CN104503622A - 触控显示面板及其制备方法、驱动方法和触控显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种触控显示面板及其制备方法、驱动方法和触控显示装置，该触控显示面板包括：阵列基板和彩膜基板，阵列基板包括：形成于第一衬底上的第一薄膜晶体管和第一检测线，彩膜基板包括：形成于第二衬底上的主隔垫物、附隔垫物、基准信号线和第二检测线，主隔垫物的底部与基准信号线连接，基准信号线中加载有电流信号，主隔垫物的顶部与第一源极连接，附隔垫物的底部与第二检测线连接，附隔垫物的顶部在阵列基板上的投影连接第一漏极和第一检测线。本发明的技术方案通过将用于实现触控功能的各金属走线设置在不同的显示基板上，从而可有效的降低阵列基板上走线的数量，降低阵列基板的制备工艺的复杂度，提高像素单元的开口率。

Description

触控显示面板及其制备方法、驱动方法和触控显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种触控显示面板及其制备方法、驱动方法和触控显示装置。

背景技术

触控显示装置是将输入、输出终端一体化的重要载体之一。近年来，随着小巧、轻盈的手持设备等一系列产品的问世，市场对触控显示装置的需求激增。其中，内嵌式触控(In-cell Touch)显示面板通过将触摸结构与显示结构整合在一起，以具有集成化、轻薄、低成本、低功耗、高画质、可实现多点触控(Multi-touch)等优势，使得内嵌式触摸显示面板成为未来新的发展方向。

图1为现有技术中触控显示面板的结构示意图，如图1所示，该触控显示面板包括：阵列基板和彩膜基板，阵列基板包括：栅线1和数据线2，栅线1和数据线2限定出像素单元，在像素单元内形成有第二薄膜晶体管5、像素电极6、第一触点7、第二触点8、触控扫描线3和触控感应线4，其中，第一触点7与触控扫描线3连接，第二触点8与触控感应线4连接。彩膜基板包括：导电体(未示出)，导电体与第一触点和第二触点均对应。当该触控显示面板被触摸时，位于触摸点处的导电体将与第一触点7和第二触点8电连接，触控扫描线中的触控扫描信号将通过导电体被传递至触控感应线中，通过检测触控感应线中的信号从而可以检测出触摸点的位置。

然而，由于用于实现触控功能的第一触点、第二触点、触控扫描线和触控感应线均位于阵列基板上且处于像素单元内，从而造成现有技术中阵列基板的制备工艺较为复杂，像素单元的开口率较小。

发明内容

本发明提供一种触控显示面板及其制备方法、驱动方法和触控显示装置，可有效简化阵列基板的制备工艺，以及提高像素单元的开口率。

为实现上述目的，本发明提供一种触控显示面板，包括：相对设置的阵列基板和彩膜基板；

所述阵列基板包括：形成于第一衬底上的第一薄膜晶体管和第一检测线，所述第一薄膜晶体管包括：第一栅极、第一有源层、第一源极和第一漏极；

所述彩膜基板包括：形成于第二衬底上的主隔垫物、附隔垫物、基准信号线和第二检测线，所述主隔垫物和所述附隔垫物均为导体，所述主隔垫物的底部与所述基准信号线连接，所述基准信号线中加载有电流信号，所述主隔垫物的顶部与所述第一源极连接，所述附隔垫物的底部与所述第二检测线连接，所述附隔垫物的顶部在阵列基板上的投影连接所述第一漏极和所述第一检测线。

可选地，所述阵列基板还包括：形成于所述第一衬底上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定出像素单元，所述像素单元内形成有像素电极和第二薄膜晶体管；

所述第二薄膜晶体管包括：第二栅极、第二有源层、第二源极和第二漏极，所述第二栅极与所述栅线同层设置，所述第二栅极形成于所述第一衬底的上方，所述第二栅极的上方形成有栅绝缘层，所述第二有源层形成于所述栅绝缘层的上方，所述第二源极和所述第二漏极与所述数据线同层设置且形成于所述第二有源层的上方，所述第二源极和所述第二漏极的上方形成钝化层，所述钝化层上对应所述第二漏极的区域形成有过孔，所述像素电极通过过孔与所述第二漏极连接；

所述第一栅极为所述栅线，所述第一有源层与所述第二有源层同层设置，所述钝化层上对应所述第一有源层的区域形成有开口，所述第一源极和所述第一漏极与所述像素电极同层设置且在所述开口内与所述第一有源层连接，所述第一检测线与所述像素电极同层设置。

可选地，所述栅线在所述彩膜基板上的投影覆盖所述基准信号线和所述第二检测线。

可选地，所述基准信号线和所述第二检测线同层设置，且所述基准信号线和所述第二检测线均与所述栅线平行。

可选地，所述第一检测线位于所述数据线的正上方。

可选地，所述彩膜基板还包括：形成于所述第二衬底上的彩膜层和黑矩阵，所述黑矩阵的上方还形成有公共电极，所述基准信号线和第二检测线与所述公共电极同层设置。

可选地，所述主隔垫物包括：主隔垫物主体和设置于所述主隔垫物主体外的主隔垫物导电层；

所述附隔垫物包括：附隔垫物主体和设置于所述附隔垫物主体外的附隔垫物导电层；

所述主隔垫物导电层与所述基准信号线一体成型，所述附隔垫物导电层与所述第二检测线一体成型。

可选地，所述主隔垫物的高度大于所述附隔垫物的高度。

为实现上述目的，本发明还提供一种触控显示装置，该触控显示装置包括：触控显示面板，该触控显示面板采用上述的触控显示面板。

为实现上述目的，本发明还提供一种触控显示面板的制备方法，所述触控显示面板包括：相对设置的阵列基板和彩膜基板，所述制备方法包括：

制备阵列基板，所述阵列基板包括：形成于第一衬底上的第一薄膜晶体管和第一检测线，所述第一薄膜晶体管包括：第一栅极、第一有源层、第一源极和第一漏极；

制备彩膜基板，所述彩膜基板包括：形成于第二衬底上的主隔垫物、附隔垫物、基准信号线和第二检测线，所述主隔垫物和所述附隔垫物均为导体，所述主隔垫物的底部与所述基准信号线连接，所述基准信号线中加载有电流信号，所述主隔垫物的顶部与所述第一源极连接，所述附隔垫物的底部与所述第二检测线连接；

将所述阵列基板与所述彩膜基板进行对盒，所述主隔垫物的顶部与所述第一源极连接，所述附隔垫物的顶部在阵列基板上的投影连接所述第一漏极和所述第一检测线。

可选地，所述阵列基板还包括：形成于所述第一衬底上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定出像素单元，所述像素内形成有像素电极和第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括：第二栅极、第二有源层、第二源极和第二漏极；

所述制备阵列基板的步骤包括：

通过一次构图工艺在所述第一衬底的上方形成所述栅线和所述第二栅极，所述栅线复用为所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极；

在所述栅线和所述第二栅极的上方形成栅绝缘层；

通过一次构图工艺在所述栅绝缘层的上方形成第一有源层和第二有源层；

通过一次构图工艺在所述第一有源层和所述第二有源层的上方形成所述数据线、所述第二源极和所述第二漏极；

通过一次构图工艺在所述数据线、所述第二源极和所述第二漏极的上方形成钝化层，所述钝化层上对应所述第二漏极的区域形成有过孔，所述钝化层上对应所述第一有源层的区域形成有开口；

通过一次构图工艺在所述钝化层上形成像素电极、第一源极、第一漏极和第一检测线，所述像素电极通过过孔与所述第二漏极连接，所述第一源极和所述第一漏极在所述开口内与所述第二有源层连接。

可选地，所述彩膜基板还包括：形成于所述第二衬底上的彩膜层和黑矩阵，所述黑矩阵的上方形成有公共电极，所述主隔垫物包括：主隔垫物主体和设置于所述主隔垫物主体外的主隔垫物导电层，所述附隔垫物包括：附隔垫物主体和设置于所述附隔垫物主体外的附隔垫物导电层

所述制备彩膜基板的步骤包括：

在所述第二衬底的上方形成彩膜层和黑矩阵；

通过半色调掩模工艺所述黑矩阵上形成所述主隔垫物主体和所述附隔垫物主体，所述主隔垫物主体的高度大于所述附隔垫物主体的高度；

通过一次构图工艺在所述黑矩阵的上方形成基准信号线、所述第二检测线和所述公共电极，并在所述主隔垫物主体外形成所述主隔垫物导电层，以及在所述附隔垫物主体外形成所述附隔垫物导电层。

为实现上述目的，本发明还提供一种触控显示面板的驱动方法，所述触控显示面板包括：阵列基板和彩膜基板；

所述阵列基板包括：形成于第一衬底上的第一薄膜晶体管和第一检测线，所述第一薄膜晶体管包括：第一栅极、第一有源层、第一源极和第一漏极；

所述彩膜基板包括：形成于第二衬底上的主隔垫物、附隔垫物、基准信号线和第二检测线，所述主隔垫物和所述附隔垫物均为导体，所述主隔垫物的底部与所述基准信号线连接，所述基准信号线中加载有电流信号，所述主隔垫物的顶部与所述第一源极连接，所述附隔垫物的底部与所述第二检测线连接，所述附隔垫物的顶部在阵列基板上的投影连接所述第一漏极和所述第一检测线；

所述驱动方法包括：

向所述第一栅极中加载开启信号，所述第一薄膜晶体管处于导通状态，当所述触控显示面板表面存在触控时，位于触控点处的所述附隔垫物向下运动以与所述第一漏极和所述第一检测线均连接，基准信号线中的所述电流信号将依次通过所述第一薄膜晶体管、所述附隔垫物以传递至所述第一检测线和所述第二检测线中，检测单元检测所述第一检测线和所述第二检测线中的电流信号判断出触控点的位置，以实现触控功能。

可选地，所述阵列基板还包括：形成于所述第一衬底上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定出像素单元，所述像素内形成有像素电极和第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括：第二栅极、第二有源层、第二源极和第二漏极，所述第一栅极为所述栅线，所述开启信号为栅线中加载的扫描信号；

在进行所述实现触控功能的步骤的同时还包括：

向所述栅线中加载扫描信号，所述第二薄膜晶体管处于导通状态，数据线中的显示信号通过第二薄膜晶体管以传递至对应行的像素电极中。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供了一种触控显示面板及其制备方法、驱动方法和触控显示装置，其中该触控显示面板包括：相对设置的阵列基板和彩膜基板，其中，阵列基板包括：形成于第一衬底上的第一薄膜晶体管和第一检测线，第一薄膜晶体管包括：第一栅极、第一有源层、第一源极和第一漏极；彩膜基板包括：形成于第二衬底上的主隔垫物、附隔垫物、基准信号线和第二检测线，主隔垫物和附隔垫物均为导体，主隔垫物的底部与基准信号线连接，基准信号线中加载有电流信号，主隔垫物的顶部与第一源极连接，附隔垫物的底部与第二检测线连接，附隔垫物的顶部在阵列基板上的投影连接第一漏极和第一检测线。本发明的技术方案通过将用于实现触控功能的各金属走线设置在不同的显示基板(阵列基板或彩膜基板)上，从而可有效的降低阵列基板上走线的数量，进而能降低阵列基板的制备工艺的复杂度，以及提高像素单元的开口率。

附图说明

图1为现有技术中触控显示面板的结构示意图；

图2为本发明实施例一提供的触控显示面板的截面示意图；

图3为本发明实施例一提供的触控显示面板的制备方法的流程图；

图4为本发明实施例二提供的触控显示面板的结构示意图；

图5为图4中彩膜基板的俯视图；

图6为图4中A-A向的截面示意图；

图7为本发明实施例二提供的触控显示面板的制备方法的流程图；

图8a～8i为制备图6所示的触控显示面板的中间结构的截面图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的触控显示面板及其制备方法、驱动方法和触控显示装置进行详细描述。

实施例一

图2为本发明实施例一提供的触控显示面板的结构示意图，如图2所示，该触控显示面板包括：相对设置的阵列基板和彩膜基板，其中，阵列基板包括：形成于第一衬底9上的第一薄膜晶体管11和第一检测线10，第一薄膜晶体管11包括：第一栅极12、第一有源层14、第一源极15和第一漏极16；彩膜基板包括：形成于第二衬底17上的主隔垫物20、附隔垫物21、基准信号线18和第二检测线19，主隔垫物20和附隔垫物21均为导体，主隔垫物20的底部与基准信号线18连接，基准信号线18中加载有电流信号，主隔垫物20的顶部与第一源极15连接，附隔垫物21的底部与第二检测线19连接，附隔垫物21的顶部在阵列基板上的投影连接第一漏极16和第一检测线10。

本实施例还提供了一种触控显示面板的驱动方法，用于驱动图2所示的触控显示面板，该触控显示面板的驱动方法包括：

步骤S1:向第一栅极12中加载开启信号，第一薄膜晶体管11处于导通状态，此时基准信号线18中加载有电流信号。

当触控显示面板表面存在触控时，位于触控点处的附隔垫物21将向下运动以与第一漏极16和第一检测线10均连接，基准信号线18中的电流信号将依次通过第一薄膜晶体管11、附隔垫物21以传递至第一检测线10和第二检测线19中。此时，通过检测单元(未示出)检测第一检测线10和第二检测线19中的电流信号即可判断出触控点的位置，即实现触控功能。

本发明的技术方案，通过将用于实现触控功能的各金属走线设置在不同的显示基板(阵列基板或彩膜基板)上，从而可有效的降低阵列基板上走线的数量，进而能降低阵列基板的制备工艺的复杂度，此外，由于阵列基板上走线的减小，可有效的提高像素单元的开口率。

本实施例还提供了一种触控显示面板的制备方法，该制备方法用于制备图2所示的触控显示面板。图3为本发明实施例一提供的触控显示面板的制备方法的流程图，如图3所示，该触控显示面板包括：相对设置的阵列基板和彩膜基板，制备方法包括：

步骤101：制备阵列基板，阵列基板包括：形成于第一衬底上的第一薄膜晶体管和第一检测线。

在步骤101中，第一薄膜晶体管11包括：第一栅极12、第一有源层14、第一源极15和第一漏极16，第一栅极12和第一有源层14之间形成有栅绝缘层13。形成薄膜晶体管的具体过程为本领域的共知常识，此处不再赘述。

步骤102：制备彩膜基板，彩膜基板包括：形成于第二衬底上的主隔垫物、附隔垫物、基准信号线和第二检测线，主隔垫物的底部与基准信号线连接，主隔垫物的顶部与第一源极连接，附隔垫物的底部与第二检测线连接。

在步骤102中，彩膜基板上的主隔垫物20和附隔垫物21均为导体，即主隔垫物20和附隔垫物21均具备导电功能。

步骤103：将阵列基板与彩膜基板进行对盒，主隔垫物的顶部与第一源极连接，附隔垫物的顶部在阵列基板上的投影连接第一漏极和第一检测线。流程结束。

在步骤103中，当阵列基板与彩膜基板对盒后，主隔垫物20的顶部与第一源极15连接，附隔垫物21的顶部不与任何结构连接，但是附隔垫物21的顶部在阵列基板上的投影连接第一漏极16和第一检测线10。

本发明实施例一提供了一种触控显示面板及其制备方法和驱动方法，其中该触控显示面板包括：相对设置的阵列基板和彩膜基板，其中，阵列基板包括：形成于第一衬底上的第一薄膜晶体管和第一检测线，第一薄膜晶体管包括：第一栅极、第一有源层、第一源极和第一漏极；彩膜基板包括：形成于第二衬底上的主隔垫物、附隔垫物、基准信号线和第二检测线，主隔垫物和附隔垫物均为导体，主隔垫物的底部与基准信号线连接，基准信号线中加载有电流信号，主隔垫物的顶部与第一源极连接，附隔垫物的底部与第二检测线连接，附隔垫物的顶部在阵列基板上的投影连接第一漏极和第一检测线。本发明的技术方案通过将用于实现触控功能的各金属走线设置在不同的显示基板(阵列基板或彩膜基板)上，从而可有效的降低阵列基板上走线的数量，进而能降低阵列基板的制备工艺的复杂度，以及提高像素单元的开口率。

实施例二

图4为本发明实施例二提供的触控显示面板的结构示意图，图5为图4中彩膜基板的俯视图，图6为图4中A-A向的截面示意图，如图4至图6所示，该触控显示面板包括：阵列基板和彩膜基板，其中该阵列基板除了具备上述实施例一中的第一薄膜晶体管11和第一检测线10之外，其还包括：栅线和数据线，其中栅线和数据线限定出像素单元，像素单元内形成有像素电极和第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管包括：第二栅极24、第二有源层25、第二源极26和第二漏极27，第二漏极27与像素电极连接。

本实施例提供的触控显示面板的阵列基板中，栅线、数据线、第一薄膜晶体管11、第二薄膜晶体管之间具备如下关系：第二栅极24形成于第一衬底9的上方，第二栅极24与栅线同层设置，栅线复用为第一栅极12；栅线和第二栅极24的上方形成有栅绝缘层13；第一有源层14和第二有源层25同层设置且形成于栅绝缘层13的上方；第二源极26、第二漏极27和数据线同层设置且形成于第二有源层25的上方；第二源极26、第二漏极27和数据线上方形成钝化层28，钝化层28上对应第二漏极27的区域形成有过孔，钝化层28上对应第一有源层14的区域形成有开口；第一源极15、第一漏极16、第一检测线10和像素电极同层且形成于钝化层28的上方，第一源极15和第一漏极16均与开口内的第二有源层25连接，第一检测线10位于开口外。

通过上述关系可见，基于现有的阵列基板，在制备本实施例提供的触控显示面板中的阵列基板时，仅需对第二薄膜晶体管中各结构以及像素电极所对应的掩模板进行改进，即可在制备第二薄膜晶体管和像素电极的过程中将第一薄膜晶体管11以制备出。因此，在制备该阵列基板时，无需为第一薄膜晶体管11的制备而单独设置工艺流程，从而能缩短阵列基板的生产周期，降低产线的成本。

本实施例中，通过将触控显示面板中的栅线复用为第一薄膜晶体管11的第一栅极12，从而使得该触控显示面板显示功能和触控功能是同时进行的，此时，开启信号为栅线中的扫描信号。

本实施例还提供了一种触控显示面板的驱动方法，用于驱动图5所示的触控显示面板，该触控显示面板的驱动方法包括：

步骤S’：向栅线中加载扫描信号，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管均处于导通状态，基准信号线中加载有电流信号，数据线中加载有显示信号。

当进行像素显示时，由于第二薄膜晶体管处于导通状态，因此数据线中的显示信号通过第二薄膜晶体管以传递至对应行的像素电极中，进而实现显示功能。与此同时，由于第一薄膜晶体管11也处于导通状态，因此基准信号线18中的电流信号可通过第一薄膜晶体管11传递至第一漏极16，当触控显示面板表面存在触控时，位于触控点处的附隔垫物21将向下运动以与第一漏极16和第一检测线10均连接，第一漏极16中的电流信号被传递至第一检测线10和第二检测线19中，再通过检测单元检测第一检测线10(确定触控点的横坐标)和第二检测线19(确定触控点的纵坐标)中的电流信号即可判断出触控点的位置，进而实现触控功能。

在本实施例中，可选地，主隔垫物20的高度大于附隔垫物21的高度，从而保证触控显示面板在未被触控时，附隔垫物21的顶部不于其他结构连接。

在本实施例中，可选地，第一检测线10位于数据线的正上方，即第一检测线10与数据线可重叠设置，因此第一检测线10的设置不会影响到像素单元的开口率。

本实施例提供的触控显示面板的彩膜基板中，可选地，基准信号线18和第二检测线19均与栅线平行，基准信号线18和第二检测线19同层设置。本实施例中，通过将基准信号线18和第二检测线19均与栅线平行设置，可使得栅线更容易地实现对基准信号线18和第二检测线19进行遮挡(基准信号线18和第二检测线19位于像素单元之外)。而将基准信号线18和第二检测线19同层设置，可便于基准信号线18和第二检测线19在一次构图工艺中得以制备出，从而能减少生产流程。

本实施例中，可选地，该彩膜基板还包括：形成于第二衬底17上的彩膜层22和黑矩阵23，黑矩阵23的上方还形成有公共电极，基准信号线18和第二检测线19与公共电极同层设置。在本实施例中，由于基准信号线18和第二检测线19均与公共电极同层设置，因此基于现有的彩膜基板，可在制备公共电极的过程中同时制备出基准信号线18和第二检测线19。

本实施例中，可选地，主隔垫物20包括：主隔垫物主体29和设置于主隔垫物主体29外的主隔垫物导电层31，附隔垫物21包括：附隔垫物主体30和设置于附隔垫物主体30外的附隔垫物导电层32，主隔垫物导电层31与基准信号线18一体成型，附隔垫物导电层32与第二检测线19一体成型。

需要说明的是，本实施例中，主隔垫物主体29和附隔垫物主体30均为导电材料构成，此时无需在主隔垫物主体29外设置主隔垫物导电层31，以及无需在附隔垫物主体30外设置附隔垫物导电层32。

本实施例还提供了一种触控显示面板的制备方法，该制备方法用于制备图6所示的触控显示面板。图7为本发明实施例二提供的触控显示面板的制备方法的流程图；图8a～8i为制备图6所示的触控显示面板的中间结构的截面图，如图7和图8a～8i所示，该触控显示面板包括：相对设置的阵列基板和彩膜基板，制备方法包括：

步骤201：通过一次构图工艺在第一衬底的上方形成栅线和第二栅极，栅线复用为第一薄膜晶体管的第一栅极。

参见图8a，在步骤201中，首先在第一衬底9上形成一栅金属材料薄膜，然后对该栅金属材料薄膜进行构图工艺形成第二栅极24和栅线的图形，其中栅线可复用为第一栅极12。

需要说明的是，本发明中的形成薄膜的过程可采用沉积、涂敷、溅射等多种方式。本发明中的构图工艺是指包括有光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺。

步骤202：在栅线和第二栅极的上方形成栅绝缘层。

参见图8b，在步骤202中，通过气相沉积技术在栅线和栅极的上方形成衬底一层绝缘材料，即构成栅绝缘层13。

步骤203：通过一次构图工艺在栅绝缘层的上方形成第一有源层和第二有源层。

参见图8c，在步骤203中，首先在绝缘层13上形成一有源层材料薄膜，然后对该有源层材料薄膜进行构图工艺形成第一有源层14和第二有源层25的图形，其中第一有源层14与第二栅极24对应设置，第二有源层25与栅线对应设置。

步骤204：通过一次构图工艺在第一有源层和第二有源层的上方形成数据线、第二源极和第二漏极。

参见图8d，在步骤204中，首先在第一有源层14和第二有源层25的上方形成一源漏金属材料薄膜，然后对该源漏金属材料薄膜进行构图工艺形成数据线、第二源极26和第二漏极27的图形。

步骤205：通过一次构图工艺在数据线、第二源极和第二漏极的上方形成钝化层，钝化层上对应第二漏极的区域形成有过孔，钝化层上对应第一有源层的区域形成有开口。

参见图8e，在步骤205中，首先在数据线、第二源极26和第二漏极27的上方形成钝化材料薄膜，然后对该钝化材料薄膜进行构图工艺以在对应第二漏极27的区域形成过孔33以及在对应第二有源层25的区域形成开口34，剩余的钝化材料薄膜构成钝化层28的图形。

步骤206：通过一次构图工艺在钝化层上形成像素电极、第一源极、第一漏极和第一检测线，像素电极通过过孔与第二漏极连接，第一源极和第一漏极在开口内与第二有源层连接。

参见图8f，在步骤206中，首先在钝化层28上形成像素电极材料薄膜，然后对该像素电极材料薄膜进行构图工艺以形成像素电极、第一源极15、第一漏极16和第一检测线10的图形，其中像素电极通过过孔33与第二漏极27连接，第一源极15和第一漏极16在开口34内与第二有源层25连接，第一检测线10在第一衬底9上的投影落入数据线在所述第一衬底9上的投影所覆盖的区域内。

通过上述步骤201至步骤202，阵列基板完成制备。

步骤207：在第二衬底的上方形成彩膜层和黑矩阵。

参见图8g，在步骤207中，采用任意现有的制备工艺以在第二衬底17上形成彩膜层22和黑矩阵23的图形。此步骤为本领域的现有技术，此处不再赘述。

步骤208：通过半色调掩模工艺黑矩阵上形成主隔垫物主体和附隔垫物主体。

需要说明的是，本实施例以主隔垫物20包括主隔垫物主体29和主隔垫物导电层31，附隔垫物21包括附隔垫物主体30和附隔垫物导电层32的情况为例进行说明。

参见图8h，在步骤208中，通过半色调掩模工艺以在黑矩阵23的上方形成主隔垫物主体29和附隔垫物主体30，其中，主隔垫物主体29的高度大于附隔垫物主体30的高度。通过半色调掩模技术以制备不同高度的图像为本领域的现有技术，因此步骤208的具体过程，此处不再详细描述。

步骤209：通过一次构图工艺在黑矩阵的上方形成基准信号线、第二检测线和公共电极，并在主隔垫物主体外形成主隔垫物导电层，以及在附隔垫物主体外形成附隔垫物导电层。

参见图8i，在步骤209中，首先在黑矩阵23、主隔垫物20和附隔垫物21的上方形成公共电极材料薄膜，然后通过构图工艺在黑矩阵23的上方形成基准信号线18、第二检测线19和公共电极的图形，以及在主隔垫物主体29外形成主隔垫物导电层31的图形，在附隔垫物主体30外形成附隔垫物导电层32的图形。基准信号线18与主隔垫物导电层31连接，第二检测线19与附隔垫物21连接。

通过上述步骤207至步骤209，彩膜基板完成制备。

需要说明的是，本实施例中步骤207～步骤209也可先于步骤201～步骤206执行，即先完成彩膜基板的制备，再完成阵列基板的制备。

步骤210：将阵列基板与彩膜基板进行对盒，主隔垫物的顶部与第一源极连接，附隔垫物的顶部在阵列基板上的投影连接第一漏极和第一检测线。

参见图6，在步骤210中，当阵列基板与彩膜基板对盒后，主隔垫物20的顶部与第一源极15连接，附隔垫物21的顶部不与任何结构连接，但是附隔垫物21的顶部在阵列基板上的投影连接第一漏极16和第一检测线10。

本发明实施例二提供了一种触控显示面板及其制备方法和驱动方法，其中该触控显示面板包括：阵列基板和彩膜基板，其中阵列基板包括：栅线、数据线、像素电极、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第一检测线，彩膜基板包括：彩膜层、黑矩阵、主隔垫物、附隔垫物、基准信号线和第二检测线，本发明的技术方案通过将用于实现触控功能的各金属走线设置在不同的显示基板(阵列基板或彩膜基板)上，从而可有效的降低阵列基板上走线的数量，进而能降低阵列基板的制备工艺的复杂度，以及提高像素单元的开口率。此外，在制备本发明中的阵列基板和彩膜基板时，仅需对现有制备流程中部分工序所使用的掩模板进行改，无需对现有制备流程进行改变，因而可便于生成。

实施例三

本发明实施例三提供了一种触控显示装置，该触控显示装置包括：触控显示面板，该触控显示面板可采用上述实施例一或实施例二中任一提供的触控显示面板。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种触控显示面板，其特征在于，包括：相对设置的阵列基板和彩膜基板；

所述阵列基板包括：形成于第一衬底上的第一薄膜晶体管和第一检测线，所述第一薄膜晶体管包括：第一栅极、第一有源层、第一源极和第一漏极；

所述彩膜基板包括：形成于第二衬底上的主隔垫物、附隔垫物、基准信号线和第二检测线，所述主隔垫物和所述附隔垫物均为导体，所述主隔垫物的底部与所述基准信号线连接，所述基准信号线中加载有电流信号，所述主隔垫物的顶部与所述第一源极连接，所述附隔垫物的底部与所述第二检测线连接，所述附隔垫物的顶部在阵列基板上的投影连接所述第一漏极和所述第一检测线。

2.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括：形成于所述第一衬底上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定出像素单元，所述像素单元内形成有像素电极和第二薄膜晶体管；

所述第二薄膜晶体管包括：第二栅极、第二有源层、第二源极和第二漏极，所述第二栅极与所述栅线同层设置，所述第二栅极形成于所述第一衬底的上方，所述第二栅极的上方形成有栅绝缘层，所述第二有源层形成于所述栅绝缘层的上方，所述第二源极和所述第二漏极与所述数据线同层设置且形成于所述第二有源层的上方，所述第二源极和所述第二漏极的上方形成钝化层，所述钝化层上对应所述第二漏极的区域形成有过孔，所述像素电极通过过孔与所述第二漏极连接；

所述第一栅极为所述栅线，所述第一有源层与所述第二有源层同层设置，所述钝化层上对应所述第一有源层的区域形成有开口，所述第一源极和所述第一漏极与所述像素电极同层设置且在所述开口内与所述第一有源层连接，所述第一检测线与所述像素电极同层设置。

3.根据权利要求2所述的触控显示面板，其特征在于，所述栅线在所述彩膜基板上的投影覆盖所述基准信号线和所述第二检测线。

4.根据权利要求2所述的触控显示面板，其特征在于，所述基准信号线和所述第二检测线同层设置，且所述基准信号线和所述第二检测线均与所述栅线平行。

5.根据权利要求2所述的触控显示面板，其特征在于，所述第一检测线位于所述数据线的正上方。

6.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述彩膜基板还包括：形成于所述第二衬底上的彩膜层和黑矩阵，所述黑矩阵的上方还形成有公共电极，所述基准信号线和第二检测线与所述公共电极同层设置。

7.根据权利要求6所述的触控显示面板，其特征在于，所述主隔垫物包括：主隔垫物主体和设置于所述主隔垫物主体外的主隔垫物导电层；

所述附隔垫物包括：附隔垫物主体和设置于所述附隔垫物主体外的附隔垫物导电层；

所述主隔垫物导电层与所述基准信号线一体成型，所述附隔垫物导电层与所述第二检测线一体成型。

8.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述主隔垫物的高度大于所述附隔垫物的高度。

9.一种触控显示装置，其特征在于，包括：如上述权利要求1-8中任一所述的触控显示面板。

10.一种触控显示面板的制备方法，其特征在于，所述触控显示面板包括：相对设置的阵列基板和彩膜基板，所述制备方法包括：

制备阵列基板，所述阵列基板包括：形成于第一衬底上的第一薄膜晶体管和第一检测线，所述第一薄膜晶体管包括：第一栅极、第一有源层、第一源极和第一漏极；

制备彩膜基板，所述彩膜基板包括：形成于第二衬底上的主隔垫物、附隔垫物、基准信号线和第二检测线，所述主隔垫物和所述附隔垫物均为导体，所述主隔垫物的底部与所述基准信号线连接，所述基准信号线中加载有电流信号，所述主隔垫物的顶部与所述第一源极连接，所述附隔垫物的底部与所述第二检测线连接；

将所述阵列基板与所述彩膜基板进行对盒，所述主隔垫物的顶部与所述第一源极连接，所述附隔垫物的顶部在阵列基板上的投影连接所述第一漏极和所述第一检测线。

11.根据权利要求10所述的触控显示面板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板还包括：形成于所述第一衬底上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定出像素单元，所述像素内形成有像素电极和第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括：第二栅极、第二有源层、第二源极和第二漏极；

所述制备阵列基板的步骤包括：

通过一次构图工艺在所述第一衬底的上方形成所述栅线和所述第二栅极，所述栅线复用为所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极；

在所述栅线和所述第二栅极的上方形成栅绝缘层；

通过一次构图工艺在所述栅绝缘层的上方形成第一有源层和第二有源层；

通过一次构图工艺在所述第一有源层和所述第二有源层的上方形成所述数据线、所述第二源极和所述第二漏极；

通过一次构图工艺在所述数据线、所述第二源极和所述第二漏极的上方形成钝化层，所述钝化层上对应所述第二漏极的区域形成有过孔，所述钝化层上对应所述第一有源层的区域形成有开口；

通过一次构图工艺在所述钝化层上形成像素电极、第一源极、第一漏极和第一检测线，所述像素电极通过过孔与所述第二漏极连接，所述第一源极和所述第一漏极在所述开口内与所述第二有源层连接。

12.根据权利要求10所述的触控显示面板的制备方法，其特征在于，所述彩膜基板还包括：形成于所述第二衬底上的彩膜层和黑矩阵，所述黑矩阵的上方形成有公共电极，所述主隔垫物包括：主隔垫物主体和设置于所述主隔垫物主体外的主隔垫物导电层，所述附隔垫物包括：附隔垫物主体和设置于所述附隔垫物主体外的附隔垫物导电层

所述制备彩膜基板的步骤包括：

在所述第二衬底的上方形成彩膜层和黑矩阵；

通过半色调掩模工艺所述黑矩阵上形成所述主隔垫物主体和所述附隔垫物主体，所述主隔垫物主体的高度大于所述附隔垫物主体的高度；

通过一次构图工艺在所述黑矩阵的上方形成基准信号线、所述第二检测线和所述公共电极，并在所述主隔垫物主体外形成所述主隔垫物导电层，以及在所述附隔垫物主体外形成所述附隔垫物导电层。

13.一种触控显示面板的驱动方法，其特征在于，所述触控显示面板包括：阵列基板和彩膜基板；

所述阵列基板包括：形成于第一衬底上的第一薄膜晶体管和第一检测线，所述第一薄膜晶体管包括：第一栅极、第一有源层、第一源极和第一漏极；

所述彩膜基板包括：形成于第二衬底上的主隔垫物、附隔垫物、基准信号线和第二检测线，所述主隔垫物和所述附隔垫物均为导体，所述主隔垫物的底部与所述基准信号线连接，所述基准信号线中加载有电流信号，所述主隔垫物的顶部与所述第一源极连接，所述附隔垫物的底部与所述第二检测线连接，所述附隔垫物的顶部在阵列基板上的投影连接所述第一漏极和所述第一检测线；

所述驱动方法包括：

向所述第一栅极中加载开启信号，所述第一薄膜晶体管处于导通状态，当所述触控显示面板表面存在触控时，位于触控点处的所述附隔垫物向下运动以与所述第一漏极和所述第一检测线均连接，基准信号线中的所述电流信号将依次通过所述第一薄膜晶体管、所述附隔垫物以传递至所述第一检测线和所述第二检测线中，检测单元检测所述第一检测线和所述第二检测线中的电流信号判断出触控点的位置，以实现触控功能。

14.根据权利要求13所述的触控显示面板的驱动方法，其特征在于，所述阵列基板还包括：形成于所述第一衬底上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定出像素单元，所述像素内形成有像素电极和第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括：第二栅极、第二有源层、第二源极和第二漏极，所述第一栅极为所述栅线，所述开启信号为栅线中加载的扫描信号；

在进行所述实现触控功能的步骤的同时还包括：

向所述栅线中加载扫描信号，所述第二薄膜晶体管处于导通状态，数据线中的显示信号通过第二薄膜晶体管以传递至对应行的像素电极中。