CN104515613A - 温度传感器 - Google Patents

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Abstract

提供了温度传感器。温度传感器包括比较电压发生器和温度电压发生器。比较电压发生器产生第一比较电压信号和第二比较电压信号，第一比较电压信号的电平根据温度变化而变化，第二比较电压信号的电平是恒定的，与温度变化无关。温度电压发生器产生第一内部电流信号和第二内部电流信号，第一内部电流信号根据第一比较电压信号的电平而变化，第二内部电流信号的电平根据第二比较电压信号的电平而变化。另外，温度电压发生器将第一内部电流信号与第二内部电流信号之间的电流差放大，以产生温度电压信号。

Description

温度传感器
相关申请的交叉引用
本申请要求2013年9月30日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2013-0116212的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此，如同全文阐述。
技术领域
本公开的实施例涉及半导体集成电路，更具体而言，涉及半导体集成电路的温度传感器。
背景技术
在电子产业中，随着诸如个人计算机或通信系统的高性能电子系统的发展，对广泛用作存储器器件的高度集成的高速易失性存储器件（诸如高性能的动态随机存取存储（DRAM）器件）的需求逐步增长。具体地，当诸如DRAM器件的半导体器件用于蜂窝电话或笔记本计算机时，要将半导体器件设计成具有良好的低功耗特性。因此，集中了大量精力来减小半导体器件的操作电流和待机电流。
包括单个晶体管和单个储存电容器的DRAM器件的一个单元的数据保留特性对温度非常敏感。因而，需要根据周围温度的变化控制半导体器件中内部电路块的操作条件。例如，移动系统中使用的DRAM器件可以被设计成根据周围温度的变化来控制刷新周期时间。诸如数字温度传感器调节器（DTSR）或模拟温度传感器调节器（ATSR）的温度传感器广泛地用于根据周围温度的变化来控制诸如DRAM器件的半导体器件的操作条件。这些温度传感器可以检测出相对高的温度，并且可以控制操作周期时间以减小自我刷新模式下的功耗。另外，温度传感器可以监控正常操作模式下的周围温度。
发明内容
根据一个实施例，一种温度传感器包括比较电压发生器和温度电压发生器。比较电压发生器产生第一比较电压信号和第二比较电压信号，第一比较电压信号的电平根据温度变化而变化，第二比较电压信号的电平是恒定的，与温度变化无关。温度电压发生器产生第一内部电流信号和第二内部电流信号，第一内部电流信号的电平根据第一比较电压信号的电平变化，第二内部电流信号的电平根据第二比较电压信号的电平变化。另外，温度电压发生器将第一内部电流信号与第二内部电流信号之间的电流差放大，以产生温度电压信号。
根据一个实施例，一种温度传感器包括：第一比较单元，适用于将第一分压信号与电平根据温度变化而变化的第一比较电压信号进行比较以产生第一上拉信号，并且适用于产生与第一比较电压信号的电平相对应的第一内部电流信号；第二比较单元，适用于将第二分压信号与第二比较电压信号进行比较以产生第二上拉信号，第二比较电压信号的电平是恒定的，与温度变化无关，并且第二比较单元适用于产生与第二比较电压信号相对应的第二内部电流信号；以及放大单元，适用于响应于第一上拉信号和第二上拉信号而将第一内部电流信号的电平与第二内部电流信号的电平之间的差放大，以产生温度电压信号。
附图说明
结合附图和所附详细描述，本发明的实施例将变得更加显然，其中：
图1是说明根据本发明的一个实施例的温度传感器的框图；
图2是说明图1的温度传感器中包括的驱动电压发生器的电路图；
图3是说明图1的温度传感器中包括的比较电压发生器的电路图；以及
图4是说明图1的温度传感器中包括的温度电压发生器的电路图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图来描述本发明的各种实施例。然而，本文描述的实施例仅出于说明的目的，并非旨在限制本发明的范围。
参见图1，温度传感器100可以包括：驱动电压发生器10、比较电压发生器20和温度电压发生器30。
驱动电压发生器10可以配置成接收电源电压信号VDD和参考电压信号VREF，并且产生通过降低电源电压信号VDD的电平而获得的驱动电压信号VDR。驱动电压信号VDR可以产生成具有恒定而与温度变化无关的电压电平。
比较电压发生器20可以配置成接收驱动电压信号VDR，并且产生第一比较电压信号VPTAT和第二比较电压信号VFLAT，第一比较电压信号VPTAT具有依赖于温度的电平，第二比较电压信号VFLAT具有恒定而与温度变化无关的电平。
温度电压发生器30可以配置成接收驱动电压信号VDR、第一比较电压信号VPTAT和第二比较电压信号VFLAT，并且产生温度电压信号VTEMP。
参见图2，驱动电压发生器10可以包括比较器11、驱动元件P11和分压器12。
比较器11可以配置成将通过分割驱动电压信号VDR的电平而获得的反馈电压信号VF与参考电压信号VREF进行比较，以产生比较信号COMP。驱动元件P11可以是PMOS晶体管。驱动元件P11可以电耦接在电源电压信号VDD端子与节点nd11之间。当比较信号COMP被使能时，驱动元件P11可以导通以上拉经由节点nd11输出的驱动电压信号VDR。分压器12可以电耦接在节点nd11与接地电压VSS端子之间。分压器12可以包括耦接在节点nd11与节点nd12之间的电阻器R11和耦接在节点nd12与接地电压VSS端子之间的电阻器R12。分压器12可以根据电阻器R11和R12的电阻比来分割驱动电压信号VDR的电平，以经由节点nd12输出反馈电压信号VF。即，当从驱动电压信号VDR产生的反馈电压信号VF的电平低于参考电压信号VREF的电平时，驱动电压发生器10可以将驱动电压信号VDR上拉至电源电压信号VDD的电平。
参见图3，比较电压发生器20可以包括：驱动信号发生器21、第一驱动器22和第二驱动器23。
驱动信号发生器21可以配置成接收驱动电压信号VDR，以及产生具有与温度变化无关的恒定电平的驱动信号DRS。驱动信号发生器21可以利用现有的带隙电压发生电路或现有的Widlar电压发生电路来实现，其产生与温度变化无关的恒定电压电平。
第一驱动器22可以包括驱动元件P21和电阻器R21。驱动元件P21可以是PMOS晶体管。驱动元件P21可以电耦接在输出驱动电压信号VDR的节点nd11（见图2）与节点nd21之间。驱动元件P21可以根据驱动信号DRS的电平上拉经由节点nd21输出的第一比较电压信号VPTAT。电阻器R21耦接在节点nd21与接地电压信号VSS端子之间。电阻器R21的电阻值可以根据温度变化而变化。即，由于电阻器R21的温度依赖特性，第一驱动器22可以产生电平根据温度变化而改变的第一比较电压信号VPTAT。
第二驱动器23可以包括驱动元件P22和二极管元件N21。驱动元件P22可以是PMOS晶体管，并且可以电耦接在输出驱动电压信号VDR的节点nd11（见图2）与节点nd22之间。驱动元件P22可以根据驱动信号DRS的电平上拉经由节点nd22输出的第二比较电压信号VFLAT。二极管元件N21可以是NMOS晶体管，并且因为二极管元件N21的栅极可以与节点nd22电连接，因此可以产生恒定而与温度变化无关的电流。即，由于二极管元件N21的温度特性，第二驱动器23可以产生电平恒定而与温度变化无关的第二比较电压信号VFLAT。
参见图4，温度电压发生器30可以包括第一比较单元31、第二比较单元32和放大单元33。
第一比较单元31可以包括：比较器311、耦接在输出驱动电压信号VDR的节点nd11（见图2）与节点nd31之间的驱动单元P31、以及耦接在节点nd31与接地电压VSS端子之间的电阻器R31。比较器311可以将第一分压信号DIV1与第一比较电压信号VPTAT进行比较，以产生第一上拉信号PU1。驱动单元P31可以是PMOS晶体管，并且可以根据第一上拉信号PU1的电平来驱动经由节点nd31输出的第一分压信号DIV1。电阻器R31可以产生第一分压信号DIV1，其电平根据流经节点nd31的电流量来确定。即，第一比较单元31可以根据由第一比较电压信号VPTAT的电平所确定的第一上拉信号PU1的电平来驱动节点nd31，以产生流经电阻器R31的第一内部电流信号IPTAT。其电流电平根据第一比较电压信号VPTAT的电平而受控制的第一内部电流信号IPTAT可以通过以下等式1来表示。
IPTAT = VPTAT R 31 （等式1）
在等式1中，“R31”表示电阻器R31的电阻值。
如从等式1中可以看出，第一内部电流信号IPTAT的电流电平可以通过将第一比较电压信号VPTAT的电压电平除以电阻器R31的电阻值来获得。
第二比较单元32可以包括比较器321、驱动元件P32和电阻器R32。比较单元32的驱动元件也可以是PMOS晶体管。驱动元件P32可以耦接在输出驱动电压信号VDR的节点nd11（见图2）与节点nd32之间。电阻器R32可以耦接在节点nd32与接地电压VSS端子之间。比较器321可以将第二分压信号DIV2与第二比较电压信号VFLAT进行比较，以产生第二上拉信号PU2。驱动元件P32可以根据第二上拉信号PU2的电平来驱动经由节点nd32输出的第二分压信号DIV2。电阻器R32可以产生第二分压信号DIV2，其电平根据流经节点nd32的电流量来确定。即，第二比较单元32可以根据由第二比较电压信号VFLAT的电平所确定的第二上拉信号PU2的电平来驱动节点nd32，以产生流经电阻器R32的第二内部电流信号IFLAT。其电流电平根据第二比较电压信号VFLAT的电平而受控制的第二内部电流信号IFLAT可以通过以下等式2来表示。
IFLAT = VFLAT R 32 （等式2）
在等式2中，“R32”表示电阻器R32的电阻值。
如从等式2中可以看出，第二内部电流信号IFLAT的电流电平可以通过将第二比较电压信号VFLAT的电压电平除以电阻器R32的电阻值来获得。
放大单元33可以包括：耦接在输出驱动电压信号VDR的节点nd11（见图2）与节点nd33之间的第一驱动元件P33、耦接在输出驱动电压信号VDR的节点nd11（见图2）与节点nd34之间的第二驱动元件P34、以及耦接在节点nd33和nd34与接地电压VSS端子之间的电流控制器331。第一驱动元件P33和第二驱动元件P34可以是PMOS晶体管。第一驱动元件P33可以根据第一上拉信号PU1的电平来驱动经由节点nd33输出的温度电压信号VTEMP。第二驱动元件P34可以根据第二上拉信号PU2的电平来驱动节点nd34。电流控制器331可以将流经节点nd33的电流量与流经节点nd34的电流量之间的差放大，以产生温度电压信号VTEMP。
更具体地，电流控制器331可以包括：耦接在节点nd33与节点nd35之间的第三驱动元件N31、耦接在节点nd35与接地电压信号VSS端子之间的第四驱动元件N32、耦接在节点nd34与接地电压信号VSS端子之间的第五驱动元件N33、以及耦接在节点nd33与接地电压信号VSS端子之间的内部电阻器R33。第三驱动元件N31至第五驱动元件N33可以是NMOS晶体管。第三驱动元件N31、第四驱动元件N32以及第五驱动元件N33的栅极可以共同与节点nd34电连接。即，电流控制器331可以从流经由第一上拉信号PU1的电平驱动的节点nd33的电流量中，提取出流经由第二上拉信号PU2的电平驱动的节点nd34的电流量。电流控制器331可以产生温度电压信号VTEMP，其具有与抽取的电流所流经的内部电阻器R33的压降相对应的电压电平。因而，温度电压信号VTEMP的电平可以通过内部电阻器R33的电阻值来控制。另外，第四驱动元件N32可以用作将节点nd35设定成具有高于接地电压信号VSS的电压电平的可变电阻器。结果，第三驱动元件N31可以在饱和区中操作。
在下文中，具有前述配置的温度电压发生器30中产生的温度电压信号VTEMP的等式描述为由等式1和2表示的第一内部电流信号IPTAT和第二内部电流信号IFLAT的函数。即，使用内部电阻器R33将第一内部电流信号IPTAT的电流电平与第二内部电流信号IFLAT的电流电平之间的差值放大而获得的温度电压信号VTEMP可以通过以下等式3来表示。
VTEMP=R33(IPTAT-IFLAT)  （等式3）
在等式3中，“R33”表示内部电阻器R33的电阻值。如果将等式1和等式2代入等式3，则温度电压信号VTEMP可以重写成以下等式4。
VTEMP=R33((VPTAT/R31)-(VFLAT/R32))  （等式4）
如从等式3和等式4中可以看出，可以理解的是，温度电压信号VTEMP通过利用内部电阻器R33将从第一比较电压信号VPTAT中产生的第一内部电流信号IPTAT的电流电平与从第二比较电压信号VFLAT中产生的第二内部电流信号IFLAT的电流电平之间的差值放大而获得。
如上所述，根据实施例的温度传感器可以将电平根据温度变化而变化的第一比较电压信号VPTAT转换成第一内部电流信号IPTAT，并且可以将电平是与温度变化无关的恒定值的第二比较电压信号VFLAT转换成第二内部电流信号IFLAT。另外，根据实施例的温度传感器可以通过使用内部电阻器R33将第一内部电流信号IPTAT与第二内部电流信号IFLAT之间的电流差放大来产生温度电压信号VTEMP。因而，电平根据温度变化而变化的温度电压信号VTEMP的电平变化可以通过内部电阻器R33的电阻值来适当地控制。
尽管以上已经描述了某些实施例，但是对于本领域的技术人员将理解的是描述的实施例仅仅是实例的方式。因此，不应基于所描述的实施例来限制本文描述的半导体存储器装置及其数据输入和输出方法。相反，应当仅根据所附权利要求并结合以上描述和附图来限制本文描述的半导体存储器装置及其数据输入和输出方法。
通过以上实施例可以看出，本申请提供了以下的技术方案。
技术方案1.一种温度传感器，包括：
比较电压发生器，被配置成产生第一比较电压信号和第二比较电压信号，所述第一比较电压信号的电平根据温度变化而变化，所述第二比较电压信号的电平是恒定的，与温度变化无关；以及
温度电压发生器，被配置成产生第一内部电流信号和第二内部电流信号，所述第一内部电流信号的电平根据所述第一比较电压信号的电平而变化，所述第二内部电流信号的电平根据所述第二比较电压信号的电平而变化，并且温度电压发生器被配置成将所述第一内部电流信号与所述第二内部电流信号之间的电流差放大以产生温度电压信号。
技术方案2.如技术方案1所述的温度传感器，其中，所述温度电压信号通过内部电阻器的电阻以及流入所述内部电阻器的对应于所述第一内部电流信号与所述第二内部电流信号之间的电平差的电流来获得。
技术方案3.如技术方案1所述的温度传感器，其中，所述比较电压发生器被配置成通过利用第一电阻器分割驱动电压信号的电平来产生所述第一比较电压信号，所述第一电阻器的电阻值根据温度变化而变化。
技术方案4.如技术方案1所述的温度传感器，其中，比较电压发生器被配置成通过将驱动电压信号的电平降低至由与温度变化无关的恒定电流流经的二极管所产生的电压电平来产生所述第二比较电压信号。
技术方案5.如技术方案1所述的温度传感器，其中，所述比较电压发生器包括：
驱动信号发生器，被配置成产生具有与温度变化无关的恒定电平的驱动信号；
第一驱动器，被配置成响应于所述驱动信号而根据第一电阻器的电阻值降低驱动电压信号的电平，以产生所述第一比较电压信号；以及
第二驱动器，被配置成响应于所述驱动信号而将所述驱动电压信号的电平降低至与流经具有温度独立特性的二极管的电流相对应的电压电平，以产生所述第二比较电压信号。
技术方案6.如技术方案1所述的温度传感器，其中，所述温度电压发生器包括：
第一比较单元，被配置成将第一分压信号与所述第一比较电压信号进行比较以产生第一上拉信号，并且产生与所述第一比较电压信号的电平相对应的所述第一内部电流信号；
第二比较单元，被配置成将第二分压信号与所述第二比较电压信号进行比较以产生第二上拉信号，并且产生与所述第二比较电压信号的电平相对应的所述第二内部电流信号；以及
放大单元，被配置成响应于所述第一上拉信号和所述第二上拉信号而将所述第一内部电流信号的电平与所述第二内部电流信号的电平之间的差放大，以产生所述温度电压信号，
其中，所述第一内部电流信号的电平与所述第二内部电流信号的电平之间的差被放大成具有与内部电阻器的压降相对应的电压电平。
技术方案7.如技术方案6所述的温度传感器，其中，所述第一比较单元包括：
第一比较器，被配置成将所述第一分压信号与所述第一比较电压信号进行比较以产生所述第一上拉信号，所述第一分压信号的电平根据所述第一内部电流信号的电平来控制；
第一驱动元件，被配置成电耦接在驱动电压信号端子与第一节点之间，并且响应于所述第一上拉信号而上拉所述第一节点的电压；以及
第二电阻器，被配置成电耦接在所述第一节点与接地电压信号端子之间，并且产生所述第一分压信号，其电平根据流经所述第一节点的所述第一内部电流信号的电平来确定。
技术方案8.如技术方案6所述的温度传感器，其中，所述第二比较单元包括：
第二比较器，被配置成将所述第二分压信号与所述第二比较电压信号进行比较以产生所述第二上拉信号，所述第二分压信号的电平根据所述第二内部电流信号的电平来控制；
第二驱动元件，被配置成电耦接在驱动电压信号端子与第二节点之间，并且响应于所述第二上拉信号而上拉所述第二节点；以及
第三电阻器，被配置成电耦接在所述第二节点与接地电压信号端子之间，并且被配置成产生所述第二分压信号，所述第二分压信号的电平根据流经所述第二节点的所述第二内部电流信号的电平来确定。
技术方案9.如技术方案6所述的温度传感器，其中，所述放大单元包括：
第三驱动元件，被配置成电耦接在驱动电压信号端子与第三节点之间，以及接收所述第一上拉信号以上拉经由所述第三节点输出的所述温度电压信号；
第四驱动元件，被配置成电耦接在所述驱动电压信号端子与第四节点之间，并且被配置成接收所述第二上拉信号以上拉所述第四节点；以及
电流控制器，被配置成将流经所述第三节点的电流量与流经所述第四节点的电流量之间的差放大，以产生所述温度电压信号，
其中，流经所述第三节点的电流由所述第一内部电流信号控制，以及
其中，流经所述第四节点的电流由所述第二内部电流信号控制。
技术方案10.如技术方案9所述的温度传感器，其中，所述电流控制器包括：
第五驱动元件，被配置成电耦接在所述第三节点与第五节点之间；
第六驱动元件，被配置成电耦接在所述第五节点与接地电压信号端子之间；以及
第七驱动元件，被配置成耦接在所述第四节点与所述接地电压信号端子之间；
其中，所述内部电阻器被配置成电耦接在所述第三节点与所述接地电压信号端子之间，以及根据流经所述第三节点的电流量来产生所述温度电压信号，以及
其中，所述第五驱动元件至所述第七驱动元件的输入共同与所述第四节点电耦接。
技术方案11.如技术方案1所述的温度传感器，还包括驱动电压发生器，所述驱动电压发生器被配置成将反馈电压信号与参考电压信号进行比较，以产生驱动电压信号，
其中，所述驱动电压信号通过降低电源电压信号的电平来获得。
技术方案12.如技术方案11所述的温度传感器，其中，所述驱动电压发生器包括：
第三比较器，被配置成将所述反馈电压信号与所述参考电压信号进行比较以产生比较信号；
上拉元件，被配置成电耦接在电源电压信号端子与第六节点之间，并且响应于所述比较信号而导通以上拉输出所述驱动电压信号的所述第六节点；以及
分压器，被配置成电耦接在所述第六节点与接地电压信号端子之间，并且被配置成分割所述驱动电压信号的电平以产生所述反馈电压信号。
技术方案13.一种温度传感器，包括：
第一比较单元，被配置成将第一分压信号与电平根据温度变化而变化的第一比较电压信号进行比较以产生第一上拉信号，以及产生与所述第一比较电压信号的电平相对应的第一内部电流信号；
第二比较单元，被配置成将第二分压信号与电平恒定而与温度变化无关的第二比较电压信号进行比较以产生第二上拉信号，并且被配置成产生与所述第二比较电压信号的电平相对应的第二内部电流信号；以及
放大单元，被配置成响应于所述第一上拉信号和所述第二上拉信号而将所述第一内部电流信号的电平与所述第二内部电流信号的电平之间的差放大，以产生温度电压信号。
技术方案14.如技术方案13所述的温度传感器，其中，所述温度电压信号通过内部电阻器的电阻以及流入所述内部电阻器的与所述第一内部电流信号与所述第二内部电流信号之间的电平差相对应的电流来获得。
技术方案15.如技术方案13所述的温度传感器，其中，所述第一比较单元被配置成通过使用电阻器分割驱动电压信号的电平来产生所述第一比较电压信号，所述电阻器的电阻值根据温度变化而变化。
技术方案16.如技术方案13所述的温度传感器，其中，所述第二比较单元被配置成通过将驱动电压信号的电平降低至由与温度变化无关的恒定电流流经的二极管所产生的电压电平来产生所述第二比较电压信号。
技术方案17.如技术方案13所述的温度传感器，其中，所述第一比较单元包括：
第一比较器，被配置成将所述第一分压信号与所述第一比较电压信号进行比较以产生所述第一上拉信号，所述第一分压信号的电平根据所述第一内部电流信号的电平来控制；
第一驱动元件，被配置成电耦接在驱动电压信号端子与第一节点之间，并且响应于所述第一上拉信号而上拉所述第一节点；以及
第一电阻器，被配置成电耦接在所述第一节点与接地电压信号端子之间，并且产生所述第一分压信号，所述第一分压信号的电平根据流经所述第一节点的所述第一内部电流信号的电平来确定。
技术方案18.如技术方案13所述的温度传感器，其中，所述第二比较单元包括：
第二比较器，被配置成将所述第二分压信号与所述第二比较电压信号进行比较以产生所述第二上拉信号，所述第二分压信号的电平根据所述第二内部电流信号的电平来控制；
第二驱动元件，被配置成电耦接在驱动电压信号端子与第二节点之间，并且响应于所述第二上拉信号而上拉所述第二节点；以及
第二电阻器，被配置成电耦接在所述第二节点与接地电压信号端子之间，并且产生所述第二分压信号，所述第二分压信号的电平根据流经所述第二节点的所述第二内部电流信号的电平来确定。
技术方案19.如技术方案13所述的温度传感器，其中，所述放大单元包括：
第三驱动元件，被配置成电耦接在驱动电压信号端子与第三节点之间，并且接收所述第一上拉信号，以上拉经由所述第三节点输出的所述温度电压信号；
第四驱动元件，被配置成电耦接在所述驱动电压信号端子与第四节点之间，并且接收所述第二上拉信号以上拉所述第四节点；以及
电流控制器，被配置成将流经所述第三节点的电流量与流经所述第四节点的电流量之间的差放大，以产生所述温度电压信号，
其中，流经所述第三节点的电流由所述第一内部电流信号控制，
其中，流经所述第四节点的电流由所述第二内部电流信号控制，以及
其中，所述第一内部电流信号与所述第二内部电流信号之间的差被放大成具有与内部电阻器的压降相对应的电压电平。
技术方案20.如技术方案19所述的温度传感器，其中，所述电流控制器包括：
第五驱动元件，被配置成电耦接在所述第三节点与第五节点之间；
第六驱动元件，被配置成电耦接在所述第五节点与接地电压信号端子之间；以及
第七驱动元件，被配置成电耦接在所述第四节点与所述接地电压信号端子之间；
其中，所述内部电阻器被配置成电耦接在所述第三节点与所述接地电压信号端子之间，并且根据流经所述第三节点的电流量来产生所述温度电压信号，以及
其中，所述第五驱动元件至所述第七驱动元件的输入共同与所述第四节点电耦接。

Claims (10)

1.一种温度传感器，包括：
比较电压发生器，被配置成产生第一比较电压信号和第二比较电压信号，所述第一比较电压信号的电平根据温度变化而变化，所述第二比较电压信号的电平是恒定的，与温度变化无关；以及
温度电压发生器，被配置成产生第一内部电流信号和第二内部电流信号，所述第一内部电流信号的电平根据所述第一比较电压信号的电平而变化，所述第二内部电流信号的电平根据所述第二比较电压信号的电平而变化，并且温度电压发生器被配置成将所述第一内部电流信号与所述第二内部电流信号之间的电流差放大以产生温度电压信号。
2.如权利要求1所述的温度传感器，其中，所述温度电压信号通过内部电阻器的电阻以及流入所述内部电阻器的对应于所述第一内部电流信号与所述第二内部电流信号之间的电平差的电流来获得。
3.如权利要求1所述的温度传感器，其中，所述比较电压发生器被配置成通过利用第一电阻器分割驱动电压信号的电平来产生所述第一比较电压信号，所述第一电阻器的电阻值根据温度变化而变化。
4.如权利要求1所述的温度传感器，其中，比较电压发生器被配置成通过将驱动电压信号的电平降低至由与温度变化无关的恒定电流流经的二极管所产生的电压电平来产生所述第二比较电压信号。
5.如权利要求1所述的温度传感器，其中，所述比较电压发生器包括：
驱动信号发生器，被配置成产生具有与温度变化无关的恒定电平的驱动信号；
第一驱动器，被配置成响应于所述驱动信号而根据第一电阻器的电阻值降低驱动电压信号的电平，以产生所述第一比较电压信号；以及
第二驱动器，被配置成响应于所述驱动信号而将所述驱动电压信号的电平降低至与流经具有温度独立特性的二极管的电流相对应的电压电平，以产生所述第二比较电压信号。
6.如权利要求1所述的温度传感器，其中，所述温度电压发生器包括：
第一比较单元，被配置成将第一分压信号与所述第一比较电压信号进行比较以产生第一上拉信号，并且产生与所述第一比较电压信号的电平相对应的所述第一内部电流信号；
第二比较单元，被配置成将第二分压信号与所述第二比较电压信号进行比较以产生第二上拉信号，并且产生与所述第二比较电压信号的电平相对应的所述第二内部电流信号；以及
放大单元，被配置成响应于所述第一上拉信号和所述第二上拉信号而将所述第一内部电流信号的电平与所述第二内部电流信号的电平之间的差放大，以产生所述温度电压信号，
其中，所述第一内部电流信号的电平与所述第二内部电流信号的电平之间的差被放大成具有与内部电阻器的压降相对应的电压电平。
7.如权利要求6所述的温度传感器，其中，所述第一比较单元包括：
第一比较器，被配置成将所述第一分压信号与所述第一比较电压信号进行比较以产生所述第一上拉信号，所述第一分压信号的电平根据所述第一内部电流信号的电平来控制；
第一驱动元件，被配置成电耦接在驱动电压信号端子与第一节点之间，并且响应于所述第一上拉信号而上拉所述第一节点的电压；以及
第二电阻器，被配置成电耦接在所述第一节点与接地电压信号端子之间，并且产生所述第一分压信号，其电平根据流经所述第一节点的所述第一内部电流信号的电平来确定。
8.如权利要求6所述的温度传感器，其中，所述第二比较单元包括：
第二比较器，被配置成将所述第二分压信号与所述第二比较电压信号进行比较以产生所述第二上拉信号，所述第二分压信号的电平根据所述第二内部电流信号的电平来控制；
第二驱动元件，被配置成电耦接在驱动电压信号端子与第二节点之间，并且响应于所述第二上拉信号而上拉所述第二节点；以及
第三电阻器，被配置成电耦接在所述第二节点与接地电压信号端子之间，并且被配置成产生所述第二分压信号，所述第二分压信号的电平根据流经所述第二节点的所述第二内部电流信号的电平来确定。
9.如权利要求6所述的温度传感器，其中，所述放大单元包括：
第三驱动元件，被配置成电耦接在驱动电压信号端子与第三节点之间，以及接收所述第一上拉信号以上拉经由所述第三节点输出的所述温度电压信号；
第四驱动元件，被配置成电耦接在所述驱动电压信号端子与第四节点之间，并且被配置成接收所述第二上拉信号以上拉所述第四节点；以及
电流控制器，被配置成将流经所述第三节点的电流量与流经所述第四节点的电流量之间的差放大，以产生所述温度电压信号，
其中，流经所述第三节点的电流由所述第一内部电流信号控制，以及
其中，流经所述第四节点的电流由所述第二内部电流信号控制。
10.如权利要求9所述的温度传感器，其中，所述电流控制器包括：
第五驱动元件，被配置成电耦接在所述第三节点与第五节点之间；
第六驱动元件，被配置成电耦接在所述第五节点与接地电压信号端子之间；以及
第七驱动元件，被配置成耦接在所述第四节点与所述接地电压信号端子之间；
其中，所述内部电阻器被配置成电耦接在所述第三节点与所述接地电压信号端子之间，以及根据流经所述第三节点的电流量来产生所述温度电压信号，以及
其中，所述第五驱动元件至所述第七驱动元件的输入共同与所述第四节点电耦接。
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