CN104540676A - 用于阻挡膜的涂层及制备和使用其的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阻挡膜，其包括基底、施加在基底的主表面上的基础(共)聚合物层、施加在基础(共)聚合物层上的氧化物层和施加在氧化物层上的保护性(共)聚合物层。所述保护性(共)聚合物层作为第一(甲基)丙烯酰化合物和源自第二(甲基)丙烯酰化合物与氨基硅烷之间的迈克尔反应的(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物的反应产物形成。所述第一(甲基)丙烯酰化合物和第二(甲基)丙烯酰化合物可相同。在一些实施例中，可使用氧化物层与保护性(共)聚合物层的多个交替的层。可在顶部保护性(共)聚合物层上施加氧化物层。在一些实施例中，所述阻挡膜提供增强的防潮性和保护性(共)聚合物层对下面层的改善的剥离粘附强度。本发明还描述了一种制备阻挡膜的方法以及使用所述阻挡膜的方法。
Description
技术领域
本公开涉及用于阻挡膜的涂层，更具体而言，涉及耐湿气渗透的阻挡膜中使用的气相沉积保护性(共)聚合物层。
背景技术
无机或杂化无机/有机层已在用于电学、包装和装饰应用的薄膜中使用。这些层可以提供所需的性质，如机械强度、耐热性、化学耐受性、耐磨性、水分阻挡性和氧气阻挡性。还已开发出高度透明的多层阻挡涂层以保护敏感材料免遭水蒸气破坏。水敏感材料可以是电子元件例如有机、无机、和杂化的有机/无机半导体器件。多层阻挡涂层可直接沉积在敏感材料上，或可沉积在柔性透明基底例如(共)聚合物膜上。
多层阻挡涂层可通过多种制备方法制备。这些方法包括液体涂布技术如溶液涂布、辊涂、浸涂、喷涂、旋涂；和干法涂布技术如化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、溅射和用于固体材料的热蒸镀(thermal evaporation)的真空处理。用于多层阻挡涂层的一种方法是制备多层氧化物涂层，例如穿插着薄(共)聚合物膜保护层的氧化铝或氧化硅。每个氧化物/(共)聚合物膜对常常被称为“成对层”，并且交替的氧化物/(共)聚合物多层构造可包含若干成对层以提供对湿气和氧气的充分防御。这样的透明多层阻挡涂层和处理的例子可见于例如美国专利5,440,446(Shaw等人)、5,877,895(Shaw等人)、6,010,751(Shaw等人)、7,018,713(Padiyath等人)；和6,413,645(Graff等人)。这些阻挡膜在显示器、照明和太阳能市场中作为玻璃封装材料的柔性替代品有着众多应用。
发明内容
在一个方面，本公开描述了一种阻挡膜，其包括基底、基底的主表面上的基础(共)聚合物层、基础(共)聚合物层上的氧化物层；和氧化物层上的保护性(共)聚合物层，所述保护性(共)聚合物层包含以下物质的反应产物：
第一(甲基)丙烯酰化合物，和
源自第二(甲基)丙烯酰化合物与氨基硅烷之间的迈克尔反应(Michael反应)的(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物。
在一些示例性实施例中，所述第一(甲基)丙烯酰化合物不同于所述第二(甲基)丙烯酰化合物。在其它示例性实施例中，所述第一(甲基)丙烯酰化合物与所述第二(甲基)丙烯酰化合物相同。可在保护性(共)聚合物层上施加任选的无机层，其优选为氧化物层。
在另一个方面，本公开描述了一种用于制备阻挡膜的方法，所述方法包括：
(a)向基底的主表面施加基础(共)聚合物层；
(b)在所述基础(共)聚合物层上施加氧化物层；以及
(c)在所述氧化物层上沉积第一(甲基)丙烯酰化合物和源自第二(甲基)丙烯酰化合物与氨基硅烷之间的迈克尔反应的(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物，并使所述(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物与所述第一(甲基)丙烯酰化合物反应以在所述氧化物层上形成保护性(共)聚合物层。
在一个示例性的目前优选的实施例中，本公开描述了一种用于制备阻挡膜的方法，所述方法包括：
(a)向基底的主表面上气相沉积并固化基础(共)(共)聚合物层；
(b)在所述基础(共)(共)聚合物层上气相沉积氧化物层；以及
(c)在所述氧化物层上气相沉积第一(甲基)丙烯酰化合物和源自第二(甲基)丙烯酰化合物与氨基硅烷之间的迈克尔反应的(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物，并使所述(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物与所述第一(甲基)丙烯酰化合物反应以在所述氧化物层上形成保护性(共)聚合物层。
在一些示例性实施例中，所述第一(甲基)丙烯酰化合物不同于所述第二(甲基)丙烯酰化合物。在其它示例性实施例中，所述第一(甲基)丙烯酰化合物与所述第二(甲基)丙烯酰化合物相同。可在保护性(共)聚合物层上施加任选的无机层，其优选为氧化物层。
在又一个方面，本公开描述了在选自光伏装置、显示装置、固态照明装置以及它们的组合的制品中使用如上所述制得的阻挡膜的方法。
本公开的示例性实施例提供了当用在湿气阻挡应用中时表现出改进的防潮性的阻挡膜。本公开的示例性实施例可允许表现出优越的机械性能如弹性和柔性而仍具有低的氧气或水蒸气传输速率的阻挡膜的形成。根据本公开的阻挡膜的示例性实施例优选对可见光和红外光都是透射性的。根据本公开的阻挡膜的示例性实施例也通常是柔性的。根据本公开的阻挡膜的示例性实施例通常不表现出多层结构中可能由热应力或收缩产生的层离或卷曲。甚至在高温和湿度老化后，本文公开的阻挡膜的示例性实施例的性质通常也将保持。
已汇总了本公开的示例性实施例的各个方面和优点。上述发明内容并非意图描述本公开当前的某些示例性实施例的每个例示实施例或每种实施方式。随后的附图和具体实施方式将更具体地举例说明使用本文所公开的原理的某些优选实施例。
附图说明
附图结合到本说明书中并构成本说明书的一部分，并且与具体实施方式一起说明本公开的示例性实施例的优点和原理。
图1为示出根据本公开的一个示例性实施例的具有气相沉积粘附促进涂层的示例性防潮阻挡膜的图；以及
图2为示出根据本公开的一个示例性实施例的用于制备阻挡膜的示例性方法的图。
附图中类似的附图标号表示类似的元件。本文中的附图未按比例绘制，并且在附图中，所示意元件的大小设定成强调选定的特征。
具体实施方式
术语表
在整个说明书和权利要求书中采用的某些术语大部分是人们所熟知的，但可能仍然需要作一些解释。应理解，如本文所用，
词语“一种”、“该”和“所述“与“至少一个”可互换地使用，表示一个或多个所描述的元素。
通过对本公开所公开的被涂布制品中的各个元件的位置使用如“上方”、“之上”、“覆盖”、“最上方”、“之下”等的方向词，我们相对于水平布置的、面向上方的基底说明了元件的相对位置。不旨在所述基底或制品在制造期间或制造后具有任何特定的空间方位。
通过使用术语“外覆”来描述层相对于本公开的阻挡膜的基底或其它元件的位置，是指层在基底或其它元件的顶上，但未必与基底或其它元件邻接。
通过使用术语“由...分隔”来描述(共)聚合物层相对于两个无机阻挡层的位置，是指(共)聚合物层在无机阻挡层之间，但未必与任一无机阻挡层邻接。
术语“阻挡膜”或“阻挡层”指设计为不透过蒸气、气体或香气迁移的膜或层。可被排除在外的示例性气体和蒸气包括氧气和/或水蒸气。
术语“(甲基)丙烯酰基-硅烷”或“甲基丙烯酰化合物”分别包括包含一个或多个丙烯酸类和/或甲基丙烯酸类官能团的硅烷或化合物：-AC(O)C(R)＝CH2，优选地其中A为O、S或NR；并且R为1-4个碳的低级烷基基团、H或F。
关于单体、低聚物或化合物的术语“(甲基)丙烯酸酯”指作为醇与丙烯酸或甲基丙烯酸的反应产物形成的乙烯基官能烷基酯。
术语“聚合物”或“(共)聚合物”包括均聚物和共聚物，以及可在可混溶的共混物中形成的均聚物或共聚物，例如，通过共挤出或通过包括例如酯交换反应在内的反应形成。术语“共聚物”包括无规共聚物和嵌段共聚物两者。
术语“固化”是指造成化学变化(例如，通过消耗水的反应)使得膜层硬化或使其粘度增加的方法。
术语“交联的”(共)聚合物指其(共)聚合物链通过共价化学键、通常经由交联的分子或基团接合于一起以形成网状(共)聚合物的(共)聚合物。通常交联(共)聚合物的特征在于其不溶性，但在适当溶剂的存在下是可溶胀性的。
术语“固化的(共)聚合物”包括交联的和未交联的聚合物二者。
通过使用术语“Tg”，是指在以本体(Bulk)形式而不是薄膜形式评估固化的(共)聚合物时该固化的(共)聚合物的玻璃化转变温度。在其中(共)聚合物仅可采用薄膜形式检查的情况下，本体形式Tg通常可以适当的精度进行评估。本体形式Tg值通常通过以下过程确定：使用差示扫描量热法(DSC)评估热流的速率与温度的关系，以确定(共)聚合物的链段运动的起始以及可以说是(共)聚合物从玻璃态改变为橡胶态的拐点(通常为二级转变)。本体形式Tg值还可以使用动态力学热分析(DMTA)技术进行估计，其测量作为温度和振动频率的函数的(共)聚合物的模量改变。
通过使用术语“可见光透射的”支承物、层、组件或装置，指沿法向轴测量，支承物、层、组件或装置在光谱的可见部分上具有至少约20％的平均透射率Tvis。
术语“金属”包括纯金属或金属合金。
术语“气相涂布”或“气相沉积”指例如通过蒸发并随后向基底表面上沉积涂料的前体材料或涂料材料自身而由气相向基底表面施加涂层。示例性的气相涂布方法包括例如物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)以及它们的组合。
现在将具体参照附图描述本公开的各种示例性实施例。本公开的示例性实施例可以在不脱离本公开的实质和范围的情况下进行多种修改和更改。因此，应当理解，本公开的实施例不应限于以下所述的示例性实施例，但应受权利要求书及其任何等同物中示出的限制的控制。
用于其部件对水蒸气的侵入敏感的电子器件的柔性阻挡涂层或膜是所期望的。因其为柔性的、重量轻、耐久并允许低成本的连续卷对卷加工，故多层阻挡涂层或膜可提供优于玻璃的优点。
每种已知的用于制造多层阻挡涂层或膜的方法都有缺陷。化学沉积法(CVD和PECVD)形成汽化的金属醇盐前体，当吸附到基底上时该前体会发生反应而形成无机涂层。这些工艺通常受限于低的沉积速率(和因此低的生产线速度)并且使得醇盐前体的使用效率低下(许多醇盐蒸气未引入到涂层中)。CVD工艺还需要通常在300-500℃的范围内的高基底温度，这可能不适合于(共)聚合物基底。
真空工艺如固体材料的热蒸镀(例如，电阻加热或电子束加热)也提供低的金属氧化物沉积速率。对于需要非常均一的涂层(例如，光学涂层)的辊宽幅材应用来说，热蒸镀难以放大并且可能需要基底加热以获得有质量的涂层。另外，蒸发/升华工艺可能需要通常受限于较小区域的离子辅助以改善涂层的质量。
还使用溅射以形成金属氧化物层。虽然用于形成阻挡氧化物层的溅射工艺的沉积能量通常很高，但在(甲基)丙烯酸酯层的沉积中涉及的能量通常很低。因此，(甲基)丙烯酸酯层通常不对其下面的层例如无机阻挡氧化物亚层具有良好的粘合性质。为增大保护性(甲基)丙烯酸酯层对阻挡氧化物的粘附水平，已知亚氧化硅(silicon sub-oxide)的薄溅射层可用于此领域。如果在层叠体中不包括亚氧化硅层，则保护性(甲基)丙烯酸酯层对阻挡氧化物的初始粘附将很差。亚氧化硅层溅射工艺必须用精确的功率和气体流量设置进行以保持粘附性能。此沉积工艺历来对噪音敏感，从而导致保护性(甲基)丙烯酸酯层的粘附变化且低。因此期望消除对最终阻挡构造中亚氧化硅层的需要以提高粘附可靠性和降低工艺复杂性。
甚至当标准阻挡层叠体的“如所沉积的”粘附最初是可接受的时，亚氧化物和保护性(甲基)丙烯酸酯层在暴露于85℃/85％相对湿度(RH)的加速老化条件时也已显示出弱点。此层间弱点可能导致阻挡膜从其预期保护的器件过早层离。期望多层构造一开始就改善粘附并在于85℃和85％RH中老化时保持初始粘附水平。
此问题的一个解决方案是使用所谓特定元素的“接合”层，这些元素例如，铬、锆、钛、硅等，它们在作为元素或在存在少量氧的情况下通常溅射沉积成材料单层或薄层。接合层元素随后可形成与基底层、氧化物和覆盖层、(共)聚合物的化学键合。
接合层通常用在真空涂层业，以实现不同材料层之间的附着。用来沉积各层的工艺通常需要微调，以达到接合层原子的合适层浓度。沉积可受到真空涂覆工艺中的轻微变化的影响，例如，真空压力波动、排气，以及来自其他工艺的交叉污染，从而导致产品的附着水平发生变化。此外，接合层在暴露于水蒸气之后通常不会保持它们初始的附着水平。因此需要一种用于提高阻挡膜的附着性的更可靠的解决方案。
阻挡膜
因此，在一个方面，本公开描述了一种阻挡膜，其包括基底、基底的主表面上的基础(共)聚合物层、基础(共)聚合物层上的氧化物层；和氧化物层上的保护性(共)聚合物层，所述保护性(共)聚合物层包含以下物质的反应产物：
第一(甲基)丙烯酰化合物，和
源自第二(甲基)丙烯酰化合物与氨基硅烷之间的迈克尔反应的(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物，
任选地其中所述第一(甲基)丙烯酰化合物与所述第二(甲基)丙烯酰化合物相同。
在一些示例性实施例中，所述第一(甲基)丙烯酰化合物不同于所述第二(甲基)丙烯酰化合物。在其它示例性实施例中，所述第一(甲基)丙烯酰化合物与所述第二(甲基)丙烯酰化合物相同。可在保护性(共)聚合物层上施加任选的无机层，其优选为氧化物层。目前优选的无机层包含硅铝氧化物或铟锡氧化物中的至少一种。
在某些示例性实施例中，阻挡膜在基础(共)聚合物层上包含氧化物层与保护性(共)聚合物层的多个交替的层。氧化物层与保护性(共)聚合物层一起形成“成对层”，并且在一个示例性实施例中，阻挡膜可包含不止一个成对层，从而形成多层阻挡膜。多层阻挡膜(即，包含不止一个成对层)中的每一个氧化物层和/或保护性(共)聚合物层可相同或不同。可在所述多个交替的层或成对层上施加任选的无机层，其优选为氧化物层。
转向附图，图1为阻挡膜10的图，阻挡膜10具有防潮涂层，其包含单个成对层。膜10包括按以下顺序布置的层：基底12；基础(共)聚合物层14；氧化物层16；保护性(共)聚合物层18；和任选的氧化物层20。氧化物层16和保护性(共)聚合物层18一起形成成对层，并且虽然仅示出了一个成对层，但膜10可在基底10与最上面的成对层之间包含交替的氧化物层16与保护性(共)聚合物层18的另外的成对层。
所述第一(甲基)丙烯酰化合物和源自第二(甲基)丙烯酰化合物与氨基硅烷之间的迈克尔反应的(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物可共沉积或按顺序沉积以形成保护性(共)聚合物层18，在一些示例性实施例中，其将改善膜10的防潮性和保护性(共)聚合物层18对下面的氧化物层的剥离粘附强度，从而在进一步的阻挡层叠体层内产生改善的粘附和抗层离性，这将在下文进一步说明。目前优选的用于阻挡膜10中的材料也将在下文和实例中进一步确定。
基底
基底12可为柔性的可见光透射基底，例如柔性的光透射聚合物膜。在一个目前优选的示例性实施例中，基底是基本上透明的，并可在550nm下具有至少约50％、60％、70％、80％、90％或甚至高达约100％的可见光透射率。
示例性的柔性光透射基底包括热塑性聚合物膜，包括例如聚酯、聚(甲基)丙烯酸酯(例如，聚甲基(甲基)丙烯酸甲酯)、聚碳酸酯、聚丙烯、高或低密度聚乙烯、聚砜、聚醚砜、聚氨酯、聚酰胺、聚乙烯醇缩丁醛、聚氯乙烯、含氟聚合物(例如，聚偏二氟乙烯、乙烯-四氟乙烯(ETFE)(共)聚合物、四氟乙烯(共)聚合物、六氟丙烯(共)聚合物、聚四氟乙烯以及它们的共聚物)、聚乙烯硫化物、环烯烃(共)聚合物，以及热固性膜如环氧树脂、纤维素衍生物、聚酰亚胺、聚酰亚胺苯并噁唑和聚苯并噁唑。
目前优选的聚合物膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、热稳定的PET、热稳定的PEN、聚甲醛、聚乙烯基萘、聚醚醚酮、含氟聚合物、聚碳酸酯、聚甲基(甲基)丙烯酸甲酯、聚α-甲基苯乙烯、聚砜、聚苯醚、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚酰胺酰亚胺、聚酰亚胺、聚邻苯二甲酰胺或它们的组合。
在一些示例性实施例中，基底也可为多层光学膜(“MOF”)，例如美国专利申请公开US 2004/0032658 A1中描述的那些。在一个示例性实施例中，所述膜可在包括PET在内的基底上制备。
所述基底可以具有多种厚度，例如，约0.01至约1mm。然而，例如当需要自支承制品时，所述基底可以是相当厚的。还可以通过层合或另外通过将使用柔性基底制备的本公开所公开的膜连接到更厚的、非柔性或柔性较差的补充载体上从而便利地制备这些制品。
可使用热定形、张力下退火或其他技术来热稳定聚合物膜，当聚合物膜不受限制时，所述技术会阻止收缩，最高至至少热稳定温度。
基础(共)聚合物层
返回图1，基础(共)聚合物层14可包含任何适于以薄膜形式沉积的(共)聚合物。在一个方面，例如，基础(共)聚合物层14可由各种前体形成，例如，包括(甲基)丙烯酸酯或甲基(甲基)丙烯酸酯的(甲基)丙烯酸酯单体和/或低聚物，例如氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、双季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、与苯乙烯共混的环氧(甲基)丙烯酸酯、二-三羟甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、五(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化(3)三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化(3)三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、烷氧基化三官能(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化(4)双酚A二甲基(甲基)丙烯酸酯、三环癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、环己烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、甲基(甲基)丙烯酸异冰片酯、环状二(甲基)丙烯酸酯和三(2-羟乙基)异氰脲酸三(甲基)丙烯酸酯、前述甲基(甲基)丙烯酸酯的(甲基)丙烯酸酯和前述(甲基)丙烯酸酯的甲基(甲基)丙烯酸酯。优选地，基础(共)聚合物前体包含(甲基)丙烯酸酯单体。
基础(共)聚合物层14可通过向基底施加一层单体或低聚物并使该层交联以原位形成(共)聚合物来形成，例如，通过辐射可交联单体的闪蒸和气相沉积，然后使用例如电子束装置、UV光源、放电装置或其它合适的装置来交联。可以通过使所述基底冷却来改善涂布效率。
也可使用常规的涂布方法如辊涂(例如，凹版辊涂布)或喷涂(例如，静电喷涂)向基底12施加单体或低聚物，然后如上所述交联。基础(共)聚合物层14也可通过施加含有在溶剂中的低聚物或(共)聚合物的层并干燥这样施加的层以移除溶剂来形成。在一些情况下也可采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
优选地，通过闪蒸和气相沉积随后通过原位交联来形成基础(共)聚合物层14，例如如以下文献中所述：美国专利4,696,719(Bischoff)、4,722,515(Ham)、4,842,893(Yializis等人)、4,954,371(Yializis)、5,018,048(Shaw等人)、5,032,461(Shaw等人)、5,097,800(Shaw等人)、5,125,138(Shaw等人)、5,440,446(Shaw等人)、5,547,908(Furuzawa等人)、6,045,864(Lyons等人)、6,231,939(Shaw等人)和6,214,422(Yializis)；PCT国际公开WO 00/26973(德耳塔V技术公司(Delta V Technologies,Inc.))；D.G.Shaw和M.G.Langlois，“A New Vapor Deposition Process for Coating Paper and PolymerWebs”，6th International Vacuum Coating Conference(1992)(D.G.Shaw和M.G.Langlois，“一种用于涂布纸和聚合物幅材的新型气相沉积工艺，第六次国际真空涂布会议(1992年))；D.G.Shaw和M.G.Langlois，“A New High Speed Process for Vapor Depositing Acrylate Thin Films:An Update”,Society of Vacuum Coaters 36th Annual TechnicalConference Proceedings(1993)(D.G.Shaw和M.G.Langlois，“用于气相沉积丙烯酸酯薄膜的新型高速工艺：更新版”，真空涂布机协会第36届年度技术会议录(1993年))中所述；D.G.Shaw和M.G.Langlois，“Use of Vapor Deposited Acrylate Coatings to Improve theBarrier Properties of Metallized Film”,Society of Vacuum Coaters 37thAnnual Technical Conference Proceedings(1994)(D.G.Shaw和M.G.Langlois，“气相沉积丙烯酸酯涂层用于改善金属化膜的阻隔性能的用途”，真空涂布机协会第37届年度技术会议录(1994年))；D.G.Shaw、M.Roehrig、M.G.Langlois和C.Sheehan，“Use of Evaporated AcrylateCoatings to Smooth the Surface of Polyester and Polypropylene FilmSubstrates,RadTech(1996)(D.G.Shaw、M.Roehrig、M.G.Langlois和C.Sheehan，“蒸发丙烯酸酯涂层用于平滑聚酯和聚丙烯膜基底的表面的用途”，国际辐射固化组织(1996年))；J.Affinito、P.Martin、M.Gross、C.Coronado和E.Greenwell，“Vacuum DepositedPolymer/Metal Multilayer Films for Optical Application”,Thin SolidFilms,270,43-48(1995)(J.Affinito、P.Martin、M.Gross、C.Coronado和E.Greenwell，“用于光学应用的真空沉积聚合物/金属多层膜”，固体薄膜，270，43-48(1995))；以及J.D.Affinito、M.E.Gross、C.A.Coronado、G.L.Graff、E.N.Greenwell和P.M.Martin，“Polymer-OxideTransparent Barrier Layers”,Society of Vacuum Coaters 39th AnnualTechnical Conference Proceedings(1996)(J.D.Affinito、M.E.Gross、C.A.Coronado、G.L.Graff、E.N.Greenwell和P.M.Martin，“聚合物-氧化物透明阻挡层”，真空涂布机协会第39届年度技术会议录(1996年))。
在一些示例性实施例中，基础(共)聚合物层14(以及此外每一个氧化物层16和保护性(共)聚合物层18)的光滑性和连续性以及其对下面的基底或层的粘附可通过适宜的预处理得到增强。合适的预处理方式的例子包括在存在合适的反应性或非反应性气氛(例如，等离子体、辉光放电、电晕放电、介质阻挡放电或大气压放电)的情况下放电；化学预处理或火焰预处理。这些预处理有助于使下层的表面更加易于接受随后所施加聚合物(或无机)层的形成物。等离子体预处理可能特别有用。
在一些示例性实施例中，也可在基底或下面层顶上使用可能与基础(共)聚合物层14具有不同组成的单独的粘附促进层以改善粘附。例如，粘附促进层可以是单独的聚合物层或含金属层，诸如金属层、金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层。粘合促进层可具有几纳米(例如1nm或2nm)至约50nm的厚度，并且如果需要可以更厚。
基础(共)聚合物层的所需化学组成和厚度部分地取决于基底的性质和表面形貌。优选厚度足以提供光滑、无缺陷的可向其施加后续氧化物层的表面。例如，基础(共)聚合物层可具有数纳米(例如，2nm或3nm)至约5微米的厚度，并且如果需要可以更厚。
如在别处所述，阻挡膜可包括直接沉积在基底(包括湿气敏感器件)上的氧化物层，这是一种常被称为直接封装的工艺。湿气敏感器件可例如为有机、无机或杂化有机/无机半导体器件，包括例如光伏装置如铜铟镓二硒化物(CIGS)光伏装置；显示装置如有机发光二极管(OLED)、电致变色或电泳显示器；OLED或其他电致发光的固态照明装置，或其他。柔性电子器件可采用梯度组合物氧化物层直接封装。例如，所述器件可被附接到柔性载体基底，并且可以沉积掩模以保护与氧化物层沉积物的电连接。基础(共)聚合物层14、氧化物层16和保护性(共)聚合物层18可如下面进一步描述的那样沉积，然后可移除掩模，从而暴露电连接。
氧化物层
改进的阻挡膜包含至少一个氧化物层16。所述氧化物层优选包含至少一种无机材料。合适的无机材料包括不同原子元素的氧化物、氮化物、碳化物或硼化物。目前优选的包含在氧化物层中的无机材料包括如下物质的氧化物、氮化物、碳化物或硼化物，所述物质为选自第IIA族、第IIIA族、第IVA族、第VA族、第VIA族、第VIIA族、第IB族或第IIB族的原子元素、第IIIB族、第IVB族或第VB族的金属、稀土金属或者它们的组合。在一些特别的示例性实施例中，可向最上面的保护性(共)聚合物层施加无机层、更优选无机氧化物层。优选地，氧化物层包含硅铝氧化物或铟锡氧化物。
在一些示例性实施例中，氧化物层的组成可沿层的厚度方向改变，即梯度组成。在这样的示例性实施例中，氧化物层优选包含至少两种无机材料，并且所述两种无机材料的比率在氧化物层的整个厚度上改变。两种无机材料的比率是指每种无机材料的相对比率。该比率可以是(例如)质量比、体积比、浓度比、摩尔比、表面积比、或原子比。
所得梯度氧化物层与均一的单组分层相比有所改进。当与真空沉积的保护性(共)聚合物薄层组合时，还可实现阻挡和光学性质方面额外的有益效果。可制备多层梯度无机(共)聚合物阻挡层叠体以提高光学性质以及阻挡性质。
阻挡膜可通过在与美国专利5,440,446(Shaw等人)和7,018,713(Padiyath等人)中描述的系统相似的卷对卷真空室中向基底上沉积各种层来制造。层的沉积可以为内嵌式，并且只需单次通过系统。在一些情况下，阻挡膜可通过系统数次，以形成具有若干成对层的多层阻挡膜。
第一和第二无机材料可以是金属或非金属原子元素、或金属或非金属原子元素的组合的氧化物、氮化物、碳化物或硼化物。所谓“金属或非金属”原子元素，是指选自元素周期表IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、IB、或IIB族的原子元素，IIIB、IVB、或VB族的金属，稀土金属，或它们的组合。合适的无机材料包括(例如)金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、金属硼氧化物以及它们的组合，如硅氧化物例如二氧化硅、铝氧化物例如氧化铝、钛氧化物例如二氧化钛、氧化铟、氧化锡、铟锡氧化物(“ITO”)、氧化钽、氧化锆、氧化铌、氮化铝、氮化硅、氮化硼、氮氧化铝、氮氧化硅、氮氧化硼、硼氧化锆、硼氧化钛以及它们的组合。ITO是正确选择每种要素组分的相对比率以变得导电的特定种类陶瓷材料的一个例子。硅铝氧化物和铟锡氧化物是目前优选的形成氧化物层16的无机材料。
为清楚起见，下面的讨论中描述的氧化物层16是指氧化物的组合物；然而，应当理解，组合物可包含上文描述的任何氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、氮氧化物、硼氧化物等等。
在氧化物层16的一个实施例中，第一无机材料为氧化硅，第二无机材料为氧化铝。在该实施例中，硅与铝的原子比在氧化物层的整个厚度上改变，例如，在氧化物层的第一表面附近硅比铝多，而随着离第一表面的距离增大逐渐变为铝比硅多。在一个实施例中，硅与铝的原子比可随着离第一表面的距离增大而单调变化，即，该比率随着离第一表面的距离增大而增大或减小，但是该比率不会随着离第一表面的距离增大而既出现增大又出现减小。在另一个实施例中，所述比率不单调地增大或减小，即随着离第一表面的距离增大，所述比率可在第一部分中增大并在第二部分中减小。在该实施例中，随着离第一表面的距离增大，该比率可以出现数次增大和减小，并且该比率是非单调的。在氧化物层16的整个厚度上从一个氧化物种类到另一个种类的无机氧化物浓度的变化带来改善的阻挡性能，如通过水蒸气传输速率所测量。
除了改善的阻挡性质之外，可将梯度组合物制备成在保持改善的阻挡性质的同时显示具有其他独特的光学性质。层的组合物中的梯度变化产生了透过层的折射率的相应变化。可选择材料，使得折射率可从高到低变化，反之亦然。例如，从高折射率至低折射率可允许沿一个方向传播的光能轻易穿透层，而沿相反方向传播的光可被层反射。折射率变化可用于设计层，以增强从受层保护的发光器件提取光。另外，折射率变化可用于让光穿透层并进入捕光器件(例如太阳能电池)。也可将其他光学构造(例如带通滤光器)掺入到层中，与此同时保持改善的阻挡性质。
为了促进硅烷键合到氧化物表面，期望在新溅射沉积的二氧化硅(SiO2)层上形成羟基硅醇(Si-OH)基团。多进程(multi-process)真空室内存在的水蒸气量可得到充分控制，以促进在足够高的表面浓度下形成Si-OH基团，从而增加粘合位点。在监测残留气体并使用水蒸气源的情况下，可控制真空室中水蒸气的量以确保生成足够的Si-OH基团。
保护性(共)聚合物层
保护性(共)聚合物层作为第一(甲基)丙烯酰化合物和源自第二(甲基)丙烯酰化合物与氨基硅烷之间的迈克尔反应的(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物的反应产物形成。所述第一(甲基)丙烯酰化合物和第二(甲基)丙烯酰化合物可相同。
(甲基)丙烯酸酯气相沉积工艺局限于可泵送(具有可接受的粘度的液相)；可雾化(形成小液滴)、可闪蒸(在真空条件下蒸气压足够高)、可冷凝(蒸气压、分子量)和可在真空中交联(分子量范围、反应性、官能性)的化学品。
通过对涂布工艺中使用的(甲基)丙烯酸酯化学改性以1)获得与无机氧化物表面稳健的化学键合、2)通过聚合获得与(甲基)丙烯酸酯涂层稳健的化学键合和3)保持经改性分子的物理性质使得它们可与本体(甲基)丙烯酸酯材料共蒸发，发现了该问题的解决方案。
(甲基)丙烯酰化合物
可用的亲核丙烯酰化合物包括例如选自以下的(甲基)丙烯酸酯化合物：含多-(甲基)丙烯酰的化合物如二(甲基)丙烯酸三环癸烷二甲醇酯、甲基(甲基)丙烯酸3-(丙烯酰氧基)-2-羟基-丙酯、甲基(甲基)丙烯酸-(丙烯酰氧基)-2-乙酰氧基-丙酯、三丙烯酰氧基乙基异氰脲酸酯、二(甲基)丙烯酸甘油酯、乙氧基化三(甲基)丙烯酸酯(例如，乙氧基化三羟甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化二(甲基)丙烯酸酯(例如，丙氧基化(3)甘油基二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化(5.5)甘油基二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化(3)三羟甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化(6)三羟甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯)、三羟甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、1-丙烯酰氧基-2-甲基丙烯酰氧基乙烷、1-丙烯酰氧基-4-甲基丙烯酰氧基丁烷和含更高官能度(甲基)丙烯酰基的化合物如二-三羟甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯和二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯。
这样的化合物可从供应商处广泛获得，供应商例如：宾夕法尼亚州埃克斯顿的沙多玛公司(Sartomer Company,Exton,Pennsylvania)；乔治亚州士麦那的UCB化学品公司(UCB Chemicals Corporation,Smyrna,Georgia)；和威斯康星州密尔沃基的奥德里奇化学公司(AldrichChemical Company,Milwaukee,Wisconsin)，或者可通过标准方法制得。另外的可用的(甲基)丙烯酸酯材料包括含二羟基乙内酰脲部分的聚(甲基)丙烯酸酯，例如如美国专利4,262,072(Wendling等人)中所述。
目前优选的(甲基)丙烯酰化合物为Sartomer SR833S(二(甲基)丙烯酸三环癸烷二甲醇酯)：
氨基硅烷
作为迈克尔(Michael)加成到聚(甲基)丙烯酸酯的材料，在目前描述的实施例的实践中尤其可用的为仲氨基硅烷，其包括N-甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、N-甲基氨基丙基三乙氧基硅烷、双(丙基-3-三甲氧基硅烷)胺、双(丙基-3-三乙氧基硅烷)胺、N-丁基氨基丙基三甲氧基硅烷、N-丁基氨基丙基三乙氧基硅烷、N-环己基氨基丙基三甲氧基硅烷、N-环己基氨基甲基三甲氧基硅烷、N-环己基氨基甲基三乙氧基硅烷、N-环己基氨基甲基二乙氧基单甲基硅烷。
可用于本公开的实施中的其它氨基硅烷见述于美国专利4,378,250(Treadway等人)中并包括氨基乙基三乙氧基硅烷、β-氨基乙基三甲氧基硅烷、β-氨基乙基三乙氧基硅烷、β-氨基乙基三丁氧基硅烷、β-氨基乙基三丙氧基硅烷、α-氨基-乙基三甲氧基硅烷、α-氨基乙基三乙氧基-硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基-三乙氧基硅烷、γ-氨基丙基三丁氧基硅烷、γ-氨基丙基三丙氧基硅烷、β-氨基丙基三甲氧基硅烷、β-氨基丙基三乙氧基硅烷、β-氨基丙基-三丙氧基硅烷、β-氨基丙基三丁氧基硅烷、α-氨基丙基三甲氧基硅烷、α-氨基-丙基三乙氧基硅烷、α-氨基丙基三丁氧基硅烷和α-氨基丙基-三丙氧基硅烷。
也可使用微量(<20摩尔％)含链中氮的氨基硅烷，包括U.S.4,378,250(Treadway等人)中描述的那些，N-(β-氨基乙基)-β-氨基乙基三甲氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-β-氨基乙基三乙氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-β-氨基乙基三丙氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-α-氨基乙基三甲氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-α-氨基乙基-三乙氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-α-氨基乙基三丙氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-β-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-γ-氨基丙基三丙氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-γ-氨基丙基-三甲氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-β-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-β-氨基丙基三丙氧基硅烷、N-(γ-氨基丙基)-β-氨基乙基三甲氧基硅烷、N-(γ-氨基丙基)-β-氨基乙基三乙氧基硅烷、N-(γ-氨基丙基)-β-氨基乙基-三丙氧基硅烷、N-甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、β-氨基丙基甲基-二乙氧基硅烷和γ-二亚乙基三胺丙基三乙氧基硅烷。
(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物
在实施本公开的实施例中特别可用的为源自甲基丙烯酰化合物(例如，如上所述)与氨基硅烷(如下所述)之间的迈克尔反应的(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物，所述(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物由以下通式I描述：
(Rm)x-R1-(R2)y I
其中
x和y各自独立地为至少1；
Rm为包含式–X2-C(O)C(R3)＝CH2的(甲基)丙烯酰基基团，其中X2为-O、-S或–NR3，其中R3为H或C1-C4；
R1为共价键、多价亚烷基、(聚)环亚烷基、杂环基、或亚芳基基团或它们的组合，所述亚烷基基团任选地含有一个或多个链中氧或氮原子，或羟基侧基；以及
R2为含硅烷基团，其源自氨基硅烷与式II的丙烯酰基团之间的迈克尔反应：
–X2-C(O)CH2CH2-N(R4)-R5-Si(Yp)(R6)3-p II
其中
X2为-O、-S或–NR3，其中R3为H或C1-C4烷基，
R4为C1-C6烷基或环烷基或-R5-Si(Yp)(R6)3-p或(Rm)x-R1-X2-C(O)-CH2CH2-；
R5为二价亚烷基基团，所述亚烷基基团任选地含有一个或多个链中氧或氮原子，
Y是可水解基团，
R6为单价烷基或芳基基团；以及
p为1、2或3。
硅上的可水解基团Y包括烷氧基基团、乙酸根基团、芳氧基基团和卤素，尤其是氯。
迈克尔加成反应产物
(甲基)丙烯酸酯气相沉积工艺局限于可泵送(具有可接受的粘度的液相)；可雾化(形成小液滴)、可闪蒸(在真空条件下蒸气压足够高)、可冷凝(蒸气压、分子量)和可在真空中交联(分子量范围、反应性、官能性)的化学品。
所述方法对涂布工艺中使用的(甲基)丙烯酸酯化学改性以1)获得与无机氧化物表面稳健的化学键合、2)通过聚合获得与(甲基)丙烯酸酯涂层稳健的化学键合和3)保持经改性分子的物理性质使得它们可与本体(甲基)丙烯酸酯材料共蒸发。
便利地，在使用多(甲基)丙烯酸酯(不存在甲基(甲基)丙烯酸酯官能团)的情况下，氨基硅烷加入到摩尔过量的多(甲基)丙烯酸酯中，优选以氨基硅烷:多(甲基)丙烯酸酯的比率为至少1:3至1:5至1:10至1:15至1:20加入。一般来讲，紧接着连续地或作为预先制得的混合物向干燥的反应容器中加入反应性组分和任选的溶剂。在一些情况下，向干燥的反应容器中加入多(甲基)丙烯酸酯和任选的溶剂，然后缓慢加入氨基硅烷。可任选地与催化剂一起在通常30-60摄氏度下加热反应混合物达足以使反应发生的时间。反应的进度可通过用傅立叶变换NMR监测反应来确定。
虽然氨基硅烷向丙烯酰基团的迈克尔加成一般不需要催化剂，但对于迈克尔反应来说合适的催化剂为其共轭酸优选具有12和14之间的pKa的碱。在许多方便的实施例中，所述碱是有机的。这样的碱的例子有1,4-二氢吡啶、甲基二苯基磷烷、甲基二-对-甲苯基磷烷、2-烯丙基-N-烷基咪唑啉、四-叔-丁基氢氧化铵、DBU(1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳-7-烯)和DBN(1,5-二氮杂双环[4.3.0]壬-5-烯)、甲醇钾、甲醇钠、氢氧化钠等。与本发明有关的优选催化剂为DBU和四甲基胍。相对于固体计，迈克尔加成反应中使用的催化剂的量优选介于0.05重量％和2重量％之间，更优选介于0.1重量％和1.0重量％之间。
下面为经由胺官能三-甲氧基硅烷向二-官能(二-(甲基)丙烯酸酯)单体(特别是包括Sartomer SR 833s)的迈克尔加成所合成的分子的例子。应当指出的是，迈克尔加成可与SR 833s的任一(甲基)丙烯酸酯基团发生，但仅图示了加成产物中的一种。由于所用SR 833s的大量过量，对于任何给定分子的迈克尔加成很可能仅在(甲基)丙烯酸酯基团中之一上：
其它合适的迈克尔加合物可包括(甲基)丙烯酸酯化异氰脲酸酯的以下迈克尔加合物：
当多(甲基)丙烯酰化合物既含有(甲基)丙烯酸酯官能团又含有甲基(甲基)丙烯酸酯官能团时，氨基硅烷通常将选择性地与(甲基)丙烯酸酯官能团反应，留下完好无损的甲基(甲基)丙烯酸酯双键。在这种情况下，氨基硅烷与多(甲基)丙烯酰化合物可以相等的化学计量量反应以形成具有硅烷和甲基(甲基)丙烯酸酯官能团的纯净迈克尔加合物。具有硅烷和甲基(甲基)丙烯酸酯官能团的示例性迈克尔加合物包括：
气相涂布组合物
气相涂布组合物可经由胺官能三-烷氧基硅烷向二-官能(二-(甲基)丙烯酸酯)单体例如SR 833s的迈克尔加成来制备。优选地，迈克尔加成在其中硅烷(例如，氨基硅烷)极端稀释地存在于反应混合物中的条件下进行。优选地，硅烷以不超过反应混合物的15重量％(wt％)存在；更优选不超过反应混合物的14重量％、13重量％、12重量％、11重量％，甚至更优选反应混合物的10重量％、9重量％、8重量％、7重量％、6重量％、5重量％、4重量％、3重量％、2重量％或甚至1重量％。
不希望受任何特定理论的束缚，本发明人目前认为，正是由于硅烷的极端稀释而获得单加合物。换句话说，优选的迈克尔加合物既包括至少一个三-烷氧基甲硅烷基基团，又包括至少一个(甲基)丙烯酰基基团中的不饱和双键(乙烯基基团)。然后可通过暴露于电子束或UV辐射使所得迈克尔加合物通过不饱和乙烯基基团聚合。当被布置为与含羟基基团的无机表面(例如，氧化物层16)邻接时，迈克尔加合物中的三-烷氧基甲硅烷基基团将易于反应形成稳定的化学键，从而连接(共)聚合物到氧化物表面。
在其中多(甲基)丙烯酰化合物既含有(甲基)丙烯酸酯官能团又含有甲基(甲基)丙烯酸酯官能团的情况下，氨基硅烷与多(甲基)丙烯酰化合物可以相等的化学计量的量反应以形成具有硅烷和甲基(甲基)丙烯酸酯官能团的迈克尔加合物。然后可将该迈克尔加合物加到第二丙烯酰化合物以用在气相涂布中。优选地，迈克尔加合物硅烷甲基(甲基)丙烯酸酯以不超过气相涂布混合物的20重量％(wt％)存在；更优选不超过气相沉积混合物的19重量％、18重量％、17重量％、16重量％、15重量％、14重量％、13重量％、12重量％、11重量％，甚至更优选气相沉积混合物的10重量％、9重量％、8重量％、7重量％、6重量％、5重量％、4重量％、3重量％、2重量％或甚至1重量％。
迈克尔加合物的分子量在其中在真空工艺条件下具有有效地进行蒸发并然后随后冷凝成薄液膜的足够蒸气压的范围内。所述分子量优选小于约2,000Da，更优选小于1,000Da，甚至更优选小于500Da。为此，由于它们的高分子量和在真空工艺条件下的低蒸气压，故通过其可水解硅烷基团单独地或与其它金属醇盐如Si(OCH2CH3)4一起经由冷凝低聚或聚合的迈克尔加合物是不期望的。
合适的气相涂布组合物包括例如：
如上所述，目前公开的方法的另一有利特征在于在新溅射沉积的SiO2层上形成羟基硅醇(Si-OH)基团的能力。多进程真空室内存在的水蒸气量可得到充分控制，以促进在足够高的表面浓度下形成Si-OH基，从而增加粘合位点。在监测残留气体并使用水蒸气源的情况下，真空室内的水蒸气量可得以控制，以确保生成足够的Si-OH基。
在示例性实施例中，本方法通过迈克尔加合物(甲基)丙烯酰基-硅烷偶联剂的加入改善总体粘附和暴露于湿气后气相沉积多层阻挡涂层的粘附保留。将迈克尔加合物(甲基)丙烯酰基-硅烷偶联剂加到预-(共)聚合物制剂中并在气相涂布工艺中共蒸发，其中所述迈克尔加合物(甲基)丙烯酰基-硅烷预-(共)聚合物制剂冷凝到刚用硅和铝的氧化物溅射涂布的移动幅材基底上。随后在同一工艺中，通过电子束辐射使冷凝液聚合。在添加迈克尔加合物(甲基)丙烯酰基-硅烷的情况下，涂层的剥离强度大大提高，并且在暴露于高热高湿条件后保持剥离粘附强度。此外，加入迈克尔加合物(甲基)丙烯酰基-硅烷后就无需接合层，其通过完全消除接合层而大大简化涂布工艺和阻挡涂层层叠体构造。所得阻挡涂层保留高阻挡性质和光学透射性能。
用于制造阻挡层和膜的方法
在另一个方面，本公开描述了一种用于制造阻挡层或复合膜的方法，所述方法包括：
(a)向基底的主表面施加基础(共)聚合物层；
(b)在所述基础(共)聚合物层上施加氧化物层；以及
(c)在所述氧化物层上沉积第一(甲基)丙烯酰化合物和源自第二(甲基)丙烯酰化合物与氨基硅烷之间的迈克尔反应的(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物，并使所述(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物与所述第一(甲基)丙烯酰化合物反应以在所述氧化物层上形成保护性(共)聚合物层。
在一个示例性的目前优选的实施例中，本公开描述了一种用于制备阻挡膜的方法，所述方法包括：
(a)向基底的主表面上气相沉积并固化基础(共)聚合物层；
(b)在基础(共)聚合物层上气相沉积氧化物层；以及
(c)在所述氧化物层上气相沉积第一(甲基)丙烯酰化合物和源自第二(甲基)丙烯酰化合物与氨基硅烷之间的迈克尔反应的(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物，并使所述(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物与所述第一(甲基)丙烯酰化合物反应以在所述氧化物层上形成保护性(共)聚合物层。
在一些目前优选的实施例中，步骤(a)包括：
(i)蒸发基础(共)聚合物前体；
(ii)冷凝所述蒸发的基础(共)聚合物前体到所述基底上；以及
(iii)固化所述蒸发的基础(共)聚合物前体以形成所述基础(共)聚合物层。
在其它示例性实施例中，步骤(b)包括向基础(共)聚合物层上沉积氧化物以形成氧化物层，其中所述沉积使用溅射沉积、反应性溅射、等离子体增强化学气相沉积或它们的组合实现。
在一个目前优选的实施例中，步骤(b)包括向基础(共)聚合物层施加无机硅铝氧化物的层。
在进一步的示例性实施例中，所述方法还包括按顺序重复步骤(b)和(c)以在基础(共)聚合物层上形成保护性(共)聚合物层与氧化物层的多个交替的层(即，成对层)。
在某些示例性实施例中，17，步骤(c)还包括以下中的至少一者：从液体混合物共蒸发(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物与(甲基)丙烯酰化合物，或者从单独的液体源按顺序蒸发(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物和(甲基)丙烯酰化合物。任选地并优选地，当从液体混合物共蒸发(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物与(甲基)丙烯酰化合物时，液体混合物包含不超过约10重量％的(甲基)丙烯酰基-硅烷。在这样的共蒸发实施例中，步骤(c)优选还包括以下中的至少一者：将(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物与(甲基)丙烯酰化合物共冷凝到氧化物层上，或者在氧化物层上按顺序冷凝(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物和(甲基)丙烯酰化合物。
(共)聚合物(共)聚合物(共)聚合物(共)聚合物图2为系统22的图，示出了一种用于制备阻挡膜10的方法。系统22包含在惰性环境内并包括用于接收和移动基底12(图1)(如由膜26所表示)的冷却鼓24，从而提供待在其上形成阻挡层的移动幅材。优选地，可使用任选的氮等离子体处理单元40来等离子体处理膜26或对膜26打底以改善基础(共)聚合物层14(图1)与基底12(图1)的粘附。蒸发器28施加基础(共)聚合物前体，随着鼓24使膜26沿箭头25所示的方向前进，所述前体由固化单元30固化以形成基础(共)聚合物层14(图1)。随着鼓24使膜26前进，氧化物溅射单元32施加氧化物以形成层16(图1)。
至于另外的交替的氧化物层16和保护性(共)聚合物层18，鼓24可沿与箭头25相反的逆向旋转，然后再次使膜26前进以施加另外的交替的基础(共)聚合物层和氧化物层，并且该子工艺可根据期望或需要的多个交替的层进行重复。一旦基础(共)聚合物和氧化物完成，鼓24继续使膜前进，并且蒸发器36在氧化物层16上沉积源自氨基硅烷与丙烯酰基团之间的迈克尔反应的(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物与(甲基)丙烯酰化合物的混合物，该混合物经反应或固化形成保护性(共)聚合物层18(图1)。在某些目前优选的实施例中，使(甲基)丙烯酰化合物与(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物反应以在氧化物层16上形成保护性(共)聚合物层18至少部分地在氧化物层16上发生。
还可使用任选的蒸发器34来提供可用于形成保护性(共)聚合物层18(图1)的其它共反应物或共聚单体(例如，另外的(甲基)丙烯酰化合物)。至于另外的交替的氧化物层16和保护性(共)聚合物层18，鼓24可沿与箭头25相反的逆向旋转，然后再次使膜26前进以施加另外的交替的氧化物层16和保护性(共)聚合物层18，该子工艺可根据期望或需要的多个交替的层或成对层进行重复。
氧化物层16可用膜金属化领域中采用的技术如溅射(例如，阴极或平面磁控溅射)、蒸镀(例如，电阻式或电子束蒸镀)、化学气相沉积、电镀等形成。在一个方面，氧化物层16使用溅射(例如，反应性溅射)形成。当氧化物层通过与例如常规化学气相沉积工艺这样的较低能量技术相比而言的高能量沉积技术如溅射形成时，已经观察到增强的阻挡特性。不受理论的约束，据信正如在溅射过程中所发生的，增强的特性是由于到达基底的冷凝物质具有较大动能，这导致由于压实而造成更低的孔隙比率。
在一些示例性实施例中，在存在具有惰性气体和反应性气体(例如分别为氩气和氧气)的气体氛围的情况下，溅射沉积工艺可使用由交流(AC)电源供电的双靶。AC电源交替变换双靶各自的极性，使得对于AC周期的一半来说，一个靶是阴极而另一个靶是阳极。在下一个周期中，极性在双靶之间转换。该转换在设定的频率(例如约40kHz)下进行，然而也可使用其他频率。引入工艺中的氧气既在接纳无机组合物的基底上、又在靶的表面上形成氧化物层。介电氧化物可在溅射期间变得带电，从而中断溅射沉积过程。极性转换可中和从靶溅射的表面材料，并且不仅可使沉积材料均匀、还可提供对沉积材料的更好控制。
在进一步的示例性实施例中，用于双AC溅射的每一个靶可包含单一金属或非金属元素，或者金属和/或非金属元素的混合物。最靠近移动基底的氧化物层的第一部分使用第一组溅射靶进行沉积。然后基底移动靠近第二组溅射靶并使用第二组溅射靶在所述第一部分之上沉积氧化物层的第二部分。氧化物层的组成沿整个层的厚度方向变化。
在另外的示例性实施例中，在存在具有惰性气体和反应性气体(例如分别为氩气和氧气)的气体氛围的情况下，溅射沉积工艺可使用由直流(DC)电源供电的靶。DC电源独立于其它电源向每一个阴极靶供电(例如，脉冲功率)。在这个方面，每个单独的阴极靶和对应的材料可在不同的功率水平下溅射，从而提供对整个层厚度中的组成的附加控制。DC电源的脉冲方面类似于AC溅射中的频率方面，其允许在存在反应性气体种类(例如氧气)的情况下对高速溅射进行控制。脉冲DC电源允许对极性转换进行控制，可中和从靶溅射的表面材料，并且不仅可使沉积材料均匀、还可提供对沉积材料的更好控制。
在一个特别的示例性实施例中，溅射过程中的控制改善可通过在每一个靶中使用元素的混合物或原子组合物而实现，例如靶可包含铝和硅的混合物。在另一个实施例中，每一个靶中元素的相对比例可以是不同的，以轻松地在整个氧化物层中提供变化的原子比。在一个实施例中，例如，第一组双AC溅射靶可包含硅和铝的90/10混合物，而第二组双AC溅射靶可包含铝和硅的75/25混合物。在此实施例中，氧化物层的第一部分可用90％ Si/10％ Al靶沉积，而第二部分可用75％Al/25％ Si靶沉积。所得氧化物层具有梯度组成，该梯度组成在氧化物层的整个厚度上从约90％ Si变化至约25％ Si(反之，从约10％ Al变化至约75％ Al)。
在代表性的双AC溅射中，形成了均匀的氧化物层，但由于层在微米和纳米尺度的缺陷，使得这些均匀氧化物层的阻挡性能受到损失。这些小尺度缺陷的一个原因取决于氧化物生长为晶界结构、然后蔓延至整个膜厚度的固有方式。不受理论的约束，据信若干效应均有助于改善本文描述的梯度组合物阻挡件的阻挡性质。一个效应可以是使梯度区域中出现的混合氧化物更为致密化，从而通过该致密化效应阻挡水蒸气可能通过氧化物的任何路径。另一个效应可以是通过改变氧化物材料的组成，而中断晶界的形成，这导致膜的微结构也贯穿氧化物层的厚度变化。另一个效应可以是一种氧化物的浓度随着另一种氧化物的浓度贯穿厚度增大而逐渐减小，从而降低形成小尺度缺陷部位的概率。缺陷部位的减少可产生具有降低的水渗透传输速率的涂层。
源自氨基硅烷与丙烯酰基团之间的迈克尔反应的(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物与(甲基)丙烯酰化合物优选在氧化物层16(图1)上共沉积，并且随着鼓24使膜前进而由固化单元38固化于一起形成保护性(共)聚合物层18。共沉积(甲基)丙烯酰基-硅烷与(甲基)丙烯酰化合物可涉及从单独的源按顺序蒸发(甲基)丙烯酰化合物和(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物或者共蒸发(甲基)丙烯酰化合物与(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物的混合物。
可使膜经受后处理，例如热处理、紫外(UV)或真空UV(VUV)处理或等离子体处理。可通过使膜通过烘箱或者将膜在涂布设备中直接加热(例如，使用红外加热器或直接在鼓上加热)来进行热处理。例如，可以在从约30℃至约200℃，约35℃至约150℃或约40℃至约70℃的温度下进行热处理。
可以加到无机或杂化膜中的其它功能性层或涂层包括使膜更具刚性的任选的层。膜的最上层任选地为合适的保护层，例如任选的无机层20。如果需要，可使用常规涂布方法如辊涂(例如，凹版辊涂布)或喷涂(例如，静电喷涂)施加所述保护层，然后使用例如UV辐射进行交联。还可以通过对如上所述单体进行的闪蒸、汽相沉积和交联来形成所述保护层。可挥发的(甲基)丙烯酸酯单体适合在这种保护层中使用。在一个特定的实施例中，采用了可挥发的(甲基)丙烯酸酯单体。
使用阻挡膜的方法
在又一个方面，本公开描述了在选自光伏装置、显示装置、固态照明装置以及它们的组合的制品中使用如上所述制得的阻挡膜的方法。目前优选的组装了此类阻挡膜的制品包括柔性薄膜(例如，铜铟镓二硒化物，CIGS)和有机光伏太阳能电池以及显示器和固态照明中使用的有机发光二极管(OLED)。目前，这些应用通常限于用作蒸气阻挡物的非柔性玻璃基底。
本公开的示例性实施例提供了当用在湿气阻挡应用中时表现出改进的防潮性的阻挡膜。在一些示例性实施例中，可将阻挡膜直接沉积在包括湿气敏感器件的基底上，这是一种常被称为直接封装的工艺。所述湿度敏感器件可以是(例如)有机、无机或杂化的有机/无机半导体器件，包括(例如)：光电器件，诸如CIGS；显示装置，诸如OLED、电致变色显示器或电泳显示器；OLED或其他电致发光的固态照明装置，或其他。柔性电子器件可采用梯度组合物氧化物层直接封装。例如，该器件可被附接到柔性载体基底，并且可以沉积掩模以保护与氧化物层沉积物的电连接。可如上所述沉积基础(共)聚合物层和氧化物层，然后可移除掩模，从而暴露电连接。
本文公开的方法的示例性实施例可允许表现出优越的机械性能如弹性和柔性而仍具有低的氧气或水蒸气传输速率的阻挡膜的形成。所述膜具有至少一个无机或杂化有机/氧化物层或者可以具有额外的无机或杂化有机/氧化物层。在一个实施例中，本文公开的膜可具有与有机化合物(例如，(共)聚合物层)交替的无机或杂化层。在另一个实施例中，所述的膜可以具有包含无机或杂化材料以及有机化合物的膜。具有使用本文公开的方法形成的阻挡膜的基底可具有小于约1cc/m2-天、小于约0.5cc/m2-天或小于约0.1cc/m2-天的氧气传输速率(OTR)。具有使用本文公开的方法形成的阻挡膜的基底可具有小于约10cc/m2-天、小于约5cc/m2-天或小于约1cc/m2-天的水蒸气传输速率(WVTR)。
根据本公开的阻挡膜的示例性实施例优选对可见光和红外光都是透射性的。如本文所用的术语“能够透射可见光和红外光”可指，沿法向轴测量的对光谱的可见和红外部分具有至少约75％(在一些实施例中至少约80、85、90、92、95、97或98％)的平均透射率。在一些实施例中，可见光和红外光可透射的组件对400nm到1400nm范围的平均透射率至少为约75％(在一些实施例中至少为约80、85、90、92、95、97或98％)。可见光和红外光可透射的组件为不干扰例如光伏电池对可见光和红外光的吸收的那些。
在一些示例性实施例中，可见光和红外光透射性组件对对于光伏电池有用的光的波长范围的平均透射率至少为约75％(在一些实施例中至少为约80％、85％、90％、92％、95％、97％或98％)。可以根据折射率和厚度来选择第一和第二聚合物膜基底、压敏粘合剂层以及阻挡膜，以便提高对可见光和红外光的透射率。用于选择折射率和/或厚度以提高对可见光和/或红外光的透射率的合适方法见述于共同待决的PCT国际公布WO 2012/003416和WO 2012/003417中。
根据本公开的示例性阻挡膜通常是柔性的。在此所用的术语“柔性的”指能形成为卷。在一些实施例中，术语“柔性的”指能绕曲率半径为至多7.6厘米(cm)(3英寸)、在一些实施例中至多6.4cm(2.5英寸)、5cm(2英寸)、3.8cm(1.5英寸)或2.5cm(1英寸)的卷芯弯曲。在一些实施例中，柔性组件可以绕至少0.635cm(1/4英寸)、1.3cm(1/2英寸)或1.9cm(3/4英寸)的曲率半径弯曲。
根据本公开的示例性阻挡膜通常不表现出多层结构中可能由热应力或收缩产生的层离或卷曲。在本文中，卷曲是使用Ronald P.Swanson在2006AWEB会议录(工业金属化、涂布与层合、应用幅材处理协会会议录2006(Association of Industrial Metallizers,Coaters andLaminators,Applied Web Handling Conference Proceedings 2006))中提出的“幅材卷曲测量(Measurement of Web Curl)”中所述的卷曲标准来测量。根据这种方法，可以0.25m-1曲率的分辨率测量卷曲。在一些实施例中，根据本公开的阻挡膜表现出最高至7、6、5、4或3m-1的卷曲。根据固体力学，已知横梁的曲率与施加给它的弯曲力矩成比例。又已知弯曲应力的大小与弯曲力矩成比例。根据这些关系，相对而言，样本的卷曲可以用来比较残余应力。阻挡膜还通常对固化在基底上的EVA和其它常用光伏包封剂表现出高的剥离粘附性。甚至在高温和湿度老化后，本文公开的阻挡膜的性质通常也将保持。
将参照下面的详细实例进一步描述本公开的操作。提供这些实例以进一步说明各种具体的和优选的实施例和技术。然而，应当理解，可以在不脱离本公开范围的前提下进行多种变型和更改。
实例
除非另外指明，否则实例中的所有份数、百分比和比率均按重量计。除非另外指明，否则所用溶剂和其它试剂均得自威斯康星州密尔沃基的西格玛-奥德里奇化学公司(Sigma-Aldrich Chemical Company；Milwaukee,WI)。
材料
三环癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯以Sartomer SR 833s得自宾夕法尼亚州埃克斯顿的沙多玛公司(Sartomer,Exton,PA)并据信具有下面示出的结构：
乙酰氯、三乙胺、二丁胺和甲基(甲基)丙烯酸3-(丙烯酰氧基)-2-羟基-丙酯得自威斯康星州密尔沃基的西格玛-奥德里奇公司(Sigma-Aldrich,Milwaukee,WI)并且后者具有以下组分作为其主要组分：
氨基-双(丙基-3-三甲氧基硅烷)HN[(CH2)3Si(OCH3)3]2和N-丁基-氨基丙基三甲氧基硅烷HN(CH2CH2CH2CH3)(CH2)3Si(OCH3)3分别以Dynasylan 1124和Dynasylan 1189得自新泽西州帕西帕尼的赢创工业公司(Evonik Industies,Parsippany,NJ)。
N-甲基-氨基丙基三甲氧基硅烷HN(CH3)(CH2)3Si(OCH3)3得自佛罗里达州阿拉楚阿的SynQuest实验室(SynQuest Labs,Alachua,FL)。
N-正丁基-氮杂-2,2-二甲氧基硅杂环戊烷以名称“Cyclic AZASilane 1932.4”得自宾夕法尼亚州莫里斯威尔市盖勒斯特公司(Gelest,Inc.,Morrisville,PA)。
迈克尔加合物的制备性实例
制备性实例1
在SR833s中的迈克尔加合物1的合成
向装配了顶置式搅拌器的100mL三颈圆底烧瓶中加入75g(0.2467mol)Sartomer SR 833s和4.76g(0.02467mol)N-甲基-氨基丙基三甲氧基硅烷。然后将烧瓶置于55℃的油浴中并在干燥空气下反应3.5小时以提供在SR 833s中的迈克尔加合物1。制备性实例1的迈克尔加合物的计算分子量为497。
制备性实例2
以与制备性实例1相似的方式，使75g(0.2467mol)Sartomer SR833s与8.43g(0.02467mol)氨基-双(丙基-3-三甲氧基硅烷)反应以提供在SR 833s中的迈克尔加合物2。然后将烧瓶置于55℃的油浴中并在干燥空气下反应3.5小时，以提供在SR 833s中的迈克尔加合物1。制备性实例2的迈克尔加合物的计算分子量为645。
制备性实例3
以与制备性实例1相似的方式，使300.0g(0.9868mol)Sartomer SR833s与23.23g(0.09868mol)N-丁基-氨基丙基三甲氧基硅烷反应以提供在SR 833s中的迈克尔加合物3。制备性实例3的迈克尔加合物的计算分子量为539。
制备性实例4
以与制备性实例1相似的方式，使300.0g(0.9868mol)Sartomer SR833s与27.19g(0.09868mol)N-环己基-氨基丙基三乙氧基硅烷反应以提供在SR 833s中的迈克尔加合物4。制备性实例4的迈克尔加合物的计算分子量为580。
制备性实例5
向装配了磁力搅拌子的100mL圆底烧瓶中加入20.00g(0.0467mol)甲基(甲基)丙烯酸3-(丙烯酰氧基)-2-羟基-丙酯并置于55℃油浴中。用时30分钟向该反应物中加入18.04g(0.0467mol)N-甲基-氨基丙基三甲氧基硅烷，并加热3小时，然后通过傅立叶变换质子NMR表征。制备性实例5的迈克尔加合物的计算分子量为408。
制备性实例6
部分1：甲基(甲基)丙烯酸-(丙烯酰氧基)-2-乙酰基-丙酯的制备性
实例
向装配了顶置式搅拌器的1L圆底烧瓶中加入92.89g(0.420mol)甲基(甲基)丙烯酸-(丙烯酰氧基)-2-羟基-丙酯、47.74g(0.513mol)三乙胺和176.06g叔丁基甲基醚并置于冰浴中。接下来向该反应物中逐滴加入35.36g(0.450mol)乙酰氯。用时一个周末让溶剂蒸发，向反应物中加入375g叔丁基甲基醚，并通过C孔隙度烧结布氏漏斗过滤。滤液用270g2％的盐酸和220g 5％的碳酸钠水溶液按顺序洗涤。反应物用无水硫酸镁干燥、过滤并在旋转蒸发仪上浓缩，得到37.3g油(收率34.7％)，其通过傅立叶变换质子NMR表征。
部分2：制备性实例6的迈克尔加合物的制备性实例
以与制备性实例4相似的方式，使26.51g(0.103mol)甲基(甲基)丙烯酸3-(丙烯酰氧基)-2-乙酰基-丙酯与20g N-甲基-氨基丙基三甲氧基硅烷反应以提供迈克尔加合物6。制备性实例6的迈克尔加合物的计算分子量为450。
制备性实例7
向装配了搅拌子的250ml圆底烧瓶中加入50g(0.16447mol)SR833s和2.125g(0.016447mol)二丁胺，于55℃油浴中搅拌3小时并装瓶。制备性实例7的迈克尔加合物的产物分布的结构在下面给出：
制备性实例7的迈克尔加合物的计算分子量为433。
模拟太阳能电池组件构造
下面的对照例x和实验例x到x涉及模拟太阳能电池组件的形成，所述模拟太阳能电池组件在设计以模拟户外环境中的老化的条件下经受老化，然后经受剥离粘结强度测试以确定上面的实例的脲(多)氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯硅烷在改善剥离粘附中是否有效。首先给出的为所有这些实例所共有的一些程序。
使用可以3M OPTICALLY CLEAR ADHESIVE 8172P从明尼苏达州圣保罗的3M公司(3M Company,St.Paul,MN)商购获得的0.05mm厚压敏粘合剂(PSA)将根据下面的实例的阻挡膜层合到可以ETFE从新泽西州韦恩的圣戈班高功能塑料公司(St.GobainPerformance Plastics,Wayne,NJ)商购获得的0.05mm厚乙烯-四氟乙烯(ETFE)膜。然后用绕阻挡片材与PTFE之间的箔的周缘布置的可以SOLARGAIN Edge Tape SET LP01”从俄亥俄州索伦的创奇密封技术公司(Truseal Technologies Inc.,Solon,OH)商购获得的13mm宽脱水边缘胶带将下面每一个实例中形成的层合阻挡片材置于可以8656K61从加利福尼亚州圣菲斯普林斯的麦克马斯特-卡尔公司(McMaster-Carr,Santa Fe Springs,CA)商购获得的0.14mm厚聚四氟乙烯(PTFE)涂布铝箔顶上。将可以JURASOL从伊利诺伊州唐纳格罗夫的JuraFilms公司(JuraFilms,Downer Grove,IL)商购获得的0.38mm厚封装剂膜和另一层层合阻挡片材置于箔的背侧，其中使封装剂介于阻挡片材和箔之间。将此多部件构件于150℃下真空层合12分钟。
测试方法
老化测试
将层合构造在设定为85℃和85％相对湿度条件的环境室中老化直到1000小时。
T剥离粘附力测试
从PTFE表面切下未经老化和经老化的阻挡片材并分成1.0英寸宽的条带以使用ASTM D1876-08 T-剥离测试方法进行粘附测试。样品由剥离试验机(可以商品名“INISIGHT 2 SL”(装有Testworks 4软件)从明尼苏达州伊甸草原的MTS公司(MTS,Eden Prarie,MN)商购获得)剥离，剥离速率10in/min(25.4cm/min)。给出的单位为牛顿每厘米(N/cm)的粘附值为1.27cm到15.1cm的四次剥离测量的平均值。在85℃和85％相对湿度下250小时后测量阻挡片材的T-剥离粘附力并在500和/或1000小时的暴露后再次测量。
阻挡层叠体沉积实例
比较例1
用(甲基)丙烯酸酯平滑层、无机硅铝氧化物(SiAlOx)阻挡层和(甲基)丙烯酸酯保护层的层叠体覆盖聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底膜。按以下方式形成各个层：
(层1–(甲基)丙烯酸酯平滑层)
向卷对卷真空处理室中装入0.127mm厚×366mm宽PET膜的280米长的卷(可以商品名“XST 6642”从特拉华州威尔明顿的杜邦公司(Dupont,Wilmington,DE)商购获得)。对该室进行抽气，使压力下降到1×10-5托。幅材速度保持在4.9米/分钟下，同时使膜的背侧保持与冷冻至-10℃的涂布鼓接触。在膜与鼓接触的情况下，以0.02kW的等离子体功率用氮等离子体处理膜表面。然后用三环癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯(商品名“SR-833S”，可从宾夕法尼亚州埃克斯顿的沙多玛美国公司(Sartomer USA,LLC,Exton,PA))商购获得)涂布膜表面。在涂布前于真空下对二(甲基)丙烯酸酯脱气至20毫托的压力，加载到注射泵中，并在1.33mL/min的流动速率下泵送通过在60kHz的频率下运行的超声雾化器并进入保持在260℃下的经加热汽化室中。所得单体蒸气流冷凝到膜表面上，并使用在7.0kV和4mA下运行的多丝电子束固化枪进行电子束交联，以形成720nm的(甲基)丙烯酸酯层。
(层2-无机层)
(甲基)丙烯酸酯沉积后并在膜仍与鼓接触的情况下，立即向期望长度(23m)的(甲基)丙烯酸酯涂布幅材表面顶上溅射沉积SiAlOx层。使用两个交流电(AC)电源来控制两对阴极；每一个阴极容纳两个90％Si/10％Al靶(可从马特里恩公司(Materion)商购获得的靶)。在溅射沉积的过程中，将每个电源的电压信号用作比例-积分-微分控制回路的输入，用于维持流至各阴极的预定氧气流。AC电源使用5000瓦特的功率来溅射90％Si/10％Al靶，其中在3.2毫托的溅射压力下，总的气体混合物含有850sccm的氩气和94sccm的氧气。这提供沉积在层1(甲基)丙烯酸酯顶上的24nm厚SiAlOx层。
(层3–(甲基)丙烯酸酯化合物保护层)
在SiAlOx层沉积后并在膜仍与鼓接触的情况下，立即在同一23米长的幅材上涂布并交联第二(甲基)丙烯酸酯化合物(与层1中相同的(甲基)丙烯酸酯化合物)，该涂布和交联使用与层1相同的一般性条件，但有以下例外。使用在7kV和5mA下运行的多丝电子束固化枪来进行电子束交联。这在层2顶上提供720nm厚的(甲基)丙烯酸酯层。
在0°的入射角下测量，聚合物基底上所得的三层层叠体表现出87％的平均光谱透射率Tvis(通过对400nm和700nm之间的透射百分率T进行平均而算出)。水蒸气传输速率按照ASTM F-1249在50℃和100％相对湿度(RH)的条件下测得，结果低于MOCONPERMATRAN-700 WVTR型测试系统(可从明尼苏达州明尼阿波利斯的膜康公司(MOCON,Inc,Minneapolis,MN)商购获得)的检测下限速率0.005克/平方米/天。
如表1中所示，本比较膜样品的初始、250小时和1000小时T-剥离粘附力值分别为0.3N/cm、0.1N/cm和0.1N/cm。
比较例2
用(甲基)丙烯酸酯平滑层、无机硅铝氧化物(SiAlOx)阻挡层和含有(甲基)丙烯酸酯与源自迈克尔反应但不含硅烷官能团的比较用化合物分子的(甲基)丙烯酸酯保护层的层叠体覆盖聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底膜。各个层如比较例1中那样形成，不同的是在层3中共蒸发、冷凝并电子束交联71重量％的制备性实例7与29重量％的“SR-833S”二(甲基)丙烯酸酯的混合物(此比率对应于3份起始仲胺偶联剂对100份SR833S)。
在0°的入射角下测量，聚合物基底上所得的三层层叠体表现出87％的平均光谱透射率Tvis(通过对400nm和700nm之间的透射百分率T进行平均而算出)。水蒸气传输速率按照ASTM F-1249在50℃和100％RH的条件下测得，结果低于MOCON PERMATRAN-700WVTR型测试系统(可从膜康公司商购获得)的检测限率下限0.005克/平方米/天。
如表1中所示，该比较用膜具有0.24N/cm的初始T-剥离粘附力值并在85/85加速老化250小时后具有0.13N/cm的值。
比较例3
用(甲基)丙烯酸酯平滑层、无机硅铝氧化物(SiAlOx)阻挡层和含有(甲基)丙烯酸酯与非源自迈克尔反应的环状氨基硅烷的(甲基)丙烯酸酯保护层的层叠体覆盖聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底膜。各个层如比较例1中那样形成，不同的是在层3中共蒸发、冷凝并电子束交联3重量％的N-正-丁基-氮杂-2,2-二甲氧基硅杂环戊烷(可从宾夕法尼亚州莫里斯维尔的盖勒斯特公司(Gelest,Morrisville,PA)以产品代码1932.4商购获得)与97重量％的“SR-833S”二(甲基)丙烯酸酯的混合物。
在0°的入射角下测量，聚合物基底上所得的三层层叠体表现出87％的平均光谱透射率Tvis(通过对400nm和700nm之间的透射百分率T进行平均而算出)。水蒸气传输速率根据ASTM F-1249在50℃和100％RH的条件下测量，结果低于MOCON PERMATRAN-700WVTR型测试系统的检测下限速率0.005克/平方米/天。
如表1中所示，本比较膜样品的初始、250小时、500小时和1000小时T-剥离粘附力值分别为6.1N/cm、10.1N/cm、8.9N/cm和0.1N/cm。
实例1
用(甲基)丙烯酸酯平滑层、无机硅铝氧化物(SiAlOx)阻挡层和含有(甲基)丙烯酸酯与源自迈克尔反应并含硅烷官能团的比较用化合物分子的(甲基)丙烯酸酯保护层的层叠体覆盖聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底膜。各个层如比较例1中那样形成，不同的是在层3中共蒸发、冷凝并电子束交联47重量％的制备性实例1与53重量％的“SR-833S”二(甲基)丙烯酸酯的混合物(此比率对应于3份制备性实例1的起始仲胺偶联剂对100份SR833S)。
在0°的入射角下测量，聚合物基底上所得的三层层叠体表现出87％的平均光谱透射率Tvis(通过对400nm和700nm之间的透射百分率T进行平均而算出)。水蒸气传输速率按照ASTM F-1249在50℃和100％RH的条件下测得，结果低于MOCON PERMATRAN-700WVTR型测试系统(可从膜康公司商购获得)的检测限率下限0.005克/平方米/天。
如表1中所示，本发明膜样品的初始、250小时和1000小时T-剥离粘附力值分别为7.9N/cm、9.3N/cm和0.4N/cm。
实例2
用(甲基)丙烯酸酯平滑层、无机硅铝氧化物(SiAlOx)阻挡层和含有(甲基)丙烯酸酯与源自迈克尔反应并含硅烷官能团的比较用化合物分子的(甲基)丙烯酸酯保护层的层叠体覆盖聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底膜。各个层如比较例1中那样形成，不同的是在层3中共蒸发、冷凝并电子束交联27重量％的制备性实例2与73重量％的“SR-833S”二(甲基)丙烯酸酯的混合物(此比率对应于3份制备性实例2的起始仲胺偶联剂对100份SR833S)。
在0°的入射角下测量，聚合物基底上所得的三层层叠体表现出87％的平均光谱透射率Tvis(通过对400nm和700nm之间的透射百分率T进行平均而算出)。水蒸气传输速率根据ASTM F-1249在50℃和100％RH的条件下测量，结果低于MOCON PERMATRAN-700WVTR型测试系统(可从膜康公司商购获得)的检测下限速率0.005克/平方米/天。
如表1中所示，本发明膜样品的初始、250小时和1000小时T-剥离粘附力值分别为7.8N/cm、10.2N/cm和2.5N/cm。
实例3
用(甲基)丙烯酸酯平滑层、无机硅铝氧化物(SiAlOx)阻挡层和含有(甲基)丙烯酸酯与源自迈克尔反应并含硅烷官能团的比较用化合物分子的(甲基)丙烯酸酯保护层的层叠体覆盖聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底膜。各个层如比较例1中那样形成，不同的是在层3中共蒸发、冷凝并电子束交联39重量％的制备性实例3与61重量％的“SR-833S”二(甲基)丙烯酸酯的混合物(此比率对应于3份制备性实例3的起始仲胺偶联剂对100份SR833S)。
在0°的入射角下测量，聚合物基底上所得的三层层叠体表现出87％的平均光谱透射率Tvis(通过对400nm和700nm之间的透射百分率T进行平均而算出)。水蒸气传输速率按照ASTM F-1249在50℃和100％RH的条件下测得，结果低于MOCON PERMATRAN-700WVTR型测试系统(可从膜康公司商购获得)的检测限率下限0.005克/平方米/天。
如表1中所示，本发明膜样品的初始、250小时和500小时T-剥离粘附力值分别为7.5N/cm、10.4N/cm和2.1N/cm。
实例4
用(甲基)丙烯酸酯平滑层、无机硅铝氧化物(SiAlOx)阻挡层和含有(甲基)丙烯酸酯与源自迈克尔反应并含硅烷官能团的比较用化合物分子的(甲基)丙烯酸酯保护层的层叠体覆盖聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底膜。各个层如比较例1中那样形成，不同的是在层3中共蒸发、冷凝并电子束交联33重量％的制备性实例4与67重量％的“SR-833S”二(甲基)丙烯酸酯的混合物(此比率对应于3份制备性实例4的起始仲胺偶联剂对100份SR833S)。
在0°的入射角下测量，聚合物基底上所得的三层层叠体表现出87％的平均光谱透射率Tvis(通过对400nm和700nm之间的透射百分率T进行平均而算出)。水蒸气传输速率按照ASTM F-1249在50℃和100％RH的条件下测得，结果低于MOCON PERMATRAN-700WVTR型测试系统(可从膜康公司商购获得)的检测限率下限0.005克/平方米/天。
如表1中所示，本发明膜样品的初始、250小时和1000小时T-剥离粘附力值分别为0.3N/cm、0.1N/cm和0.1N/cm。
实例5
用(甲基)丙烯酸酯平滑层、无机硅铝氧化物(SiAlOx)阻挡层和含有(甲基)丙烯酸酯与源自迈克尔反应并含硅烷官能团的比较用化合物分子的(甲基)丙烯酸酯保护层的层叠体覆盖聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底膜。各个层如比较例1中那样形成，不同的是在层3中共蒸发、冷凝并电子束交联7.5重量份的制备性实例5与100重量份的“SR-833S”二(甲基)丙烯酸酯的混合物。
在0°的入射角下测量，聚合物基底上所得的三层层叠体表现出87％的平均光谱透射率Tvis(通过对400nm和700nm之间的透射百分率T进行平均而算出)。水蒸气传输速率按照ASTM F-1249在50℃和100％ RH的条件下测得，结果低于MOCON PERMATRAN-700WVTR型测试系统(可从膜康公司商购获得)的检测限率下限0.005克/平方米/天。
如表1中所示，本发明膜样品的初始、250小时、500小时和1000小时T-剥离粘附力值分别为7.0N/cm、6.7N/cm、0.3N/cm和0.4N/cm。
实例6
用(甲基)丙烯酸酯平滑层、无机硅铝氧化物(SiAlOx)阻挡层和含有(甲基)丙烯酸酯与源自迈克尔反应并含硅烷官能团的比较用化合物分子的(甲基)丙烯酸酯保护层的层叠体覆盖聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底膜。各个层如比较例1中那样形成，不同的是在层3中共蒸发、冷凝并电子束交联3重量份的制备性实例5与100重量份的“SR-833S”二(甲基)丙烯酸酯的混合物。
在0°的入射角下测量，聚合物基底上所得的三层层叠体表现出87％的平均光谱透射率Tvis(通过对400nm和700nm之间的透射百分率T进行平均而算出)。水蒸气传输速率按照ASTM F-1249在50℃和100％RH的条件下测得，结果低于MOCON PERMATRAN-700WVTR型测试系统(可从膜康公司商购获得)的检测限率下限0.005克/平方米/天。
如表1中所示，本发明膜样品的初始、250小时、500小时和1000小时T-剥离粘附力值分别为7.7N/cm、10.1N/cm、4.9N/cm和2.1N/cm。
实例7
用(甲基)丙烯酸酯平滑层、无机硅铝氧化物(SiAlOx)阻挡层和含有(甲基)丙烯酸酯与源自迈克尔反应并含硅烷官能团的比较用化合物分子的(甲基)丙烯酸酯保护层的层叠体覆盖聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底膜。各个层如比较例1中那样形成，不同的是在层3中共蒸发、冷凝并电子束交联7.5重量份的制备性实例6与100重量份的“SR-833S”二(甲基)丙烯酸酯的混合物。
在0°的入射角下测量，聚合物基底上所得的三层层叠体表现出87％的平均光谱透射率Tvis(通过对400nm和700nm之间的透射百分率T进行平均而算出)。水蒸气传输速率按照ASTM F-1249在50℃和100％RH的条件下测得，结果低于MOCON PERMATRAN-700WVTR型测试系统(可从膜康公司商购获得)的检测限率下限0.005克/平方米/天。
如表1中所示，本发明膜样品的初始、250小时、500小时和1000小时T-剥离粘附力值分别为7.7N/cm、9.6N/cm、2.8N/cm和0.4N/cm。
实例8
用(甲基)丙烯酸酯平滑层、无机硅铝氧化物(SiAlOx)阻挡层和含有(甲基)丙烯酸酯与源自迈克尔反应并含硅烷官能团的比较用化合物分子的(甲基)丙烯酸酯保护层的层叠体覆盖聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底膜。各个层如比较例1中那样形成，不同的是在层3中共蒸发、冷凝并电子束交联3重量份的制备性实例6与100重量份的“SR-833S”二(甲基)丙烯酸酯的混合物。
在0°的入射角下测量，聚合物基底上所得的三层层叠体表现出87％的平均光谱透射率Tvis(通过对400nm和700nm之间的透射百分率T进行平均而算出)。水蒸气传输速率按照ASTM F-1249在50℃和100％RH的条件下测得，结果低于MOCON PERMATRAN-700WVTR型测试系统(可从膜康公司商购获得)的检测限率下限0.005克/平方米/天。
如表1中所示，本发明膜样品的初始、250小时、500小时和1000小时T-剥离粘附力值分别为7.9N/cm、9.8N/cm、9.6N/cm和3.4N/cm。
表1
整个本说明书中提及的“一个实施例”、“某些实施例”、“一个或多个实施例”或“实施例”，无论在术语“实施例”前是否包括术语“示例性的”都意指结合该实施例描述的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的某些示例性实施例中的至少一个实施例中。因此，在整个本说明书的各处出现的表述如“在一个或多个实施例中”、“在某些实施例中”、“在一个实施例中”或“在实施例中”不一定是指本公开的某些示例性实施例中的同一实施例。另外，具体的特征、结构、材料或特性可以以任何适合的方式结合到一个或多个实施例中。
虽然本说明书详细描述了某些示例性实施例，但应当理解，本领域的技术人员在理解上述内容后，可以轻易设想这些实施例的更改形式、变型形式和等同形式。因此，应当理解，本公开不应不当地受限于以上示出的示例性实施例。具体而言，如本文所用，数值范围以端值记载旨在包括纳入该范围内的所有数(例如，1至5包括1、1.5、2、2.75、3、3.80、4和5)。另外，本文用到的所有数字均假定以术语“约”修饰。
此外，本文引用的所有出版物和专利以引用方式全文并入本文中，犹如各个出版物或专利被特别地和单独地指出以引用方式并入。各个示例性实施例均已进行了描述。这些和其他实施例均在所附权利要求书的范围内。
Claims (21)
1.一种阻挡膜，其包括：
基底；
在所述基底的主表面上的基础(共)聚合物层；
在所述基础(共)聚合物层上的氧化物层；以及
在所述氧化物层上的保护性(共)聚合物层，
其中所述保护性(共)聚合物层包含作为以下物质的反应产物形成的(共)聚合物：
第一(甲基)丙烯酰化合物，和
源自第二(甲基)丙烯酰化合物与氨基硅烷之间的迈克尔反应的(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物，
任选地其中所述第一(甲基)丙烯酰化合物与所述第二(甲基)丙烯酰化合物相同。
2.根据权利要求1所述的阻挡膜，其还包含在所述基础(共)聚合物层上的所述氧化物层与所述保护性(共)聚合物层的多个交替的层。
3.根据前述权利要求中任一项所述的阻挡膜，其中所述(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物由下式表示：
(Rm)x-R1-(R2)y
其中
x和y各自独立地为至少1；
Rm为包含式–X2-C(O)C(R3)＝CH2的(甲基)丙烯酰基基团，其中X2为-O、-S或–NR3，其中R3为H或C1-C4；
R1为共价键、多价亚烷基、(聚)环亚烷基、杂环基、或亚芳基基团或它们的组合，所述亚烷基基团任选地含有一个或多个链中氧或氮原子，或羟基侧基；
R2为含硅烷基团，其源自氨基硅烷与下式的丙烯酰基团之间的迈克尔反应：
–X2-C(O)CH2CH2-N(R4)-R5-Si(Yp)(R6)3-p
其中：
X2为-O、-S或–NR3，其中R3为H或C1-C4烷基，
R4为C1-C6烷基或环烷基或-R5-Si(Yp)(R6)3-p或(Rm)x-R1-X2-C(O)-CH2CH2-，
R5为二价亚烷基基团，所述亚烷基基团任选地含有一个或多个链中氧或氮原子，
Y为可水解基团，其选自烷氧基基团、乙酸根基团、芳氧基基团和卤素，
R6是单价烷基或芳基基团，并且
p为1、2或3。
4.根据前述权利要求中任一项所述的阻挡膜，其中所述第一(甲基)丙烯酰化合物和第二(甲基)丙烯酰化合物选自二(甲基)丙烯酸三环癸烷二甲醇酯、甲基(甲基)丙烯酸3-(丙烯酰氧基)-2-羟基-丙酯、三丙烯酰氧基乙基异氰脲酸酯、二(甲基)丙烯酸甘油酯、乙氧基化三羟甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化(3)甘油基二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化(5,5)甘油基二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化(3)三羟甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化(6)三羟甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、二-三羟甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯以及它们的组合。
5.根据权利要求4所述的阻挡膜，其中所述(甲基)丙烯酰化合物为：
并且所述(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物为以下中的至少一种：
6.根据前述权利要求中任一项所述的阻挡膜，其中所述基底包括柔性透明聚合物膜，任选地其中所述基底包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、热稳定的PET、热稳定的PEN、聚甲醛、聚乙烯基萘、聚醚醚酮、含氟聚合物、聚碳酸酯、聚甲基(甲基)丙烯酸甲酯、聚α-甲基苯乙烯、聚砜、聚苯醚、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚酰胺酰亚胺、聚酰亚胺、聚邻苯二甲酰胺或它们的组合。
7.根据前述权利要求中任一项所述的阻挡膜，其中所述基础(共)聚合物层包括(甲基)丙烯酸酯平滑层。
8.根据前述权利要求中任一项所述的阻挡膜，其中所述氧化物层包含如下物质的氧化物、氮化物、碳化物或硼化物，所述物质为选自第IIA族、第IIIA族、第IVA族、第VA族、第VIA族、第VIIA族、第IB族或第IIB族的原子元素，第IIIB族、第IVB族或第VB族的金属，稀土金属或者它们的组合。
9.根据前述权利要求中任一项所述的阻挡膜，其还包括施加到所述保护性(共)聚合物层的氧化物层，任选地其中所述氧化物层包含硅铝氧化物。
10.一种组装了根据前述权利要求中任一项所述的阻挡膜的制品，其中所述制品选自光伏装置、显示装置、固态照明装置以及它们的组合。
11.一种用于制备阻挡膜的方法，该方法包括：
(a)向基底的主表面施加基础(共)聚合物层；
(b)在所述基础(共)聚合物层上施加氧化物层；以及
(c)在所述氧化物层上沉积第一(甲基)丙烯酰化合物和源自第二(甲基)丙烯酰化合物与氨基硅烷之间的迈克尔反应的(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物，并使所述(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物与所述第一(甲基)丙烯酰化合物反应以在所述氧化物层上形成保护性(共)聚合物层。
12.根据权利要求11所述的方法，其中步骤(a)包括：
(i)蒸发基础(共)聚合物前体；
(ii)冷凝所述蒸发的基础(共)聚合物前体到所述基底上；以及
(iii)固化所述蒸发的基础(共)聚合物前体以形成所述基础(共)聚合物层。
13.根据权利要求11-12中任一项所述的方法，其中所述基础(共)聚合物前体包括(甲基)丙烯酸酯单体。
14.根据权利要求11-13中任一项所述的方法，其中步骤(b)包括向所述基础(共)聚合物层上沉积氧化物以形成所述氧化物层，其中所述沉积使用溅射沉积、反应性溅射、化学气相沉积或它们的组合来实现。
15.根据权利要求11-14中任一项所述的方法，其中步骤(b)包括向所述基础(共)聚合物层施加无机硅铝氧化物的层。
16.根据权利要求11-15中任一项所述的方法，该方法还包括按顺序重复步骤(b)和(c)以在所述基础(共)聚合物层上形成所述保护性(共)聚合物层与所述氧化物层的多个交替的层。
17.根据权利要求11-16中任一项所述的方法，其中步骤(c)还包括以下中的至少一者：从液体混合物共蒸发所述(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物与所述(甲基)丙烯酰化合物，或者从单独的液体源按顺序蒸发所述(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物和所述(甲基)丙烯酰化合物，任选地其中所述液体混合物包含不超过约10重量％的所述(甲基)丙烯酰基-硅烷。
18.根据权利要求17所述的方法，其中步骤(c)还包括以下中的至少一者：将所述(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物与所述(甲基)丙烯酰化合物共冷凝到所述氧化物层上，或者在所述氧化物层上按顺序冷凝所述(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物和所述(甲基)丙烯酰化合物。
19.根据权利要求11-18中任一项所述的方法，其中使所述(甲基)丙烯酰化合物与所述(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物反应以在所述氧化物层上形成保护性(共)聚合物层至少部分地在所述氧化物层上发生。
20.根据权利要求11-19中任一项所述的方法，该方法还包括将氧化物层施加到顶部保护性(共)聚合物层，任选地其中所述氧化物层包含硅铝氧化物或铟锡氧化物中的至少一种。
21.根据权利要求4所述的阻挡膜，其中所述(甲基)丙烯酰化合物为：
并且所述(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物选自：
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107922657A (zh) * | 2015-08-19 | 2018-04-17 | 3M创新有限公司 | 包括多层阻隔组件的复合材料制品及其制造方法 |
| CN108883571A (zh) * | 2016-03-16 | 2018-11-23 | 利萨·德雷克塞迈尔有限责任公司 | 用于部件的蒸镀的装置 |
| CN109119492A (zh) * | 2017-06-23 | 2019-01-01 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 薄膜太阳能电池及其制备方法 |
| CN112086549A (zh) * | 2019-06-13 | 2020-12-15 | 光宝光电(常州)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR20140119583A (ko) * | 2013-04-01 | 2014-10-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
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| US10658096B2 (en) | 2016-03-04 | 2020-05-19 | 3M Innovative Properties Company | Magnetic multilayer sheet |
| US10982064B2 (en) | 2016-03-25 | 2021-04-20 | 3M Innovative Properties Company | Multilayer barrier films |
| EP3562870B1 (en) | 2016-12-30 | 2021-08-11 | Michelman, Inc. | Coated film structures with an aluminum oxide intermediate layer |
| DE102020114527B4 (de) | 2020-05-29 | 2023-11-30 | Infineon Technologies Ag | Chipgehäuse und verfahren zum bilden eines chipgehäuses |
| WO2022243790A1 (en) * | 2021-05-19 | 2022-11-24 | 3M Innovative Properties Company | Packaged abrasive articles |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060003189A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Kim Tae W | Barrier coatings |
| CN101679461A (zh) * | 2007-03-08 | 2010-03-24 | 3M创新有限公司 | 具有侧甲硅烷基的含氟化合物 |
| US20110223434A1 (en) * | 2008-11-17 | 2011-09-15 | Roehrig Mark A | Gradient composition barrier |
| US20120003484A1 (en) * | 2010-07-02 | 2012-01-05 | 3M Innovative Properties Company | Moisture resistant coating for barrier films |
| US20120003448A1 (en) * | 2010-07-02 | 2012-01-05 | 3M Innovative Properties Company | Barrier assembly with encapsulant and photovoltaic cell |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001066656A2 (en) * | 2000-03-03 | 2001-09-13 | Dow Corning Corporation | Barrier coatings from bis-silanes, multifunctional acrylates and ethylenically unsaturated acids |
| JP2004002508A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Nippon Arc Co Ltd | ハードコート被覆トリアセチルセルロース樹脂物品の製造方法およびハードコート被覆トリアセチルセルロース樹脂物品 |
| JP4646497B2 (ja) * | 2003-03-06 | 2011-03-09 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 高エネルギー線硬化性アクリロキシ官能シリコーン組成物 |
| JP2005007741A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Toppan Printing Co Ltd | 積層体 |
| US20060147177A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Naiyong Jing | Fluoropolymer coating compositions with olefinic silanes for anti-reflective polymer films |
| DE602006004445D1 (de) * | 2005-03-11 | 2009-02-05 | Sherwin Williams Co | Kratzfeste härtbare beschichtungszusammensetzung |
| JP4716773B2 (ja) * | 2005-04-06 | 2011-07-06 | 富士フイルム株式会社 | ガスバリアフィルムとそれを用いた有機デバイス |
| WO2012106184A2 (en) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | 3M Innovative Properties Company | Vapor-deposited coating for barrier films and methods of making and using the same |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060003189A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Kim Tae W | Barrier coatings |
| CN101679461A (zh) * | 2007-03-08 | 2010-03-24 | 3M创新有限公司 | 具有侧甲硅烷基的含氟化合物 |
| US20110223434A1 (en) * | 2008-11-17 | 2011-09-15 | Roehrig Mark A | Gradient composition barrier |
| US20120003484A1 (en) * | 2010-07-02 | 2012-01-05 | 3M Innovative Properties Company | Moisture resistant coating for barrier films |
| US20120003448A1 (en) * | 2010-07-02 | 2012-01-05 | 3M Innovative Properties Company | Barrier assembly with encapsulant and photovoltaic cell |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107922657A (zh) * | 2015-08-19 | 2018-04-17 | 3M创新有限公司 | 包括多层阻隔组件的复合材料制品及其制造方法 |
| CN107922657B (zh) * | 2015-08-19 | 2020-07-17 | 3M创新有限公司 | 包括多层阻隔组件的复合材料制品及其制造方法 |
| CN108883571A (zh) * | 2016-03-16 | 2018-11-23 | 利萨·德雷克塞迈尔有限责任公司 | 用于部件的蒸镀的装置 |
| CN109119492A (zh) * | 2017-06-23 | 2019-01-01 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 薄膜太阳能电池及其制备方法 |
| CN112086549A (zh) * | 2019-06-13 | 2020-12-15 | 光宝光电(常州)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
| US11462524B2 (en) | 2019-06-13 | 2022-10-04 | Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. | Light emitting structure |
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