圖12所示之曝光頭之描繪單元之構成的圖。

針對本發明各態樣之基板處理裝置、元件製造系統、元件製造方法及圖案形成裝置，揭示較佳實施形態，並參照所附圖式一邊詳細說明如下。又，本發明之各態樣並不限定於此等實施形態，亦包含各種變化或加以改良者。也就是說，以下記載之構成要素中，包含當業者容易想到之物、以及實質同一之物，以下記載之構成要素可適當地加以組合。此外，在不脫離本發明要旨之範圍內可進行構成要素之各種省略、置換與變更。

〔第1實施形態〕

第1實施形態之基板處理裝置，係對基板施以曝光處理之曝光裝置，曝光裝置中組裝有對曝光後之基板施以各種處理以製造電子元件之元件製造系統。首先，說明元件製造系統。

<元件製造系統>

圖1係顯示第1實施形態之元件製造系統1之構成的圖。圖1所示之元件製造系統1，係製造作為電子元件(有時亦稱元件)之可撓性顯示器之生產線(可撓性顯示器生產線)。作為可撓性顯示器，例如有有機EL顯示器等。此元件製造系統1，係從將可撓性基板(片狀基板)P捲繞成捲筒狀之供應用捲筒FR1送出該片 狀基板P，並對被送出之基板P連續的施以各種處理後，將處理後之基板P以回收用捲筒FR2加以捲繞之所謂的捲對捲(Roll to Roll)方式。第1實施形態之元件製造系統1中，顯示了薄膜狀之片材基板P從供應用捲筒FR1送出，從供應用捲筒FR1送出之基板P依序經n台之處理裝置U1、U2、U3、U4、U5、...Un後，捲繞於回收用捲筒FR2為止之例。以下，首先說明作為元件製造系統1之處理對象的基板P。

基板P，係由例如樹脂薄膜、不鏽鋼等之金屬或合金構成之箔(foil)等。樹脂薄膜之材質，可使用包含例如聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚酯樹脂、乙烯乙烯基共聚物樹脂、聚氯乙烯樹脂、纖維素樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯醇樹脂等材料中之一種或二種以上者。此外，基板P之厚度及剛性(楊氏係數)，只要是在搬送時不會於基板P產生因彎折造成之折痕及非可逆的皺褶之範圍即可。在製作作為電子元件之可撓性顯示器面板、觸控面板、濾光片(color filter)、電磁波防止濾波片等之情形時，係使用厚度25μm~200μm程度之PET(聚對酞酸乙二酯)或PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)等之樹脂片材。

基板P，以選擇例如熱膨脹係數顯著不大、可實質忽視在對基板P實施之各種處理中因受熱而產生之變形量者較佳。又，可於作為基材之樹脂薄膜中混入例如氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁、氧化矽等之無機填充物，以降低熱膨脹係數。此外，又，基板P可以是以浮製法等製造之厚度100μm程度之極薄玻璃之單層體、或於此極薄玻璃貼合上述樹脂薄膜、或鋁及銅等之箔等的積層體。

基板P之可撓性，係指對基板P施加本身重量程度之力亦不致於產生剪斷或斷裂、而能使該片狀基板P撓曲的性質。而可撓性亦包含因自重程度之力而彎曲之性質。又，可撓性之程度會因基板P之材質、大小、厚度、基板P上成膜之層構造、温度、濕度及環境等而改變。無論何者，只要是在將基板P正確 的捲繞於設在本實施形態之元件製造系統1內之搬送路之各種搬送用輥、旋轉筒等搬送方向轉換用構件時，不會彎折而產生摺痕、破損(產生破洞或裂開)，能順暢的搬送基板P的話，皆為可撓性之範圍。

以此方式構成之基板P，被捲繞成捲筒狀而成為供應用捲筒FR1，此供應用捲筒FR1被裝著於元件製造系統1。裝有供應用捲筒FR1之元件製造系統1，對從供應用捲筒FR1送出之基板P反覆實施用以製造1個元件之各種處理。因此，處理後之基板P成為複數個電子元件連結之狀態。也就是說，從供應用捲筒FR1送出之基板P，為多面用之基板。此外，基板P亦可以是預先藉由既定前處理，將其表面予以改質而活性化者、或於表面形成用以精密圖案化之微細間隔壁構造(凹凸構造)者。

經處理後之基板P，處理後之基板P，被捲繞成捲筒狀作為回收用捲筒FR2加以回收。回收用捲筒FR2，被安裝於未圖示之切割裝置。裝有回收用捲筒FR2之切割裝置，將處理後之基板P分割(切割)成各個元件，據以成複數個元件。基板P之尺寸，例如，寬度方向(短邊之方向)之尺寸為10cm~2m程度、而長度方向(長條之方向)尺寸則為10m以上。當然，基板P之尺寸不限於上述尺寸。

接著，參照圖1，說明元件製造系統1。圖1，係X方向、Y方向及Z方向成正交之正交座標系。X方向，係在水平面內為基板P之搬送方向，連結供應用捲筒FR1及回收用捲筒FR2之方向。Y方向，係在水平面內與X方向正交之方向，為基板P之寬度方向。Y方向係供應用捲筒FR1及回收用捲筒FR2之軸方向。Z方向係與X方向、Y方向正交之方向(鉛直方向)。

元件製造系統1，具備供應基板P之基板供應裝置2、對由基板供應裝置2供應之基板P施以各種處理之處理裝置U1~Un、回收經處理裝置U1~Un施以處理之基板P之基板回收裝置4、以及控制元件製造系統1之各裝置之上位 控制裝置5。

於基板供應裝置2，以可旋轉之方式安裝供應用捲筒FR1。基板供應裝置2，具有從所安裝之供應用捲筒FR1送出基板P的驅動輥R1、與調整基板P在寬度方向(Y方向)之位置的邊緣位置控制器EPC1。驅動輥R1，一邊夾持基板P之表背兩面一邊旋轉，將基板P從供應用捲筒FR1往朝向回收用捲筒FR2之搬送方向(+X方向)送出，據以將基板P供應至處理裝置U1~Un。此時，邊緣位置控制器EPC1係以基板P在寬度方向端部(邊緣)之位置，相對目標位置在±十數μm程度範圍至±數十μm程度之範圍內之方式，使基板P移動於寬度方向，以修正基板P在寬度方向之位置。

於基板回收裝置4，以可旋轉之方式裝有回收用捲筒FR2。基板回收裝置4，具有將處理後之基板P拉向回收用捲筒FR2側的驅動輥R2、與調整基板P在寬度方向(Y方向)之位置的邊緣位置控制器EPC2。基板回收裝置4，一邊以驅動輥R2夾持基板P之表背兩面一邊旋轉，將基板P拉向搬送方向，並藉由使回收用捲筒FR2旋轉，據以捲繞基板P。此時，邊緣位置控制器EPC2與邊緣位置控制器EPC1同樣構成，修正基板P在寬度方向之位置，以避免基板P之寬度方向端部(邊緣)在寬度方向產生不均。

處理裝置U1，係在從基板供應裝置2供應之基板P表面塗布感光性機能液之塗布裝置。作為感光性機能液，例如係使用光阻劑、感光性矽烷耦合劑、UV硬化樹脂液、其他感光性鍍敷還原溶液等。處理裝置U1，從基板P之搬送方向上游側起，依序設有塗布機構Gp1與乾燥機構Gp2。塗布機構Gp1，具有捲繞基板P之壓輥DR1、與和壓輥DR1對向之塗布輥DR2。塗布機構Gp1在將所供應之基板P捲繞於壓輥DR1之狀態下，以壓輥DR1及塗布輥DR2夾持基板P。塗布機構Gp1並藉由使壓輥DR1及塗布輥DR2旋轉，一邊使基板P移動於搬送方向、一邊以塗布輥DR2塗布感光性機能液。乾燥機構Gp2吹出熱風或乾燥空氣等之乾燥用 空氣以除去感光性機能液中所含之溶質(溶劑或水)，使塗有感光性機能液之基板P乾燥，以在基板P上形成感光性機能層。

處理裝置U2，係為了使形成在基板P表面之感光性機能層安定，而將從處理裝置U1搬送之基板P加熱至既定温度(例如，數10~120℃程度)之加熱裝置。處理裝置U2，從基板P之搬送方向上游側起依序設有加熱室HA1與冷卻室HA2。加熱室HA1，於其內部設有複數個輥及複數個空氣翻轉桿(air turn bar)，複數個輥及複數個空氣翻轉桿構成基板P之搬送路徑。複數個輥以接觸基板P背面之方式設置，複數個空氣翻轉桿以非接觸狀態設於基板P之表面側。複數個輥及複數個空氣翻轉桿為加長基板P之搬送路徑，而呈蛇行狀之搬送路徑。通過加熱室HA1內之基板P，一邊沿蛇行狀之搬送路徑被搬送、一邊被加熱至既定温度。冷卻室HA2，為使在加熱室HA1加熱之基板P之温度與後製程(處理裝置U3)之環境温度一致，而將基板P冷卻至環境温度。冷卻室HA2，其內部設有複數個輥，複數個輥，與加熱室HA1同樣的，為加長基板P之搬送路徑而呈蛇行狀搬送路徑之配置。通過冷卻室HA2內之基板P，一邊沿蛇行狀之搬送路徑被搬送一邊被冷卻。於冷卻室HA2之搬送方向下游側，設有驅動輥R3，驅動輥R3一邊夾持通過冷卻室HA2之基板P一邊旋轉，據以將基板P供應向處理裝置U3。

處理裝置(基板處理裝置)U3，係對從處理裝置U2供應、表面形成有感光性機能層之基板(感光基板)P，投影曝光顯示器用電路或配線等圖案之曝光裝置。詳細將留待後敘，處理裝置U3以照明光束照明穿透型之光罩M，將藉由照明光束被光罩M反射所得之投影光束投影曝光於捲繞在旋轉筒(支承筒)25之部分外周面的基板P。處理裝置U3，具有將從處理裝置U2供應之基板P送往搬送方向下游側的驅動輥R4、與調整基板P在寬度方向(Y方向)之位置的邊緣位置控制器EPC3。驅動輥R4藉由在夾持基板P之表背兩面之同時進行旋轉，將基板P送向搬送方向下游側，據以朝曝光位置供應基板P。邊緣位置控制器 EPC3與邊緣位置控制器EPC1同樣構成，修正基板P在寬度方向之位置，以使在曝光位置之基板P之寬度方向成為目標位置。又，處理裝置U3具有在對曝光後基板P賦予鬆弛DL之狀態下，將基板P送往搬送方向下游側之2組驅動輥R5、R6。2組驅動輥R5、R6在基板P之搬送方向隔著既定間隔配置。驅動輥R5夾持搬送之基板P之上游側旋轉、驅動輥R6夾持搬送之基板P之下游側旋轉，據以將基板P供應向處理裝置U4。此時，由於基板P被賦予有鬆弛DL，因此能吸收在較驅動輥R6位於搬送方向下游側所產生之搬送速度之變動，能切斷搬送速度之變動對基板P之曝光處理之影響。此外，於處理裝置U3內設有為進行光罩M之光罩圖案之一部分之像與基板P之相對位置對準(alignment)而檢測預先形成在基板P之對準標記等之對準顯微鏡AM1、AM2。

處理裝置U4，係對從處理裝置U3搬送而來之曝光後之基板P，進行濕式之顯影處理、無電電鍍處理等之濕式處理裝置。處理裝置U4，於其內部具有於鉛直方向(Z方向)階段化之3個處理槽BT1、BT2、BT3、與搬送基板P之複數個輥。複數個輥係以基板P依序通過3個處理槽BT1、BT2、BT3內部之搬送路徑的方式配置。於處理槽BT3之搬送方向下游側設有驅動輥R7，驅動輥R7藉由一邊夾持通過處理槽BT3後之基板P一邊旋轉，據以將基板P供應向處理裝置U5。

雖省略圖示，但處理裝置U5係使從處理裝置U4搬送而來之基板P乾燥的乾燥裝置。處理裝置U5，將在處理裝置U4經濕式處理而附著於基板P之水分含有量，調整為既定水分含有量。由處理裝置U5加以乾燥之基板P，經由若干個處理裝置後被搬送至處理裝置Un。在以處理裝置Un加以處理後，基板P即被捲繞於基板回收裝置4之回收用捲筒FR2。

上位控制裝置5，統籌控制基板供應裝置2、基板回收裝置4及複數個處理裝置U1~Un。上位控制裝置5控制基板供應裝置2及基板回收裝置4，將 基板P從基板供應裝置2搬送向基板回收裝置4。又，上位控制裝置5，與基板P之搬送同步，控制複數個處理裝置U1~Un，以實施對基板P之各種處理。此上位控制裝置5包含電腦、與儲存有程式之記憶媒體，藉由該電腦實施儲存在記憶媒體中之程式，而發揮本第1實施形態之上位控制裝置5之功能。

又，於第1實施形態之元件製造系統1，雖係例示從供應用捲筒FR1送出之基板P依序經由n台處理裝置U1~Un後，被捲繞於回收用捲筒FR2之例，但不限於此構成。例如，元件製造系統1可以是從供應用捲筒FR1送出之基板P，經由1台處理裝置後即被捲繞於回收用捲筒FR2之構成。此時，欲對基板P進行不同處理時，係使用基板供應裝置2及基板回收裝置4，再次將基板P供應至不同處理裝置。

<簡化之元件製造系統>

接著，為易於掌握本發明之特徵部分，針對將圖1之元件製造系統1予以簡化後之元件製造系統1，一邊參照圖2一邊加以說明。圖2係顯示將第1實施形態之元件製造系統1予以簡化時之構成的圖。如圖2所示，簡化後之元件製造系統1，具有基板供應裝置2、作為曝光裝置之處理裝置U3(以下，稱曝光裝置)、基板回收裝置4、以及上位控制裝置5。又，圖2係X方向、Y方向及Z方向正交之正交座標系，為與圖1相同之正交座標系。又，於簡化後之元件製造系統1中，基板供應裝置2係省略了邊緣位置控制器EPC1之構成。此係由於曝光裝置U3中，已設有邊緣位置控制器EPC3之故。首先，參照圖2說明基板供應裝置2。

<基板供應裝置>

基板供應裝置2，具有安裝供應用捲筒FR1之第1軸承部111、與使第1軸承部111升降之第1升降機構112。此外，基板供應裝置2具有進入角度檢測部114，進入角度檢測部114連接於上位控制裝置5。此處，第1實施形態中，上位控制裝置5之功能在於作為基板供應裝置2之控制裝置(控制部)。又，作為基板供應裝置 2之控制裝置，亦可設置控制基板供應裝置2之下位控制裝置，由下位控制裝置控制基板供應裝置2。

第1軸承部111將供應用捲筒FR1軸支成可旋轉。被第1軸承部111軸支之供應用捲筒FR1，當將基板P朝向曝光裝置U3供應(送出)時，供應用捲筒FR1之巻徑會隨著基板P送出之分而減小。因此，從供應用捲筒FR1送出基板P之位置，會隨著基板P被送出之送出量而變化。

第1升降機構112設置在設置面E與第1軸承部111之間。第1升降機構112使第1軸承部111與供應用捲筒FR1一起往Z方向(鉛直方向)移動。第1升降機構112連接於上位控制裝置5，上位控制裝置5以第1升降機構112使第1軸承部111往Z方向移動，即能使從供應用捲筒FR1送出基板P之位置位於既定位置。

進入角度檢測部114，係檢測基板P進入後述曝光裝置U3之搬送輥127之進入角度θ1。進入角度檢測部114設置在搬送輥127周圍。此處，進入角度θ1，於XZ面內，係延伸於通過搬送輥127中心軸之鉛直方向的直線(與Z軸平行)與搬送輥127之上游側之基板P所形成的角度。進入角度檢測部114將檢測結果輸出至其所連接之上位控制裝置5。

上位控制裝置5，根據進入角度檢測部114之檢測結果控制第1升降機構112。具體而言，上位控制裝置5控制第1升降機構112，以使進入角度θ1成為預先規定之目標進入角度。也就是說，從供應用捲筒FR1送出之基板P之送出量越多、供應用捲筒FR1之巻徑越小，相對於目標進入角度之進入角度θ1即越大。因此，上位控制裝置5藉由使第1升降機構112移動至Z方向之下方側(下降)，據以縮小進入角度θ1，將進入角度θ1修正成目標進入角度。以此方式，上位控制裝置5根據進入角度檢測部114之檢測結果，對第1升降機構112進行回饋控制，以使進入角度θ1成為目標進入角度。從而，由於基板供應裝置2相對搬送輥127能恆以目標進入角度供應基板P，因此能降低因進入角度θ1之變化對基板P造成之影響。 又，作為回饋控制，可以是P(比例)控制、PI(比例積分)控制、PID(比例積分微分)控制等之任一種控制。

<曝光裝置(基板處理裝置)>

接著，針對圖2所示之曝光裝置U3，亦參照圖3加以說明。曝光裝置U3，包含位置調整單元120、曝光單元121、驅動單元122(參照圖3)、按壓機構130、以及除振台(防振裝置)131。除振台131設在設置面E上，用以降低來自設置面E之振動(所謂的地面振動)傳至曝光單元121本體。位置調整單元120設在設置面E上，包含圖1所示之上述邊緣位置控制器EPC3而構成。位置調整單元120，於X方向與基板供應裝置2相鄰設置。曝光單元121設在除振台131上，於X方向夾著位置調整單元120設置在基板供應裝置2之相反側。驅動單元122(參照圖3)設在設置面E上，於Y方向與曝光單元121鄰設置。也就是說，位置調整單元120、曝光單元121及驅動單元122於設置面E上係設在相異位置。又，曝光單元121與位置調整單元120及驅動單元122(參照圖3)，於機械上為非結合狀態(非接觸的獨立狀態)。

如上所述，位置調整單元120及驅動單元122係設在設置面E上，另一方面，曝光單元121則係透過除振台131設在設置面E上。因此，曝光單元121與位置調整單元120及驅動單元122，係不同的振動模式。換言之，曝光單元121係設置成與位置調整單元120及驅動單元122在振動傳遞上隔絕的狀態(振動不易彼此傳遞的狀態、亦即振動被有效隔絕的狀態)。

又，曝光裝置U3，具有檢測基板P之位置的第1基板檢測部123及第2基板檢測部124。第1基板檢測部123及第2基板檢測部124連接於上位控制裝置5。又，曝光裝置U3中，與基板供應裝置2同樣的，上位控制裝置5之功能亦是作為曝光裝置U3之控制裝置(控制部)。當然，作為曝光裝置U3之控制裝置，亦可設置控制曝光裝置U3之下位控制裝置，做成以下位控制裝置控制曝光裝置U3 之構成。

<位置調整單元>

如圖2所示，位置調整單元120，具有基台125、上述邊緣位置控制器EPC3(寬度移動機構)、以及固定輥126。基台125設在設置面E上，支承邊緣位置控制器EPC3及固定輥126。基台125亦可以是具有除振功能之除振台。於此基台125，設有於Y方向或繞Z軸之旋轉方向調整基台125之位置的基台位置調整機構128。基台位置調整機構128連接於上位控制裝置5，上位控制裝置5藉由控制基台位置調整機構128，可一併調整設置在基台125上之邊緣位置控制器EPC3及固定輥126之位置。也就是說，基台位置調整機構128之功能，係作為相對曝光單元121於Y方向調整固定輥126之位置的輥位置調整機構。

邊緣位置控制器EPC3，能在基台125上移動於基板P之寬度方向(Y方向)。邊緣位置控制器EPC3，具有包含設在搬送基板P之搬送方向最上游側之搬送輥127的複數個輥。搬送輥127，將從基板供應裝置2供應之基板P引導至位置調整單元120之內部。邊緣位置控制器EPC3連接於上位控制裝置5，根據第1基板檢測部123之檢測結果被上位控制裝置5控制。

固定輥126，將以邊緣位置控制器EPC3於寬度方向經位置調整之基板P引導向曝光單元121。固定輥126可旋轉，相對基台125之位置被固定。因此，藉由以邊緣位置控制器EPC3使基板P往寬度方向移動，即能調整進入固定輥126之基板P於寬度方向之位置。

第1基板檢測部123，檢測從邊緣位置控制器EPC3搬送至固定輥126之基板P於寬度方向之位置。第1基板檢測部123固定在基台125上。因此，第1基板檢測部123與邊緣位置控制器EPC3及固定輥126係相同的振動模式。第1基板檢測部123，檢測與固定輥126接觸之基板P端部之邊緣位置。第1基板檢測部123將檢測結果輸出至所連接之上位控制裝置5。

第2基板檢測部124，檢測從位置調整單元120供應至曝光單元121之基板P之位置。第2基板檢測部124被固定於設置曝光單元121之除振台131上。因此，第2基板檢測部124與曝光單元121為相同振動模式。第2基板檢測部124設在曝光單元121之導入基板P的導入側。具體而言，第2基板檢測部124係在設於曝光單元121之搬送方向最上游側之引導輥28之上游側的位置，與引導輥28相鄰設置。第2基板檢測部124，檢測供應至曝光單元121之基板P於寬度方向(Y方向)及鉛直方向(Z方向)之位置。第2基板檢測部124將檢測結果輸出至所連接之上位控制裝置5。

上位控制裝置5，根據第1基板檢測部123之檢測結果控制邊緣位置控制器EPC3。具體而言，上位控制裝置5，算出從以第1基板檢測部123檢測之進入固定輥126之基板P兩端部之邊緣(Y方向兩邊緣)之位置求出之Y方向中心位置、與預先規定之第1目標位置(目標中心位置)的差。接著，上位控制裝置5以使該差為0之方式對邊緣位置控制器EPC3進行回饋控制，使基板P往寬度方向移動，將相對固定輥126之基板P於寬度方向之中心位置修正至第1目標中心位置。由於邊緣位置控制器EPC3可將相對固定輥126之基板P於寬度方向之位置維持於第1目標位置，因此能降低相對固定輥126之基板P於寬度方向之位置偏移。又，在此場合，回饋控制可以是P控制、PI控制、PID控制等之任一種控制。

又，上位控制裝置5，根據第2基板檢測部124之檢測結果控制基台位置調整機構128。具體而言，上位控制裝置5，算出從以第2基板檢測部124檢測之基板P之寬度方向兩端之位置求出之中心位置、與預先規定之第2目標中心位置的差。接著，上位控制裝置5，以該差為0之方式對基台位置調整機構128進行回饋控制，以基台位置調整機構128調整基台125之位置，據以調整相對引導輥28之固定輥126於Y方向之位置。此時，上位控制裝置5調整固定輥126之位置，以避免基板P產生扭轉及寬度方向之位置偏移。例如，上位控制裝置5以固定輥 126之軸方向相對引導輥28之軸方向成平行之方式調整其位置。上位控制裝置5，由於能以基台位置調整機構128於Y方向或繞Z軸之旋轉方向調整固定輥126之位置，而能將供應至曝光單元121之基板P之寬度方向中心位置維持於第2目標中心位置，因此能降低基板P之扭轉及寬度方向之位置偏移。此外，此場合，作為回饋控制亦可以是P控制、PI控制、PID控制等之任一種控制。

如以上所述，位置調整單元120可將供應至固定輥126之基板P於寬度方向之位置修正至第1目標位置，將供應至曝光單元121之引導輥28之基板P之位置修正至第2目標位置。

又，第1實施形態中，雖係修正從位置調整單元120供應至曝光單元121之基板P之位置，但不限於此構成，例如，亦可以是修正從基板供應裝置2供應至位置調整單元120之基板P之位置。此場合，係於搬送輥127於搬送方向之上游側設置基板檢測部，並設置調整供應用捲筒FR1之位置的捲筒位置調整機構。亦可藉由上位控制裝置5根據基板檢測部之檢測結果控制捲筒位置調整機構，以調整供應用捲筒FR1。同樣的，亦可修正從曝光單元121供應至基板回收裝置4之基板P之位置。

<曝光單元>

其次，針對第1實施形態之曝光裝置U3之曝光單元121之構成，參照圖2至圖7加以說明。圖3係顯示第1實施形態之曝光裝置(基板處理裝置)U3之部分構成的圖，圖4係顯示圖3中之基板支承機構12之驅動部之構成的圖。圖5係顯示第1實施形態之曝光單元121之整體構成的圖。圖6係顯示圖5所示之曝光單元121之照明區域IR及投影區域PA之配置的圖。圖7係圖5所示之曝光單元121之投影光學系PL之構成的圖。

圖2至圖5所示之曝光單元121係所謂的掃描曝光裝置，藉由構成基板支承機構(基板搬送機構)12之複數個引導輥28與可旋轉之圓筒狀旋轉筒 25，一邊往搬送方向(掃描方向)搬送基板P、一邊將形成在平面狀光罩M之光罩圖案之像投影曝光於基板P之表面。又，圖3及圖4係從-X側觀察曝光單元121的圖，圖5及圖7為X方向、Y方向及Z方向正交之正交座標系，與圖1為同樣的正交座標系。

首先，說明用於曝光單元121之光罩M。光罩M，係被作成例如於平坦性佳之玻璃板之一面以鉻等遮光層形成有光罩圖案之穿透型的平面狀片型光罩。在被保持於後述光罩載台21上之狀態下使用。光罩M具有未形成光罩圖案之圖案非形成區域，於圖案非形成區域被安裝在光罩載台21上。光罩M可相對光罩載台21釋放。

又，光罩M可以是形成有對應1個顯示元件之面板用圖案的整體或一部分，亦可以是形成有對應複數個顯示元件之面板用圖案的取多面者。又，於光罩M，可以是面板用圖案於光罩M之掃描方向(X方向)反覆形成有複數個，亦可以是小型的面板用圖案在與掃描方向正交之方向(Y方向)反覆形成有複數個。再者，光罩M，可以是形成有第1顯示元件之面板用圖案、與尺寸等和第1顯示元件不同之第2顯示元件之面板用圖案。

如圖3、圖5所示，設置在除振台131上之曝光單元121除上述對準顯微鏡AM1、AM2之外，亦具有裝置框架132、支承光罩載台21之光罩保持機構11、基板支承機構12、投影光學系PL、以及下位控制裝置(控制部)16。此曝光單元121，承受來自照明機構13之照明光束EL1之照射，將從被保持在光罩保持機構11之光罩M之光罩圖案產生之穿透光(成像光束)投射於被支承在基板支承機構12之旋轉筒25的基板P，將光罩圖案之部分投影像成像在基板P表面。

下位控制裝置16控制曝光裝置U3之各部，使各部實施處理。下位控制裝置16可以是元件製造系統1之上位控制裝置5之一部分或全部。又，下位控制裝置16亦可以是受上位控制裝置5控制、與上位控制裝置5不同之其他裝置。下 位控制裝置16，例如包含電腦。

除振台131設在設置面E上，支承裝置框架132。具體而言，如圖3所示，除振台131，包含於Y方向設在外側之第1除振台131a、與設在第1除振台131a內側之第2除振台131b。

裝置框架132設在第1除振台131a及第2除振台131b上，支承光罩保持機構11、基板支承機構12、照明機構13及投影光學系PL。裝置框架132，具有支承光罩保持機構11、照明機構13及投影光學系PL之第1框架132a、與支承基板支承機構12之第2框架132b。第1框架132a及第2框架132b分別獨立設置，以第1框架132a覆蓋第2框架132b之方式配置。第1框架132a設在第1除振台131a上，第2框架132b則設在第2除振台131b上。

第1框架132a，係由設在第1除振台131a上之第1下方框架135、設在第1下方框架135之Z方向上方之第1上方框架136、以及立設於第1上方框架136之臂部137構成。第1下方框架135具有立設在第1除振台131a上之脚部135a與被脚部135a支承之上面部135b，於上面部135b透過保持構件143支承投影光學系PL。保持構件143，從XY面內觀察時，係以配置在上面部135b上3處之金屬球等構成之墊圈構件145，動態的支承。脚部135a係配置成於其既定部位，後述旋轉筒25之旋轉軸AX2於Y方向插通。

第1上方框架136，與第1下方框架135同樣的具有立設在上面部135b上之脚部136a、與被脚部136a支承之上面部136b，於上面部136b支承光罩保持機構11(光罩載台21)。臂部137立設在上面部136b上，以照明機構13位於光罩保持機構11上方之方式支承照明機構13。

第2框架132b，係由設在第2除振台131b上之下面部139、與在下面部139上於Y方向分離立設之一對軸承部140構成。於一對軸承部140設有軸支作為旋轉筒25之旋轉中心之旋轉軸AX2的空氣軸承141。

光罩保持機構11，具有保持光罩M之光罩載台(光罩保持構件)21、用以使光罩載台21移動之未圖示的移動機構(線性導件、空氣軸承等)、與用以將動力傳遞至移動機構之傳遞構件23。光罩載台21係構成為圍繞光罩M之圖案形成區域的框狀，藉由設在驅動單元122之光罩側驅動部(馬達等之驅動源)22於第1上方框架136之上面部136b，移動於作為掃描方向之X方向。從傳遞構件23傳遞之驅動力，提供於以移動機構進行之光罩載台21之直線驅動。

本實施形態中，由於光罩載台21為進行掃描曝光而於X方向直線運動，因此光罩側驅動部(驅動源)22包含於X方向延設之方式固定在支柱框架146之線性馬達的磁石軌道(固定子)，傳遞構件23包含與該磁石軌道以一定間距對向之線性馬達的線圈單元(可動子)。此外，圖3中，在將投影光學系PL支承於裝置框架132側之保持構件143，設有測量旋轉筒25之外周面(或基板P表面)中、對應投影光學系PL之曝光位置之表面高度變化的變位感測器SG1與從光罩載台21之下側測量光罩M之Z方向位置變化的變位感測器SG2。

另一方面，如圖2、圖3所示，將基板P圍繞略半周加以支承之旋轉筒25，係以設在圖3所示之驅動單元122之基板側驅動部(旋轉馬達等之驅動源)26旋轉。如圖5中亦有所示，旋轉筒25係形成圓筒形狀，此圓筒形狀具有以延伸於Y方向之旋轉軸AX2為中心之曲率半徑為Rfa的外周面(圓周面)。此處，以包含旋轉軸AX2之中心線、與YZ面平行之面為中心面CL(參照圖5)。旋轉筒25之一部分圓周面，為以既定張力支承基板P之支承面P2。也就是說，旋轉筒25係將基板P以一定張力捲繞於該支承面P2，據以將基板P支承為安定的圓筒曲面狀。

將旋轉軸AX2以兩側之軸承部140加以軸支之各空氣軸承141，將旋轉軸AX2以非接觸狀態軸支成旋轉自如。又，本實施形態中，雖係在旋轉筒25之兩端以空氣軸承141支承旋轉軸AX2，但亦可以是使用加工成高精度之球或針 之一般的軸承。如圖2及圖5所示，複數個引導輥28係隔著旋轉筒25，分別設置在基板P之搬送方向上游側及下游側。例如引導輥28設有4個，於搬送方向之上游側及搬送方向之下游側分別配置有各2個。

承上所述，基板支承機構12將從位置調整單元120搬送而來之基板P，以2個引導輥28引導至旋轉筒25。基板支承機構12，以基板側驅動部26透過旋轉軸AX2使旋轉筒25旋轉，據以將導入旋轉筒25之基板P一邊以旋轉筒25之支承面P2加以支承、一邊搬送向引導輥28。基板支承機構12將搬送到引導輥28之基板P引導向基板回收裝置4。

接著，參照圖4說明基板側驅動部26之一構成例。圖4中，於捲繞基板P之旋轉筒25之至少一端側，以和旋轉軸AX2同軸之方式固設有與旋轉筒25之外周表面25a之半徑Rfa略同一徑的圓板狀標尺板25c。於此標尺板25c之外周面，於周方向以一定間距形成有繞射光柵，由編碼器測量用之讀取頭EH以光學方式檢測該繞射光柵，據以測量旋轉筒25之旋轉角度、或旋轉筒25之表面25a於周方向之移動量。以讀取頭EH測量之旋轉筒25之旋轉角度資訊等，亦用作為使旋轉筒25旋轉之馬達之伺服控制的回饋訊號。又，圖4中，變位感測器SG1雖係配置成測量基板P表面之高度位置之變位(徑方向變位)，但亦可配置成測量未被基板P覆蓋之旋轉筒25之端部側區域25b表面之高度位置之變位(徑方向變位)。

在被空氣軸承141軸支之旋轉軸AX2之端部側，設有產生繞旋轉軸AX2之扭矩之旋轉馬達之磁石單元Mur排列成環狀的旋轉子RT、與對旋轉軸AX2賦予軸方向推力之音圈馬達用的磁石單元MUs。於圖3中固定在支柱框架146之固定子側，設有以和旋轉子RT周圍之磁石單元MUr對向之方式配置的線圈單元CUr、與以捲繞於磁石單元MUs之方式捲繞而成的線圈單元CUs。藉由此種構成，即能使與旋轉軸AX2一體化之旋轉筒25(及標尺板25c)，以賦予旋轉子RT之扭矩順暢的旋轉。

又，由於音圈馬達(MUs、CUs)在旋轉筒25之旋轉中亦會產生旋轉軸AX2方向(Y方向)之推力，因此能使旋轉筒25(及標尺板25c)於Y方向微動。據此，基板P在掃描曝光中於Y方向之微小的位置偏移可逐次加以修正。

又，圖4之構成中，設有測量旋轉軸AX2之端面Tp之Y方向變位的變位感測器DT1、或測量標尺板25c之端面之Y方向變位的變位感測器DT2，能即時逐次測量掃描曝光中之旋轉筒25之Y方向的位置變化。因此，只要是根據來自該等變位感測器DT1、DT2之測量訊號，進行音圈馬達(MUs、CUs)之伺服控制的話，即能精密的定位旋轉筒25之Y方向位置。

此處，如圖6所示，第1實施形態之曝光裝置U3係設定為所謂多透鏡(multi-lens)方式的曝光裝置。此外，圖6中，顯示了從-Z側觀察被保持於光罩載台21之光罩M上之照明區域IR(IR1~IR6)的俯視圖(圖6之左圖)、與從+Z側觀察被支承於旋轉筒25之基板P上之投影區域PA(PA1~PA6)的俯視圖(圖6之右圖)。圖6中之符號Xs，代表光罩載台21及旋轉筒25之掃描方向(旋轉方向)。多透鏡方式之曝光裝置U3，對光罩M上之複數個(第1實施形態中，例如為6個)照明區域IR1~IR6分別照射照明光束EL1，並將各照明光束EL1照明於各照明區域IR1~IR6所得之複數個投影光束EL2，投影曝光至基板P上之複數個(第1實施形態中，例如為6個)投影區域PA1~PA6。

首先，說明以照明機構13照明之複數個照明區域IR1~IR6。如圖6所示，複數個照明區域IR1~IR6夾著中心面CL於基板P之掃描方向排列成2行，於掃描方向上游側之光罩M上配置照明區域IR1、IR3及IR5，於掃描方向下游側之光罩M上則配置照明區域IR2、IR4及IR6。各照明區域IR1~IR6，係具有延伸於光罩M之寬度方向(Y方向)之平行短邊及長邊的細長梯形區域。此時，梯形之各照明區域IR1~IR6，係成其短邊位於中心面CL側、其長邊位於外側之區域。奇數號之照明區域IR1、IR3及IR5於Y方向相隔既定間隔配置。此外，偶數號之 照明區域IR2、IR4及IR6亦於Y方向相隔既定間隔配置。此時，照明區域IR2係於Y方向配置在照明區域IR1與照明區域IR3之間。同樣的，照明區域IR3亦於Y方向配置在照明區域IR2與照明區域IR4之間。照明區域IR4於Y方向配置在照明區域IR3與照明區域IR5之間。照明區域IR5於Y方向配置在照明區域IR4與照明區域IR6之間。各照明區域IR1~IR6，從光罩M之掃描方向觀察時，係配置成相鄰梯形照明區域之斜邊部之三角部重疊(overlap)。又，第1實施形態中，雖然各照明區域IR1~IR6係設為梯形區域，但亦可以是長方形區域。

又，光罩M，具有形成光罩圖案之圖案形成區域A3、與不形成光罩圖案之圖案非形成區域A4。圖案非形成區域A4係吸收照明光束EL1之低反射區域，配置成圍繞圖案形成區域A3成框狀。照明區域IR1~IR6，係配置成能涵蓋圖案形成區域A3之Y方向全寬。

照明機構13，射出照明於光罩M之照明光束EL1。照明機構13具備光源裝置及照明光學系IL。光源裝置包含例如水銀燈等之燈光源、雷射二極體、或發光二極體(LED)等之固體光源。光源裝置射出之照明光，例如係從燈光源射出之輝線(g線、h線、i線)、KrF準分子雷射光(波長248nm)等之遠紫外光(DUV光)、ArF準分子雷射光(波長193nm)等。從光源裝置射出之照明光，其照度分布被均勻化後，透過例如光纖等之導光構件被導至照明光學系IL。

照明光學系IL，係對應複數個照明區域IR1~IR6而設有複數個(第1實施形態中，例如為6個)之照明模組IL1~IL6。於複數個照明模組IL1~IL6，分別射入來自光源裝置之照明光束EL1。各照明模組IL1~IL6將從光源裝置射入之照明光束EL1分別導向各照明區域IR1~IR6。也就是說，照明模組IL1將照明光束EL1導向照明區域IR1，同樣的，照明模組IL2~IL6將照明光束EL1導向照明區域IR2~IR6。複數個照明模組IL1~IL6，係夾著中心面CL於光罩M之掃描方向配置成2行。照明模組IL1、IL3及IL5係相對中心面CL配置在照明區域IR1、 IR3及IR5之配置側(圖5之左側)。照明模組IL1、IL3及IL5於Y方向相隔既定間隔配置。又，照明模組IL2、IL4及IL6係相對中心面CL配置在照明區域IR2、IR4及IR6之配置側(圖5之右側)。照明模組IL2、IL4及IL6於Y方向相隔既定間隔配置。此時，照明模組IL2係於Y方向配置在照明模組IL1與照明模組IL3之間。同樣的，照明模組IL3於Y方向配置在照明模組IL2與照明模組IL4之間。照明模組IL4於Y方向配置在照明模組IL3與照明模組IL5之間。照明模組IL5於Y方向配置在照明模組IL4與照明模組IL6之間。又，照明模組IL1、IL3及IL5與照明模組IL2、IL4及IL6，從Y方向看係以中心面CL為中心對稱配置。

複數個照明模組IL1~IL6之各個，例如包含積分器光學系、棒狀透鏡、複眼透鏡等之複數個光學構件，以均勻照度分布之照明光束EL1照明各照明區域IR1~IR6。第1實施形態中，複數個照明模組IL1~IL6配置在光罩M之Z方向之上方側。複數個照明模組IL1~IL6之各個，從光罩M之上方側照明形成在光罩M之光罩圖案之各照明區域IR。

其次，說明被投影光學系PL投影曝光之複數個投影區域PA1~PA6。如圖6所示，基板P上之複數個投影區域PA1~PA6係與光罩M上之複數個照明區域IR1~IR6對應配置。也就是說，基板P上之複數個投影區域PA1~PA6，係隔著中心面CL於搬送方向配置成2行，於搬送方向(掃描方向)上游側之基板P上配置投影區域PA1、PA3及PA5，於搬送方向下游側之基板P上配置投影區域PA2、PA4及PA6。各投影區域PA1~PA6，係具有延伸於基板P之寬度方向(Y方向)之短邊及長邊的細長梯形區域。此時，梯形之各投影區域PA1~PA6，係成其短邊位於中心面CL側、其長邊位於外側之區域。投影區域PA1、PA3及PA5，於寬度方向相隔既定間隔配置。此外，投影區域PA2、PA4及PA6，亦於寬度方向相隔既定間隔配置。此時，投影區域PA2係於旋轉軸AX2之軸方向，配置在投影區域PA1與投影區域PA3之間。同樣的，投影區域PA3亦係於旋轉軸AX2之軸方 向，配置在投影區域PA2與投影區域PA4之間。投影區域PA4於旋轉軸AX2之軸方向，配置在投影區域PA3與投影區域PA5之間。投影區域PA5於旋轉軸AX2之軸方向，配置在投影區域PA4與投影區域PA6之間。各投影區域PA1~PA6，與各照明區域IR1~IR6同樣的，從基板P之搬送方向觀察，係配置成相鄰梯形之投影區域PA之斜邊部之三角部重疊(overlap)。此時，投影區域PA係成一在相鄰投影區域PA之重複區域之曝光量，與在不重複區域之曝光量實質相同的形狀。投影區域PA1~PA6並以能涵蓋被曝光至基板P上之曝光區域A7之Y方向全寬之方式配置。

此處，圖5中，於XZ面內觀察時，從光罩M上照明區域IR1(及IR3、IR5)之中心點到照明區域IR2(及IR4、IR6)之中心點的長度，係設定成與從貼著支承面P2之基板P上之投影區域PA1(及PA3、PA5)之中心點到投影區域PA2(及PA4、PA6)之中心點的周長實質相等。

又，如圖5所示，投影光學系PL，對應複數個投影區域PA1~PA6設有複數個(第1實施形態中，例如為6個)投影模組PL1~PL6。於複數個投影模組PL1~PL6，分別射入來自複數個照明區域IR1~IR6之複數個投影光束EL2。各投影模組PL1~PL6將來自光罩M之各投影光束EL2分別導向各投影區域PA1~PA6。也就是說，投影模組PL1將來自照明區域IR1之投影光束EL2導向投影區域PA1，同樣的，投影模組PL2~PL6將來自照明區域IR2~IR6之各投影光束EL2導向投影區域PA2~PA6。複數個投影模組PL1~PL6隔著中心面CL於光罩M之掃描方向配置成2行。投影模組PL1、PL3及PL5，相對中心面CL配置在投影區域PA1、PA3及PA5之配置側(圖5之左側)。投影模組PL1、PL3及PL5於Y方向相隔既定間隔配置。此外，投影模組PL2、PL4及PL6，相對中心面CL配置在投影區域PA2、PA4及PA6之配置側(圖5之右側)。投影模組PL2、PL4及PL6於Y方向相隔既定間隔配置。此時，投影模組PL2於旋轉軸AX2之軸方向，配置在投影模組PL1與投影模組PL3之間。同樣的，投影模組PL3於旋轉軸AX2之軸方向，配置在 投影模組PL2與投影模組PL4之間。投影模組PL4於旋轉軸AX2之軸方向，配置在投影模組PL3與投影模組PL5之間。投影模組PL5於旋轉軸AX2之軸方向，配置在投影模組PL4與投影模組PL6之間。又，投影模組PL1、PL3及PL5與投影模組PL2、PL4及PL6，從Y方向觀察係以中心面CL為中心對稱配置。

複數個投影模組PL1~PL6係與複數個照明模組IL1~IL6對應設置。也就是說，投影模組PL1將被照明模組IL1照明之照明區域IR1之光罩圖案之像，投影至基板P上之投影區域PA1。同樣的，投影模組PL2~PL6將被照明模組IL2~IL6照明之照明區域IR2~IR6之光罩圖案之像，投影至基板P上之投影區域PA2~PA6。

其次，參照圖7，說明各投影模組PL1~PL6。又，由於各投影模組PL1~PL6皆為相同構成，因此以投影模組PL1為例加以說明。

投影模組PL1，將在光罩M上照明區域IR(照明區域IR1)之光罩圖案之像，投影至基板P上之投影區域PA。如圖7所示，投影模組PL1具備將在照明區域IR之光罩圖案之像成像於中間像面P7的第1光學系61、將以第1光學系61成像之中間像之至少一部分再成像於基板P之投影區域PA的第2光學系62、以及配置在形成中間像之中間像面P7的投影視野光闌63。此外，投影模組PL1具備焦點修正光學構件64、像移動用光學構件65、倍率修正用光學構件66、以及旋轉修正機構67。

第1光學系61及第2光學系62例如戴森系予以變形之遠心的折反射光學系。第1光學系61，其光軸(以下，稱第2光軸BX2)對中心面CL實質正交。第1光學系61，具備第1偏向構件70、第1透鏡群71、以及第1凹面鏡72。第1偏向構件70係具有第1反射面P3與第2反射面P4之三角稜鏡。第1反射面P3，係使來自光罩M之投影光束EL2反射、並使反射之投影光束EL2通過第1透鏡群71射入第1凹面鏡72之面。第2反射面P4，係被第1凹面鏡72反射之投影光束EL2通過第 1透鏡群71後射入，將射入之投影光束EL2反射向投影視野光闌63之面。第1透鏡群71包含各種透鏡，各種透透鏡之光軸配置在第2光軸BX2上。第1凹面鏡72，係配置在由複眼透鏡生成之多數點光源，藉由從複眼透鏡透過照明視野光闌至第1凹面鏡72之各種透鏡而成像之光瞳面。

來自光罩M之投影光束EL2，通過焦點修正光學構件64及像移動用光學構件65後被第1偏向構件70之第1反射面P3反射，通過第1透鏡群71上半部之視野區域射入第1凹面鏡72。射入第1凹面鏡72之投影光束EL2被第1凹面鏡72反射，通過第1透鏡群71下半部之視野區域射入第1偏向構件70之第2反射面P4。射入第2反射面P4之投影光束EL2被第2反射面P4反射，射入投影視野光闌63。

投影視野光闌63具有規定投影區域PA之形狀的開口。亦即，由投影視野光闌63之開口形狀規定投影區域PA之形狀。

第2光學系62具有與第1光學系61相同之構成，夾著中間像面P7與第1光學系61對稱設置。第2光學系62，其光軸(以下，稱第3光軸BX3)對中心面CL實質正交，與第2光軸BX2平行。第2光學系62，具備第2偏向構件80、第2透鏡群81、以及第2凹面鏡82。第2偏向構件80具有第3反射面P5與第4反射面P6。第3反射面P5，係使來自投影視野光闌63之投影光束EL2反射，並使反射之投影光束EL2通過第2透鏡群81射入第2凹面鏡82之面。第4反射面P6，係被第2凹面鏡82反射之投影光束EL2通過第2透鏡群81後射入，使射入之投影光束EL2反射向投影區域PA之面。第2透鏡群81包含各種透鏡，各種透鏡之光軸配置在第3光軸BX3上。第2凹面鏡82，係配置在於第1凹面鏡72成像之多數點光源像，藉由從第1凹面鏡72透過投影視野光闌63至第2凹面鏡82之各種透鏡而成像之光瞳面。

來自投影視野光闌63之投影光束EL2，被第2偏向構件80之第3反射面P5反射後，通過第2透鏡群81上半部之視野區域射入第2凹面鏡82。射入第2凹面鏡82之投影光束EL2於第2凹面鏡82反射後，通過第2透鏡群81下半部之視野 區域射入第2偏向構件80之第4反射面P6。射入第4反射面P6之投影光束EL2於第4反射面P6反射後，通過倍率修正用光學構件66投射於投影區域PA。據此，在照明區域IR之光罩圖案之像，即以等倍(×1)投影於投影區域PA。

焦點修正光學構件64配置在光罩M與第1光學系61之間。焦點修正光學構件64係修正投影於基板P上之光罩圖案之像的聚焦狀態。焦點修正光學構件64，例如係將2片楔形稜鏡反向(圖7中，係於X方向反向)重疊而使整體成透明之平行平板者。將此1對稜鏡在不改變彼此對向之面間之間隔的狀態下滑動於斜面方向，即能使作為平行平板之厚度可變。據此，微調整第1光學系61之實效光路長，微調整形成在中間像面P7及投影區域PA之光罩圖案之像之對焦狀態。

像移動用光學構件65配置在光罩M與第1光學系61之間。像移動用光學構件65，係調整投影於基板P上之光罩圖案之像於像面內可移動。像移動用光學構件65，係由圖6之可在XZ面內傾斜之透明的平行平板玻璃、與圖7之可在YZ面內傾斜之透明的平行平板玻璃構成。藉由調整該2片平行平板玻璃之各傾斜量，即能使形成在中間像面P7及投影區域PA之光罩圖案之像於X方向及Y方向微幅移動(shift)。

倍率修正用光學構件66配置在第2偏向構件80與基板P之間。倍率修正用光學構件66，係將例如凹透鏡、凸透鏡、凹透鏡之3片以既定間隔同軸配置，將前後之凹透鏡固定、並使中間之凸透鏡可於光軸(主光線)方向移動而構成。據此，形成在投影區域PA之光罩圖案之像，即能在維持遠心的成像狀態之同時、等方的微幅放大或縮小。此外，構成倍率修正用光學構件66之3片透鏡群之光軸，在XZ面內係傾斜而與投影光束EL2之主光線成平行。

旋轉修正機構67，係例如藉由致動器(圖示略)使第1偏向構件70繞與第2光軸BX2垂直之軸微幅旋轉者。此旋轉修正機構67，可藉由使第1偏向構件70旋轉，以使形成在中間像面P7之光罩圖案之像於該面P7內微幅旋轉。

在以此方式構成之投影模組PL1~PL6中，來自光罩M之投影光束EL2係從照明區域IR往光罩面P1之法線方向射出，射入第1光學系61。射入第1光學系61之投影光束EL2，穿透焦點修正光學構件64及像移動用光學構件65後，於第1光學系61之第1偏向構件70之第1反射面(平面鏡)P3反射，通過第1透鏡群71於第1凹面鏡72反射。被第1凹面鏡72反射之投影光束EL2，再次通過第1透鏡群71後於第1偏向構件70之第2反射面(平面鏡)P4反射，射入投影視野光闌63。通過投影視野光闌63之投影光束EL2，於第2光學系62之第2偏向構件80之第3反射面(平面鏡)P5反射，通過第2透鏡群81於第2凹面鏡82反射。被第2凹面鏡82反射之投影光束EL2，再次通過第2透鏡群81後於第2偏向構件80之第4反射面(平面鏡)P6反射，射入倍率修正用光學構件66。從倍率修正用光學構件66射出之投影光束EL2，射入基板P上之投影區域PA，出現在照明區域IR內之光罩圖案之像以等倍(×1)被投影於投影區域PA。

<驅動單元之控制>

其次，參照圖3，說明驅動單元122之控制。驅動單元122，包含安裝在設置於設置面E上之支柱框架146的光罩側驅動部22、與基板側驅動部26而構成。

如先前之說明，光罩側驅動部22，係由固定在支柱框架146之延伸於X方向之線性馬達的磁石軌道(固定子)、與固定在結合於光罩載台21之傳遞構件23而與該磁石軌道以一定間距對向之線性馬達的線圈單元(可動子)構成。又，基板側驅動部26，如先前之圖4所示，包含由固定在支柱框架146側作為固定子之線圈單元Cur與固定在旋轉筒25之旋轉軸AX2側之旋轉子RT作為可動子之磁石單元MUr構成的旋轉馬達、與從支柱框架146側對旋轉筒25賦予往旋轉軸AX2之方向(Y方向)之推力的音圈馬達(MUs、CUs)。如以上所述，光罩側驅動部22及基板側驅動部26，雖係能以非接觸方式直接對傳遞構件23及旋轉軸AX2傳遞動力之構成(Direct drive方式)，但不限於上述構成。例如基板側驅動 部26可以是具有電動馬達與磁性齒輪，將電動馬達固定於支柱框架146側，並在電動馬達之輸出軸與旋轉軸AX2之間裝設磁性齒輪。

上述方式之驅動單元122之構成中，圖5所示之下位控制裝置16，係使光罩載台21與旋轉筒25同步移動。因此，形成在光罩M之光罩面P1之光罩圖案之像，被連續的反覆投影曝光於捲繞在旋轉筒25之支承面P2(圖4中之25a)之基板P表面(順著圓周面彎曲之面)。於第1實施形態之曝光裝置U3，再以光罩M往+X方向之同步移動進行掃描曝光後，必須有使光罩M回到-X方向初期位置之動作(捲回)。因此，在使旋轉筒25以一定速度連續旋轉來以等速持續搬送基板P之情形時，光罩M之捲回動作期間，於基板P上不會進行圖案曝光，而係於基板P之搬送方向跳躍的(分離)形成面板用圖案。然而，實用上，係假定掃描曝光時基板P之速度(此處，指周速)與光罩M之速度為50mm/s~100mm/s，因此在光罩M之捲回時以例如500mm/s最高速驅動光罩載台21的話，能縮小(使之狹窄)在基板P上形成之面板用圖案間於搬送方向之餘白。

本實施形態中，可以雷射干涉儀或線性編碼器精密的測量光罩載台21於X方向之移動位置及速度、以圖4中之標尺板25c之讀取頭EH精密的測量旋轉筒25之外周面之移動位置及速度，據以正確的確保光罩M與基板P於掃描曝光方向之位置上同步及速度上同步。

<按壓機構>

其次，參照圖2，說明按壓機構130。按壓機構130設在位置調整單元120與曝光單元121之間。按壓機構130係對從位置調整單元120供應至曝光單元121之基板P進行按壓以賦予張力。按壓機構130具有按壓構件151、與使按壓構件151升降之升降機構152。按壓構件151係對基板P以接觸或非接觸之狀態進行按壓。按壓構件151，係使用例如具有用以做出與基板P之非接觸狀態之空氣噴出口及吸入口的空氣轉向桿(air turn bar)、或接觸基板P之摩擦輥等。升降機構152，係使按 壓構件151於從基板P之一面(背面)按壓向另一面(表面)之方向、亦即於Z方向升降。升降機構152連接於上位控制裝置5，根據第2基板檢測部124之檢測結果受上位控制裝置5控制。

上位控制裝置5根據第2基板檢測部124之檢測結果控制按壓機構130。具體而言，上位控制裝置5從以第2基板檢測部124檢測出之基板P之位置，算出基板P每單位時間(例如數毫秒)之位置變位量。上位控制裝置5依據算出之變位量，調整按壓構件151於Z方向之移動量。也就是說，上位控制裝置5，在算出之變位量越大、視為基板P之振動越大，即控制升降機構152使按壓構件151往Z方向上升。上位控制裝置5，藉由使按壓構件151往Z方向上升，據以對基板P賦予張力，基板P之振動即受按壓構件151制振。

<基板回收裝置>

接著，再次參照圖2，說明基板回收裝置4。基板回收裝置4具有位置調整單元160、裝有回收用捲筒FR2之第2軸承部161、以及使第2軸承部161升降之第2升降機構162。此外，基板回收裝置4亦具有排出角度檢測部164、與第3基板檢測部165，排出角度檢測部164及第3基板檢測部165連接於上位控制裝置5。此處，於第1實施形態中，上位控制裝置5，與基板供應裝置2同樣的，係作為基板回收裝置4之控制裝置(控制部)。又，作為基板回收裝置4之控制裝置，亦可以設置控制基板回收裝置4之下位控制裝置，而作成由下位控制裝置控制基板回收裝置4之構成。

位置調整單元160，包含圖1所示之上述邊緣位置控制器EPC2而構成。又，位置調整單元160與曝光裝置U3之位置調整單元120之構成略相同，具有基台170、與邊緣位置控制器EPC2。基台170設在設置面E上，支承邊緣位置控制器EPC2。基台170可以是具有除振功能之除振台。

邊緣位置控制器EPC2能在基台170上於基板P之寬度方向(Y方 向)移動。邊緣位置控制器EPC2，具有包含設在基板P之搬送方向最下游側之搬送輥167的複數個輥。搬送輥167將從位置調整單元160排出之基板P引導至回收用捲筒FR2。邊緣位置控制器EPC2連接於上位控制裝置5，根據第3基板檢測部165之檢測結果受上位控制裝置5。

第3基板檢測部165，檢測從邊緣位置控制器EPC2回收至回收用捲筒FR2之基板P於寬度方向之位置。第3基板檢測部165固定在第2升降機構162上。因此，第3基板檢測部165與回收用捲筒FR2為相同振動模式。第3基板檢測部165檢測背回收至回收用捲筒FR2之基板P端部之邊緣之位置。第3基板檢測部165將檢測結果輸出至其所連接之上位控制裝置5。

上位控制裝置5，根據第3基板檢測部165之檢測結果控制邊緣位置控制器EPC2。具體而言，上位控制裝置5，係算出以第3基板檢測部165檢測之被回收至回收用捲筒FR2之基板P端部之邊緣之位置、與預先規定之第3目標位置的差。接著，上位控制裝置5為使該差分為0而對邊緣位置控制器EPC2進行回饋控制，使基板P移動於寬度方向，將相對回收用捲筒FR2之基板P於寬度方向之位置設定為第3目標位置。因此，邊緣位置控制器EPC2可將相對回收用捲筒FR2之基板P於寬度方向之位置維持於第3目標位置。從而，由於能將相對回收用捲筒FR2之基板P於寬度方向之位置維持一定，因此能使在回收用捲筒FR2之軸方向之端面對齊。又，此場合，作為回饋控制，亦可以是P控制、PI控制、PID控制等之任一種控制。

第2軸承部161將回收用捲筒FR2軸支成可旋轉。軸支於第2軸承部161之回收用捲筒FR2，當回收基板P時，回收用捲筒FR2之巻徑會隨著回收基板P之分而越大。因此，於回收用捲筒FR2，回收基板P之位置會隨著基板P之回收量而變化。

第2升降機構162設在設置面E與第2軸承部161之間。第2升降機 構162係使第2軸承部161與回收用捲筒FR2一起往Z方向(鉛直方向)移動。第2升降機構162連接於上位控制裝置5，上位控制裝置5可藉由以第2升降機構162使第2軸承部161往Z方向移動，將以回收用捲筒FR2回收基板P之位置設定在既定位置。

排出角度檢測部164係檢測從邊緣位置控制器EPC2之搬送輥167排出之基板P之排出角度θ2。排出角度檢測部164設在搬送輥167周圍。此處，排出角度θ2，係於XZ面內，通過搬送輥167之中心軸延伸於鉛直方向之直線與搬送輥167下游側之基板P所夾角度。排出角度檢測部164將檢測結果輸出至所連接之上位控制裝置5。

上位控制裝置5，根據排出角度檢測部164之檢測結果控制第2升降機構162。具體而言，上位控制裝置5控制第2升降機構162以使排出角度θ2成為預先規定之目標排出角度。也就是說，當基板P被回收至回收用捲筒FR2之回收量越多、回收用捲筒FR2之巻徑越大，相對於目標排出角度之排出角度θ2即越小。因此，上位控制裝置5藉由使第2升降機構162往Z方向之上方側移動(上升)，使排出角度θ2變大，修正排出角度θ2使之成為目標排出角度。如以上所述，上位控制裝置5根據排出角度檢測部164之檢測結果對第2升降機構162進行回饋控制，以使排出角度θ2成為目標排出角度。從而，由於基板回收裝置4能恆以目標排出角度從搬送輥167排出基板P，因此能降低因排出角度θ2之變化對基板P造成的影響。又，在此場合下，作為回饋控制，亦可以是P控制、PI控制、PID控制等中之任一種控制。

<元件製造方法>

其次，參照圖8說明元件製造方法。圖8係顯示第1實施形態之元件製造方法的流程圖。

圖8所示之元件製造方法，首先，係進行例如使用有機EL等自發 光元件形成之顯示面板之功能、性能設計，以CAD等設計所需之電路圖案及配線圖案(步驟S201)。接著，根據以CAD等設計之各種的每一層圖案，製作所需層量之光罩M(步驟S202)。並準備捲繞有作為顯示面板之基材之可撓性基板P(樹脂薄膜、金屬箔膜、塑膠等)的供應用捲筒FR1(步驟S203)。又，於此步驟S203中準備之捲筒狀基板P，可以是視需要將其表面改質者、或事前已形成底層(例如透過印記(imprint)方式之微小凹凸)者、或預先積層有光感應性之功能膜或透明膜(絶緣材料)者。

接著，於基板P上形成構成顯示面板元件之電極或以配線、絶緣膜、TFT(薄膜半導體)等構成之底板層，並以積層於該底板之方式形成以有機EL等自發光元件構成之發光層(顯示像素部)(步驟S204)。於此步驟S204中，雖包含使用先前各實施形態所說明之曝光裝置U3使光阻層曝光之習知微影製程，但亦包含使取代光阻而塗有感光性矽烷耦合劑之基板P圖案曝光來於表面形成親撥水性之圖案的曝光製程、使光感應性觸媒層圖案曝光並以無電解鍍敷法形成金屬膜圖案(配線、電極等)的濕式製程、或以含有銀奈米粒子之導電性墨水、含有隔絕材料之墨水、或者含有半導體材料(稠五苯、半導體奈米棒等)之墨水等描繪圖案的印刷製程等之處理。

接著，針對以捲筒方式於長條基板P上連續製造之每一顯示面板元件切割基板P、或於各顯示面板元件表面貼合保護膜(耐環境障壁層)或彩色濾光片膜等，組裝元件(步驟S205)。接著，進行顯示面板元件是否可正常作動、或是否滿足所欲性能及特性之檢查步驟(步驟S206)。經由以上方式，即能製造顯示面板(可撓性顯示器)。

以上，第1實施形態，可於設置面E透過除振台131設置曝光單元121，並將曝光單元121、位置調整單元120及驅動單元122分別以獨立狀態設置。也就是說，第1實施形態，可藉由除振台131將曝光單元121、位置調整單元120及 驅動單元122加以隔離，亦即作成不同的振動模式。因此，曝光單元121可藉由除振台131降低來自位置調整單元120及驅動單元122之振動。

又，第1實施形態，可將相對固定輥126之基板P於寬度方向之位置維持於第1目標位置。從而，由於基板P能對固定輥126供應至同一位置，因此能將從固定輥126供應之基板P於寬度方向之位置維持一定。如此，第1實施形態中，由於從固定輥126送出之基板P於寬度方向之位置能維持一定，因此能降低基板P在寬度方向之位置變動對基板P造成之振動等的影響。

又，第1實施形態，可將基板P相對搬送輥127之位置維持於第2目標位置。因此，第1實施形態，能使供應至曝光單元121之基板P之位置維持一定。據此，第1實施形態中，由於能使供應至搬送輥127之基板P之位置一定，因此能降低基板P之位置變動對基板P造成之振動等的影響。

又，第1實施形態中，可藉由以按壓機構130對基板P進行按壓，據以降低從位置調整單元120供應至曝光單元121之基板P之振動。

又，第1實施形態，可將裝置框架132分離為第1框架132a與第2框架132b，於第1框架132a支承光罩載台21、於第2框架132b支承旋轉筒25。因此，可將第1框架132a與第2框架132b分別以獨立狀態設置。也就是說，可使第1框架132a與第2框架132b隔離、亦即作成不同的振動模式。因此，能降低第1框架132a及第2框架132b彼此間振動的傳遞。

又，第1實施形態中，可將從供應用捲筒FR1供應至曝光裝置U3之位置調整單元120之搬送輥127之基板P相對搬送輥127之進入角度θ1維持一定。因此，能將低因進入角度θ1之變位對基板P之影響。

又，第1實施形態中，可將從基板回收裝置4之位置調整單元160之搬送輥167供應至回收用捲筒FR2之基板P相對搬送輥167之排出角度θ2維持一定。因此，能降低因排出角度θ2之變位對基板P之影響(基板P對回收用捲筒FR2 之捲繞不均等)。

〔第2實施形態〕

其次，參照圖9說明第2實施形態之曝光裝置U3。又，第2實施形態之說明中，為避免重複記載，僅對與第1實施形態不同之部分進行說明，而針對與第1實施形態相同之構成要素則係賦予與第1實施形態相同之符號加以說明。圖9係顯示第2實施形態之曝光裝置(基板處理裝置)U3之部分構成的圖。第1實施形態之曝光裝置U3之曝光單元121中，裝置框架132係分離為第1框架132a與第2框架132b，而第2實施形態之曝光裝置U3之曝光單元121a則為一單體的裝置框架180。

第2實施形態之曝光單元121a中，裝置框架180設在除振台131上，支承保持穿透型圓筒光罩MA之光罩保持機構11、基板支承機構12、照明機構13及投影光學系PL。裝置框架180，係由設在除振台131上之下面部181、立設在下面部181上之一對軸承部182、支承在一對軸承部182上之中間部183、立設於中間部183上之脚部184、被脚部184支承之上面部185、與立設於上面部185之臂部186構成。

於一對軸承部182，分別設有軸支基板支承機構12之旋轉筒25之旋轉軸AX2的空氣軸承141。各空氣軸承141將旋轉軸AX2以非接觸狀態軸支成旋轉自如。於中間部183，透過保持構件143設置投影光學系PL。於保持構件143與中間部183之間的3處，設有墊圈構件145。保持構件143，藉由3處墊圈構件145，於中間部183上被動態支承。於上面部185設有支承光罩保持機構11(中空圓筒體)、並用以驅動圓筒光罩MA繞旋轉中心線AX1旋轉之驅動輥(絞盤輥)94。照明機構13配置在光罩保持機構11內部，以圖6中之左圖所示之排列從內側照明圓筒光罩MA上之照明區域IR(IR1~IR6)。

進一步的，於上面部185設有用以將驅動輥94之旋轉軸軸支成可旋轉的軸承187，驅動驅動輥94旋轉之光罩側驅動部22，與先前圖4所示之基板側 驅動部26同樣構成。雖未圖示，但在圓筒體狀之光罩保持機構11之旋轉中心線AX1方向之兩端部，設有與先前之圖4同樣的編碼器測量用之標尺(繞射光柵)或標尺板25c，藉由以和此等對向配置之讀取頭EH，精密測量圓筒光罩MA之周方向位置。

以上，第2實施形態中，可以單體之裝置框架180支承光罩保持機構11、基板支承機構12、照明機構13及投影光學系PL。因此，第2實施形態中，由於能固定光罩保持機構11、基板支承機構12、照明機構13及投影光學系PL之位置關係，因此能在無需大幅調整此等之位置關係的情形下，容易的加以設置。

其次，參照圖10，進一步詳細說明圖9所示之第2實施形態之曝光裝置U3(曝光單元121a)。圖10之曝光單元121a中，光罩保持機構11具備將穿透型光罩MA保持成圓筒狀之光罩保持圓筒21a、支承光罩保持圓筒21a之引導輥93、驅動光罩保持圓筒21a繞中心線AX1旋轉之驅動輥94、以及光罩側驅動部22。

光罩保持圓筒21a，形成光罩MA上之照明區域IR配置之光罩面P1。本實施形態中，光罩面P1，包含將線分(母線)繞與此線分平行之軸(圓筒形狀之中心軸)周圍旋轉之面(以下，稱圓筒面)。圓筒面，係例如圓筒之外周面、圓柱之外周面等。光罩保持圓筒21a係以例如玻璃或石英等構成，為一具有一定厚度之圓筒狀，其外周面(圓筒面)形成光罩面P1。亦即，本實施形態中，光罩MA上之照明區域IR係彎曲成從第1軸AX1具有一定半徑Rm之圓筒面狀。光罩保持圓筒21a中，從光罩保持圓筒21a之徑方向看與光罩MA之光罩圖案重疊之部分、例如光罩保持圓筒21a之Y方向兩端側以外之中央部分，對照明光束EL1具有透光性。

光罩MA，係製作成在例如平坦性佳之短片狀極薄玻璃板(例如厚度為100~500μm)之一面以鉻等遮光層形成圖案之穿透型平面狀片狀光罩，使其順著光罩保持圓筒21a之外周面彎曲，在捲於(貼於)此外周面之狀態下使 用。光罩MA具有未形成有圖案之圖案非形成區域A4，於圖案非形成區域A4安裝於光罩保持圓筒21a。光罩MA相對光罩保持圓筒21a可釋放。光罩MA，亦可取代捲繞於以透明圓筒母材製作之光罩保持圓筒21a，而在以透明圓筒母材製作之光罩保持圓筒21a之外周面直接描繪形成以鉻等遮光層形成之光罩圖案予以一體化。此場合，光罩保持圓筒21a之功能亦係作為光罩MA之支承構件。

引導輥93及驅動輥94，相對光罩保持圓筒21a之中心軸延伸於平行之Y方向。引導輥93及驅動輥94係設置成能繞與中心軸平行之軸旋轉。引導輥93及驅動輥94，分別為軸方向端部之外徑較其他部分之外形大，此端部外接於光罩保持圓筒21a。如以上所述，引導輥93及驅動輥94係以避免與光罩保持圓筒21a所保持之光罩MA接觸之方式設置。驅動輥94與光罩側驅動部22連接。驅動輥94藉由將來自光罩側驅動部22之動力傳遞至光罩保持圓筒21a，據以使光罩保持圓筒21a繞中心軸AX1旋轉。

又，光罩保持機構11雖是具備1個引導輥93，但數量並無限定，可以是2個以上。同樣的，光罩保持機構11雖是具備1個驅動輥94，但數量並無限定，可以是2個以上。引導輥93與驅動輥94中之至少1個，可以是配置在光罩保持圓筒21a之內側，與光罩保持圓筒21a內接。此外，光罩保持圓筒21a中，從光罩保持圓筒21a之徑方向看與光罩MA之光罩圖案不重疊之部分(Y方向兩端側)，可具有對照明光束EL1之透光性、亦可不具有透光性。又，引導輥93及驅動輥94中之一方或双方，可以是例如圓錐梯形，其中心軸(旋轉軸)相對中心軸AX1非平行。

照明機構13與第1實施形態同樣構成，照明機構13之複數個照明模組ILa1~ILa6配置在光罩保持圓筒21a之內側。複數個照明模組ILa1~ILa6之各個，引導從光源射出之照明光束EL1，將被引導之照明光束EL1從光罩保持圓筒21a之內部照射於光罩MA。照明機構13，將被保持於光罩保持機構11之光罩 MA之照明區域IR，以照明光束EL1以均一之亮度加以照明。又，光源可配置在光罩保持圓筒21a之內側、亦可以是配置在光罩保持圓筒21a之外側。此外，光源可以是與曝光裝置U3不同之另一裝置(外部裝置)。

如以上所述，第2實施形態，即使曝光單元121a之光罩MA係圓筒狀穿透型之光罩，亦能將曝光單元121a與位置調整單元120及驅動單元122分別以獨立狀態(隔絕振動傳遞之狀態)設置。因此，曝光單元121a可藉由除振台131降低來自位置調整單元120及驅動單元122之振動，獲得與上述第1實施形態相同的效果。

〔第3實施形態〕

其次，參照圖11說明第3實施形態之曝光裝置U3。又，第3實施形態之說明中，為避免重複之記載，僅說明與第1實施形態及第2實施形態不同之部分，針對與第1實施形態及第2實施形態相同之構成要素，則賦予與第1或第2實施形態相同符號加以說明。圖11中顯示第3實施形態之曝光單元121b之整體構成，係使用圓筒狀之反射型光罩MB、並將基板P支承為平面狀之構成。

首先，說明用於第3實施形態之曝光裝置U3之光罩MB。光罩MB係例如使用金屬製圓筒體之反射型光罩。光罩MB，係成為一具有以延伸於Y方向之第1軸AX1為中心之曲率半徑為Rm之外周面(圓周面)的圓筒體，於徑方向具有一定厚度。光罩MB之圓周面係形成有既定光罩圖案之光罩面P1。光罩面P1包含於既定方向以高效率反射光束之高反射部、與於既定方向不反射或以低效率反射光束之反射抑制部，光罩圖案係以高反射部及反射抑制部形成。此種光罩MB，由於是金屬製圓筒體，因此能便宜的作成。

又，光罩MB只要具有以第1軸AX1為中心之曲率半徑為Rm的圓周面即可，不限定於圓筒體之形狀。例如，光罩MB可以是具有圓周面之圓弧狀板材。此外，光罩MB可以是薄板狀，使薄板狀之光罩MB彎曲以具有圓周面。

光罩保持機構11具有保持光罩MB之光罩保持圓筒21b。光罩保持圓筒21b，以光罩M之第1軸AX1為旋轉中心之方式保持光罩MB。光罩側驅動部22連接於下位控制裝置16，以第1軸AX1為旋轉中心使光罩保持圓筒21b旋轉。

又，光罩保持機構11雖係以光罩保持圓筒21b保持圓筒體之光罩M，但不限於此構成。光罩保持機構11，可以順著光罩保持圓筒21b之外周面捲繞薄板狀之光罩MB來加以保持。，此外，光罩保持機構11，亦可將圓弧狀板材之光罩MB於光罩保持圓筒21b之外周面加以保持。

基板支承機構12，具有張掛基板P之一對驅動輥196、將基板P支承為平面狀之空氣載台197、以及複數個引導輥28。一對驅動輥196係藉由基板側驅動部26而旋轉，使基板P移動於掃描方向。空氣載台197設在一對驅動輥196之間，設在以一定張力裝掛在一對驅動輥196之間之基板P的背面側，以非接觸狀態或低摩擦狀態將基板P支承為平面狀。複數個引導輥28，夾著一對驅動輥196分別設在基板P之搬送方向上游側及下游側。例如係設置4個引導輥28，於搬送方向之上游側、搬送方向之下游側分別配置2個。

因此，基板支承機構12，將從位置調整單元120搬送而來之基板P以2個引導輥28引導至一方之驅動輥196。被引導至一方之驅動輥196之基板P，被引導至另一方之驅動輥196，據以以一定張力張掛在一對驅動輥196。基板支承機構12，以基板側驅動部26使一對驅動輥196旋轉，據以將張掛在一對驅動輥196之基板P，一邊以空氣載台197加以支承、一邊搬送向引導輥28。基板支承機構12將被搬送至引導輥28之基板P引導向基板回收裝置4。

照明機構13，在使用圓筒狀之反射型光罩MB之情形時，從光罩保持圓筒21b之外周側照明照明光束EL1。也就是說，照明機構13，其光源裝置及照明光學系IL係設置在光罩保持圓筒21b之外周。照明光學系IL係使用偏光分束器PBS之落射照明系。在照明光學系IL之各照明模組IL1~IL6與光罩MB之間， 設有偏光分束器PBS與1/4波長板198。也就是說，從來自光源裝置之照明光束EL1之入射側起，依序設有照明模組IL1~IL6、偏光分束器PBS、與1/4波長板198。

此處，從光源裝置射出之照明光束EL1，通過照明模組IL1~IL6射入偏光分束器PBS。射入偏光分束器PBS之照明光束EL1在被偏光分束器PBS反射後，通過1/4波長板198照明於照明區域IR。從照明區域IR反射之投影光束EL2，藉由再次通過1/4波長板198，被轉換成於偏光分束器PBS穿透之光束。通過1/4波長板198之投影光束EL2，通過偏光分束器PBS射入投影光學系PL。

以上，第3實施形態中，曝光單元121b之光罩MB為圓筒狀之反射型光罩，在基板P被支承為平面狀之情形時，亦能將曝光單元121b與位置調整單元120及驅動單元122分別以獨立狀態(隔絕振動傳遞之狀態)設置。因此，曝光單元121b，可藉由除振台131降低來自位置調整單元120及驅動單元122之振動，獲得與上述第2實施形態同樣的效果。

〔第4實施形態〕

其次，說明第4實施形態之曝光裝置(圖案形成裝置)U3。又，第4實施形態之說明中亦為了避免重複之記載，僅說明與第1~第3實施形態不同之部分，針對與第1~第3實施形態相同之構成要素則賦予和第1~第3實施形態相同之符號，並省略其說明。

圖12係顯示第4實施形態之曝光裝置U3之構成的圖，圖13係從上方(+Z方向)側觀察在圖12所示之曝光裝置U3內搬送之基板P的圖。圖14係從-Y方向側觀察在圖13所示之位置調整單元120a側之最後一個輥126與曝光單元121c側之第一個輥AR1之間搬送之基板P的圖，圖15係從-X方向側觀察以圖12所示之旋轉筒25搬送之基板P的圖。曝光裝置(處理裝置)U3，具備位置調整單元120a、與相對位置調整單元120a設在基板P之搬送方向下游側(+X方向側)之 曝光單元121c。位置調整單元120a與曝光單元121c是分開設置的。也就是說，位置調整單元120a與曝光單元121c係以非接觸之獨立狀態設置，或雖可透過將位置調整單元120a與曝光單元121c之間之基板P之搬送路及曝光單元121c後之基板P之搬送路加以覆蓋之蛇腹式等防塵套121d彼此接觸，但係以在位置調整單元120a產生之振動成分不會直接傳至曝光單元121c的狀態(抑制振動傳遞之狀態)設置。曝光單元121c透過被動或主動式除振台(除振裝置、防振裝置)131設在設置面(基台面)E上。位置調整單元120a，透過基台200設在設置面E上。據此，來自其他處理裝置U1、U2、U4~Un等之振動及來自位置調整單元120a之振動不會透過設置面E傳遞至曝光單元121c。也就是說，可使曝光單元121c與位置調整單元120a及其他處理裝置U等之間之振動傳遞成為一絕緣(隔絕)狀態。換言之，位置調整單元120a及其他處理裝置U等之振動與曝光單元121c間之振動成為彼此隔絕的狀態。此外，基台200亦可以是具有除振、防振功能之除振台(除振裝置、防振裝置)。

位置調整單元(位置調整裝置)120a，具備邊緣位置控制器EPC3a、固定輥(引導輥)126、第1基板檢測部202及下位控制裝置(控制部)204。邊緣位置控制器EPC3a、固定輥126及第1基板檢測部202，係從基板P之搬送方向上游側(-X方向側)以前述順序設置。邊緣位置控制器EPC3a，係調整(修正)基板P於寬度方向之位置，以使在長邊方向伴隨既定張力(例如，20~200N範圍之一定值)搬送之基板P之寬度方向位置成為目標位置。邊緣位置控制器EPC3a可在位置調整單元120a內往基板P之寬度方向(Y方向)移動。邊緣位置控制器EPC3a受致動器206(參照圖13)之驅動而往Y方向移動，調整基板P於寬度方向之位置。邊緣位置控制器EPC3a具有用以將基板P搬送向固定輥126之引導輥Rs1、Rs2及驅動輥NR。引導輥Rs1、Rs2係引導被搬送之基板P，驅動輥NR則係一邊挾持基板P之正反兩面、一邊旋轉以搬送基板P。又，圖13中之參照符號 207a，係將引導輥Rs1、Rs2及驅動輥NR支承為可旋轉之支承構件(邊緣位置控制器EPC3a之框架)。又，參照符號207b，係支承第1基板檢測部202、並將固定輥126支承為可旋轉之支承構件(位置調整單元120a之本體框架)，於此本體框架207b上將邊緣位置控制器EPC3a之框架207a搭載成可往Y方向移動。

固定輥126，將以邊緣位置控制器EPC3a調整了寬度方向位置之基板P引導向曝光單元121c。藉由此引導輥Rs1、Rs2、驅動輥NR及固定輥126，基板P於長度方向被彎折而引導搬送。第1基板檢測部(基板誤差測量部、變化測量部)202，檢測從固定輥1261搬送向曝光單元121c之基板P之寬度方向之位置。具體而言，如圖13所示，第1基板檢測部202係由檢測基板P之寬度方向之-Y側邊緣部Ea之Y方向位置的檢測部202a、與檢測+Y側之邊緣部Eb之Y方向位置的檢測部202b構成，根據來自兩檢測部202a、202b之檢測訊號，測量基板P之寬度方向之位置變化。進一步的，第1基板檢測部202(202a、202b)亦可以是除了基板P之寬度方向之位置檢測以外，亦檢測(測量)關於基板P之姿勢變化(微幅傾斜)、基板P之變形(寬度方向之伸縮)等變化資訊的感測器構成。第1基板檢測部202所檢測之基板P於寬度方向之位置及基板P之變化資訊，被送至下位控制裝置204。又，第1基板檢測部202亦可檢測從邊緣位置控制器EPC3a搬送向固定輥126之基板P之寬度方向之位置。

以第1基板檢測部202測量基板P之姿勢變化、特別是測量在從固定輥126至曝光單元121c之與水平面(XY面)平行之搬送路上基板P繞X軸(YZ面內)之微幅傾斜之情形時，如圖14所示，係於檢測部202a、202b之各個，組裝可檢測基板P之邊緣部Ea、Eb各個之Z位置(基板P表面之法線方向高度位置)Ze1、Ze2之變化的Z感測器。由於檢測部202a、202b係於基板P之搬送方向與固定輥126相隔一定距離配置，因此相對固定輥126，曝光單元121c側(輥AR1)相對XY面微幅傾斜之情形時，以檢測部202a檢測之Z位置Ze1、與以檢測部202b檢 測之Z位置Ze2的差分值會視傾斜量而變化。如上述的藉由求取差分值，固定輥126(位置調整單元120a)與曝光單元121c(輥AR1)之相對往Z方向之位置變化△Zs即被抵消，在配置檢測部202a、202b之位置之基板P之微幅傾斜(X軸回

)即能正確的求出。

基板P之實際傾斜量(角度△ψ)，若設檢測部202a、202b之Z感測器部之Y方向距離為Lz(一定值)的話，可以tan△ψ=(Ze1-Ze2)/Lz算出。如上所述，以組裝於檢測部202a、202b之Z感測器測量之基板P之微幅傾斜之變化，亦對應固定輥126、亦即位置調整單元120a與曝光單元121c之相對繞Z軸的傾斜變化。作為Z感測器，可使用光學式或靜電容式的非接觸型間隙感測器等。又，在圖14之固定輥126與曝光單元121c側之第一個輥(AR1)之間之基板P，亦於長度方向賦予有一定張力。因此，雖然在其之間基板P撓曲之可能性低，但在張力小的場合亦會有發生撓曲的情形，以Z感測器進行之測量有可能會產生誤差。因此，檢測部202a、202b(Z感測器部)於基板P之長度方向(搬送方向)，以配置在接近曝光單元121c側之第一個輥(AR1)之位置較佳。

又，如圖14所示，從固定輥126來看，當在曝光單元121c(最初的輥AR1)於YZ面內傾斜之狀態下搬送基板P時，被輥AR1彎折後之基板P之搬送方向(-Z方向)，不但會損及其與XZ平面之平行性、亦會因張力之作用而使得基板P往寬度方向之一方(+Y方向或-Y方向)慢慢的變位，其結果，被旋轉筒25支承之基板P亦會慢慢的往Y方向變位。位置調整單元120a(邊緣位置控制器EPC3a)之功能雖係修正基板P之此種Y方向的變位，但藉由包含設在曝光單元121c側之輥AR1的基板調整部214(詳待後敘)亦能加以修正。因此，根據以檢測部202a、202b檢測之與基板P之微幅傾斜(繞X軸)相關之變化資訊，控制位置調整單元120a與基板調整部214之其中一方或雙方，即能以高精度維持被旋轉筒25支承之基板P之Y方向位置。又，關於基板P到達旋轉筒25為止之寬度方向之 位置調整，亦可由位置調整單元120a來進行粗調整，而以基板調整部214進行微調整。

下位控制裝置204係控制位置調整單元120a之邊緣位置控制器EPC3a、或基板調整部214等，以控制基板P之寬度方向之位置。此下位控制裝置204可以是上位控制裝置5之一部分或全部，或者亦可以是受上位控制裝置5控制、與上位控制裝置5不同之另一電腦。

曝光單元(圖案化裝置)121c，具備基板支承機構12a、第2基板檢測部208、照明機構13a、曝光頭(圖案形成部)210及下位控制裝置(控制部)212。曝光單元121c被收納在調溫室ECV內。此調溫室ECV，藉由將內部保持於既定温度，據以抑制在內部被搬送之基板P因温度產生之形狀變化。此調溫室ECV，透過被動或主動式除振台131配置在設置面E。

基板支承機構(搬送部)12a係一邊支承從位置調整單元120a送來之基板P、一邊將之往下游側(+X方向)搬送者，從基板P之搬送方向上游側(-X方向側)起依序具有基板調整部214、引導輥Rs3、張力輥RT1、旋轉筒25、張力輥RT2及驅動輥R5、R6。

基板調整部214具有複數個輥(AR1、RT3、AR2)，藉由調整基板P之寬度方向之位置，據以一邊修正產生於基板P之扭曲及皺褶、一邊將基板P往搬送方向(+X方向)搬送。此基板調整部214之構成留待後敘。引導輥Rs3，將經基板調整部214調整了基板P之寬度方向位置之基板P搬送至旋轉筒25。旋轉筒25，一邊旋轉一邊以圓周面保持基板P上待曝光既定圖案之部分，同時將基板P往驅動輥R5、R6側搬送。關於驅動輥R5、R6之功能，如上述第1實施形態所述。張力輥RT1、RT2係用以對被捲繞支承於旋轉筒25之基板P賦予既定張力。又，圖13之參照符號215，係將基板調整部214之複數個輥、引導輥Rs3、張力輥RT1、旋轉筒25、張力輥RT2及驅動輥R5、R6支承為可旋轉之支承構件(曝光單元121c 之本體框架)。

圖16係顯示基板調整部214之構成的圖。基板調整部214具備調整輥AR1、AR2與張力輥RT3。調整輥AR1、張力輥RT3及調整輥AR2係從基板P之搬送方向上游側(-X方向側)起依前述順序設置。此調整輥AR1、AR2，係配置成在有既定張力之狀態下，將基板P之搬送路徑加以彎折。具體而言，係藉由在調整輥AR1、AR2之下方側(-Z方向側)設置張力輥RT3，在藉由調整輥AR1、AR2施予既定張力之狀態下彎折搬送路徑。如此，從位置調整單元120a往+X方向搬送之基板P，即在有既定張力之狀態下被調整輥AR1彎折向下方(-Z方向)而被張力輥RT3引導，而從張力輥RT3往上方(+Z方向)搬送之基板P則在有既定張力之狀態下藉由調整輥AR2彎折向+X方向而被引導輥Rs3引導。又，張力輥RT3係以能在Z方向平行移動之方式於Y方向兩端被軸支，在基板P之搬送期間，於-Z方向產生既定彈壓力以對基板P賦予張力。

調整輥AR1可藉由軸承214a相對旋轉軸AX3a旋轉，調整輥AR2亦同樣的，可藉由軸承214b相對旋轉軸AX3b旋轉。旋轉軸AX3a、AX3b沿著Y方向平行設置。調整輥AR1、AR2可相對沿Y方向平行之軸傾斜。也就是說，調整輥AR1之旋轉軸AX3a之一端側(-Y方向側)，可以另一端側(+Y方向側)為支點於Z方向及X方向微幅移動。調整輥AR2亦同樣的，旋轉軸AX3b之一端側(-Y方向側)可以另一端側(+Y方向側)為支點往X方向及Z方向移動。旋轉軸AX3a、AX3b之一端側(-Y方向側)之微幅移動，係藉由未圖示之壓電元件等之致動器加以驅動。藉由使調整輥AR1、AR2微幅傾斜，可隨著基板P之長度方向之搬送微調整基板P之寬度方向之位置，而能修正產生於基板P之些微的扭曲及因基板P之內部應力而產生之些微的面內變形(或皺褶)。又，圖16中，雖係使2個調整輥AR1、AR2能在XY面內或YZ面內微幅傾斜，但亦可不使調整輥AR1、AR2傾斜而將張力輥RT1作成可傾斜。此外，亦可不使調整輥AR1傾斜，而將調 整輥AR2與張力輥RT1作成可傾斜。

第2基板檢測部(基板誤差測量部、變化測量部)208，檢測從張力輥RT1朝旋轉筒25往+Z方向搬送之基板P於寬度方向之位置。具體而言，如圖15所示，第2基板檢測部208分別在基板P之寬度方向兩端側設置，以檢測基板P之寬度方向兩端部之邊緣。圖17A係顯示第2基板檢測部208之構成的圖、圖17B係顯示以第2基板檢測部208對基板P照射之光束Bm的圖、圖17C係顯示以第2基板檢測部208受光之光束Bm的圖。第2基板檢測部208具備照射光束Bm之照射系216、與接收光束Bm之受光系218。照射系216具有投光部220、柱面透鏡222及反射鏡224，受光系218具有反射鏡226、成像光學系228及攝影元件230。投光部220包含發出光束Bm之光源、將發出之光束Bm照射向基板P。投光部220所照射之光束Bm，透過柱面透鏡222及反射鏡224，照射於基板P上。柱面透鏡222，如圖17B所示，使射入之光束Bm於Z方向收斂，成為在基板P上與基板P之Y方向平行之狹縫狀光束Bm。將此照相向基板P之光束Bm之長度設為Lbm。朝基板P側照射之光束Bm之至少一部分被基板P反射，未照射到基板P之殘部之光束Bm則不會被基板P反射而維持直進。

於基板P反射之狹縫狀光束Bm透過反射鏡226射入成像光學系228。成像光學系228，使從反射鏡226反射而來之光束Bm成像在攝影元件230上，攝影元件230拍攝射入之光束Bm。以此攝影元件230拍攝之光束Bm之長度，如圖17C所示，為在基板P反射之光束Bm之長度Lbm1，因此測量此Lbm1之長度即能檢測基板P之邊緣之位置。由於具有此種構成，第2基板檢測部208能高精度檢測從張力輥RT1朝向旋轉筒25往+Z方向搬送之基板P於寬度方向之位置。又，第2基板檢測部208，藉由檢測基板P之位置即能檢測(測量)與基板P之寬度方向之位置變化、基板P之變形(寬度方向之伸縮)等相關之變化資訊。第2基板檢測部208所檢測之基板P於寬度方向之位置及基板P之變化資訊，被送至下位控制裝置 204。參照符號230a係顯示攝影元件230之拍攝區域。又，第1基板檢測部202之構成亦可作成與第2基板檢測部208相同。

曝光單元121c之各對準顯微鏡(基板誤差測量部、變化測量部)AM1、AM2，沿著基板P之寬度方向設有複數個，檢測如圖15所示之形成在基板P上之對準標記Ks。圖15所示之例中，對準標記Ks係於基板P之兩端部側沿基板P之長度方向以一定間隔形成，於基板P上長度方向排列之曝光區域A7與曝光區域A7之間，沿著基板P之寬度方向以一定間隔設有5個。因此，為能檢測基板P上形成之對準標記Ks，對準顯微鏡AM1(參照圖19)、AM2係於基板P之寬度方向以一定間隔設有5個。藉由對準顯微鏡AM1、AM2檢測對準標記Ks，即能高精度檢測在被旋轉筒25支承之同時被搬送之基板P於寬度方向之位置。又，對準顯微鏡AM1、AM2亦可藉由檢測對準標記Ks之位置，據以檢測(測量)與基板P之寬度方向之位置變化、姿勢變化、基板P之變形等相關之變化資訊。

以此對準顯微鏡AM1、AM2檢測之對準標記Ks於長度方向(搬送方向)與寬度方向各個之位置資訊被送至下位控制裝置212。下位控制裝置212根據所取得之對準標記Ks之位置資訊，生成用以修正圖案形成位置之修正資訊送至曝光頭(圖案形成部)210，並計算基板P於寬度方向之位置及基板P之變化資訊送至下位控制裝置204。又，圖15中之參照符號232係表示各對準顯微鏡AM1之檢測區域(檢測視野)，於基板P之搬送方向(圖15中為Z方向)之5個檢測區域232之位置，係設定在基板P安定的緊貼在旋轉筒25外周面之位置。檢測區域232在基板P上之大小雖係視對準標記Ks之大小及對準精度(位置測量精度)加以設定，但約是100~500μm方型程度之大小。

又，如圖12所示，在位置調整單元120a與曝光單元121c之間，設有檢測(測量)關於位置調整單元120a與曝光單元121c之相對位置及位置變化之變化資訊的相對位置檢測部(位置誤差測量部、變化測量部)234。圖18係顯示 相對位置檢測部234之構成的圖。相對位置檢測部234，係在位置調整單元120a與曝光單元121c之間之-Y方向端部側與+Y方向端部側分別設置。相對位置檢測部234，具有檢測在YZ平面之位置調整單元120a與曝光單元121c之相對位置變化的第1檢測部236、以及檢測在XZ平面之位置調整單元120a與曝光單元121c之相對位置變化的第2檢測部238。如此，相對位置檢測部234即能於3維(XYZ空間)檢測位置調整單元120a與曝光單元121c之相對位置及變化資訊。

第1檢測部236，具有朝向+X方向照射雷射光的投光部240a、與接收投光部240a照射之雷射光的受光部242a。第2檢測部238，具有朝向+Y方向照射雷射光的投光部240b、與接收投光部240b照射之雷射光的受光部242b。第1檢測部236之投光部240a及第2檢測部238之投光部240b，設置在位置調整單元120a與曝光單元121c對向之面側(+X方向側)。又，第1檢測部236之受光部242b及第2檢測部238之受光部242b，設置在曝光單元121c與位置調整單元120a對向之面側(-X方向側)。

受光部242a、242b係以4分割感測器構成。也就是說，受光部242a、242b具有4個光二極體(光電轉換元件)244，使用此4個光二極體244之各個所接收之受光量差(訊號位準之差)檢測在與雷射光之光束中心垂直之面內的位置變化。由於射入受光部242a之雷射光係前進於+X方向之光，因此受光部242a係檢測在與X方向垂直之YZ平面之雷射光中心位置及位置變化。又，由於射入受光部242b之雷射光係前進於+Y方向之光，因此受光部242b係檢測在與Y方向垂直之XZ平面之雷射光中心位置及位置變化。如此，即能以3維檢測(測量)關於位置調整單元120a與曝光單元121c之相對位置及位置變化的變化資訊。特別是，可藉由於Y方向分離之一對第1檢測部236之各檢測資訊之差及平均，即時測量位置調整單元120a與曝光單元121c繞X軸之相對旋轉誤差(在YZ面內之相對傾斜)與Y方向之相對位置誤差。此外，藉由於Y方向分離之一對第2檢測部238之各檢測資 訊之差，可即時測量位置調整單元120a與曝光單元121c繞Z軸之相對旋轉誤差(在XY面內之相對傾斜)。

回到圖12之說明，照明機構13a具有雷射光源，係用以射出用在曝光之雷射光(曝光光束)LB。此雷射光LB，可以是在370nm以下之波長帶具有峰值波長之紫外線光。雷射光LB亦可以是以震盪頻率數Fs發光之脈衝光。從照明機構13a射出之雷射光LB，射入曝光頭210。

曝光頭210，具備來自照明機構13a之雷射光LB分別射入之複數個描繪單元DU(DU1~DU5)。也就是說，來自照明機構13a之雷射光LB被具有反射鏡或分束器等之光導入光學系250引導而射入複數個描繪單元DU(DU1~DU5)。曝光頭210，對基板支承機構12a搬送、被旋轉筒25之圓周面支承之基板P之一部分，藉由複數個描繪單元DU(DU1~DU5)描繪圖案。曝光頭210，具有構成相同之複數個描繪單元DU(DU1~DU5)，而被稱為多光束型之曝光頭210。描繪單元DU1、DU3、DU5相對旋轉筒25之旋轉軸AX2配置在基板P之搬送方向上游側(-X方向側)，描繪單元DU2、DU4則相對旋轉筒25之旋轉軸AX2配置在基板P之搬送方向下游側(+X方向側)。

各描繪單元DU使射入之雷射光LB在基板P上收斂成點光，且沿著掃描線以旋轉多面鏡(polygon mirror)等高速掃描該點光。各描繪單元DU之掃描線L，如圖19所示，係設定成於Y方向(基板P之寬度方向)彼此不分離而連接。圖19中，以L1代表描繪單元DU1之掃描線L、以L2代表描繪單元DU2之掃描線L。同樣的，以L3、L4、L5表示描繪單元DU3、DU4、DU5之掃描線L。如以上所述，以所有描繪單元DU1~DU5涵蓋曝光區域A7之寬度方向全部之方式，各描繪單元DU分攤掃描區域。又，例如，將1個描繪單元DU進行之Y方向之描繪寬(掃描線L之長度)設為20~50mm程度的話，藉由將奇數號之描繪單元DU1、DU3、DU5之3個、與偶數號之描繪單元DU2、DU4之2個合計5個描繪單元DU配 置於Y方向，來將描繪可能之Y方向寬度擴張至100~250mm程度。又，對準顯微鏡AM1、AM2係較掃描線L1、L3、L5設在基板P之搬送方向上游側(-X方向側)，且檢測一邊被緊貼支承在旋轉筒25之圓周面、一邊被搬送之基板上形成的對準標記Ks。

此描繪單元DU係如國際公開第2013/146184號小冊子(參照圖36)所揭示之公知技術，使用圖20針對描繪單元DU簡單的說明。又，由於各描繪單元DU(DU1~DU5)具有相同構成，因此僅說明描繪單元DU2，其他描繪單元DU之說明則予以省略。

如圖20所示，描繪單元DU2，具有例如集光透鏡252、描繪用光學元件(光變調器)254、吸收體256、準直透鏡258、反射鏡260、柱面透鏡262、聚焦透鏡264、反射鏡266、多面鏡(光掃描構件)268、反射鏡270、f-θ透鏡272及柱面透鏡274。

射入描繪單元DU2之雷射光LB從鉛直方向之上方往下方(-Z方向)前進，透過集光透鏡252射入描繪用光學元件254。集光透鏡252，使射入描繪用光學元件254之雷射光LB於描繪用光學元件254內集光(收斂)成光束腰(beam waist)。描繪用光學元件254對雷射光LB具有穿透性，例如係使用聲光元件(AOM：Acousto-Optic Modulator)。

描繪用光學元件254，在來自下位控制裝置212之驅動訊號(高頻訊號)為OFF狀態時，係使射入之雷射光LB穿透至吸收體256側，在來自下位控制裝置212之驅動訊號(高頻訊號)為ON狀態時，則使射入之雷射光LB返回朝向反射鏡260。吸收體256，係為抑制雷射光LB漏至外部而吸收雷射光LB之光阱(light trap)。如前所述，依據圖案資料(黒白)對待施加至描繪用光學元件254之描繪用驅動訊號(超音波之頻率)高速的進行ON/OFF，據以切換雷射光LB是朝向反射鏡260、或朝向吸收體256。此情形，於基板P上觀察時，即係代表到 達感光面之雷射光LB(點光SP)之強度，依據圖案資料高速的調變為高位準與低位準(例如、0位準)中之任一者。

準直透鏡258，使從描繪用光學元件254朝向反射鏡260之雷射光LB成為平行光。反射鏡260，使射入之雷射光LB反射向-X方向，透過柱面透鏡262、聚焦透鏡264照射於反射鏡266。反射鏡266，將射入之雷射光LB照射於多面鏡268。多面鏡(旋轉多面鏡)268，藉由旋轉使雷射光LB之反射角連續變化，使照射於基板P上之雷射光LB之位置掃描於掃描方向(基板P之寬度方向)。多面鏡268係藉由未圖示之旋轉驅動源(例如，馬達及減速機構等)以一定速度(例如1萬轉/分)旋轉。

設在反射鏡260與反射鏡266間之柱面透鏡262，與聚焦透鏡264連動，在與前述掃描方向正交之非掃描方向(Z方向)將雷射光LB集光(收斂)在多面鏡268之反射面上。藉由此柱面透鏡262，即使有前述反射面相對Z方向傾斜之情形(從XY面之法線與前述反射面之平衡狀態傾斜)，亦能抑制其影響，以抑制照射於基板P上之雷射光LB之照射位置於X方向偏離。

被多面鏡268反射之雷射光LB，因反射鏡270而被反射向-Z方向，射入具有與Z軸平行之光軸AXu的f-θ透鏡272。此f-θ透鏡272係投射於基板P之雷射光LB之主光線於掃描中隨時為基板P表面之法線的遠心系，藉由此，能使雷射光LB於Y方向正確的以等速度掃描。從f-θ透鏡272照射之雷射光LB，透過母線與Y方向平行之柱面透鏡274成為直徑數μm程度之略圓形的微小點光SP照射在基板P上。點光(掃描點光)SP，藉由多面鏡268沿延伸於Y方向之掃描線L2於一方向進行1維掃描。

下位控制裝置212控制照明機構13a及曝光頭210等，將圖案賦予於基板P。也就是說，下位控制裝置212控制照明機構13a照射雷射光LB並根據對準顯微鏡AM1檢測之對準標記Ks之位置，控制曝光頭210之各描繪單元DU所具 有之描繪用光學元件254，據以在基板P上之既定位置，也就是說，於曝光區域A7描繪曝光出圖案。此下位控制裝置212可以是上位控制裝置5之一部分或全部，亦可以是受上位控制裝置5控制、與上位控制裝置5不同之另一電腦。

此處，在基板P之長度方向與旋轉筒25之旋轉軸AX2正交、基板P未產生扭曲或皺褶等之狀態將基板P搬送至旋轉筒25，即能提升圖案對基板P之曝光精度。因此，最好是能將進行曝光裝置U3之基板搬送的各輥(Rs1~Rs3、NR、126、AR1、AR2、RT1~RT3、R5、R6)及旋轉筒25之旋轉軸彼此沿著Y方向平行配置，並以基板P之長度方向相對此等各輥及旋轉筒25之旋轉軸正交之方式搬送基板P較佳。

然而，實際上，卻會有各輥(Rs1~Rs3、NR、126、AR1、AR2、RT1~RT3、R5、R6)設置成旋轉軸些微的偏離、各輥之旋轉軸彼此不平行之情形。此外，亦會有因振動等而使得位置調整單元120a與曝光單元121c之位置相對變化，導致位置調整單元120a之輥之旋轉軸與曝光單元121c之輥之旋轉軸不平行之情形。如此，會於基板P內部產生些微之應力紊亂、扭曲或皺褶等，使得在基板P之長度方向相對旋轉筒25之旋轉軸AX2些微傾斜之狀態下進行捲繞，導致在與待描繪至基板P之圖案之線寬尺寸相較大幅變形(面內畸變)的狀態下被支承於旋轉筒25。

因此，第4實施形態中，下位控制裝置204係根據第1基板檢測部202、第2基板檢測部208、對準顯微鏡AM1、AM2及相對位置檢測部234之檢測結果，控制邊緣位置控制器EPC3a及基板調整部214。

詳言之，下位控制裝置204係根據第1基板檢測部202所檢測之基板P在寬度方向之位置及基板P之變化資訊，控制邊緣位置控制器EPC3a之致動器(驅動機構)206，據以調整基板P在寬度方向之位置。例如，下位控制裝置204，算出從第1基板檢測部202所檢測之基板P之兩端部邊緣位置求出之Y方向中心位 置與目標位置的差，以使該算出之差為零(0)之方式對致動器206進行回饋控制，使基板P往Y方向移動。據此，及能使從位置調整單元120a搬送之基板P之寬度方向之位置成為目標位置，抑制基板P產生微小的扭曲及皺褶等。如此，即能將捲繞於旋轉筒25之基板P之Y方向位置以高精度維持一定，將排列於基板P之長度方向之複數個對準標記Ks，在各對準顯微鏡AM1之檢測區域(檢測視野)232內確實的持續加以捕捉。

又，下位控制裝置204，可使用與相對位置檢測部234所檢測之位置調整單元120a與曝光單元121c之相對位置及位置變化相關的變化資訊，控制邊緣位置控制器EPC3a之致動器206，據以提早修正基板P在寬度方向之位置變化(伴隨傾斜狀態變化之基板P往寬度方向之位移)。又，下位控制裝置204，可根據與相對位置檢測部234所檢測之相對位置及位置變化相關之資訊，調整基板調整部214之調整輥AR1、AR2之傾斜角度，據以調整基板P在寬度方向之位置。此調整輥AR1、AR2之傾斜角度之調整可藉由驅動前述壓電元件等之致動器(驅動部)來實施。如此，即使是在位置調整單元120a與曝光單元121c之相對位置產生變化之情形時，亦能將搬送至旋轉筒25之基板P在寬度方向之位置以高精度、高回應性持續設定在目標位置，抑制在基板P產生微小的扭曲或皺褶等。

又，從對準顯微鏡AM1、AM2所檢測之對準標記Ks之位置亦能得知與基板P在寬度方向之位置、及基板P之微小扭曲及皺摺等基板P之姿勢變化、變形相關的變化資訊。因此，下位控制裝置204根據所檢測之對準標記Ks之位置，控制邊緣位置控制器EPC3a(致動器206)及基板調整部214(前述壓電元件等之致動器)據以調整基板P在寬度方向之位置。如此，即能將搬送至旋轉筒25之基板P在寬度方向之位置以高精度、高回應性設定在目標位置，抑制在基板P產生微小的扭曲或皺褶等。

又，下位控制裝置204，根據第2基板檢測部208所檢測之搬送至 旋轉筒25前一刻之基板P之寬度方向之位置，確認基板P在寬度方向之位置是否位於目標位置、或基板P是否有產生扭曲(傾斜)等。基板P之扭曲(傾斜)之檢測，係加大以圖17A所說明之檢測系進行之光束Bm對基板P入射角，在基板P偏移向表面之法線方向(圖17A中為X方向)時，利用在攝影元件230之拍攝區域230a內光束Bm之反射像Bm會偏移向Z方向即可。由於第2基板檢測部208亦係對應基板P兩側之邊緣部Ea、Eb之各個設置，因此藉比較反射光束Bm之像在拍攝區域230a內往Z方向之偏移量(求差值)，亦能求出於基板P之寬度方向之微小傾斜量。

當基板P在寬度方向之位置不在目標位置之情形時，下位控制裝置204根據第2基板檢測部208所檢測之基板P在寬度方向之位置及基板P之變化資訊控制邊緣位置控制器EPC3a(致動器206)及基板調整部214(前述壓電元件等之致動器)，據以調整基板P在寬度方向之位置。據此，及能使搬送至旋轉筒25之基板P在寬度方向之位置成為目標位置。

不過，由於第2基板檢測部208係配置在基板P捲繞於旋轉筒25前一刻之位置，當在此位置突發性的發生基板P之寬度方向之大的變化、例如對準標記Ks脫離對準顯微鏡AM1之檢測區域232般之大的位置偏差時，欲將待形成於曝光區域A7之圖案精密的加以定位將變得困難。此種情形時，則實施終止對曝光區域A7之圖案形成並跳過、或暫時將基板P倒轉回一定長度後再次往順方向搬送並一邊進行使用對準顯微鏡AM1之對準標記Ks之再檢測等的程序(再嘗試動作等)，直到對準標記Ks被捕捉置檢測區域232內為止。

如以上所述，第4實施形態亦能將曝光單元121c與位置調整單元120a分別以獨立狀態(振動傳遞受隔絕的狀態)設置。因此，曝光單元121c可藉由除振台131降低來自位置調整單元120a之振動，獲得與上述第1實施形態相同的效果。再者，第4實施形態中，下位控制裝置204係根據第1基板檢測部202、第 2基板檢測部208及對準顯微鏡AM1、AM2之檢測結果，控制邊緣位置控制器EPC3a及基板調整部214。據此，可提升使用曝光頭210對基板P之圖案之曝光精度。下位控制裝置204根據相對位置檢測部234之檢測結果，控制邊緣位置控制器EPC3a及基板調整部214。據此，即使是在位置調整單元120a與曝光單元121c之相對位置產生變化之情形時，亦能提升使用曝光頭210對基板P之圖案之曝光精度。

又，上述第4實施形態，雖係在曝光裝置U3內設置位置調整單元120a與曝光單元121c之構成，但只要是從基板P之搬送方向看，緊接著在位置調整單元120a之後設置曝光單元121c之構成即可。因此，可以不是在曝光裝置U3內設置位置調整單元120a。此場合，位置調整單元120a，從基板P之搬送方向看，可設置在如圖1所示之曝光裝置U3之前一個設置之處理裝置U(U2)側。或者，在曝光裝置U3之前一個設置基板供應裝置2之情形時，可於該基板供應裝置2內設置位置調整單元120a之功能。

又，在以曝光裝置U3、曝光單元121、121c等(第2處理單元)進行之光圖案化步驟前一個之步驟，係於基板P表面形成(塗布)液狀感光層的步驟、與使該感光層乾燥(烘烤)的步驟成為一套。然而，作為感光層使用乾式薄膜時，則為使用貼合機等壓接式轉印裝置將乾式薄膜上之感光層以壓街方式轉印至作為被曝光基板之基板P表面的步驟(感光層形成步驟)，有時是不需要乾燥步驟的。因此，作為職司光圖案化步驟前一個步驟之前處理裝置(第1處理單元)，係於基板P表面形成感光層之感光層形成裝置、或乾燥基板P之乾燥(加熱)裝置，可在此等前處理裝置內之基板搬送路下游側(基板搬出部)、或該前處理裝置與光圖案化裝置之間設置位置調整單元120a之功能。

又，作為圖案化步驟使用印刷機之情形時，作為前一個步驟，為提高墨水對基板P表面之密接性，係實施對基板P表面整體、或僅對圖案待形成 部分進行改質處理的步驟(撥液性/親液性之選擇性賦予步驟等)。由於此等表面改質處理步驟亦係以單獨或複數個前處理裝置實施，因此可在印刷機之前一個設置之前處理裝置內之基板搬送路下游側(基板搬出部)、或該前處理裝置與印刷機之間設置位置調整單元120a之功能。

上述第4實施形態中，雖係於位置調整單元120a設置第1基板檢測部202、於曝光單元121c設置第2基板檢測部208，但亦可僅設置第1基板檢測部202及第2基板檢測部208中之任一方。又，亦可不設置第1基板檢測部202及第2基板檢測部208之雙方。此係由於即使沒有第1基板檢測部202及第2基板檢測部208，亦能以對準顯微鏡AM1、AM2檢測基板P在寬度方向之位置等之故。

上述第4實施形態中，雖係以處理裝置U3作為曝光裝置做了說明，但只要是對基板P賦予圖案之圖案形成裝置即可。作為圖案形成裝置，例如除曝光裝置外，有藉由塗布墨水以對基板P賦予圖案之噴墨印刷機等。此場合，係將曝光頭210更換成具備將墨水作成液滴藉選擇性的進行賦予以於基板P描繪圖案之多數噴嘴的噴嘴頭部(圖案形成部)，並將曝光單元121、121a~121c更換成具有圖案形成部之圖案化裝置。又，上述第1~第3實施形態亦同樣的，處理裝置U3可以是對基板P賦予圖案的圖案形成裝置。

如上述各實施形態之說明，於基板P形成電子元件用微細圖案之曝光裝置及噴墨印刷機等之圖案化裝置，如何在基板P上精密的定位圖案加以形成是非常重要的。會導致其定位精度降低之干擾因素之一的振動，係從設置在附近之處理裝置內建的空壓用及液體用壓縮機或幫浦等產生，透過工廠之地面傳遞至支承曝光頭(圖案形成部)210及基板P之旋轉筒25等的支承構件。位隔絕該振動傳遞路徑，於圖案化裝置設置防振裝置(除振台131等)是有效的。此外，工廠地面(基礎)雖以盡可能堅固、且施工成共振頻率低者較佳，但上述各實施形態中，地面條件即使不那麼嚴謹，亦能精密的搬送基板P進行高精度之圖案化。

例如，於建構生產線時，為避免通過圖案化裝置(曝光單元121、121a~121c)之基板P於寬度方向偏移，而進行圖案化裝置內之輥與圖案化裝置上游側處理裝置(位置調整單元120、120a)內之輥的平行化作業，但在基板P之處理開始後，隨著時間經過因裝置載重等影響，有可能產生地面局部些微凹陷而傾斜的情形。在此種情形下，可以第1基板檢測部202(202a、202b)及相對位置檢測部234測量基板P搬入圖案化裝置內時之寬度方向位置變位及變形(扭曲造成之微幅傾斜)，以基板調整部214(輥AR1、RT3、AR2)進行修正。

又，第4實施形態之場合，以圖16所示之複數個輥(其中至少1個輥可傾斜)構成之基板調整部214，雖係設在圖12所示之曝光單元121c側之本體框架215，但亦可設置在位置調整單元120a內之本體框架207b。此場合，在為隔絕或抑制振動傳遞而彼此分離之位置調整單元120a(第1處理裝置)與曝光單元121c(第2處理裝置)中，設在曝光單元121c側之第2基板檢測部208，與圖2中所示之第2基板檢測部124同樣的，係設在引導輥Rs3、或張力輥RT1之近旁。再者，亦可與位置調整單元120a(第1處理裝置)及曝光單元121c(第2處理裝置)之雙方皆分開獨立的，將基板調整部214作為一單獨的單元設在設置面E。

在進行光圖案化步驟之曝光單元121、121c等(第2處理單元)與職司光圖案化步驟前一步驟之前處理裝置(第1處理單元)之間，設置位置調整單元120a或第1基板檢測部202之情形時，可藉由第1基板檢測部202檢測從第1處理單元搬送至第2處理單元之基板P之位置變化。又，在第1處理單元內之基板P搬送方向下游側設置位置調整單元120a或第1基板檢測部202之情形時，可藉由第1基板檢測部202檢測從第1處理單元搬送至第2處理單元之基板P之位置變化，亦可以從第1基板檢測部202所檢測之基板P之位置、與以第2基板檢測部208或對準顯微鏡AM1、AM2檢測之基板P之位置，檢測從第1處理單元搬送至第2處理單元之基板P之位置變化。此外，亦可藉由相對位置檢測部234檢測位置調整單元 120a與曝光單元121c之相對位置及位置變化，據以檢測從第1處理單元搬送至第2處理單元之基板P之位置變化。

1:元件製造系統

2:基板供應裝置

4:基板回收裝置

5:上位控制裝置(控制部)

12:基板支承機構(基板搬送機構)

25:旋轉筒

28:引導輥

111:第1軸承部

112:第1升降機構

114:進入角度檢測部

120:位置調整單元

121:曝光單元

123:第1基板檢測部

124:第2基板檢測部

125:基台

126:固定輥

127:搬送輥

128:基台位置調整機構

130:按壓機構

131:除振台

151:按壓構件

152:升降機構

160:位置調整單元

161:第2軸承部

162:第2升降機構

164:排出角度檢測部

165:第3基板檢測部

167:搬送輥

170:基台

AM1、AM2:對準顯微鏡

E:設置面

EPC2、EPC3:邊緣位置控制器

FR1:供應用捲筒

FR2:回收用捲筒

M:光罩

PL:投影光學系

U3:處理裝置

Claims (9)

1. 一種圖案形成裝置，係一邊將長條之可撓性片狀基板往長度方向搬送、一邊於該片狀基板上之既定位置形成圖案，其具備：圖案化裝置，此圖案化裝置具備包含用以將前述片狀基板沿既定搬送路徑往長度方向搬送之複數個引導輥的搬送部、與設在前述搬送路徑之一部分用以在前述片狀基板表面之前述既定位置形成前述圖案的圖案形成部；除振裝置，設在設置前述圖案化裝置之基台面與前述圖案化裝置之間；位置調整裝置，係與前述圖案化裝置分別獨立地設在前述基台面，包含用以朝前述圖案化裝置之前述搬送部送出前述片狀基板之引導輥，並在與前述片狀基板之長度方向正交之寬度方向調整前述片狀基板之位置；位置誤差測量部，測量關於前述圖形化裝置與前述位置調整裝置之相對位置變化之變化資訊；以及控制裝置，根據前述變化資訊控制前述位置調整裝置；在前述搬送部設有於前述搬送路徑中相對前述圖案形成部之上游側，在前述長度方向有既定張力的狀態下，以使前述片狀基板之前述搬送路徑彎折之方式配置之可傾斜的調整輥，前述控制裝置係根據前述變化資訊使前述調整輥傾斜，據以調整搬送至前述圖案形成部之片狀基板之寬度方向位置。
2. 如請求項1所述之圖案形成裝置，其中，前述圖形化裝置之前述搬送部包含旋轉筒，該旋轉筒係可以配置成延伸於前述基板之寬度方向的旋轉軸為中心而旋轉，並且具有自前述旋轉軸一定之曲率半徑之圓筒面狀之外周面，沿著前述外周面支承前述片狀基板之長度方向之一部分。
3. 如請求項2所述之圖案形成裝置，其中， 前述位置誤差測量部具備用以檢測於前述片狀基板之前述寬度方向的前述圖形化裝置與前述位置調整裝置之相對的位置變化、以及前述圖形化裝置與前述位置調整裝置之相對的傾斜或旋轉的變化之複數個位置檢測部。
4. 如請求項2所述之圖案形成裝置，其進一步設有第1基板檢測部，該第1基板檢測部為了檢測從前述位置調整裝置送往前述圖形化裝置之前述搬送部的前述片狀基板之前述寬度方向上的傾斜，而測量在前述片狀基板之寬度方向之兩側的邊緣部之各個，前述片狀基板之表面的法線方向之位置之差分。
5. 如請求項4所述之圖案形成裝置，其中，前述控置裝置係根據以前述第1基板檢測部測量出之前述片狀基板之傾斜來調整設於前述圖形化裝置之前述搬送部的前述調整輥之傾斜量，對支承於前述旋轉筒之前述片狀基板之往前述寬度方向之變位進行修正。
6. 如請求項2至5中任一項所述之圖案形成裝置，其中，前述圖形化裝置之前述圖案形成部包含：在由前述旋轉筒之外周面所支承之前述片狀基板之表面投射與前述圖案相應之光能量之曝光裝置、或藉由墨水之塗布來描繪前述圖案之印刷裝置中的任一者。
7. 一種圖案形成裝置，係一邊將長條之可撓性片狀基板往長度方向搬送、一邊於該片狀基板上之既定位置形成圖案，其具備：圖案化裝置，此圖案化裝置具備：包含用以將前述片狀基板沿既定搬送路徑往長度方向搬送之複數個引導輥的搬送部；設在前述搬送路徑之一部分用以在前述片狀基板表面之前述既定位置形成前述圖案的圖案形成部；以及於前述搬送路徑中相對前述圖案形成部之上游側，在前述長度方向有既定張力的狀態下，以使前述片狀基板之前述搬送路徑彎折之方式配置在前述複數個引導輥中之可傾斜的調整輥；除振裝置，設在設置前述圖案化裝置之基台面與前述圖案化裝置之間； 位置調整裝置，係與前述圖案化裝置分別獨立地設在前述基台面，包含用以朝前述圖案化裝置之前述搬送部送出前述片狀基板之引導輥，並在與前述片狀基板之長度方向正交之寬度方向調整前述片狀基板之位置；位置誤差測量部，測量關於前述圖案化裝置與前述位置調整裝置之相對位置變化之變化資訊；以及控制裝置，根據前述變化資訊控制前述位置調整裝置並且使前述調整輥傾斜，藉以調整搬送於前述圖案形成部之片狀基板之寬度方向位置。
8. 如請求項7所述之圖案形成裝置，其中，前述圖形化裝置之前述搬送部包含旋轉筒，該旋轉筒係可以配置成延伸於前述基板之寬度方向的旋轉軸為中心而旋轉，並且具有自前述旋轉軸一定之曲率半徑之圓筒面狀之外周面，沿著前述外周面支承前述片狀基板之長度方向之一部分。
9. 如請求項8所述之圖案形成裝置，其中，前述位置誤差測量部具備用以檢測於前述片狀基板之前述寬度方向的前述圖形化裝置與前述位置調整裝置之相對的位置變化、以及前述圖形化裝置與前述位置調整裝置之相對的傾斜或旋轉的變化之複數個位置檢測部。

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