JP4791680B2 - 純粋あるいは実質的に純粋な有機金属化合物を単離するための方法と装置 - Google Patents
純粋あるいは実質的に純粋な有機金属化合物を単離するための方法と装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4791680B2 JP4791680B2 JP2002513576A JP2002513576A JP4791680B2 JP 4791680 B2 JP4791680 B2 JP 4791680B2 JP 2002513576 A JP2002513576 A JP 2002513576A JP 2002513576 A JP2002513576 A JP 2002513576A JP 4791680 B2 JP4791680 B2 JP 4791680B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- column
- product
- continuous isolation
- isolation method
- heating zone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 29
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 21
- ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N tetraglyme Chemical compound COCCOCCOCCOCCOC ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000002699 waste material Substances 0.000 claims description 10
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 4
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 4
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 208000034809 Product contamination Diseases 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 2
- 238000011027 product recovery Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000029087 digestion Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000012263 liquid product Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004172 nitrogen cycle Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000012265 solid product Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D3/00—Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping
- B01D3/14—Fractional distillation or use of a fractionation or rectification column
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は純粋または実質的に純粋な有機金属化合物、特に第3a族金属の有機化合物、特にトリメチルインジウムを単離するための改良された方法と装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
トリメチルインジウム、トリメチルガリウム、トリエチルガリウムなどの有機金属化合物は、エピタキシャル半導体成長および/または処理、気相またはプラズマ・エッチング、プラズマ蒸着または有機金属化学気相成長法(MOCVD)などの薄膜蒸着の分野の金属源として一般的に用いられている。これらの化合物は一般的に、反応物質を容器中に送り込み、正しい実験条件下で生成物を回収するバッチ・プロセスを用いて単離される。有機金属化合物は通常、生成プロセス中で形成される第3a族化合物とテトラグリムなどの適当なリガンドを包含する液体原料から単離される。この原料を熱解離させると、緩やかな条件下で望ましい生成物が遊離し、揮発性の低い成分が主容器中に残る。このプロセスは十分に純粋な化合物を提供するが、十分に高い収率で生成物を生成するためには大型の反応容器を使用することが必要になる。また化合物の生成速度も、主容器へ充填し、生成物を回収し、次いで再びプロセスを開始する前に容器を洗浄する必要があるために制限されることになる。生成工程の間で使用される洗浄装置もまた生成物の汚染増大をもたらすことがある。
米国特許第A−5336473号(K.Nadlerら)は、ストリッパー反応器を用いて粗生成物からコバルト有用物を除去する装置について記述しており、この装置では粗生成物は反応器の頂部に供給される。このような装置構成はトリメチルインジウムなどの有機金属化合物を連続的に単離するのには適当ではない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、純粋または実質的に純粋な有機金属化合物、とりわけトリメチルインジウムを単離するための改良された方法と装置を提供し、これにより上記の欠点を克服することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の態様では、望ましい有機金属化合物を含有する液体原料を加熱した蒸留カラムの反応中心に供給する工程と、原料の熱解離を起こさせる工程と、有機金属化合物を気化させる工程と、単離された有機金属化合物を回収する工程と、を含むことを特徴とする有機金属化合物の連続単離方法を提供する。
本発明の第2の態様では、実質的に純粋な有機金属化合物を連続的に単離するための装置を提供する。本装置は液体原料を投入するための供給導管と、蒸留カラムと、少なくとも1つの取出し口とを含み、蒸留カラムは原料の熱解離と生成物の気化を起こさせるカラムの中央部またはその下部の第1加熱ゾーンと、気化した生成物の凝縮を防止するカラムの中央部より上部の第2加熱ゾーンとを提供するための少なくとも1つの制御可能な熱源を有し、それにより気化した生成物を取出し口を通して連続的に回収できるようにする。
本発明の方法は、生成物が揮発性であり副生成物の揮発性がそれより低い原料から有機金属化合物を単離するために使用することができる。
本発明の方法は、原料を蒸留カラムに、望ましくはカラムの中央部に、供給することが必要である。取出し口は、好ましくは単離した生成物を回収するためにカラムの頂部またはその近くに設けられ、さらなる取出し口が廃棄物を除去するために好ましくはカラムの底部またはその近くに備えられる。第1の取出し口に接続される回収容器が、好ましくは生成物を回収するために備えられる。好ましくは、第2の取出し口に接続される第2またはさらなる回収容器が廃棄物を回収するために備えられる。
第1の回収容器は、好ましくはプロセスを開始する前に冷却される。さらに好ましくは、前記容器は少なくとも−15℃、さらに好ましくは少なくとも−20℃に冷却される。
本発明の装置は、カラムの頂部からの生成物の除去速度を制御するために特定の温度に維持される。原料を所定の速度でカラムへ連続供給することと、カラムを特定の温度に維持し、カラム内の差圧を特定の値に維持することにより、純粋な有機金属化合物の連続生成が可能になる。原料の追加速度は適当な流量制御器、好ましくは液体質量流量制御器により制御することができる。
本発明の方法は、好ましくは真空下で、好ましくは少なくとも1Torr(133.32Nm−2)、さらに好ましくは2Torr(266.64Nm−2)の圧力下で行われる。
本発明の連続単離方法は、カラム内で、生成物が上昇し廃棄物が下降するように設定される平衡状態に依存する。この平衡状態の維持には、カラムの温度、システム圧力、原料の追加速度、カラムから除去される物質の除去速度など、多くの要因が影響する。採用される条件は、原料組成および回収する有機金属化合物に応じて異なる。好ましくは温度および/または圧力は、原料の追加速度を主制御要素として一定に保たれるようにする。
本発明の方法と装置に使用する蒸留カラムは2つの加熱ゾーン、すなわち液体原料を解離させ、望ましい有機金属化合物を遊離させるための第1加熱ゾーンと、有機金属化合物を気相状態に保ち、他の成分を凝縮させるための第2加熱ゾーンを備えたものとする。それぞれの加熱ゾーンの温度は、使用される原料と単離する有機金属化合物に応じたものとする。
本発明の方法を実施するためには、充填型またはプレート型蒸留カラムなど適切な蒸留カラムであればいかなるものも使用することができる。このカラムは、原料から生成物を最大限確実に除去できるように分解部に十分な数のプレートを備え、カラム頂部から純粋な生成物が出るように精留部に十分な数のプレートを備えたものでなければならない。
反応中心は、効率的な生成物分離と定常状態を達成するために、好ましくは原料の供給を開始する前に加熱する。生成物の回収は原料の添加後直ちに開始することができるが、好ましくは精留カラムで一定温度が達成された後に回収を開始する。好ましくは、精留カラムの温度上昇が乱れて揮発性の少ない成分の沸騰が見られる場合には生成物の回収を中止する。
本発明の方法は、特にトリメチルインジウムの分離を連続的に行うのに好適である。好ましくは、原料はトリメチルインジウムのテトラグリム付加物である。トリメチルインジウムとテトラグリムの比率は2:1から3:1の範囲である。下部加熱ゾーンは、付加物の分解とトリメチルインジウムの気化を達成するために、好ましくは100℃〜140℃、さらに好ましくは120℃〜130℃に加熱する。上部加熱ゾーンは、トリメチルインジウムがカラムを通過する時に凝縮しないように、好ましくは30〜60℃に、さらに好ましくは少なくとも40℃に加熱する。
次に、本発明を下記の実施例と図面を参照しながら説明する。実施例は本発明の方法と装置を用いてトリメチルインジウムを連続的に調製するものであり、付帯図面は本発明の一態様の略図である。
【0005】
【実施例】
実 施 例 1
主蒸留カラム2を充填し、カラム頂部の上部取出し口4を通して抜き出す一連の真空/窒素サイクルを用いて不活性雰囲気下に置いた。下部加熱ゾーン6は温度120℃に加熱し、また上部加熱ゾーン8は60℃に加熱した。最初の生成物回収容器(図示なし)は−20℃に冷却した。次に、回収容器が約1Torr(133.32Nm−2)になるようにシステムの真空を確立した。
定常状態が確立された後、取入れ口10を通してカラムのセンター12への原料の添加を7ml/分の速度で開始した。この原料は、トリメチルインジウム(TMI)とテトラグリムが2.25:1の比率の付加物である。カラム中の液体平衡が確立された数分後に、固体TMIが取出し口4を通して回収容器中に回収されたのが観察された。
3時間後に、約1.25リットルの原料がカラムに添加され、500gの固体TMI生成物がカラムの頂部から回収された。廃棄物、すなわちTMI:テトラグリムの比率が小さくなった付加物が、カラムの底部から底部取出し口14を経由して別の容器(図示なし)に除去された。
1:1のTMI・テトラグリム付加物は熱的に安定であり、したがってさらにTMIを遊離することはないため、プロセス効率は原料中に存在する遊離TMIに基づいて計算され、84%であることが判明した。
実 施 例 2
実施例1で使用した装置を洗浄せずに用いた。したがって、カラムは最初から原料/廃棄物で満たされていた。下部加熱ゾーン6を再び120℃に加熱し、上部加熱ゾーン8は40℃に加熱した。その他すべての方法は、回収容器を通じてシステムの真空度を約2.4Torr(319.968Nm−2)とし、TMIのテトラグリム付加物を2.3:1の比率で4ml/分の速度で添加開始した以外は同じとした。カラムの液体平衡が確立されたほぼ直後に、固体TMIが回収されるのが観察された。
6.5時間後に、約1.5リットルの原料がカラムに添加され、450gの固体TMI生成物がカラムの頂部から回収された。廃棄物、すなわちTMI:テトラグリムの比率が小さくなった付加物が、カラムの底部から除去された。
1:1のTMIのテトラグリム付加物は熱的に安定であり、したがってさらにTMIを遊離することはないため、プロセス効率は原料中に存在する遊離TMIに基づいて計算され、70%であることが判明した。
実 施 例 3
実施例1で説明したプロセスを繰り返した。下部加熱ゾーンを再び120℃に加熱し、上部加熱ゾーンは40℃に加熱した。約2Torr(266.64Nm−2)の真空度を確立し、定常状態が達成された後、TMIのテトラグリム付加物(2.3:1の比率)の添加を2ml/分の速度で開始した。
8時間後に、約1リットルの原料がカラムに添加され、390gの固体TMI生成物がカラムの頂部から回収された。廃棄物、すなわちTMI:テトラグリムの比率が小さくなった付加物が、カラムの底部から除去された。
1:1のTMIのテトラグリム付加物は熱的に安定であり、したがってさらにTMIを遊離することはないため、プロセス効率は原料中に存在する遊離TMIに基づいて計算され、96%であることが判明した。
【0006】
【発明の効果】
本発明の方法と装置によって、十分な生成物収率を達成しながら有機金属化合物の連続単離が可能となる。これにより大きなプラント容器や追加の処理工程を必要とすることなく、このプロセスを容易にスケールアップすることができる。この連続単離方法は、安全性の利点とともに、かなり小さな容器、たとえば200L容器に対して10Lの貯留容器を使用して同程度の生成速度での生成が可能となる。加えて、本発明の方法では装置の頻繁な取り外しや洗浄の必要がないため、生成物が汚染される可能性を低減し、生成速度を上げるとともに安全性も改善される。本発明の方法と装置は、適切な液体原料を用いることにより固体および液体生成物に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一態様の略図である。
Claims (25)
- 第3a族金属を含む有機金属化合物の連続単離方法であって、
該有機金属化合物を含有する液体原料を蒸留カラム(12)の加熱された反応中心に供給する工程と、
加熱された前記反応器の中央部または下部にある第1加熱ゾーン(6)中で前記原料の熱解離を起こさせて前記有機金属化合物を蒸気相として遊離させる工程と、
前記有機金属化合物を蒸気相に保つために加熱された前記反応器の反応中心の上部にある第2加熱ゾーン(8)を通過させる工程と、
前記単離された有機金属化合物を回収する工程と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記単離された生成物が揮発性であり、解離によって生成する廃棄物の揮発性が前記単離された生成物よりも低い、請求項1に記載の連続単離方法。
- 前記解離された有機金属化合物が前記カラムの頂部またはその近くで蒸気相として回収される、請求項1または2に記載の連続単離方法。
- 廃棄物が前記カラムの底部またはその近くで回収される、請求項1から3のいずれかに記載の連続単離方法。
- 前記単離された生成物が少なくとも−15℃に冷却された単独の回収容器中に回収される、請求項1に記載の連続単離方法。
- 前記回収容器が−20℃に冷却される、請求項5に記載の連続単離方法。
- 前記カラムからの前記生成物の除去速度を制御するために、前記連続単離方法が特定の温度に維持されて行われる、請求項1に記載の連続単離方法。
- 前記原料を所定の速度で前記カラムに連続供給するとともに前記カラム内の温度と差圧を特定の値に維持することによって前記単離された有機金属化合物の連続生成を可能にする、請求項1に記載の連続単離方法。
- 解離と単離が真空下で行われる、請求項1に記載の連続単離方法。
- 解離と単離が少なくとも1Torr(133.32Nm−2)の圧力下で行われる、請求項9に記載の連続単離方法。
- 温度および/または圧力が一定に保たれ、前記生成物の単離のための主制御要素を前記原料の添加速度とする、請求項8から10のいずれかに記載の連続単離方法。
- 前記第1加熱ゾーンが前記第2加熱ゾーンより高温に維持される、請求項1に記載の連続単離方法。
- 前記原料の供給を開始する前に前記反応中心が加熱される、請求項1に記載の連続単離方法。
- 前記カラム内の温度が一定になった後に前記生成物の回収が行われる、請求項1に記載の連続単離方法。
- トリメチルインジウムを調製する、請求項1に記載の連続単離方法。
- 前記原料がトリメチルインジウムのテトラグリム付加物である、請求項15に記載の連続単離方法。
- トリメチルインジウムとテトラグリムの比率が2:1から3:1の範囲である、請求項16に記載の連続単離方法。
- 前記下部加熱ゾーンが100℃から140℃の温度範囲に維持され、前記上部加熱ゾーンが30℃から60℃の温度範囲に維持される、請求項15から17のいずれかに記載の連続単離方法。
- 第3a族金属を含む有機金属化合物を連続単離するための装置であって、
液体原料を投入するための供給導管(10)と、蒸留カラム(2)と、少なくとも1つの取出し口(4)とを含み、前記蒸留カラムが、前記原料の熱解離とその生成物の気化を起こさせる前記カラムの中央部またはその下部の第1加熱ゾーン(6)と、気化した前記生成物の凝縮を防止する前記カラムの中央部より上部の第2加熱ゾーン(8)とを提供するための少なくとも1つの制御可能な熱源を有し、それによって気化した前記生成物を前記取出し口(4)を通して連続的に回収できることを特徴とする、装置。 - 前記単離された生成物の回収のための前記取出し口(4)が前記カラムの頂部またはその近くに備えられ、さらなる取出し口が廃棄物の除去のために前記カラムの底部またはその近くに備えられる、請求項19に記載の装置。
- 前記生成物の回収のために回収容器が前記取出し口に接続される、請求項19または20に記載の装置。
- 前記カラムへの前記原料の添加速度を制御するために液体質量流量制御器が備えられる、請求項19から21のいずれかに記載の装置。
- トリメチルインジウムの単離するための、請求項19から22のいずれかに記載の装置の使用方法。
- 前記原料がトリメチルインジウムのテトラグリム付加物である、請求項23に記載の装置の使用方法。
- 前記第1加熱ゾーンが100℃から140℃の温度範囲に維持され、前記第2加熱ゾーンが30℃から60℃の温度範囲に維持される、請求項23または24に記載の装置の使用方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0017968.9 | 2000-07-22 | ||
GBGB0017968.9A GB0017968D0 (en) | 2000-07-22 | 2000-07-22 | An improved process and apparatus for the isolation of pure,or substantially pure,organometallic compounds |
PCT/GB2001/000906 WO2002007848A1 (en) | 2000-07-22 | 2001-03-05 | Process and apparatus for the isolation of pure, or substantially pure, organometallic compounds |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004504364A JP2004504364A (ja) | 2004-02-12 |
JP4791680B2 true JP4791680B2 (ja) | 2011-10-12 |
Family
ID=9896115
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002513576A Expired - Fee Related JP4791680B2 (ja) | 2000-07-22 | 2001-03-05 | 純粋あるいは実質的に純粋な有機金属化合物を単離するための方法と装置 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7282119B2 (ja) |
EP (1) | EP1303336B1 (ja) |
JP (1) | JP4791680B2 (ja) |
CN (1) | CN1207076C (ja) |
AT (1) | ATE340004T1 (ja) |
AU (1) | AU2001235837A1 (ja) |
DE (2) | DE1303336T1 (ja) |
GB (1) | GB0017968D0 (ja) |
TW (1) | TWI223606B (ja) |
WO (1) | WO2002007848A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0211594D0 (en) * | 2002-05-21 | 2002-06-26 | Lifesystems Ltd | Frame-supported packs |
JP4488186B2 (ja) * | 2004-06-18 | 2010-06-23 | 信越化学工業株式会社 | トリメチルアルミニウムの精製方法 |
GB2432363B (en) * | 2005-11-16 | 2010-06-23 | Epichem Ltd | Hafnocene and zirconocene precursors, and use thereof in atomic layer deposition |
GB2432371B (en) * | 2005-11-17 | 2011-06-15 | Epichem Ltd | Improved bubbler for the transportation of substances by a carrier gas |
US7659414B2 (en) * | 2007-07-20 | 2010-02-09 | Rohm And Haas Company | Method of preparing organometallic compounds |
TWI382987B (zh) * | 2007-07-24 | 2013-01-21 | Sigma Aldrich Co | 應用於化學相沉積製程的有機金屬前驅物 |
TWI425110B (zh) * | 2007-07-24 | 2014-02-01 | Sigma Aldrich Co | 以化學相沉積法製造含金屬薄膜之方法 |
CN101827956A (zh) | 2007-09-14 | 2010-09-08 | 西格玛-奥吉奇公司 | 采用基于单环戊二烯基钛的前体通过原子层沉积制备含钛薄膜的方法 |
TW200949939A (en) * | 2008-05-23 | 2009-12-01 | Sigma Aldrich Co | High-k dielectric films and methods of producing using titanium-based β -diketonate precursors |
TWI467045B (zh) * | 2008-05-23 | 2015-01-01 | Sigma Aldrich Co | 高介電常數電介質薄膜與使用鈰基前驅物製造高介電常數電介質薄膜之方法 |
WO2011017068A1 (en) | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Sigma-Aldrich Co. | High molecular weight alkyl-allyl cobalttricarbonyl complexes and use thereof for preparing dielectric thin films |
CN102597310B (zh) | 2009-11-02 | 2015-02-04 | 西格玛-奥吉奇有限责任公司 | 固态前体输送组件以及相关方法 |
US8680323B2 (en) * | 2010-01-19 | 2014-03-25 | Basf Se | Process for preparing isocyanates by thermal dissociation of carbamates |
JP2011168576A (ja) * | 2010-02-05 | 2011-09-01 | Rohm & Haas Co | 有機金属化合物を製造する方法 |
WO2012027575A1 (en) | 2010-08-27 | 2012-03-01 | Sigma-Aldrich Co. Llc | Molybdenum (iv) amide precursors and use thereof in atomic layer deposition |
JP6054659B2 (ja) | 2011-07-13 | 2016-12-27 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | 有機金属化合物精製および装置 |
EP2545972A1 (en) | 2011-07-13 | 2013-01-16 | Dow Global Technologies LLC | Organometallic compound purification by two steps distillation |
US8927748B2 (en) | 2011-08-12 | 2015-01-06 | Sigma-Aldrich Co. Llc | Alkyl-substituted allyl carbonyl metal complexes and use thereof for preparing dielectric thin films |
EP2559681B1 (en) * | 2011-08-15 | 2016-06-22 | Dow Global Technologies LLC | Organometallic compound preparation |
EP2559682B1 (en) | 2011-08-15 | 2016-08-03 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Organometallic compound preparation |
TWI632151B (zh) | 2011-11-28 | 2018-08-11 | 烏明克股份有限兩合公司 | 第iiia族金屬的三烷基化合物之製法 |
WO2013112383A1 (en) | 2012-01-26 | 2013-08-01 | Sigma-Aldrich Co. Llc | Molybdenum allyl complexes and use thereof in thin film deposition |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3230245A (en) * | 1961-08-31 | 1966-01-18 | Standard Oil Co | Recovery of alkyl borate from methanol-alkyl borate mixtures |
US3734941A (en) * | 1968-09-06 | 1973-05-22 | American Cyanamid Co | Process for converting urethanes to isocyanates |
JPS5219624A (en) * | 1975-08-07 | 1977-02-15 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Process for preparation of isocyanates |
US4487713A (en) * | 1981-06-26 | 1984-12-11 | Exxon Research & Engineering Co. | Production of isocyanates from esters of aromatic carbamic acids (urethanes) |
US4623432A (en) * | 1984-04-23 | 1986-11-18 | Amoco Corporation | Removal of brominated organics from acetic acid obtained by oxidation of liquid butane in presence of Co-Br or Co-Mn-Br system catalysis |
JPS62185090A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-13 | Sumitomo Chem Co Ltd | アルキルガリウムの精製方法 |
JPH0620051B2 (ja) * | 1987-08-27 | 1994-03-16 | 宇部興産株式会社 | 有機金属化合物のボンベ充填方法 |
GB9116381D0 (en) * | 1991-07-30 | 1991-09-11 | Shell Int Research | Method for deposition of a metal |
TW217415B (ja) * | 1991-11-19 | 1993-12-11 | Shell Internat Res Schappej B V | |
US5235112A (en) * | 1992-05-29 | 1993-08-10 | Exxon Chemical Patents Inc. | Stripper-reactor for volatile cobalt recovery |
US5414189A (en) * | 1992-08-24 | 1995-05-09 | Mobil Oil Corporation | Isolation of high purity diamondoid fractions and components |
GB2344822A (en) * | 1998-12-19 | 2000-06-21 | Epichem Ltd | Organometallic compound production using distillation |
-
2000
- 2000-07-22 GB GBGB0017968.9A patent/GB0017968D0/en not_active Ceased
-
2001
- 2001-03-05 JP JP2002513576A patent/JP4791680B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-05 WO PCT/GB2001/000906 patent/WO2002007848A1/en active IP Right Grant
- 2001-03-05 CN CNB018132081A patent/CN1207076C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-05 US US10/333,569 patent/US7282119B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-05 DE DE1303336T patent/DE1303336T1/de active Pending
- 2001-03-05 DE DE60123249T patent/DE60123249T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-05 AU AU2001235837A patent/AU2001235837A1/en not_active Abandoned
- 2001-03-05 AT AT01907973T patent/ATE340004T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-03-05 EP EP01907973A patent/EP1303336B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-11 TW TW090111236A patent/TWI223606B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7282119B2 (en) | 2007-10-16 |
TWI223606B (en) | 2004-11-11 |
EP1303336B1 (en) | 2006-09-20 |
CN1443089A (zh) | 2003-09-17 |
JP2004504364A (ja) | 2004-02-12 |
DE60123249T2 (de) | 2007-04-05 |
WO2002007848A1 (en) | 2002-01-31 |
EP1303336A1 (en) | 2003-04-23 |
US20040254389A1 (en) | 2004-12-16 |
AU2001235837A1 (en) | 2002-02-05 |
ATE340004T1 (de) | 2006-10-15 |
DE60123249D1 (de) | 2006-11-02 |
CN1207076C (zh) | 2005-06-22 |
DE1303336T1 (de) | 2003-09-18 |
GB0017968D0 (en) | 2000-09-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4791680B2 (ja) | 純粋あるいは実質的に純粋な有機金属化合物を単離するための方法と装置 | |
JP4447788B2 (ja) | 有機金属化合物の製造のための改良された方法および装置 | |
US4877445A (en) | Method for producing a metal from its halide | |
TWI324592B (en) | A method for the esterification of a fatty acid | |
CN108686397B (zh) | 蒸馏二甲亚砜的方法及多段式蒸馏塔 | |
US8580205B2 (en) | Method and apparatus for improving the efficiency of purification and deposition of polycrystalline silicon | |
JP4038110B2 (ja) | シリコンの製造方法 | |
CN104610326A (zh) | 固态mo源的固体精馏纯化装置及其方法 | |
US20020022088A1 (en) | Purified silicon production system | |
US9938156B2 (en) | B2F4 manufacturing process | |
US7071360B2 (en) | Method for evaporating cyclohexanone oxime | |
CN204356256U (zh) | 固态mo源的固体精馏纯化装置 | |
US4892568A (en) | Process for removing n-type impurities from liquid or gaseous substances produced in the gas-phase deposition of silicon | |
JP3221237B2 (ja) | 有機金属化合物の精製方法 | |
CN105980304A (zh) | 用于生产多晶硅的方法 | |
US6753437B1 (en) | CVD material compound and method for manufacturing the same, and CVD method of iridium or iridium compound thin film | |
JP4856825B2 (ja) | Cvd用原料化合物及びその製造方法並びにイリジウム又はイリジウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法 | |
JP7534652B2 (ja) | 六フッ化タングステンの製造方法および精製方法 | |
KR20080088432A (ko) | 시클로헥사논 옥심을 회수하는 방법 | |
KR100569591B1 (ko) | 강하경막 증발 시스템을 이용한 디시클로펜타디엔의고순도 정제방법 | |
EP1985609B1 (en) | Method for recovering cyclohexanone oxime | |
JPH0430380B2 (ja) | ||
JPS61145133A (ja) | エチレンジクロライドの熱分解による塩化ビニルモノマ−の製造法 | |
KR20070103201A (ko) | 아로마틱 디알데히드의 정제 방법, 및 이에 사용되는 정제장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080226 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080728 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101202 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110301 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110308 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110328 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110623 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110722 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140729 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |