CN100524558C - 一种铝电解电容器用低压阳极箔及其制造方法 - Google Patents
一种铝电解电容器用低压阳极箔及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100524558C CN100524558C CN 200610063514 CN200610063514A CN100524558C CN 100524558 C CN100524558 C CN 100524558C CN 200610063514 CN200610063514 CN 200610063514 CN 200610063514 A CN200610063514 A CN 200610063514A CN 100524558 C CN100524558 C CN 100524558C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- treatment
- low
- voltage anode
- foil
- anode foil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 43
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 41
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 title 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 51
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 37
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 33
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 17
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 19
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 17
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 7
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000001117 sulphuric acid Substances 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- UOFRJXGVFHUJER-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(2-hydroxyethyl)amino]ethanol;hydrate Chemical compound [OH-].OCC[NH+](CCO)CCO UOFRJXGVFHUJER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 heterocyclic nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- FWFGVMYFCODZRD-UHFFFAOYSA-N oxidanium;hydrogen sulfate Chemical compound O.OS(O)(=O)=O FWFGVMYFCODZRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002925 chemical effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 1
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Abstract
本发明涉及一种铝电解电容器用低压阳极箔及其制造方法，其是对光铝箔进行包括前处理、一级腐蚀、中间处理、二级腐蚀、水洗、后处理的工艺处理而制得，而所述后处理步骤包括对经二级腐蚀和水洗后的铝箔依序进行如下处理：用浓度为1wt%～15wt%的40～70℃的稀硫酸水溶液作表面处理1～5分钟、纯水清洗、用浓度为0.5wt‰～1wt%的40～70℃的稀三乙醇胺水溶液作表面处理0.5～3分钟、烘干；所述低压阳极箔的表面残留氯离子含量在1mg/m2以下。本发明的经后处理的箔片表面残留氯离子稳定在1mg/m2以下，且箔片的失重明显减少；静电容量明显提高。
Description
技术领域
本发明涉及一种铝箔产品，更具体地说，本发明涉及一种铝电解电容器用电极箔产品及其制造方法。
背景技术
生产铝电解电容器用低压阳极箔的传统方法，一般采取如下工艺步骤对铝箔进行处理：前处理、一级腐蚀、中间处理、二级腐蚀、水洗、后处理及烘干。其中，前处理，主要目的是除去铝箔表面的油污、杂质，使铝箔表面微结构均匀，有利于腐蚀时形成均匀分布的初始蚀孔；一级腐蚀，属于电解腐蚀过程，主要目的是在铝箔表面引发初始蚀孔，并且使蚀孔分布均匀、孔径大小合理；中间处理，目的是洗去在预腐蚀过程中产生的不利于扩孔的沉积膜，一般采用不通电化学酸液清洗；二级腐蚀，属于电解腐蚀过程，主要目的是在初始蚀孔基础上进行扩孔，提高铝箔表面积，同时使腐蚀孔的孔径满足后续化成的要求；后处理，目的是除去铝箔表面残留的氯离子及金属杂质，通常是采用硝酸水溶液进行处理。其中腐蚀步骤一般采用以盐酸溶液为主的腐蚀介质，所以腐蚀后在铝箔表面和蚀孔内部会残留有较多的氯离子及金属杂质；而传统后处理技术多采用硝酸水溶液作为处理液，事实证明传统处理技术对去除氯离子效果不理想，而且由于采用硝酸水溶液作后处理，容易造成箔片有效质量及微表面积过多损失和破坏，对随后的化成和电容器也造成不良影响，最终导致静电容量的进一步损失。
发明内容
针对现有技术的上述缺点，本发明的目的是要提供一种铝电解电容器用低压阳极箔及其制造方法，该低压阳极箔及其制造方法具有如下优点：经后处理的箔片表面残留氯离子稳定在1mg/m2以下、且箔片的失重明显减少；静电容量明显提高。
为此，本发明的技术解决方案之一是一种铝电解电容器用低压阳极箔，其是对光铝箔进行包括前处理、一级腐蚀、中间处理、二级腐蚀、水洗、后处理的工艺处理而制得，而所述后处理步骤包括对经二级腐蚀和水洗后的铝箔依序进行如下处理：用浓度为1wt％～15wt％的40～70℃的稀硫酸水溶液作表面处理1～5分钟、纯水清洗、用浓度为0.5wt‰～1wt％的40～70℃的稀三乙醇胺水溶液作表面处理0.5～3分钟、烘干；所述低压阳极箔的表面残留氯离子含量在1mg/m2以下。
本发明通过特色后处理，对经腐蚀后的箔片表面进行稀硫酸处理，一来能有效地反应/冲洗掉在腐蚀过程中形成的多余的、阻塞孔洞的水合膜，扩大箔片表面的孔洞、使部分闭合的孔洞成为有效孔洞，二来还可以使得残留在孔洞中的氯离子得到进一步清洗；对于被电解腐蚀后的箔片而言，稀硫酸的溶解性可能较硝酸和缓，能够在清洗与腐蚀效果上更为平衡，因此不会对箔片形成过分的侵蚀破坏。
稀硫酸处理后再用三乙醇胺溶液处理箔片表面，碱性的三乙醇胺溶液具有促进络合、界面填补、掩蔽离子等作用，三乙醇胺溶液还能与多种金属离子直接络合。经该处理可使得将箔片上仍然残存的少量氯离子生成氯铝酸盐，从而进一步去除氯离子，另外，该处理过程中生成的氯铝酸盐会引起膨胀反应对扩孔也有一定的效果。而且二乙醇胺还可以在箔片表面生成杂氮金属三环类化合物(参见图1)包括生成如杂氮铝三环类化合物(Alum～atrane(Al(OCH2CH2)3N))。此类化合物将铝及残留的杂质金属络合固定在箔片表面，既可以增加和保护有效孔洞、同时清除了游离杂质金属的危害，从而为下一步的化成生产、提高静电容量等提供了基础。
烘干(烧片)的作用为在上述理化效果基础上进一步固化孔洞，并在表面形成一定厚度的氧化膜。
采用本发明的技术后，低压阳极箔片上氯离子残留由原来的1.5～5mg/m2，减少到1mg/m2以下，处理后箔片的静电容量比处理前提升12％左右。
作为改进，所述低压阳极箔再次用浓度为0.5wt‰～1wt％的40～70℃的稀三乙醇胺水溶液作表面处理0.5～3分钟，再烘干。烘干(烧片)后再次用三乙醇胺处理，可以在氧化膜不完整的地方再次生成杂氮铝三环类化合物的修补膜，此步骤后再次进行烘干(烧片)处理，使表面孔洞固化。
本发明低压阳极箔的具体改进还包括：
所述低压阳极箔表面生成和分布有N-A1配位键。
所述烘干温度为300～550℃。
相应地，本发明的另一技术解决方案是一种如上所述铝电解电容器用低压阳极箔的制造方法，包括对光铝箔进行如下处理步骤：前处理、一级腐蚀、中间处理、二级腐蚀、水洗、后处理，而所述后处理步骤包括对经二级腐蚀和水洗后的铝箔依序进行如下处理：A、用浓度为1wt％～15wt％的40～70℃的稀硫酸水溶液作表面处理1～5分钟；B、纯水清洗；C、用浓度为0.5wt‰～1wt％的40～70℃的稀三乙醇胺水溶液作表面处理0.5～3分钟；D、烘干。
本发明低压阳极箔制造方法的具体改进还包括：
所述处理D后续还包括如下处理：E、再次用浓度为0.5wt‰～1wt％的40～70℃的稀三乙醇胺水溶液作表面处理0.5～3分钟；F、烘干。
所述表面处理是将铝箔浸泡在相应溶质的水溶液中。
所述烘干处理在有氧氛围下进行，烘干处理的温度为300～550℃，时间为30～180秒。
所述三乙醇胺水溶液浓度优选2wt‰～8wt‰。该处理过程是为了提高静电容量并为下一步的化成生产做准备。
以下结合附图和具体实施例对本发明做进一步说明。
附图说明
图1为杂氮金属三环类化合物的分子结构示意图。
图1中，2、9、8位上为氧离子，1位为铝及其它金属离子M，5位为N氮离子外，其余点位为碳离子及其碳～氢键。
具体实施方式
比较例：前处理，采用95μm厚的光箔，将铝箔放在40℃、浓度为3wt％的磷酸水溶液中浸泡4分钟；一级腐蚀，将前处理后的铝箔放在温度为45℃、浓度为0.8wt％的硫酸、15wt％盐酸混合液中进行交流电解腐蚀，其中，电流密度为31A/dm2，电量为：800C/dm2；中间处理，在浓度22wt％盐酸、0.8wt％的硫酸及含3PPM铜离子的混合溶液中浸泡5分钟；二级腐蚀，在浓度0.7wt％的硫酸、21wt％盐酸、0.02wt％硫脲、0.05wt％草酸、0.4wt％三氯化铝的混合溶液中进行交流电解腐蚀，混合溶液的各项参数为：温度31℃，电流密度22A/dm2，电量13800C/dm2；水洗；后处理，用5wt％的硝酸水溶液在温度为44℃下浸泡3分钟，然后用纯水清洗；空气气氛中烘干。
实施例1
采用95μm厚的光箔，在后处理前进行与比较例相同或类似的操作步骤和条件，在二级腐蚀和水洗后，进行后处理：采用3％硫酸水溶液在温度为60℃下浸泡3分钟，纯水清洗铝箔表面，再用8‰三乙醇胺水溶液45℃浸泡2分钟，空气气氛中烘干。
实施例2
采用95μm厚的光箔，在实施例1的基础上，再用2‰三乙醇胺水溶液50℃浸泡1分钟，空气气氛中350℃烧片100秒，完成后处理。
实施例3
采用95μm厚的光箔，在后处理前进行与比较例相同或类似的操作步骤和条件，在二级腐蚀和水洗后，进行后处理：采用9％硫酸水溶液在温度为55℃下处理2分钟，纯水清洗铝箔表面，再用3‰三乙醇胺水溶液55℃处理2分钟，400℃烧片60秒，再次用3‰三乙醇胺水溶液50℃处理1分钟，空气气氛中再400℃烧片80秒，完成后处理。
实施例4
采用95μm厚的光箔，在后处理前进行与比较例相同或类似的操作步骤和条件，在二级腐蚀和水洗后，进行后处理：采用12％硫酸水溶液在温度为40℃下处理1分钟，纯水清洗铝箔表面，再用5‰三乙醇胺水溶液50℃处理2分钟，450℃烧片60秒，再次用0.5‰三乙醇胺水溶液60℃处理1分钟，空气气氛中再300℃烧片150秒，完成后处理。
按标准SJ/T11140-1997方法检测，其中腐蚀小样剩余重量采用电子天平称量，具体结果如下：
| 项目 | 静电容量 | 表面残留氯含量(mg/m<sup>2</sup>) | 腐蚀小样剩余重量 | 抗拉强度(N/cm) | 抗弯强度(回) |
| 比较例 | 100 | 1.5 | 0.0881g/6.9cm<sup>2</sup> | 18.0 | 80 |
| 实施例1 | 105 | 0.8 | 0.0985g/6.9cm<sup>2</sup> | 21.5 | 90 |
| 实施例2 | 107 | 0.6 | 0.0963g/6.9cm<sup>2</sup> | 20.3 | 88 |
| 实施例3 | 108 | 0.6 | 0.0961g/6.9cm<sup>2</sup> | 19.8 | 86 |
| 实施例4 | 110 | 0.4 | 0.0958g/6.9cm<sup>2</sup> | 19.8 | 84 |
总结：通过以上实施例和比较例对比可以看出，采用本发明特色后处理的制造方法制得的的低压阳极箔，静电容量明显上升，后处理对铝箔的腐蚀和破坏作用减小，铝箔的剩余重量明显增加，强度也明显提高，对铝箔表面氯离子的除去率也得到了显著提高。
Claims (7)
1、一种铝电解电容器用低压阳极箔，其是对光铝箔进行包括前处理、一级腐蚀、中间处理、二级腐蚀、水洗、后处理的工艺处理而制得，其特征在于：所述后处理步骤包括对经二级腐蚀和水洗后的铝箔依序进行如下处理：用浓度为1wt％～15wt％的40～70℃的稀硫酸水溶液作表面处理1～5分钟、纯水清洗、用浓度为0.5wt‰～1wt％的40～70℃的稀三乙醇胺水溶液作表面处理0.5～3分钟、烘干；所述低压阳极箔的表面残留氯离子含量在1mg/m2以下。
2、如权利要求1所述铝电解电容器用低压阳极箔，其特征在于：所述低压阳极箔表面生成和分布有N-Al配位键。
3、如权利要求1或2所述铝电解电容器用低压阳极箔，其特征在于：所述烘干温度为300～550℃。
4、一种如权利要求1～3之一所述铝电解电容器用低压阳极箔的制造方法，包括对光铝箔进行如下处理步骤：前处理、一级腐蚀、中间处理、二级腐蚀、水洗、后处理，其特征在于：所述后处理步骤包括对经二级腐蚀和水洗后的铝箔依序进行如下处理：A、用浓度为1wt％～15wt％的40～70℃的稀硫酸水溶液作表面处理1～5分钟；B、纯水清洗；C、用浓度为0.5wt‰～1wt％的40～70℃的稀三乙醇胺水溶液作表面处理0.5～3分钟；D、烘干。
5、如权利要求4所述铝电解电容器用低压阳极箔的制造方法，其特征在于：所述处理D后续还包括如下处理：E、再次用浓度为0.5wt‰～1wt％的40～70℃的稀三乙醇胺水溶液作表面处理0.5～3分钟；F、烘干。
6、如权利要求4或5所述铝电解电容器用低压阳极箔的制造方法，其特征在于：所述烘干处理在有氧氛围下进行，烘干处理的温度为300～550℃，时间为30～180秒。
7、如权利要求4或5所述铝电解电容器用低压阳极箔的制造方法，其特征在于：三乙醇胺水溶液浓度为2wt‰～8wt‰。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200610063514 CN100524558C (zh) | 2006-11-06 | 2006-11-06 | 一种铝电解电容器用低压阳极箔及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200610063514 CN100524558C (zh) | 2006-11-06 | 2006-11-06 | 一种铝电解电容器用低压阳极箔及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1967752A CN1967752A (zh) | 2007-05-23 |
| CN100524558C true CN100524558C (zh) | 2009-08-05 |
Family
ID=38076453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 200610063514 Expired - Fee Related CN100524558C (zh) | 2006-11-06 | 2006-11-06 | 一种铝电解电容器用低压阳极箔及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100524558C (zh) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101320626B (zh) * | 2007-06-05 | 2011-01-26 | 东莞市东阳光电容器有限公司 | 铝电解电容器负极箔的中后处理方法 |
| KR101472634B1 (ko) * | 2012-10-29 | 2014-12-15 | 삼성전기주식회사 | 금속 나노입자 및 그 표면 처리 방법 |
| CN104568714B (zh) * | 2013-10-23 | 2018-10-26 | 珠海格力电器股份有限公司 | 铝电解电容器耐久性的检测方法 |
| CN106981367A (zh) * | 2017-04-18 | 2017-07-25 | 扬州宏远电子有限公司 | 一种后处理改进型的固态电容器用电极铝箔处理方法 |
| CN107342164A (zh) * | 2017-07-07 | 2017-11-10 | 新疆西部宏远电子有限公司 | 一种片式化电容器用铝电极箔的处理方法 |
| CN109507266A (zh) * | 2017-09-14 | 2019-03-22 | 东莞东阳光科研发有限公司 | 一种阳极箔表面残留氯离子的检测方法 |
| CN108004547A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-05-08 | 湖北富奕达电子科技有限公司 | 一种铝电解电容器负极用铝箔腐蚀新工艺 |
| CN111189818B (zh) * | 2018-11-15 | 2023-04-07 | 东莞东阳光科研发有限公司 | 一种电极箔表面残留氯离子检测盒及其制备方法、应用 |
| CN109609997B (zh) * | 2018-12-06 | 2020-10-09 | 东莞东阳光科研发有限公司 | 铝箔腐蚀方法及铝箔 |
| CN113026087B (zh) * | 2021-04-29 | 2021-08-10 | 南通海星电子股份有限公司 | 一种汽车电子用纳微孔结构铝电极箔制备方法 |
| CN114703526B (zh) * | 2022-06-07 | 2022-11-01 | 南通海星电子股份有限公司 | 一种汽车电子用高比容低压电极箔的制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1366095A (zh) * | 2001-01-19 | 2002-08-28 | 江苏中联科技集团有限公司 | 低压用铝电解电容器电极箔的三级制造方法 |
| CN1391243A (zh) * | 2002-07-24 | 2003-01-15 | 扬州宏远电子有限公司 | 35Vw和50Vw高比容低接触电阻阳极箔生产工艺 |
| CN1585060A (zh) * | 2004-06-14 | 2005-02-23 | 扬州宏远电子有限公司 | 63wv—100wv高比容阳极箔的腐蚀工艺 |
| CN1920114A (zh) * | 2006-08-02 | 2007-02-28 | 扬州宏远电子有限公司 | 低压铝电解电容器用阳极箔的腐蚀方法 |
-
2006
- 2006-11-06 CN CN 200610063514 patent/CN100524558C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1366095A (zh) * | 2001-01-19 | 2002-08-28 | 江苏中联科技集团有限公司 | 低压用铝电解电容器电极箔的三级制造方法 |
| CN1391243A (zh) * | 2002-07-24 | 2003-01-15 | 扬州宏远电子有限公司 | 35Vw和50Vw高比容低接触电阻阳极箔生产工艺 |
| CN1585060A (zh) * | 2004-06-14 | 2005-02-23 | 扬州宏远电子有限公司 | 63wv—100wv高比容阳极箔的腐蚀工艺 |
| CN1920114A (zh) * | 2006-08-02 | 2007-02-28 | 扬州宏远电子有限公司 | 低压铝电解电容器用阳极箔的腐蚀方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1967752A (zh) | 2007-05-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100524558C (zh) | 一种铝电解电容器用低压阳极箔及其制造方法 | |
| CN108456916B (zh) | 一种中高压电子铝箔的腐蚀方法 | |
| WO2019166034A1 (zh) | 一种铝电解电容器用阳极箔腐蚀工艺 | |
| CN109554746B (zh) | 一种高压高比容腐蚀箔的制造方法 | |
| CN105140039A (zh) | 一种铝箔腐蚀的前处理工艺 | |
| CN110289171B (zh) | 一种无磷扩孔铝电解电容器电极箔的制造方法 | |
| CN104357886A (zh) | 中高压阳极用高纯铝箔表面化学沉积弥散锡、锌晶核的方法 | |
| CN101225539A (zh) | 铝电解电容器用阳极箔的多级变频腐蚀方法 | |
| CN111048317B (zh) | 一种低压软态腐蚀铝箔的方法 | |
| CN106948000A (zh) | 一种提高中高压腐蚀箔腐蚀层强度的腐蚀工艺方法 | |
| JP5613125B2 (ja) | 生産性に優れた高耐電圧性を有するアルミニウム陽極酸化皮膜の製造方法 | |
| CN113470976B (zh) | 一种改善低压阳极箔脆性的方法及制得的低压阳极箔 | |
| CN100336143C (zh) | 铝电解电容器用负极铝腐蚀箔表面残留铜的去除方法 | |
| CN114808076A (zh) | 一种弯曲性能良好电极箔的制备方法 | |
| JP5352204B2 (ja) | 真空機器用表面処理アルミニウム材 | |
| CN113279046A (zh) | 一种电解电容器用阳极铝箔快速化学腐蚀工艺 | |
| JPH0317209B2 (zh) | ||
| CN109097817B (zh) | 一种改善低压阳极箔波浪边的方法及装置 | |
| JP2005015916A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法、電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法およびアルミニウム電解コンデンサ | |
| JP4308556B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材および電解コンデンサ電極材の製造方法並びに電解コンデンサ | |
| AU2019101511A4 (en) | Corrosion method for anode foil for aluminium electrolytic capacitor | |
| CN114164481B (zh) | 一种发孔腐蚀方法、中高压腐蚀箔及其制备方法 | |
| CN115874259A (zh) | 一种提高铝电解电容器用腐蚀箔容量的方法 | |
| JP2003318069A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ陽極箔のエッチング方法 | |
| CN113611539B (zh) | 一种低压软态腐蚀阳极铝箔及其制备方法和应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090805 Termination date: 20161106 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |