CN104584110B - 使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种使用半导体发光器件的显示装置和一种用于制造该半导体发光器件的方法。所述显示装置包括：基板；多个第一电极，其被布置在基板上；各向异性导电膜，其被布置在设置有第一电极的基板上；多个半导体发光器件，其被布置在各向异性导电膜层上，电连接至第一电极并且构成单独的像素；以及多个第二电极，其被布置在半导体发光器件之间并且电连接至这些半导体发光器件。因此，可以通过使用各向异性导电膜来简化半导体发光器件阵列的排列。由于极好的亮度，在尺寸上小的半导体发光器件可以形成单独的子像素。另外，半导体发光器件之间的距离足够长，以实现柔性显示装置。

Description

使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示装置，并且更具体地，涉及一种使用半导体发光器件的显示装置。
背景技术
自使用GaAsP半导体的红色发光二极管(LED)在1962年被商业化以来，连同绿色GaP:N LED，LED成为了众所周知的半导体发光器件，其将电流转换成光并且已经被用作包括信息通信设备在内的电子设备的用于显示图像的光源。
氮化物化合物半导体(诸如氮化稼(GaN))具有高热稳定性和范围从0.8到6.2eV的宽带隙，并且因此已经在用于包括LED在内的高功率输出电子组件器件的开发的领域中受到了大量关注。
氮化稼(GaN)为什么吸引了大量兴趣的原因之一是因为能够通过与诸如铟(In)、铝(Al)等这样的其它元素结合使用GaN来制造发射绿色光、蓝色光和白色光的半导体层。
由于通过使用GaN控制发射波长的能力，可以将发射波长调整至适于依照特定设备的特点使用的材料的固有特性的期望范围。例如，GaN的使用使得能够制造对光学记录有利的蓝色LED和能够替代白炽灯的白色LED。
因此，氮化物半导体在蓝色/绿色激光二极管和发光二极管(LED)的制造中被广泛地用作基底材料。
同时，照惯例，液晶显示(LCD)装置和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示装置被广泛地用作平板显示装置。
然而，LCD装置具有慢响应时间并且消耗由LED器件的背光单元(BLU)的效率的减小所导致的大量电力。AMOLED显示装置具有有机材料的低可靠性，从而将寿命减小至2年或更小，并且具有低生产率。
发明内容
技术问题
设计以解决该问题的本发明的目的在于通过将半导体发光器件实现为子像素来使用半导体发光器件的显示装置。
技术解决方案
能够通过提供使用半导体发光器件的显示装置来实现本发明的目的，所述显示装置包括：基板；多个第一电极，其被布置在所述基板上；各向异性导电膜，其被布置在设置有所述第一电极的所述基板上；多个半导体发光器件，其被布置在所述各向异性导电膜层上，电连接至所述第一电极并且构成单独的像素；以及多个第二电极，其被布置在所述半导体发光器件之间并且电连接至所述半导体发光器件。
所述半导体发光器件可以按照多行被排列(align)，并且所述第二电极可以被布置在所述半导体发光器件的所述行之间。
所述第一电极和所述第二电极可以是条状电极。
所述第二电极可以经由从所述第二电极突出的连接电极电连接至所述半导体发光器件。
所述第一电极和所述第二电极可以被排列为彼此垂直。
所述半导体发光器件中的每一个可以具有长度为50μm或更小的一条边。
还可以在所述半导体发光器件之间布置屏障壁。
所述屏障壁可以包括黑色绝缘材料或白色绝缘材料。
所述显示装置还可以包括波长转换层，所述波长转换层被布置在所述半导体发光器件上。
所述半导体发光器件可以是蓝色半导体发光器件，并且所述波长转换层可以包括构成单独的像素的红色荧光(磷光体)材料和绿色荧光(磷光体)材料。
所述波长转换层还可以包括在所述荧光(磷光体)材料之间布置的黑底(blackmatrix)。
所述半导体发光器件可以是蓝色半导体发光器件，并且所述波长转换层可以包括构成单独的像素的红色荧光(磷光体)材料、绿色荧光(磷光体)材料和黄色荧光(磷光体)材料。
所述半导体发光器件可以包括红色半导体发光器件、绿色半导体发光器件和蓝色半导体发光器件。
所述显示装置还可以包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源区域、漏区域、以及在所述源区域与所述漏区域之间布置的栅极并且布置在所述基板与所述第一电极之间。
所述显示装置还可以包括层间绝缘层，所述层间绝缘层被布置在所述基板上以覆盖所述薄膜晶体管。
所述第一电极可以经由穿透所述层间绝缘层的通孔电极电连接至所述薄膜晶体管。
红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素可以构成一个像素，或者红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素可以构成一个像素。
在本发明的另一方面中，本文中所提供的是一种用于制造使用半导体发光器件的显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：在布置有多个第一电极的第一基板上涂覆各向异性导电膜；布置第二基板，在所述第二基板上布置有与所述第一电极的位置对应的并且构成单独的像素的多个半导体发光器件，以允许所述第一电极和所述半导体发光器件面向彼此；热压所述第一基板和所述第二基板；去除所述第二基板；以及在通过去除所述第二基板暴露的所述半导体发光器件之间形成第二电极。
有益效果
根据本发明，由于极好的亮度，尺寸上小的半导体发光器件可以构成单独的子像素。另外，半导体发光器件之间的距离足够长，以实现柔性显示装置。
另外，可以通过使用各向异性导电膜来简化半导体发光器件的排列。
此外，因为构成单独的像素的半导体发光器件之间的距离足够长，所以第二电极可以被布置在半导体发光器件之间。
要理解的是，待由本发明实现的技术有益效果不限于前述的技术有益效果，并且未被提到的其它技术有益效果对于本发明所属的技术的普通技术人员而言根据下列描述将是显而易见的。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解，附图例示了本发明的实施方式，并且与本说明书一起用来解释本发明的原理。
在附图中：
图1是例示了根据第一实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的示意立体图；
图2是沿着图1的线A-A截取的截面图；
图3是例示了在显示装置中使用的半导体发光器件的截面图；
图4是例示了根据第二实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的示意立体图；
图5是沿着图4的线B-B截取的截面图；
图6是例示了根据第三实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的示意立体图；
图7是沿着图6的线C-C截取的截面图；
图8是例示了根据第四实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的示意立体图；
图9例示了根据第五实施方式的用于描述制造使用半导体发光器件的显示装置的方法的截面图；
图10是例示了上面形成有用于显示装置的半导体发光器件的晶片的平面图；以及
图11是例示了根据第六实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的截面图。
具体实施方式
现在将详细地参考本发明的优选实施方式，在附图中例示了本发明的优选实施方式的示例。
对于本领域技术人员将显而易见的是，能够在不脱离本发明的精神或范围的情况下对本发明做出各种修改和变型。附图被用来提供本发明的技术思想的容易理解，并且应当理解的是，本发明的思想不受附图限制。因此，本发明的概念应当被解释为扩展到除了附图之外的任何变更、等同物和替换。
将要理解的是，当一个部件(element)(诸如层、区域或基板)被称为在另一个部件“上(on)”时，该部件能够直接在所述另一个部件上或者还可以存在介于中间的部件。
将要理解的是，尽管术语第一、第二等可以在本文中被用来描述各种部件、组件、区域、层和/或部分，但是这些部件、组件、区域、层和/或部分不应当受这些术语限制。
第一实施方式
图1是例示了根据第一实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的示意立体图。图2是沿着图1的线A-A截取的截面图。
参照图1和图2，使用半导体发光器件的显示装置是使用半导体发光器件的无源矩阵(PM)型的显示装置。
使用半导体发光器件的显示装置包括基板100、多个第一电极200、各向异性导电膜300、多个半导体发光器件400和多个第二电极600。
基板100可以是上面排列有第一电极200的电路板。基板可以包括玻璃或聚酰亚胺(PI)，以实现柔性显示装置。然而，还可以使用任何适当的绝缘和柔性材料。
第一电极200用作数据电极并且被布置在基板100上。例如，可以以相等间隔在基板100上排列多个第一电极200。第一电极200可以是条状电极。
在设置有第一电极200的基板100上形成各向异性导电膜300。各向异性导电膜(ACF)由多个颗粒形成，其中，导电芯分别涂覆有绝缘膜。
当对各向异性导电膜施加压力或热时，绝缘膜在施加有压力或热的区域处被破坏，使得各向异性导电膜的这些区域经由各向异性导电膜的暴露的芯电连接至一层。在这种情况下，可以使这些芯变形以连接至该层。
例如，在各向异性导电膜300被布置在设置有第一电极200的基板100上之后，通过对各向异性导电膜300施加热或压力使半导体发光器件400连接至各向异性导电膜300。
在这种情况下，各向异性导电膜300在半导体发光器件400与被施加热或压力的第一电极200之间的导电区域302处变成导电的。各向异性导电膜300在未被施加热或压力的非导电区域301处是不导电的。
因此，各向异性导电膜300不仅可以将半导体发光器件400接合至第一电极200，而且可以将半导体发光器件400与第一电极200电连接。
这些半导体发光器件400构成单独的像素并且被布置在各向异性导电膜300上。另外，半导体发光器件400电连接至第一电极200。
例如，第一电极200可以经由布置在第一电极200与半导体发光器件400之间的各向异性导电膜300的导电区域302电连接至半导体发光器件400。就这一点而言，半导体发光器件400可以被布置在第一电极200上。
由于极好的亮度，尺寸上小的半导体发光器件400可以形成单独的子像素。半导体发光器件400中的每一个可以具有矩形或正方形形状，该矩形或正方形形状具有50μm或更小的一条边。
例如，使用具有10μm的一条边的正方形半导体发光器件400作为单独的子像素的显示装置具有足够的亮度。
因此，在具有600μm的一条边和300μm的另一条边的矩形子像素中，半导体发光器件400之间的距离足以实现柔性显示装置。
图3是例示了在显示装置中使用的半导体发光器件400的截面图。参照图3，半导体发光器件400具有垂直结构。
该垂直的半导体发光器件包括p型电极414、布置在p型电极414上的p型半导体层413、布置在p型半导体层413上的有源层412、布置在有源层412上的n型半导体层411以及布置在n型半导体层411上的n型电极415。
在这种情况下，布置在下部的p型电极414可以经由各向异性导电膜300的导电区域302电连接至第一电极200。布置在上部的n型电极415可以电连接至第二电极600，这将稍后被描述。
因为电极被布置在垂直的半导体发光器件400的上部和下部，所以垂直的半导体发光器件400的芯片尺寸可以减小。
同时，氮化物半导体发光器件可以被用作半导体发光器件400。这些氮化物半导体发光器件可以包括氮化稼(GaN)(作为主要元素)以及铟(In)和/或铝(Al)，以实现发射包括蓝色光的各种颜色的光的高功率输出发光器件。
第二电极600被布置在半导体发光器件400之间并且电连接至半导体发光器件400。
例如，半导体发光器件400以多行被排列，并且第二电极600中的每一个可以被布置在半导体发光器件400的这些行之间。构成单独的像素的半导体发光器件400之间的距离足够长，以允许第二电极600中的每一个被布置在半导体发光器件400之间。
第二电极600可以是条状电极。例如，第一电极200和第二电极600可以分别被排列为彼此垂直。因此，形成了PM结构。
另外，第二电极600可以经由从第二电极600突出的连接电极610电连接至半导体发光器件400。例如，在垂直的半导体发光器件400中，第二电极600可以经由连接电极610电连接至半导体发光器件400的n型电极。
第二电极600可以被直接布置在各向异性导电膜300上。当场合需要时，可以在设置有半导体发光器件400的基板100上形成包括硅氧化物(SiOx)等的透明绝缘层(未示出)，并且随后可以在该透明绝缘层上布置第二电极600。
另外，可以与各向异性导电膜300或该透明绝缘层间隔开形成第二电极600。
同时，为了将第二电极600布置在半导体发光器件400上，将使用由例如铟锡氧化物(ITO)形成的透明电极。然而，基于ITO的材料具有对n型半导体层的低粘附性。
相应地，水平的第二电极600被分别布置在半导体发光器件400之间。因此，可以没有必要形成诸如ITO电极这样的透明电极。
因此，用来形成第二电极600的材料不限于透明材料。代替地，可以使用具有对n型半导体层的高粘附性的导电材料来形成水平的第二电极600，以提高光提取效率。
还可以在垂直的半导体发光器件400之间布置屏障壁500，以便隔离构成单独的像素的半导体发光器件400中的每一个。
就这一点而言，屏障壁500可以使单独的子像素彼此隔离，并且可以使用反射屏障壁作为屏障壁500。
根据显示装置的功能，屏障壁500可以包括黑色绝缘材料或白色绝缘材料。当使用包括白色绝缘材料的屏障壁500时，可以提高反射率。当使用包括黑色绝缘材料的屏障壁500时，可以在具有反射率的同时提高对比率。
同时，当第二电极600被布置在半导体发光器件400之间的各向异性导电膜300上时，可以在垂直的半导体发光器件400之间和在第二电极600之间布置屏障壁500。
因此，尺寸上小的半导体发光器件400可以构成单独的子像素。由于半导体发光器件400之间的距离足够长，从而允许第二电极600被布置在半导体发光器件400之间。因此，可以实现柔性显示装置。
另外，可以通过使用各向异性导电膜来简化半导体发光器件阵列的结构。具体地，垂直的半导体发光器件具有更简单的设计。
第二实施方式
图4是例示了根据第二实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的示意立体图。图5是沿着图4的线B-B截取的截面图。
参照图4和图5，例示了应用有半导体发光器件阵列的PM型的全色显示器。
使用半导体发光器件的显示装置包括基板100、多个第一电极200、各向异性导电膜300、多个半导体发光器件400、屏障壁500和多个第二电极600。
也就是说，多个第一电极200被布置在基板100上，并且各向异性导电膜300被布置在该多个第一电极200上。
另外，多个半导体发光器件400被布置在各向异性导电膜300上以电连接至第一电极200，并且构成单独的像素(子像素)。例如，半导体发光器件400可以分别具有垂直结构。
另外，多个第二电极600被布置在半导体发光器件400之间，以与第一电极200的纵向方向垂直并且电连接至垂直的半导体发光器件400。
屏障壁500被布置在半导体发光器件400之间。
在这种情况下，半导体发光器件400可以是红色半导体发光器件401、绿色半导体发光器件402和蓝色半导体发光器件403，以构成子像素。
例如，可以设计全色显示器，其中，红色半导体发光器件401、绿色半导体发光器件402和蓝色半导体发光器件403被依次排列，并且红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素通过使用红色半导体发光器件401、绿色半导体发光器件402和蓝色半导体发光器件403来构成一个像素。
第三实施方式
图6是例示了根据第三实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的示意立体图。图7是沿着图6的线C-C截取的截面图。
参照图6和图7，例示了其中波长转换层700被应用于半导体发光器件阵列的PM型的全色显示器。
使用半导体发光器件的显示装置包括基板100、多个第一电极200、各向异性导电膜300、多个半导体发光器件400、屏障壁500、多个第二电极600和波长转换层700。
也就是说，多个第一电极200被布置在基板100上，并且各向异性导电膜300被布置在该多个第一电极200上。
另外，构成单独的像素并且电连接至第一电极200的多个半导体发光器件400被布置在各向异性导电膜300上。例如，半导体发光器件400可以分别具有垂直结构。
另外，多个第二电极600被分别布置在半导体发光器件400之间，以与第一电极200的纵向方向垂直并且电连接至垂直的半导体发光器件400。
屏障壁500被布置在半导体发光器件400之间。
另外，波长转换层700被布置在半导体发光器件400上。
例如，半导体发光器件400可以是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件403，并且将蓝色(B)转换成子像素的颜色的波长转换层700可以被安装在半导体发光器件400上。
就这一点而言，波长转换层700可以包括构成单独的子像素的红色荧光(磷光体)材料701和绿色荧光(磷光体)材料702。
也就是说，在红色子像素处，可以在蓝色半导体发光器件403上形成可以将蓝色(B)光转换成红色(R)光的红色荧光(磷光体)材料701。在绿色子像素处，可以在蓝色半导体发光器件403上形成可以将蓝色(B)光转换成绿色(G)光的绿色荧光(磷光体)材料702。
另外，在蓝色子像素处，可以单独形成蓝色(B)半导体发光器件403。在这种情况下，红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素可以构成一个像素。
同时，如果需要，则半导体发光器件400可以是分别包括黄色波长转换层的白色发光器件。在这种情况下，可以将红色荧光(磷光体)材料、绿色荧光(磷光体)材料和蓝色荧光(磷光体)材料布置在白色发光器件上，以形成子像素。
另外，可以使用滤色器来形成子像素，在该滤色器中，重复地布置了红色、绿色和蓝色。
就这一点而言，可以在荧光(磷光体)材料之间布置黑底710，以便增加对比率。也就是说，黑底710可以提高对比度。
因此，可以通过将红色荧光(磷光体)材料和绿色荧光(磷光体)材料应用于蓝色半导体发光器件300来设计其中红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素构成一个像素的全色显示器。
第四实施方式
图8是例示了根据第四实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的示意立体图。
参照图8，例示了其中波长转换层被应用于半导体发光器件阵列的PM型的全色显示器。
除了红色(R)子像素、绿色(G)子像素、蓝色(B)子像素和白色(W)子像素通过将红色荧光(磷光体)材料701、绿色荧光(磷光体)材料702和黄色荧光(磷光体)材料403应用于蓝色半导体发光器件403构成一个像素以外，图8中所例示的全色显示器具有与根据第三实施方式的全色显示装置相同的结构。
另外，可以通过不仅使用在荧光(磷光体)材料之间布置的黑底710而且使用在波长转换层700上布置的黑底711以隔离半导体发光器件400的发光区域来进一步提高对比度。
因此，当在其中红色(R)子像素、绿色(G)子像素、蓝色(B)子像素和白色(W)子像素构成一个像素的全色显示结构中实现全白时，可以通过最大化蓝色半导体发光器件的效率和黄色荧光(磷光体)材料的效率来减小功率。
第五实施方式
图9例示了根据第五实施方式的用于描述制造使用半导体发光器件的显示装置的方法的截面图。
参照图9，首先，通过将各向异性导电膜涂覆在布置有多个第一电极200的第一基板110上来形成各向异性导电膜(ACF)300。
第一基板110是上面排列有第一电极200的电路板。基板110可以包括玻璃或聚酰亚胺(PI)，以实现柔性显示装置。
然后，布置设置有与第一电极200的位置对应并且构成单独的像素的多个半导体发光器件400的第二基板120，使得这些第一电极200分别面向半导体发光器件400。
第二基板120是从其生长垂直的半导体发光器件400的生长基板，并且可以是蓝宝石基板或硅基板。
然后，热压第一基板110和第二基板120。因此，第一基板110和第二基板120彼此接合。
因此，第一电极200和半导体发光器件400可以分别彼此电连接，因为第一电极200与半导体发光器件400之间的各向异性导电膜300的仅接触区域通过热压变成导电的。
例如，可以通过应用ACF压头来热压第一基板110和第二基板120。
然后，去除第二基板120。例如，可以通过激光剥离(LLO)或化学剥离(CLO)去除第二基板120。
然后，在通过去除第二基板120暴露的半导体发光器件400之间形成第二电极600。
这里，半导体发光器件400和第二电极600彼此电连接。例如，以多行排列半导体发光器件400，并且可以在半导体发光器件400的这些行之间排列第二电极600。
另外，第二电极600可以经由从第二电极600突出的连接电极610电连接至半导体发光器件400。
另外，可以分别将第一电极200和第二电极600排列为彼此垂直。
然后，如果需要，则可以通过在设置有半导体发光器件400和第二电极600的基板110上涂覆硅氧化物(SiOx)等来形成透明绝缘层(未示出)。
如果需要，则可以在第二电极600的形成之前在设置有半导体发光器件400的基板110上涂覆透明绝缘层。就这一点而言，可以在透明绝缘层上布置第二电极600。
另外，该制造方法还可以包括在垂直的半导体发光器件400之间形成屏障壁(未示出)。
例如，可以通过在半导体发光器件400之间填充空间来布置屏障壁。另选地，可以通过层压和使用掩模的蚀刻来形成屏障壁。
同时，当形成晶片时，可以对在显示装置中使用的半导体发光器件进行处理，以便具有适合于该显示装置的距离和尺寸。因此，半导体发光器件可以被高效地应用于显示装置。
图10是例示了上面形成有用于显示装置的半导体发光器件的晶片的平面图。
如图10中所例示的，可以在显示装置中使用设置有用a线、b线和b'线限定的单独的半导体发光器件的晶片的区域。
就这一点而言，显示装置的面积可以与晶片的尺寸成比例。也就是说，随着晶片在尺寸上增加，可以从单个晶片实现多个显示装置。
第六实施方式
图11是例示了根据第六实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的截面图。
参照图11，例示了使用半导体发光器件400的有源矩阵(AM)型的显示装置。
使用半导体发光器件的显示装置包括基板100、薄膜晶体管800、层间绝缘膜920、多个第一电极201、各向异性导电膜300、多个半导体发光器件400和多个第二电极601。
基板100可以是电路基板，例如，其中形成有扫描线和数据线的电路基板。
薄膜晶体管800被布置在基板100上。薄膜晶体管800中的每一个包括源区域801、漏区域802和栅极803，并且沟道区域804被布置在源区域801与漏区域802之间。
例如，数据线连接至薄膜晶体管800的源区域801，扫描线连接至栅极803，并且第一电极201(即，像素电极201)连接至漏区域802。
因此，可以由薄膜晶体管800驱动发射光的像素，并且因此可以由这些像素有效地呈现颜色。
可以在设置有薄膜晶体管800的基板100上形成层间绝缘层920，以覆盖薄膜晶体管800。
第一电极201用作像素电极，被布置在层间绝缘层920上，并且被排列以与薄膜晶体管800对应。
例如，可以按照点形状来形成第一电极201。就这一点而言，第一电极201中的每一个可以经由穿透层间绝缘层920的通孔电极910电连接至薄膜晶体管800中的每一个的源区域801。
在设置有第一电极201的基板100上形成各向异性导电膜300。
在各向异性导电膜300上布置半导体发光器件400，以分别与第一电极201对应。例如，半导体发光器件400可以分别具有垂直结构。
第二电极601是在半导体发光器件400之间布置的并且电连接至这些半导体发光器件400的公共电极。
另外，还可以在半导体发光器件400之间布置屏障壁。
就这一点而言，半导体发光器件400可以包括红色半导体发光器件401、绿色半导体发光器件402和蓝色半导体发光器件403。红色半导体发光器件401、绿色半导体发光器件402和蓝色半导体发光器件403可以被依次排列，并且构成红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。因此，可以设计其中这三个子像素构成一个像素的全色显示装置。
另外，当半导体发光器件400中的全部都是蓝色半导体发光器件403时，还可以在蓝色半导体发光器件403上布置包括红色荧光(磷光体)材料和绿色荧光(磷光体)材料的波长转换层，以实现全色显示装置。
对于本领域技术人员将显而易见的是，能够在不脱离本发明的精神或范围的情况下对本发明做出各种修改和变型。因此，本发明旨在涵盖此发明的落入在所附权利要求和它们的等同物的范围内的修改和变型。

Claims (13)

1.一种使用半导体发光器件的显示装置，所述显示装置包括：
基板；
多个第一电极，其被布置在所述基板上；
各向异性导电膜，其被布置在设置有所述第一电极的所述基板上；
多个半导体发光器件，其被布置在所述各向异性导电膜的层上，电连接至所述第一电极并且构成单独的像素；
多个第二电极，其被布置在所述半导体发光器件之间并且电连接至所述半导体发光器件；以及
波长转换层，所述波长转换层被布置为与所述半导体发光器件交叠，
其中，红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素构成一个像素或者红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素构成一个像素，
其中，所述半导体发光器件是蓝色半导体发光器件，
其中，所述波长转换层包括红色部分和绿色部分，所述红色部分具有红色荧光材料，即红色磷光体材料，所述绿色部分具有绿色荧光材料，即绿色磷光体材料，
其中，所述红色部分和所述绿色部分在与所述第一电极平行的方向上延伸，
其中，所述红色部分和所述绿色部分在与所述第二电极平行的方向上交替布置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述半导体发光器件按照多行被排列；并且
所述第二电极被布置在所述半导体发光器件的所述行之间。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一电极和所述第二电极包括条状电极。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二电极经由从所述第二电极突出的连接电极电连接至所述半导体发光器件。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极和所述第二电极被排列为彼此垂直。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述半导体发光器件中的每一个具有长度为50μm或更小的一条边。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，还在所述半导体发光器件之间布置有屏障壁。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述屏障壁包括黑色绝缘材料或白色绝缘材料。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述波长转换层还包括在所述荧光材料，即磷光体材料，之间布置的黑底。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述波长转换层还包括构成单独的像素的黄色荧光材料，即黄色磷光体材料。
11.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源区域、漏区域、以及在所述源区域与所述漏区域之间布置的栅极并且布置在所述基板与所述第一电极之间。
12.根据权利要求11所述的显示装置，所述显示装置还包括层间绝缘层，所述层间绝缘层被布置在所述基板上以覆盖所述薄膜晶体管。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一电极经由穿透所述层间绝缘层的通孔电极电连接至所述薄膜晶体管。
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