TWI487435B - 移植電路板的方法 - Google Patents

Description

移植電路板的方法

本發明是有關於一種移植半導體的方法，且特別是有關於一種移植電路板的方法。

目前電路板的製造方法通常是將一塊電路基板製作成多個子電路板，以使電路基板形成一多聯電路板。然而，在生產過程中難免會生產出具有些微瑕疵的子電路板，若將不良品報廢處理則浪費資源。有鑑於此，部分多聯電路板之製造商會先對多聯電路板之子電路板進行電性測試，再將電性測試後確定為良品的多個子電路板重新組裝成新的多聯電路板，以使重組後之這些多聯電路板上的子電路板皆為可用之良品。

然而，目前移植電路板的技術通常是將子電路板分別嵌合於上下相對的兩邊條上，以框圍上述確定為良品的多個子電路板而組成新的多聯電路板。然而，由於用以框圍子電路板的上下兩邊條的剛性不足，容易在製作過程中，或是子電路板的組裝過程中受到彎折甚至導致損壞。此外，由於兩邊條為分開製作的獨 立兩構件，因此，同一多聯電路板的兩邊條之間容易產生製作公差，再加上兩邊條因剛性不足而可能導致的彎折變形及漲縮差異，上述種種原因皆會影響多聯電路板組裝接合時的精準度及後續製程的可靠度。

本發明提供一種移植電路板的方法，其可提高子電路板與框架間的組裝接合的精準度及提高電路板移植結構中的空間利用度。

本發明的一種移植電路板的方法，其包括下列步驟。首先，對多個子電路板進行層偏測試與電性測試。接著，篩選出多個經層偏測試與電性測試確認為良品的子電路板。各子電路板包括一本體、多個可折連桿、多個卡合部以及多個第一對位點。各可折連桿突出於本體且連接對應的卡合部。提供一框架。框架包括一上邊框、一下邊框、兩側邊框、多個卡合口以及多個第二對位點。卡合口分別位於上邊框及下邊框的內緣。第二對位點分別設置於上邊框及下邊框上。各側邊框連接上邊框以及下邊框，以共同定義出多個移植缺口。接著，將第一對位點以及第二對位點進行對位，以將子電路板分別設置於移植缺口內，並將各卡合部與對應的卡合口嵌合，以固定子電路板於框架上。

在本發明的一實施例中，上述的移植電路板的方法，其中層偏測試的步驟包括以雷射直接成像或直接成像技術分別形成 兩圖案化線路層於各子電路板的上下兩表面，並偵測兩圖案化線路層之間的層偏。

在本發明的一實施例中，上述的卡合部為圓形，且第一對位點位於對應的卡合部的圓心。

在本發明的一實施例中，上述的移植電路板的方法更包括在固定子電路板於框架上之後，移除兩側邊框。

在本發明的一實施例中，上述的框架為一雙層板結構。

在本發明的一實施例中，上述的框架的一線路層數等於各子電路板的一線路層數。

在本發明的一實施例中，上述的框架為一體成型。

在本發明的一實施例中，上述的提供框架的方法更包括下列步驟。首先，形成多個準卡合口於上邊框及下邊框的內緣上，各準卡合口的尺寸小於各卡合部的尺寸。接著，偵測各卡合部的一外輪廓以及各外輪廓至對應的第一對位點的一距離。依據偵測到的距離以及第一對位點與第二對位點的相對位置，得到框架上對應於卡合部的多個待移除區域，待移除區域分別位於該些準卡合口的周圍。接著，移除位於準卡合口周圍的待移除區域，以形成卡合口。各卡合口的一尺寸實質上大於或等於各卡合部的一尺寸。

在本發明的一實施例中，上述的移植電路板的方法更包括控制各卡合部的一邊緣至對應的卡合口的一邊緣的最短距離實質上小於400微米之間。

在本發明的一實施例中，上述的移植電路板的方法更包 括在將各卡合部與對應的卡合口嵌合之後，填充一膠體於各卡合部與對應的卡合口之間。接著，固化膠體。

基於上述，本發明利用一框架來容置並固定多個子電路 板，以形成包括多個子電路板的多聯電路板，其中，框架具有上邊框、下邊框以及兩側邊框，再將經層偏測試與電性測試後確定為良品的多個子電路板卡合於此框架內，以組裝成多聯電路板，且此多聯電路板上的子電路板皆為可用之良品。由於本發明的框架是由上邊框、下邊框以及兩側邊框所組成，因此結構剛性較強，不易於設置子電路板於框架上的過程中受到彎折或損壞，進而可增加製程的良率。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉 實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

10‧‧‧多聯電路板

100‧‧‧框架

110‧‧‧上邊框

112‧‧‧內緣

120‧‧‧下邊框

130‧‧‧側邊框

140‧‧‧卡合口

142‧‧‧準卡合口

150‧‧‧第二對位點

160‧‧‧移植缺口

170‧‧‧待移除區域

200‧‧‧子電路板

210‧‧‧本體

220‧‧‧卡合部

230‧‧‧第一對位點

240‧‧‧基材

250a、250b‧‧‧圖案化線路層

260‧‧‧可折連桿

圖1是依照本發明的一實施例的一種移植電路板的方法的流程方塊示意圖。

圖2是依照本發明的一實施例的一種框架與子電路板的示意圖。

圖3是依照本發明的一實施例的一種框架與子電路板的組裝示意圖。

圖4是依照本發明的一實施例的一種移植電路板的方法的示意圖。

圖5是依照本發明的一實施例的一種子電路板的局部剖面示意圖。

有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以 下配合參考圖式之各實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。以下實施例中所提到的方向用語，例如：「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本發明。並且，在下列各實施例中，相同或相似的元件將採用相同或相似的標號。

圖1是依照本發明的一實施例的一種移植電路板的方法 的流程方塊示意圖。圖2是依照本發明的一實施例的一種框架與子電路板的示意圖。請同時參照圖1以及圖2，本實施例的移植電路板的方法可包括下列步驟：首先，提供經偏測試與電性測試後確定為良品的多個子電路板200(步驟S110)。在本實施例中，可先對多個子電路板進行層偏測試與電性測試，以篩選出層偏測試與電性測試後確定為良品的多個子電路板200。詳細而言，各子電路板200包括一本體210、多個可折連桿260、多個卡合部220以及多個第一對位點230。各可折連桿260如圖2所示之突出於本體210且與對應的卡合部220嵌合。

接著，提供一框架100，其包括一上邊框110、一下邊框 120及兩側邊框130，以定義出多個移植缺口160，且框架100更包括多個第二對位點150(步驟S120)。在本實施例中，子電路板會先如前所述地批量進行層偏測試與電性測試，以篩選出層偏測試與電性測試後確定為良品的多個子電路板200。之後，再將這些確定為良品的子電路板200分別組裝至框架100的移植缺口160內而形成多聯電路板，以利出貨。如此，組裝完成後的這些多聯電路板上的子電路板200皆為可用之良品。詳細而言，框架100包括上邊框110、下邊框120、兩側邊框130、多個卡合口140以及多個第二對位點150，其中，卡合口140分別位於上邊框110以及下邊框120的內緣，第二對位點150分別設置於上邊框110及該下邊框120最外側且呈對角設置，以使對位區域涵蓋整個多聯電路板10。各側邊框130如圖1所示連接上邊框110以及下邊框120，使上邊框110、下邊框120以及兩側邊框130共同定義出多個移植缺口160。在本實施例中，框架100可為一體成型。因此，本實施例的框架100具有較優異的結構剛性，並且，由於邊框110、120、130為同時製作，故各框架100的邊框110、120、130之間較不易產生製作公差，因而可增加框架100的製作良率，進而可增加後續製程的可靠度。

之後，將第一對位點230及第二對位點150進行對位， 以將子電路板200分別設置於移植缺口160內(步驟S140)。詳細而言，在本實施例中，設置於子電路板200上的第一對位點230 可例如位於本體210上，亦可位於卡合部220上，並可依據第一對位點230以及第二對位點150進行對位，以將子電路板200分別設置於移植缺口160內，並將各卡合部220與對應的卡合口140嵌合，以固定子電路板200於框架100上而形成由多個子電路板200所組成的多聯電路板。具體來說，本實施例的卡合部220呈圓形，且第一對位點230位於對應的卡合部220的圓心上。本實施例的對位方法可例如透過一光學/影像定位裝置來自動偵測設置於框架100上的第二對位點150，以定位出移植缺口160的位置，並自動偵測設置於子電路板200上的第一對位點230來定位出子電路板200的設置位置，以將子電路板200準確地設置於移植缺口160內。在本實施例中，光學/影像定位裝置例如為一電荷耦合元件(charge-coupled device,CCD)。

圖3是依照本發明的一實施例的一種框架與子電路板的 組裝示意圖。請參照圖2以及圖3，在子電路板200固定於框架100上之後，可選擇性地移除如圖2所示的兩側邊框130，以形成如圖3所示的多聯電路板10。當然，本實施例的圖式僅用以舉例說明，在本發明的其他實施例中，多聯電路板10亦可不移除兩側邊框130，也就是維持如圖2所示的完整框架100。並且，本發明亦不限制框架100中的移植缺口160及其可容納的子電路板200的數量。此外，框架100可與子電路板同樣由多個基材以及線路層交錯堆疊而成，其中，框架100的線路層數可與各子電路板200的線路層數相同。然而，由於本實施例的框架100可與子電路板 分開形成，因此，框架100的線路層數亦可與各子電路板200的線路層數不相同。更具體來說，框架100的線路層數可小於各子電路板200的線路層數，以節省材料成本。在本實施例中，子電路板200可為多層板結構，而框架100則可為雙層板結構。

圖4是依照本發明的一實施例的一種移植電路板的方法 的示意圖。請同時參照圖2以及圖4，詳細而言，在本實施例中，提供具有卡合口140的框架100的方法包括下列步驟：首先，如圖4所示先形成多個準卡合口142於上邊框110及下邊框120的內緣112上，且各準卡合口142的尺寸小於各卡合部220的尺寸。 詳細而言，如圖4所示，各準卡合口142在一基準面上的正投影範圍約小於各卡合部220在同一基準面的正投影範圍，亦即，準卡合口142在一基準面上的正投影會落在卡合部220在同一基準面的正投影的範圍內。在此需說明的是，為了圖面簡潔，圖4僅繪示子電路板200的卡合部220與上邊框110的局部放大示意圖來呈現準卡合口142與卡合部220之間的關係。

之後，依據第一對位點150以及第二對位點230將卡合 部220對應至框架100上，以得到如圖4所示的多個待移除區域170，其中，待移除區域170分別對應卡合部220，且位於準卡合口142的周圍。詳細而言，本實施例可例如透過光學/影像定位裝置偵測第一對位點230的位置，並偵測各卡合部220的一外輪廓以及外輪廓分別至對應的第一對位點230的距離，並可依據此距離以及第一對位點230與第二對位點150的相對位置將此外輪廓 分別對應於上邊框110及下邊框120的準卡合口142處，以得到卡合部220應分別設置於上邊框110及下邊框120的位置。此時，由於準卡合口142的尺寸約小於卡合部220的尺寸，因此卡合部220的外輪廓可如圖4中的虛線所示地涵蓋準卡合口142的一周圍區域，而卡合部220的外輪廓與準卡合口142的周圍所重疊的區域(如圖4所示的斜線區域)即為本實施例所述的待移除區170。 在本實施例中，光學/影像定位裝置例如為一電荷耦合元件，而移除待移除區域170的方法包括紫外線雷射(UV laser)切割。此外，若卡合部220為圓形，且第一對位點230位於對應的卡合部220的圓心，即可以預設的卡合部220的圓形半徑值作為「外輪廓分別至對應的第一對位點230的距離」，並可使對位更為精確。

接著，即可移除位於準卡合口142周圍的待移除區域 170，以形成如圖2所示的卡合口140，其中，各卡合口140的一尺寸可實質上大於或等於各卡合部220的一尺寸。如此，即可形成如圖2所示的框架100，其具有與卡合部220嵌合的卡合口140，使子電路板200可藉由卡合部220與卡合口140的嵌合而固定於框架100上。在本實施例中，若卡合口140的尺寸略大於卡合部220的一尺寸，可控制各卡合部220的一邊緣至對應的卡合口140的一邊緣的最短距離實質上小於400微米。更詳細來說，各卡合部220的邊緣至對應的卡合口140的邊緣的最短距離實質上可介於50微米至400微米之間。

承上述，在將各卡合部220與對應的卡合口140嵌合之 後，可再選擇性地填充膠體於各卡合部220與對應的卡合口140之間。接著，可再進行一固化製程以固化此膠體，以更穩固地將子電路板200固定於框架100上。在此，膠體的種類可依其固化成形方式不同而不同，其固化方式有光固化、熱固化與快乾型固化等方式。當然，本發明並不以此為限。須說明的是，由於本實施例的電路板移植方法所形成的卡合口140可與卡合部220緊密嵌合，因此，填充膠體以及固化膠體並非為必要步驟而可選擇性地實施。

圖5是依照本發明的一實施例的一種子電路板的局部剖 面示意圖。在此須說明的是，在本實施例中，各子電路板200可包括一基材240以及兩圖案化線路層250a、250b，其中，圖案化線路層250a、250b如圖5所示分別位於對應的基材240的上下兩表面。在本實施例中，於基材240的上下兩表面形成圖案化線路層250a、250b的方法可包括雷射直接成像(Laser Direct Image,LDI)或直接成像(Direct Image,DI)技術，而前述的層偏測試的步驟可例如先以上述的雷射直接成像或直接成像技術分別形成圖案化線路層250a、250b於各子電路板200的基材240的上下兩表面，再偵測兩圖案化線路層250a、250b之間的層偏。具體來說，雷射直接成像技術例如是採用雷射直接在已塗覆光阻層的覆銅板面上掃描出欲成像之圖形，而無須應用照相底片經曝光轉移圖像，因而能避免底片所帶來的變形走樣的問題。因此，利用此種技術於基材240的上下兩表面形成圖案化線路層250a、250b，可 有效減小圖案化線路層250a、250b之間的層偏，進而可減少子電路板200因其對應上下兩表面的圖案化線路層250a、250b之間的層偏過大而被視為不良品的情形。在本實施例中，採用雷射直接成像或直接成像技術所形成的圖案化線路層250a、250b，其兩者之間的層偏約可小於10微米。當然，任何所屬技術領域中具有通常知識者應了解，本實施例的圖式僅用以舉例說明，本實施例並不限定子電路板200的基材以及圖案化線路層的層數，只要位於子電路板200的相對兩表面上的圖案化線路層由雷射直接成像或直接成像技術所形成，即為本實施例所欲保護的範圍。

綜上所述，本發明利用一框架來容置並固定多個子電路 板，以形成包括多個子電路板的多聯電路板，其中，框架具有上邊框、下邊框以及兩側邊框，以共同定義出多個移植缺口，再將經層偏測試與電性測試後確定為良品的多個子電路板卡合於此框架內，以組裝成多聯電路板，且此多聯電路板上的子電路板皆為可用之良品。由於本發明的框架是由上邊框、下邊框以及兩側邊框所組成，因此結構剛性較強，不易於設置子電路板於框架上的過程中受到彎折或損壞。並且，由於框架可為一體成型，故各框架的邊框之間較不易產生製作公差，因而可增加框架的製作良率，進而可增加子電路板與框架卡合時的精準度及後續製程的可靠度。

再者，本發明更利用於框架上形成一準卡合口，其尺寸 小於卡合部的尺寸，再依據框架與子電路板上的對位點定位出卡 合部對應於框架上的設置位置，再依據卡合部的尺寸細修準卡合口，以形成與卡合部的外輪廓重合的卡合口。依此方法所形成的卡合口可與卡合部緊密嵌合，因而可增加子電路板與框架之間的結合力。此外，本發明所提供的方法更可於框架上批量形成與卡合部嵌合的卡合口，因而可簡化生產製程以及增進生產效率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧框架

110‧‧‧上邊框

120‧‧‧下邊框

130‧‧‧側邊框

140‧‧‧卡合口

150‧‧‧第二對位點

160‧‧‧移植缺口

200‧‧‧子電路板

210‧‧‧本體

220‧‧‧卡合部

230‧‧‧第一對位點

260‧‧‧可折連桿

Claims (9)

1. 一種移植電路板的方法，包括：提供多個經層偏測試與電性測試確認為良品的子電路板，各該子電路板包括一本體、多個可折連桿、多個卡合部以及多個第一對位點，各該可折連桿突出於該本體且連接對應的卡合部；提供一框架，該框架包括一上邊框、一下邊框、兩側邊框、多個卡合口以及多個第二對位點，該些卡合口分別位於該上邊框以及該下邊框的內緣，該些第二對位點分別設置於該上邊框及該下邊框上，各該側邊框連接該上邊框以及該下邊框，以共同定義出多個移植缺口，其中，形成該些卡合口的步驟包括：形成多個準卡合口於該上邊框及該下邊框的內緣上，各該準卡合口的尺寸小於各該卡合部的尺寸；偵測各該卡合部的一外輪廓以及各該外輪廓至對應的第一對位點的一距離；依據該距離以及該些第一對位點與該些第二對位點的相對位置，得到該框架上對應於該些卡合部的多個待移除區域，該些待移除區域分別位於該些準卡合口的周圍；以及移除位於該些準卡合口周圍的該些待移除區域，以形成該些卡合口，各該卡合口的一尺寸實質上大於或等於各該卡合部的一尺寸；以及將該些第一對位點以及該些第二對位點進行對位，以將該些子電路板分別設置於該些移植缺口內，並將各該卡合部與對應的 卡合口嵌合而固定該些子電路板於該框架上。
2. 如申請專利範圍第1項所述的移植電路板的方法，其中該層偏測試的步驟包括：以雷射直接成像或直接成像技術分別形成兩圖案化線路層於各該子電路板的上下兩表面；以及偵測該兩圖案化線路層之間的層偏。
3. 如申請專利範圍第1項所述的移植電路板的方法，其中該些卡合部為圓形，且該些第一對位點位於對應的該卡合部的圓心。
4. 如申請專利範圍第1項所述的移植電路板的方法，更包括：在固定該些子電路板於該框架上之後，移除該兩側邊框。
5. 如申請專利範圍第1項所述的移植電路板的方法，其中該框架為一雙層板結構。
6. 如申請專利範圍第1項所述的移植電路板的方法，其中該框架的一線路層數等於各該子電路板的一線路層數。
7. 如申請專利範圍第1項所述的移植電路板的方法，其中該框架為一體成型。
8. 如申請專利範圍第1項所述的移植電路板的方法，其中形成該些卡合口的步驟更包括：控制各該卡合部的一邊緣至對應的卡合口的一邊緣的最短距離實質上小於400微米。
9. 如申請專利範圍第1項所述的移植電路板的方法，更包括：在將各該卡合部與對應的卡合口嵌合之後，填充一膠體於各 該卡合部與對應的卡合口之間；以及固化該膠體。