CN104681720A - 用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法 - Google Patents
用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104681720A CN104681720A CN201510067737.XA CN201510067737A CN104681720A CN 104681720 A CN104681720 A CN 104681720A CN 201510067737 A CN201510067737 A CN 201510067737A CN 104681720 A CN104681720 A CN 104681720A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film material
- sbse
- sputtering
- preparation
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 43
- 230000008859 change Effects 0.000 title abstract description 24
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 61
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 39
- 230000000802 nitrating effect Effects 0.000 claims description 35
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 17
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 6
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 101100183412 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) SIN4 gene Proteins 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101150055994 SSN2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101150112625 SSN3 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100401597 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) MIG1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- -1 chalcogenide compound Chemical class 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 239000011232 storage material Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了一种用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法，纳米薄膜材料的化学组成通式为（Sb70Se30）xN1-x，其中x=0.69～0.75。与传统的Ge2Sb2Te5相变薄膜材料相比，本发明的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度；同时本发明的薄膜材料具有较高的晶化温度和激活能，从而能够极大的改善PCRAM的稳定性。制备方法通过控制磁控溅射时通入的氮气流量来控制SbSe基掺氮纳米薄膜材料中氮元素的含量，氮元素的含量能够得到精确的控制。
Description
技术领域
本发明涉及一种微电子技术领域的相变存储材料及其制备方法，具体涉及一种用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法。
背景技术
相变存储器（Phase-Change Random Access Memory，简称PCRAM）的存储介质是以硫系化合物为基础的相变材料，其原理是利用电脉冲热量使存储介质材料在晶态（低电阻）与非晶态（高电阻）之间相互转换实现信息的写入和擦除，信息的读出依靠测量电阻的变化来实现。由于相变存储器具有读取速度快、稳定性强、功耗低、存储密度高、与传统的CMOS工艺兼容等优点，从而使信息功能材料成为研究热点。
目前研究和使用较多的相变材料是Ge-Sb-Te三元合金，特别是Ge2Sb2Te5，该材料是利用可逆相变前后电阻的差异实现数据存储的。虽然Ge2Sb2Te5在热稳定性、读写速度上有着比较突出的性能，但是也存在严重的问题：材料的结晶温度较低，约为165℃左右；虽然基于Ge2Sb2Te5的存储器数据能够在85℃下保持10年，但是存储器在高温时面临着数据丢失的危险。另外，材料中的碲元素低熔点低蒸汽压，容易在高温制备过程中产生挥发，对人体和环境有着负面的影响。若能将Ge-Sb-Te三元合金中的Te去除变成二元合金，同时不影响甚至提高相变材料的性能，是本发明所要解决的技术问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种高速、高稳定性、低功耗的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法。
实现本发明目的的技术方案是一种用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料，化学组成通式为（Sb70Se30）xN1-x，其中x=0.69～0.75。
作为优选的，x=0.70～0.74。进一步优选的，x=0.7392、0.7255、0.7150、0.7021。
上述的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料的制备方法，括以下步骤：
①基片的准备，将基片洗净烘干待用。
②磁控溅射的准备，在磁控溅射镀膜系统中，将步骤①洗净的待溅射的基片放置在基托上，将Sb70Se30合金靶材安装在磁控射频溅射靶中，并将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空。
③（Sb70Se30）xN1-x纳米薄膜材料的制备，向溅射腔室通入高纯氩气和高纯氮气作为溅射气体，高纯氩气和高纯氮气的总流量为30sccm，溅射气压为0.15Pa～0.35Pa；首先清洁Sb70Se30靶材表面，待Sb70Se30靶材表面清洁完毕后，关闭Sb70Se30靶上所施加的射频电源，将待溅射的SiO2/Si（100）基片旋转到Sb70Se30靶位，然后开启Sb70Se30靶位射频电源，开始溅射得到（Sb70Se30）xN1-x纳米薄膜材料。
上述步骤②将靶材安装在磁控射频溅射靶中后，将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空直至腔室内真空度达到1×10-4 Pa。
上述步骤③中高纯氮气的流量为1sccm～4sccm。
作为优选的，高纯氮气的流量为1sccm，制得的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料的化学式（Sb70Se30）xN1-x中x=0.7392；或者高纯氮气的流量为2sccm，制得的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料的化学式（Sb70Se30）xN1-x中x= 0.7255；或者高纯氮气的流量为3sccm，制得的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料的化学式（Sb70Se30）xN1-x中x= 0.7150；或者高纯氮气的流量为4sccm，制得的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料的化学式（Sb70Se30）xN1-x中x= 0.7021 。
进一步的，步骤③中射频电源的溅射功率设定为25W～35W。开启Sb70Se30靶位射频电源，开始溅射得到（Sb70Se30）xN1-x纳米薄膜材料时，溅射速率为0.40nm/s～0.41 nm/s。
本发明具有积极的效果：（1）与传统的Ge2Sb2Te5相变薄膜材料相比，本发明的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度；同时本发明的薄膜材料具有较高的晶化温度和激活能，从而能够极大的改善PCRAM的稳定性。
（2）本发明的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料具有更高的非晶态和晶态电阻，可以有效降低PCRAM操作功耗。
（3）本发明的制备方法通过控制磁控溅射时通入的氮气流量来控制SbSe基掺氮纳米薄膜材料中氮元素的含量，氮元素的含量能够得到精确的控制。
附图说明
图1为实施例1制得的SbSe基掺氮纳米薄膜材料的EDS能谱图，图1中横坐标Energy为能量，纵坐标KCnt为计数；
图2为各实施例的纳米相变薄膜材料和对比例1的Sb70Se30相变薄膜材料的原位电阻与温度的关系曲线，图2中横坐标的Temperature为温度，纵坐标的Resistance为电阻；
图3为各实施例的纳米相变薄膜材料和对比例1的Sb70Se30相变薄膜材料的失效时间与温度倒数的对应关系曲线，图3中纵坐标的Failure-time为失效时间。
具体实施方式
（实施例1）
本实施例的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料的化学组成通式为（Sb70Se30）xN1-x，其中x=0.69～0.75（本实施例中x=0.7392）。
SbSe基掺氮纳米薄膜材料采用磁控溅射法制得；制备时通入高纯氮气和高纯氩气，氮气和氩气的气体总流量为30sccm，其中通入氮气的流量为1 sccm；溅射气压为0.15 Pa～0.35Pa，具体制备方法包括以下步骤：
①基片的清洗，清洗基片的表面和背面，以去除灰尘颗粒、有机和无机杂质。选取尺寸为5mm×5mm的SiO2/Si（100）基片，先在超声清洗机中将基片在丙酮（纯度为99%以上）中超声清洗3～5分钟，洗毕取出用去离子水冲洗；接着在超声清洗机中将基片在乙醇（纯度在99%以上）中超声清洗3～5分钟，洗毕取出用去离子水冲洗，冲洗干净后用高纯N2吹干表面和背面；吹干后的基片送入烘箱中烘干水汽，烘干后的基片待用，其中烘箱温度设置为120℃，烘干时间20分钟。
②磁控溅射的准备。
在磁控溅射镀膜系统（JGP-450型）中，将步骤①准备的待溅射的SiO2/Si（100）基片放置在基托上，将Sb70Se30合金（原子百分比99.999%）作为靶材安装在磁控射频（RF）溅射靶中，并将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空直至腔室内真空度达到1×10-4 Pa。
③（Sb70Se30）xN1-x纳米薄膜材料的制备。
向溅射腔室通入高纯氩气和高纯氮气作为溅射气体，高纯氩气中氩气体积百分比达到99.999%；高纯氮气中氮气体积百分比达到99.999%。设定Ar气流量为29sccm，N2流量为1sccm(将所得到的薄膜记为GSN1)，并将溅射气压调节至0.15Pa～0.35Pa（本实施例中为0.2Pa）；设定射频电源的溅射功率为25W～35W（本实施例中为30W）。
将空基托旋转到Sb70Se30靶位，打开Sb70Se30靶上所施加的射频电源，设定溅射时间100s，开始对Sb70Se30靶材进行溅射以清洁Sb70Se30靶材表面。
待Sb70Se30靶材表面清洁完毕后，关闭Sb70Se30靶上所施加的射频电源，将待溅射的SiO2/Si（100）基片旋转到Sb70Se30靶位，然后开启Sb70Se30靶位射频电源，开始溅射得到（Sb70Se30）xN1-x纳米薄膜材料，溅射速率为0.4075nm/s，溅射时间设定为100s。
本实施例溅射获得的（Sb70Se30）xN1-x纳米薄膜材料的厚度为40nm。薄膜材料的厚度由溅射时间控制，溅射时间越长，薄膜的厚度越厚，溅射时间越短，薄膜的厚度越薄。
经场发射扫描电子显微镜能谱仪EDS（型号：日立S-4700）定量分析，本实施例的薄膜材料的化学组成式（Sb70Se30）xN1-x中x=0.7392。EDS能谱图见图1。
（实施例2）
本实施例的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料的化学组成式（Sb70Se30）xN1-x中，x=0.7255。
制备方法其余与实施例1相同，不同之处在于：步骤③向溅射腔室通入高纯氩气和高纯氮气时，设定Ar气流量为28sccm，N2流量为2sccm。
（实施例3）
本实施例的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料的化学组成式（Sb70Se30）xN1-x中，x=0.7150。
制备方法其余与实施例1相同，不同之处在于：步骤③向溅射腔室通入高纯氩气和高纯氮气时，设定Ar气流量为27sccm，N2流量为3sccm。
（实施例4）
本实施例的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料的化学组成式（Sb70Se30）xN1-x中，x=0.7021。
制备方法其余与实施例1相同，不同之处在于：步骤③向溅射腔室通入高纯氩气和高纯氮气时，设定Ar气流量为26sccm，N2流量为4sccm。
（对比例1）
本对比例制备的是未掺氮的Sb70Se30相变薄膜材料，其制备方法其余与实施例1相同，不同之处在于：
步骤③中，调节向溅射腔室通入的高纯氩气的流量为30sccm，溅射气压为0.3Pa。
Sb70Se30靶材表面清洁完毕后，关闭Sb70Se30靶上所施加的射频电源，将待溅射基片旋转到Sb70Se30靶位，开启Sb70Se30靶位射频电源，溅射100s后得到Sb70Se30相变薄膜材料，薄膜厚度为40nm。
（实验例1）
为了了解本发明的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料的性能，按照实施例1至实施例4的制备方法，分别制得薄膜厚度为40nm的掺氮量不同的SbSe基掺氮纳米薄膜材料，对实施例1至实施例4制得的薄膜材料和对比例1制得的薄膜材料进行测试，得到各相变薄膜材料的原位电阻与温度的关系曲线和各相变薄膜材料的失效时间与温度倒数的对应关系曲线。
各相变薄膜材料的原位电阻与温度的关系曲线见图2，各相变薄膜材料的失效时间与温度倒数的对应关系曲线见图3。在图2和图3中，SSN0为对比例1的未掺氮的薄膜材料；SSN1为实施例1制备的SbSe基掺氮纳米薄膜，溅射时溅射腔室通入的高纯氮气的流量为1sccm； SSN2为实施例2制备的SbSe基掺氮纳米薄膜，溅射时溅射腔室通入的高纯氮气的流量为2sccm；SSN3为实施例3制备的SbSe基掺氮纳米薄膜，溅射时溅射腔室通入的高纯氮气的流量为3sccm；SSN4为实施例4制备的SbSe基掺氮纳米薄膜，溅射时溅射腔室通入的高纯氮气的流量为4sccm。
各相变薄膜材料的原位电阻与温度的关系测试方法如下：通过一个加热平台外接一个Keithley 6517 高阻表搭建了一个原位测量电阻-温度以及电阻-时间关系的测试系统。加热平台的温度由英国 Linkam 科学仪器有限责任公司 TP 94 型温度控制系统调节，降温通过 LNP94/2 型冷却系统利用液氮进行控制，升降温速率最高可到 90 ℃/min，控温非常精确。本测试过程中所采用的升温速率为10℃/min。在升降温过程中，固定加在薄膜探针上的电压为2.5V，利用高阻表测出随温度变化的电流，再换算成相应的电阻。
见图2，在低温下，所有薄膜材料处于高电阻的非晶态。随着温度的不断升高，薄膜材料的电阻缓慢降低，当达到其相变温度时，薄膜材料的电阻迅速降低，到达某一值后基本保持该电阻不变，表明薄膜发生了由非晶态到晶态的转变。测试结果表明，薄膜材料的晶化温度由对比例1未掺氮时的205℃增加到SSN4的245℃，说明本发明的相变薄膜材料的热稳定性较高。同时，本发明的相变薄膜材料的晶态电阻由未掺氮时的800Ω增加到SSN4的3500Ω，扩大了4倍多，从而可以有效降低RESET过程的功耗。
各相变薄膜材料的失效时间与温度倒数的对应关系测试方法如下：在不同的恒定退火温度下测量相变薄膜材料的电阻随退火时间的变化曲线，当薄膜材料的电阻降低至原来值的50%时，我们即认为电阻已经失效。将不同温度下的失效时间和对应温度的倒数作图，并将曲线延长至10年（约315360000s），得到对应的温度。根据业内的统一评判标准之一，将利用相变材料将数据保持10年时对应的温度来评判材料的数据保持能力。
见图3，对比例1未掺氮的SSN0相变薄膜材料将数据保持10年的温度只有131℃，而本发明的SSNx(x =1，2，3，4)相变薄膜将数据保持10年的温度均得到了提高，其中SSN4纳米薄膜材料将数据保持10年的温度提高到了156℃。传统的Ge2Sb2Te5薄膜材料将数据保持10年的温度为85℃。本发明的SbSe基掺氮纳米薄膜材料具有比传统Ge2Sb2Te5薄膜材料更加优异的数据保持能力。
Claims (5)
1.一种用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料，其特征在于：化学组成通式为（Sb70Se30）xN1-x，其中x=0.69～0.75。
2.根据权利要求1所述的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料，其特征在于：x=0.70～0.74。
3.一种如权利要求1所述的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
①基片的准备，将基片洗净烘干待用；
②磁控溅射的准备，在磁控溅射镀膜系统中，将步骤①洗净的待溅射的基片放置在基托上，将Sb70Se30合金靶材安装在磁控射频溅射靶中，并将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空；
③（Sb70Se30）xN1-x纳米薄膜材料的制备，向溅射腔室通入高纯氩气和高纯氮气作为溅射气体，高纯氩气和高纯氮气的总流量为30sccm，溅射气压为0.15Pa～0.35Pa；首先清洁Sb70Se30靶材表面，待Sb70Se30靶材表面清洁完毕后，关闭Sb70Se30靶上所施加的射频电源，将待溅射的SiO2/Si（100）基片旋转到Sb70Se30靶位，然后开启Sb70Se30靶位射频电源，开始溅射得到（Sb70Se30）xN1-x纳米薄膜材料。
4.根据权利要求3所述的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤②将靶材安装在磁控射频溅射靶中后，将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空直至腔室内真空度达到1×10-4 Pa。
5.根据权利要求4所述的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤③中高纯氮气的流量为1sccm～4sccm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510067737.XA CN104681720A (zh) | 2015-02-09 | 2015-02-09 | 用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510067737.XA CN104681720A (zh) | 2015-02-09 | 2015-02-09 | 用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104681720A true CN104681720A (zh) | 2015-06-03 |
Family
ID=53316517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510067737.XA Pending CN104681720A (zh) | 2015-02-09 | 2015-02-09 | 用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104681720A (zh) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105514270A (zh) * | 2015-12-22 | 2016-04-20 | 江苏理工学院 | 一种Ge-Sb-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 |
| CN106340585A (zh) * | 2016-09-27 | 2017-01-18 | 江苏理工学院 | 一种掺氧SbSe纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 |
| CN106374042A (zh) * | 2016-09-26 | 2017-02-01 | 江苏理工学院 | 一种掺氮的Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法与用途 |
| CN106410025A (zh) * | 2016-10-19 | 2017-02-15 | 江苏理工学院 | 一种掺氧的Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法与用途 |
| CN109301064A (zh) * | 2018-08-28 | 2019-02-01 | 江苏理工学院 | 一种Sb70Se30/C多层复合相变薄膜及其制备方法和应用 |
| CN109904311A (zh) * | 2017-12-08 | 2019-06-18 | 江苏理工学院 | 一种用于相变存储器的Sb-Se-Ti系列纳米复合相变薄膜及其制备方法 |
| CN112820822A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-18 | 杭州电子科技大学 | 提高Sb2Se相变薄膜的热稳定性和结晶速度的方法 |
| CN114933330A (zh) * | 2022-04-14 | 2022-08-23 | 宁波大学 | 一种富Sb的二元相变神经元基质材料及其制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060281217A1 (en) * | 2003-02-24 | 2006-12-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods For Fabricating Phase Changeable Memory Devices |
| CN1976083A (zh) * | 2005-11-28 | 2007-06-06 | 旺宏电子股份有限公司 | 相变化存储单元及其制造方法 |
| CN101106173A (zh) * | 2006-04-21 | 2008-01-16 | 三星电子株式会社 | 形成相变材料层的方法及使用其形成的相变存储器件 |
| TW200835006A (en) * | 2007-02-09 | 2008-08-16 | Samsung Electronics Co Ltd | Multi bit phase-change random access memory devices and methods of forming the same |
| CN101271960A (zh) * | 2006-12-15 | 2008-09-24 | 三星电子株式会社 | 相变层及其形成方法,相变存储器件及其制造方法 |
| CN103887430A (zh) * | 2014-03-28 | 2014-06-25 | 江苏理工学院 | 掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法 |
-
2015
- 2015-02-09 CN CN201510067737.XA patent/CN104681720A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060281217A1 (en) * | 2003-02-24 | 2006-12-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods For Fabricating Phase Changeable Memory Devices |
| US20080169457A1 (en) * | 2003-02-24 | 2008-07-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Phase changeable memory devices including nitrogen and/or silicon |
| CN1976083A (zh) * | 2005-11-28 | 2007-06-06 | 旺宏电子股份有限公司 | 相变化存储单元及其制造方法 |
| CN101106173A (zh) * | 2006-04-21 | 2008-01-16 | 三星电子株式会社 | 形成相变材料层的方法及使用其形成的相变存储器件 |
| CN101271960A (zh) * | 2006-12-15 | 2008-09-24 | 三星电子株式会社 | 相变层及其形成方法,相变存储器件及其制造方法 |
| TW200835006A (en) * | 2007-02-09 | 2008-08-16 | Samsung Electronics Co Ltd | Multi bit phase-change random access memory devices and methods of forming the same |
| CN103887430A (zh) * | 2014-03-28 | 2014-06-25 | 江苏理工学院 | 掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| M. J. KANG, ET AL.: "《Structural transformation of SbxSe100-x thin films for phase change nonvolatile memory applications》", 《JOURNAL OF APPLIED PHYSICS》 * |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105514270A (zh) * | 2015-12-22 | 2016-04-20 | 江苏理工学院 | 一种Ge-Sb-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 |
| CN106374042A (zh) * | 2016-09-26 | 2017-02-01 | 江苏理工学院 | 一种掺氮的Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法与用途 |
| CN106340585A (zh) * | 2016-09-27 | 2017-01-18 | 江苏理工学院 | 一种掺氧SbSe纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 |
| CN106410025A (zh) * | 2016-10-19 | 2017-02-15 | 江苏理工学院 | 一种掺氧的Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法与用途 |
| CN109904311A (zh) * | 2017-12-08 | 2019-06-18 | 江苏理工学院 | 一种用于相变存储器的Sb-Se-Ti系列纳米复合相变薄膜及其制备方法 |
| CN109301064A (zh) * | 2018-08-28 | 2019-02-01 | 江苏理工学院 | 一种Sb70Se30/C多层复合相变薄膜及其制备方法和应用 |
| CN112820822A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-18 | 杭州电子科技大学 | 提高Sb2Se相变薄膜的热稳定性和结晶速度的方法 |
| CN114933330A (zh) * | 2022-04-14 | 2022-08-23 | 宁波大学 | 一种富Sb的二元相变神经元基质材料及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104681720A (zh) | 用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法 | |
| CN106206943B (zh) | 氮掺杂改性的相变薄膜材料及其制备方法 | |
| CN106374041B (zh) | 一种Sb70Se30/SiO2多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用 | |
| CN104659209B (zh) | 用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法 | |
| CN105489758B (zh) | 用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法 | |
| CN104795494A (zh) | 用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法 | |
| CN105679934A (zh) | 一种多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用 | |
| CN104900807A (zh) | 用于高速低功耗相变存储器的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法 | |
| CN107195779A (zh) | 一种GeSb/SiO2多层相变薄膜材料、制备方法及应用 | |
| CN102800807B (zh) | 一种用于低功耗高可靠性相变存储器的掺氧纳米薄膜材料及其制备和应用 | |
| CN105355783A (zh) | 一种用于高密度相变存储器的多层纳米复合薄膜材料及其制备方法 | |
| CN106953006A (zh) | 一种SiO2 掺杂Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法与用途 | |
| CN106410025A (zh) | 一种掺氧的Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法与用途 | |
| CN104393171A (zh) | 一种用于快速高稳定性相变存储器的掺氮纳米薄膜材料及其制备方法 | |
| CN105304815B (zh) | 一种用于低功耗相变存储器的多层纳米复合薄膜材料及其制备方法 | |
| CN107342362A (zh) | 一种Mg‑Sb‑Se纳米相变薄膜及其制备方法 | |
| Wang et al. | Ge/Sb2Te3 nanocomposite multilayer films for high data retention phase-change random access memory application | |
| CN105742489A (zh) | 一种用于相变存储器的Zr掺杂Ge2Sb2Te5薄膜材料及其制备方法 | |
| CN110137349B (zh) | 一种二氧化钒-富Sb相变薄膜材料及其制备方法 | |
| CN107768518B (zh) | 一种用于相变存储器的Al/Ge10Sb90类超晶格相变薄膜材料及制备方法 | |
| CN106374042A (zh) | 一种掺氮的Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法与用途 | |
| Li et al. | GeTe4 as a candidate for phase change memory application | |
| CN107093667A (zh) | 一种用于高稳定性相变存储器的Ge‑Cu‑Te纳米相变薄膜材料及制备方法 | |
| Wang et al. | Phase transition behaviors of Ga30Sb70/Sb80Te20 nanocomposite multilayer films for application in phase change random access memory | |
| CN109166965A (zh) | 一种Sb70Se30/Si多层复合相变薄膜及其制备方法和应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20150603 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |