CN104347639A - 薄膜晶体管基板及其制作方法 - Google Patents
薄膜晶体管基板及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104347639A CN104347639A CN201310328020.7A CN201310328020A CN104347639A CN 104347639 A CN104347639 A CN 104347639A CN 201310328020 A CN201310328020 A CN 201310328020A CN 104347639 A CN104347639 A CN 104347639A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- channel layer
- insulating barrier
- film transistor
- thin film
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 claims abstract description 39
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 35
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 24
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 23
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 10
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 12
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
- H01L29/78693—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate the semiconducting oxide being amorphous
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
一种薄膜晶体管基板。其包括基板、栅极、第一绝缘层、通道层、源极、漏极以及第二绝缘层。所述栅极形成于所述基板上。所述第一绝缘层形成于所述基板上并覆盖所述栅极。所述通道层形成于所述第一绝缘层上且正对所述栅极。所述源极和漏极形成于所述第一绝缘层与通道层上且彼此间隔以露出所述通道层。所述第二绝缘层形成于所述第一绝缘层上并覆盖所述源极、通道层与漏极。所述通道层的材质为非晶氧化物半导体。所述通道层包括每立方厘米所包含的氧离子的数量为1×1018至1×1021的高氧离子浓度区域。本发明还提供一种薄膜晶体管基板之制作方法。本发明所提供的薄膜晶体管基板及其制作方法能够得到具有稳定导电效果的薄膜晶体管基板。
Description
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管基板及其制作方法。
背景技术
液晶显示器因其功耗小、成本低和无辐射等特点，近年来得到了广泛的应用。液晶显示器一般包括薄膜晶体管基板、彩色滤光基板以及夹设在两基板之间的液晶层。所述薄膜晶体管基板包括由多个薄膜晶体管所组成的阵列。所述薄膜晶体管用于控制液晶显示器的数据写入，其包括栅极、通道层、源极以及漏极等结构。其中，所述通道层通常由非晶硅、多晶硅或非晶氧化物半导体等材料形成。但是，使用非晶氧化物半导体作为通道层的薄膜晶体管基板在制造过程中容易因为在形成源极与漏极等结构时导致电子迁移率下降，从而影响液晶显示器的显示效果，导电效果易不稳定，具体表现为部分截止电流Ioff和阈值电压Vth偏高，进而致使液晶显示器的显示画面经常会产生异常。
发明内容
鉴于以上内容，有必要提供一种薄膜晶体管基板。所述薄膜晶体管基板包括基板、栅极、第一绝缘层、通道层、源极、漏极以及第二绝缘层。所述栅极形成于所述基板上。所述第一绝缘层形成于所述基板上并覆盖所述栅极。所述通道层形成于所述第一绝缘层上且正对所述栅极。所述源极和漏极形成于所述第一绝缘层与通道层上且彼此间隔以露出所述通道层。所述第二绝缘层形成于所述第一绝缘层上并覆盖所述源极、通道层与漏极。所述通道层的材质为非晶氧化物半导体。所述通道层包括每立方厘米所包含的氧离子的数量为1×1018至1×1021的高氧离子浓度区域。
还有必要提供一种薄膜晶体管基板之制作方法，其包括如下步骤：提供一基板，并在所述基板上形成栅极；形成第一绝缘层以覆盖所述基板和栅极；在所述第一绝缘层上正对所述栅极的位置形成通道层，所述通道层由非晶氧化物半导体形成；形成覆盖所述第一绝缘层和通道层的金属层以及覆盖所述金属层的光致抗蚀剂层；对所述光致抗蚀剂层进行图案化曝光显影并对金属层进行蚀刻，得到形成在所述第一绝缘层上且分别与通道层的相对两侧连接的源极和漏极；将氧离子注入所述通道层；以及去除所述光致抗蚀剂层，并形成覆盖所述第一绝缘层、源极、漏极和通道层的第二绝缘层。
相较于现有技术，本发明所提供的薄膜晶体管基板及其制作方法能够得到具有稳定导电效果的薄膜晶体管基板。
附图说明
图1是本发明具体实施方式薄膜晶体管基板的结构示意图。
图2与图3是图1中通道层高氧离子浓度区域位置的示意图。
图4是本发明具体实施方式薄膜晶体管基板之制作方法的流程图。
图5至图22是本发明具体实施方式薄膜晶体管基板之制作方法各部流程的剖视图。
主要元件符号说明
| 薄膜晶体管基板 | 2 |
| 基板 | 200 |
| 第一金属层 | 210 |
| 栅极 | 211 |
| 栅极绝缘层 | 220 |
| 非晶氧化物半导体层 | 230 |
| 通道层 | 231 |
| 第二金属层 | 240 |
| 源极 | 241 |
| 漏极 | 242 |
| 光致抗蚀剂层 | 250 |
| 钝化层 | 260 |
| 接触孔 | 261 |
| 电极层 | 270 |
| 电极图案 | 271 |
| 氧离子 | O- |
| 高氧离子浓度区域 | A、B |
| 掩膜 | 300 |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
如图1所示，本发明具体实施方式所提供的薄膜晶体管基板2包括基板200、栅极211、栅极绝缘层220、通道层231、源极241、漏极242、钝化层260、接触孔261以及电极图案271。
所述栅极211形成于所述基板200上，优选地，所述基板200是透明的。所述栅极绝缘层220形成于所述基板200上，并覆盖所述栅极211。所述通道层231形成于所述栅极绝缘层220上，且正对所述栅极211。所述源极241和漏极242形成于所述栅极绝缘层220与通道层231上，且彼此间隔以露出所述通道层231。所述钝化层260形成于所述栅极绝缘层220上，并覆盖所述源极241、通道层231与漏极242。所述接触孔261设置在与所述漏极242对应的位置且贯穿所述钝化层260直至暴露所述漏极242。所述电极图案271形成于所述钝化层260上，并通过接触孔261与漏极242相连接。
所述通道层231的材质为非晶氧化物半导体，例如铟镓锌氧化物（Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO）等。如图2所示，所述通道层231中部至通道层231靠近栅极绝缘层220一侧之间的区域包括高氧离子浓度区域A。如图3所示，在一些实施方式中，所述通道层231远离所述栅极绝缘层220一侧的区域还可以包括高氧离子浓度区域B。所述该高氧离子浓度区域A与B中每立方厘米所包含的氧离子的数量为1×1018至1×1021。
可以理解的是，所述薄膜晶体管基板2还包括图中未示出的形成于所述基板200上并与栅极211电性连接的扫描线、与设置于所述栅极绝缘层220上并与所述源极241电性连接的数据线等结构。
如图4所示，为本发明具体实施方式所提供的一种薄膜晶体管基板2的制作方法的流程图，该方法包括如下步骤：
步骤S101，提供基板200，并在所述基板200上形成栅极211。具体地，如图5所示，首先提供基板200，并在所述基板200上形成第一金属层210。所述基板200的材质可以选自玻璃、石英、有机聚合物或其它可适用的透明材料。所述第一金属层210的材质通常为金属材料，但也可以使用其它导电材料，例如合金、金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物等。接着，如图6所示，利用光蚀刻工艺来图案化第一金属层210以定义出栅极211的位置。另外，在形成栅极211的同时，也可以同时定义出与栅极211电性连接的扫描线（图未示）。
步骤S102，形成栅极绝缘层220以覆盖基板200和栅极211。具体地，如图7所示，在所述基板200与栅极211上沉积栅极绝缘层220。所述栅极绝缘层220的材质可以选自无机材料（例如氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等）、有机材料或其它可适用的材料及其组合。所述栅极绝缘层220形成的方法包括等离子体化学气相沉积工艺。
步骤S103，在所述栅极绝缘层220上正对所述栅极的位置形成通道层231。具体地，首先，如图8所示，在所述栅极绝缘层220上沉积非晶氧化物半导体层230。所述非晶氧化物半导体层230的材质为非晶氧化物半导体，例如铟镓锌氧化物（Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO）等。然后，如图9所示，利用光蚀刻工艺来图案化所述非晶氧化物半导体层230，以在所述栅极绝缘层220上正对栅极211的位置形成通道层231。
步骤S104，形成覆盖所述栅极绝缘层220和通道层231的第二金属层240以及覆盖所述第二金属层240的光致抗蚀剂层250。具体地，如图10所示，首先在所述栅极绝缘层220和通道层231上形成第二金属层240。与第一金属层210类似，所述第二金属层240的材质通常为金属材料，但也可以使用其它导电材料，例如合金、金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物等。接着，如图11所示，在所述第二金属层240上形成光致抗蚀剂层250。在本实施方式中，所述光致抗蚀剂层250为正光致抗蚀剂，其特性为，被光线照射到的部分能够溶于光致抗蚀剂显影液，而未被光线照射的部分则不会溶于光致抗蚀剂显影液。在其它实施方式中，所述光致抗蚀剂层250也可以使用特性相反的负光致抗蚀剂。
步骤S105，对所述光致抗蚀剂层250进行图案化曝光显影并对所述第二金属层240进行蚀刻，得到形成在所述栅极绝缘层220上且分别与通道层231的相对两侧连接的源极241和漏极242。如图12所示，用光源（图未示）对所述光致抗蚀剂层250进行曝光，同时通过在预定的位置设置掩膜300遮蔽部份光线，使得被掩膜300遮蔽到的光致抗蚀剂层250不会被光线照射到。如图13所示，曝光结束后对所述光致抗蚀剂层250进行显影。具体地，通过显影液（图未示）将被光线照射到的光致抗蚀剂层250去除，而未被光线照射到的光致抗蚀剂层250被保留。接着，如图14所示，蚀刻所述第二金属层240未被光致抗蚀剂层250覆盖的部份，而被光致抗蚀剂层250覆盖的第二金属层240则被保留形成源极241和漏极242。另外，在形成源极241和漏极242的同时，也可以同时定义出与源极241电性连接的数据线（图未示）。
步骤S106，如图15所示，对所述通道层231进行氧离子注入。由于所述通道层231系由非晶氧化物半导体材料形成，其导电性能会受氧离子的浓度所影响。通常来说，在非晶氧化物半导体中每立方厘米中包含1×1018至1×1021个氧离子时导电性能最好。但在蚀刻第二金属层240时，通道层231内的氧离子容易会被破坏，导致氧离子浓度降低，薄膜晶体管的截止电流Ioff和阈值电压Vth变得不稳定，影响所述通道层231的导电性能。
因此，可以通过将氧离子注入所述通道层231的方法来补充通道层中的氧离子浓度，同时通过调节注入氧离子的能量实现对氧离子注入深度的控制。例如，在一实施方式中，可以将剂量为5×1015cm-2的氧离子通过30KeV的能量注入所述通道层231；而在另一实施方式中，也可以将剂量为7×1017cm-2的氧离子通过100KeV的能量注入所述通道层231。
根据具体工艺的需要，所述氧离子的注入深度可以分布在通道层231中的任意位置。优选地，如图16所示，将氧离子注入到通道层231中部至通道层231靠近栅极绝缘层220一侧之间的区域，以在该区域形成不容易被破坏的稳定的高氧离子浓度区域A。在一些实施方式中，如图17所示，也可将部份氧离子注入至通道层231远离所述栅极绝缘层220一侧的区域B，以在该区域B形成稳定的高氧离子浓度区域B，从而防止在之后的工艺中形成钝化层时，通道层231中的氧离子浓度被破坏而影响其导电性能。其中，该高氧离子浓度区域A与B中每立方厘米所包含的氧离子的数量为1×1018至1×1021。
由于有光致抗蚀剂层250遮蔽，源极241和漏极242不会受到氧离子的影响，而栅极绝缘层220也不会受到氧离子的影响。需要注意的是，通道层231被所述光致抗蚀剂层250、源极241和漏极242遮蔽的部份也不会受到氧离子的影响，注入通道层231的氧离子集中在未被光致抗蚀剂层250、源极241和漏极242遮蔽的区域。
步骤S107，如图18至图19所示，去除所述光致抗蚀剂层250，并形成覆盖所述栅极绝缘层220、通道层231、源极241和漏极242的钝化层260。所述钝化层260可以由氮化硅等无机材料或丙烯酸酯等有机材料形成。
步骤S108，如图20至图22所示，在所述钝化层260上与漏极242对应的位置形成接触孔261，并在所述钝化层260上形成电极图案271，所述电极图案271通过所述接触孔261与漏极242电连接。所述接触孔261可以是利用光蚀刻工艺来图案化所述钝化层260形成。首先，在所述钝化层260上沉积电极层270。所述电极层270的材质通常为透明导电材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物、氧化铟或是氧化锡等。接着，利用光蚀刻工艺来图案化所述电极层270得到电极图案271。至此，该薄膜晶体管基板2制作完成。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。
Claims (12)
1.一种薄膜晶体管基板，其包括：基板、栅极、第一绝缘层、通道层、源极、漏极以及第二绝缘层，所述栅极形成于所述基板上，所述第一绝缘层形成于所述基板上并覆盖所述栅极，所述通道层形成于所述第一绝缘层上且正对所述栅极，所述源极和漏极形成于所述第一绝缘层与通道层上且彼此间隔以露出所述通道层，所述第二绝缘层形成于所述第一绝缘层上并覆盖所述源极、通道层与漏极，所述通道层的材质为非晶氧化物半导体，所述通道层包括每立方厘米所包含的氧离子的数量为1×1018至1×1021的高氧离子浓度区域。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该高氧离子浓度区域分布在由通道层中间至通道层靠近第一绝缘层一侧的部份。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该高氧离子浓度区域分布在通道层远离第一绝缘层的一侧。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该薄膜晶体管基板还包括电极层，所述第二绝缘层与所述漏极对应的位置还开设有接触孔，所述接触孔贯穿所述第二绝缘层直至暴露所述漏极，所述电极层形成于所述第二绝缘层上，并通过接触孔与漏极相连接。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述通道层的材质包括铟镓锌氧化物。
6.一种薄膜晶体管基板之制作方法，其包括如下步骤：
提供一基板，并在所述基板上形成栅极；
形成第一绝缘层以覆盖所述基板和栅极；
在所述第一绝缘层上正对所述栅极的位置形成通道层，所述通道层由非晶氧化物半导体形成；
形成覆盖所述第一绝缘层和通道层的金属层以及覆盖所述金属层的光致抗蚀剂层；
对所述光致抗蚀剂层进行图案化曝光显影并对金属层进行蚀刻，得到形成在所述第一绝缘层上且分别与通道层的相对两侧连接的源极和漏极；
将氧离子注入所述通道层；以及
去除所述光致抗蚀剂层，并形成覆盖所述第一绝缘层、源极、漏极和通道层的第二绝缘层。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管基板之制作方法，其特征在于，通过调节注入氧离子的能量以实现对氧离子注入通道层的深度的控制。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管基板之制作方法，其特征在于，所述氧离子注入通道层的深度分布在由通道层中间至通道层靠近栅极绝缘层一侧的部份，以在该区域形成稳定的高氧离子浓度区域。
9.如权利要求7所述的薄膜晶体管基板之制作方法，其特征在于，所述氧离子注入通道层的深度分布在通道层远离栅极绝缘层的一侧，以在该区域形成稳定的高氧离子浓度区域。
10.如权利要求8至第9中任一所述的薄膜晶体管基板之制作方法，其特征在于，所述高氧离子浓度区域中每立方厘米所包含的氧离子的数量为1×1018至1×1021。
11.如权利要求6所述的薄膜晶体管基板之制作方法，其特征在于，所述通道层的材质包括铟镓锌氧化物。
12.如权利要求6所述的薄膜晶体管基板之制作方法，其特征在于，在形成第二绝缘层后，在所述第二绝缘层上与漏极对应的位置形成接触孔，并在所述第二绝缘层上形成电极层，所述电极层通过所述接触孔与漏极电连接。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW102126810 | 2013-07-26 | ||
| TW102126810A TWI573226B (zh) | 2013-07-26 | 2013-07-26 | 薄膜電晶體基板及其製作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104347639A true CN104347639A (zh) | 2015-02-11 |
Family
ID=52389735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310328020.7A Pending CN104347639A (zh) | 2013-07-26 | 2013-07-31 | 薄膜晶体管基板及其制作方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9117922B2 (zh) |
| CN (1) | CN104347639A (zh) |
| TW (1) | TWI573226B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017008345A1 (zh) * | 2015-07-16 | 2017-01-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及显示装置 |
| CN108010879A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-05-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性阵列基板的制作方法及柔性阵列基板 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI506797B (zh) * | 2013-06-21 | 2015-11-01 | Ye Xin Technology Consulting Co Ltd | 薄膜晶體管及其製造方法 |
| US10043917B2 (en) | 2016-03-03 | 2018-08-07 | United Microelectronics Corp. | Oxide semiconductor device and method of manufacturing the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080296568A1 (en) * | 2007-05-29 | 2008-12-04 | Samsung Electronics Co., Ltd | Thin film transistors and methods of manufacturing the same |
| CN101621075A (zh) * | 2008-06-30 | 2010-01-06 | 三星移动显示器株式会社 | 薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置 |
| US20120319114A1 (en) * | 2011-06-17 | 2012-12-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011138934A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器 |
| KR102341927B1 (ko) * | 2010-03-05 | 2021-12-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| KR102220279B1 (ko) * | 2012-10-19 | 2021-02-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막을 포함하는 다층막 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| US9466725B2 (en) * | 2013-01-24 | 2016-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
-
2013
- 2013-07-26 TW TW102126810A patent/TWI573226B/zh active
- 2013-07-31 CN CN201310328020.7A patent/CN104347639A/zh active Pending
- 2013-12-31 US US14/145,688 patent/US9117922B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080296568A1 (en) * | 2007-05-29 | 2008-12-04 | Samsung Electronics Co., Ltd | Thin film transistors and methods of manufacturing the same |
| CN101621075A (zh) * | 2008-06-30 | 2010-01-06 | 三星移动显示器株式会社 | 薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置 |
| US20120319114A1 (en) * | 2011-06-17 | 2012-12-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017008345A1 (zh) * | 2015-07-16 | 2017-01-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及显示装置 |
| CN108010879A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-05-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性阵列基板的制作方法及柔性阵列基板 |
| WO2019100427A1 (zh) * | 2017-11-22 | 2019-05-31 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性阵列基板的制作方法及柔性阵列基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI573226B (zh) | 2017-03-01 |
| US9117922B2 (en) | 2015-08-25 |
| TW201505127A (zh) | 2015-02-01 |
| US20150028326A1 (en) | 2015-01-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106847703B (zh) | 低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法和显示装置 | |
| CN109037150B (zh) | 金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 | |
| CN105304500B (zh) | N型tft的制作方法 | |
| CN104966722A (zh) | Tft基板结构及其制作方法 | |
| WO2014166176A1 (zh) | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 | |
| CN109065551B (zh) | Tft阵列基板的制造方法及tft阵列基板 | |
| CN101673687B (zh) | 场效应晶体管制造方法 | |
| CN103762174A (zh) | 一种薄膜晶体管的制备方法 | |
| CN107316874B (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN109920856B (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置 | |
| CN104681624A (zh) | 单晶硅基底tft器件 | |
| WO2015051650A1 (zh) | 薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管及显示设备 | |
| CN105097710A (zh) | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 | |
| WO2017193637A1 (zh) | 薄膜晶体管、阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置 | |
| CN104347639A (zh) | 薄膜晶体管基板及其制作方法 | |
| CN1910756B (zh) | 晶体管制造 | |
| CN111129032A (zh) | 一种阵列基板及其制作方法 | |
| CN104882415A (zh) | Ltps阵列基板及其制造方法 | |
| CN109637932B (zh) | 薄膜晶体管及其制备方法 | |
| CN104733536B (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法 | |
| CN102709329A (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法 | |
| CN107464836A (zh) | 一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法及顶栅型薄膜晶体管 | |
| TWI599050B (zh) | 薄膜電晶體及其製作方法 | |
| CN109103103B (zh) | 薄膜晶体管及其制备方法 | |
| CN100372083C (zh) | 形成薄膜晶体管的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20161017 Address after: 518109 Guangdong city of Shenzhen province Baoan District Longhua Town Industrial Zone tabulaeformis tenth East Ring Road No. 2 two Applicant after: Hongfujin Precise Industry (Shenzhen) Co., Ltd. Applicant after: Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Address before: Taiwan Hsinchu County Chinese jhubei City, Taiwan 1 yuan a Street No. 7 Building 1 Applicant before: YEXIN TECHNOLOGY CONSULATION CO., LTD. Applicant before: AU OPTRONICS CO., LTD. |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20150211 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |