CN104603798B - 用于制造非接触式微电路的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于制造非接触式微电路天线线圈的方法，包括步骤：将第一导电层(AL)沉积在卡的第一面上；以及在所述第一层中，形成螺旋天线线圈(MA1)，所述线圈包括多个线匝，所述多个线匝包括连接到内部连接衬垫(ACT2)的内部线匝(IS)以及连接到外部连接衬垫(ACT1)的外部线匝(ES)。除了为了允许将所述外部连接衬垫(ACT1)连接到所述外部线匝的导电路线的流通的一个区域之外，所述外部线匝(ES)沿着所述天线线圈的整个轮廓而延伸。所述天线线圈(MA1)的外部和内部连接衬垫(ACT1、ACT2)被在所述外部线匝的中心区域(CZ)中形成。所述天线线圈包括旁路区域(CST1)，其中每个线匝绕过所述外部接触衬垫。

Description

用于制造非接触式微电路的方法
技术领域
本发明涉及非接触式微电路或非接触式集成电路，且特别涉及集成到物体的非接触式微电路，诸如塑料卡(聚合物树脂)。
背景技术
非接触式或近场通信NFC微电路已被开发为通过电感耦合或电场耦合与终端进行交易。
为了特别以电感耦合方式进行通信，必须获取终端的天线线圈和连接到微电路的天线线圈之间的足够的电感耦合因子。这种耦合因子取决于终端和微电路的天线线圈的各自尺寸，并取决于这两个线圈的相对距离和位置。微电路线圈的尺寸与终端的越近，两个线圈之间的耦合因子可以越高。
通常，终端的天线线圈具有比ISO 7816格式中的卡更大的尺寸。因此希望微电路的天线线圈尽可能大。但是，该线圈相对于微电路越大，越难产生线圈和微电路之间的可靠连接，其足以承受频繁的处理。在非接触式微电路卡的情况下，卡由聚合物树脂制成，通常是PVC(聚氯乙烯)、PC(聚碳酸酯)或PET(聚对苯二甲酸乙二酯)，且由此是可变形的。可预知，卡的重复变形将导致线圈和微电路之间的连接断开，这明确使得微电路不工作。
美国专利5955723建议在卡上形成的大线圈以及连接到微电路的小线圈之间生成电感耦合。大线圈包括与微电路的线圈尺寸基本一样的小环路。电感耦合是通过使得微电路线圈的中心与小环路的中心位置符合而形成的。
本发明更特别地涉及制造模块，该模块包括连接到天线线圈的微电路，该天线线圈能通过电感与在物体上形成的天线线圈耦合，诸如聚合物树脂制成的卡。这样的模块通常包括双面印刷电路晶片，在一面(前面)形成接触衬垫，且在另一面(后面)形成具有若干绕组的螺旋型的天线线圈。微电路通常被固定到天线线圈中心的区域。接触衬垫到微电路的连接通常是通过导电通孔以及放置在微电路和导电通孔之间的线来完成。
但是，天线线圈通常在螺旋线(在天线线圈的中心区域)内部以及外部有接触。微电路到天线线圈内部接触的连接可仅通过线而完成。但是，微电路到天线线圈外部接触的连接很成问题。确实，包括微电路和晶片的模块随后被固定到在卡中形成的小室，微电路和连接线被嵌入在树脂的电绝缘机械保护层中，限制为天线线圈的中心区域。保证外部接触和微电路之间的连接的线访问天线线圈中心区域的外部的区域，且必须穿过树脂的保护层外面。
通常，天线线圈的外部接触和微电路之间的连接是通过两个额外的导电通孔，以及在接触衬垫所处的晶片的面上形成的导电通孔之间的连接路径实现的。两个额外导电通孔中的一个开到天线线圈的外部接触中的天线线圈的外面上，而另一个导电通孔开到在接触衬垫中的天线线圈内部上，其通过连接线被耦合到微电路。
据发现，形成这样的导电通孔会大大增加制造非接触式模块的成本。为了移除接触衬垫和微电路之间的导电通孔，一个熟知的方法涉及在晶片中形成洞，直到形成接触衬垫的金属层，这样每个接触可从晶片的背面访问。线可随后被固定到洞的底部的每个接触，并连接到微电路。但是，看起来没有任何解决方案，用于移除用来将天线线圈的外部接触电连接到晶片正面的导电通孔。
因此想要设计与天线线圈有关的模块，而不需要在支持天线线圈的晶片中形成这样的导电通孔。
发明内容
一些实施例涉及用于制造非接触式微电路天线线圈的方法，包括这样的步骤：将第一导电层沉积在晶片的第一面上，并在第一层中以包括若干线匝的螺旋形式来形成天线线圈，所述线砸包括耦合到内部线匝内的接触衬垫的内部线匝以及耦合到外部接触衬垫的外部线匝。所述天线线圈的所述外部和内部接触衬垫被在所述外部线匝的中心区域中形成，除了将外部接触衬垫耦合到外部线匝的导电路径能够通过的区域之外，所述外部线匝遵循天线线圈的整个轮廓，所述天线线圈包括旁路区域，在所述旁路区域中每个线匝绕过通过所述中心区域的所述外部接触衬垫。
根据一个实施例，所述天线线圈的所述旁路区域被预形成，以跨过微电路的整个宽度以及至少部分长度来支撑微电路。
根据一个实施例，所述层包括用于支撑微电路的支撑结构，所述支撑结构能耦合到所述天线线圈的所述内部线匝。
根据一个实施例，所述方法包括以下步骤：将第二导电层沉积在晶片的第二面上、在第二层中形成接触衬垫、以及在晶片中形成洞，所述洞从第一层直到其到达所述第二层的接触衬垫。
一些实施例也涉及一种用于制造非接触式模块的方法，包括以下步骤：执行上述方法，将微电路固定到所述天线线圈的中心区域上，以及通过线将所述微电路的接触衬垫耦合到所述天线线圈的所述接触衬垫。
根据一个实施例，所述方法包括以下步骤：将第二导电层沉积在所述晶片的第二面上，在所述第二层中形成接触衬垫，以及在所述晶片中形成洞，所述洞从所述第一层直到其到达所述第二层的所述接触衬垫，以及通过穿过所述洞的线将所述微电路的接触衬垫耦合到所述第二层的所述接触衬垫。
根据一个实施例，所述方法包括将电绝缘保护层沉积在微电路以及连接线上的步骤。
根据一个实施例，所述晶片属于板，在所述板中若干非接触式模块被共同形成，所述方法包括在连接每个微电路后，进行分割所述板以将模块个体化的步骤。
一些实施例也涉及用于制造微电路卡的方法，包括以下步骤：执行制造如上限定的非接触式模块的方法，在卡中形成天线线圈，以及将所述模块植入到所述卡中，所述卡的所述天线线圈具有与所述微电路的所述天线线圈接近的部分，以通过感应在两个天线线圈之间建立耦合。
根据一个实施例，所述卡属于板，所述板中非接触式微电路卡被共同形成，所述方法包括在将所述卡天线线圈形成在所述板中后并在将一个模块植入到每个卡之前执行分割板以使卡被个体化的步骤。
一些实施例也涉及非接触式微电路天线线圈，包括：在其第一面上用第一层覆盖的晶片，所述天线线圈被在所述第一层中形成，所述天线线圈包括以螺旋形式的若干线匝，包括耦合到内部线匝内的接触衬垫的内部线匝，以及耦合到外部接触衬垫的外部线匝。所述天线线圈外部和内部接触衬垫被在所述外部线匝的中心区域形成，除了将所述外部接触衬垫耦合到所述外部线匝的导电路径能够穿过的区域之外，所述外部线匝遵循所述天线线圈的整个轮廓，所述天线线圈包括旁路区域，在所述旁路区域中每个线匝绕过所述外部接触衬垫。
根据一个实施例，所述旁路区域中的线匝被预形成，以跨过微电路的整个宽度以及至少部分长度来支撑微电路。
根据一个实施例，所述第一层包括支撑结构以支撑微电路，所述支撑结构能耦合到所述天线线圈的所述内部线匝。
根据一个实施例，所述天线线圈包括覆盖所述晶片的第二面的第二导电层，所述第二层形成接触衬垫，洞从所述第一面直到其到达所述第二层的所述接触衬垫而穿过所述晶片。
一些实施例也涉及非接触式模块，包括：上述限定的天线线圈，固定到天线线圈的中心区域的微电路，以及包括被通过线而耦合到天线线圈的接触衬垫。
根据一个实施例，所述非接触式模块包括覆盖所述晶片的第二面的第二导电层以及线，所述第二层形成接触衬垫，所述线通过穿过从第所述一层在晶片中形成的洞并到达所述第二层的所述接触衬垫，将所述微电路的接触衬垫耦合到所述第二层的所述接触衬垫。
根据一个实施例，所述非接触式模块包括覆盖微电路和连接线的电绝缘保护层。
一些实施例也涉及包括上述限定的天线和模块的微电路卡，卡的天线线圈具有与模块的天线线圈接近的部分，以通过电感在两个天线线圈之间建立耦合。
附图说明
图1表示根据一个实施例的非接触式微电路卡。
图2是根据一个实施例的在图1中展示的微电路卡的横截面。
图3和图4是根据一个实施例植入到图1展示的微电路卡的晶片的正面和背面的图。
图5是根据一个实施例从图3和4的晶片形成的非接触式模块的背面的图。
图6是根据另一个实施例的晶片的背面的图。
图7是从图6的晶片形成的非接触式模块的背面的图。
图8是根据另一个实施例的晶片的背面的图。
图9是示出从图8的晶片形成的非接触式模块的背面的图。
图10是根据另一实施例的晶片的背面的图。
图11是从图10的晶片形成的非接触式模块的背面的图。
图12和13是根据一个实施例的其中共同形成了若干非接触式模块的板的正面和背面图。
图14表示根据一个实施例的其中若干非接触式微电路卡共同形成的板。
具体实施方式
图1表示非接触式微电路卡CC，包括天线线圈CA和微电路模块M1。线圈CA包括若干线匝，例如2到4，并形成大环路CA1和小环路CA2。如图1所示，大环路CA1遵循卡CA的边缘或仅该边缘的一部分。大环路CA1因此可在卡边缘附近最小的距离处，其可以是2到3mm。模块包括天线线圈(未在图1示出)，其可被放置为与环CA2相对。在这种情况下，模块的线圈和卡CC的线圈以不同深度被植入到卡中。
根据一个实施例，环路CL12具有细长的形状，其沿着轴X1的长度比环沿着轴Y1的宽度大20到50％。环路CA2的宽度是模块M1的天线线圈的内部宽度的1到1.1倍(未在图1中示出)。这里，X1和Y1表示卡CC的纵轴和横轴。
图2表示卡CC和模块M1沿着轴X1的横截面。卡CC包括室CV，该室中插入有模块M1。模块M1包括由电绝缘基板SB以及两个导电层CL、AL形成的晶片，，该导电层CL、AL分别覆盖基板SB的正面和背面。模块M1包括微电路MC，其被固定到晶片的背面上，即，在层AL上。微电路MC耦合到在层CL中形成的接触衬垫，通过在一侧上连接到微电路的线CWC，并且穿过洞BH而通过基板SB，以到达在层CL中形成的接触。通过在一侧上连接到微电路的并且在另一侧上连接到层AL的线CWA，微电路MC耦合到在层AL中形成的天线线圈的接触衬垫，。由微电路MC和线CWC、CWA组成的组装，被嵌入在树脂层RL中以机械地保护线。层RL仅在层AL的背面的中心区域之上延伸。
图3和4是晶片SB的正面和背面的图，即，层CL和AL。在图3中，层CL包括接触衬垫C1、C2、C3、C4、C5和C6，例如具有由ISO7816标准规定的形状。
在图4，天线线圈MA1在层AL中形成，例如通过蚀刻。天线线圈MA1具有包括若干个线匝的螺旋形，例如5到10个线匝，包括一个外部线匝ES和一个内部线匝IS。在图4的例子中，线圈MA1包括8个线匝。天线线圈MA1包括两个接触衬垫ACT1、ACT2，以将天线线圈连接到微电路MC，即，接触衬垫ACT1耦合到外部线匝ES且位于后者外，而接触衬垫ACT2耦合到内部线匝IS且位于后者内。
在图4示出的例子中，线圈MA1具有带有圆形角的正方形。当然也可考虑其它形状。因此，线圈MA1可能没有圆角，或可以是圆形。
根据一个实施例，天线线圈MA1的两个接触衬垫ACT1、ACT2位于天线线圈的中心区域CZ，由线匝MA1的内部线匝IS划定界限，而不考虑旁路区域CST1。在区域CST1中，线圈MA1的线匝，除了线匝ES之外，通过穿过接触衬垫ACT1和线圈MA1的中心点O，绕过接触衬垫ACT1。除了将接触衬垫ACT1耦合到外部线匝ES的导电路径可穿过的区域之外，外部线匝ES可遵循晶片SB的整个轮廓。除了位于旁路区域CST1中的位置(在该位置线匝绕过板ACT1)之外，内部线匝IS遵循中心区域CZ的整个轮廓。换句话说，接触衬垫ACT1、ACT2位于中心区域CZ，是在从线圈的外部轮廓的距离大于线匝ES和IS之间的距离的距离处。
根据另一个实施例，层AL包括支撑结构SST，用于支撑微电路MC(图4未示出)。结构SST可独立于线圈MA1，或可与其耦合。在图4示出的例子中，结构是与接触衬垫ACT1相对的线圈MA1的内部线匝IS的一部分。结构SST包括具有两个平行分支的U型部分，以及绕过线圈MA1的中心O的基底，以及与附着到U型部件的分支的外部边缘的U型部分的分支垂直的若干分支。应当注意，结构SST可从线圈MA1的内部线匝分离。
图5展示模块M1的正面，示出了微电路MC、连接线CWA、CWC，以及保护层RL(阴影区域)。在图5中，微电路MC部分位于旁路区域CST1中的线圈MA1的线匝的一部分上，并且部分位于支撑结构SST上。假设层AL具有特定厚度，结构使得微电路MC在与层SB的面平行的平面上被维持，层SB上形成有层AL。线CWC被焊接到微电路MC的接触衬垫，并通过层AL穿过洞BH和晶片SB，以到达在层CL中形成的接触C1-C6，接触被焊接到接触。线CWA被焊接到微电路MC的接触衬垫，以及到接触衬垫ACT1和ACT2。层RL包括微电路MC和以及所有的连接线CWC、CWA，同时仅覆盖层AL的中央部分，其基本上被线圈MA1的所有线匝包围。
在图4和5中，旁路区域CST1中的线圈MA1在一面具有圆形，而在另一面具有跨过在微电路MC的全部宽度的以支撑微电路MC的角扩展。
图6和7表示替代层AL的层AL1以及包括层AL1的模块M2。在一些情况中，可能不是必须提供支撑结构SST，特别是能接受微电路没有被严格地被放置为与晶片SB的背面平行。因此在图6中，层AL1与层AL的区别在于其不包括任何支撑结构SST，而仅包括具有接触衬垫ACT1、ACT2的线圈MA2以及旁路区域CST2，在旁路区域CST2中线圈MA2的线匝绕过接触衬垫ACT1。这里再次，两个接触衬垫ACT1、ACT2在线圈MA2的中心区域CZ中被产生，由线圈MA2的内部线匝IS而划定界限，而不考虑旁路区域CST2。接触衬垫ACT1、ACT2也位于离线匝的外部轮廓的距离比与线匝ES和IS之间的距离更大的距离处。在图6示出的例子中，旁路区域CST2中的线圈的线匝具有基本上为半圆形的形状。
图7中表示的模块M2与图5中的模块(M1)的区别仅在于层AL被图6中展示的层AL1替换。在图7中，微电路MC部分位于形成通路区域CST2中的线圈MA2的线匝的层AL1中，且部分直接位于晶片SB上。使得微电路MC能在晶片SB上被维持的胶层，可至少部分弥补对应于层AL1的厚度的水平中的任何差异。
图8和9表示代替层AL的层AL2以及包括层AL2的模块M3。因此，在图8中，层AL2与层AL的区别在于，其形成线圈MA3的旁路区域CST3。区域CST3中的线圈MA3的线匝在线圈中心之上延伸，也形成支撑微电路MC的支撑结构。这里，两个接触衬垫ACT1、ACT2在由线圈MA3的内部线匝IS划定界限的中心区域CZ中产生，而忽视旁路区域CST3。
在图9中示出的模块M3与图5中示出的区别仅在于层AL被层AL2代替。在图9中，微电路MC全部靠在线圈MA3的旁路区域CST3上。以这种方式，微电路MC全部由层AL2支撑，且由此在与晶片SB平行的平面中被维持。
图10和11表示替换层AL的层AL3以及包括层AL3的模块M4。层AL3形成天线线圈MA4，其与线圈MA1的区别在于外部接触衬垫Act1位于由线圈MA4的外部线匝ES划定界限的轮廓内部，但不是必须位于由内部线匝IS划定界限的轮廓内部。换句话说，板ACT1仅位于从线圈的中心点O的距离比线匝ES和点O之间的距离更小的距离处。
在图10和11示出的例子中，接触衬垫ACT1没有位于靠近线匝ES由线匝ES1划定界限的轮廓内。板ACT1位于离点O的距离基本上等于点O和线匝ES1之间的距离的距离处。线圈MA4包括旁路区域CST4，其中线圈MA4的线匝，除了线匝ES之外，绕过接触衬垫ACT1。在图10示出的例子中，旁路区域CST4中的线圈MA4的线匝具有基本上为圆弧形的形状。而且，层AL3可包括支撑结构SST，用于支撑微电路MC。在图10示出的例子中，结构SST被耦合到内部线匝IS。
图11中展示的模块M4与图5中示出的模块(M1)的区别仅在于层AL被图10示出的层AL3替换。在图11中，微电路MC位于在层AL3中形成的支撑结构SST上。为了保护微电路MC和板ACT1之间的连接线CWA，保护层RL没有被仅放置在中心区域CZ，而是靠近板ACT1上的模块M4的边缘延伸。
根据一个实施例，通过蚀刻每面被导电层-例如由铜制成的层-覆盖的板，模块M1、M2、M3或M4被共同产生。板可以是双面印刷电路板。图12和13表示在蚀刻两面后，板P1的一部分的正面和背面。在图12，板P1包括若干组接触衬垫C1-C6，例如符合ISO7816标准。接触衬垫组C1-C6的组以行和列被分布在板P1之上。在图13，模块的若干线圈MA1-MA3被形成在板P1的背面上，每个线圈是与一组接触衬垫C1-C6相对而形成的。
在下个步骤，板P1可从背面(在线圈MA1-MA3侧)被钻孔，以形成洞BH，直到层CL，在每个线圈的中心区域CZ。在下一步骤，微电路MC可被放置在每个线圈MA1-MA3的中心，随后使用线连接到接触衬垫C1-C6，以及到线圈的接触衬垫ACT1、ACT2。树脂层RL可随后被形成以用其连接线保护每个微电路。为了该目的，板P1的整个背面可用树脂层覆盖，随后被蚀刻以基本上清除线圈MA1-MA3的全部线匝。或者，每个微电路上的树脂层可使用模具被压膜，该模具具有想要尺寸的孔，与固定到板P1的每个微电路MC相对。通过沿着切割线LD来切割板P1，模块M1-M3可被个体化。
在被层CL和AL、AL1或AL2覆盖之前，板P1也可被钻孔以形成洞BH。
根据一个实施例，卡CC在板中由聚合物树脂(PVC、PC或PET)共同制造。因此，图14展示了板P2，其中卡天线线圈CA被共同形成。在图13示出的例子中，卡的纵轴与板P2的横轴T平行。卡CC的纵轴也可与板P2的纵轴Z平行。使用在护套中绝缘的线或通过漆涂的手段，线圈CA可被共同制造，其通常使用能局部融化卡的超声来被推入到卡中。绝缘的线因此遵循要被形成的线圈的线匝的线的路径没有被卷绕。线可具有50到150μm的直径。线匝之间的间距可以是150到500μm。随后可通过沿着切割线LD1切割板P2，使得卡被个体化。模块M1-M3随后被插入到被个体化的卡CC中。为了该目的，在每个卡中相对于卡的边缘被精确识别的位置形成室，且模块M1-M3被引入并固定到每个室。
本领域技术人员将理解，本发明能接受各种替换实施例和各种应用。特别地，本发明不限于具有两个接触式或非接触式通信界面的模块，而也可适用于仅包括包含一个天线线圈的模块的一个通信界面。本发明不限于具有由ISO 7816标准限定的格式或符合该标准的接触C1-C6。
而且，保护层RL也不是必须的，或当模块被插入到在卡中形成的室时被形成。

Claims (18)

1.一种用于制造非接触式微电路天线线圈的方法，包括以下步骤：
将第一导电层沉积在晶片的第一面上，以及
在第一导电层中以包括若干线匝的螺旋形式来形成天线线圈，所述天线线圈包括耦合到内部接触衬垫的内部线匝以及耦合到外部接触衬垫的外部线匝，
特征在于，除了将所述外部接触衬垫耦合到所述外部线匝的导电路径能够通过的区域之外，所述外部线匝遵循天线线圈的整个轮廓，所述天线线圈的所述外部和内部接触衬垫被在所述外部线匝的中心区域中形成，所述天线线圈包括旁路区域，在所述旁路区域中每个线匝绕过中心区域中的外部接触衬垫。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述天线线圈的旁路区域被预形成，以跨过微电路的整个宽度以及至少部分长度来支撑所述微电路。
3.根据权利要求1和2中的一项所述的方法，其中所述第一导电层包括用于支撑微电路的支撑结构，所述支撑结构能耦合到所述天线线圈的所述内部线匝。
4.根据权利要求1到2中的一项所述的方法，包括以下步骤：
将第二导电层沉积在所述晶片的第二面上；
在所述第二导电层中形成接触衬垫，以及
在所述晶片中形成洞，所述洞从所述第一导电层直到所述第二导电层的接触衬垫。
5.一种用于制造非接触式模块的方法，包括以下步骤：
执行根据权利要求1到4中的一项所述的方法；
将微电路固定到所述天线线圈的中心区域上，以及
通过线，将所述微电路的接触衬垫耦合到所述天线线圈的接触衬垫。
6.根据权利要求5所述的方法，还包括以下步骤：
通过在所述洞中穿过的线，将所述微电路的接触衬垫耦合到所述第二导电层的接触衬垫。
7.根据权利要求5和6中的一项所述的方法，包括将电绝缘保护层沉积在所述微电路以及连接线上的步骤。
8.根据权利要求5到6中的一项所述的方法，其中所述晶片属于板，在所述板中若干非接触式模块被共同形成，所述方法包括，在连接每个微电路后，进行切割所述板以将所述模块个体化的步骤。
9.一种制造微电路卡的方法，包括以下步骤：
执行根据权利要求5到8中的一项所述的方法，以获取非接触式模块，
在卡中形成天线线圈，以及
将所述模块植入到所述卡中，所述卡的所述天线线圈具有接近所述微电路的所述天线线圈的部分，以通过感应在两个天线线圈之间建立耦合。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述卡属于板，在所述板中非接触式微电路卡被共同形成，所述方法包括，在所述板中形成所述卡天线线圈后且在将一个模块植入到每个卡之前，进行分割所述板以使所述卡被个体化的步骤。
11.一种非接触式微电路天线线圈，包括：
晶片，所述晶片的第一面上覆盖有第一层，天线线圈被在所述第一层中形成，所述天线线圈包括螺旋形式的若干线匝，所述线匝包括耦合到内部线匝内的接触衬垫的内部线匝以及耦合到外部接触衬垫的外部线匝，
特征在于，除了将所述外部接触衬垫耦合到所述外部线匝的导电路径能够通过的区域之外，所述外部线匝遵循天线线圈的整个轮廓，所述天线线圈的所述外部和内部接触衬垫被在所述外部线匝的中心区域中形成，所述天线线圈包括旁路区域，在所述旁路区域中每个线匝绕过中心区域中的外部接触衬垫。
12.根据权利要求11所述的天线线圈，其中所述旁路区域中的线匝被预形成，以跨过微电路的整个宽度以及至少部分长度来支撑所述微电路。
13.根据权利要求11和12中的一项所述的天线线圈，其中所述第一层包括用于支撑微电路的支撑结构，所述支撑结构能耦合到所述天线线圈的所述内部线匝。
14.根据权利要求11到12中的一项所述的天线线圈，包括覆盖所述晶片的第二面的第二导电层和洞，所述第二导电层形成接触衬垫，所述洞从所述第一面穿过所述晶片并到达所述第二导电层的接触衬垫。
15.一种非接触式模块，包括：
根据权利要求11到14中的一项所述的天线线圈，以及
被固定到所述天线线圈的中心区域上的微电路，以及包括被通过线而耦合到所述天线线圈的接触衬垫。
16.根据权利要求15所述的非接触式模块，包括覆盖所述晶片的第二面的第二导电层以及线，所述第二导电层形成接触衬垫，所述线通过穿过从所述第一层在所述晶片中形成的洞并到达所述第二导电层的接触衬垫，而将所述微电路的接触衬垫耦合到所述第二导电层的接触衬垫。
17.根据权利要求15和16中的一项所述的非接触式模块，包括电绝缘保护层，所述电绝缘保护层覆盖所述微电路以及连接线。
18.一种微电路卡，包括天线线圈以及根据权利要求15到17中的一项所述的模块，所述卡的所述天线线圈具有接近所述模块的所述天线线圈的部分，以通过感应在两个天线线圈之间建立耦合。
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