CN104610326A - 固态mo源的固体精馏纯化装置及其方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及固态MO源的固体精馏纯化装置及方法,精馏釜置于精馏釜加热系统中,精馏釜上连接精馏塔,精馏塔上连接安装体系冷却及回流比控制系统,前馏分接收罐通过前馏分接收阀门连接至出料管,产品凝华接收罐通过产品接收阀门连接出料管,出料管另一端接至体系冷却及回流比控制系统;精馏纯化开始时,打开前馏分接收阀门,关闭产品接收阀门,低沸点杂质收集于前馏分接收罐中,前馏分接收结束后,打开产品接收阀门,关闭前馏分接收阀门,产品汽化凝华结晶在产品凝华接收罐中,前馏分接收罐和产品凝华接收罐通入氮气缓冲保护,确保体系内保持无氧无水,接收结束后关闭产品接收阀门,取下产品凝华接收罐,实现对固态MO源精馏提纯。
Description
技术领域
本发明涉及一种固态MO源的固体精馏纯化装置及其方法,属于化工技术领域。
背景技术
现代生长化合物半导体材料的方法有金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)、化学束外延(CBE)和液相外延(LPE)等多种技术,特别MOCVD技术,是目前能够进行规模化生产化合物半导体薄膜材料最佳的方法。MOCVD外延过程中所使用最关键的基础材料是纯度大于99.9999%(>6N)的高纯金属有机化合物(简称MO源),MO源也是CBE外延技术的支撑材料。
高纯MO源是MOCVD技术的关键原材料,但是固态MO源是最难提纯的产品,采用传统的固体提纯方法如重结晶、升华、区域熔融等方法,很难将固态MO源纯度提纯到6N以上。例如采用重结晶需要添加新的溶剂,除了添加溶剂需要提纯以外,还需要进行重结晶后的过滤,蒸出溶剂的过程,操作十分繁琐,质量也不稳定;由于这类固体大多熔点较高,升华大多采用减压升华,条件较苛刻,并且在系统恢复常压的过程极易引入新的杂质;由于固态MO源对空气和水都很敏感,提纯必须在隔绝空气的前提下进行,区域熔融的设备显然无法满足要求。所以一般固体提纯方法都不适用于固态MO源的提纯及工业化生产。
发明内容
本发明的目的是提供一种高纯金属有机化合物汽相沉积(MOCVD)技术外延生长用的固态MO源的固体精馏纯化装置及其方法。
本发明的目的通过以下技术方案来实现:
固态MO源的固体精馏纯化装置,特点是:包括精馏釜、精馏塔、体系冷却及回流比控制系统、前馏分接收罐和产品凝华接收罐,所述精馏釜置于精馏釜加热系统中,精馏釜上连接布置精馏塔,精馏塔上连接安装体系冷却及回流比控制系统,所述前馏分接收罐通过前馏分接收阀门连接至出料管,所述产品凝华接收罐通过产品接收阀门连接至出料管,出料管的另一端接至体系冷却回流及馏分控制系统。
进一步地,上述的固态MO源的固体精馏纯化装置,所述体系冷却及回流比控制系统包含汽态MO源循环冷却器以及与其相连的回流比调节控制器。
更进一步地,上述的固态MO源的固体精馏纯化装置,所述前馏分接收罐连接氮气缓冲保护管路。
更进一步地,上述的固态MO源的固体精馏纯化装置,所述产品凝华接收罐连接氮气缓冲保护管路。
更进一步地,上述的固态MO源的固体精馏纯化装置,所述精馏塔设有精馏塔加热控温模块。
本发明固态MO源的固体精馏纯化方法,将固态MO源粗产品装入精馏釜中,在精馏釜中通过加热使固态MO源转化为液态,控制温度在100~160℃,继而,液体进入精馏塔,控制精馏塔的温度为50~160℃,进行精馏分离,汽态的MO源进入体系冷却及回流比控制系统,在体系冷却及回流比控制系统中,控制温度为80~120℃,将汽态的MO源转化为液态冷凝下来,并调整MO源的出料与回流的比例,从而除去MO源中的杂质,得到高纯的MO源产品;精馏纯化开始时,先打开前馏分接收阀门,关闭产品接收阀门,使得低沸点杂质收集于前馏分接收罐中,前馏分接收结束后,打开产品接收阀门,关闭前馏分接收阀门,使得产品汽化凝华结晶在产品凝华接收罐中,前馏分接收罐和产品凝华接收罐通入氮气缓冲保护,确保体系内保持无氧无水,接收结束后关闭产品接收阀门,取下产品凝华接收罐。
再进一步地,上述的固态MO源的固体精馏纯化方法,所述体系冷却及回流比控制系统包含汽态MO源循环冷却器以及与其相连的回流比调节控制器,通过汽态MO源循环冷却器将汽态的MO源转化为液态回流下来,再通过回流比调节控制器调整MO源的出料与回流的比例,从而除去MO源中的杂质,得到高纯的MO源产品。
再进一步地,上述的固态MO源的固体精馏纯化方法,所述前馏分接收的温度控制在0~20℃。
再进一步地,上述的固态MO源的固体精馏纯化方法,所述产品凝华接收的温度控制在-20~10℃。
再进一步地,上述的固态MO源的固体精馏纯化方法,所述固体MO源粗产品是一次性加入。
再进一步地,上述的固态MO源的固体精馏纯化方法,所述MO源为三甲基铟或二茂镁。
本发明技术方案突出的实质性特点和显著的进步主要体现在:
首次实现对固态MO源进行精馏提纯,得到高纯度的MO源,且生产操作方便可控,产品的质量稳定性好,最终得到的MO源纯度达到99.9999%以上,而且采用凝华接收,可以控制接收固体颗粒均匀状,满足MOCVD外延生长对于固体MO源的要求。可以直接分装,防止了其它操作过程中可能存在的二次沾污,较好的解决了MO源的纯度和颗粒度问题。
附图说明
下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明:
图1:本发明的结构示意图。
具体实施方式
本发明研发一种固态MO源的固体精馏体系,最终得到的MO源纯度可达到99.9999%,而且可以直接分装给客户使用,避免了一般纯化方法过程中的二次沾污。
如图1所示,固态MO源的固体精馏纯化装置,包括精馏釜2、精馏塔4、体系冷却及回流比控制系统5、前馏分接收罐9和产品凝华接收罐10,精馏釜2置于精馏釜加热系统1中,精馏釜2上连接布置精馏塔4,精馏塔4设有精馏塔加热控温模块3,精馏塔4上连接安装体系冷却及回流比控制系统5,体系冷却及回流比控制系统5包含汽态MO源循环冷却器以及与其相连的回流比调节控制器,前馏分接收罐9通过液化管8和前馏分接收阀门7连接至出料管6,产品凝华接收罐10通过汽化管11和产品接收阀门12连接至出料管6,出料管6的另一端接至体系冷却及回流比控制系统5。前馏分接收罐9连接氮气缓冲保护管路A,氮气缓冲保护管路A连接至氮气缓冲保护罐,产品凝华接收罐10连接氮气缓冲保护管路B,氮气缓冲保护管路B连接至氮气缓冲保护罐。
固态MO源的固体精馏纯化方法,将固体MO源粗产品装入精馏釜2中,在精馏釜2中通过加热将固态MO源转化为液态,控制温度在100~160℃,继而,液体进入精馏塔4,控制精馏塔4的温度为50~160℃,进行精馏分离,汽态的MO源进入体系冷却及回流比控制系统5,在体系冷却及回流比控制系统5中,控制温度为80~120℃,通过汽态MO源循环冷却器将汽态的MO源转化为液态回流下来,再通过回流比调节控制器调整MO源的出料与回流的比例,从而除去MO源中的杂质,得到高纯的MO源产品;精馏纯化开始时,先打开前馏分接收阀门7,关闭产品接收阀门12,使得低沸点杂质收集于前馏分接收罐9中,前馏分接收的温度控制在0~20℃,前馏分接收结束后,打开产品接收阀门12,关闭前馏分接收阀门7,使得产品汽化凝华结晶在产品凝华接收罐10中,产品凝华接收的温度控制在-20~10℃,前馏分接收罐9和产品凝华接收罐10通入氮气缓冲保护,确保体系内保持无氧无水,接收结束后关闭产品接收阀门12,取下产品凝华接收罐10。固态MO源为三甲基铟或二茂镁等。
实施例1
将一定量的固体三甲基铟粗产品加入到精馏釜2中,粗产品是一次性加入,加热三甲基铟到100~160℃,控制精馏塔4的温度为50~160℃,控制体系冷却及回流比控制系统5的温度为80~120℃,打开前馏分接收阀门7,关闭产品接收阀门12,前馏分接收的温度控制在0~20℃,使得低沸点杂质收集于前馏分接收罐中,前馏分接收结束后,打开产品接收阀门,关闭前馏分接收阀门,产品凝华接收的温度控制在-20~10℃,使得产品汽化凝华结晶在产品凝华接收罐中,取下产品凝华接收罐,经检测得到的三甲基铟纯度达到99.99998%。
实施例2
将10Kg固体二茂镁粗产品加入到精馏釜2中,加热到100~160℃,二茂镁首先一点点融化,逐步全部变成液体,继续加热到二茂镁沸腾,二茂镁进入体系冷却及回流比控制系统5,控制精馏塔4的加热,二茂镁在体系冷却及回流比控制系统5中一步步分离,含环戊二烯等杂质的二茂镁进入到前馏分接收罐9中,持续一段时间后,通过控制系统,使高纯产品进入到产品凝华接收罐10中,产品接收结束后,取下产品凝华接收罐10,罐内即为所需超高纯MO源,经检测二茂镁的纯度高于99.99998%。整个精馏体系通过加热方法保持温度在80~170℃,使固体MO源变成液态,MO源经过精馏纯化后,再经汽化与凝华呈颗粒状结晶于产品凝华接收罐中,精馏得到的产品由液体直接汽化再凝华转变为颗粒状晶体。
整个精馏体系通过加热方法,使固体MO源变成液态,再经过高精密精馏,使产品得到纯化,并呈颗粒状结晶。整个精馏体系要求密封性极好,在整个精馏纯化过程中,只要按照各功能区域设定好的温度就能使精馏纯化顺利实施,最重要的是确保MO源不在管路中析出,而且MO源的纯度能达到99.99998%,很好解决了MO源的高纯度要求,还通过控制汽化和凝华的温度条件,控制MO源的颗粒大小,使得MO源的颗粒度能满足最终客户的要求。
综上所述,本发明采用固体精馏,得到高纯度的MO源,而且生产操作方便可控,产品的质量稳定性好,最终得到的MO源纯度达到99.9999%以上,而且接收品颗粒均匀状,可以直接分装,防止了其它操作过程中可能存在的二次沾污,较好的解决了MO源的纯度和颗粒度问题,满足最终客户的需求。
需要理解到的是:以上所述仅是本发明的优选实施方式,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (11)
1.固态MO源的固体精馏纯化装置,其特征在于:包括精馏釜(2)、精馏塔(4)、体系冷却及回流比控制系统(5)、前馏分接收罐(9)和产品凝华接收罐(10),所述精馏釜(2)置于精馏釜加热系统(1)中,精馏釜(2)上连接布置精馏塔(4),精馏塔(4)上连接安装体系冷却及回流比控制系统(5),所述前馏分接收罐(9)通过前馏分接收阀门(7)连接至出料管(6),所述产品凝华接收罐(10)通过产品接收阀门(12)连接至出料管(6),出料管(6)的另一端接至体系冷却回流及馏分控制系统(5)。
2.根据权利要求1所述的固态MO源的固体精馏纯化装置,其特征在于:所述体系冷却及回流比控制系统(5)包含汽态MO源循环冷却器以及与其相连的回流比调节控制器。
3.根据权利要求1所述的固态MO源的固体精馏纯化装置,其特征在于:所述前馏分接收罐(9)连接氮气缓冲保护管路。
4.根据权利要求1所述的固态MO源的固体精馏纯化装置,其特征在于:所述产品凝华接收罐(10)连接氮气缓冲保护管路。
5.根据权利要求1所述的固态MO源的固体精馏纯化装置,其特征在于:所述精馏塔(4)设有精馏塔加热控温模块(3)。
6.利用权利要求1所述装置实现固态MO源的固体精馏纯化方法,其特征在于:将固态MO源粗产品装入精馏釜(2)中,在精馏釜(2)中通过加热使固态MO源转化为液态,控制温度在100~160℃,继而,液体进入精馏塔(4),控制精馏塔(4)的温度为50~160℃,进行精馏分离,汽态的MO源进入体系冷却及回流比控制系统(5),在体系冷却及回流比控制系统(5)中,控制温度为80~120℃,将汽态的MO源转化为液态冷凝下来,并调整MO源的出料与回流的比例,从而除去MO源中的杂质,得到高纯的MO源产品,纯度达到99.9999%以上;精馏纯化开始时,先打开前馏分接收阀门(7),关闭产品接收阀门(12),使得低沸点杂质收集于前馏分接收罐(9)中,前馏分接收结束后,打开产品接收阀门(12),关闭前馏分接收阀门(7),使得产品汽化凝华结晶在产品凝华接收罐(10)中,前馏分接收罐(9)和产品凝华接收罐(10)通入氮气缓冲保护,确保体系内保持无氧无水,接收结束后关闭产品接收阀门(12),取下产品凝华接收罐(10)。
7.根据权利要求6所述的固态MO源的固体精馏纯化方法,其特征在于:所述体系冷却及回流比控制系统(5)包含汽态MO源循环冷却器以及与其相连的回流比调节控制器,通过汽态MO源循环冷却器将汽态的MO源转化为液态回流下来,再通过回流比调节控制器调整MO源的出料与回流的比例,从而除去MO源中的杂质,得到高纯的MO源产品。
8.根据权利要求6所述的固态MO源的固体精馏纯化方法,其特征在于:所述前馏分接收的温度控制在0~20℃。
9.根据权利要求6所述的固态MO源的固体精馏纯化方法,其特征在于:所述产品凝华接收的温度控制在-20~10℃。
10.根据权利要求6所述的固态MO源的精馏纯化方法,其特征在于:所述固态MO源粗产品是一次性加入。
11.根据权利要求6所述的固态MO源的精馏纯化方法,其特征在于:所述MO源为三甲基铟或二茂镁。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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