CN104619130B - 电路板移植结构以及移植电路板的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种电路板移植结构以及移植电路板的方法。电路板移植结构包括多联电路板、备品电路板、多个备品对位点及多个框架对位点。多联电路板包括框架及多个子电路板。框架包括多个可折连杆及多个卡合口。可折连杆位于框架的内缘。子电路板设置于框架内并分别与可折连杆连接。子电路板的至少其中之一及对应的可折连杆被移除而形成缺口。缺口与卡合口定义出形成移植区。各备品电路板设置于移植区中且包括本体及多个卡合部。各卡合部分别设置于卡合口内且包括突出于本体的卡合块以及设置于卡合块上并突出于卡合块的凸点。备品对位点分别设置于卡合部上。框架对位点分别设置于框架上。

Description

电路板移植结构以及移植电路板的方法

技术领域

本发明涉及一种半导体移植结构以及移植半导体的方法，且特别是涉及一种电路板移植结构以及移植电路板的方法。

背景技术

目前电路板的制造方法通常是将一块电路基板制作成多个子电路板，以使电路基板形成一多联电路板。然而，在生产过程中难免会生产出具有些微瑕疵的子电路板，若将不良品报废处理则浪费资源，因此多联电路板的制造商通常会将多联电路板的子电路板取下以做为备用电路板，然后再利用备用电路板替换其他多联电路板上损坏的子电路板，以使重组后的这些多联电路板上的子电路板皆为可用的良品。

目前虽有替换单片子电路板的技术，以制作修复成良品的多联电路板，但其中却因为接合技术产生许多问题，如接合力弱、对位困难、程序太多导致效率太慢、成本过高等种种问题，因此如何开发一种能解决接合技术问题并减少成本、增加效率，实乃目前亟欲解决的课题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电路板移植结构，其能增加备品电路板与多联电路板之间的接合力以及接合良率。

本发明的再一目的在于提供一种移植电路板的方法，其能简化备品电路板与多联电路板的接合制作工艺，增加备品电路板与多联电路板之间的接合力以及接合良率。

为达上述目的，本发明的电路板移植结构，其包括一多联电路板、至少一备品电路板、多个备品对位点及多个框架对位点。多联电路板包括一框架及多个子电路板。框架包括一上边框、一下边框、多个可折连杆以及多个卡合口。可折连杆位于框架的一内缘。子电路板设置于框架内并与可折连杆连接。子电路板的至少其中之一及其对应的可折连杆被移除而形成至少一缺口。缺口与卡合口共同定义出至少一移植区。备品电路板设置于移植区中，且各备品电路板包括一本体及多个卡合部。卡合部分别设置于卡合口内，且各卡合部包括一卡合块以及至少一凸点。卡合块突出于本体，凸点设置于卡合块上并突出于卡合块的一表面。备品对位点分别设置于卡合部上。框架对位点分别设置于上边框及下边框上。

本发明的移植电路板的方法包括下列步骤。首先，提供一多联电路板，其中多联电路板包括一框架、多个子电路板以及多个框架对位点。框架包括一上边框、一下边框及多个可折连杆，框架对位点分别位于上边框及下边框上。子电路板设置于框架内并分别与可折连杆连接。接着，移除子电路板的至少其中之一及其对应的该些可折连杆以形成至少一缺口。提供至少一备品电路板。各备品电路板包括一本体、多个卡合部以及多个备品对位点。各卡合部分别对应上边框及下边框而突出于本体。备品对位点分别设置于卡合部上。接着，分别形成多个准卡合口于上边框及下边框的一内缘上，其中各准卡合口在一基准面上的正投影范围小于各卡合部在基准面的正投影范围。接着，依据框架对位点以及备品对位点得到框架对应于卡合部的多个待移除区域。待移除区域分别位于准卡合口的周围。移除位于准卡合口周围的待移除区域，以形成多个卡合口，各卡合口的正投影范围大于或等于各卡合部在基准面上的正投影范围。接着，将本体设置于对应的缺口内，并将卡合部分别与对应的卡合口嵌合，以固定备品电路板于多联电路板上。

基于上述，在本发明的电路板移植结构中，备品电路板的卡合部包括卡合块以及至少一凸点，其中，凸点设置于卡合块上并突出于卡合块的表面。如此，当多联电路板上的至少一子电路板为不良品或需更换为不同型的子电路板时，可以备品电路板替换之，并将备品电路板的卡合部设置于多联电路板上的卡合口内，再填充胶体于卡合部及卡合口之间，以将备品电路板固定于多联电路板上。如此，可通过胶体的粘着力，增加备品电路板与多联电路板之间的接合力。

再者，本发明利用先于框架上形成一准卡合口，其准卡合口的开口尺寸小于卡合部的尺寸。如此，即可依据多联电路板与备品电路板上的对位点将卡合部的外轮廓对应至框架上后，再依据卡合部的尺寸细修准卡合口，移除准卡合口周围与卡合部的外轮廓重叠的区域，以形成与卡合部嵌合的卡合口。如此，由于卡合口可与卡合部紧密嵌合，备品电路板与多联电路板之间的接合力可因此增加。此外，本发明所提供的方法更可于多联电路板上批量形成与卡合部嵌合的卡合口，因而可简化生产制作工艺以及增进生产效率。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明

图1是依照本发明的一实施例的一种电路板移植结构的构件分解示意图；

图2是依照本发明的一实施例的一种电路板移植结构组装后的局部放大示意图；

图3是图2的电路板移植结构的区域A的局部放大示意图；

图4是依照本发明的另一实施例的一种电路板移植结构组装后的局部放大示意图；

图5是依照本发明的一实施例的一种移植电路板的方法的流程方块示意图；

图6是依照本发明的一实施例的一种移植电路板的方法的示意图；

图7是依照本发明的一实施例的一种子电路板的局部剖面示意图。

符号说明

100：电路板移植结构

110：多联电路板

112a：卡合口

112b：内缘

112c：可折连杆

112d：上边框

112e：下边框

114：子电路板

114a：基板

114b、114c：图案化线路层

116：缺口

118：移植区

120：备品电路板

122：本体

124：卡合部

124a：卡合块

124b：凸点

124c：凸点侧缘

130：胶体

140：对位点

142：框架对位点

144：备品对位点

150：准卡合口

160：待移除区

D1、D2：最短距离

具体实施方式

图1是依照本发明的一实施例的一种电路板移植结构的构件分解示意图。请参照图1，在本实施例中，电路板移植结构100包括一多联电路板110、至少一备品电路板120、多个框架对位点142、多个备品对位点144及一胶体130。本实施例的多联电路板110可例如利用大面积的电路基板来制作，其包括一框架及多个子电路板114，其中，框架包括一上边框112d、一下边框112e、多个可折连杆112c以及多个卡合口112a。框架对位点142分别位于上边框112d及下边框112e上。可折连杆112c位于框架的一内缘112b。子电路板114设置于框架内并与可折连杆112c连接。而备品电路板120例如是由另一多联电路板110上所切割下来的子电路板114。在本实施例中，备品电路板120可以是与多联电路板110上的子电路板114同型或不同型的良品，其包括一本体122及多个卡合部124。备品对位点144分别设置于卡合部124上。如此，当多联电路板110上的至少一子电路板114为不良品或需更换为不同型的子电路板时，可例如以数控(computer numerical control,CNC)加工机台进行切割，以将不良或是需更换的子电路板114自多联电路板110移除而形成至少一缺口116，其中，移除不良或是需更换的子电路板114的方法例如为折断可折连杆112c，以自框架上移除不良或是需更换的子电路板114及其对应的可折连杆116而形成缺口116。之后，再分别于上、下边框112d、112e上对应缺口116处形成卡合口112a，使缺口116与卡合口112a于多联电路板110上共同定义出至少一移植区118。之后，再将备品电路板120设置于移植区118内，并使卡合部124分别设置于对应的卡合口112a内，再以胶体130将备品电路板120固定于多联电路板110，即可初步完成电路板的移植，且移植后的多联电路板110皆为可用的良品。

图2是依照本发明的一实施例的一种电路板移植结构组装后的局部放大示意图。请同时参照图1及图2，详细而言，在本实施例中，备品电路板120的卡合部124分别设置于卡合口112a内，且各卡合部124如图2所示包括一卡合块124a以及至少一凸点124b。卡合块124a突出于本体122的一表面，而凸点124b则设置于卡合块124a的表面上并突出于卡合块124a的一表面。胶体130则设置于卡合口112a内，并填充于各卡合口112a与对应的卡合部124之间。之后，可再例如进行一固化制作工艺以固化胶体130，使备品电路板120固定于多联电路板110上。在此，胶体130的种类可依其固化成形方式不同而不同，其固化方式有光固化、热固化与快干型固化等方式。当然，本发明并不以此为限。

具体而言，在本发明的一实施例中，各卡合部124的凸点124b的数量为多个，且凸点124b，相对卡合块124a或本体122，在对应的卡合块124a上呈左右或上下对称设置。也就是说，本实施例的各卡合部124包括多个凸点124b，且凸点124b分别对称地设置于卡合块124a上。除此之外，本实施例的凸点124b的其中之一更可如图2所示地设置于卡合块124a的一顶缘，其可与位于对应的本体122下方的另一卡合块124a上的设置于顶缘的凸点124b呈上下对称。如此，由于凸点124b左右对称地设置于卡合块124a上并位于卡合块124a与卡合口112a之间，因而可减少卡合部124因设置于卡合口112a内的位置过度偏向卡合口112a的某一侧而导致胶体130涂布量分布不均的问题。亦即，凸点124b对称地设置于卡合块124a上，可促使卡合部124置中设置于卡合口112a内，而使胶体130可更均匀地填充各卡合口112a与对应的卡合部124之间。此外，凸点124b的设置可增加卡合口112a与卡合部124之间的接触面积，对称地设置凸点124b更可帮助卡合部124与对应的卡合口112a嵌合。

图3是图2的电路板移植结构的区域A的局部放大示意图。请参照图2及图3，承上述，由于凸点124b对称设置于卡合块124a上，并位于卡合块124a与卡合口112a之间，因此，各凸点124b的一顶缘至对应的卡合口112a的最短距离D1小于各卡合块124a的表面至对应的卡合口112a的最短距离D2。具体来说，各凸点124b的顶缘至对应的卡合口的最短距离D1实质上介于0微米(μm)至100微米之间，而各卡合块124a的表面至对应的卡合口112a的最短距离实质上介于50微米至400微米之间。

图4是依照本发明的另一实施例的一种电路板移植结构组装后的局部放大示意图。请参照图4，在本实施例中，凸点124b的数量为至少两个，而凸点124b的至少其中之一的一侧缘124c更可与框架的内缘112b实质上切齐。更具体来说，分别对称设置于卡合块124a的相对两侧的两凸点124b的侧缘124c与框架的内缘112b实质上切齐。如此，可防止胶体由卡合块124a与卡合口112a间的间隙溢流至卡合口112a以外的区域。亦即，通过将凸点124b对称设置于卡合块124a的相对两侧并使凸点124b的侧缘124c与框架的内缘112b切齐，可有效减少溢胶的情形发生。

除此之外，电路板移植结构100更可包括多个对位点140，对位点140可分别设置于框架上以及备品电路板120上。在本实施例中，设置于备品电路板120上的对位点140可例如位于卡合部124上，再通过例如一光学/影像定位装置来自动侦测设置于框架上的框架对位点142，以定位出移植区118的位置，并自动侦测设置于卡合部124上的备品对位点144来定位出备品电路板120的设置位置，以将备品电路板120准确地设置于移植区118内。在本实施例中，光学/影像定位装置例如为一电荷耦合元件(charge-coupled device,CCD)。

图5是依照本发明的一实施例的一种移植电路板的方法的流程方块示意图。图6是依照本发明的一实施例的一种移植电路板的方法的示意图。请同时参照图1、图5以及图6，本实施例提供一种移植电路板的方法，其包括下列步骤：首先，提供一多联电路板110(步骤S110)。多联电路板110可如图1所示包括一框架、多个子电路板114以及多个框架对位点142。框架可相似于图1所示包括一上边框112d、一下边框112e以及多个可折连杆112c。框架对位点142则可分别位于上边框112d及下边框112e上。子电路板114分别设置于框架内并与可折连杆112c连接。在本实施例中，多个框架对位点142设置于框架上，在本实施例中，框架对位点142可分别设置于上边框112d及下边框112e的最外侧且呈对角设置，以使对位区域涵盖整个多联电路板110。

接着，移除多联电路板110的子电路板114的至少其中之一及其对应的可折连杆112c，以形成至少一缺口116(步骤S120)。并且，提供至少一备品电路板120(步骤S130)。在本实施例中，各备品电路板120可如图1所示包括一本体122、多个卡合部124以及多个备品对位点144，其中，各卡合部124分别对应上边框112d及下边框112e突出于本体122，而备品对位点144则分别设置于卡合部124上。在本实施例中，备品对位点144的设置位置可例如对应于卡合部124的中心位置。

接着，形成多个准卡合口150于多联电路板110的框架上(步骤S140)，例如依据移除的可折连杆112c的位置形成多个准卡合口150。详细而言，如图6所示，准卡合口150是形成于上边框122d及下边框112e的一内缘112b上，其中各准卡合口150在一基准面上的正投影范围小于各卡合部124在同一基准面的正投影范围，亦即，准卡合口150在一基准面上的正投影落在卡合部124在同一基准面的正投影的范围内。简单而言，准卡合口150的尺寸实质上小于卡合部124的尺寸。

接着，依据框架对位点142以及备品对位点144得到框架上位于准卡合口150周围的多个待移除区域160(步骤S150)。详细而言，本实施例可例如通过光学/影像定位装置侦测备品对位点144的位置，并侦测各卡合部124的一外轮廓以及外轮廓上的各点分别至对应的备品对位点144的距离，以得到卡合部124的外形，并可依据框架对位点142以及备品对位点144的相对位置将此外轮廓对应于框架的准卡合口112a。详细而言，光学/影像定位装置可侦测备品对位点144以及本体122与卡合部124的相对位置，并将其对应于框架对位点142与备品对位点144的相对位置，以得到卡合部124应设置于框架上的位置。此时，由于准卡合口150的尺寸实质上小于卡合部124的尺寸，因此卡合部124的外轮廓可如图6中的虚线所示地涵盖准卡合口150的一周围区域，而卡合部124的外轮廓与准卡合口150的周围重叠的区域(如图6所示的斜线区域)即为本实施例所述的待移除区160，其中，待移除区域160分别位于准卡合口150的周围。在本实施例中，光学/影像定位装置例如为一电荷耦合元件(charge-coupled device,CCD)，而移除待移除区域160的方法包括紫外线激光(UV laser)切割。

接着，移除位于准卡合口150周围的待移除区域160以形成多个卡合口112a(步骤S160)。如此，各卡合口112a在基准面上的正投影范围大于或等于各卡合部124在基准面上的正投影范围。在本实施例中，各卡合口112a在基准面上的正投影范围即可与各卡合部124在同一基准面上的正投影范围实质上重合。当然，在本发明的其他实施例中，各卡合口112a也可如图2所示，其在基准面上的正投影范围可约略大于各卡合部124在基准面上的正投影范围。

接着，再将备品电路板120的卡合部124与多联电路板110的卡合口112a嵌合(步骤S170)。也就是将备品电路板120的本体122设置于对应的缺口116内，并将卡合部124分别与对应的卡合口112a嵌合，以固定备品电路板120于多联电路板110上。如此，即大致完成电路板的移植。在此需说明的是，为提升移除待移除区域160的效率，各卡合口112a在基准面上的正投影范围可略大于各卡合部124在同一基准面上的正投影范围。在此情形下，各卡合部124更可包括一卡合块124a以及至少一凸点124b。凸点124b设置于卡合块124a上并突出于卡合块124a的一表面。并且，凸点124b的数量可为多个，且凸点124b如图2所示在对应的卡合块124a上呈左右或上下对称设置。并且，凸点124b的至少其中之一的一侧缘124c可如图4所示与框架的内缘112b切齐。举例而言，各凸点124b的一顶缘至对应的卡合口112a的最短距离可例如控制在实质上介于0微米至100微米之间，或控制各卡合块124a的表面至对应的卡合口112a的最短距离实质上介于50微米至400微米之间。

接着，可再选择性地填充胶体130于卡合部124与对应的卡合口112a之间，之后，可再进行一固化制作工艺以固化胶体130，以更稳固地将备品电路板120固定于多联电路板110上。在此，胶体130的种类可依其固化成形方式不同而不同，其固化方式有光固化、热固化与快干型固化等方式。当然，本发明并不以此为限。须说明的是，当本实施例的电路板移植方法所形成的卡合口112a可与卡合部124紧密嵌合，填充胶体130以及固化胶体130可为选择性步骤。

图7是依照本发明的一实施例的一种子电路板的局部剖面示意图。在此须说明的是，在本实施例中，各子电路板114可包括一基板114a以及两图案化线路层114b、114c，其中，图案化线路层114b、114c如图7所示分别位于对应的基板114a的上下两表面。当然，任何所属技术领域中具有通常知识者应了解，本实施例的附图仅用以举例说明，本发明并不限定子电路板114的层数。在本实施例中，于基板114a的上下两表面形成图案化线路层114b、114c的方法可包括激光直接成像(Laser Direct Image,LDI)或直接成像(Direct Image,DI)技术。详细来说，激光直接成像技术例如是采用激光直接在已涂覆光致抗蚀剂层的覆铜板面上扫描出欲成像的图形，而无须应用照相底片经曝光转移图像，因而能避免底片所带来的变形走样的问题，因此，利用此种技术于基板114a的上下两表面形成图案化线路层114b、114c，可有效减小图案化线路层114b、114c间的层偏，进而可减少子电路板114因其图案化线路层114b、114c的层偏过大而被视为不良品的情形。在本实施例中，图案化线路层114b、114c两者间的层偏约可小于10微米。

综上所述，本发明的备品电路板的卡合部包括卡合块以及至少一凸点，其中，凸点设置于卡合块上并突出于卡合块的表面。如此当多联电路板上的至少一子电路板为不良品或需更换为不同型的子电路板时，可以备品电路板替换之，并将备品电路板的卡合部设置于多联电路板上的卡合口内，再填充胶体于卡合部及卡合口之间，以固定备品电路板于多联电路板上。如此，凸点的设置可增加卡合口与卡合部之间的接触面积，因而可帮助卡合部与对应的卡合口嵌合。并且，凸点可对称地设置于卡合块上，以促使卡合部置中设置于卡合口内，而使胶体更均匀地填充各卡合口与卡合部之间。此外，凸点的侧缘更可与多联电路板的框架的内缘切齐，以减少溢胶的情形发生。

再者，本发明利用先于框架上形成一准卡合口，其准卡合口的开口尺寸小于卡合部的尺寸。如此，依据多联电路板与备品电路板上的对位点将卡合部的外轮廓对应至框架上后，再依据卡合部的尺寸细修准卡合口，移除准卡合口周围与卡合部的外轮廓重叠的区域，即可形成多联电路板上的卡合口。依此方法所形成的卡合口可与卡合部紧密嵌合，因而可增加备品电路板与多联电路板之间的接合力，此外，本发明所提供的方法更可于多联电路板上批量形成与卡合部嵌合的卡合口，因而可简化生产制作工艺以及增进生产效率。

虽然已结合以上实施例公开了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中熟悉此技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围应以附上的权利要求所界定的为准。

Claims (15)

1.一种电路板移植结构，包括：

多联电路板，包括：

框架，包括一上边框、一下边框、多个可折连杆以及多个卡合口，该些可折连杆位于该框架的一内缘；以及

多个子电路板，设置于该框架内并分别与该些可折连杆连接，该些子电路板的至少其中之一及其对应的该些可折连杆被移除而形成至少一缺口，该至少一缺口与该些卡合口共同定义出至少一移植区；

至少一备品电路板，设置于该至少一移植区中，该备品电路板包括：

本体；以及

多个卡合部，分别设置于该些卡合口内，各该卡合部包括卡合块以及至少一凸点，该卡合块突出于该本体，该至少一凸点设置于该卡合块上并突出于该卡合块的一表面；

多个备品对位点，分别设置于该些卡合部上；以及

多个框架对位点，分别设置于该上边框及该下边框上；

其中，

各该凸点至多在顶缘处与卡合部相接；

各该凸点的一顶缘至对应的卡合口的最短距离介于0微米至100微米之间；以及

各该卡合部的该至少一凸点的数量为多个，且其中该些凸点在对应的卡合块上呈左右对称设置。

2.如权利要求1所述的电路板移植结构，还包括：

胶体，设置于该些卡合口内，并填充于各该卡合口与对应的卡合部之间。

3.如权利要求1所述的电路板移植结构，其中各该卡合部的该至少一凸点的数量为多个，且其中该些凸点在对应的卡合块上呈上下对称设置。

4.如权利要求1所述的电路板移植结构，其中该些凸点的至少其中之一的一侧缘与该框架的该内缘实质上切齐。

5.如权利要求1所述的电路板移植结构，其中各该卡合块的该表面至对应的卡合口的最短距离实质上介于50微米至400微米之间。

6.一种移植电路板的方法，包括：

提供一多联电路板，其中该多联电路板包括一框架、多个子电路板以及多个框架对位点，该框架包括一上边框、一下边框以及多个可折连杆，该些框架对位点分别位于该上边框及该下边框上，该些子电路板设置于该框架内并分别与该些可折连杆连接；

移除该些子电路板的至少其中之一及其对应的该些可折连杆以形成至少一缺口；

提供至少一备品电路板，各该备品电路板包括一本体、多个卡合部以及多个备品对位点，各该卡合部分别对应该上边框及该下边框而突出于该本体，该些备品对位点分别设置于该些卡合部上；

分别形成多个准卡合口于该上边框及该下边框的一内缘上，各该准卡合口在一基准面上的正投影范围小于各该卡合部在该基准面的正投影范围；

依据该些框架对位点以及该些备品对位点得到该框架上对应于该些卡合部的多个待移除区域，该些待移除区域分别位于该些准卡合口的周围；

移除位于该些准卡合口周围的该些待移除区域，以形成多个卡合口，各该卡合口在该基准面上的正投影范围大于或等于各该卡合部在该基准面上的正投影范围；以及

将该本体设置于对应的缺口内，并将该些卡合部分别与对应的卡合口嵌合，以固定该备品电路板于该多联电路板上。

7.如权利要求6所述的移植电路板的方法，其中各该卡合部包括一卡合块以及至少一凸点，该至少一凸点设置于该卡合块上并突出于该卡合块的一表面。

8.如权利要求6所述的移植电路板的方法，还包括：

填充一胶体于该些卡合部与对应的卡合口之间；以及

固化该胶体。

9.如权利要求7所述的移植电路板的方法，其中各该卡合部的该至少一凸点的数量为多个，且该些凸点在对应的卡合块上呈左右或上下对称设置。

10.如权利要求7所述的移植电路板的方法，其中该些凸点的至少其中之一的一侧缘与该框架的该内缘切齐。

11.如权利要求6所述的移植电路板的方法，其中各该子电路板包括一基板以及两图案化线路层，该些图案化线路层分别位于对应的基板的上下两表面，其中形成该些图案化线路层的方法包括直接成像。

12.如权利要求6所述的移植电路板的方法，其中依据该些框架对位点以及该些备品对位点得到该框架上对应于该些卡合部的该些待移除区域的步骤还包括：

侦测各该卡合部的一外轮廓以及各该外轮廓上的各点至对应的备品对位点的距离；以及

依据该些框架对位点以及该些备品对位点的相对位置将该些外轮廓对应至该框架的该些准卡合口，该些外轮廓与该些准卡合口的周围重叠的区域即为该些待移除区域。

13.如权利要求6所述的移植电路板的方法，其中各该卡合口与各该卡合部在该基准面上的正投影范围实质上重合。

14.如权利要求7所述的移植电路板的方法，其中形成该些卡合口，各该卡合口在该基准面上的正投影范围大于或等于各该卡合部在该基准面上的正投影范围的步骤还包括：

控制各该凸点的一顶缘至对应的卡合口的最短距离实质上介于0微米至100微米之间。

15.如权利要求7所述的移植电路板的方法，其中形成该些卡合口，各该卡合口在该基准面上的正投影范围略大于各该卡合部在该基准面上的正投影范围的步骤还包括：

控制各该卡合块的该表面至对应的卡合口的最短距离实质上介于50微米至400微米之间。