CN104460821A - 内部电压发生电路和包括其的半导体器件 - Google Patents

Abstract

一种内部电压发生电路包括电压发生器和检测电压发生器。电压发生器产生电平取决于内部温度的温度参考电压信号、电平是与内部温度无关的恒定值的分压参考电压信号、以及通过检测内部电压信号的电平而获得的选择参考电压信号。检测电压发生器响应于温度参考电压信号而将分压参考电压信号和选择参考电压信号进行比较，以产生控制内部电压信号的泵浦操作的检测电压信号。

Description

内部电压发生电路和包括其的半导体器件

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年9月12日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2013-0109846的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此，如同全文阐述。

技术领域

本公开的实施例总体而言涉及半导体集成电路，更具体地涉及内部电压发生电路和包括内部电压发生电路的半导体器件。

背景技术

通常，半导体器件从外部设备接收电源电压VDD和接地电压VSS以产生用于操作构成每个半导体器件的内部电路的内部电压。用于操作半导体器件的内部电路的内部电压可以包括供应至包括存储器单元的核心区的核心电压VCORE、用于驱动或过驱动字线的升压电压VPP、以及供应至核心区中NMOS晶体管的体区（或衬底）的反偏电压VBB。

核心电压VCORE可以是低于从外部系统供应的电源电压VDD的正电压。因而，可以通过将电源电压VDD降低至特定电平来产生核心电压VCORE。相反，升压电压VPP可以高于电源电压VDD，反偏电压VBB可以是低于接地电压VSS的负电压。因而，可能需要电荷泵电路来产生升压电压VPP和反偏电压VBB。

发明内容

各种实施例针对内部电压发生电路和包括内部电压发生电路的半导体器件。

根据一些实施例，一种内部电压发生电路包括电压发生器和检测电压发生器。电压发生器产生电平取决于内部温度的温度参考电压信号、电平是与内部温度无关的恒定值的分压参考电压信号、以及通过检测内部电压信号的电平而获得的选择参考电压信号。选择参考电压信号的电平根据第一测试模式信号来控制。检测电压发生器响应于温度参考电压信号而将分压参考电压信号和选择参考电压信号进行比较，以产生控制内部电压信号的泵浦操作的检测电压信号。

根据另外的实施例，一种内部电压发生电路包括比较驱动器和电平控制器。比较驱动器将选择参考电压信号与分压参考电压信号进行比较以控制检测电压信号的驱动。选择参考电压信号的电平根据内部电压信号和第一测试模式信号来控制，分压参考电压信号的电平是与内部温度无关的恒定值。检测电压信号控制内部电压信号的泵浦操作。电平控制器响应于第二测试模式信号而将温度参考电压信号与分压参考电压信号进行比较，以控制驱动检测电压信号的选择参考电压信号的电平。温度参考电压信号的电平取决于内部温度。

根据另外的实施例，一种半导体器件包括控制电路和内部电压发生电路。控制电路产生第一测试模式信号、第二测试模式信号和电源电压。内部电压发生电路响应于电源电压而产生参考电压信号，产生从参考电压信号获得的温度参考电压信号、分压参考电压信号和选择参考电压信号。另外，内部电压发生电路响应于温度参考电压信号而将选择参考电压信号和分压参考电压信号进行比较，以产生控制内部电压信号的泵浦操作的检测电压信号。温度参考电压信号的电平取决于内部温度。分压参考电压信号的电平是与内部温度无关的恒定值。选择参考电压信号的电平根据内部电压信号的电平和第一测试模式信号的电平来控制。

附图说明

结合附图和随附的具体描述，本发明的实施例将更加清楚，其中：

图1是说明根据本公开的一个实施例的内部电压发生电路的框图；

图2是说明图1的内部电压发生电路中包括的电压发生器的示意图；

图3是说明图1的内部电压发生电路中包括的检测电压发生器的电路图；

图4是说明图1中的内部电压发生电路的操作的图；以及

图5是说明包括根据本发明的一个实施例的内部电压发生电路的半导体器件的框图。

具体实施方式

下文中将参照附图描述本发明的各种实施例。然而，本文描述的实施例仅出于说明的目的，并非意图限制本发明的范围。

参见图1，根据本发明的一个实施例的内部电压发生电路可以包括：电压发生器1、检测电压发生器2和电压泵浦单元3。电压发生器1可以产生温度参考电压信号VREFT、分压参考电压信号VREFDIV和选择参考电压信号VREFSEL。温度参考电压信号VREFT的电平可以取决于内部电压发生电路或电压发生器的内部温度。分压参考电压信号VREFDIV的电平可以是与内部电压发生电路和/或电压发生器的内部温度无关的恒定值。选择参考电压信号VREFSEL可以响应于内部电压信号VBBW的电平而产生，并且选择参考电压信号VREFSEL的电平可以通过第一测试模式信号TM1<1:M>来减小。检测电压发生器2可以响应于第二测试模式信号TM2<1:2>而产生由温度参考电压信号VREFT、分压参考电压信号VREFDIV和选择参考电压信号VREFSEL来驱动的检测电压信号DET。检测电压发生器2可以根据内部电压发生电路、电压发生器1、检测电压发生器2或电压泵浦单元3的内部温度来检测内部电压信号VBBW的电平，以产生控制内部电压信号VBBW的驱动的检测电压信号DET。电压泵浦单元3可以响应于检测电压信号DET而泵浦内部电压信号VBBW。当检测电压信号DET被驱动至预定电平时，电压泵浦单元3可以被激活以泵浦内部电压信号VBBW，使得内部电压信号VBBW具有低于接地电压VSS的负电压。在一个实施例中，当检测电压信号DET被驱动成具有逻辑“高”电平时，电压泵浦单元3可以泵浦内部电压信号VBBW以降低内部电压信号VBBW的电平。

参见图2，电压发生器1可以包括：参考电压发生器11、温度参考电压发生器12、分压参考电压发生器13和选择参考电压发生器14。

参考电压发生器11可以响应于加电信号PWRUP而从加电时段终止的时刻起产生参考电压信号VREF。参考电压信号VREF可以通过节点nd11输出。加电时段可以对应于在电源电压VDD施加至半导体器件之后电源电压VDD达到预定电平所花费的时间段。加电信号PWRUP的电平可以在加电时段终止的时刻改变。

温度参考电压发生器12可以包括电阻元件R11、R12和R13以及NMOS晶体管N11，并且电阻元件R11和R12的电平可以根据电压发生器的内部温度而变化。电阻元件R11和R12可以串联耦接在节点nd11和节点nd12之间。另外，电阻元件R13和NMOS晶体管N11可以串联耦接在节点nd12和接地电压VSS端子之间。电阻元件R12可以利用可变电阻器来实现。NMOS晶体管N11的漏极和栅极可以彼此电耦接。节点nd13可以与电阻元件R13的一个端部以及NMOS晶体管N11的漏极和栅极耦接。因而，NMOS晶体管N11可以充当二极管，并且可以作用为电阻值随温度升高而线性降低的温度敏感元件。温度参考电压发生器12可以按电阻元件R11和R12的总电阻值与电阻元件R13和NMOS晶体管N11的总电阻值的比率来将参考电压信号VREF的电压电平分压，由此产生温度参考电压信号VREFT，所述温度参考电压信号VREFT的电平随温度参考电压发生器12或电压发生器或内部电压发生电路的内部温度的升高而线性降低。

分压参考电压发生器13可以包括串联耦接在节点nd11和接地电压VSS端子之间的电阻元件R14和R15并且可以产生分压参考电压信号VREFDIV，所述分压参考电压信号VREFDIV的电平是与分压参考电压发生器13、电压发生器1或内部电压发生电路的内部温度无关的恒定值。分压参考电压发生器13可以按电阻元件R14的电阻值与电阻元件R15的电阻值的比率来将参考电压信号VREF的电压电平分压，由此产生分压参考电压信号VREFDIV，所述分压参考电压信号VREFDIV的电平是与分压参考电压发生器13、电压发生器1或内部电压发生电路的温度无关的恒定值。

选择参考电压发生器14可以包括分压器141和选择单元142。分压器141可以包括串联耦接在节点nd11和内部电压VBBW端子之间的多个电阻元件，以及可以产生多个电压信号V1、V2、…、Vk。可以按串联耦接在节点nd11和内部电压VBBW端子之间的多个电阻元件的电阻值的比率而将参考电压信号VREF和内部电压信号VBBW之间的电压差分压来确定多个电压信号V1、V2、…、Vk的电平。多个电压信号V1、V2、…、Vk的电平可以随着内部电压信号VBBW的电平降低而降低。这是因为如果内部电压信号VBBW的电平降低，则参考电压信号VREF和内部电压信号VBBW之间的电压差增大，从而增大分压器141中包括的每个电阻元件的电压降。选择单元142可以响应于第一测试模式信号TM1<1:M>而输出分压信号V1、V2、…、Vk中的一个作为选择参考电压信号VREFSEL。选择参考电压信号VREFSEL可以根据第一测试模式信号TM1<1:M>的电平组合而被降低并被控制成具有分压信号V1、V2、…、Vk的电平中的任意一个。第一测试模式信号TM1<1:M>的比特的数目“M”和分压电压信号V1、V2、…、Vk的数目“K”可以根据实施例而被设定成不同。M和K可以是正整数。

参见图3，检测电压发生器2可以包括比较驱动器21和电平控制器22。

比较驱动器21可以包括：恒定电流源211、激活单元212、比较设定单元213和驱动器214。恒定电流源211可以利用由电源电压VDD驱动的电流镜电路来实现，以将恒定电流供应至节点nd21和nd22。激活单元212可以包括并联耦接在节点nd23和接地电压VSS端子之间的NMOS晶体管N23和N24。NMOS晶体管N23可以响应于参考电压信号VREF而导通，NMOS晶体管N24可以响应于激活信号ACT而导通。参考电压信号VREF可以从加电时段终止的时刻起具有逻辑“高”电平，激活信号ACT可以在外部命令信号（未示出）被输入时具有逻辑“高”电平以执行激活操作。比较设定单元213可以包括响应于选择参考电压信号VREFSEL而导通的NMOS晶体管N21以及响应于分压参考电压信号VREFDIV而导通的NMOS晶体管N22。NMOS晶体管N21可以耦接在节点nd21和节点nd23之间，NMOS晶体管N22可以耦接在节点nd22和节点nd23之间。驱动器214可以包括PMOS晶体管P21和P22、NMOS晶体管N25和N26以及缓冲器215。PMOS晶体管P21可以响应于接地电压VSS而导通以将节点nd24驱动成具有电源电压VDD。当节点nd21具有逻辑“低”电平时，PMOS晶体管P22可以被导通以将节点nd25驱动成具有节点nd24的电平。当节点nd21具有逻辑“高”电平时，NMOS晶体管N25可以被导通以将节点nd25驱动成具有节点nd26的电平。NMOS晶体管N26可以响应于参考电压信号VREF而导通以将节点nd26驱动成具有接地电压VSS。缓冲器215可以缓冲节点nd25的信号以产生检测电压信号DET。

电平控制器22可以包括放电控制器221、传输控制信号发生器222和放电器223。放电控制器221可以适用于包括NMOS晶体管N211、N212、N213、N214以及N215。NMOS晶体管N211可以耦接在节点nd211和节点nd212之间，并且可以响应于参考电压信号VREF而导通。NMOS晶体管N212可以耦接在节点nd212和接地电压VSS端子之间，并且可以响应于第二测试模式信号的第一比特TM2<1>而导通。NMOS晶体管N213可以耦接在节点nd211和节点nd213之间，并且可以响应于参考电压信号VREF而导通。NMOS晶体管N214可以耦接在节点nd213和接地电压VSS端子之间，并且可以响应于第二测试模式信号的第二比特TM2<2>而导通。NMOS晶体管N215可以耦接在节点nd211和接地电压VSS端子之间，并且可以响应于激活信号ACT而导通。当第二测试模式信号TM2<1:2>中的至少一个比特具有逻辑“高”电平时，传输控制信号发生器222可以产生被使能成具有逻辑“低”电平的互补传输控制信号TCB和被使能成具有逻辑“高”电平的传输控制信号TC。放电器223可以适用于包括传输门T21和T22以及NMOS晶体管N216和N217。传输门T21可以响应于具有逻辑“高”电平的传输控制信号TC和具有逻辑“低”电平的互补传输控制信号TCB而导通，以通过节点nd214输出分压参考电压信号VREFDIV。NMOS晶体管N216可以耦接在节点nd21和节点nd211之间，并且可以响应于传输至节点nd214的分压参考电压信号VREFDIV而导通。传输门T22可以响应于具有逻辑“高”电平的传输控制信号TC和具有逻辑“低”电平的互补传输控制信号TCB而导通，以通过节点nd215输出温度参考电压信号VREFT。NMOS晶体管N217可以耦接在节点nd22和节点nd211之间，并且可以响应于传输至节点nd215的温度参考电压信号VREFT而导通。

下文中将参照图4并结合检测电压发生器或内部电压发生电路的内部温度是90摄氏度的实例和内部温度是零下40摄氏度的实例来描述图3中说明的检测电压发生器2的操作。在图4的图中，横坐标表示检测电压发生器或内部电压发生电路的内部温度（以摄氏度℃为单位），纵坐标表示电压电平V。

参见图4，当内部电压发生电路的内部温度读取为90摄氏度时，温度参考电压信号VREFT的电平等于分压参考电压信号VREFDIV的电平。因而，通过NMOS晶体管N216从节点nd21放电的电荷量可以等于通过NMOS晶体管N217从节点nd22放电的电荷量。在这种情况下，如果选择参考电压信号VREFSEL的电平高于分压参考电压信号VREFDIV的电平，则NMOS晶体管N21可以比NMOS晶体管N22更强地导通。因此，由于节点nd21被设定成具有逻辑“低”电平，所以检测电压信号DET可以通过驱动器214被驱动成具有逻辑“高”电平。相反，如果选择参考电压信号VREFSEL的电平低于分压参考电压信号VREFDIV的电平，则NMOS晶体管N22可以比NMOS晶体管N21更强地导通。因此，由于节点nd21被设定成具有逻辑“高”电平，所以检测电压信号DET可以通过驱动器214被驱动成具有逻辑“低”电平。

当内部电压发生电路或检测电压发生器的内部温度读取为零下40摄氏度时，温度参考电压信号VREFT的电平高于分压参考电压信号VREFDIV的电平。因而，通过NMOS晶体管N216从节点nd21放电的电荷量可以小于通过NMOS晶体管N217从节点nd22放电的电荷量。在这种情况下，节点nd21被设定为逻辑“低”电平，使得检测电压信号DET被驱动成具有逻辑“高”电平，并且选择参考电压信号VREFSEL在零下40摄氏度的内部温度处的电平必须高于选择参考电压信号VREFSEL在90摄氏度的内部温度处的电平，使得节点nd21被设定成具有逻辑“低”电平。这是因为随着内部电压发生电路或检测电压发生器的内部温度下降，温度参考电压信号VREFT的电平变得高于分压参考电压信号VREFDIV的电平，并且NMOS晶体管N21的漏极电压（即节点nd21的电平）变得高于NMOS晶体管N22的漏极电压（即节点nd22的电平）。因而，与导通NMOS晶体管N21所需的栅极电压相对应的选择参考电压信号VREFSEL的电平必须升高，使得节点nd21具有逻辑“低”电平。

如上所述，随着内部电压发生电路或检测电压发生器的内部温度下降，用于将检测电压信号DET驱动成逻辑“高”电平的选择参考电压信号VREFSEL的电平可以升高。当检测电压信号DET被驱动成具有逻辑“高”电平时，可以执行用于获得内部电压信号VBBW的泵浦操作，而当检测电压信号DET被驱动成具有逻辑“低”电平时，可以终止用于获得内部电压信号VBBW的泵浦操作。因而，随着内部电压发生电路或检测电压发生器的内部温度下降，可以在选择参考电压信号VREFSEL的高电平终止用于获得内部电压信号VBBW的泵浦操作。如果选择参考电压信号VREFSEL的电平升高，则检测到的内部电压信号VBBW的电平也可升高。因此，随着内部电压发生电路或检测电压发生器的内部温度下降，可以在选择参考电压信号VREFSEL的高电平终止用于获得内部电压信号VBBW的泵浦操作。根据本实施例的内部电压发生电路可以根据温度的变化来产生温度参考电压信号VREFT、分压参考电压信号VREFDIV以及选择参考电压信号VREFSEL，以控制用于获得内部电压信号VBBW的泵浦操作，并且可以响应于第一测试模式信号TM1<1:M>而仅减小并产生选择参考电压信号VREFSEL。因而，即使内部电压发生电路或检测电压发生器的内部温度改变，内部电压信号VBBW的电平也可以平稳地下降。

参见图5，根据一个实施例的半导体器件可以包括控制电路4和内部电压发生电路5。控制电路4可以产生第一测试模式信号TM1<1:M>、第二测试模式信号TM2<1:M>、电源电压VDD以及命令信号CMD，并且可以将第一测试模式信号TM1<1:M>、第二测试模式信号TM2<1:M>、电源电压VDD以及命令信号CMD施加至内部电压发生电路5。在从电源电压VDD施加至半导体器件的时刻起电源电压VDD达到预定电平之后，内部电压发生电路5可以响应于根据命令信号CMD产生的激活信号ACT（见图3）而控制用于获得内部电压信号VBBW的泵浦操作。内部电压发生电路5可以具有与参照图1至图4描述的配置相同的配置。因而，下文将省略内部电压发生电路5的详细描述。

根据前述实施例，即使温度变化，也可以降低内部电压信号的电平以平稳地产生内部电压信号。

通过以上实施例可以看出，本申请提供了以下的技术方案。

1.一种内部电压发生电路，所述电路包括：

电压发生器，适用于产生：电平取决于内部温度的温度参考电压信号、电平是与所述内部温度无关的恒定值的分压参考电压信号、以及通过检测内部电压信号的电平而获得的选择参考电压信号，所述选择参考电压信号的电平根据第一测试模式信号来控制；以及

检测电压发生器，适用于响应于所述温度参考电压信号而将所述分压参考电压信号和所述选择参考电压信号进行比较，以产生控制所述内部电压信号的泵浦操作的检测电压信号。

2.根据技术方案1所述的电路，

其中，所述电压发生器包括温度参考电压发生器；以及

其中，所述温度参考电压发生器适用于包括电阻值根据所述内部温度而变化的温度敏感元件，以及适用于将参考电压信号的电平分压以产生所述温度参考电压信号。

3.根据技术方案2所述的电路，其中，所述电压发生器还包括分压参考电压发生器，所述分压参考电压发生器适用于将所述参考电压信号的电平分压以产生所述分压参考电压信号。

4.根据技术方案3所述的电路，其中，所述电压发生器还包括选择参考电压发生器，所述选择参考电压发生器适用于将所述参考电压信号的电平分压以产生多个分压信号，以及适用于响应于所述第一测试模式信号而输出所述分压信号中的一个作为所述选择参考电压信号。

5.根据技术方案4所述的电路，其中，

在电源电压施加至所述电压发生器之后、当所述电源电压具有预定电平或更高电平时，产生所述参考电压信号。

6.根据技术方案1所述的电路，其中，所述温度参考电压信号的电平随着所述内部温度降低而升高。

7.根据技术方案6所述的电路，其中，用于改变所述检测电压信号的电平的所述选择参考电压信号的电平被设定成随着所述内部温度降低而升高。

8.根据技术方案7所述的电路，其中，所述检测电压发生器适用于：如果在所述内部温度具有预定温度时所述选择参考电压信号的电平高于所述分压参考电压信号的电平，则产生被驱动至第一电平的所述检测电压信号，以执行所述内部电压信号的泵浦操作。

9.根据技术方案8所述的电路，其中，所述检测电压发生器适用于：如果在所述内部温度具有所述预定温度时所述选择参考电压信号的电平低于所述分压参考电压信号的电平，则产生被驱动至第二电平的所述检测电压信号，以终止所述内部电压信号的泵浦操作。

10.根据技术方案1所述的电路，其中，所述检测电压发生器包括：

比较驱动器，适用于将所述选择参考电压信号与所述分压参考电压信号进行比较，以控制所述检测电压信号的驱动；以及

电平控制器，适用于响应于第二测试模式信号而将所述温度参考电压信号与所述分压参考电压信号进行比较，以控制驱动所述检测电压信号的所述选择参考电压信号的电平。

11.根据技术方案10所述的电路，其中，所述比较驱动器包括：

恒定电流源，适用于将恒定电流供应至第一节点和第二节点；

比较设定单元，适用于接收所述选择参考电压信号和所述分压参考电压信号，以设定所述第一节点的电平和所述第二节点的电平；

激活单元，适用于响应于参考电压信号和激活信号而激活所述比较设定单元；以及

驱动器，适用于响应于所述第一节点和所述第二节点的信号而驱动所述检测电压信号。

12.根据技术方案11所述的电路，其中，所述电平控制器包括：

放电器，适用于响应于所述温度参考电压信号和所述分压参考电压信号而将所述第一节点和所述第二节点的电荷放电；以及

放电控制器，适用于响应于所述参考电压信号、所述激活信号和所述第二测试模式信号而控制从所述第一节点和所述第二节点放电的电荷量。

13.一种内部电压发生电路，所述电路包括：

比较驱动器，适用于将电平根据内部电压信号和第一测试模式信号而被控制的选择参考电压信号与电平是与内部温度无关的恒定值的分压参考电压信号进行比较，以控制检测电压信号的驱动，所述检测电压信号控制所述内部电压信号的泵浦操作；以及

电平控制器，适用于响应于第二测试模式信号而将电平取决于所述内部温度的温度参考电压信号与所述分压参考电压信号进行比较，以控制驱动所述检测电压信号的所述选择参考电压信号的电平。

14.根据技术方案13的电路，其中，所述温度参考电压信号的电平随着所述内部温度降低而升高。

15.根据技术方案14的电路，其中，用于改变所述检测电压信号的电平的所述选择参考电压信号的电平被设定成随着所述内部温度降低而升高。

16.根据技术方案13的电路，其中，所述比较驱动器包括：

恒定电流源，适用于将恒定电流供应至第一节点和第二节点；

比较设定单元，适用于接收所述选择参考电压信号和所述分压参考电压信号，以设定所述第一节点的电平和所述第二节点的电平；

激活单元，适用于激活所述比较设定单元；以及

驱动器，适用于响应于所述第一节点和所述第二节点的信号而驱动所述检测电压信号。

17.根据技术方案16的电路，其中，所述电平控制器包括：

放电器，适用于响应于所述温度参考电压信号和所述分压参考电压信号而将所述第一节点和所述第二节点的电荷放电；以及

放电控制器，适用于响应于所述第二测试模式信号而控制从所述第一节点和所述第二节点放电的电荷量。

18.一种半导体器件，包括：

控制电路，适用于产生第一测试模式信号、第二测试模式信号和电源电压；以及

内部电压发生电路，适用于响应于所述电源电压而产生参考电压信号，适用于产生从所述参考电压信号获得的温度参考电压信号、分压参考电压信号和选择参考电压信号，以及适用于响应于所述温度参考电压信号而将所述选择参考电压信号与所述分压参考电压信号进行比较以产生控制内部电压信号的泵浦操作的检测电压信号，

其中，所述温度参考电压信号的电平取决于内部温度，

其中，所述分压参考电压信号的电平是与所述内部温度无关的恒定值，以及

其中，所述选择参考电压信号的电平根据所述内部电压信号的电平和所述第一测试模式信号的电平来控制。

19.根据技术方案18所述的半导体器件，其中，所述内部电压发生电路包括：

温度参考电压发生器，适用于包括电阻值根据所述内部温度而变化的温度敏感元件，以及适用于将所述参考电压信号的电平分压以产生所述温度参考电压信号；

分压参考电压发生器，适用于将所述参考电压信号的电平分压以产生所述分压参考电压信号；以及

选择参考电压发生器，适用于将所述参考电压信号的电平分压以产生多个分压信号，以及适用于响应于所述第一测试模式信号而输出所述分压信号中的一个作为所述选择参考电压信号。

20.根据技术方案18所述的半导体器件，

其中，所述内部电压发生电路包括：

比较驱动器，适用于将所述选择参考电压信号与所述分压参考电压信号进行比较，以控制所述检测电压信号的驱动；以及

电平控制器，适用于响应于所述第二测试模式信号而将所述温度参考电压信号与所述分压参考电压信号进行比较，以控制驱动所述检测电压信号的所述选择参考电压信号的电平。

Claims (10)

1.一种内部电压发生电路，所述电路包括：

电压发生器，适用于产生：电平取决于内部温度的温度参考电压信号、电平是与所述内部温度无关的恒定值的分压参考电压信号、以及通过检测内部电压信号的电平而获得的选择参考电压信号，所述选择参考电压信号的电平根据第一测试模式信号来控制；以及

检测电压发生器，适用于响应于所述温度参考电压信号而将所述分压参考电压信号和所述选择参考电压信号进行比较，以产生控制所述内部电压信号的泵浦操作的检测电压信号。

2.根据权利要求1所述的电路，

其中，所述电压发生器包括温度参考电压发生器；以及

其中，所述温度参考电压发生器适用于包括电阻值根据所述内部温度而变化的温度敏感元件，以及适用于将参考电压信号的电平分压以产生所述温度参考电压信号。

3.根据权利要求2所述的电路，其中，所述电压发生器还包括分压参考电压发生器，所述分压参考电压发生器适用于将所述参考电压信号的电平分压以产生所述分压参考电压信号。

4.根据权利要求3所述的电路，其中，所述电压发生器还包括选择参考电压发生器，所述选择参考电压发生器适用于将所述参考电压信号的电平分压以产生多个分压信号，以及适用于响应于所述第一测试模式信号而输出所述分压信号中的一个作为所述选择参考电压信号。

5.根据权利要求4所述的电路，其中，

在电源电压施加至所述电压发生器之后、当所述电源电压具有预定电平或更高电平时，产生所述参考电压信号。

6.根据权利要求1所述的电路，其中，所述温度参考电压信号的电平随着所述内部温度降低而升高。

7.根据权利要求6所述的电路，其中，用于改变所述检测电压信号的电平的所述选择参考电压信号的电平被设定成随着所述内部温度降低而升高。

8.根据权利要求7所述的电路，其中，所述检测电压发生器适用于：如果在所述内部温度具有预定温度时所述选择参考电压信号的电平高于所述分压参考电压信号的电平，则产生被驱动至第一电平的所述检测电压信号，以执行所述内部电压信号的泵浦操作。

9.根据权利要求8所述的电路，其中，所述检测电压发生器适用于：如果在所述内部温度具有所述预定温度时所述选择参考电压信号的电平低于所述分压参考电压信号的电平，则产生被驱动至第二电平的所述检测电压信号，以终止所述内部电压信号的泵浦操作。

10.根据权利要求1所述的电路，其中，所述检测电压发生器包括：

比较驱动器，适用于将所述选择参考电压信号与所述分压参考电压信号进行比较，以控制所述检测电压信号的驱动；以及

电平控制器，适用于响应于第二测试模式信号而将所述温度参考电压信号与所述分压参考电压信号进行比较，以控制驱动所述检测电压信号的所述选择参考电压信号的电平。