CN104593738A - 一种氧化钒薄膜及其制备方法 - Google Patents

一种氧化钒薄膜及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104593738A
CN104593738A CN201410775861.7A CN201410775861A CN104593738A CN 104593738 A CN104593738 A CN 104593738A CN 201410775861 A CN201410775861 A CN 201410775861A CN 104593738 A CN104593738 A CN 104593738A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
vanadium
vanadium oxide
aluminium sesquioxide
sputtering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410775861.7A
Other languages
English (en)
Inventor
梁继然
李娜
刘星
胡明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianjin University
Original Assignee
Tianjin University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianjin University filed Critical Tianjin University
Priority to CN201410775861.7A priority Critical patent/CN104593738A/zh
Publication of CN104593738A publication Critical patent/CN104593738A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5806—Thermal treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5846—Reactive treatment
    • C23C14/5853—Oxidation

Abstract

本发明公开了一种氧化钒薄膜及其制备方法，制备过程中通过提升退火中的氧气流速，使制得的氧化钒薄膜的表面变得疏松多孔，同时提高了氧化钒薄膜的相变幅度。该方法克服了氧化钒薄膜制备时间长，相变幅度低的缺点，可严格控制工艺参数，提高工艺重复性及氧化钒薄膜的相变幅度，从而提高器件的灵敏度。同时疏松多孔的形貌增大了薄膜的比表面积，对于提高传感器的气敏性能具有重要作用，可以使其更好的应用于实际。

Description

一种氧化钒薄膜及其制备方法
技术领域
本发明属于半导体技术领域，涉及一种氧化钒薄膜及其制备方法。
背景技术
金属钒与氧气反应可形成复杂的钒氧化物系统，化学计量比具有多种形式。其中大多数钒氧化物在热激励作用下可发生绝缘体-金属的转变，且具有不同的相变温度。在所有钒的氧化物中，由于二氧化钒的相变温度为68℃，最接近室温，受到科研工作者的广泛关注。其热致相变特性主要表现为，在低温时为半导体相，随着温度的逐渐升高，到达相变温度点后，变为金属相，相变的数量级可达4-5个，并且为一级可逆的相变。在二氧化钒发生相变的同时，其电学、光学、磁学等性质也将发生很大的变化。在研究氧化钒材料的相变特性时，研究人员将氧化钒制成薄膜的形式，使其具有良好延展性，而且氧化钒薄膜质量轻、体积小，一些制备氧化钒薄膜的手段还可以与半导体制备工艺完美兼容，这在很大程度上拓展了它的应用价值。如：应用于智能窗、光电开关、相变存储器、红外探测器、THz波调制等领域。为使氧化钒薄膜在上述领域更好地应用，氧化钒薄膜应具有高的相变幅度，从而提高器件的灵敏度。
而作为气敏传感器而言，高灵敏度，快的响应/恢复时间、较低的工作温度是非常重要的。其中灵敏度作为一个评判气敏元件对所测气体敏感程度的物理量，它的提升对于气敏传感器而言是非常重要的。其中薄膜的微观形貌这一因素，它与气敏传感器的灵敏度具有非常重要的关系。因为薄膜的微观形貌极大的影响了气敏传感器的比表面积。而薄膜比表面积的提升可增大所测气体与薄膜的接触面积，促进反应的进行，提高传感器的灵敏度。因此，对于氧化钒薄膜气敏传感器而言，优化薄膜的微观形貌，提高薄膜比表面积显得尤为重要。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供一种氧化钒薄膜及其制备方法，克服现有技术中氧化钒薄膜相变幅度低、灵敏度不高的问题。
本发明的技术方案是：
一种氧化钒薄膜，由以下方法制得：
(1)清洗三氧化二铝基底：
采用三氧化二铝作为基底，将三氧化二铝基底依次放入丙酮溶剂、无水乙醇中分别超声振荡15-20min，除去表面有机物杂质；随后将三氧化二铝基底从无水乙醇中取出烘干备用；
(2)磁控溅射制备金属钒的薄膜：
采用磁控溅射仪在三氧化二铝基底上沉积纯的金属钒膜，沉积靶材选用纯度大于99％的金属钒靶，将步骤(1)中清洗好的三氧化二铝基底放入真空室内，抽本体真空至(3.0-4.0)×10-4Pa；以质量纯度大于99％的氩气作为工作气体，控制氩气流量为45-50sccm，溅射的工作压强为1.0-2.0pa，溅射功率为120-180W，溅射时间为10-30min，溅射时的基底温度为室温；
(3)快速退火制备氧化钒薄膜：
将步骤(2)制得的纯金属钒膜放入快速退火炉中，将钒膜氧化为氧化钒薄膜，通过控制退火中的氧气流速来改变薄膜的微观形貌，结晶性能及相变幅度，退火过程中设置的退火参数如下：退火时的保温温度为420-480℃，升温时间为8-12s，保温时间为100-180s，降温时间为80-100s，反应气体为纯的氧气，升温和保温时的氧气流速为2.5-5slpm，降温时的氧气流速为8-10slpm。
一种氧化钒薄膜制备方法，包括以下步骤：
(1)清洗三氧化二铝基底：
采用三氧化二铝作为基底，将三氧化二铝基底依次放入丙酮溶剂、无水乙醇中分别超声振荡15-20min，除去表面有机物杂质；随后将三氧化二铝基底从无水乙醇中取出烘干备用；
(2)磁控溅射制备金属钒的薄膜：
采用磁控溅射仪在三氧化二铝基底上沉积纯的金属钒膜，沉积靶材选用纯度大于99％的金属钒靶，将步骤(1)中清洗好的三氧化二铝基底放入真空室内，抽本体真空至(3.0-4.0)×10-4Pa；以质量纯度大于99％的氩气作为工作气体，控制氩气流量为45-50sccm，溅射的工作压强为1.0-2.0pa，溅射功率为120-180W，溅射时间为10-30min，溅射时的基底温度为室温；
(3)快速退火制备氧化钒薄膜：
将步骤(2)制得的纯金属钒膜放入快速退火炉中，将钒膜氧化为氧化钒薄膜，通过控制退火中的氧气流速来改变薄膜的微观形貌，结晶性能及相变幅度，退火过程中设置的退火参数如下：退火时的保温温度为420-480℃，升温时间为8-12s，保温时间为100-180s，降温时间为80-100s，反应气体为纯的氧气，升温和保温时的氧气流速为2.5-5slpm，降温时的氧气流速为8-10slpm。
本发明的有益效果是：
1)制备的氧化钒薄膜颗粒尺寸在纳米级别。制备工艺简单，参数较少且可容易控制，大大缩短制备时间，提高了重复性。
2)提供了一种快速制备高相变幅度氧化钒薄膜的方法。通过增加退火中的氧气流速，大大提高了薄膜的相变幅度，对于器件灵敏度提高具有重要意义。
3)提供了一种增大氧化钒薄膜比表面积的方法。在一定范围内，通过增加退火中的氧气流速，使得薄膜的微观形貌发生改变，表面变得疏松多孔，提高了薄膜的比表面积，对于气敏传感器灵敏度提高具有重要意义。
附图说明
图1是磁控溅射制备的纯金属钒膜的原子力显微镜图形；
图2是实施例1中氧化钒薄膜的X射线衍射图；
图3(a)是实施例1中氧化钒薄膜的扫描电子显微镜图形；
图3(b)是实施例1中氧化钒薄膜的原子力显微镜图形；
图4是实施例1中氧化钒薄膜方块电阻随温度变化的曲线图；
图5(a)是实施例2中氧化钒薄膜的扫描电子显微镜图形；
图5(b)是实施例2中氧化钒薄膜的原子力显微镜图形；
图6是实施例2中氧化钒薄膜方块电阻随温度变化的曲线图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明进行详细说明。
本发明所用原料均采用市售化学纯试剂。
实施例1
1)三氧化二铝基底的清洗
将R向的三氧化二铝基底(1cm×1cm)依次放入丙酮、无水乙醇中超声振荡15min，然后将基底取出，烘干备用。
2)磁控溅射制备金属钒的薄膜
采用DPS-Ⅲ型超高真空直流对靶磁控溅射仪在三氧化二铝基底上沉积纯的金属钒膜。沉积靶材选用纯度为99.999％的金属钒靶，将步骤(1)中清洗好的三氧化二铝基底放入真空室内，抽本体真空至4.0×10-4Pa；以质量纯度为99.999％的氩气作为工作气体，控制氩气流量为48sccm，溅射的工作压强为2.0pa，溅射功率为172.5W，溅射时间为10min，溅射时的基底温度为室温。实施例1制备的纯金属钒膜表面微观形貌的原子力显微镜图形如图1所示。
3)快速退火制备氧化钒薄膜
将步骤(2)制得的纯金属钒膜放入快速退火炉中，将钒膜氧化为氧化钒薄膜。退火过程中设置的退火参数如下：退火时保温温度为450℃，升温时间为9s，保温时间为150s，降温时间为90s。反应气体为纯的氧气，升温和保温时的氧气流速为4.5slpm，降温时的氧气流速为10slpm。制备得到的氧化钒薄膜的X射线衍射图形如图2所示。扫描电子显微镜图形如图3(a)所示，原子力显微镜的图形如图3(b)所示。
4)测试氧化钒薄膜的相变特性
利用四探针测试仪测试该条件下制备所得薄膜不同温度下的方块电阻。所测温度范围为27-90℃，通过记录温度区间内升温和降温过程中不同温度点对应的方块电阻，得到氧化钒薄膜的相变图形，如图4所示。
实施例1制得的氧化钒薄膜在升温过程中，当样品表面温度分别为32.1、50.5、69.5、88.5℃时，对应薄膜的方块电阻为64.55、38.48、0.78、0.64KΩ/□，方块电阻随温度增加而变大，方块电阻的变化倍数约为100.9；降温过程中，当温度分别为88.4、70、49.2、29.5℃时，对应的方块电阻为0.64、0.76、2.81、70.1KΩ/□，电阻变化倍数为109.5。相变幅度达到了两个数量级。
实施例2
本实施例与实施例1相似，不同之处在于：步骤3)中退火过程中升温和保温时的氧气流速为3slpm。利用扫描电子显微镜和原子力显微镜测量薄膜的表面形貌，如图5所示。利用四探针测量氧化钒薄膜的相变特性，所测温度范围为27-90℃。在升温过程中，当样品表面温度分别为30.5、50、68、90℃时，对应薄膜的方块电阻为7.89、5.58、2.04、1.58KΩ/□，方块电阻随温度增加而变大，方块电阻的变化倍数约为5；降温过程中，当温度分别为90、68、50.5、30℃时，对应的方块电阻为1.6、2.4、2.8、8.04KΩ/□，电阻变化倍数为5。相变幅度将近一个数量级。其相变特性的曲线如图6所示。
本发明定义氧化钒薄膜的相变幅度c＝R□L/R□H，其中R□L代表低温时的方块电阻值，R□H代表高温时的方块电阻值。
由上面的两个实例可知，在一定的范围内，通过增加快速退火中升温和保温时的氧气流速，可使氧化钒薄膜的相变幅度增大(氧气流速为3slpm时，相变幅度将近一个数量级，氧气流速为4.5slpm时，相变幅度达到两个数量级)，从而提高器件的灵敏度。而且快速退火时的氧气流速极大的影响了氧化钒薄膜的表面形貌。实施例1中氧化钒薄膜表面形貌要比实施例2疏松多孔。因此，在一定的范围内，通过增加快速退火中的氧气流速，可使氧化钒薄膜表面变得疏松多孔，增大薄膜的比表面积，可有效增加气体吸附面积，提高氧化钒薄膜的气敏性能。而且这种方法制备的薄膜耗时短，工艺简单，重复性高。

Claims (2)

1.一种氧化钒薄膜，其特征在于，由以下方法制得：
(1)清洗三氧化二铝基底：
采用三氧化二铝作为基底，将三氧化二铝基底依次放入丙酮溶剂、无水乙醇中分别超声振荡15-20min，除去表面有机物杂质；随后将三氧化二铝基底从无水乙醇中取出烘干备用；
(2)磁控溅射制备金属钒的薄膜：
采用磁控溅射仪在三氧化二铝基底上沉积纯的金属钒膜，沉积靶材选用纯度大于99％的金属钒靶，将步骤(1)中清洗好的三氧化二铝基底放入真空室内，抽本体真空至(3.0-4.0)×10-4Pa；以质量纯度大于99％的氩气作为工作气体，控制氩气流量为45-50sccm，溅射的工作压强为1.0-2.0pa，溅射功率为120-180W，溅射时间为10-30min，溅射时的基底温度为室温；
(3)快速退火制备氧化钒薄膜：
将步骤(2)制得的纯金属钒膜放入快速退火炉中，将钒膜氧化为氧化钒薄膜，通过控制退火中的氧气流速来改变薄膜的微观形貌，结晶性能及相变幅度，退火过程中设置的退火参数如下：退火时的保温温度为420-480℃，升温时间为8-12s，保温时间为100-180s，降温时间为80-100s，反应气体为纯的氧气，升温和保温时的氧气流速为2.5-5slpm，降温时的氧气流速为8-10slpm。
2.一种氧化钒薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)清洗三氧化二铝基底：
采用三氧化二铝作为基底，将三氧化二铝基底依次放入丙酮溶剂、无水乙醇中分别超声振荡15-20min，除去表面有机物杂质；随后将三氧化二铝基底从无水乙醇中取出烘干备用；
(2)磁控溅射制备金属钒的薄膜：
采用磁控溅射仪在三氧化二铝基底上沉积纯的金属钒膜，沉积靶材选用纯度大于99％的金属钒靶，将步骤(1)中清洗好的三氧化二铝基底放入真空室内，抽本体真空至(3.0-4.0)×10-4Pa；以质量纯度大于99％的氩气作为工作气体，控制氩气流量为45-50sccm，溅射的工作压强为1.0-2.0pa，溅射功率为120-180W，溅射时间为10-30min，溅射时的基底温度为室温；
(3)快速退火制备氧化钒薄膜：
将步骤(2)制得的纯金属钒膜放入快速退火炉中，将钒膜氧化为氧化钒薄膜，通过控制退火中的氧气流速来改变薄膜的微观形貌，结晶性能及相变幅度，退火过程中设置的退火参数如下：退火时的保温温度为420-480℃，升温时间为8-12s，保温时间为100-180s，降温时间为80-100s，反应气体为纯的氧气，升温和保温时的氧气流速为2.5-5slpm，降温时的氧气流速为8-10slpm。
CN201410775861.7A 2014-12-15 2014-12-15 一种氧化钒薄膜及其制备方法 Pending CN104593738A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410775861.7A CN104593738A (zh) 2014-12-15 2014-12-15 一种氧化钒薄膜及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410775861.7A CN104593738A (zh) 2014-12-15 2014-12-15 一种氧化钒薄膜及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104593738A true CN104593738A (zh) 2015-05-06

Family

ID=53119784

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410775861.7A Pending CN104593738A (zh) 2014-12-15 2014-12-15 一种氧化钒薄膜及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104593738A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104878360A (zh) * 2015-06-12 2015-09-02 天津大学 一种基于氧化钒的室温甲烷气体传感器的制备方法
CN104928636A (zh) * 2015-05-08 2015-09-23 天津大学 一种利用抗反射仿生表面制备二氧化钒增透薄膜的方法
CN105256280A (zh) * 2015-11-24 2016-01-20 天津大学 一种通过快速热处理调控二氧化钒相变温度的方法
CN105369200A (zh) * 2015-10-13 2016-03-02 西安交通大学 一种多晶多孔vo2薄膜的制备方法
CN108588661A (zh) * 2018-06-12 2018-09-28 电子科技大学 一种采用低价钒种子层优化氧化钒薄膜性能的方法
CN109182974A (zh) * 2018-10-09 2019-01-11 天津大学 一种通过二步快速热退火制备氧化钒薄膜的方法
US11072855B2 (en) 2017-08-04 2021-07-27 Royal Melbourne Institute Of Technology Vanadium oxide films and methods of fabricating the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103981488A (zh) * 2014-05-23 2014-08-13 天津大学 一种通过快速热处理制备氧化钒纳米颗粒阵列的方法
CN104032278A (zh) * 2014-06-12 2014-09-10 中国科学院上海技术物理研究所 一种二氧化钒薄膜制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103981488A (zh) * 2014-05-23 2014-08-13 天津大学 一种通过快速热处理制备氧化钒纳米颗粒阵列的方法
CN104032278A (zh) * 2014-06-12 2014-09-10 中国科学院上海技术物理研究所 一种二氧化钒薄膜制备方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104928636A (zh) * 2015-05-08 2015-09-23 天津大学 一种利用抗反射仿生表面制备二氧化钒增透薄膜的方法
CN104878360A (zh) * 2015-06-12 2015-09-02 天津大学 一种基于氧化钒的室温甲烷气体传感器的制备方法
CN105369200A (zh) * 2015-10-13 2016-03-02 西安交通大学 一种多晶多孔vo2薄膜的制备方法
CN105256280A (zh) * 2015-11-24 2016-01-20 天津大学 一种通过快速热处理调控二氧化钒相变温度的方法
US11072855B2 (en) 2017-08-04 2021-07-27 Royal Melbourne Institute Of Technology Vanadium oxide films and methods of fabricating the same
CN108588661A (zh) * 2018-06-12 2018-09-28 电子科技大学 一种采用低价钒种子层优化氧化钒薄膜性能的方法
CN109182974A (zh) * 2018-10-09 2019-01-11 天津大学 一种通过二步快速热退火制备氧化钒薄膜的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104593738A (zh) 一种氧化钒薄膜及其制备方法
Ferroni et al. MoO3-based sputtered thin films for fast NO2 detection
CN102899711B (zh) 一种用于钛及钛合金的电解抛光液以及电解抛光工艺
Li et al. Gas sensing selectivity of oxygen-regulated SnO2 films with different microstructure and texture
CN109246860A (zh) 可实现在显微镜下原位、动态观察材料的高温装置
CN104681720A (zh) 用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法
CN105355783A (zh) 一种用于高密度相变存储器的多层纳米复合薄膜材料及其制备方法
CN104659209A (zh) 用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法
CN102703873B (zh) 极窄回滞曲线宽度高电阻温度系数二氧化钒薄膜制备方法
CN106770476A (zh) 氧化铜/氧化钨一维有序异质包覆结构基气敏元件及其在探测二氧化氮中的应用
Lu et al. Effect of the seed layer on surface morphology and humidity sensing property of CoTiO3 nanocrystalline film
CN102732848B (zh) 一种磁控溅射制备单一取向锰钴镍氧薄膜的方法
CN105784775B (zh) 一种乙酸乙酯气体敏感材料的制备方法
Mao et al. Synthesis of an auxiliary electrode by laser cladding coating for in-situ electrochemical sulfur sensing
CN109487338A (zh) 一种单晶二氧化钒薄膜的制备方法
CN109867304B (zh) 一种二氧化钒金属绝缘相变调控方法及应用
Gu et al. The microstructures and electrical properties of Y-doped amorphous vanadium oxide thin films
Selim Room temperature sensitivity of (SnO2–ZrO2) sol–gel thin films
CN205246575U (zh) 一种透射/扫描电镜力、热耦合场加载的原位实验平台
Huang et al. Low transition-temperature characteristic in VOx films grown on Si3N4/Glass substrates
CN106048532B (zh) 一种二氧化钒纳米颗粒膜的制备方法
CN103217458A (zh) 一种湿度敏感薄膜的制备方法
CN110344015A (zh) 一种脉冲电场辅助的薄膜制备或处理的装置及方法
CN106744667A (zh) 垂直定向的氧化钨/氧化铜异质结纳米线阵列气敏元件及其在探测乙醇中的应用
CN102418070A (zh) 二氧化锡气体敏感性分形材料的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20150506

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication