CN104508761A - 导电膜用原料、导电膜层积体、电子设备、以及导电膜用原料和导电膜层积体的制造方法 - Google Patents

导电膜用原料、导电膜层积体、电子设备、以及导电膜用原料和导电膜层积体的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种具有易于通过热处理来结晶化、结晶化后的薄膜电阻值低、且膜厚增加也得到了抑制的非晶质层的导电膜用原料。该导电膜用原料具有透明基材、和层积在上述透明基材上的由铟锡氧化物构成的非晶质层。上述非晶质层由含有以氧化物换算计5.5～9质量％的锡的铟锡氧化物构成，膜厚为15～25nm，且结晶化后的薄膜电阻值为50～150Ω/□。

Description

导电膜用原料、导电膜层积体、电子设备、以及导电膜用原料和导电膜层积体的制造方法
技术领域
本发明涉及导电膜用原料、导电膜层积体、电子设备、以及导电膜用原料和导电膜层积体的制造方法。
背景技术
透明导电膜由于具有导电性和光学透明性而被用作透明电极、电磁波遮蔽膜、面状发热膜、反射防止膜等，近年来作为触摸屏用电极受到瞩目。触摸屏中存在电阻膜式、静电电容耦合式、光学式等多种方式。透明导电膜用于例如通过上下的电极进行接触来确定触摸位置的电阻膜式、感知静电电容的变化的静电电容耦合方式。用于电阻膜式的透明导电膜由于从工作原理上考虑，透明导电膜之间进行机械性接触，因此要求高耐久性。此外,用于静电电容耦合方式或一部分电阻膜式的透明导电膜由于通过蚀刻为特定的图案来形成多个透明电极，因此要求蚀刻性良好。此外，透明导电膜由于配置在显示部的前面，因此要求高光透射率。
作为透明导电膜，可例举铟锡氧化物构成的膜。可以通过使铟锡氧化物结晶化来提高耐久性。但是，有时在制作透明导电膜的铟锡氧化物上通过蚀刻来形成多个透明电极，如果处于结晶化的状态则难以通过蚀刻来形成多个透明电极。例如，在铟锡氧化物结晶化的情况下，有由于蚀刻速率下降而使得透明电极的形成耗费时间，或者透明电极的形状不能达到所希望的形状之虞。
从这样的观点来看，理想的是首先对容易蚀刻的非晶质状态的铟锡氧化物进行成膜，在对该非晶质状态的铟锡氧化物进行蚀刻而形成了多个透明电极后，通过热处理使其结晶化。该情况下，对于非晶质状态的铟锡氧化物，要求能够通过热处理容易地结晶化。此外，还要求结晶化后的比电阻低。比电阻低的情况下，即使膜厚较薄也可降低薄膜电阻值。此外，对于透明导电膜所要求的高透射率，可通过减少膜厚来提高透射率。目前，由于易于通过热处理来结晶化且结晶化后的比电阻也较低，因此使用以氧化物换算计含有3质量％左右的锡的铟锡氧化物(例如参照专利文献1～3)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2011-65937号公报
专利文献2：日本专利特开2011-100749号公报
专利文献3：日本专利特开2004-149884号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
近年，伴随着触摸屏装置等电子设备的大型化，存在操作时的透明导电膜中的传递速度的下降。为了抑制传递速度的下降，要求透明导电膜的薄膜电阻值减少至目前以上的水平。具体而言，要求透明导电膜的薄膜电阻值减少至150Ω/□以下。
对于上述的以氧化物换算计含有3质量％左右的锡的铟锡氧化物，通过使其膜厚增加，可使结晶化后的薄膜电阻值下降，但为了达到规定的薄膜电阻值，需要将膜厚变得非常厚。从使透射率等光学特性良好的观点来看，膜厚优选25nm以下，但对于上述的以氧化物换算计含有3质量％左右的锡的铟锡氧化物，为了得到规定的薄膜电阻值需要将膜厚设为超过25nm。
另一方面，作为透明导电膜的构成材料，还已知有以氧化物换算计含有10质量％左右的锡的铟锡氧化物，与上述的以氧化物换算计含有3质量％左右的锡的铟锡氧化物相比，可降低结晶化后的薄膜电阻值。然而，以氧化物换算计含有10质量％左右的锡的铟锡氧化物并不一定易于结晶化，在达到结晶化所必需的膜厚的情况下，透射率等光学特性并不良好。
本发明是为了解决上述课题而完成的发明，其目的是提供一种具有易于通过热处理而结晶化、结晶化后的薄膜电阻值低、且膜厚增加也得到了抑制的非晶质层的导电膜用原料。此外，本发明的目的还在于提供一种具有薄膜电阻值低、且膜厚增加也得到了抑制的结晶质层的导电膜层积体，以及具有该导电膜层积体的电子设备。进一步，本发明的目的还在于提供上述的导电膜用原料和导电膜层积体的制造方法。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明的导电膜用原料具有透明基材、和层积在上述透明基材上的由铟锡氧化物构成的非晶质层。上述非晶质层由含有以氧化物换算计5.5～9质量％的锡的铟锡氧化物构成，膜厚为15～25nm，且结晶化后的薄膜电阻值为50～150Ω/□。
本发明的导电膜层积体具有透明基材、和层积在上述透明基材上的由铟锡氧化物构成的结晶质层。所述结晶质层由含有以氧化物换算计5.5～9质量％的锡的铟锡氧化物构成，膜厚为15～25nm，且结晶化后的薄膜电阻值为50～150Ω/□。
本发明的电子设备的特征在于，具有上述的本发明的导电膜层积体。
本发明的导电膜用原料的制造方法的特征在于，具有以下成膜工序：在透明基材上，使用由含有以氧化物换算计5.5～9质量％锡的铟锡氧化物构成的溅射靶材，利用溅射法，制成膜厚为15～25nm且结晶化后的薄膜电阻值为50～150Ω/□的非晶质层。
本发明的导电膜层积体的制造方法的特征在于，具有在透明基材上，使用由含有以氧化物换算计5.5～9质量％锡的铟锡氧化物构成的溅射靶材，利用溅射法，制成膜厚为15～25nm且结晶化后的薄膜电阻值为50～150Ω/□的非晶质层，得到导电膜用原料的成膜工序；对上述导电膜用原料进行热处理，使上述非晶质层结晶化而成为结晶质层的热处理工序。
本发明的导电膜层积体的制造方法的特征在于，具有在透明基材上，使用由含有以氧化物换算计5.5～9质量％锡的铟锡氧化物构成的溅射靶材，利用溅射法，制成膜厚为15～25nm且结晶化后的薄膜电阻值为50～150Ω/□的非晶质层，得到导电膜用原料的成膜工序；通过对上述导电膜用原料的非晶质层进行蚀刻加工来进行图案形成的工序；对形成了图案的导电膜用原料进行热处理，使上述非晶质层结晶化而成为结晶质层的热处理工序。
发明的效果
本发明可提供一种具有易于通过热处理而结晶化、结晶化后的薄膜电阻值低、且膜厚增加也得到了抑制的非晶质层的导电膜用原料。此外，本发明可提供一种具有薄膜电阻值低、且膜厚增加也得到了抑制的结晶质层的导电膜层积体，以及具有该导电膜层积体的电子设备。进一步，本发明可提供用于制造上述导电膜用原料和导电膜层积体的制造方法。
附图说明
图1是表示导电膜用原料的一实施方式的剖视图。
图2是表示导电膜层积体的一实施方式的剖视图。
图3是表示非晶质层成膜时的氧气流量和非晶质层热处理前后的薄膜电阻值的关系的一例的图。
图4是表示溅射靶材中以氧化物换算计的锡的含量和薄膜电阻值为最低值时的氧气流量(最适流量)的关系的一例的图。
具体实施方式
以下，对本发明进行详细说明。
图1是表示导电膜用原料的一实施方式的剖视图。
导电膜用原料10具有例如透明基材11、和层积在该透明基材11上的由非晶质状态的铟锡氧化物构成的非晶质层12。这样的导电膜用原料10用于制造在透明基材11上层积了由结晶质状态的铟锡氧化物构成的结晶性透明导电膜的导电膜层积体。即，非晶质层12通过热处理而结晶化，成为结晶性透明导电膜。
这里，非晶质、结晶质通过测定在HCl溶液(浓度1.5mol/L)中浸渍3分钟的前后的电阻值而求得的电阻值变化率(浸渍后的电阻值/浸渍前的电阻值)来进行评价。该电阻值变化率超过200％的情况下评价为非晶质，或者电阻值变化率为200％以下的情况下评价为结晶质。
透明基材11优选例如聚乙烯或聚丙烯等聚烯烃，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯，尼龙6、尼龙66等聚酰胺，聚酰亚胺，聚芳酯，聚碳酸酯，聚丙烯酸酯，聚醚砜，聚砜，它们的共聚物的无拉伸或拉伸了的塑料膜。另外，在透明基材11中也可使用透明性高的其他塑料膜。其中，特别优选由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成的塑料膜。
也可以在透明基材11的一面或两面上形成硬质涂层等底涂层。此外，也可以在透明基材11上实施易粘接处理、等离子体处理、电晕处理等表面处理。透明基材11的厚度从可挠性或耐久性等观点来看，优选10～200μm。
作为硬质涂层，可例举透明且硬质的有机材料层。硬质涂层的厚度优选1～15μm，更优选1.5～10μm。通过将硬质涂层的膜厚设为1μm以上，由硬质涂层的形成能够得到所期待的效果。此外，通过将膜厚设为15μm以下，可以在抑制成膜效率的下降的同时，还抑制裂纹的发生。
例如通过利用电离放射线而固化的固化性树脂或热固化性树脂来构成硬质涂层。利用电离放射线而固化的固化性树脂材料可含有丙烯酸类材料，可使用多元醇的丙烯酸或甲基丙烯酸酯这样的多官能或多官能(甲基)丙烯酸酯化合物，由二异氰酸酯和多元醇以及丙烯酸或甲基丙烯酸的羟基酯等合成的多官能的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物。除此以外，还可使用具有丙烯酸酯类官能团的聚醚树脂、聚酯树脂、环氧树脂、醇酸树脂、螺旋聚甲醛树脂、聚丁二烯树脂、聚硫醇多烯树脂等。此外，也可使用热固化型的聚硅氧烷树脂。
作为固化性树脂的涂布方法，优选湿式成膜法，优选使用辊式涂布机、逆转辊涂布机、凹版式涂布机、微凹版式涂布机、刮刀涂布机、棒式涂布机、钢丝涂布机、模涂机、浸渍涂布机的涂布方法。
作为电离放射线，例如可使用紫外线，电子射线。在紫外线固化的情况下，可使用高压水银灯、低压水银灯、超高压水银灯、金属卤化物灯、碳弧灯、氙灯等的光源。此外，在电子射线固化的情况下可使用由科克罗夫特-瓦尔顿型、范德格拉夫型、共振变压型、绝缘铁心变压器型、直线型、高频高压型(日文：ダイナミトロン型)、高频型等各种电子射线加速器放出的电子射线。
在透明基材11和非晶质层12之间，为了促进非晶质层12的热处理时的结晶化，可设置基底层(并未图示)。基底层只要能够促进非晶质层12的结晶化则没有特别的限制，例如可例举由金属，该金属的氧化物、硫化物、或者氟化物等无机化合物构成的基底层。其中，优选氧化硅或者氧化铝，更优选氧化硅，尤其优选SiOx(x为1.5～2)。
基底层的厚度只要能够促进非晶质层12的热处理时的结晶化则不必有限制，优选1nm以上，更优选3nm以上。通过将基底层的厚度设为1nm以上，可高效地促进非晶质层12的结晶化。基底层的厚度如果在5nm左右则可充分促进非晶质层12的结晶化，通过设为10nm以下则可使生产性或透明性良好。
非晶质层12在导电膜用原料10的阶段为非晶质状态，通过热处理使其结晶化成为结晶质层(即，结晶性透明导电膜)。非晶质层12由作为铟和锡的氧化物的铟锡氧化物构成，在铟锡氧化物中，含有以氧化物换算计(SnO2的锡氧化物换算，以下相同)5.5～9质量％的锡。作为构成铟锡氧化物的氧化物，例如可例举氧化铟、氧化锡、氧化铟和氧化锡的复合氧化物。
通过使非晶质层12由含有以氧化物换算计5.5～9质量％的锡的铟锡氧化物构成，可使该非晶质层12容易通过热处理而结晶化，结晶化后的薄膜电阻值变低，且膜厚增加也得到抑制。具体而言，可设为膜厚为15～25nm，且结晶化后的薄膜电阻值为50～150Ω/□，易于通过热处理来结晶化的非晶质层。此外，如果采用这样的非晶质层，可使蚀刻性与目前同样良好。从通过热处理进行结晶化的难易度或结晶化后的薄膜电阻值的观点来看，在铟锡氧化物中的以氧化物换算计的锡的含量优选5.8质量％以上，更优选超过6质量％，进一步优选6.5质量％以上。此外，优选8.9质量％以下，更优选8.5质量％以下，进一步优选8.3质量％以下。以下，在铟锡氧化物中锡的以氧化物换算计的锡氧化物的含量有时简单记作锡氧化物含量。
非晶质层12的膜厚只要在15～25nm则没有特别限制，从通过热处理进行结晶化的难易度和透射率等光学特性的观点来看，优选20～25nm。此外，非晶质层12的结晶化后的薄膜电阻值只要在50～150Ω/□则没有特别的限制，从抑制伴随着触摸屏等电子设备的大型化的操作时的传递速度的下降或通过热处理进行结晶化的难易度的观点来看，优选80～150Ω/□，更优选100～150Ω/□。
非晶质层12优选仅由铟锡氧化物构成，但以根据需要且不违背本发明的技术思想为限，可以含有铟锡氧化物以外的成分。作为铟锡氧化物以外的成分，例如可例举铝、锆、镓、硅、钨、锌、钛、镁、铈、锗等的氧化物。非晶质层12中的铟锡氧化物以外的成分的含量在非晶质层12的整体中为10质量％以下，优选5质量％以下，更优选3质量％以下，特别优选1质量％以下。
导电膜用原料10可以通过热处理，制成在透明基材11上层积了由结晶质状态的铟锡氧化物构成的结晶性透明导电膜的导电膜层积体。即，通过对非晶质层12进行热处理使其结晶化成为结晶质层(即，结晶性透明导电膜)，可制成导电膜层积体。
热处理例如优选在大气中以100～150℃进行30～180分钟。通过将热处理温度设为100℃以上，并将热处理时间设为30分钟以上，可将非晶质层12高效地结晶化。此外，通过将热处理温度设为150℃，热处理时间设为180分钟可以充分结晶化，通过设为150℃以下和180分钟以下可以抑制透明基材11等的损伤及生产性的下降。
图2是表示对导电膜用原料10进行热处理而得的导电膜层积体20的一实施方式的剖视图。导电膜层积体20具有例如透明基材11、和层积在该透明基材11上的结晶质层21。如上所述，结晶质层21是通过对非晶质层12进行热处理使其结晶化而形成的层，作为结晶性透明导电膜发挥作用。
在得到通过对透明导电膜进行蚀刻加工而实施了图案形成的、形成了多个透明电极的导电膜层积体的情况下，可以在非晶质阶段通过蚀刻加工对导电膜用原料10的非晶质层12形成所希望的图案，通过对该实施了图案形成的非晶质层(即，多个非晶质状态的透明电极)进行热处理使其结晶化，使其成为作为结晶性透明导电膜的结晶质层21(即，多个结晶质状态的透明电极)。这样，首先对在蚀刻加工上不耗费时间的非晶质状态的铟锡氧化物膜进行成膜，对该非晶质状态的铟锡氧化物膜进行蚀刻加工形成多个透明电极后，通过以热处理使其结晶化，可以得到不在用于形成透明电极的蚀刻加工上耗费多余的时间，且多个透明电极的图案形状为所希望的形状的良好的导电膜层积体。
另外，也可以在对非晶质层通过热处理使其结晶化而形成结晶性透明导电膜后，通过对该结晶性透明导电膜进行蚀刻加工来实施所希望的图案形成，从而形成多个透明电极等。
结晶质层21由作为铟和锡的氧化物的铟锡氧化物构成，在铟锡氧化物中，以氧化物换算计含有5.5～9质量％的锡。铟锡氧化物中的锡的以氧化物换算计的锡氧化物含量优选5.8质量％以上，更优选超过6质量％，进一步优选6.5质量％以上。此外，优选8.9质量％以下，更优选8.5质量％以下，进一步优选8.3质量％以下。另外，铟锡氧化物优选具有氧化铟(In2O3)的结晶结构，在铟的位置上置换为锡。
结晶质层21的膜厚只要为15～25nm则没有特别限制，从其制造时的通过热处理的结晶化的难易度和透射率等光学特性的观点来看，优选15～25nm，更优选20～25nm。此外，结晶质层21的薄膜电阻值只要在50～150Ω/□则没有特别的限制，从抑制伴随着触摸屏等电子设备的大型化的操作时的传递速度的下降或结晶化的难易度的观点来看，优选80～150Ω/□，更优选100～150Ω/□。
这样的导电膜层积体20适用于电子设备。尤其，由于作为结晶性透明导电膜的结晶质层21的薄膜电阻值低至150Ω/□以下，在大型化时的传递速度下降少，因此适用于大型电子设备。
作为电子设备，可例举液晶显示装置、等离子显示装置、触摸屏装置等，特别优选触摸屏装置。触摸屏装置具备例如显示部和配置于该显示部前面的触摸屏部。导电膜层积体20用作在这样的触摸屏部中具有透明电极的透明电极基板。作为触摸屏部，可以是通过上下电极接触来确定触摸位置的电阻膜式、感知静电电容变化的静电电容耦合方式中的任一种。
接着，对导电膜用原料10和导电膜层积体20的制造方法进行说明。
导电膜用原料10可通过在透明基材11上根据需要形成基底层之后，对由非晶质状态的铟锡氧化物构成的非晶质层12进行成膜来制造。对成膜方法没有限定，但优选溅射法、离子电镀法、或者真空蒸镀法，特别优选溅射法。
在采用溅射法的情况下，优选使用由混合氧化锡(SnO2)和氧化铟(In2O3)并烧结了的铟锡氧化物烧结体构成的溅射靶材。此外，溅射靶材优选在铟锡氧化物中含有以氧化物换算计5.5～9质量％的锡。铟锡氧化物中的锡的以氧化物换算计的锡氧化物含量更优选5.8质量％以上，进一步优选超过6质量％，特别优选6.5质量％以上。此外，更优选8.9质量％以下，进一步优选8.5质量％以下，特别优选8.3质量％以下。
非晶质层12的成膜优选例如一边向溅射装置内导入在氩气中混合了0.5～10体积％、优选0.8～6体积％氧气的混合气体一边进行溅射。通过一边导入这样的混合气体一边进行溅射，可对非晶质且通过热处理容易结晶化的、结晶化后的薄膜电阻值低的非晶质层12进行成膜。
此外，在非晶质层12成膜之前，优选按照使溅射装置内的真空度达到5×10-4Pa以下、优选9×10-5Pa以下进行排气，形成去除了由溅射装置内的水分或透明基材11等产生的水分或有机气体等杂质的气氛。通过减少成膜中的水分或有机气体的存在，可易于得到通过热处理易于结晶化、结晶化后的薄膜电阻值低的非晶质层。
图3是表示非晶质层12成膜时的氧气流量和非晶质层12的热处理前后的薄膜电阻值的关系的一例(靶材中的锡氧化物含量为5质量％的情况下)的图。
另外，非晶质层12是在作为透明基材11的厚度100μm的PET膜上形成了作为基底层的厚度50埃的SiOx(x为1.5～2)膜之后，在作为该基底层的SiOx膜上以厚度255埃成膜的。
具体而言，SiOx膜是使用掺硼多晶硅靶材，在导入氩气中混入了11体积％氧气的混合气体的同时，以3.7Pa的压力进行AC磁控管溅射而成膜的。此外，非晶质层12是使用由以氧化物换算计含有5.0质量％的锡的铟锡氧化物构成的溅射靶材，导入氩气和氧气的混合气体，改变氧气的流量，以0.8Pa的压力进行DC磁控管溅射而成膜的。
由图3可知，薄膜电阻值在非晶质层成膜时的氧气流量为特定值的时候达到最低值。而且，与薄膜电阻值为最低值时的流量相比，流量变得越少，或者流量变得越多，薄膜电阻值就变得越大。此外，虽然并未图示，但与薄膜电阻值达到最低值时的流量相比，流量变得越少，通过热处理进行结晶化就越困难。另一方面，与薄膜电阻值达到最低值时的流量相比，流量变得越多，则随着热处理后经过以年为单位的时间，薄膜电阻值越容易增加。
由此，非晶质层12成膜时的氧气流量相对于结晶化后的薄膜电阻值达到最低值时的流量优选0.6～1.4倍的范围，更优选0.7～1.3倍的范围，特别优选0.8～1.2倍的范围。因此，在实际的非晶质层12成膜中，优选预先这样求出结晶化后的薄膜电阻值达到最低值时的氧气的流量，相对于该氧气流量对成膜时的氧气流量进行调整使其在上述范围内。由于最适流量根据成膜装置而有少许差异，因此通过这样的方法可特别高效地形成结晶化后的薄膜电阻值低的膜。
图4是表示在溅射靶材中的锡的以氧化物换算计的锡氧化物含量和非晶质层12的结晶化后的薄膜电阻值达到最低值时的氧气流量的关系的一例的图。另外，图4中示出了锡的以氧化物换算计的锡氧化物含量为2质量％、3质量％、5质量％、7质量％、8.8质量％、10质量％、和12质量％的情况。此外，成膜条件基本上与上述条件相同。例如，锡的以氧化物换算计的锡氧化物含量为3质量％的情况下，结晶化后的薄膜电阻值达到最低值时的流量为1.0体积％。此外，在10质量％的情况下，该流量为1.4体积％。
可对这样的导电膜用原料10进行热处理来制造导电膜层积体20。即，通过对非晶质层12进行热处理使其结晶化可得到作为结晶性透明导电膜的结晶质层21。热处理例如优选在大气中以100～150℃进行30～180分钟。通过将热处理温度设为100℃以上，并将热处理时间设为30分钟以上，可使非晶质层12高效地结晶化。此外，通过将热处理温度设为150℃以下并将热处理时间设为180分钟以下可充分地结晶化，通过设为150℃以下和180分以下可抑制透明基材11等的损伤，并可以提高生产性。
实施例
以下，例举实施例对本发明的实施方式进行具体说明。试样6、8、10～12号为本发明的实施例，试样1～5、7、9、13～18号为本发明的比较例。另外，本发明不受这些实施例所限。
非晶质层的膜厚为根据光学特性或溅射成膜速率和溅射时间求出的值。即，对于在试样制作中采用同样的溅射成膜速率、溅射条件制作的非晶质层的膜厚，用膜厚计进行测定，求出溅射时间的每个单位时间的成膜膜厚，根据在试样制作中的溅射时间来计算膜厚而求出的值。另外，膜厚为几何学厚度。
试样1号～18号的制作通过以下方法进行。
在作为透明基材的厚度100μm的PET膜上形成作为基底层的厚度32埃的SiOx(x为1.5～2)膜。SiOx膜是使用掺硼多晶硅靶材，在导入氩气中混入了11体积％氧气的混合气体的同时，以3.7Pa的压力进行AC磁控管溅射而成膜的。另外，SiOx膜的厚度调整通过调整电密度和溅射时间来进行。
在形成了该SiOx膜的PET膜上，作为非晶质层的成膜工序，使用由以氧化物换算计含有规定量的锡的铟锡氧化物构成的靶材，在导入以规定比例混合了氩气和氧气的混合气体的同时，以0.8Pa的压力进行DC磁控管溅射形成非晶质层，制造导电膜用原料。
非晶质层的成膜条件的细节如表1所示。靶材使用混合氧化锡(SnO2)和氧化铟(In2O3)并烧结了的烧结体，其中锡的以氧化物换算计的含量(锡氧化物含量)为3～12质量％。预先求出结晶化后的薄膜电阻值达到最低值时的流量，调整氧气的流量使其达到该流量。非晶质层的厚度调整通过调整电密度和溅射时间来进行。另外，可将非晶质层中的锡的以氧化物换算计的含量推定为与靶材中的锡的以氧化物换算计的含量相同。
作为非晶质层的热处理工序，对于得到的导电膜用原料在大气中进行145℃、60分钟的热处理，制造导电膜层积体。
对于使用以如表1所记载的含有比例来含有锡氧化物的靶材制作的试样1号～18号的各个导电膜层积体，其薄膜电阻值(Ω/□)、非晶质层的膜厚的测定结果、以及非晶质层的结晶性的评价示于表1。
(薄膜电阻值)
将各个导电膜层积体切割为100mm×100mm的尺寸，使用Lorester(三菱化学株式会社(三菱化学社)制，商品名)通过四探针法测定薄膜电阻值(Ω/□，即Ω/square)。
(结晶性)
将各个导电膜层积体在25℃的HCl溶液(浓度1.5mol/L)中浸渍3分钟，测定前后的电阻值，求出电阻值变化率(浸渍后的电阻值/浸渍前的电阻值)。另外，如上所述，电阻值变化率为结晶性的指标，电阻值变化率在200％以下则具有结晶性。表中，电阻值变化率在200％以下的表示为“○”，超过200％的表示为“×”。
[表1]
在锡的以氧化物换算计的含量低于5.5质量％的情况下，即使膜厚薄至25nm(250埃)以下，热处理时的结晶性也良好，但热处理后(结晶化后)的薄膜电阻值高达超过150Ω/□的值。另一方面，在锡的以氧化物换算计的含量超过9质量％的情况下，膜厚超过25nm的膜在热处理时的结晶性良好，热处理后的薄膜电阻值也可得到150Ω/□以下的充分低的值，但透射率低；膜厚在25nm以下的膜热处理时的结晶性不足，热处理后的薄膜电阻值也为超过150Ω/□的较高值。在锡的以氧化物换算计的含量为5.5～9质量％的情况下，即使膜厚薄至25nm以下热处理时的结晶性也良好，且可得到热处理后的薄膜电阻值也足够低至150Ω/□以下的值。
产业上利用的可能性
本发明可得到具有薄膜电阻值低、且增加膜厚也得到了抑制的结晶质层的导电膜层积体，该导电膜层积体可用于电子设备，尤其是作为大型的触摸屏装置的导电膜层积体有用。
这里引用2012年5月15日提出申请的日本专利申请2012-111677号的说明书、权利要求书、附图和摘要的全部内容作为本发明的说明书的揭示。
符号说明
10…导电膜用原料，11…透明基材，12…非晶质层，20…导电膜层积体，21…结晶质层

Claims (8)

1.一种导电膜用原料，它是具有透明基材、和层积在所述透明基材上的由铟锡氧化物构成的非晶质层的导电膜用原料，
其特征在于，所述非晶质层由含有以氧化物换算计5.5～9质量％的锡的铟锡氧化物构成，膜厚为15～25nm，且结晶化后的薄膜电阻值为50～150Ω/□。
2.如权利要求1所述的导电膜用原料，其特征在于，所述非晶质层由含有以氧化物换算计超过6质量％的锡的铟锡氧化物构成。
3.一种导电膜层积体，它是具有透明基材、和层积在所述透明基材上的由铟锡氧化物构成的结晶质层的导电膜层积体，
其特征在于，所述结晶质层由含有以氧化物换算计5.5～9质量％的锡的铟锡氧化物构成，膜厚为15～25nm，且薄膜电阻值为50～150Ω/□。
4.如权利要求3所述的导电膜层积体，其特征在于，所述结晶质层由含有以氧化物换算计超过6质量％的锡的铟锡氧化物构成。
5.一种电子设备，其特征在于，具备权利要求3或4所述的导电膜层积体。
6.一种导电膜用原料的制造方法，其特征在于，具有以下成膜工序：
在透明基材上，使用由含有以氧化物换算计5.5～9质量％锡的铟锡氧化物构成的溅射靶材，利用溅射法，制成膜厚为15～25nm且结晶化后的薄膜电阻值为50～150Ω/□的非晶质层。
7.一种导电膜层积体的制造方法，其特征在于，具有：
在透明基材上，使用由含有以氧化物换算计5.5～9质量％锡的铟锡氧化物构成的溅射靶材，利用溅射法，制成膜厚为15～25nm且结晶化后的薄膜电阻值为50～150Ω/□的非晶质层，得到导电膜用原料的成膜工序；
对所述导电膜用原料进行热处理，使所述非晶质层结晶化而成为结晶质层的热处理工序。
8.如权利要求7所述的导电膜层积体的制造方法，其特征在于，具有：
在透明基材上，使用由含有以氧化物换算计5.5～9质量％锡的铟锡氧化物构成的溅射靶材，利用溅射法，制成膜厚为15～25nm且结晶化后的薄膜电阻值为50～150Ω/□的非晶质层，得到导电膜用原料的成膜工序；
通过对所述导电膜用原料的非晶质层进行蚀刻加工来进行图案形成的工序；和
对形成了图案的导电膜用原料进行热处理，使所述非晶质层结晶化而成为结晶质层的热处理工序。
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