CN104409328A - 掩膜板的清洗方法及清洗装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种掩膜板的清洗方法及清洗装置。该掩膜板的清洗方法包括:提供碱性导电溶液,并将掩膜板浸没于碱性导电溶液中;将掩膜板连接于电源的阳极和阴极中的一个,且阳极和阴极中的另一个浸没于碱性导电溶液中;接通电源,使碱性导电溶液发生电离反应并生成气体,从而通过气体将掩膜板上的污染物带离掩膜板。通过上述方式,本发明能够有效去除掩膜板上的灰尘等颗粒物以及光阻残留,提高有机发光显示面板的生产良率,降低生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种制造有机发光显示面板的掩膜板的清洗方法及清洗装置。
背景技术
有机发光显示面板(Organic Light-Emitting Diode,OLED)作为一种自主发光的显示面板,因其具备结构简单、响应速度快、可弯曲以及省电等优点,已经越来越被业界生产商所推崇。
目前,业界普遍使用掩膜板(Shadow Mask)蒸镀形成有机发光显示面板的有机发光层。随着使用时间和蒸镀次数的增加,制造有机发光层的有机材料和灰尘等其他颗粒物会于掩膜板的表面及其蒸镀孔内逐渐累积,堵塞蒸镀孔,甚至导致掩膜板发生形变,致使有机材料无法准确蒸镀至基板上形成所需的有机发光层,从而影响生产良率并增加生产成本。另外,掩膜板的制造过程中也会出现光阻残留的现象,如果不能有效清除掩膜板表面及其蒸镀孔内的光阻残留,亦会影响生产良率并增加生产成本。然而,当前用于清洗掩膜板的清洁剂和化学药剂仅能够清除有机材料,对于灰尘等其他颗粒物的清洗效果极差甚至无法清洗,因此也就无法有效去除掩膜板上的光阻残留以及灰尘等颗粒物,无法提高有机发光显示面板的生产良率。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例所要解决的技术问题是提供一种掩膜板的清洗方法及清洗装置,能够有效去除掩膜板上的光阻残留以及灰尘等颗粒物,提高有机发光显示面板的生产良率。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种掩膜板的清洗方法包括:提供碱性导电溶液,并将掩膜板浸没于碱性导电溶液中;将掩膜板连接于电源的阳极和阴极中的一个,且阳极和阴极中的另一个浸没于碱性导电溶液中;接通电源,使碱性导电溶液发生电离反应并生成气体,从而通过气体将掩膜板上的污染物带离掩膜板。
其中,碱性导电溶液包括氢氧化钾溶液和氢氧化钠溶液的任意组合,且碱性导电溶液的pH值大于或等于11。
其中,掩膜板连接于电源的阴极,阳极浸没于碱性导电溶液中。
其中,将掩膜板浸没于碱性导电溶液中之前,清洗方法包括:利用有机溶剂清洗掩膜板,以清除掩膜板上的有机材料。
其中,接通电源之后,且碱性导电溶液发生电离反应并生成气体的同时,清洗方法进一步包括:以预定频率的超声波震荡掩膜板。
其中,掩膜板设置有蒸镀孔,电源的阳极和阴极分别连接有金属板,将所述掩膜板连接于电源的阳极和阴极中的一个包括:设置掩膜板与金属板之间具有一预定距离,使得气体在碱性导电溶液中产生的气泡运动至掩膜板时具有的直径,小于或等于蒸镀孔的直径。
其中,电源的阳极和阴极连接有相同材质的金属板,金属板的制造材质包括铜。
其中,接通电源之后,且碱性导电溶液发生电离反应并生成气体的同时,清洗方法进一步包括:按照预定间隔逐渐增大电源的放电电流,且放电电流的取值范围为100安培至1000安培之间。
为解决上述技术问题,本发明采用的又一个技术方案是:提供一种掩膜板的清洗装置,包括电源以及盛装于电解池中的碱性导电溶液,电源的阳极和阴极中的一个用于连接掩膜板,另一个以及掩膜板浸没于碱性导电溶液中,且在电源接通后,碱性导电溶液发生电离反应并生成气体,从而通过气体将掩膜板上的污染物带离掩膜板。
其中,碱性导电溶液包括氢氧化钾溶液和氢氧化钠溶液的任意组合,且碱性导电溶液的pH值大于或等于11,电源的阴极用于连接掩膜板,电源的阳极浸没于碱性导电溶液中。
通过上述技术方案,本发明实施例产生的有益效果是:本发明实施例设计将掩膜板连接于电源的阳极和阴极中的一个且浸没于碱性导电溶液中,在电源接通时通过电源的阳极和阴极放电使得碱性导电溶液发生电离反应并生成气体,从而利用气体将掩膜板上的污染物带离掩膜板,相比较于现有技术利用有机溶剂的清洗方法,本发明实施例产生的气体能够有效去除掩膜板上的光阻残留以及灰尘等颗粒物,从而提高有机发光显示面板的生产良率,降低生产成本。
附图说明
图1是本发明第一实施例的掩膜板的清洗方法的流程示意图;
图2是本发明优选实施例的掩膜板的清洗装置的结构侧视图;
图3是本发明第二实施例的掩膜板的清洗方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,本发明以下所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种如图1所示的清洗方法,其基于图2所示的清洗装置。请结合图1和图2所示,本实施例的清洗方法包括:
步骤S11:提供碱性导电溶液,并将掩膜板浸没于碱性导电溶液中。
如图2所示,清洗装置20包括电源21以及盛装于电解池22中的碱性导电溶液23。其中,优选碱性导电溶液23的pH值大于或等于11,且碱性导电溶液23可以为氢氧化钾KOH溶液、氢氧化钠NaOH溶液以及其他碱性溶液的任意组合。电源21的阳极连接有金属板24,阴极连接有金属板25,即金属板24和金属板25分别对应与电源21的正极+和负极-连接,以构成电解池22的阳极和阴极。本实施例优选金属板24和金属板25的材质相同,均为铜板。
本发明实施例全文以用于制造有机发光显示面板的有机发光层的掩膜板为例进行描述,当然掩膜板还可以用于制造其他装置。鉴于制造有机发光层的掩膜板设置有多个蒸镀孔,本实施例优选至少将掩膜板的多个蒸镀孔所在区域浸没于碱性导电溶液23中,当然也可将掩膜板全部浸没于碱性导电溶液23中。
步骤S12:将掩膜板连接于电源的阳极和阴极中的一个,且电源的阳极和阴极中的另一个浸没于碱性导电溶液中。
步骤S13:接通电源,使碱性导电溶液发生电离反应并生成气体,从而通过气体将掩膜板上的污染物带离掩膜板。
请再次参阅图2所示,在电源21接通时,电源21的阳极和阴极放电使得碱性导电溶液23发生电离反应并生成气体,气体在上升至碱性导电溶液23的液面的过程中将掩膜板表面和蒸镀孔内的污染物带离掩膜板,相比较于现有技术的有机溶剂的清洗方法,本实施例能够有效去除掩膜板表面和蒸镀孔内的光阻残留以及灰尘等颗粒物,从而提高有机发光显示面板的生产良率,降低生产成本。
需要指出的是,对于碱性导电溶液23发生电离反应生成的气体的成分,本发明实施例不予以限制。例如,对于由电子级的氢氧化钾KOH溶液与去离子水、导电溶剂混合而成的碱性导电溶液23,电源21放电时,碱性导电溶液23中的水电离为氢离子H+、氢氧根离子OH-,KOH电离为钾离子K+、氢氧根离子OH-。并且,
在阳极,氢氧根离子OH-发生第一电极反应生成氧气O2:
4OH-→4e-+O2↑+2H2O
在阴极,氢离子H+发生第二电极反应生成氢气H2,且钾离子K+发生第三电极反应生成氢气H2:
2H++2e-→H2↑
2K++2e-+2H2O→2KOH+H2↑。
基于第一电极反应、第二电极反应以及第三电极反应,可知在阴极所在区域产生的气体是阳极所在区域产生的气体的两倍,故此本发明实施例优选将掩膜板连接于电源21的阴极。
图3是本发明第二实施例的掩膜板的清洗方法,其在图1所示的第一实施例的清洗方法的基础上进行进一步描述。与第一实施例的不同之处在于,本实施例考虑到在不损坏脆弱的掩膜板的前提下,如何更好的清除灰尘光阻残留以及灰尘等颗粒物。
请参阅图3并结合图2所示,本实施例的清洗方法包括:
步骤S31:利用有机溶剂清洗掩膜板,以清除掩膜板上的有机材料。
掩膜板上的污染物包括有机材料、光阻残留以及灰尘等颗粒物,本步骤利用传统的有机溶剂清除掩膜板上的有机材料,并在冲洗干净后执行步骤S32,可降低通过气体清除污染物的量。
步骤S32:提供碱性导电溶液,并将掩膜板浸没于碱性导电溶液中。
步骤S33:设置掩膜板与其连接的阳极和阴极中的一个金属板之间具有一预定距离,使得气体在碱性导电溶液中产生的气泡运动至掩膜板时具有的直径,小于或等于掩膜板的蒸镀孔的直径。
具体而言,若将掩膜板连接于图2所示阳极,则掩膜板与金属板24之间具有该预定距离,若将掩膜板连接于图2所示阴极,则掩膜板与金属板25之间具有该预定距离。由于气体在碱性导电溶液23中产生的气泡会随着上升过程不断变大,并且气泡的直径越是大于其所要穿过的掩膜板的蒸镀孔的直径,则带离光阻残留以及灰尘等颗粒物的作用力越强,清洗效果也就越佳。
步骤S34:接通电源,使碱性导电溶液发生电离反应并生成气体,从而通过气体将掩膜板上的污染物带离掩膜板。
步骤S35:以预定频率的超声波震荡掩膜板。
本步骤与步骤S34没有必然的先后顺序,可以先执行步骤S34再执行步骤S35,也可以先执行步骤S35再执行步骤S34,还可以同时执行步骤S34和步骤S35。本实施例优选电源21之后,且碱性导电溶液23发生电离反应并生成气体的同时,执行步骤S34。
在电离反应生成气体的同时,保持掩膜板的震荡可更好的清除灰尘光阻残留以及灰尘等颗粒物。
步骤S36:按照预定间隔逐渐增大电源的放电电流,且放电电流的取值范围为100安培至1000安培之间。
由于电流的增大会加快碱性导电溶液23的电离反应,快速产生大量气泡,利用气泡的冲击速度可更好的清除光阻残留以及灰尘等颗粒物。逐步增大电流可避免大量气泡的快速产生冲击掩膜板,从而防止脆弱的掩膜板由于受到冲击力而发生形变。
值得注意的是,上述放电电流的取值范围的设定是本发明人根据掩膜板的结构特性以及气体的冲击速度对光阻残留以及灰尘等颗粒物的清除效果而独创性设计出来的,因此上述放电电流的取值范围的设定并不是本领域技术人员能够轻易想到的。
另外,需要说明的是,本实施例的清洗方法相比较于图1所示第一实施例的清洗方法,多出的步骤可分别与第一实施例相结合以构成其他实施例,并不限于图3所示实施例。
同理,本发明实施例提供的掩膜板的清洗装置,也不限于图2所示的清洗装置20,只要包括电源以及盛装于电解池中的碱性导电溶液,其中,电源的阳极和阴极中的一个用于连接掩膜板,电源的阳极和阴极中的另一个以及掩膜板浸没于碱性导电溶液中,且在电源接通后,碱性导电溶液发生电离反应并生成气体即可。
综上所述,本发明实施例通过电源的阳极和阴极放电使得碱性导电溶液发生电离反应并生成气体,利用气体将掩膜板表面以及蒸镀孔内的污染物带离掩膜板,相比较于现有技术的有机溶剂的清洗方法,本发明实施例能够有效去除掩膜板上的光阻残留以及灰尘等颗粒物,从而提高有机发光显示面板的生产良率,降低生产成本。
再次说明,以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,例如各实施例之间技术特征的相互结合,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种掩膜板的清洗方法,其特征在于,所述清洗方法包括:
提供碱性导电溶液,并将所述掩膜板浸没于所述碱性导电溶液中;
将所述掩膜板连接于电源的阳极和阴极中的一个,且所述电源的阳极和阴极中的另一个浸没于所述碱性导电溶液中;
接通所述电源,使所述碱性导电溶液发生电离反应并生成气体,从而通过所述气体将所述掩膜板上的污染物带离所述掩膜板。
2.根据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于,所述碱性导电溶液包括氢氧化钾溶液和氢氧化钠溶液的任意组合,且所述碱性导电溶液的pH值大于或等于11。
3.根据权利要求2所述的清洗方法,其特征在于,所述掩膜板连接于所述电源的阴极,所述电源的阳极浸没于所述碱性导电溶液中。
4.根据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于,所述将所述掩膜板浸没于所述碱性导电溶液中之前,所述清洗方法包括:
利用有机溶剂清洗所述掩膜板,以清除所述掩膜板上的有机材料。
5.根据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于,所述接通所述电源之后,且所述碱性导电溶液发生电离反应并生成气体的同时,所述清洗方法进一步包括:
以预定频率的超声波震荡所述掩膜板。
6.根据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于,所述掩膜板设置有蒸镀孔,所述电源的阳极和阴极分别连接有金属板,所述将所述掩膜板连接于电源的阳极和阴极中的一个包括:
设置所述掩膜板与所述金属板之间具有一预定距离,使得所述气体在所述碱性导电溶液中产生的气泡运动至所述掩膜板时具有的直径,小于或等于所述蒸镀孔的直径。
7.根据权利要求6所述的清洗方法,其特征在于,所述电源的阳极和阴极连接有相同材质的金属板,所述金属板的制造材质包括铜。
8.根据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于,所述接通所述电源之后,且所述碱性导电溶液发生电离反应并生成气体的同时,所述清洗方法进一步包括:
按照预定间隔逐渐增大所述电源的放电电流,且所述放电电流的取值范围为100安培至1000安培之间。
9.一种掩膜板的清洗装置,其特征在于,所述清洗装置包括电源以及盛装于电解池中的碱性导电溶液,其中,所述电源的阳极和阴极中的一个用于连接所述掩膜板,所述电源的阳极和阴极中的另一个以及所述掩膜板浸没于所述碱性导电溶液中,且在所述电源接通后,所述碱性导电溶液发生电离反应并生成气体,从而通过所述气体将所述掩膜板上的污染物带离所述掩膜板。
10.根据权利要求9所述的清洗装置,其特征在于,所述碱性导电溶液包括氢氧化钾溶液和氢氧化钠溶液的任意组合,且所述碱性导电溶液的pH值大于或等于11,所述电源的阴极用于连接所述掩膜板,所述电源的阳极浸没于所述碱性导电溶液中。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105838507A (zh) * | 2016-05-16 | 2016-08-10 | 深圳市路维光电股份有限公司 | 光罩清洗剂及清洗方法 |
CN108221043A (zh) * | 2018-01-05 | 2018-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种清洗装置 |
CN108611599A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-10-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 清洗掩膜版的方法以及装置 |
CN110476483A (zh) * | 2017-04-14 | 2019-11-19 | 堺显示器制品株式会社 | 有机el显示装置的制造方法及制造装置 |
CN111748838A (zh) * | 2019-03-26 | 2020-10-09 | 丰元化学有限公司 | 有机电致发光显示装置用金属掩膜清洗方法及利用它的金属掩膜 |
CN112387693A (zh) * | 2019-08-19 | 2021-02-23 | 深圳市海博源光电科技有限公司 | 一种掩膜板的清洗方法及清洗装置 |
CN114273343A (zh) * | 2022-01-18 | 2022-04-05 | 中国石油大学(华东) | 一种原位电致气泡除污方法及应用 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110880449B (zh) * | 2019-09-30 | 2022-07-19 | 王偲偲 | 一种硅片清洗方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005164879A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | フォトマスクとその製造方法、および、それを用いた露光方法 |
US20080261120A1 (en) * | 2007-04-20 | 2008-10-23 | Jeffrey Peter Gambino | Photolithography mask with integrally formed protective capping layer |
KR20090050736A (ko) * | 2007-11-16 | 2009-05-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토마스크의 세정 방법 |
CN101984142A (zh) * | 2010-11-23 | 2011-03-09 | 浙江大学 | 用微纳探针电解生成单一尺寸微纳气泡的装置 |
CN103451712A (zh) * | 2013-08-11 | 2013-12-18 | 唐军 | 掩模板清洗设备 |
US20140147964A1 (en) * | 2012-10-17 | 2014-05-29 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Shadow Mask, Evaporation Device and Method for Manufacturing Oled Display Panel |
CN104157546A (zh) * | 2013-05-13 | 2014-11-19 | 上海鸿辉光通科技股份有限公司 | 一种掩膜板的清洗方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01251536A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Toshiba Corp | シャドウマスクの製造方法 |
EP0337342A1 (de) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Entschichten von Photolack |
US20050167284A1 (en) * | 2004-01-30 | 2005-08-04 | International Business Machines Corporation | Electrolytic method for photoresist stripping |
KR101271121B1 (ko) * | 2011-11-24 | 2013-06-04 | 주식회사 케이씨텍 | 유기발광 표시소자 증착용 마스크의 세정장치 |
CN103469152A (zh) * | 2013-08-11 | 2013-12-25 | 唐军 | 掩模板清洗系统 |
US20150144502A1 (en) * | 2013-11-27 | 2015-05-28 | The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona | Electrochemically-assisted megasonic cleaning systems and methods |
-
2014
- 2014-11-21 CN CN201410677403.XA patent/CN104409328B/zh active Active
- 2014-11-28 US US14/407,941 patent/US20160348266A1/en not_active Abandoned
- 2014-11-28 WO PCT/CN2014/092507 patent/WO2016078113A1/zh active Application Filing
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005164879A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | フォトマスクとその製造方法、および、それを用いた露光方法 |
US20080261120A1 (en) * | 2007-04-20 | 2008-10-23 | Jeffrey Peter Gambino | Photolithography mask with integrally formed protective capping layer |
KR20090050736A (ko) * | 2007-11-16 | 2009-05-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토마스크의 세정 방법 |
CN101984142A (zh) * | 2010-11-23 | 2011-03-09 | 浙江大学 | 用微纳探针电解生成单一尺寸微纳气泡的装置 |
US20140147964A1 (en) * | 2012-10-17 | 2014-05-29 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Shadow Mask, Evaporation Device and Method for Manufacturing Oled Display Panel |
CN104157546A (zh) * | 2013-05-13 | 2014-11-19 | 上海鸿辉光通科技股份有限公司 | 一种掩膜板的清洗方法 |
CN103451712A (zh) * | 2013-08-11 | 2013-12-18 | 唐军 | 掩模板清洗设备 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105838507A (zh) * | 2016-05-16 | 2016-08-10 | 深圳市路维光电股份有限公司 | 光罩清洗剂及清洗方法 |
CN105838507B (zh) * | 2016-05-16 | 2019-02-01 | 深圳市路维光电股份有限公司 | 光罩清洗剂及清洗方法 |
CN110476483A (zh) * | 2017-04-14 | 2019-11-19 | 堺显示器制品株式会社 | 有机el显示装置的制造方法及制造装置 |
CN108221043A (zh) * | 2018-01-05 | 2018-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种清洗装置 |
CN108611599A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-10-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 清洗掩膜版的方法以及装置 |
CN108611599B (zh) * | 2018-08-01 | 2020-08-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 清洗掩膜版的方法以及装置 |
CN111748838A (zh) * | 2019-03-26 | 2020-10-09 | 丰元化学有限公司 | 有机电致发光显示装置用金属掩膜清洗方法及利用它的金属掩膜 |
CN112387693A (zh) * | 2019-08-19 | 2021-02-23 | 深圳市海博源光电科技有限公司 | 一种掩膜板的清洗方法及清洗装置 |
CN114273343A (zh) * | 2022-01-18 | 2022-04-05 | 中国石油大学(华东) | 一种原位电致气泡除污方法及应用 |
Also Published As
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