CN101591797B - 铝垫电化学刻蚀方法 - Google Patents

铝垫电化学刻蚀方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101591797B
CN101591797B CN2008100383855A CN200810038385A CN101591797B CN 101591797 B CN101591797 B CN 101591797B CN 2008100383855 A CN2008100383855 A CN 2008100383855A CN 200810038385 A CN200810038385 A CN 200810038385A CN 101591797 B CN101591797 B CN 101591797B
Authority
CN
China
Prior art keywords
etching
aluminium
pad
electrochemical
electrochemical etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2008100383855A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101591797A (zh
Inventor
周鸣
王新鹏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Original Assignee
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp filed Critical Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority to CN2008100383855A priority Critical patent/CN101591797B/zh
Publication of CN101591797A publication Critical patent/CN101591797A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101591797B publication Critical patent/CN101591797B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

本发明揭露了一种铝垫电化学刻蚀方法，利用电化学刻蚀方式代替了传统的干法刻蚀来实现铝垫(Al pad)刻蚀工艺中铝的刻蚀，从而避免了传统工艺中聚合物的生成，解决了因其产生的铝腐蚀与残留物问题。其中该电化学刻蚀所采用的电解液包括乙醇(CH3CH2OH)、磷酸(H3PO4)和水(H2O)，且乙醇(CH3CH2OH)所占的比率为15％～25％，磷酸(H3PO4)所占的比率为20％～30％。

Description

铝垫电化学刻蚀方法
技术领域
本发明涉及一种铝垫(Al pad)刻蚀方法，特别是涉及一种铝垫的电化学刻蚀方法。
背景技术
铝垫(Al pad)的干法刻蚀往往通过氯气(Cl2)来实现，即利用氯气与铝(Al)的反应来生成铝的氯化物(AlyClx)，而后将其通过真空气泵移除。然而，总会存在一些残留物，而AlyClx的化学性质十分活泼，很容易与空气中的水反应，而形成铝的聚合物，导致铝的腐蚀且过多的聚合物往往会导致电磁兼容(EM)测试的失败。
因此，现有技术采用氮气(N2)流来实现残留物(AlyClx与聚合物)的去除，虽然其可以较好的去除残留物，但在后续的湿法刻蚀清理过程中往往会造成铝的腐蚀，为此，如何改进铝垫刻蚀工艺，来解决此工艺中的铝腐蚀与残留聚合物的问题实为一重要问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种铝垫(Al pad)刻蚀工艺中铝的刻蚀方法，以解决此工艺中的铝腐蚀与残留聚合物的问题。
本发明的另一目的在于提供一种铝垫刻蚀方法，以解决铝垫刻蚀工艺中的铝腐蚀与残留聚合物的问题。
为此，本发明提供一种铝垫刻蚀工艺中铝的刻蚀方法，其采用电化学刻蚀方式实现对铝的刻蚀，其中该电化学刻蚀所采用的电解液包括乙醇(CH3CH2OH)、磷酸(H3PO4)和水(H2O)，且乙醇(CH3CH2OH)所占的比率为15％～25％，磷酸(H3PO4)所占的比率为20％～30％。
进一步的，上述电化学刻蚀工艺参数为：电压：3～10V；电流：10～15A；时间：150s～200s。
本发明另提供一种铝垫刻蚀方法，其包括：在一经曝光的光刻胶层的保护下，去除一铝垫叠层中铝上的部分阻挡层而暴露出部分铝；采用电化学刻蚀方式去除暴露出的铝，其中该电化学刻蚀所采用的电解液包括乙醇(CH3CH2OH)、磷酸(H3PO4)和水(H2O)，且乙醇(CH3CH2OH)所占的比率为15％～25％，磷酸(H3PO4)所占的比率为20％～30％；进行后期刻蚀。
进一步的，上述电化学刻蚀工艺参数为：电压：3～10V；电流：10～15A；时间：150s～200s。
进一步的，上述阻挡层是通过干法刻蚀的方式去除。
进一步的，上述阻挡层干法刻蚀的刻蚀气体不包括氯气。
进一步的，上述阻挡层干法刻蚀的刻蚀气体包括四氟化碳(CF4)与氦气(He)。
综上所述，本发明利用电化学刻蚀方式代替了传统的干法刻蚀方式，来实现铝垫刻蚀工艺中铝的刻蚀。从而避免了传统工艺中聚合物的生成，解决了因其产生的铝腐蚀与残留物问题。
附图说明
图1为传统铝垫刻蚀工艺的流程示意图；
图2为本发明一实施例所提供的铝垫刻蚀工艺的流程示意图。
具体实施方式
下面结合传统铝垫(Al pad)刻蚀工艺流程来说明本发明的工艺流程，以使本发明的目的、特征更明显易懂。
请参考图1，其为传统铝垫刻蚀工艺的流程示意图。如图所示，该工艺用于一铝垫叠层的刻蚀过程。该铝垫叠层包括抗反射层100、铝层200、阻挡层300以及光刻胶层400。以下为对应于该流程的刻蚀工艺参数：
BT：8mt/800TCP/180BP/80BCl3/80Cl2/8He/15s
ME：8mt/800TCP/280BP/100BCl3/4CHF3/300Cl2/8He/EP(111s)
OE1：8mt/800TCP/280BP/90BCl3/3CHF3/160Cl2/8He/35s
OE2：8mt/800TCP/180BP/80BCl3/80Cl2/8He/30s
N2Flush：0mt/0TCP/500Ar/200N2/8He/15s
Dechuck：8mt/600TCP/450Ar/15s
即首先在光刻胶层400的保护下，采用干法刻蚀的方式去除暴露于外的阻挡层300而暴露出部分铝层200，其工艺参数参照以上BT部分；而后干法刻蚀暴露于外的铝层200而止于抗反射层100，其工艺参数参照以上的ME、OE1、OE2部分；而后对刻蚀后的铝垫叠层进行氮气流的冲洗过程，其工艺参数参照以上的N2Flush部分；最后进行去除光刻胶取片等操作，其工艺参数参照以上的Dechuck部分。以上参数可见，其均采用带有氯气(Cl2)的混合等离子刻蚀气体来实现干法刻蚀，正如背景技术中所描述的，由于刻蚀中氯气与铝(Al)的生成物(AlyClx)化学性质十分活泼，很容易与空气中的水反应，而形成铝的聚合物，导致铝的腐蚀且过多的聚合物往往会导致电磁兼容(EM)测试的失败；而利用氮气流去除残留物的方式在后续的湿法刻蚀清理过程中也会造成铝的腐蚀。
请参考图2，其为本发明一实施例所提供的铝垫刻蚀工艺的流程示意图。其与图1的不同之处在于，铝层200的刻蚀过程采用了电化学刻蚀方式来实现，从而避免了刻蚀过程中聚合物的生成。本实施例的刻蚀工艺参数如下：
BT：8mt/800TCP/180BP/50CF4/8He/15s
电刻蚀参数：
电解液成分：15％～25％的乙醇(CH3CH2OH)，20％～30％的磷酸(H3PO4)，水；
电压：3～10V；
电流：10～15A；
时间：150s～200s。
可见，阻挡层300的刻蚀也是利用干法刻蚀实现，但其与先前技术不同的是并非采用带有氯气的混合等离子气体进行刻蚀，而是通过四氟化碳(CF4)与氦气(He)的混合等离子气体实现。另外，上述电解液中可以添加一些辅助添加剂，而不影响此电解液的刻蚀效果。
如此，在本实施例中利用电化学刻蚀来代替传统的干法刻蚀实现铝垫叠层中铝的刻蚀，避免了铝的氯化物的产生，进一步避免了铝的聚合物的生成，解决了因其产生的铝腐蚀与残留物问题。
以上仅为举例，并非用以限定本发明，本发明所保护的范围当以权利要求书为准。

Claims (7)

1.一种铝垫刻蚀工艺中铝的刻蚀方法，其特征是，采用电化学刻蚀方式实现对铝的刻蚀，其中该电化学刻蚀所采用的电解液包括乙醇(CH3CH2OH)、磷酸(H3PO4)和水(H2O)，且乙醇(CH3CH2OH)的体积分数为15％～25％，磷酸(H3PO4)的体积分数为20％～30％。
2.根据权利要求1所述的铝垫刻蚀工艺中铝的刻蚀方法，其特征是，其中上述电化学刻蚀工艺参数如下：
电压：3～10V；电流：10～15A；时间：150s～200s。
3.一种铝垫刻蚀方法，其特征是，包括：
在一经曝光的光刻胶层的保护下，去除一铝垫叠层中铝上的部分阻挡层而暴露出部分铝；
采用电化学刻蚀方式去除暴露出的铝，
其中该电化学刻蚀所采用的电解液包括乙醇(CH3CH2OH)、磷酸(H3PO4)和水(H2O)，且乙醇(CH3CH2OH)的体积分数为15％～25％，磷酸(H3PO4)的体积分数为20％～30％；
进行后期刻蚀。
4.根据权利要求3所述的铝垫刻蚀方法，其特征是，其中上述电化学刻蚀工艺参数如下：
电压：3～10V；电流：10～15A；时间：150s～200s。
5.根据权利要求3所述的铝垫刻蚀方法，其特征是，其中上述阻挡层是通过干法刻蚀的方式去除。
6.根据权利要求5所述的铝垫刻蚀方法，其特征是，其中上述阻挡层干法刻蚀的刻蚀气体不包括氯气。
7.根据权利要求6所述的铝垫刻蚀方法，其特征是，其中上述阻挡层干法刻蚀的刻蚀气体包括四氟化碳(CF4)与氦气(He)。 
CN2008100383855A 2008-05-30 2008-05-30 铝垫电化学刻蚀方法 Expired - Fee Related CN101591797B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008100383855A CN101591797B (zh) 2008-05-30 2008-05-30 铝垫电化学刻蚀方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008100383855A CN101591797B (zh) 2008-05-30 2008-05-30 铝垫电化学刻蚀方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101591797A CN101591797A (zh) 2009-12-02
CN101591797B true CN101591797B (zh) 2012-08-08

Family

ID=41406671

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008100383855A Expired - Fee Related CN101591797B (zh) 2008-05-30 2008-05-30 铝垫电化学刻蚀方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101591797B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104425363B (zh) * 2013-09-05 2017-07-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 互连线的形成方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1107904A (zh) * 1994-12-29 1995-09-06 华中理工大学 铝及铝合金焊丝的电化学抛光方法
CN1164760A (zh) * 1996-05-03 1997-11-12 电子工业部第十三研究所 半导体器件的t形栅加工方法
US5997721A (en) * 1994-12-19 1999-12-07 Alcan International Limited Cleaning aluminum workpieces
CN1397667A (zh) * 2001-06-20 2003-02-19 恩通公司 净化和钝化轻金属合金表面的方法
CN1778993A (zh) * 2004-11-19 2006-05-31 中国科学院微电子研究所 厚铝的高精度干法刻蚀方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5997721A (en) * 1994-12-19 1999-12-07 Alcan International Limited Cleaning aluminum workpieces
CN1107904A (zh) * 1994-12-29 1995-09-06 华中理工大学 铝及铝合金焊丝的电化学抛光方法
CN1164760A (zh) * 1996-05-03 1997-11-12 电子工业部第十三研究所 半导体器件的t形栅加工方法
CN1397667A (zh) * 2001-06-20 2003-02-19 恩通公司 净化和钝化轻金属合金表面的方法
CN1778993A (zh) * 2004-11-19 2006-05-31 中国科学院微电子研究所 厚铝的高精度干法刻蚀方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101591797A (zh) 2009-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103627400B (zh) 钼合金膜与氧化铟膜液体腐蚀剂组成物质
JP5288144B2 (ja) フォトレジスト剥離剤組成物、積層金属配線基板のフォトレジスト剥離方法及び製造方法
CN103890234B (zh) 钼合金膜及铟氧化膜的蚀刻液组合物
CN102409342B (zh) 用于蚀刻导电多层膜的蚀刻剂组合物和使用其的蚀刻方法
JP4677030B2 (ja) 電気化学的腐食を阻害する非水性フォトレジスト剥離剤
WO2013077580A1 (ko) 구리와 몰리브덴 합금막의 식각액 조성물
CN102124414B (zh) 光致抗蚀剂剥离剂组合物以及光致抗蚀剂剥离方法
JPWO2011099624A1 (ja) 銅層及びモリブデン層を含む多層薄膜用エッチング液
CN100524558C (zh) 一种铝电解电容器用低压阳极箔及其制造方法
CN106154772A (zh) 一种半导体凸块制程用正胶去胶液
CN107765514A (zh) 一种含羟胺清洗液、其制备方法及应用
CN101070596A (zh) 薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物
CN104611701A (zh) 蚀刻液组合物及蚀刻方法
CN1950754A (zh) 用于去除光刻胶的组合物
CN113106453A (zh) 一种蚀刻液组合物及其应用
CN102346383B (zh) 一种光刻胶的清洗液
KR100983060B1 (ko) 비과산화수소형 구리 또는 구리 합금 막의 에칭제
CN101591797B (zh) 铝垫电化学刻蚀方法
CN107942625A (zh) 一种面板行业铜制程用新型剥离液
CN101968610A (zh) 一种全湿刻蚀后去胶的方法
KR101678072B1 (ko) 세정제 조성물
JP5788400B2 (ja) エッチング液組成物
CN102548231A (zh) 电路板制作方法
JP5706434B2 (ja) エッチング液組成物
US11674229B2 (en) Etching chelating agent, manufacturing method thereof, and etching solution composition

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120808

Termination date: 20190530