CN104425261A - 射频ldmos器件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种射频LDMOS器件的制造方法，在制作法拉第屏蔽层下方的氧化层时，使用热氧代替现有的淀积氧化层来作为法拉第环下面的氧化层，同时采用高掺杂的多晶硅作为漏极，可以增加漏极长度，提高器件的击穿电压和表面特性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，特别是指一种射频LDMOS器件的制造方法。
背景技术
N型射频横向双扩散场效应晶体管（LDMOS：Laterally Diffused Metal OxideSemiconductor），由多个栅极并联形成阵列以得到大电流，具有非常高的输出功率。由于总栅宽很大，大于30毫米，可达200毫米，总输出电流路大于20安培，做好器件的击穿电压和热载流子注入效应（HCI）具有很大的挑战，现有的射频LDMOS器件的制造过程中，法拉第环下面的氧化层厚度和质量以及漏极轻掺杂去的长度共同决定了射频LDMOS器件的击穿电压和热载流子效应。目前的工艺中，常常由于不够强壮的法拉第环，导致器件的击穿电压不够稳定，同时在漏端靠近栅极区域的电场强度非常高，热载流子注入效应很强，影响器件的使用寿命。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种射频LDMOS器件的制造方法。
为解决上述问题，本发明所述的射频LDMOS器件的制造方法，包含如下工艺步骤：
第1步，在衬底上生长外延，生长牺牲氧化层，用光刻胶定义进行P型深阱注入；
第2步，去除光刻胶，进行N型LDD注入；再去除牺牲氧化层，进行热场氧生长，光刻定义有源区；
第3步，热氧生长栅氧，光刻定义打开漏极区；
第4步，器件表面淀积多晶硅并离子掺杂注入，快速热退火；再淀积钴，快速热退火形成钴硅化物，去除多余的钴；
第5步，光刻胶定义栅极及漏极区，形成栅极及漏极，去除光刻胶；
第6步，光刻胶定义沟道区，进行离子注入形成沟道，去胶后炉管推进；再用光刻胶定义源极区，进行源极离子注入，去胶后热退火激活；
第7步，淀积氧化层作为金属硅化物阻挡层，光刻胶定义出金属硅化物区域，淀积钛，形成源极金属硅化物；
第8步，淀积法拉第隔离氧化层，淀积金属钨，光刻及刻蚀制作法拉第环；
第9步，淀积氧化层及硼磷硅玻璃介质层，刻蚀形成接触孔，淀积形成钨塞；
第10步，形成第一金属层，淀积氧化层形成层间介质，再淀积形成第二金属层；淀积氧化层及氮化硅层，形成钝化层。
进一步地，所述第1步中，衬底采用P型的高掺杂衬底，掺杂浓度为1x1019～1x1020CM-3；生长P型外延，掺杂浓度为8x1014～1.2x1015CM-3；牺牲氧化层的厚度为
进一步地，所述第2步中，N型LDD注入的注入浓度为2x1012～3x1015CM-3，注入能量为150～200KeV；热场氧厚度为
进一步地，所述第3步中，栅氧厚度为
进一步地，所述第4步中，淀积的多晶硅厚度为掺杂注入为N型，注入浓度为8x1015～1x1016CM-3,注入能量为50KeV,1015℃高温推进激活10秒；淀积的钴的厚度为
进一步地，所述第6步中，沟道区的P型离子注入杂质为硼，注入剂量为6x1013～8x1013CM-2,注入能量为150～200KeV，去胶后的炉管推进温度为850℃60分钟；源极的注入剂量为2x1015～3x1015CM-2，注入能量为60KeV,去胶后1015℃快速热退火30秒。
进一步地，所述第7步中，淀积氧化层厚度为淀积金属钛厚度为
进一步地，所述第8步中，淀积法拉第隔离氧化层的厚度为淀积金属钨的厚度为
进一步地，所述第9步中，淀积氧化层的厚度为淀积的硼磷硅玻璃介质层厚度为淀积钨塞厚度为
进一步地，所述第10步中，第一金属层的厚度为淀积的氧化层层间介质厚度为再淀积的金属钨，化学机械研磨至氧化层，再淀积3微米的金属铝，光刻及刻蚀形成第二金属层；淀积的氧化层及的氮化硅层形成钝化层。
本发明所述的射频LDMOS器件的制造方法，采用热氧的方法先形成一层氧化层作为法拉第环的隔离介质层，同时采用高掺杂的多晶硅代替N型源漏注入来形成源极和漏极引出，改善器件电场分布，提高单位面积的器件击穿特性，提高芯片的功率密度，同时改善热电子注入效应，形成的器件性能稳定，工艺流程简单易于实施。
附图说明
图1～10是本发明射频LDMOS器件的制造方法步骤图；
图11是本发明工艺步骤流程图。
附图标记说明
1是栅极，2是P型沟道掺杂，3是P型阱，4是N型源极区，5是N型轻掺杂区，6是场氧化层，7是金属硅化物，8是钨法拉第环，9是栅氧化层，10是漏极掺杂多晶硅，11是接触孔，12是第一层金属，13是通孔，14是第二层金属，15是P型外延，16是P型重掺杂衬底，17是多晶硅钴硅化物。
具体实施方式
本发明所述的射频LDMOS器件的制造方法结合附图说明如下：
所述的制造方法包含如下工艺步骤：
第1步，如图1所示，在衬底16上生长外延15，衬底16采用P型的高掺杂衬底，掺杂浓度为1x1019～1x1020CM-3；生长P型外延，掺杂浓度为8x1014～1.2x1015CM-3。再生长厚度为的牺牲氧化层，用光刻胶定义进行P型深阱3注入。
第2步，如图2所示，去除光刻胶，进行N型LDD注入5；N型LDD注入的注入浓度为2x1012～3x1015CM-3，注入能量为150～200KeV。再去除牺牲氧化层，进行热场氧生6长，热场氧6的厚度为光刻定义有源区。
第3步，热氧生长栅氧9，栅氧厚度为再光刻定义打开漏极区，如图3所示。
第4步，器件表面淀积厚度为的多晶硅，并进行N型离子掺杂注入，注入浓度为8x1015～1x1016CM-3,注入能量为50KeV；快速热退火，1015℃高温推进激活10秒；再淀积厚度为的钴，快速热退火形成钴硅化物17，去除多余的钴，如图4所示。
第5步，光刻胶定义栅极及漏极区，形成栅极1及漏极10，去除光刻胶，如图5所示。
第6步，光刻胶定义沟道区，进行离子注入形成沟道2，沟道区的P型离子注入杂质为硼，注入剂量为6x1013～8x1013CM-2,注入能量为150～200KeV；去胶后炉管推进，推进温度为850℃60分钟；再用光刻胶定义源极区4，进行源极离子注入，源极的注入剂量为2x1015～3x1015CM-2，注入能量为60KeV；去胶后热退火激活，1015℃快速热退火30秒，如图6所示。
第7步，淀积厚度为的氧化层作为金属硅化物阻挡层，光刻胶定义出金属硅化物区域，淀积厚度为的金属钛，形成源极金属硅化物7，如图7所示。
第8步，淀积厚度为的法拉第隔离氧化层，淀积厚度为的金属钨，光刻及刻蚀制作法拉第环，如图8所示。
第9步，淀积厚度为的氧化层及厚度为的硼磷硅玻璃介质层，刻蚀形成接触孔，淀积形成厚度为的钨塞，如图9所示。
第10步，淀积厚度为的第一金属层，光刻及刻蚀形成第一金属层图形；再淀积氧化层形成厚度为的层间介质，光刻加刻蚀形成通孔，去胶；再淀积的金属钨，化学机械研磨至氧化层，淀积3微米的金属铝，光刻及刻蚀形成第二金属层；淀积的氧化层及的氮化硅层形成钝化层。最终器件完成如图10所示。
以上仅为本发明的优选实施例，并不用于限定本发明。对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于：包含如下工艺步骤：
第1步，在衬底上生长外延，生长牺牲氧化层，用光刻胶定义进行P型深阱注入；
第2步，去除光刻胶，进行N型LDD注入；再去除牺牲氧化层，进行热场氧生长，光刻定义有源区；
第3步，热氧生长栅氧，光刻定义打开漏极区；
第4步，器件表面淀积多晶硅并离子掺杂注入，快速热退火；再淀积钴，快速热退火形成钴硅化物，去除多余的钴；
第5步，光刻胶定义栅极及漏极区，形成栅极及漏极，去除光刻胶；
第6步，光刻胶定义沟道区，进行离子注入形成沟道，去胶后炉管推进；再用光刻胶定义源极区，进行源极离子注入，去胶后热退火激活；
第7步，淀积氧化层作为金属硅化物阻挡层，光刻胶定义出金属硅化物区域，淀积钛，形成源极金属硅化物；
第8步，淀积法拉第隔离氧化层，淀积金属钨，光刻及刻蚀制作法拉第环；
第9步，淀积氧化层及硼磷硅玻璃介质层，刻蚀形成接触孔，淀积形成钨塞；
第10步，形成第一金属层，淀积氧化层形成层间介质，再淀积形成第二金属层；淀积氧化层及氮化硅层，形成钝化层。
2.如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述第1步中，衬底采用P型的高掺杂衬底，掺杂浓度为1x1019～1x1020CM-3；生长P型外延，掺杂浓度为8x1014～1.2x1015CM-3；牺牲氧化层的厚度为
3.如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述第2步中，N型LDD注入的注入浓度为2x1012～3x1015CM-3，注入能量为150～200KeV；热场氧厚度为
4.如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述第3步中，栅氧厚度为
5.如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述第4步中，淀积的多晶硅厚度为掺杂注入为N型，注入浓度为8x1015～1x1016CM-3,注入能量为50KeV,1015℃高温推进激活10秒；淀积的钴的厚度为
6.如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述第6步中，沟道区的P型离子注入杂质为硼，注入剂量为6x1013～8x1013CM-2,注入能量为150～200KeV，去胶后的炉管推进温度为850℃60分钟；源极的注入剂量为2x1015～3x1015CM-2，注入能量为60KeV,去胶后1015℃快速热退火30秒。
7.如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述第7步中，淀积氧化层厚度为淀积金属钛厚度为
8.如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述第8步中，淀积法拉第隔离氧化层的厚度为淀积金属钨的厚度为
9.如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述第9步中，淀积氧化层的厚度为淀积的硼磷硅玻璃介质层厚度为淀积钨塞厚度为
10.如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述第10步中，第一金属层的厚度为淀积的氧化层层间介质厚度为再淀积的金属钨，化学机械研磨至氧化层，再淀积3微米的金属铝，光刻及刻蚀形成第二金属层；淀积的氧化层及的氮化硅层形成钝化层。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |