CN104915054A - 阵列基板及其制作方法和显示装置 - Google Patents

阵列基板及其制作方法和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104915054A
CN104915054A CN201510246822.2A CN201510246822A CN104915054A CN 104915054 A CN104915054 A CN 104915054A CN 201510246822 A CN201510246822 A CN 201510246822A CN 104915054 A CN104915054 A CN 104915054A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
layer
via hole
active layer
passivation layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510246822.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104915054B (zh
Inventor
张文林
李禹奉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201510246822.2A priority Critical patent/CN104915054B/zh
Publication of CN104915054A publication Critical patent/CN104915054A/zh
Priority to PCT/CN2015/097027 priority patent/WO2016180013A1/en
Priority to US15/030,594 priority patent/US9971437B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN104915054B publication Critical patent/CN104915054B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明涉及一种阵列基板及其制作方法，以及一种显示装置，包括：有源层；与有源层同层设置的触控信号的多个输出电极和多个接收电极；多个接收电极包括多行沿第一方向间隔设置的接收电极；多个输出电极包括多个沿第二方向延伸的输出电极。根据本发明的技术方案，将输出电极和接收电极与有源层同层设置，无需额外一次工艺制作输出电极和接收电极，可以减少基板的制作工艺，简化制作流程。

Description

阵列基板及其制作方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板、一种显示装置和一种阵列基板制作方法。
背景技术
氧化物面板在大尺寸领域具有广泛的应用前景和市场，随着智能手机，笔记本，电视等电子产品的日新月异，与触控技术相结合是不可阻挡的趋势。现在市场上10inch以下的触控电极(包括输出电极和接收电极)还是以ITO(氧化铟锡)为主要材料。然而在大尺寸下，由于ITO电阻比较大，如果做成大尺寸的这就需要将ITO做的厚度增加，势必会对降低透过率，因此大尺寸显示中，ITO用作感应电极不可行。
目前触控技术中常用的两种技术为On cell和In cell型触控技术。而In cell型以其更轻便，抗干扰能力更强，可以实现多点触控而成为近来研究热点。具体地触控原理如图1和图2所示，给图1中纵向触控电极输入一个脉冲信号，其他列接地，同时，对图2中的横向电极逐行进行检测，检测完后电容改变的一个交叉点便可以确定，通过算法计算便可以得出在触控屏上的哪个点被触摸，从而达到触控目的。但是现有的触控电极制作需要一道单独工艺制作，使得显示基板的整体制作工艺步骤较多。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，简化输出电极和接收电极的制作工艺。
为此目的，本发明提出了一种阵列基板，包括：
有源层；
与所述有源层同层设置的触控信号的多个输出电极和多个接收电极；
所述多个接收电极包括多行沿第一方向间隔设置的接收电极；
所述多个输出电极包括多个沿第二方向延伸的输出电极。
优选地，所述有源层的材料为金属氧化物半导体；
所述输出电极和/或所述接收电极由对金属氧化物半导体进行等离子体处理形成。
优选地，所述金属氧化物半导体包括镓铟锌氧化物。
优选地，还包括：
栅绝缘层，所述有源层设置在所述栅绝缘层之上；
蚀刻阻挡层，设置在所述有源层之上，
其中，在蚀刻阻挡层中与所述有源层对应区域的设置有第一过孔；
设置在所述蚀刻阻挡层之上的源极和漏极，
其中，所述源极通过所述两个第一过孔中的一个第一过孔与所述有源层电连接，所述漏极通过所述两个第一过孔中的另一个第一过孔与所述有源层电连接。
优选地，还包括：
第一钝化层，设置在所述蚀刻阻挡层之上，
其中，在所述第一钝化层中与每个所述接收电极对应的位置设置有第二过孔；
多个接收电极连接线，设置在所述第一钝化层之上并沿第一方向延伸，每条接收电极连接线通过多个第二过孔与对应的多个接收电极电连接。
优选地，还包括：
第二钝化层，设置在所述第一钝化层之上，
其中，在所述第一钝化层中与所述漏极对应的位置设置有第三过 孔，在所述第二钝化层中与所述漏极对应的位置设置有第四过孔；
像素电极，设置在所述第二钝化层之上，通过所述第三过孔和第四过孔与所述漏极电连接。
优选地，所述接收电极和所述输出电极，在显示阶段被输入公共电压以用作公共电极。
本发明还提出了一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。
本发明还提出了一种阵列基板制作方法，包括：
形成半导体层；
对所述半导体层进行蚀刻，形成有源层和第一区域半导体层以及第二区域半导体层，
其中，所述第一区域半导体层包括多行沿第一方向间隔设置的半导体层，所述第二区域半导体层包括多个沿第二方向延伸的半导体层；
对所述第一区域半导体层进行处理形成触控信号的输出电极，对所述第二区域半导体层进行处理形成触控信号的接收电极。
优选地，对所述第一区域半导体层进行等离子体处理形成所述输出电极，对所述第二区域半导体层进行等离子体处理形成所述接收电极，
其中，所述半导体层材料为镓铟锌氧化物
优选地，所述形成有源层包括：
在栅绝缘层之上形成所述有源层。
优选地，还包括：
在所述有源层之上形成蚀刻阻挡层；
在蚀刻阻挡层中与所述有源层对应区域的形成两个第一过孔；
在所述蚀刻阻挡层之上形成源极和漏极，使所述通过所述两个第一过孔中的一个第一过孔与所述有源层电连接，使所述漏极通过所述 两个第一过孔中的另一个第一过孔与所述有源层电连接。
优选地，还包括：
在所述蚀刻阻挡层之上形成第一钝化层；
在所述第一钝化层中与每个所述接收电极对应的位置形成第二过孔；
在所述第一钝化层之上形成多个沿第一方向延伸的接收电极连接线，每条接收电极连接线通过多个第二过孔与对应的多个接收电极电连接。
优选地，还包括：
在所述第一钝化层中与所述漏极对应的位置形成第三过孔；
在所述第一钝化层之上形成第二钝化层；
在所述第二钝化层中与所述漏极对应的位置形成第四过孔；
在所述第二钝化层之上形成像素电极，使所述像素电极通过所述第三过孔和第四过孔与所述漏极电连接。
优选地，其特征在于，还包括：
在所述像素电极之上形成公共电极；
形成分别连接至所述公共电极、接收电极和输出电极的公共电极线；
在连接至所述接收电极和输出电极的公共电极线中形成开关元件，所述开关元件在显示阶段闭合。
根据上述技术方案，将输出电极(Tx)和接收电极(Rx)与有源层同层设置，无需额外一次工艺制作输出电极和接收电极(两者一起被称为触控电极)，可以减少基板的制作工艺，简化制作流程。
附图说明
通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中：
图1和图2示出了现有技术中触控原理示意图；
图3示出了根据本发明一个实施例的阵列基板的结构示意图；
图4示出了图3中的阵列基板沿AA’的截面示意图；
图5示出了图3中的阵列基板沿BB’的截面示意图；
图6示出了根据本发明一个实施例的同步信号线输入的信号与接收电极和输出电极的信号关系示意图；
图7示出了根据本发明一个实施例的阵列基板制作方法的示意流程图；
图8至图15示出了根据本发明一个实施例的阵列基板制作方法的具体示意图。
附图标号说明：
1-栅绝缘层；2-有源层；3-接收电极；4-输出电极；5-蚀刻阻挡层；6-源极；7-漏极；8-第一钝化层；9-接收电极连接线；10-第二钝化层；11-像素电极；12-栅线；13-数据线；14-第二过孔。 
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
如图3和图4所示，根据本发明一个实施例的阵列基板包括：
有源层2，
与有源层2同层设置的触控信号的多个输出电极4和多个接收电极3；
多个接收电极3包括多行沿第一方向间隔设置的接收电极3；
多个输出电极4包括多个沿第二方向延伸的输出电极4。
将输出电极4(Tx)和接收电极3(Rx)与有源层2同层设置，无需额外一次工艺制作输出电极4和接收电极3，可以减少基板的制作工艺，简化制作流程。并且由于输出电极4和接收电极3设置于阵列基板上，无需在厚度上预留输出电极4和接收电极3的制作空间，有利于降低触控结构的厚度。
需要说明的是，本实施例中的阵列基板还可以包括与栅极电连接的栅线12、与源极6相连的数据线13等结构，多条栅线12和多条数据线13界定出多个像素。
优选地，有源层2的材料为金属氧化物半导体；
输出电极4和/或接收电极3由对金属氧化物半导体进行等离子体处理形成。
优选地，金属氧化物半导体包括镓铟锌氧化物。
镓铟锌氧化物(即IGZO)，是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以极大地提高驱动晶体管对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也极大地提高了像素的行扫描速率，使得超高分辨率在TFT-LCD中成为可能。
镓铟锌氧化物具有半导体特性，可作为有源层2，并且可以通过等离子体处理具有导体特性，以作为输出电极4和接收电极3。具体地，可以通过H2或者NH3进行等离子体处理。
优选地，还包括：
栅绝缘层1，有源层2设置在栅绝缘层1之上，其中，栅绝缘层1设置于基底和栅极之上，形成栅极的材料可以是Al，Mo，AlNd，Cu，MoNb等金属或合金，栅绝缘层1的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，厚度在至有源层2的厚度为至
蚀刻阻挡层5，设置在有源层2之上，蚀刻阻挡层5的材料可以为SiO2，厚度为
其中，在蚀刻阻挡层5中与有源层2对应区域的设置有两个第一过孔；
设置在蚀刻阻挡层5之上的源极6和漏极7，形成源极6和漏极7的材料可以是Al，Mo，AlNd，Cu和/或MoNb，
其中，源极6通过两个第一过孔中的一个第一过孔与有源层2电连接，漏极7通过两个第一过孔中的另一个第一过孔与有源层2电连接。
如图5所示，优选地，还包括：
第一钝化层8，设置在蚀刻阻挡层5之上，第一钝化层8的材料可以为SiO2，厚度为至
其中，在第一钝化层中与每个接收电极3对应的位置设置有第二过孔14；
多个接收电极连接线9，设置在第一钝化层8之上并沿第一方向延伸，每条接收电极连接线9通过多个第二过孔14与对应的多个接收电极3电连接。
接收电极3一般与输出电极4间隔排列，其中输出电极4在第二方向(例如纵向)上为连续的，而每行沿第一方向(例如横向)设置的多个接收电极3则是分别独立的，通过接收电极连接线(即TP线)9可以将间隔开的接收电极3横向电连接起来。
需要说明的是，输出电极4和接收电极3的数量可以根据触控屏幕的尺寸进行具体选择，并且实际上输出电极4和接收电极3的尺寸比像素要大得多，一般间隔数十个或上百个像素设置一个输出电极4和/或接收电极3。
优选地，还包括：
第二钝化层10，设置在第一钝化层8之上，第一钝化层10的材料可以为SiO2，厚度为至
其中，在第一钝化层8中与漏极7对应的位置设置有第三过孔， 在第二钝化层10中与漏极7对应的位置设置有第四过孔；
像素电极11(在图3中未示出，实际上位于输出电极之上)，设置在第二钝化层10之上，通过第三过孔和第四过孔与漏极7电连接。
优选地，还包括：
接收电极3和输出电极4在显示阶段被输入公共电压以用作公共电极。
公共电极线输入的信号与接收电极3和输出电极4的信号关系如图6所示，相当于在显示阶段接收电极3和输出电极4可以起到公共电极的作用，在像素公共电极驱动液晶的同时，接收电极3和输出电极4也能够在部分区域起到公共电极的作用以驱动液晶，从而简化公共电极的结构。
本发明还提出了一种显示装置，包括上述任一项的阵列基板。
需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明还提出了一种阵列基板制作方法，包括：
S1，形成半导体层，如图8所示；
S2，对半导体层进行蚀刻，形成有源层2和第一区域半导体层以及第二区域半导体层，
其中，所述第一区域半导体层包括多行沿第一方向间隔设置的半导体层，所述第二区域半导体层包括多个沿第二方向延伸的半导体层，如图9所示；
S3，对第一区域半导体层进行处理形成触控信号的输出电极4，对第二区域半导体层进行处理形成触控信号的接收电极3，如图10所示。
优选地，对第一区域半导体层进行等离子体处理形成输出电极4，对第二区域半导体层进行等离子体处理形成接收电极3，
其中，半导体层材料为镓铟锌氧化物。
优选地，形成有源层2包括：
在栅绝缘层1之上形成有源层2；
优选地，还包括：
在有源层2之上形成蚀刻阻挡层5；
在蚀刻阻挡层5中与有源层2对应区域的形成两个第一过孔，如图11所示；
在蚀刻阻挡层5之上形成源极6和漏极7，使源极6通过两个第一过孔中的一个第一过孔与有源层2电连接，使漏极7通过两个第一过孔中的另一个第一过孔与有源层2电连接，如图12所示。
优选地，还包括：
在蚀刻阻挡层5之上形成第一钝化层8；
在第一钝化层8中与每个接收电极3对应的位置形成第二过孔14，如图13所示；
在第一钝化层8之上形成多个沿第一方向延伸的接收电极连接线9，每条接收电极连接线9通过多个第二过孔14与对应的多个接收电极3电连接，如图14所示。
优选地，还包括：
在第一钝化层8中与漏极7对应的位置形成第三过孔；
在第一钝化层8之上形成第二钝化层10；
在第二钝化层10中与漏极7对应的位置形成第四过孔，如图15所示；
在第二钝化层10之上形成像素电极11，使像素电极11通过第三过孔和第四过孔与漏极7电连接。
优选地，其特征在于，还包括：
在像素电极11之上形成公共电极；
形成分别连接至公共电极、接收电极3和输出电极4的公共电极 线；
在连接至接收电极3和输出电极4的公共电极线中形成开关元件，开关元件在显示阶段闭合，从而可以控制在显示阶段向接收电极3和输出电极4输入公共电压，以将接收电极3和输出电极4用作公共电极。
其中，上述流程所采用的形成工艺例如可包括：沉积、溅射等成膜工艺和刻蚀等构图工艺。
以上结合附图详细说明了本发明的技术方案，考虑到现有技术中，触控电极制作需要一道单独工艺制作，使得显示基板的整体制作工艺步骤较多。根据本发明的技术方案，将输出电极和接收电极与有源层同层设置，无需额外一次工艺制作输出电极和接收电极，可以减少基板的制作工艺，简化制作流程。并且由于输出电极和接收电极设置于阵列基板上，无需在厚度上预留输出电极和接收电极的制作空间，有利于降低触控结构的厚度。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本发明中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应 包含在本发明的保护范围之内。

Claims (14)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
有源层；
与所述有源层同层设置的触控信号的多个输出电极和多个接收电极；
所述多个接收电极包括多行沿第一方向间隔设置的接收电极；
所述多个输出电极包括多个沿第二方向延伸的输出电极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的材料为金属氧化物半导体；
所述输出电极和/或接收电极由对金属氧化物半导体进行等离子体处理形成。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述金属氧化物半导体包括镓铟锌氧化物。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
栅绝缘层，所述有源层设置在所述栅绝缘层之上；
蚀刻阻挡层，设置在所述有源层之上，
其中，在蚀刻阻挡层中与所述有源层对应区域的设置有两个第一过孔；
设置在所述蚀刻阻挡层之上的源极和漏极，
其中，所述源极通过所述两个第一过孔中的一个第一过孔与所述有源层电连接，所述漏极通过所述两个第一过孔中的另一个第一过孔与所述有源层电连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
第一钝化层，设置在所述蚀刻阻挡层之上，
其中，在所述第一钝化层中与每个所述接收电极对应的位置设置有第二过孔；
多个接收电极连接线，设置在所述第一钝化层之上并沿第一方向延伸，每条接收电极连接线通过多个第二过孔与对应的多个接收电极电连接。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
第二钝化层，设置在所述第一钝化层之上，
其中，在所述第一钝化层中与所述漏极对应的位置设置有第三过孔，在所述第二钝化层中与所述漏极对应的位置设置有第四过孔；
像素电极，设置在所述第二钝化层之上，通过所述第三过孔和第四过孔与所述漏极电连接。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述接收电极和所述输出电极在显示阶段被输入公共电压以用作公共电极。
8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至7中任一项所述的阵列基板。
9.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括：
形成半导体层；
对所述半导体层进行蚀刻，形成有源层和第一区域半导体层以及第二区域半导体层，
其中，所述第一区域半导体层包括多行沿第一方向间隔设置的半导体层，所述第二区域半导体层包括多个沿第二方向延伸的半导体层；
对所述第一区域半导体层进行处理形成触控信号的输出电极，对所述第二区域半导体层进行处理形成触控信号的接收电极。
10.根据权利要求9所述的阵列基板制作方法，其特征在于，对所述第一区域半导体层进行等离子体处理形成所述输出电极，对所述第二区域半导体层进行等离子体处理形成所述接收电极，
其中，所述半导体层材料为镓铟锌氧化物。
11.根据权利要求9所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述形成有源层包括：
在栅绝缘层之上形成所述有源层；
所述阵列基板制作方法还包括：
在所述有源层之上形成蚀刻阻挡层；
在蚀刻阻挡层中与所述有源层对应区域的形成两个第一过孔；
在所述蚀刻阻挡层之上形成源极和漏极，使所述源极通过所述两个第一过孔中的一个第一过孔与所述有源层电连接，使所述漏极通过所述两个第一过孔中的另一个第一过孔与所述有源层电连接。
12.根据权利要求11所述的阵列基板制作方法，其特征在于，还包括：
在所述蚀刻阻挡层之上形成第一钝化层；
在所述第一钝化层中与每个所述接收电极对应的位置形成第二过孔；
在所述第一钝化层之上形成多个沿第一方向延伸的接收电极连接线，每条接收电极连接线通过多个第二过孔与对应的多个接收电极电连接。
13.根据权利要求12所述的阵列基板制作方法，其特征在于，还包括：
在所述第一钝化层中与所述漏极对应的位置形成第三过孔；
在所述第一钝化层之上形成第二钝化层；
在所述第二钝化层中与所述漏极对应的位置形成第四过孔；
在所述第二钝化层之上形成像素电极，使所述像素电极通过所述第三过孔和第四过孔与所述漏极电连接。
14.根据权利要求9至13中任一项所述的阵列基板制作方法，其特征在于，还包括：
在所述像素电极之上形成公共电极；
形成分别连接至所述公共电极、接收电极和输出电极的公共电极线；
在连接至所述接收电极和输出电极的公共电极线中形成开关元件，所述开关元件在显示阶段闭合。
CN201510246822.2A 2015-05-14 2015-05-14 阵列基板及其制作方法和显示装置 Expired - Fee Related CN104915054B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510246822.2A CN104915054B (zh) 2015-05-14 2015-05-14 阵列基板及其制作方法和显示装置
PCT/CN2015/097027 WO2016180013A1 (en) 2015-05-14 2015-12-10 Array substrate, display device having the same, and manufacturing method thereof
US15/030,594 US9971437B2 (en) 2015-05-14 2015-12-10 Array substrate, display device having the same, and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510246822.2A CN104915054B (zh) 2015-05-14 2015-05-14 阵列基板及其制作方法和显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104915054A true CN104915054A (zh) 2015-09-16
CN104915054B CN104915054B (zh) 2019-10-15

Family

ID=54084178

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510246822.2A Expired - Fee Related CN104915054B (zh) 2015-05-14 2015-05-14 阵列基板及其制作方法和显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9971437B2 (zh)
CN (1) CN104915054B (zh)
WO (1) WO2016180013A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105158955A (zh) * 2015-10-26 2015-12-16 天马微电子股份有限公司 一种显示面板及其制作方法
WO2016180013A1 (en) * 2015-05-14 2016-11-17 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display device having the same, and manufacturing method thereof
CN107219956A (zh) * 2017-06-09 2017-09-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其驱动方法和显示面板
CN113745250A (zh) * 2021-08-24 2021-12-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板
WO2021248558A1 (zh) * 2020-06-09 2021-12-16 武汉华星光电技术有限公司 显示面板以及显示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105974639A (zh) * 2016-07-26 2016-09-28 京东方科技集团股份有限公司 内嵌式触控基板及其驱动方法、显示面板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2750002A2 (en) * 2012-12-27 2014-07-02 LG Display Co., Ltd. Touch sensor integrated type display device
CN104461207A (zh) * 2014-12-31 2015-03-25 深圳市华星光电技术有限公司 单层电容式触摸屏以及触摸显示装置
CN104503622A (zh) * 2015-01-04 2015-04-08 京东方科技集团股份有限公司 触控显示面板及其制备方法、驱动方法和触控显示装置
CN104503647A (zh) * 2014-12-31 2015-04-08 京东方科技集团股份有限公司 一种触摸显示屏的基板及其制造方法、触摸屏及显示装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101035358B1 (ko) * 2010-01-07 2011-05-20 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 센서 및 유기 발광 표시 장치
CN102468231B (zh) * 2010-11-10 2014-03-26 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法和有源显示器
JP5465311B2 (ja) * 2012-02-09 2014-04-09 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機発光表示装置及びその製造方法
TWI471949B (zh) * 2012-11-16 2015-02-01 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 薄膜電晶體基板與顯示器
KR102047727B1 (ko) 2012-12-29 2019-11-22 엘지디스플레이 주식회사 터치센서 인셀 타입 액정표시장치용 어레이 기판
CN103294317B (zh) * 2013-05-31 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、触控面板及显示装置
CN103699284B (zh) 2013-12-27 2016-09-21 京东方科技集团股份有限公司 一种电容式内嵌触摸屏及其制备方法、显示装置
CN104461142B (zh) 2014-12-10 2017-06-30 京东方科技集团股份有限公司 触控显示基板及其制备方法、触控显示装置
CN104571765B (zh) * 2015-01-09 2017-08-29 京东方科技集团股份有限公司 一种内嵌式触摸屏及显示装置
CN104915054B (zh) 2015-05-14 2019-10-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法和显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2750002A2 (en) * 2012-12-27 2014-07-02 LG Display Co., Ltd. Touch sensor integrated type display device
CN104461207A (zh) * 2014-12-31 2015-03-25 深圳市华星光电技术有限公司 单层电容式触摸屏以及触摸显示装置
CN104503647A (zh) * 2014-12-31 2015-04-08 京东方科技集团股份有限公司 一种触摸显示屏的基板及其制造方法、触摸屏及显示装置
CN104503622A (zh) * 2015-01-04 2015-04-08 京东方科技集团股份有限公司 触控显示面板及其制备方法、驱动方法和触控显示装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016180013A1 (en) * 2015-05-14 2016-11-17 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display device having the same, and manufacturing method thereof
US9971437B2 (en) 2015-05-14 2018-05-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display device having the same, and manufacturing method thereof
CN105158955A (zh) * 2015-10-26 2015-12-16 天马微电子股份有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN105158955B (zh) * 2015-10-26 2019-02-12 天马微电子股份有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN107219956A (zh) * 2017-06-09 2017-09-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其驱动方法和显示面板
CN107219956B (zh) * 2017-06-09 2021-01-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其驱动方法和显示面板
WO2021248558A1 (zh) * 2020-06-09 2021-12-16 武汉华星光电技术有限公司 显示面板以及显示装置
US11886064B2 (en) 2020-06-09 2024-01-30 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and display device
CN113745250A (zh) * 2021-08-24 2021-12-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016180013A1 (en) 2016-11-17
US20160334909A1 (en) 2016-11-17
CN104915054B (zh) 2019-10-15
US9971437B2 (en) 2018-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104915054A (zh) 阵列基板及其制作方法和显示装置
CN105372891B (zh) 一种阵列基板以及显示装置
US10013086B2 (en) In cell touch panel and method for driving the same, and display device
CN204515721U (zh) 内嵌式触控显示面板
CN106168865B (zh) 内嵌式触摸屏及其制作方法、显示装置
WO2015158097A1 (zh) 显示面板及其驱动方法、显示装置
CN104199586B (zh) 一种阵列基板、内嵌式触摸屏和触控显示装置
KR101466556B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
CN102844803B (zh) 有源矩阵基板和显示装置
US9996183B2 (en) Touch-sensitive device and method for driving the same
CN103927070B (zh) 一种内嵌式电磁触摸显示屏以及触摸显示装置
CN102841718A (zh) 一种电容式内嵌触摸屏及显示装置
CN104536637A (zh) 内嵌式触摸屏及显示装置
CN104102402A (zh) 触控基板及显示装置
CN107506076B (zh) 一种触控显示基板、制造方法及显示装置
CN103760708A (zh) 一种阵列基板、电容式触摸屏和触控显示装置
CN103927072B (zh) 一种tft阵列基板、触摸显示面板以及触摸显示装置
CN104699357A (zh) 一种电子设备、触摸显示面板以及触控显示基板
CN105159486A (zh) Ads阵列基板及其制作方法、显示器件
CN105137632B (zh) 显示面板及显示装置
CN108663837A (zh) 触控显示单元、触控显示基板、触控显示面板及其驱动方法
CN106406591B (zh) Oled触控基板、其制造方法及控制方法
WO2018040233A1 (zh) 具有触控感测器的液晶显示装置及其驱动方法
CN108052227A (zh) 一种集成触控显示面板和一种触控显示设备
CN109725450B (zh) 显示面板与其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20191015