TWM478319U - 電路板移植結構 - Google Patents

Description

電路板移植結構

本創作是有關於一種半導體移植結構，且特別是有關於一種電路板移植結構。

目前電路板的製造方法通常是將一塊電路基板製作成多個子電路板，以使電路基板形成一多聯電路板。然而，在生產過程中難免會生產出具有些微瑕疵的子電路板，若將不良品報廢處理則浪費資源，因此多聯電路板之製造商通常會將多聯電路板之子電路板取下以做為備用電路板，然後再利用備用電路板替換其他多聯電路板上損壞的子電路板，以使重組後之這些多聯電路板上的子電路板皆為可用之良品。

目前雖有替換單片子電路板的技術，以製作修復成良品之多聯電路板，但其中卻因為接合技術產生許多問題，如接合力弱、對位困難、程序太多導致效率太慢、成本過高等種種問題，因此如何開發一種能解決接合技術問題並減少成本、增加效率， 實乃目前亟欲解決的課題。

本創作提供一種電路板移植結構，其能增加備品電路板與多聯電路板之間的接合力以及接合良率。

本創作的電路板移植結構，其包括一多聯電路板、至少一備品電路板、多個備品對位點及多個框架對位點。多聯電路板包括一框架及多個子電路板。框架包括一上邊框、一下邊框、多個可折連桿以及多個卡合口。可折連桿位於框架的一內緣。子電路板設置於框架內並與可折連桿連接。子電路板之至少其中之一及其對應的可折連桿被移除而形成至少一缺口。缺口與卡合口共同定義出至少一移植區。備品電路板設置於移植區中，且各備品電路板包括一本體及多個卡合部。卡合部分別設置於卡合口內，且各卡合部包括一卡合塊以及至少一凸點。卡合塊突出於本體，凸點設置於卡合塊上並突出於卡合塊的一表面。備品對位點分別設置於卡合部上。框架對位點分別設置於上邊框及下邊框上。

基於上述，在本創作的電路板移植結構中，備品電路板的卡合部包括卡合塊以及至少一凸點，其中，凸點設置於卡合塊上並突出於卡合塊的表面。如此，當多聯電路板上的至少一子電路板為不良品或需更換為不同型之子電路板時，可以備品電路板替換之，並將備品電路板的卡合部設置於多聯電路板上的卡合口內，再填充膠體於卡合部及卡合口之間，以將備品電路板固定於 多聯電路板上。如此，可透過膠體的黏著力，增加備品電路板與多聯電路板之間的接合力。

再者，本創作利用先於框架上形成一準卡合口，其準卡合口的開口尺寸小於卡合部的尺寸。如此，即可依據多聯電路板與備品電路板上的對位點將卡合部的外輪廓對應至框架上後，再依據卡合部的尺寸細修準卡合口，移除準卡合口周圍與卡合部的外輪廓重疊的區域，以形成與卡合部嵌合的卡合口。如此，由於卡合口可與卡合部緊密嵌合，備品電路板與多聯電路板之間的接合力可因此增加。此外，本創作所提供的方法更可於多聯電路板上批量形成與卡合部嵌合的卡合口，因而可簡化生產製程以及增進生產效率。

為讓本創作的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

100‧‧‧電路板移植結構

110‧‧‧多聯電路板

112‧‧‧框架

112a‧‧‧卡合口

112b‧‧‧內緣

112c‧‧‧可折連桿

112d‧‧‧上邊框

112e‧‧‧下邊框

114‧‧‧子電路板

114a‧‧‧基板

114b、114c‧‧‧圖案化線路層

116‧‧‧缺口

118‧‧‧移植區

120‧‧‧備品電路板

122‧‧‧本體

124‧‧‧卡合部

124a‧‧‧卡合塊

124b‧‧‧凸點

124c‧‧‧凸點側緣

130‧‧‧膠體

140‧‧‧對位點

142‧‧‧框架對位點

144‧‧‧備品對位點

150‧‧‧準卡合口

160‧‧‧待移除區

D1、D2‧‧‧最短距離

圖1是依照本創作的一實施例的一種電路板移植結構的構件分解示意圖。

圖2是依照本創作的一實施例的一種電路板移植結構組裝後的局部放大示意圖。

圖3是圖2的電路板移植結構之區域A的局部放大示意圖。

圖4是依照本創作的另一實施例的一種電路板移植結構組裝 後的局部放大示意圖。

圖5是依照本創作的一實施例的一種移植電路板的方法的流程方塊示意圖。

圖6是依照本創作的一實施例的一種移植電路板的方法的示意圖。

圖7是依照本創作的一實施例的一種子電路板的局部剖面示意圖。

圖1是依照本創作的一實施例的一種電路板移植結構的構件分解示意圖。請參照圖1，在本實施例中，電路板移植結構100包括一多聯電路板110、至少一備品電路板120、多個框架對位點142、多個備品對位點144及一膠體130。本實施例的多聯電路板110可例如利用大面積的電路基板來製作，其包括一框架112及多個子電路板114，其中，框架112包括一上邊框112d、一下邊框112e、多個可折連桿112c以及多個卡合口112a。框架對位點142分別位於上邊框112d及下邊框112e上。可折連桿112c位於框架112的一內緣112b。子電路板114設置於框架112內並與可折連桿112c連接。而備品電路板120例如是由另一多聯電路板110上所切割下來的子電路板114。在本實施例中，備品電路板120可以是與多聯電路板110上的子電路板114同型或不同型的良品，其包括一本體122及多個卡合部124。備品對位點144分別設置於 卡合部124上。如此，當多聯電路板110上的至少一子電路板114為不良品或需更換為不同型之子電路板時，可例如以數控(computer numerical control,CNC)加工機台進行切割，以將不良或是需更換的子電路板114自多聯電路板110移除而形成至少一缺口116，其中，移除不良或是需更換的子電路板114的方法例如為折斷可折連桿112c，以自框架112上移除不良或是需更換的子電路板114及其對應的可折連桿116而形成缺口116。之後，再分別於上、下邊框112d、112e上對應缺口116處形成卡合口112a，使缺口116與卡合口112a於多聯電路板110上共同定義出至少一移植區118。之後，再將備品電路板120設置於移植區118內，並使卡合部124分別設置於對應的卡合口112a內，再以膠體130將備品電路板120固定於多聯電路板110，即可初步完成電路板的移植，且移植後之多聯電路板110皆為可用之良品。

圖2是依照本創作的一實施例的一種電路板移植結構組裝後的局部放大示意圖。請同時參照圖1及圖2，詳細而言，在本實施例中，備品電路板120的卡合部124分別設置於卡合口112a內，且各卡合部124如圖2所示包括一卡合塊124a以及至少一凸點124b。卡合塊124a突出於本體122的一表面，而凸點124b則設置於卡合塊124a的表面上並突出於卡合塊124a的一表面。膠體130則設置於卡合口112a內，並填充於各卡合口112a與對應的卡合部124之間。之後，可再例如進行一固化製程以固化膠體130，使備品電路板120固定於多聯電路板110上。在此，膠體130 的種類可依其固化成形方式不同而不同，其固化方式有光固化、熱固化與快乾型固化等方式。當然，本創作並不以此為限。

具體而言，在本創作的一實施例中，各卡合部124的凸點124b的數量為多個，且凸點124b，相對卡合塊124a或本體122，在對應的卡合塊124a上呈左右或上下對稱設置。也就是說，本實施例的各卡合部124包括多個凸點124b，且凸點124b分別對稱地設置於卡合塊124a上。除此之外，本實施例的凸點124b的其中之一更可如圖2所示地設置於卡合塊124a的一頂緣，其可與位於對應的本體122下方的另一卡合塊124a上的設置於頂緣之凸點124b呈上下對稱。如此，由於凸點124b左右對稱地設置於卡合塊124a上並位於卡合塊124a與卡合口112a之間，因而可減少卡合部124因設置於卡合口112a內的位置過度偏向卡合口112a的某一側而導致膠體130塗布量分布不均的問題。亦即，凸點124b對稱地設置於卡合塊124a上，可促使卡合部124置中設置於卡合口112a內，而使膠體130可更均勻地填充各卡合口112a與對應的卡合部124之間。此外，凸點124b的設置可增加卡合口112a與卡合部124之間的接觸面積，對稱地設置凸點124b更可幫助卡合部124與對應的卡合口112a嵌合。

圖3是圖2的電路板移植結構之區域A的局部放大示意圖。請參照圖2及圖3，承上述，由於凸點124b對稱設置於卡合塊124a上，並位於卡合塊124a與卡合口112a之間，因此，各凸點124b的一頂緣至對應的卡合口112a的最短距離D1小於各卡合 塊124a的表面至對應的卡合口112a的最短距離D2。具體來說，各凸點124b的頂緣至對應的卡合口的最短距離D1實質上介於0微米(μm)至100微米之間，而各卡合塊124a的表面至對應的卡合口112a的最短距離實質上介於50微米至400微米之間。

圖4是依照本創作的另一實施例的一種電路板移植結構組裝後的局部放大示意圖。請參照圖4，在本實施例中，凸點124b的數量為至少兩個，而凸點124b的至少其中之一的一側緣124c更可與框架112的內緣112b實質上切齊。更具體來說，分別對稱設置於卡合塊124a的相對兩側的兩凸點124b的側緣124c與框架112的內緣112b實質上切齊。如此，可防止膠體由卡合塊124a與卡合口112a間的間隙溢流至卡合口112a以外的區域。亦即，透過將凸點124b對稱設置於卡合塊124a的相對兩側並使凸點124b的側緣124c與框架112的內緣112b切齊，可有效減少溢膠的情形發生。

除此之外，電路板移植結構100更可包括多個對位點140，對位點140可分別設置於框架112上以及備品電路板120上。在本實施例中，設置於備品電路板120上的對位點140可例如位於卡合部124上，再透過例如一光學/影像定位裝置來自動偵測設置於框架112上的框架對位點142，以定位出移植區118的位置，並自動偵測設置於卡合部124上的備品對位點144來定位出備品電路板120的設置位置，以將備品電路板120準確地設置於移植區112內。在本實施例中，光學/影像定位裝置例如為一電荷耦合 元件(charge-coupled device,CCD)。

圖5是依照本創作的一實施例的一種移植電路板的方法的流程方塊示意圖。圖6是依照本創作的一實施例的一種移植電路板的方法的示意圖。請同時參照圖1、圖5以及圖6，本實施例提供一種移植電路板的方法，其包括下列步驟：首先，提供一多聯電路板110(步驟S110)。多聯電路板110可如圖1所示包括一框架112、多個子電路板114以及多個框架對位點142。框架112可相似於圖1所示包括一上邊框112d、一下邊框112e以及多個可折連桿112c。框架對位點142則可分別位於上邊框112d及下邊框112e上。子電路板114分別設置於框架112內並與可折連桿112c連接。在本實施例中，多個框架對位點142設置於框架112上，在本實施例中，框架對位點142可分別設置於上邊框112d及下邊框112e之最外側且呈對角設置，以使對位區域涵蓋整個多聯電路板110。

接著，移除多聯電路板110的子電路板114的至少其中之一及其對應的可折連桿112c，以形成至少一缺口116(步驟S120)。並且，提供至少一備品電路板120(步驟S130)。在本實施例中，各備品電路板120可如圖1所示包括一本體122、多個卡合部124以及多個備品對位點144，其中，各卡合部124分別對應上邊框112d及下邊框112e突出於本體122，而備品對位點144則分別設置於卡合部124上。在本實施例中，備品對位點144的設置位置可例如對應於卡合部124的中心位置。

接著，形成多個準卡合口150於多聯電路板110的框架112上(步驟S140)，例如依據移除的可折連桿112c的位置形成多個準卡合口150。詳細而言，如圖6所示，準卡合口150是形成於上邊框122d及下邊框112e的一內緣112b上，其中各準卡合口150在一基準面上的正投影範圍小於各卡合部124在同一基準面的正投影範圍，亦即，準卡合口150在一基準面上的正投影落在卡合部124在同一基準面的正投影的範圍內。簡單而言，準卡合口150的尺寸實質上小於卡合部124的尺寸。

接著，依據框架對位點142以及備品對位點144得到框架112上位於準卡合口150周圍的多個待移除區域160(步驟S150)。詳細而言，本實施例可例如透過光學/影像定位裝置偵測備品對位點144的位置，並偵測各卡合部124的一外輪廓以及外輪廓上的各點分別至對應的備品對位點144的距離，以得到卡合部124的外形，並可依據框架對位點142以及備品對位點144的相對位置將此外輪廓對應於框架112的準卡合口112a。詳細而言，光學/影像定位裝置可偵測備品對位點144以及本體122與卡合部124的相對位置，並將其對應於框架對位點142與備品對位點144的相對位置，以得到卡合部124應設置於框架112上的位置。此時，由於準卡合口150的尺寸實質上小於卡合部124的尺寸，因此卡合部124的外輪廓可如圖6中的虛線所示地涵蓋準卡合口150的一周圍區域，而卡合部124的外輪廓與準卡合口150的周圍重疊的區域(如圖6所示的斜線區域)即為本實施例所述的待移除 區160，其中，待移除區域160分別位於準卡合口150的周圍。在本實施例中，光學/影像定位裝置例如為一電荷耦合元件(charge-coupled device,CCD)，而移除待移除區域160的方法包括紫外線雷射(UV laser)切割。

接著，移除位於準卡合口150周圍的待移除區域160以形成多個卡合口112a(步驟S160)。如此，各卡合口112a在基準面上的正投影範圍大於或等於各卡合部124在基準面上的正投影範圍。在本實施例中，各卡合口112a在基準面上的正投影範圍即可與各卡合部124在同一基準面上的正投影範圍實質上重合。當然，在本創作的其他實施例中，各卡合口112a亦可如圖2所示，其在基準面上的正投影範圍可約略大於各卡合部124在基準面上的正投影範圍。

接著，再將備品電路板120的卡合部124與多聯電路板110的卡合口112a嵌合(步驟S170)。也就是將備品電路板120的本體122設置於對應的缺口116內，並將卡合部124分別與對應的卡合口112a嵌合，以固定備品電路板120於多聯電路板110上。如此，即大致完成電路板的移植。在此需說明的是，為提升移除待移除區域160的效率，各卡合口112a在基準面上的正投影範圍可略大於各卡合部124在同一基準面上的正投影範圍。在此情形下，各卡合部124更可包括一卡合塊124a以及至少一凸點124b。凸點124b設置於卡合塊124a上並突出於卡合塊124a的一表面。並且，凸點124b的數量可為多個，且凸點124b如圖2所 示在對應的卡合塊124a上呈左右或上下對稱設置。並且，凸點124b的至少其中之一的一側緣124c可如圖4所示與框架112的內緣112b切齊。舉例而言，各凸點124b的一頂緣至對應的卡合口112a的最短距離可例如控制在實質上介於0微米至100微米之間，或控制各卡合塊124a的表面至對應的卡合口112a的最短距離實質上介於50微米至400微米之間。

接著，可再選擇性地填充膠體130於卡合部124與對應的卡合口112a之間，之後，可再進行一固化製程以固化膠體130，以更穩固地將備品電路板120固定於多聯電路板110上。在此，膠體130的種類可依其固化成形方式不同而不同，其固化方式有光固化、熱固化與快乾型固化等方式。當然，本創作並不以此為限。須說明的是，當本實施例的電路板移植方法所形成的卡合口112a可與卡合部124緊密嵌合，填充膠體130以及固化膠體130可為選擇性步驟。

圖7是依照本創作的一實施例的一種子電路板的局部剖面示意圖。在此須說明的是，在本實施例中，各子電路板114可包括一基板114a以及兩圖案化線路層114b、114c，其中，圖案化線路層114b、114c如圖7所示分別位於對應的基板114a的上下兩表面。當然，任何所屬技術領域中具有通常知識者應了解，本實施例的圖式僅用以舉例說明，本創作並不限定子電路板114的層數。在本實施例中，於基板114a的上下兩表面形成圖案化線路層114b、114c的方法可包括雷射直接成像(Laser Direct Image,LDI) 或直接成像(Direct Image,DI)技術。詳細來說，雷射直接成像技術例如是採用雷射直接在已塗覆光阻層的覆銅板面上掃描出欲成像之圖形，而無須應用照相底片經曝光轉移圖像，因而能避免底片所帶來的變形走樣的問題，因此，利用此種技術於基板114a的上下兩表面形成圖案化線路層114b、114c，可有效減小圖案化線路層114b、114c間的層偏，進而可減少子電路板114因其圖案化線路層114b、114c的層偏過大而被視為不良品的情形。在本實施例中，圖案化線路層114b、114c兩者間的層偏約可小於10微米。

綜上所述，本創作的備品電路板的卡合部包括卡合塊以及至少一凸點，其中，凸點設置於卡合塊上並突出於卡合塊的表面。如此當多聯電路板上的至少一子電路板為不良品或需更換為不同型之子電路板時，可以備品電路板替換之，並將備品電路板的卡合部設置於多聯電路板上的卡合口內，再填充膠體於卡合部及卡合口之間，以固定備品電路板於多聯電路板上。如此，凸點的設置可增加卡合口與卡合部之間的接觸面積，因而可幫助卡合部與對應的卡合口嵌合。並且，凸點可對稱地設置於卡合塊上，以促使卡合部置中設置於卡合口內，而使膠體更均勻地填充各卡合口與卡合部之間。此外，凸點的側緣更可與多聯電路板的框架的內緣切齊，以減少溢膠的情形發生。

再者，本創作利用先於框架上形成一準卡合口，其準卡合口的開口尺寸小於卡合部的尺寸。如此，依據多聯電路板與備 品電路板上的對位點將卡合部的外輪廓對應至框架上後，再依據卡合部的尺寸細修準卡合口，移除準卡合口周圍與卡合部的外輪廓重疊的區域，即可形成多聯電路板上的卡合口。依此方法所形成的卡合口可與卡合部緊密嵌合，因而可增加備品電路板與多聯電路板之間的接合力，此外，本創作所提供的方法更可於多聯電路板上批量形成與卡合部嵌合的卡合口，因而可簡化生產製程以及增進生產效率。

雖然本創作已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本創作，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本創作的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本創作的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

110‧‧‧多聯電路板

112a‧‧‧卡合口

112b‧‧‧內緣

122‧‧‧本體

124‧‧‧卡合部

124a‧‧‧卡合塊

124b‧‧‧凸點

130‧‧‧膠體

140‧‧‧對位點

Claims (6)

1. 一種電路板移植結構，包括：一多聯電路板，包括：一框架，包括一上邊框、一下邊框、多個可折連桿以及多個卡合口，該些可折連桿位於該框架的一內緣；以及多個子電路板，設置於該框架內並分別與該些可折連桿連接，該些子電路板之至少其中之一及其對應的該些可折連桿被移除而形成至少一缺口，該至少一缺口與該些卡合口共同定義出至少一移植區；至少一備品電路板，設置於該至少一移植區中，該備品電路板包括：一本體；以及多個卡合部，分別設置於該些卡合口內，各該卡合部包括一卡合塊以及至少一凸點，該卡合塊突出於該本體，該至少一凸點設置於該卡合塊上並突出於該卡合塊的一表面；多個備品對位點，分別設置於該些卡合部上；以及多個框架對位點，分別設置於該上邊框及該下邊框上。
2. 如申請專利範圍第1項所述的電路板移植結構，更包括：一膠體，設置於該些卡合口內，並填充於各該卡合口與對應的卡合部之間。
3. 如申請專利範圍第1項所述的電路板移植結構，其中各該卡合部的該至少一凸點的數量為多個，且其中該些凸點在對應的 卡合塊上呈左右或上下對稱設置。
4. 如申請專利範圍第1項所述的電路板移植結構，其中該些凸點的至少其中之一的一側緣與該框架的該內緣實質上切齊。
5. 如申請專利範圍第1項所述的電路板移植結構，其中各該凸點的一頂緣至對應的卡合口的最短距離實質上介於0微米至100微米之間。
6. 如申請專利範圍第1項所述的電路板移植結構，其中各該卡合塊的該表面至對應的卡合口的最短距離實質上介於50微米至400微米之間。