CN104576698B - 一种有机发光二极管的阵列基板及其封装方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机发光二极管的阵列基板及其封装方法，用以减少有机发光二极管产品边框，减少封装工艺时间，提高基板使用率，提高生产效率。所述有机发光二极管的阵列基板包括若干阵列排布的显示面板，其中，相邻的至少两块显示面板的至少一侧边之间通过封框胶连接，不存在切割净空区。

Description

一种有机发光二极管的阵列基板及其封装方法
技术领域
本发明涉及显示、封装技术领域，尤其涉及一种有机发光二极管的阵列基板及其封装方法。
背景技术
如图1所示，现有技术中的有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)阵列基板10，包括若干阵列排布的显示面板11，显示面板11包括显示区12、显示区12边框处的封框胶13和台阶区域14，封框胶13的宽度为0.7毫米，台阶区域14指显示面板11中制作集成电路的区域。每两个显示面板11之间均存在切割净空区，切割净空区中不存在封框胶13，切割净空区指将阵列基板10切割为单个显示面板11时，切割位置处没有封框胶的区域。图中，水平方向上相邻的两个显示面板11之间的切割净空区的宽度为B，垂直方向上相邻的两个显示面板11之间的切割净空区的宽度为A，为了保证切割时不损坏显示面板，实际生产过程中切割净空区的宽度A或B预设为600微米-800微米。
图1中由于每两个显示面板11之间均存在切割净空区，封装时需要对每个显示面板进行独立的涂布封框胶，并在涂封框胶后需要进行独立的激光固化。其中，单个显示面板的封装结构截面图如图2所示，封框胶13位于上基板21和下基板20之间，在对封框胶13进行激光固化的过程中，为了更好的反射激光束，使激光束更均匀，在下基板20上设置反射层22。
综上所述，现有技术由于切割净空区的宽度A或B预设为600微米-800微米，这样导致显示面板边框较大，无法实现窄边框化。并且现有技术封装工艺较长，需要独立的涂胶工艺，独立的激光固化工艺，由于每个显示面板都是独立的涂胶封装，独立的激光固化，故浪费时间和材料成本，基板使用率不高，另外，激光固化时间较长，效率较低。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种有机发光二极管的阵列基板及其封装方法。
一种有机发光二极管的阵列基板，包括若干阵列排布的显示面板，其中，
相邻的至少两块显示面板的至少一侧边之间通过封框胶连接，不存在切割净空区。
一种有机发光二极管的阵列基板的封装方法，包括：
为相邻的至少两块显示面板涂封框胶，使得相邻的至少两块显示面板的至少一侧边之间不存在切割净空区；
采用第一激光束固化所述封框胶；
在需要切割的位置处采用第二激光束进行熔融处理，使切割位置处的封框胶表面产生断层区域；其中，所述第一激光束的功率大于所述第二激光束的功率；
沿切割位置进行切割，得到单个的显示面板。
本发明提供的一种有机发光二极管的阵列基板至少达到如下的技术效果之一：
本发明提供的一种有机发光二极管的阵列基板，由于相邻的至少两块显示面板的至少一侧边之间通过封框胶连接，不存在切割净空区，如此，使得有机发光二极管的阵列基板的边框宽度减小，至少达到了窄边框、提高产品核心竞争力的技术效果之一。
本发明提供的一种有机发光二极管的阵列基板的封装方法至少达到如下的技术效果之一：
本发明提供的一种有机发光二极管的阵列基板的封装方法，由于该方法同时为相邻的至少两块显示面板涂封框胶，不需要分步为单个的显示面板涂封框胶，至少达到了减少工艺时间和材料成本，提高生产效率的技术效果之一。
附图说明
图1为现有技术有机发光二极管的阵列基板的平面结构示意图；
图2为现有技术有机发光二极管的阵列基板中的一个显示面板的截面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种有机发光二极管的阵列基板的封装方法流程图；
图4为本发明实施例一提供的一种有机发光二极管的阵列基板的平面结构示意图；
图5(a)和图5(b)为本发明实施例二提供的一种有机发光二极管的阵列基板的平面结构示意图；
图6为本发明实施例一和实施例二提供的一种有机发光二极管的阵列基板的部分区域的截面结构示意图；
图7为现有技术切割后形成的单一显示面板的平面结构示意图；
图8为本发明实施例一和实施例二切割后形成的单一显示面板的平面结构示意图。
具体实施方式
本发明具体实施例提供了一种有机发光二极管的阵列基板及其封装方法，用以减少有机发光二极管产品边框，减少封装工艺时间，提高基板使用率，提高生产效率。
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
下面给出本发明具体实施例提供的技术方案的详细介绍。
如图3所示，本发明具体实施例提供了一种有机发光二极管的阵列基板的封装方法，该方法包括：
S301、为相邻的至少两块显示面板涂封框胶，使得相邻的至少两块显示面板的至少一侧边之间不存在切割净空区；
S302、采用第一激光束固化所述封框胶；
S303、在需要切割的位置处采用第二激光束进行熔融处理，使切割位置处的封框胶表面产生断层区域；其中，所述第一激光束的功率大于所述第二激光束的功率；
S304、沿切割位置进行切割，得到单个的显示面板。
本发明具体实施例还提供了一种有机发光二极管的阵列基板，包括若干阵列排布的显示面板，相邻的至少两块显示面板的至少一侧边之间通过封框胶连接，不存在切割净空区。
下面结合附图4、附图5(a)和附图5(b)详细介绍本发明具体实施例提供的有机发光二极管的阵列基板。
实施例一：
如图4所示，本发明实施例一提供的一种有机发光二极管的阵列基板40，包括若干阵列排布的显示面板41，相邻的至少两块显示面板41的至少一侧边之间通过封框胶13连接，不存在切割净空区。本发明实施例一中的显示面板41中不设置台阶区域，可选地，每两个相邻的显示面板41之间均不存在切割净空区。
本发明实施例一中的有机发光二极管的阵列基板40的封装方法包括：一次性为所有的显示面板41涂封框胶，使所有显示面板41之间通过封框胶13连接，显示面板41之间不存在切割净空区。可选地，涂封框胶后，采用第一激光束固化封框胶13，第一激光束为红外激光束，第一激光束的波长为788纳米-828纳米，第一红外激光束的功率为1瓦-10瓦。具体地，本发明实施例一采用的第一激光束的波长为808纳米(nm)，功率为5瓦(W)，速度为5毫米每秒(mm/s)，温度为350℃，能量穿透距离为1.8毫米(mm)。
接着在需要切割的位置处采用第二激光束进行熔融处理，使切割位置处的封框胶13表面产生断层区域，第二激光束为红外激光束，第二激光束的波长为788纳米-828纳米，第二红外激光束的功率为5瓦-15瓦。具体地，本发明实施例一采用的第二激光束的波长为808nm，功率为10W，速度为20mm/s，温度为500℃，能量穿透距离为0.2mm。
最后沿切割位置进行切割，得到单个的显示面板，图中的箭头方向表示切割位置，具体地，本发明实施例一沿切割位置进行切割包括：分别沿断层区域中的切割位置进行切割。可选地，本发明实施例一采用图像控制器中的对位切割标记确定需要切割的位置，具体地，可以采用电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)，即CCD图像传感器中的对位标记进行对位，本发明实施例一中在需要切割的位置处采用第二激光束进行熔融处理，第二激光束的激光能量大于第一激光束的激光能量，可以很好的使封框胶13表面产生断层，利于切割的分离，之后采用机械刀轮切割的方法沿切割位置进行切割。
本发明实施例一中的有机发光二极管的阵列基板40中的区域42的截面示意图如图6所示，包括上基板61和下基板60，以及位于上基板61和下基板60之间的封框胶13，图中虚线的位置为采用第二激光束进行熔融处理的位置，也是后续采用机械刀轮切割的方法进行切割的位置。
实施例二：
如图5(a)和5(b)所示，本发明实施例二提供的一种有机发光二极管的阵列基板50，包括若干阵列排布的显示面板11，相邻的至少两块显示面板11的至少一侧边之间通过封框胶13连接，不存在切割净空区。本发明实施例二中的显示面板11中设置台阶区域14，显示面板11的具体结构及台阶区域14的设置与现有技术相同。
可选地，本发明实施例二至少由两块显示面板组成显示面板单元，每一显示面板单元内，相邻的两个显示面板的非台阶区域侧之外的至少一侧边之间不存在切割净空区，如图5(a)和5(b)所示。
如图5(a)所示，本发明实施例二中每一列显示面板11组成一显示面板单元51，每一列显示面板11的台阶区域14位于该显示面板11的左侧或右侧。每相邻两组显示面板单元51之间设置有切割净空区，与现有技术相同，本发明实施例二中的切割净空区的宽度B预设为600微米-800微米。
如图5(b)所示，本发明实施例二中相邻两列显示面板11组成一显示面板单元52，第一列显示面板11的台阶区域14位于该显示面板11的左侧，第二列显示面板11的台阶区域14位于该显示面板11的右侧，在行方向上，相邻的两个显示面板11的侧边之间不存在切割净空区，在列方向上，相邻的两个显示面板11的侧边之间不存在切割净空区。每相邻两组显示面板单元52之间设置有切割净空区，与现有技术相同，本发明实施例二中的切割净空区的宽度B预设为600微米-800微米。
本发明实施例二中的有机发光二极管的阵列基板50的封装方法包括：分步为显示面板单元51或52涂封框胶，即显示面板单元51或52中的封框胶是一次性涂布完成的，使显示面板单元51或52中的显示面板11通过封框胶13连接，且显示面板11之间不存在切割净空区。涂封框胶后，采用第一激光束固化封框胶13，本发明实施例二中采用的第一激光束与本发明实施例一中采用的第一激光束相同，这里不再赘述。
接着在需要切割的位置处采用第二激光束进行熔融处理，使切割位置处的封框胶13表面产生断层区域，本发明实施例二中采用的第二激光束与本发明实施例一中采用的第二激光束相同，这里不再赘述。
最后沿切割位置进行切割，得到单个的显示面板，图5(a)和5(b)中的箭头方向表示切割位置，具体地，本发明实施例二沿切割位置进行切割包括：分别沿相邻两组显示面板单元之间设置的切割净空区中的切割位置和断层区域中的切割位置进行切割。可选地，本发明实施例二采用图像控制器中的对位切割标记确定需要切割的位置，具体地，可以采用CCD图像传感器中的对位标记进行对位，本发明实施例二中在需要切割的位置处采用第二激光束进行熔融处理，第二激光束的激光能量大于第一激光束的激光能量，可以很好的使封框胶13表面产生断层，利于切割的分离，之后采用机械刀轮切割的方法沿切割位置进行切割。
图5(a)中有机发光二极管的阵列基板50中的区域53，以及图5(b)中有机发光二极管的阵列基板50中的区域54的截面示意图如图6所示，包括上基板61和下基板60，以及位于上基板61和下基板60之间的封框胶13，图中虚线的位置即为采用第二激光束进行熔融处理的位置，也即是后续采用机械刀轮切割的方法进行切割的位置。
图7为现有技术切割得到的单个显示面板的示意图，从图中可以看到，现有技术得到的单个显示面板周边存在边框区域70，图8为采用本发明具体实施例提供的技术方案切割得到的单个显示面板的示意图，从图中可以看到，本发明具体实施例得到的单个显示面板周边不存在边框区域，从而相对于现有技术，本发明达到了窄边框、提高产品核心竞争力的技术效果。
综上所述，本发明具体实施例中由于部分或全部相邻显示面板之间不需要设置切割净空区，封装时直接全部涂布封框胶，把显示区域内侧位置外扩，缩小边框约500微米，能够在保证封装宽度0.7mm的情况下，缩小边框，提高产品的竞争优势。同时，由于封装时不需要分步为每个显示面板涂布封框胶，因此能够减少工艺时间和材料成本，提高生产效率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和集合。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的集合之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (14)

1.一种有机发光二极管的阵列基板，包括若干阵列排布的显示面板，其特征在于，相邻的至少两块显示面板的至少一侧边之间通过封框胶连接，不存在切割净空区；
所述封框胶位于所述显示面板的显示区域的周边区域且不覆盖所述显示区域；其中，所述显示面板采用如下方法得到：
为相邻的至少两块显示面板涂封框胶，使得相邻的至少两块显示面板的至少一侧边之间不存在切割净空区；
采用第一激光束固化所述封框胶；
在需要切割的位置处采用第二激光束进行熔融处理，使切割位置处的封框胶表面产生断层区域；其中，所述第一激光束的功率大于所述第二激光束的功率；
沿切割位置进行切割，得到单个的显示面板。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每两个相邻的显示面板之间不存在切割净空区。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，至少由两块显示面板组成显示面板单元，每一所述显示面板单元内，相邻的两个显示面板的非台阶区域侧之外的至少一侧边之间不存在切割净空区。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，每一列显示面板组成一显示面板单元。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，每一列显示面板的台阶区域位于该显示面板的左侧或右侧。
6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述显示面板单元由相邻两列显示面板组成，第一列显示面板的台阶区域位于该显示面板的左侧，第二列显示面板的台阶区域位于该显示面板的右侧，在行方向上，相邻的两个显示面板的侧边之间不存在切割净空区，在列方向上，相邻的两个显示面板的侧边之间不存在切割净空区。
7.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，每相邻两组显示面板单元之间设置有切割净空区。
8.一种如权利要求1-7任一权项所述的有机发光二极管的阵列基板的封装方法，其特征在于，所述方法包括：
为相邻的至少两块显示面板涂封框胶，使得相邻的至少两块显示面板的至少一侧边之间不存在切割净空区；所述封框胶位于所述显示面板的显示区域的周边区域且不覆盖所述显示区域；
采用第一激光束固化所述封框胶；
在需要切割的位置处采用第二激光束进行熔融处理，使切割位置处的封框胶表面产生断层区域；其中，所述第一激光束的功率大于所述第二激光束的功率；
沿切割位置进行切割，得到单个的显示面板。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一激光束和所述第二激光束均为红外激光束，所述第一激光束和所述第二激光束的波长均为788纳米-828纳米。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，沿切割位置进行切割，包括：
分别沿相邻两组显示面板单元之间设置的切割净空区中的切割位置和所述断层区域中的切割位置进行切割；或
分别沿所述断层区域中的切割位置进行切割。
11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一激光束的功率为1瓦-10瓦。
12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二激光束的功率为5瓦-15瓦。
13.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，采用机械刀轮切割的方法沿切割位置进行切割。
14.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，采用图像控制器中的对位切割标记确定需要切割的位置。
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