CN104342754B - 用于太阳光谱调制的Tm3+/Yb3+双掺杂α‑NaYF4单晶体及其制备方法 - Google Patents

用于太阳光谱调制的Tm3+/Yb3+双掺杂α‑NaYF4单晶体及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104342754B
CN104342754B CN201410556999.8A CN201410556999A CN104342754B CN 104342754 B CN104342754 B CN 104342754B CN 201410556999 A CN201410556999 A CN 201410556999A CN 104342754 B CN104342754 B CN 104342754B
Authority
CN
China
Prior art keywords
monocrystal
crystal
tmf
ybf
nayf
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201410556999.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104342754A (zh
Inventor
张加忠
夏海平
杨硕
姜永章
符立
董艳明
李珊珊
张约品
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ningbo University
Original Assignee
Ningbo University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ningbo University filed Critical Ningbo University
Priority to CN201410556999.8A priority Critical patent/CN104342754B/zh
Publication of CN104342754A publication Critical patent/CN104342754A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104342754B publication Critical patent/CN104342754B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/12—Halides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明公开了用于太阳光谱调制的Tm3+/Yb3+双掺杂α‑NaYF4单晶体及其制备方法，特点是以KF作为助熔剂，加入到NaF、YF3、TmF3与YbF3原料中，生成Tm3+/Yb3+双掺杂的α‑NaYF4单晶体；优点是由于KF(熔点858℃)作为助熔剂，改变了熔体中的相平衡关系，最终获得较大尺寸的α‑NaYF4晶体；且α‑NaYF4单晶体具有从紫外到中红外宽波段光学透过性高、物化稳定性好等特点，且能有效实现对太阳光谱的调制。

Description

用于太阳光谱调制的Tm3+/Yb3+双掺杂α-NaYF4单晶体及其制备 方法
技术领域
本发明涉及用于太阳光谱调制的单晶体，具体涉及用于太阳光谱调制的Tm3+/Yb3+双掺杂α-NaYF4单晶体及其制备方法。
背景技术
目前制作太阳能电池的主要材料为单晶与多晶硅，通过硅材料的光伏效应实现光能与电能的转化，但硅太阳能电池的光电转换效率很低，目前市面光电转换效率仅达到18％。这主要是由于硅材料对太阳光的最有效的吸收波长约在1000nm左右，太阳光源中的紫外光和波长大于1100nm的红外光均无法得到有效吸收。通过对太阳光谱进行调制，把太阳光中的紫外光与波长大于1100nm的红外光转换成硅晶材料容易吸收的1000nm左右光源，则硅晶太阳能电池的光电转换效率将大幅提高。太阳光谱调制技术通常有两条技术路线：一是吸收一个高能紫外光子发射两个低能光子的下转换发光，该现象又叫“量子剪裁”。二是吸收多个低能红外光子发射一个高能光子的上转换发光。其中“量子剪裁”效应是一种高效的下转换效应，其原理是通过发光离子之间的部分能量传递实现下转换的新途径。发光材料可以吸收一个真空紫外光子，由发光离子之间的能级跃迁达到能量传递的效果，最终实现辐射两个光子的过程，故其量子效率理论上可以达到200％。因此，量子剪裁材料能实现对太阳光谱的有效调制。现阶段稀土离子掺杂的量子剪裁材料主要有荧光粉体和玻璃两种材料，由于荧光粉体对太阳光产生很大的散射作用，以及玻璃材料较差的稳定性能性能，这成为制约其大规模实际应用的最大瓶颈。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种能有效吸收紫光(～465nm波段)并能高效率转换成硅材料易吸收的红外光(～1000nm波段)，能有效实现对太阳光谱调制的Tm3+/Yb3+双掺杂α-NaYF4单晶体及其制备方法；该Tm3+/Yb3+双掺杂α-NaYF4单晶体具有优秀的抗光辐照性能、机械性能、热学性能、物化性能及光学透过性能。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：用于太阳光谱调制的Tm3+/Yb3+双掺杂α-NaYF4单晶体，该单晶体的化学式为α-NaY(1-x-y)TmxYbyF4，其中x、y分别为Tm3+、Yb3+置换Y的摩尔比，0.01≤x+y≤0.15，且x、y的比例为x∶y＝1∶2～80。
所述的用于太阳光谱调制的Tm3+/Yb3+双掺杂α-NaYF4单晶体的制备方法，其具体步骤如下：
1)原料制备与处理：
a、将纯度大于99.99％的NaF、KF、YF3、TmF3、YbF3原料按摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TmF3+YbF3)＝1～2.4∶1∶2.24～3.4，TmF3∶YbF3＝1∶2～80，YF3∶(TmF3+YbF3)＝1∶0.01～0.15混合，置于碾磨器中，碾磨混合5～6h，得到均匀粉末的混合料；
b、将上述混合料置于舟形铂金坩埚中，再安装于管式电阻炉的铂金管道中，然后先用N2气排除铂金管道中的空气，再在温度770～800℃，通HF气下，反应处理1～5小时，反应处理结束，关闭HF气体与管式电阻炉，用N2气清洗管道中残留的HF气体，得到多晶粉料；
2)晶体生长：
a、以KF作为助熔剂，采用密封坩埚下降法进行晶体生长，将上述多晶粉料置于碾磨器磨成粉末，然后置于Pt坩埚中并压实，密封Pt坩埚；密封就隔绝了空气和水汽，使得晶体生长过程中与空气和水汽隔绝，使生长的Tm3+/Yb3+双掺杂α-NaYF4激光晶体品质高；
b、将密封的Pt坩埚置于硅钼棒炉中，用坩埚下降法生长晶体，生长晶体的参数为：炉体温度为950～980℃，接种温度为810～860℃，固液界面的温度梯度为60～80℃/cm，坩埚下降速度为0.2～2.0mm/h；
3)晶体退火：
采用原位退火方法，晶体生长结束后，以20～80℃/h下降炉温至室温，得到用于太阳光谱调制的Tm3+/Yb3+双掺杂α-NaYF4单晶体。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
(1)、在α-NaYF4单晶体中同时掺入了Tm3+与Yb3+离子，由于Tm3+离子(Tm3+：3H6→1G4)对～465nm光具有强烈的吸收，且由于Tm3+离子的1G4能级的能量近似为Yb3+离子中2F5/2能级的两倍，因此一个Tm3+离子能把其能量转移给附近2个Yb3+离子，在Tm3+与Yb3+离子间将发生协作下转换量子剪裁效应，即：Tm3+(1G4)+2Yb3+(2F7/2)→Tm3+(3H6)+2Yb3+(2F5/2)，因此在Tm3+与Yb3+共掺杂的α-NaYF4单晶体中，在465nm光的激发下，Tm3+离子会将能量转移到Yb3+离子上，从而实现Tm3+离子吸收一个紫外465nm波长的光子，Yb3+离子释放出两个约980nm波长的近红外光子，有效实现对太阳光谱调制，获得较高的发光效率。如实施例1所示，在晶体中Tm3+向Yb3+的能量转换效率达到67.5％以上。
(2)、α-NaYF4单晶体与同类的LiYF4相比，具有更低的基质声子能量，可获得高的稀土离子发光效果，同时具有更好的光学透过性能以及更好的热学稳定性和物理化学性能，更加有利于在光学中的应用，以其促进实用化；与类似的稀土掺杂玻璃态材料相比，α-NaYF4单晶体的刚性周期性对称结构有利于获得高的发光效率，具有比玻璃态材料好的热学、机械、化学稳定性，更加容易加工，更适合于在激光器件中的应用。
(3)、在制备过程中，在初始原料中加入了一定量的KF(熔点858℃)作为助熔剂，助熔剂KF降低了Tm3+/Yb3+双掺杂α-NaYF4单晶体的熔点，改变了熔体中的相平衡关系，从而使得当熔体开始初期析晶时，只单一析出Tm3+/Yb3+双掺杂α-NaYF4固态相以及其它液相，随着Tm3+/Yb3+双掺杂α-NaYF4晶体的成核与生长，最终获得较大尺寸的Tm3+/Yb3+双掺杂α-NaYF4晶体，成功地生长出该晶体。
(4)、本发明采用坩埚下降法制备单晶体，与提拉法技术相比，坩埚下降法具有操作简 单、无需在生长过程中通入CF4气体来消除炉膛中的氧源的优点。且对原料进行高温氟化处理，并采用绝水、绝氧的密封环境，使得晶体生长过程中与空气和水汽隔绝，得到几乎不含OH-离子与氧化物的高质量的Tm3+/Yb3+双掺杂α-NaYF4单晶体，发光效率高，质量高。同时本发明用坩埚下降法制备Tm3+/Yb3+双掺杂α-NaYF4单晶体，可采用多管炉生长，更加有利于晶体材料的规模化批量生产，从而大幅度降低材料的制备成本，该制备方法工艺简单，单晶体纯度高，品质好，便于大规模工业化生产。
附图说明
图1为本发明实施例1的Tm3+/Yb3+双掺杂α-NaYF单晶体的X射线粉末衍射图(a)与标准的α-NaYF单晶衍射图(b)。
图2为本发明实施例1与对照例1的Tm3+/Yb3+双掺杂α-NaYF单晶体的吸收光谱；
图3为本发明实施例1～6与对照例1的Tm3+/Yb3+掺杂α-NaYF单晶体在465nm激发下的荧光光谱。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步详细描述。
实施例1：
称取纯度均大于99.99％的NaF、KF、YF3、TmF3、YbF3原料，按摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TmF3+YbF3)＝1.6∶1∶2.8，且TmF3∶YbF3＝1∶12，YF3∶(TmF3+YbF3)＝1∶0.0695，把原料置于碾磨器中，碾磨混合5.5小时，得到均匀粉末的混合料；将混合料蓬松放于舟形铂金坩埚中，再将该舟形铂金坩埚安装于管式电阻炉的铂金管道中，然后用高纯N2气体排除该铂金管道中的空气，并对该铂金管道进行检漏；之后将管式电阻炉的炉体温度逐渐升高到790℃，通HF气体，反应2小时，除去可能含有的H2O与氟氧化物，在反应过程中用NaOH溶液吸收尾气中的HF气体，反应结束后，停止通HF气体，关闭管式电阻炉，最后用高纯N2气体排除铂金管道中残留的HF气体，得到稀土离子掺杂的多晶粉料；将多晶粉料置于碾磨器中碾磨成粉末，再将该粉末置于铂金坩埚中并压实，然后密封该铂金坩埚；将密封的铂金坩埚置于硅钼棒炉中，用坩埚下降法生长晶体，生长晶体的参数为：炉体温度为960℃，接种温度为830℃，固液界面的温度梯度为70℃/cm，驱动机械下降装置下降坩埚进行晶体生长，坩埚速度速度为1.0mm/h；待晶体生长结束后，以50℃/h下降炉温至室温。图1为透明晶体的X射线衍射图，与标准的α-NaYF4衍射图相一致，说明获得的晶体为α-NaYF4相。用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法分析检测晶体中Tm3+、Yb3+稀土离子的实际摩尔含量，获得x＝0.0049、y＝0.0599，晶体化学式为α-NaY0.9352Tm0.0049Yb0.0599F4单晶体，x∶y＝1∶12.22，x+y＝0.0648，将获得的样品抛光成厚度为2毫米的薄片，图2为实施例1的吸收光谱，在465nm光激发下，进行荧光光谱测试，结果见图3，900-1000nm波段荧光强度为100单位。
对照例1：
称取纯度均大于99.99％的NaF、KF、YF3、TmF3原料，
按摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TmF3)＝1.6∶1∶2.8，且YF3∶TmF3＝1∶0.005，把原料置于碾磨器中，碾磨混合5.5小时，得到均匀粉末的混合料；将混合料蓬松放于舟形铂金坩埚中，再将该舟形铂金坩埚安装于管式电阻炉的铂金管道中，然后用高纯N2气体排除该铂金管道中的空气，并对该铂金管道进行检漏；之后将管式电阻炉的炉体温度逐渐升高到790℃，通HF气体，反应2小时，除去可能含有的H2O与氟氧化物，在反应过程中用NaOH溶液吸收尾气中的HF气体，反应结束后，停止通HF气体，关闭管式电阻炉，最后用高纯N2气体排除铂金管道中残留的HF气体，得到稀土离子掺杂的多晶粉料；将多晶粉料置于碾磨器中碾磨成粉末，再将该粉末置于铂金坩埚中并压实，然后密封该铂金坩埚；将密封的铂金坩埚置于硅钼棒炉中，用坩埚下降法生长晶体，生长晶体的参数为：炉体温度为～950℃，接种温度为830℃，固液界面的温度梯度为70℃/cm，驱动机械下降装置下降坩埚进行晶体生长，坩埚速度为1.0mm/h；待晶体生长结束后，以50℃/h下降炉温至室温，得到Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶体。用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法分析检测晶体中Tm3+稀土离子的实际摩尔含量，获得的晶体化学式为α-NaY99.51Tm0.49F4单晶体，将实施例1获得的Tm3+/Yb3+双掺杂α-NaYF4单晶与对照例1获得的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶体分别经过切割，并抛光成厚度为2毫米的薄片，进行吸收光谱与465nm激发下900-1000nm波段荧光光谱的测试与对比，所有光谱测试过程中均保持相同的实验条件，吸收光谱见图2，荧光光谱见图3所示。对照例1得到的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶在900-1000nm波段的荧光强度是0单位。由于实施例1晶体中Tm3+离子的浓度与对照例1中Tm3+的离子浓度相同，即为0.49mol％，可根据测得的Yb3+/Tm3+双掺杂与Tm3+单掺杂样品在的646nm波段Tm3+离子的荧光寿命τYb/Tm与τTm，由公式计算得出实施例1中Tm3+与Yb3+的转换效率约67.5％，见表1。
实施例2：
与实施例1基本相同，所不同的只是按摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TmF3+YbF3)＝1.6∶1∶2.8，并且TmF3∶YbF3＝1∶4，YF3∶(TmF3+YbF3)＝1∶0.0256，原料置于碾磨器中，碾磨混合5小时，得到均匀粉末的混合料；原料混合后置于碾磨器中，之后将管式电阻炉的炉体温度逐渐升高到800℃，通HF气体，反应时间为2小时，炉体温度970℃，接种温度840℃，固液界面的温度梯度为80℃/cm，晶体生长速度为0.2mm/h，炉温下降温度为80℃/h，得到透明的晶体。用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法分析检测晶体中Tm3+、Yb3+稀土离子的实际摩尔含量，获得x＝0.0048、y＝0.0196，晶体化学式为α-NaY0.9756Tm0.0048Yb0.0196F4单晶体，x∶y＝1∶4.0833，x+y＝0.0244，将获得的样品抛光成厚度为2毫米的薄片，晶体的X射线粉末衍射图及吸收光谱与实施例1基本相同，只是强度不同。保持与实施例1相同的荧光测试条件，在465nm光激发下，进行荧光光谱测试，结果见图3，900-1000nm波段荧光强度为31.99单位。由于实施例2晶体中Tm3+离子的浓度与对照例1中Tm3+的离子浓度基本 相同，即为～0.49mol％，可根据测得的Yb3+/Tm3+双掺杂与Tm3+单掺杂样品在的646nm波段Tm3+离子的荧光寿命τYb/Tm与τTm，由公式计算得出实施例2中Tm3+与Yb3+的转换效率约23.6％，见表1。
实施例3：
与实施例1基本相同，所不同的只是按摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TmF3+YbF3)＝1.6∶1∶2.8，并且TmF3∶YbF3＝1∶8，YF3∶(TmF3+YbF3)＝1∶0.0989，原料置于碾磨器中，碾磨混合5小时，得到均匀粉末的混合料；原料混合后置于碾磨器中，之后将管式电阻炉的炉体温度逐渐升高到770℃，通HF气体，反应时间为5小时，炉子温度950℃，接种温度820℃，固液界面的温度梯度为60℃/cm，晶体生长速度为0.6mm/h，炉温下降温度为20℃/h，得到透明的晶体。用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法分析检测晶体中Tm3+、Yb3+稀土离子的实际摩尔含量，得到x＝0.0049、y＝0.0398，晶体化学式为α-NaY0.9553Tm0.0049Yb0.0398F4单晶体，x∶y＝1∶8.1224，x+y＝0.0447，将获得的样品抛光成厚度为2毫米的薄片，晶体的X射线粉末衍射图及吸收光谱与实施例1基本相同，只是强度不同。保持与实施例1相同的荧光测试条件，在465nm光激发下，进行荧光光谱测试，结果见图3，900-1000nm波段荧光强度为69.64单位。由于实施例3晶体中Tm3+离子的浓度与对照例1中Tm3+的离子浓度基本相同，即为～0.49mol％，可根据测得的Yb3+/Tm3+双掺杂与Tm3+单掺杂样品在的646nm波段Tm3+离子的荧光寿命τYb/Tm与τTm，由公式计算得出实施例3中Tm3+与Yb3+的转换效率约42.1％，见表1。
实施例4：
与实施例1基本相同，所不同的只是按摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TmF3+YbF3)＝1.6∶1∶2.8，且TmF3∶YbF3＝1∶16，YF3∶(TmF3+YbF3)＝1∶0.2048，原料置于碾磨器中，碾磨混合5小时，得到均匀粉末的混合料；原料混合后置于碾磨器中，之后将管式电阻炉的炉体温度逐渐升高到790℃，通HF气体，反应时间为1小时，炉子温度980℃，接种温度860℃，固液界面的温度梯度为75℃/cm，晶体生长速度为0.8mm/h，炉温下降温度为30℃/h，得到透明的晶体。用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法分析检测晶体中Tm3+、Yb3+稀土离子的实际摩尔含量，得到x＝0.005、y＝0.0797，晶体化学式为α-NaY0.9153Tm0.005Yb0.0797F4单晶体，x∶y＝1∶15.94，x+y＝0.0847，将获得的样品抛光成厚度为2毫米的薄片，晶体的X射线粉末衍射图及吸收光谱与实施例1基本相同，只是强度不同。保持与实施例1相同的荧光测试条件，在465nm光激发下，进行荧光光谱测试，结果见图3，900-1000nm波段荧光强度为82.15单位。由于实施例4晶体中Tm3+离子的浓度与对照例1中Tm3+的离子浓度基本相同，即为～0.49mol％，可根据测得的Yb3+/Tm3+双掺杂与Tm3+单掺杂样品在的646nm波段Tm3+离子的荧光寿命τYb/Tm与τTm，由公式计算得出实施例4中Tm3+与Yb3+的转换 效率约73.5％，见表1。
实施例5：
与实施例1基本相同，所不同的只是按摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TmF3+YbF3)＝1.6∶1∶2.8，并且TmF3∶YbF3＝1∶20，YF3∶(TmF3+YbF3)＝1∶0.2658，原料置于碾磨器中，碾磨混合5小时，得到均匀粉末的混合料；原料混合后置于碾磨器中，之后将管式电阻炉的炉体温度逐渐升高到780℃，通HF气体，反应时间为2小时，炉子温度970℃，接种温度850℃，固液界面的温度梯度为70℃/cm，晶体生长速度为1.0mm/h，炉温下降温度为80℃/h，得到透明的晶体。用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法分析检测晶体中Tm3+、Yb3+稀土离子的实际摩尔含量，得到x＝0.0049、y＝0.0998，晶体化学式为α-NaY0.8953Tm0.0049Yb0.0998F4单晶体，x∶y＝1∶20.36，x+y＝0.1047，将获得的样品抛光成厚度为2毫米的薄片，晶体的X射线粉末衍射图及吸收光谱与实施例1基本相同，只是强度不同。保持与实施例1相同的荧光测试条件，在465nm光激发下，进行荧光光谱测试，结果见图3，900-1000nm波段荧光强度为66.70单位。由于实施例5晶体中Tm3+离子的浓度与对照例1中Tm3+的离子浓度基本相同，即为～0.49mol％，可根据测得的Yb3+/Tm3+双掺杂与Tm3+单掺杂样品在的646nm波段Tm3+离子的荧光寿命τYb/Tm与τTm，由公式计算得出实施例5中Tm3+与Yb3+的转换效率约79.1％，见表1。
实施例6：
与实施例1基本相同，所不同的只是按摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TmF3+YbF3)＝1.6∶1∶2.8，且TmF3∶YbF3＝1∶2，YF3∶(TmF3+YbF3)＝1∶0.01，原料置于碾磨器中，碾磨混合5小时，得到均匀粉末的混合料；原料混合后置于碾磨器中，之后将管式电阻炉的炉体温度逐渐升高到770℃，通HF气体，反应时间为4小时，炉子温度950℃，接种温度820℃，固液界面的温度梯度为70℃/cm，晶体生长速度为1.8mm/h，炉温下降温度为80℃/h，得到透明的晶体。用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法分析检测晶体中Tm3+、Yb3+稀土离子的实际摩尔含量，得到x＝0.0032、y＝0.0065，晶体化学式为α-NaY0.9903Tm0.0032Yb0.0065F4单晶体，x∶y＝1∶2.03，x+y＝0.0097，将获得的样品抛光成厚度为2毫米的薄片，晶体的X射线粉末衍射图及吸收光谱与实施例1基本相同，只是强度不同。保持与实施例1相同的荧光测试条件，在465nm光激发下，进行荧光光谱测试，结果见图3，900-1000nm波段荧光强度为5单位，见表1。
对照例2：
与对照例1基本相同，所不同的只是按摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TmF3)＝1.6∶1∶2.8，并且YF3∶TmF3＝1∶0.0033，得到的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶体用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法分析检测晶体中Tm3+稀土离子的实际摩尔含量，获得的晶体化学式为α -NaY99.68Tm0.32F4单晶体，获得的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶体分别经过切割，并抛光成厚度为2毫米的薄片，在465nm激发下，测定900-1000nm波段荧光光谱，所有光谱测试过程中均保持相同的实验条件，对照例2得到的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶在900-1000nm波段的荧光强度是0单位。由于实施例6晶体中Tm3+离子的浓度与对照例2中Tm3+的离子浓度基本相同，即为～0.32mol％，可根据测得的Yb3+/Tm3+双掺杂与Tm3+单掺杂样品在的646nm波段Tm3+离子的荧光寿命τYb/Tm与τTm，由公式计算得出实施例6中Tm3+与Yb3+的转换效率约6.6％，见表1。
实施例7：
与实施例1基本相同，所不同的只是按摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TmF3+YbF3)＝1.6∶1∶2.8，且TmF3∶YbF3＝1∶2，YF3∶(TmF3+YbF3)＝1∶0.15，原料置于碾磨器中，碾磨混合5小时，得到均匀粉末的混合料；原料混合后置于碾磨器中，之后将管式电阻炉的炉体温度逐渐升高到780℃，通HF气体，反应时间为5小时，炉子温度960℃，接种温度830℃，固液界面的温度梯度为70℃/cm，晶体生长速度为1.4mm/h，炉温下降温度为80℃/h，得到透明的晶体。用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法分析检测晶体中Tm3+、Yb3+稀土离子的实际摩尔含量，得到x＝0.0435、y＝0.0862，晶体化学式为α-NaY0.8703Tm0.0435Yb0.0862F4单晶体，x∶y＝1∶2.01，x+y＝0.1298，将获得的样品抛光成厚度为2毫米的薄片，晶体的X射线粉末衍射图及吸收光谱与实施例1基本相同，只是强度不同。保持与实施例1相同的荧光测试条件，在465nm光激发下，进行荧光光谱测试，结果见图3，900-1000nm波段荧光强度为8单位，见表1。
对照例3：
与对照例1基本相同，所不同的只是按摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TmF3)＝1.6∶1∶2.8，且YF3∶TmF3＝1∶0.005，得到的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶体用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法分析检测晶体中Tm3+稀土离子的实际摩尔含量，获得的晶体化学式为α-NaY95.65Tm4.35F4单晶体，获得的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶体分别经过切割，并抛光成厚度为2毫米的薄片，在465nm激发下，测定900-1000nm波段荧光光谱，所有光谱测试过程中均保持相同的实验条件，对照例3得到的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶在900-1000nm波段的荧光强度是0单位。由于实施例7晶体中Tm3+离子的浓度与对照例3中Tm3+的离子浓度基本相同，即为～4.35mol％，可根据测得的Yb3+/Tm3+双掺杂与Tm3+单掺杂样品在的646nm波段Tm3+离子的荧光寿命τYb/Tm与τTm，由公式计算得出实施例7中Tm3+与Yb3+的转换效率约8.7％，见表1。
实施例8：
与实施例1基本相同，所不同的只是按摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TmF3+YbF3)＝1.6∶1∶2.8，且TmF3∶YbF3＝1∶80，YF3∶(TmF3+YbF3)＝1∶0.15，原料置于碾磨器中，碾磨混合5小时，得到均匀粉末的混合料；原料混合后置于碾磨器中，之后将管式电阻炉的炉体温度逐渐升高到780℃，通HF气体，反应时间为3小时，炉子温度950℃，接种温度820℃，固液界面的温度梯度为75℃/cm，晶体生长速度为0.9mm/h，炉温下降温度为40℃/h，得到透明的晶体。用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法分析检测晶体中Tm3+、Yb3+稀土离子的实际摩尔含量，得到x＝0.0016、y＝0.1274，晶体化学式为α-NaY0.871Tm0.0016Yb0.1274F4单晶体，x∶y＝1∶79.625，x+y＝0.129，将获得的样品抛光成厚度为2毫米的薄片，晶体的X射线粉末衍射图及吸收光谱与实施例1基本相同，只是强度不同。保持与实施例1相同的荧光测试条件，在465nm光激发下，进行荧光光谱测试，结果见图3，900-1000nm波段荧光强度为7单位，见表1。
对照例4：
与对照例1基本相同，所不同的只是按摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TmF3)＝1.6∶1∶2.8，并且YF3∶TmF3＝1∶0.00185，得到的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶体用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法分析检测晶体中Tm3+稀土离子的实际摩尔含量，获得的晶体化学式为α-NaY99.84Tm0.16F4单晶体，获得的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶体分别经过切割，并抛光成厚度为2毫米的薄片，在465nm激发下，测定900-1000nm波段荧光光谱，所有光谱测试过程中均保持相同的实验条件，对照例4得到的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶在900-1000nm波段的荧光强度是0单位。由于实施例8晶体中Tm3+离子的浓度与对照例4中Tm3+的离子浓度基本相同，即为～0.16mol％，可根据测得的Yb3+/Tm3+双掺杂与Tm3+单掺杂样品在的646nm波段Tm3+离子的荧光寿命τYb/Tm与τTm，由公式计算得出实施例8中Tm3+与Yb3+的转换效率约82.1％，见表1。
实施例9：
与实施例1基本相同，所不同的只是按摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TmF3+YbF3)＝1.6∶1∶2.8，且TmF3∶YbF3＝1∶80，YF3∶(TmF3+YbF3)＝1∶0.01，原料置于碾磨器中，碾磨混合5小时，得到均匀粉末的混合料；原料混合后置于碾磨器中，之后将管式电阻炉的炉体温度逐渐升高到790℃，通HF气体，反应时间为1小时，炉子温度970℃，接种温度840℃，固液界面的温度梯度为65℃/cm，晶体生长速度为1.6mm/h，炉温下降温度为40℃/h，得到透明的晶体。用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法分析检测晶体中Tm3+、Yb3+稀土离子的实际摩尔含量，得到x＝0.0001、y＝0.078，晶体化学式为α-NaY0.9219Tm0.0001Yb0.078F4单晶体，x∶y＝1∶78，x+y＝0.0079，将获得的样品抛光成厚度为2毫米的薄片，晶体的X射线粉末衍射图及吸收光谱与实施例1基本相同，只是强度不同。保持与实施例1相同的荧光测试条件，在465nm光激发下，进行荧光光谱测试，结果见图3，900-1000nm波段荧光强度为3单 位，见表1。
对照例5：
与对照例1基本相同，所不同的只是按摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TmF3)＝1.6∶1∶2.8，并且YF3∶TmF3＝1∶0.000123，得到的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶体用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法分析检测晶体中Tm3+稀土离子的实际摩尔含量，获得的晶体化学式为α-NaY99.99Tm0.01F4单晶体，获得的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶体分别经过切割，并抛光成厚度为2毫米的薄片，在465nm激发下，测定900-1000nm波段荧光光谱，所有光谱测试过程中均保持相同的实验条件，对照例5得到的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶在900-1000nm波段的荧光强度是0单位。由于实施例9晶体中Tm3+离子的浓度与对照5中Tm3+的离子浓度基本相同，即为～0.01mol％，可根据测得的Yb3+/Tm3+双掺杂与Tm3+单掺杂样品在的646nm波段Tm3+离子的荧光寿命τYb/Tm与τTm，由公式计算得出实施例9中Tm3+与Yb3+的转换效率约84.2％，见表1。
实施例10：
与实施例1基本相同，所不同的只是按摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TmF3+YbF3)＝1∶1∶2.24，且TmF3∶YbF3＝1∶6，YF3∶(TmF3+YbF3)＝1∶0.0741，原料置于碾磨器中，碾磨混合5小时，得到均匀粉末的混合料；原料混合后置于碾磨器中，之后将管式电阻炉的炉体温度逐渐升高到780℃，通HF气体，反应时间为5小时，炉子温度960℃，接种温度820℃，固液界面的温度梯度为65℃/cm，晶体生长速度为1.2mm/h，炉温下降温度为80℃/h，得到透明的晶体。用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法分析检测晶体中Tm3+、Yb3+稀土离子的实际摩尔含量，得到x＝0.0089、y＝0.0598，晶体化学式为α-NaY0.9313Tm0.0089Yb0.0598F4单晶体，x∶y＝1∶6.719，x+y＝0.1197，将获得的样品抛光成厚度为2毫米的薄片，晶体的X射线粉末衍射图及吸收光谱与实施例1基本相同，只是强度不同。保持与实施例1相同的荧光测试条件，在465nm光激发下，进行荧光光谱测试，结果见图3，900-1000nm波段荧光强度为68.48单位，见表1。
对照例6：
与对照例1基本相同，所不同的只是按摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TmF3)＝1∶1∶2.24，并且YF3∶TmF3＝1∶0.0106，得到的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶体用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法分析检测晶体中Tm3+稀土离子的实际摩尔含量，获得的晶体化学式为α-NaY99.11Tm0.89F4单晶体，获得的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶体分别经过切割，并抛光成厚度为2毫米的薄片，在465nm激发下，测定900-1000nm波段荧光光谱，所有光谱测试过程中均保持相同的实验条件，对照例6得到的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶在900-1000nm波段的荧光强度是0单位。由于实施例10晶体中Tm3+离子的浓度与对照例6中Tm3+的离子浓度基 本相同，即为～0.89mol％，可根据测得的Yb3+/Tm3+双掺杂与Tm3+单掺杂样品在的646nm波段Tm3+离子的荧光寿命τYb/Tm与τTm，由公式计算得出实施例10中Tm3+与Yb3+的转换效率约48.6％，见表1。
实施例11：
与实施例1基本相同，所不同的只是按摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TmF3+YbF3)＝2.4∶1∶3.4，且TmF3∶YbF3＝1∶8，YF3∶(TmF3+YbF3)＝1∶0.0718，原料置于碾磨器中，碾磨混合6小时，得到均匀粉末的混合料；原料混合后置于碾磨器中，之后将管式电阻炉的炉体温度逐渐升高到770℃，通HF气体，反应时间为5小时，炉子温度950℃，接种温度820℃，固液界面的温度梯度为65℃/cm，晶体生长速度为1.3mm/h，炉温下降温度为20℃/h，到到透明的晶体。用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法分析检测晶体中Tm3+、Yb3+稀土离子的实际摩尔含量，得到x＝0.0068、y＝0.059，晶体化学式为α-NaY0.9342Tm0.0068Yb0.059F4单晶体，x∶y＝1∶8.67，x+y＝0.0658，将获得的样品抛光成厚度为2毫米的薄片，晶体的X射线粉末衍射图及吸收光谱与实施例1基本相同，只是强度不同。保持与实施例1相同的荧光测试条件，在465nm光激发下，进行荧光光谱测试，结果见图3，900-1000nm波段荧光强度为80.56单位，见表1。
对照例7：
与对照例1基本相同，所不同的只是按摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TmF3)＝2.4∶1∶3.4，且YF3∶TmF3＝1∶0.008，得到的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶体用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法分析检测晶体中Tm3+稀土离子的实际摩尔含量，获得的晶体化学式为α-NaY99.32Tm0.68F4单晶体，获得的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶体分别经过切割，并抛光成厚度为2毫米的薄片，在465nm激发下，测定900-1000nm波段荧光光谱，所有光谱测试过程中均保持相同的实验条件，对照例7得到的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶在900-1000nm波段的荧光强度是0单位。由于实施例11晶体中Tm3+离子的浓度与对照例7中Tm3+的离子浓度基本相同，即为～0.68mol％，可根据测得的Yb3+/Tm3+双掺杂与Tm3+单掺杂样品在的646nm波段Tm3+离子的荧光寿命τYb/Tm与τTm，由公式计算得出实施例11中Tm3+与Yb3+的转换效率约52.7％，见表1。
实施例12：
与实施例1基本相同，所不同的只是按摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TmF3+YbF3)＝2.4∶1∶2.24，并且TmF3∶YbF3＝1∶12，YF3∶(TmF3+YbF3)＝1∶0.0684，原料置于碾磨器中，碾磨混合5小时，得到均匀粉末的混合料；原料混合后置于碾磨器中，之后将管式电阻炉的炉体温度逐渐升高到780℃，通HF气体，反应时间为4小时，炉子温度950℃，接种温度820 ℃，固液界面的温度梯度为75℃/cm，晶体生长速度为1.7mm/h，炉温下降温度为50℃/h，得到透明的晶体。用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法分析检测晶体中Tm3+、Yb3+稀土离子的实际摩尔含量，得到x＝0.0048、y＝0.0588，晶体化学式为α-NaY0.9364Tm0.0048Yb0.0588F4单晶体，x∶y＝1∶12.25，x+y＝0.0636，将获得的样品抛光成厚度为2毫米的薄片，晶体的X射线粉末衍射图及吸收光谱与实施例1基本相同，只是强度不同。保持与实施例1相同的荧光测试条件，在465nm光激发下，进行荧光光谱测试，结果见图3，900-1000nm波段荧光强度为96.21单位，见表1。
对照例8：
与对照例1基本相同，所不同的只是按摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TmF3)＝2.4∶1∶2.24，且YF3∶TmF3＝1∶0.00526，得到的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶体用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法分析检测晶体中Tm3+稀土离子的实际摩尔含量，获得的晶体化学式为α-NaY99.52Tm0.48F4单晶体，获得的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶体分别经过切割，并抛光成厚度为2毫米的薄片，在465nm激发下，测定900-1000nm波段荧光光谱，所有光谱测试过程中均保持相同的实验条件，对照例8得到的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶在900-1000nm波段的荧光强度是0单位。由于实施例12晶体中Tm3+离子的浓度与对照例8中Tm3+的离子浓度基本相同，即为～0.48mol％，可根据测得的Yb3+/Tm3+双掺杂与Tm3+单掺杂样品在的646nm波段Tm3+离子的荧光寿命τYb/Tm与τTm，由公式计算得出实施例12中Tm3+与Yb3+的转换效率约63.4％，见表1。
实施例13：
与实施例1基本相同，所不同的只是按摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TmF3+YbF3)＝1∶1∶3.4，并且TmF3∶YbF3＝1∶20，YF3∶(TmF3+YbF3)＝1∶0.0672，原料置于碾磨器中，碾磨混合5小时，得到均匀粉末的混合料；原料混合后置于碾磨器中，之后将管式电阻炉的炉体温度逐渐升高到800℃，通HF气体，反应时间为4小时，炉子温度980℃，接种温度850℃，固液界面的温度梯度为65℃/cm，晶体生长速度为1.2mm/h，炉温下降温度为80℃/h，得到透明的晶体。用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法分析检测晶体中Tm3+、Yb3+稀土离子的实际摩尔含量，得到x＝0.0029、y＝0.0589，晶体化学式为α-NaY0.9382Tm0.0029Yb0.0589F4单晶体，x∶y＝1∶20.31，x+y＝0.0618，将获得的样品抛光成厚度为2毫米的薄片，晶体的X射线粉末衍射图及吸收光谱与实施例1基本相同，只是强度不同。保持与实施例1相同的荧光测试条件，在465nm光激发下，进行荧光光谱测试，结果见图3，900-1000nm波段荧光强度为84.41单位，见表1。
对照例9：
与对照例1基本相同，所不同的只是按摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TmF3)＝1∶1∶3.4， 且YF3∶TmF3＝1∶0.0032，得到的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶体用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法分析检测晶体中Tm3+稀土离子的实际摩尔含量，获得的晶体化学式为α-NaY99.71Tm0.29F4单晶体，获得的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶体分别经过切割，并抛光成厚度为2毫米的薄片，在465nm激发下，测定900-1000nm波段荧光光谱，所有光谱测试过程中均保持相同的实验条件，对照例9得到的Tm3+单掺杂α-NaYF4单晶在900-1000nm波段的荧光强度是0单位。由于实施例2晶体中Tm3+离子的浓度与对照例1中Tm3+的离子浓度基本相同，即为～0.29mol％，可根据测得的Yb3+/Tm3+双掺杂与Tm3+单掺杂样品在的646nm波段Tm3+离子的荧光寿命τYb/Tm与τTm，由公式计算得出实施13中Tm3+与Yb3+的转换效率约73.7％，见表1。
表1为对照例1及实施例1-13的900-1000nm荧光性能参数(465nm激发下)

Claims (3)

1.用于太阳光谱调制的Tm3+/Yb3+双掺杂α-NaYF4单晶体，其特征在于该晶体的化学式为α-NaY(1-x-y)TmxYbyF4，其中x、y分别为Tm3+、Yb3+置换Y的摩尔比，0.01≤x+y≤0.15，所述的x、y的比例为x∶y＝1∶2～80。
2.如权利要求1所述的用于太阳光谱调制的Tm3+/Yb3+双掺杂α-NaYF4单晶体的制备方法，其特征在于具体步骤如下：
1)、将NaF、KF、YF3、TmF3、YbF3按摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TmF3+YbF3)＝1～2.4∶1∶2.24～3.4，且TmF3∶YbF3＝1∶2～80，YF3∶(TmF3+YbF3)＝1∶0.01～0.15混合，置于碾磨器中，碾磨混合5～6h，得到均匀粉末的混合料；
2)、将上述混合料置于舟形铂金坩埚中，再安装于管式电阻炉的铂金管道中，然后先用N2气排除铂金管道中的空气，再在温度770～800℃，通HF气下，反应处理1～5小时，反应处理结束，关闭HF气体与管式电阻炉，用N2气清洗管道中残留的HF气体，得到多晶粉料；
3)、以KF作为助熔剂，采用密封坩埚下降法进行晶体生长，将上述多晶粉料置于碾磨器磨成粉末，然后置于Pt坩埚中并压实，密封Pt坩埚；
4)、将密封的Pt坩埚置于硅钼棒炉中，用坩埚下降法生长晶体，生长晶体的参数为：炉体温度为950～980℃，接种温度为810～860℃，固液界面的温度梯度为60～80℃/cm，坩埚下降速度为0.2～2.0mm/h，在晶体生长结束后，以20～80℃/h下降炉温至室温，得到Tm3+/Yb3+双掺杂α-NaYF4单晶体。
3.根据权利要求2所述的用于太阳光谱调制的Tm3+/Yb3+双掺杂α-NaYF4单晶体的制备方法，其特征在于所述的步骤1)中NaF、KF、YF3、TmF3和YbF3的纯度均大于99.99％。
CN201410556999.8A 2014-10-15 2014-10-15 用于太阳光谱调制的Tm3+/Yb3+双掺杂α‑NaYF4单晶体及其制备方法 Expired - Fee Related CN104342754B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410556999.8A CN104342754B (zh) 2014-10-15 2014-10-15 用于太阳光谱调制的Tm3+/Yb3+双掺杂α‑NaYF4单晶体及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410556999.8A CN104342754B (zh) 2014-10-15 2014-10-15 用于太阳光谱调制的Tm3+/Yb3+双掺杂α‑NaYF4单晶体及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104342754A CN104342754A (zh) 2015-02-11
CN104342754B true CN104342754B (zh) 2017-01-18

Family

ID=52499182

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410556999.8A Expired - Fee Related CN104342754B (zh) 2014-10-15 2014-10-15 用于太阳光谱调制的Tm3+/Yb3+双掺杂α‑NaYF4单晶体及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104342754B (zh)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102585829A (zh) * 2011-12-15 2012-07-18 上海华明高纳稀土新材料有限公司 红外上转化稀土发光材料及其制备方法
CN102817076A (zh) * 2012-07-16 2012-12-12 宁波大学 用于太阳光谱调制的Pr/Yb掺杂氟化钇锂单晶体及制备方法
CN102978701A (zh) * 2012-11-28 2013-03-20 宁波大学 一种Er3+/ Yb3+共掺杂氟化钇锂单晶体及其制备方法
CN102978700A (zh) * 2012-11-28 2013-03-20 宁波大学 一种Er3+/Pr3+共掺杂氟化钇锂单晶体及其制备方法
CN103014854A (zh) * 2012-11-28 2013-04-03 宁波大学 一种Ho3+/Pr3+共掺杂氟化钇锂单晶体及其制备方法
CN103194797A (zh) * 2013-04-16 2013-07-10 宁波大学 一种用于白光LED的Tm3+/Dy3+掺杂LiYF4单晶体及其制备方法
CN103757698A (zh) * 2014-02-20 2014-04-30 宁波大学 一种Er3+/Yb3+双掺杂NaYF4上转换发光单晶体及其生长方法
CN103757700A (zh) * 2014-02-20 2014-04-30 宁波大学 一种用于太阳光谱调制的Tb3+/Yb3+双掺杂氟化镥锂单晶体及其制备方法
CN103774221A (zh) * 2014-02-20 2014-05-07 宁波大学 一种掺铥氟化钇钠激光晶体及其制备方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102585829A (zh) * 2011-12-15 2012-07-18 上海华明高纳稀土新材料有限公司 红外上转化稀土发光材料及其制备方法
CN102817076A (zh) * 2012-07-16 2012-12-12 宁波大学 用于太阳光谱调制的Pr/Yb掺杂氟化钇锂单晶体及制备方法
CN102978701A (zh) * 2012-11-28 2013-03-20 宁波大学 一种Er3+/ Yb3+共掺杂氟化钇锂单晶体及其制备方法
CN102978700A (zh) * 2012-11-28 2013-03-20 宁波大学 一种Er3+/Pr3+共掺杂氟化钇锂单晶体及其制备方法
CN103014854A (zh) * 2012-11-28 2013-04-03 宁波大学 一种Ho3+/Pr3+共掺杂氟化钇锂单晶体及其制备方法
CN103194797A (zh) * 2013-04-16 2013-07-10 宁波大学 一种用于白光LED的Tm3+/Dy3+掺杂LiYF4单晶体及其制备方法
CN103757698A (zh) * 2014-02-20 2014-04-30 宁波大学 一种Er3+/Yb3+双掺杂NaYF4上转换发光单晶体及其生长方法
CN103757700A (zh) * 2014-02-20 2014-04-30 宁波大学 一种用于太阳光谱调制的Tb3+/Yb3+双掺杂氟化镥锂单晶体及其制备方法
CN103774221A (zh) * 2014-02-20 2014-05-07 宁波大学 一种掺铥氟化钇钠激光晶体及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104342754A (zh) 2015-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102978701B (zh) 一种Er3+/Yb3+共掺杂氟化钇锂单晶体及其制备方法
CN103194797B (zh) 一种用于白光LED的Tm3+/Dy3+掺杂LiYF4单晶体及其制备方法
CN102978700B (zh) 一种Er3+/Pr3+共掺杂氟化钇锂单晶体及其制备方法
CN103774222B (zh) 一种用于白光LED的Eu3+/Dy3+掺杂NaYF4单晶体及其制备方法
CN108585853A (zh) 一种铕掺杂氧化钪闪烁体及其制备方法和用途
CN103757698A (zh) 一种Er3+/Yb3+双掺杂NaYF4上转换发光单晶体及其生长方法
CN102817076A (zh) 用于太阳光谱调制的Pr/Yb掺杂氟化钇锂单晶体及制备方法
CN103774221A (zh) 一种掺铥氟化钇钠激光晶体及其制备方法
CN103014854B (zh) 一种Ho3+/Pr3+共掺杂氟化钇锂单晶体及其制备方法
CN104386730B (zh) 一种Ho3+/Yb3+双掺杂α-NaYF4激光晶体及其制备方法
CN102515550B (zh) 近红外量子剪裁下转换发光透明玻璃陶瓷及其制备方法
CN104342754B (zh) 用于太阳光谱调制的Tm3+/Yb3+双掺杂α‑NaYF4单晶体及其制备方法
CN102140692B (zh) 钬镱双掺铌酸钾锂单晶及其制备方法
CN103541015A (zh) 一种具有中红外发光性能的晶体材料及其制备方法
CN103757700A (zh) 一种用于太阳光谱调制的Tb3+/Yb3+双掺杂氟化镥锂单晶体及其制备方法
CN103757699B (zh) 一种铕离子掺杂氟化钆钠光学晶体及其制备方法
CN102586871A (zh) 一种具有1-3微米超宽带发光的含铋晶体及其制备方法
CN103774211B (zh) 一种铽镱稀土离子双掺杂氟化镥钆锂上转换发光晶体及其制备方法
CN108192600B (zh) 一种Eu-Nd-Yb共掺杂铝酸锶高效宽谱量子剪裁发光材料
CN104313689B (zh) 用于白光LED的Tb3+/Eu3+/Tm3+三掺杂α‑NaYF4单晶体及其制备方法
Jing-Xin et al. Cooperative quantum cutting of nano-crystalline BaF2: Tb3+, Yb3+ in oxyfluoride glass ceramics
CN103820853A (zh) 一种用于白光led的掺镝氟化钇钆锂单晶体及其生长方法
CN103820854A (zh) 一种Ce3 +离子掺杂氟化钆锂紫外激光晶体及其制备方法
CN103451735A (zh) Ⅴ-ⅵ主族金属化合物激光晶体及其制备方法
CN105780117A (zh) 一种Er3+/Pr3+共掺杂Na5Lu9F32单晶体及其生长方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170118

Termination date: 20191015