CN104333351B - 一种带复位结构的高速主从型d触发器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种带复位结构的高速主从型D触发器,包括主锁存器、从锁存器和用于复位上拉PMOS管。本发明对传统带复位结构的主从型DFF理论分析影响建立保持时间的因素,进行结构改进和参数优化,降低DFF的建立保持时间,提高DFF的性能,在保持电路工作稳定性的同时提高了DFF的工作速度,从而提高数字系统电路的工作频率。与传统主从式DFF触发器电路相比,本发明结构的DFF建立保持时间之和降低了近63%,有明显优势。此外,相对于传统DFF,本发明结构版图面积大大降低,因此本发明结构的DFF电路兼顾了速度和面积两个优势。
Description
技术领域
本发明设计一种带有复位结构的高速主从型D触发器,属于数字信号技术领域。
背景技术
随着CMOS集成电路技术的飞速发展,单个芯片上集成规模越来越大,而且时钟频率飞速增加,对各种电路的速度有着较高的要求。计时、计数数字电路作为集成系统中几乎是必不可少的一部分,其速度直接影响系统性能。由于VLSI技术的不断进步,数字系统的运行速度要求不断提高。触发器是数字系统中常用的一种元器件,其性能对整个系统的性能影响很大。目前许多触发器研究和应用中都是以D触发器为基础进行的,对DFF的速度有更高的要求。
时间-数字转换电路(TDC)就是一种重要的计时电路,其组成主要是计数器,计数器通过统计固定周期脉冲信号的周期个数,该数值与周期相乘,实现时间的数字量化,计数器主要由D触发器并配以少量的组合逻辑门电路组成。传统的同步或异步加法计数器加法,受进位链延迟的限制,当计数位数增加,计数器难以工作在高频计数时钟下。目前,高速高精度计数器的应用场合日渐增多,如果将面积因素考虑在内,普通的加减法计数器均不能满足要求。
线性反馈移位计数器(LFSR)是一种重要的计数电路,尤其是在高速集成电路领域备受青睐。LFSR计数器,其只用到了D触发器和异/同或门,所以延时不依赖于计数器的位数,仅与单个DFF与同或门的延时相关。普通的DFF因建立保持时间较长,随之带来的问题就是计数器的速度下降以及误码率的增加。
数字集成电路中,D触发器种类繁多,按照逻辑功能的不同,触发器可分为RS,JK、D和T触发器等多种类型,按照电路结构的不同,又可分为主从型结构、灵敏放大器型结构和维持阻塞结构等。不同类型的D触发器,性能优越性侧重点也各不相同。实际工作中,因TDC工作频率通常较高,且数据锁存时刻的随机性,不可避免的出现时钟信号沿与结点状态的跳变沿过分靠近。在这两种条件因素的共同影响下,结合DFF的建立、保持时间较大这一内因,导致数据锁存的误码率增加,限制了电路可靠性的提高。在DFF的相关参数中,建立、保持时间是最为重要的两个参数,也是影响DFF可靠性的关键参数,低建立、保持时间的设计对DFF进行数据快速存储应用十分重要。
发明内容
发明目的:针对上述存在的不足,本发明提供一种带有复位结构的高速主从型D触发器,降低D触发器的建立保持时间,保证了较小的版图面积。
技术方案:为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:
一种带复位结构的高速主从型D触发器,包括结构相同的主锁存器和从锁存器;其中主锁存器包括第一传输门TG1,第一反相器INV3,第一PMOS管MP1,第一反馈INV1;从锁存器包括:第二传输门TG2,第二反相器INV4,第二PMOS管MP2,第二反馈INV2;
所述第一传输门TG1包括一号PMOS管和一号NMOS管;一号POMS管的源极连接一号NMOS管的源极作为第一传输门的输入;一号PMOS管的漏极连接一号NMOS管的漏极作为第一传输门的输出,所述第一传输门的输出端连接到第一反相器INV3的输入端;
所述第一反相器INV3包括二号PMOS管和二号NOMS管,其中二号PMOS管的栅极连接二号NMOS管的栅极形成反相器的输入;二号PMOS管的漏极连接二号NMOS管的漏极形成反相器的输出;所述第一反相器INV3的输出连接到从锁存器中的第二传输门TG2的输入端;二号PMOS管的源极连接电源VDD,二号NMOS管的漏极接地;
所述第一PMOS管MP1,它的源极连接电源,栅极连接复位信号RB,漏极连接第一反相器INV3的输入端;
所述第一反馈INV1采用三态门,其输入端连接第一反相器INV3的输出端,输出端连接第一反相器INV3的输入端;
其中所述第一传输门TG1中的一号PMOS管的栅极连接第二时钟信号CKP,一号NMOS管的栅极连接第一时钟信号CKB;其中第二传输门TG2中的PMOS管的栅极连接第一时钟信号CKB,NMOS管的栅极连接第二时钟信号CKP;所述第一反馈INV1的第一控制信号端连接第一时钟信号CKB,第二控制信号端连接第二时钟信号CKP;所述第二反馈INV2中的第一控制信号端连接第二时钟信号CKP,第二控制信号端连接第一时钟信号CKB;
第一时钟信号CKB是时钟信号CK经过第三反相器INV5的输出信号,第二时钟信号CKP是第一时钟信号CKB经过第四反相器INV6的输出信号;第三反相器INV5由三号PMOS管和三号NMOS管构成,三号PMOS管的栅极连接三号NMOS管的栅极形成第三反相器INV5输入端,三号PMOS管的漏极连接三号NMOS管的漏极形成第三反相器INV5输出端,并且输出端连接到第四反相器INV6的输入端;三号PMOS管的源极连接电源VDD,三号NMOS管的漏极接地;第四反相器INV6的结构与第三反相器INV5结构相同。
进一步的,第二PMOS管MP2的尺寸是二号NMOS管的尺寸4-6倍。
有益效果:
(1)现有的主从型D触发器结构中,由于采用与非门复位方式,而与非门的延迟时间较大,大大增加了DFF的建立保持时间。本发明中复位信号为低电平有效,因此将复位结构直接采用PMOS上拉开关管可以减少建立保持时间;并且不采用NMOS下拉开关管,否则还需增加反相器,就会带来面积的增加。
(2)与现有技术中的反相器加传输门的结构相比,使用三态门作为反馈不仅可节省部分面积,而且源漏共享可以降低版图互连线的寄生电容,从而降低逻辑门电路的传输延迟。
(3)与现有的主从型D触发器相比,本发明提出的一种D触发器,结构更为精简,建立保持时间更低,版图面积更小,复位结构简单,更适用于在高速计数器的使用。
(4)第二PMOS管MP2的尺寸是二号NMOS管的尺寸4-6倍。若小于4倍,则会因为第一反相器INV3的二号NMOS放电太快,使得第二反相器INV4的输入端为低电平;若大于6倍,则会带来相应的寄生电容较大,影响速度。
附图说明
图1为数字单元库中传统带复位结构的D触发器。
图2为结构精简用与非门复位的D触发器。
图3为进一步改进主从型D触发器。
图4为两种形式的三态门电路结构。
图5为建立保持时间仿真方法示意图。
图6为高低电平建立保持时间情况。
图7为D触发器工作时序图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作更进一步的说明。
一种带复位结构的高速主从型D触发器,包括结构相同的主锁存器和从锁存器;其中主锁存器包括第一传输门TG1,第一反相器INV3,第一PMOS管MP1,第一反馈INV1;从锁存器包括:第二传输门TG2,第二反相器INV4,第二PMOS管MP2,第二反馈INV2;
第一传输门TG1包括一号PMOS管和一号NMOS管;一号POMS管的源极连接一号NMOS管的源极作为第一传输门的输入;一号PMOS管的漏极连接一号NMOS管的漏极作为第一传输门的输出,第一传输门的输出端连接到第一反相器INV3的输入端;
第一反相器INV3包括二号PMOS管和二号NOMS管,其中二号PMOS管的栅极连接二号NMOS管的栅极形成反相器的输入;二号PMOS管的漏极连接二号NMOS管的漏极形成反相器的输出;第一反相器INV3的输出连接到从锁存器中的第二传输门TG2的输入端;二号PMOS管的源极连接电源VDD,二号NMOS管的漏极接地;
第一PMOS管MP1,它的源极连接电源,栅极连接复位信号RB,漏极连接第一反相器INV3的输入端;
第一反馈INV1采用三态门,其输入端连接第一反相器INV3的输出端,输出端连接第一反相器INV3的输入端;
其中第一传输门TG1中的一号PMOS管的栅极连接第二时钟信号CKP,一号NMOS管的栅极连接第一时钟信号CKB;其中第二传输门TG2中的PMOS管的栅极连接第一时钟信号CKB,NMOS管的栅极连接第二时钟信号CKP;第一反馈INV1的第一控制信号端连接第一时钟信号CKB,第二控制信号端连接第二时钟信号CKP;第二反馈INV2中的第一控制信号端连接第二时钟信号CKP,第二控制信号端连接第一时钟信号CKB;
第一时钟信号CKB是时钟信号CK经过第三反相器INV5的输出信号,第二时钟信号CKP是第一时钟信号CKB经过第四反相器INV6的输出信号;第三反相器INV5由三号PMOS管和三号NMOS管构成,三号PMOS管的栅极连接三号NMOS管的栅极形成第三反相器INV5输入端,三号PMOS管的漏极连接三号NMOS管的漏极形成第三反相器INV5输出端,并且输出端连接到第四反相器INV6的输入端;三号PMOS管的源极连接电源VDD,三号NMOS管的漏极接地;第四反相器INV6的结构与第三反相器INV5结构相同。
首先需要针对传统的主从型DFF电路结构,分析清楚建立、保持时间形成的机理,以及在特定建立、保持时间下形成误码的机制,找到不发生误码的工作条件,并通过仿真测试获得DFF建立保持时间的仿真结果,与理论分析进行对比。在此基础上,提出降低建立保持时间的DFF结构设计,再进行结构改进和参数优化,以获得满足要求D触发器。
建立时间(setup time)是指在触发器的时钟信号上升沿到来以前,数据稳定不变的时间,如果建立时间不够,数据将不能在这个时钟上升沿被写入触发器;保持时间(holdtime)是指在触发器的时钟信号上升沿来以后,数据稳定不变的时间,如果保持时间不够,数据同样不能被写入触发器。对于不同的结构,其产生建立、保持时间的机理不同。
如图1所示主从型DFF结构,其建立时间由主锁存器Latch的相关延迟时间决定,即输入信号经过4个门的延迟传输后,以输入信号反相的形式建立在与非门NAND1的输出端。此时,当时钟沿信号达到,使第四传输门TG4导通后,该传输门两端的电压值相等,因此Latch环路可立刻将环路中的结点状态锁存。数据稳定不变的时间在时钟沿到来前的4个门延迟时间以上,就可确保数据锁存无误,由此得到该电路的建立时间为:
Tsetup=tinv7+ttg3+tinv8+tnand1 (1)
其中Tsetup是建立时间,tinv7信号经过第七反相器INV7的时间,ttg3信号经过第三传输门TG3的时间,tinv8信号经过第八反相器INV8的时间,tnand1信号经过与非门NAND1的时间;
根据电路时序上主、从锁存器配合的工作方式,当DFF满足建立时间的要求后,第一级主锁存Latch构成闭环(保存状态)并与外部输入断开,此时输入端口可以随意变化,无需继续保持原有的状态,因为当第一级的主锁存与外部断开后,外部的输入信号无论如何变化,不会被读入到主锁存器中,因此可以随意变化。同时主锁存断开后,从所存器工作,可将主锁存的数据传输到Q端;保持时间Thold=0。因此,对于主从式Latch构成的电路结构,其保持时间通常可以减小到0。
根据上述分析,减小D触发器建立、保持时间,可从两方面考虑,一是结构上的精简,减少主回路上反相器和传输门的个数,根据公式(1)可以有效地降低建立保持时间;二是参数上的优化,在结构精简的基础上,优化反相器或传输门中MOS管的宽长比,可以有效的减小节点寄生电容,从而降低传输延迟,达到降低建立、保持时间的目的。
如图2所示,因为电路结构中减少了一个反相器,因此建立时间随之减少一个反相器的延迟(对于TSMC 0.35μm工艺下,一个反相器的的延迟约为60-70ps),建立保持时间的公式,修改为式(2):
Tsetup=ttg3+tnand1+tinv7 (2)
图2所示D触发器电路结构中,由于采用与非门复位方式,而与非门的延迟时间较大,大大增加了DFF的建立保持时间。复位信号为低电平有效,本发明将复位结构采用PMOS上拉开关管,而不采用NMOS下拉开关管,否则还需增加反相器,就会带来面积的增加。
如图3所示的D触发器结构:工作原理如下,当复位信号RB为高电平时,第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2关断,主锁存器和从锁存器正常工作,锁存数据,当复位信号RB为低电平时,第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2导通,强制第一反相器INV3和第二反相器INV4的输入端为“1”,使输入端Q为“0”,到达复位目的。带复位结构DFF将建立保持时间又缩小了一个与非门的延迟,建立保持时间变为式(3)。而且MOS管的个数减少2个,面积也得到了缩减。但结构上的更改,可能会带来一些性能上不稳定的,因此在实际使用中,要格外注意,通过合理设计MOS管参数,完全可以将不稳定因素降到最低。
Tsetup=ttg1+tinv3 (3)
其中tinv3信号经过第一反相器INV3的时间,ttg1信号经过第一传输门TG1的时间;
如图3所示的DFF,当复位信号RB低电平有效时,第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2同时导通,使得第二传输门TG2左端为低电平,右端为高电平,如果此时第二传输门TG2导通,那么第二PMOS管MP2灌入的电流一部分就会通过第二传输门TG2和第一反相器INV3中的二号NMOS管流向地,在本发明中如果第二PMOS管MP2尺寸偏小,而第一反相器INV3中二号NMOS管尺寸偏大,就会造成第二反相器INV4输入节点被拉低,使得无法正常复位,或者复位时间较长。
由于NMOS管的迁移率是PMOS管的2-3倍,电流相等的时候,PMOS管的尺寸应该是NMOS管尺寸的2-3倍,为了避免本发明中第二PMOS管MP2尺寸偏小,第一反相器INV3中二号NMOS管尺寸偏大,造成第二反相器INV4输入节点被拉低,使得无法正常复位,或者复位时间较长问题的发生,因此必须将第二PMOS管MP2的尺寸放大,令其是第一反相器INV3中二号NMOS管的尺寸4-6倍;若放大的尺寸小于4倍,则会因为第一反相器INV3的二号NMOS放电太快,使得第二反相器INV4的输入端为低电平;若放大的尺寸大于6倍,则会带来相应的寄生电容较大,影响速度为了减小DFF的建立保持时间。第一反相器INV3延迟亦较低,所以第一反相器INV3中MOS管尺寸亦较小,以较小输出节点寄生电容。以TSMC 0.35μm工艺为例,所有MOS管取最小栅长0.35μm,第一反相器INV3中二号NMOS管栅宽取1μm,那么第二PMOS管MP2的栅宽取4-6μm,在保证可以成功复位的同时,亦不会增加面积。
图3所示的DFF中,主锁存器和从锁存器中,反馈支路上第一反馈INV1和第二INV2均采用了三态门结构,其MOS管级电路如图4所示。
图4所示的三态门中,两PMOS管共用1次源漏、两NMOS管共用1次源漏,即共用2次源漏,在相同的宽长比(W/L)条件下,与反相器加传输门的结构相比,不仅可节省部分面积,而且源漏共享可以降低版图互连线的寄生电容,从而降低逻辑门电路的传输延迟。
图4中的时钟Clkb信号为时钟信号clk经过反相器后的信号,数据信号D在三态门中使能信号Clk与Clkb有效时,进行数据传输,输出数据Y。
图4中的两种不同结构的三态门,门控开关频率超过数据变化频率时,则选取更快变化的传输门开关更靠近输出端口的结构;相反,则选取变化更快的数据控制的PUN和PDN管更靠近输出端口的结构。在TDC中,通常时钟频率变化更快,选择图4中的第一种结构。在构成线性反馈移位计数器时,需要将DFF进行级联,本级DFF在复位过程中,第一PMOS管MP1会通过第一传输门TG1与上一级的DFF发生上述分析情况,因此第一PMOS管MP1管的尺寸设计需参考MP2管尺寸的设计考虑。
上述分析是对传统型带复位结构的DFF进行结构上的精简和改进,对于具体参数的优化和选择,需要通过软件的仿真。因此下面介如何仿真DFF的建立保持时间。
根据建立时间(setup time)的定义,其仿真方法是在D边沿信号到来后,产生CK沿信号,通过调节D-CK的时间间隔,使其不断接近建立时间,直到CK信号无法正确触发输入状态为止。如图5(e)所示为仿真建立时间时的D、CK输入信号。
根据保持时间(hold time)的定义,其仿真方法是在D边沿信号变化之前,产生CK沿信号,通过调节CK-D的时间间隔,使其不断接近保持时间,直到CK信号无法正确触发输入状态为止。
如图5(f)所示为仿真保持时间时的D、CK输入波形。若D、CK信号不满足建立、保持时间的时序关系,则输出Q端会产生错误。当输入数据频率提高时,建立、保持时间在整个数据周期中所占比重增大,更容易出现误码情况。
DFF的建立保持时间在锁存高电平和低电平时都会存在建立、保持时间的问题,但是其中会有一定的联系。如图6所示,为四种建立保持时间的呈现方式。虽然建立保持时间存在四种呈现方式,但实际上它们是成对出现的。以(a)、(b)情况为例,当高电平的建立时间Trisesetup>0时,若时钟信号CK与输入信号D不满足Trisesetup,则Q端会输出低电平,导致数据锁存错误,在这种情况下,高电平的保持时间Tfallhold=0;当Tfallhold>0时,若CK与D信号不满足Tfallhold,则Q端会输出高电平,导致数据锁存错误,在这种情况下,Trisesetup=0。可以看出Trisesetup、Tfallhold之间存在一定的关系,两者不会同时存在,其中必有一个为0或两个都为0。(c)、(d)的情况与(a)、(b)相同,也具有上述关系。
根据公式(3),参数上的优化,主要是降低第一传输门TG1和第一反相器INV3的延迟,首先降低其自身的内部扩散电容、互连线电容和扇出电容,细致的版图设计有助于减少扩散电容和互连线电容;其次是增加晶体管的宽长比,增加充放电电流,但是增加晶体管尺寸也增加了扩散电容,因而增加了负载电容,一旦本征电容(即扩散电容)超过由连线和扇出形成的外部负载,增加门的尺寸就不再有助于减小延迟,参数优化必须参考以上两点,通过软件的仿真,以及合理的版图布局,最终确定带复位结构的低建立、保持时间的高速D触发器。
以TSMC 0.35μm工艺为仿真工艺库文件,对本发明提出的DFF进行仿真验证,其中数据信号频率为250MHz,时钟信号为100MHz,仿真结果如图7所示,当复位信号RB为高电平时,D触发器正常锁存数据,当RB变为低电平时,输出Q端复位,输出“0”。依次对图1主从型DFF,图2主从型DFF1和图3主从型DFF2所示的D触发器结构进行建立、保持时间的仿真对比,以及所用MOS管个数的对比,如表1所示。
表1 触发器建立保持时间比较
从表中数据计算可得,与数字单元库中传统DFF触发器电路相比,主从型DFF1,建立、保持时间之和降低了近66%,最终改进结构的DFF2与之相比,建立、保持时间之和降低了近63%,由此可见,本发明相比于传统的带复位结构的DFF相比,建立、保持时间有明显优势,但DFF1和DFF2的建立、保持时间基本一样,然而,表1中数据也表明本发明最终所提出的DFF2具有更少的晶体管数,大大降低的版图面积,因此本发明最终提出的DFF2兼顾了面积和低建立保持时间两个优势。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (1)
1.一种带复位结构的高速主从型D触发器,其特征在于:包括结构相同的主锁存器和从锁存器;其中主锁存器包括第一传输门TG1,第一反相器INV3,第一PMOS管MP1,第一反馈INV1;从锁存器包括:第二传输门TG2,第二反相器INV4,第二PMOS管MP2,第二反馈INV2;
所述第一传输门TG1包括一号PMOS管和一号NMOS管;一号POMS管的源极连接一号NMOS管的源极作为第一传输门的输入;一号PMOS管的漏极连接一号NMOS管的漏极作为第一传输门的输出,所述第一传输门的输出端连接到第一反相器INV3的输入端;
所述第一反相器INV3包括二号PMOS管和二号NOMS管,其中二号PMOS管的栅极连接二号NMOS管的栅极形成反相器的输入;二号PMOS管的漏极连接二号NMOS管的漏极形成反相器的输出;所述第一反相器INV3的输出连接到从锁存器中的第二传输门TG2的输入端;二号PMOS管的源极连接电源VDD,二号NMOS管的漏极接地;
所述第一PMOS管MP1,它的源极连接电源,栅极连接复位信号RB,漏极连接第一反相器INV3的输入端;
所述第一反馈INV1采用三态门,其输入端连接第一反相器INV3的输出端,输出端连接第一反相器INV3的输入端;
其中所述第一传输门TG1中的一号PMOS管的栅极连接第二时钟信号CKP,一号NMOS管的栅极连接第一时钟信号CKB;其中第二传输门TG2中的PMOS管的栅极连接第一时钟信号CKB,NMOS管的栅极连接第二时钟信号CKP;所述第一反馈INV1的第一控制信号端连接第一时钟信号CKB,第二控制信号端连接第二时钟信号CKP;所述第二反馈INV2中的第一控制信号端连接第二时钟信号CKP,第二控制信号端连接第一时钟信号CKB;
第一时钟信号CKB是时钟信号CK经过第三反相器INV5的输出信号,第二时钟信号CKP是第一时钟信号CKB经过第四反相器INV6的输出信号;第三反相器INV5由三号PMOS管和三号NMOS管构成,三号PMOS管的栅极连接三号NMOS管的栅极形成第三反相器INV5输入端,三号PMOS管的漏极连接三号NMOS管的漏极形成第三反相器INV5输出端,并且输出端连接到第四反相器INV6的输入端;三号PMOS管的源极连接电源VDD,三号NMOS管的漏极接地;第四反相器INV6的结构与第三反相器INV5结构相同;
第二PMOS管MP2的尺寸是二号NMOS管的尺寸4-6倍。
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CN104333351A (zh) | 2015-02-04 |
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