CN104264210B - 一种超细颗粒金刚石单晶的合成方法 - Google Patents

一种超细颗粒金刚石单晶的合成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104264210B
CN104264210B CN201410463444.9A CN201410463444A CN104264210B CN 104264210 B CN104264210 B CN 104264210B CN 201410463444 A CN201410463444 A CN 201410463444A CN 104264210 B CN104264210 B CN 104264210B
Authority
CN
China
Prior art keywords
ultra
pressure
single crystal
fine grain
power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410463444.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104264210A (zh
Inventor
张存升
邵增明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Henan Power Diamond Co Ltd
Original Assignee
Henan Power Diamond Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Henan Power Diamond Co Ltd filed Critical Henan Power Diamond Co Ltd
Priority to CN201410463444.9A priority Critical patent/CN104264210B/zh
Publication of CN104264210A publication Critical patent/CN104264210A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104264210B publication Critical patent/CN104264210B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

本发明公开了一种超细颗粒金刚石单晶的合成方法,包括原料石墨粉和触媒粉末的混合、混合原料置于三维混料机中混合、等静压处理、处理后进行造粒、颗粒混合物料装入模具、利用四柱压机压制成柱状芯柱、成型后的芯柱放入真空炉中处理、处理后的芯柱放入金刚石合成块中,合成块放入六面顶压机高温高压合成超细颗粒金刚石单晶产品。本发明采用的触媒粉末为Ni基合金触媒粉末。利用本发明可制备超细颗粒的金刚石单晶,合成的400目以细超细颗粒金刚石含量达90%以上,晶形完整率达85%以上;有效地解决了现有技术难以合成超细颗粒金刚石的不足;金刚石晶型完整,纯净度高、热冲值达80~87%。

Description

一种超细颗粒金刚石单晶的合成方法
技术领域
本发明涉及金刚石的合成技术领域,特别是涉及一种超细颗粒金刚石单晶的合成方法。
背景技术
金刚石单晶作为当今的超硬精细磨料,广泛应用于机械、电子、航天、光学仪器、石油、军工等技术领域和部门。目前,随着尖端科技和高端制造业发展的需要,许多精密器件的表面光洁度都要求很高,比如电脑磁盘、磁头、光通信器件、光学晶体、半导体基片等器件,都需要精密的抛光加工,如果表面有任何超出许可范围的凸凹、划伤或者附着异物,所设计的精度及性能将得不到保证。超细金刚石单晶尤其是400目以细金刚石作为超精细加工的磨料,其晶形规则完整,热稳定性高;不易划伤工件表面,能满足最苛刻的加工要求,在加工精度及加工效率方面较普通破碎微粉具有明显优势,是超精、超细加工不可替代的理想材料。
但是,目前在400目以细超细金刚石单晶合成方面,我国尚存在一定的技术困难,细颗粒金刚石单晶主要在200目以粗,且晶形完整度差,一般为30~40%。现工业上所需的400目以下的超细颗粒金刚石,几乎都是以机械方法破碎成细颗粒的金刚石来制备。这样的方法需要花费大量的人力、物力和时间,而且经过破碎的金刚石,尽管经过适当的整形处理,仍然不能获得满意数量的等积形微粒,颗粒形状比较杂乱,且成本较高,难以满足精密抛光的要求。因此,如何开发出优质超细颗粒金刚石单晶产品是金刚石行业发展急需解决的重要问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:针对上述现有技术存在的不足之处,提供一种超细颗粒金刚石单晶的合成方法。利用本发明技术方案可制备超细颗粒的金刚石单晶,其粒度为400~1000目,利用本发明所制备的超细颗粒金刚石单晶在满足超精加工的基础上,大幅度提高了超细颗粒金刚石的完整晶形比例。
为了解决上述问题,本发明采用的技术方案为:
本发明提供一种超细颗粒金刚石单晶的合成方法,包括原料石墨粉和触媒粉末的混合、混合原料置于三维混料机中混合、等静压处理、处理后进行造粒、颗粒混合物料装入模具、利用四柱压机压制成柱状芯柱、成型后的芯柱放入真空炉中处理、处理后的芯柱放入金刚石合成块中,合成块放入六面顶压机高温高压合成超细颗粒金刚石单晶产品,其中:
a、所述触媒粉末为Ni基合金触媒粉末,Ni基合金触媒粉末的细度为600~1000目;以重量百分比表示,所述Ni基合金触媒粉末由以下原料按照常规方法制成:Fe 20%~25%,Co 3%~5%,Ce 0.5%~2%,Mn 3%~5%,SiC 0.5~1%,Mo 0.5~1%,余量为Ni;
b、所述原料石墨粉和触媒粉末二者之间的重量比为4~5:6~5;
c、合成块放入六面顶压机高温高压合成过程中,实际合成压力为5.5~6.0GPa,合成温度为1300~1400℃,实际合成压力和合成温度分别采用控制压力曲线及功率曲线完成;
所述控制压力曲线:先将压力在40~50s由0Mpa升至暂停压力80~85Mpa,开始加热,保压200~260s后;将压力由暂停压力升压至95~100Mpa,升压时间为10s~15s,接着在20~30s将压力升至最终压力,升至最终压力后保压20~30s,保持结束时加热结束,加热结束后90~110s后卸压,卸压完成后合成结束;所述最终压力为103~105MPa;
所述控制功率曲线:设置起始功率为3200W,最高功率为8000~8300W;加热后在30~40s内功率由起始功率缓升至最高功率,升至最高功率后保持200~240s;然后设置功率下降,5~10s功率由最高功率降至7300~7500W,保持该功率60~80s后停热结束。
根据上述的超细颗粒金刚石单晶的合成方法,所述石墨粉为杂质含量小于20ppm的球形石墨,石墨粉的粒度为600~1000目。
根据上述的超细颗粒金刚石单晶的合成方法,所述600~1000目的石墨粉,使用前在烘箱内烘烤4~6h,烘烤温度为200℃。
根据上述的超细颗粒金刚石单晶的合成方法,所述石墨粉与Ni基合金触媒粉末二者的重量比为4:6或5:5。
根据上述的超细颗粒金刚石单晶的合成方法,所述混合原料置于三维混料机中混合时,混合时间为5~6h。
根据上述的超细颗粒金刚石单晶的合成方法,所述等静压处理时控制压力为230~260MPa。
根据上述的超细颗粒金刚石单晶的合成方法,所述等静压处理后进行造粒,造粒成3~4mm的球形颗粒混合物料。
根据上述的超细颗粒金刚石单晶的合成方法,所述成型后的芯柱放入真空炉中处理,是在1100℃条件下真空处理。
根据上述的超细颗粒金刚石单晶的合成方法,所述功率曲线的最高功率为8300W。
根据上述的超细颗粒金刚石单晶的合成方法,合成的超细颗粒金刚石单晶的粒度为400~1000目。
本发明的积极有益效果:
1、利用本发明技术方案可制备超细颗粒的金刚石单晶,合成的400目以细超细颗粒金刚石含量达90%以上,晶形完整率达85%以上;有效地解决了现有技术难以合成超细颗粒金刚石的不足;金刚石晶型完整,纯净度高、热冲值达80~87%。
2、本发明合成方法中选择Ni基触媒为主要原料,用以降低触媒的渗碳能力,控制金刚石的生长速度,从而增加其超细粒度金刚石含量,并提高其结晶质量;同时优选原料粒度范围为600~1000目,可使石墨粉和触媒粉充分混合,大幅度提高颗粒接触面积,从而促进超细颗粒金刚石的大量成核;同时触媒中加入稀土Ce、Mn等元素以扩大触媒体系活化范围,扩大金刚石合成区间,提高整体合成一致性,有利于超细金刚石的均匀成核和晶体完整性的提高,而加入SiC,作为异质成核粒子,可有效降低晶体成核的驱动力,促进金刚石的成核,提高超细颗粒金刚石比例;本发明原料中的Co、Mo用作金刚石与石墨的相间活化原料,辅助提高金刚石的颜色和纯净度,促进超细颗粒金刚石品质的提高。
3、本发明在超细颗粒单晶金刚石合成方法中,通过合理控制压力曲线和功率曲线,开发一种适合超细颗粒金刚石的生长环境,其控制压力初期保持较高压力状态,并采用相对略短的暂停压力保持时间,配合快速功率下降,可加大金刚石转化所需的过冷度,从而促进金刚石的大量成核,形成超细颗粒;这一过程中石墨和触媒金属充分溶渗,形成球状再结晶石墨,抑制了金刚石的无序成核,从而有效地提高金刚石生长均匀度,减少连聚晶,提高结晶质量;后期设置小幅回升,可有效弥补叶腊石相变和石墨向金刚石转化所造成的压力损失,控制超细颗粒金刚石保持在优晶区生长。功率控制过程前期设置功率缓升,可有效避免一次到温造成的温度冲击报警和对金刚石成核的抑制作用;后期设置快速功降,可加大金刚石转化所需的过冷度,从而促进成核,并防止温度过高导致的金刚石逆转化;后期设置功率平台,则防止温度积累,配合压力保持金刚石生长处于优晶区生长。
4、利用本发明技术方案合成的超细颗粒金刚石单晶具有粒度细、成核集中、颜色透度好、晶形完整等特点,产品符合人造金刚石国家标准,晶型一致,晶面完整,杂质少,热冲值高,其颗粒粒度400/500、500/600为峰值,单晶比达75~85%,晶形完整率达85%以上;能够有效满足高精、超精加工等对超细颗粒金刚石的需求。
四、附图说明:
图1 本发明合成方法中控制压力曲线和功率曲线的示意图。
图2 本发明所得超细颗粒金刚石单晶产品的电镜扫描图片之一。
图3 本发明所得超细颗粒金刚石单晶产品的电镜扫描图片之二。
五、具体实施方式:
以下结合实施例进一步阐述本发明,但并不限制本发明的内容。
实施例1:
本发明超细颗粒金刚石单晶的合成方法,详细步骤如下:
a、石墨粉和触媒粉末的混合:取石墨粉(杂质含量小于20ppm的球形石墨,石墨粉的粒度为600~1000目)和触媒粉末按照重量比为4:6的比例进行混合;
石墨粉使用前在烘箱内烘烤5h,烘烤温度为200℃;
触媒粉末为Ni基合金触媒粉末,其细度为600~1000目;以重量百分比表示, Ni基合金触媒粉末由以下原料按照常规方法制成:Fe 25%,Co 5%,Ce 2%,Mn 5%,SiC 1%,Mo 1%,余量为Ni;
b、将步骤a得到的混合原料置于三维混料机中进行混合6h,230MPa下进行等静压处理,处理后进行造粒,造粒成3~4mm的球形颗粒混合物料;
c、将步骤b得到的球形颗粒混合物料装入模具中,利用四柱压机压制成柱状芯柱,所得芯柱尺寸为Φ50mm×40mm,芯柱密度为3.3g/cm3;将成型后的芯柱放入真空炉中,1100℃下真空处理,充分除尽氧气,自然冷却降至室温;
d、将步骤c处理后的芯柱放入金刚石合成块中,然后将金刚石合成块放入六面顶压机中进行合成,实际合成压力为6.0GPa,合成温度为1400℃,实际合成压力和合成温度分别采用控制压力曲线及功率曲线完成;
所述控制压力曲线:先将压力45s由0Mpa升至暂停压力85Mpa开始加热,保压230s后;将压力由暂停压力升压至100Mpa,升压时间为12s,接着25s将压力升至最终压力105MPa,升至最终压力后保压30s,保持结束时加热结束,加热结束后100s后卸压,卸压完成后合成结束;
所述控制功率曲线:设置起始功率为3200W,最高功率为8300W;加热后在32s内功率由起始功率缓升至最高功率,升至最高功率后保持220s;然后设置功率下降,10s功率由最高功率降至7500W,保持该功率80s后停热结束。
本实施例的合成效果:单产145ct,粒度组成:
镜下观察晶体完整、颜色、透明度良好,点杂质少,检测单晶含量76%,热稳定性较高,TTI>80%。
实施例2:
本发明超细颗粒金刚石单晶的合成方法,详细步骤如下:
a、石墨粉和触媒粉末的混合:取石墨粉(杂质含量小于20ppm的球形石墨,石墨粉的粒度为600~1000目)和触媒粉末按照重量比为5:5的比例进行混合;
石墨粉使用前在烘箱内烘烤6h,烘烤温度为200℃;
触媒粉末为Ni基合金触媒粉末,其细度为600~1000目;以重量百分比表示, Ni基合金触媒粉末由以下原料按照常规方法制成:Fe 20%,Co 3%,Ce0.5%,Mn3%,SiC 0.5%,Mo0.5%,余量为Ni;
b、将步骤a得到的混合原料置于三维混料机中进行混合5h,240MPa下进行等静压处理,处理后进行造粒,造粒成3~4mm的球形颗粒混合物料;
c、将步骤b得到的球形颗粒混合物料装入模具中,利用四柱压机压制成柱状芯柱,所得芯柱尺寸为Φ50mm×40mm,芯柱密度为3.4g/cm3;将成型后的芯柱放入真空炉中,1100℃下真空处理,充分除尽氧气,自然冷却降至室温;
d、将步骤c处理后的芯柱放入金刚石合成块中,然后将金刚石合成块放入六面顶压机中进行合成,实际合成压力为5.8GPa,合成温度为1300℃,实际合成压力和合成温度分别采用控制压力曲线及功率曲线完成;
所述控制压力曲线:先将压力40s由0Mpa升至暂停压力80Mpa开始加热,保压210s后;将压力由暂停压力升压至95Mpa,升压时间为10s,接着20s将压力升至最终压力103MPa,升至最终压力后保压20s,保持结束时加热结束,加热结束后90s后卸压,卸压完成后合成结束;
所述控制功率曲线:设置起始功率为3200W,最高功率为8000W;加热后在30s内功率由起始功率缓升至最高功率,升至最高功率后保持200s;然后设置功率下降,10s功率由最高功率降至7300W,保持该功率60s后停热结束。
本实施例的合成效果:单产151ct,粒度组成:
镜下观察晶体完整、颜色、透明度良好,点杂质少,检测单晶含量82%,热稳定性较高,TTI>81.5%。
实施例3:
本发明超细颗粒金刚石单晶的合成方法,详细步骤如下:
a、石墨粉和触媒粉末的混合:取石墨粉(杂质含量小于20ppm的球形石墨,石墨粉的粒度为600~1000目)和触媒粉末按照重量比为4:6的比例进行混合;
石墨粉使用前在烘箱内烘烤4h,烘烤温度为200℃;
触媒粉末为Ni基合金触媒粉末,其细度为600~1000目;以重量百分比表示, Ni基合金触媒粉末由以下原料按照常规方法制成:Fe 22%,Co 4%,Ce1.2%,Mn4%,SiC 0.75%,Mo0.75%,余量为Ni;
b、将步骤a得到的混合原料置于三维混料机中进行混合6h,260MPa下进行等静压处理,处理后进行造粒,造粒成3~4mm的球形颗粒混合物料;
c、将步骤b得到的球形颗粒混合物料装入模具中,利用四柱压机压制成柱状芯柱,所得芯柱尺寸为Φ50mm×40mm,芯柱密度为3.5g/cm3;将成型后的芯柱放入真空炉中,1100℃下真空处理,充分除尽氧气,自然冷却降至室温;
d、将步骤c处理后的芯柱放入金刚石合成块中,然后将金刚石合成块放入六面顶压机中进行合成,实际合成压力为5.9GPa,合成温度为1350℃,实际合成压力和合成温度分别采用控制压力曲线及功率曲线完成;
所述控制压力曲线:先将压力45s由0Mpa升至暂停压力83Mpa开始加热,保压250s后;将压力由暂停压力升压至98Mpa,升压时间为10s,接着25s将压力升至最终压力104MPa,升至最终压力后保压25s,保持结束时加热结束,加热结束后100s后卸压,卸压完成后合成结束;
所述控制功率曲线:设置起始功率为3200W,最高功率为8200W;加热后在35s内功率由起始功率缓升至最高功率,升至最高功率后保持220s;然后设置功率下降,10s功率由最高功率降至7400W,保持该功率70s后停热结束。
本实施例的合成效果:单产155ct,粒度组成:
镜下观察晶体完整、颜色、透明度良好,点杂质少,检测单晶含量84%,热稳定性较高,TTI>83%。
实施例4:
本发明超细颗粒金刚石单晶的合成方法,详细步骤如下:
a、石墨粉和触媒粉末的混合:取石墨粉(杂质含量小于20ppm的球形石墨,石墨粉的粒度为600~1000目)和触媒粉末按照重量比为5:5的比例进行混合;
石墨粉使用前在烘箱内烘烤5h,烘烤温度为200℃;
触媒粉末为Ni基合金触媒粉末,其细度为600~1000目;以重量百分比表示,Ni基合金触媒粉末由以下原料按照常规方法制成:Fe 24%,Co 3.5%,Ce1.8%,Mn3.5%,SiC 0.8%,Mo 1%,余量为Ni;
b、将步骤a得到的混合原料置于三维混料机中进行混合5h,250MPa下进行等静压处理,处理后进行造粒,造粒成3~4mm的球形颗粒混合物料;
c、将步骤b得到的球形颗粒混合物料装入模具中,利用四柱压机压制成柱状芯柱,所得芯柱尺寸为Φ50mm×40mm,芯柱密度为3.4g/cm3;将成型后的芯柱放入真空炉中,1100℃下真空处理,充分除尽氧气,自然冷却降至室温;
d、将步骤c处理后的芯柱放入金刚石合成块中,然后将金刚石合成块放入六面顶压机中进行合成,实际合成压力为6.0GPa,合成温度为1300℃,实际合成压力和合成温度分别采用控制压力曲线及功率曲线完成;
所述控制压力曲线:先将压力50s由0Mpa升至暂停压力84Mpa开始加热,保压235s后;将压力由暂停压力升压至99Mpa,升压时间为15s,接着30s将压力升至最终压力105MPa,升至最终压力后保压30s,保持结束时加热结束,加热结束后110s后卸压,卸压完成后合成结束;
所述控制功率曲线:设置起始功率为3200W,最高功率为8000W;加热后在40s内功率由起始功率缓升至最高功率,升至最高功率后保持220s;然后设置功率下降,5s功率由最高功率降至7500W,保持该功率80s后停热结束。
本实施例的合成效果:单产149ct,粒度组成:
镜下观察晶体完整、颜色、透明度良好,点杂质少,检测单晶含量83.5%,热稳定性较高,TTI>82.6%。

Claims (9)

1.一种超细颗粒金刚石单晶的合成方法,包括原料石墨粉和触媒粉末的混合、混合原料置于三维混料机中混合、等静压处理、处理后进行造粒、颗粒混合物料装入模具、利用四柱压机压制成柱状芯柱、成型后的芯柱放入真空炉中处理、处理后的芯柱放入金刚石合成块中,合成块放入六面顶压机高温高压合成超细颗粒金刚石单晶产品,合成的超细颗粒金刚石单晶的粒度为400~1000目,其特征在于:
a、所述触媒粉末为Ni基合金触媒粉末,Ni基合金触媒粉末的细度为600~1000目;以重量百分比表示,所述Ni基合金触媒粉末由以下原料按照常规方法制成:Fe 20%~25%,Co 3%~5%,Ce 0.5%~2%,Mn 3%~5%,SiC 0.5~1%,Mo 0.5~1%,余量为Ni;
b、所述原料石墨粉和触媒粉末二者之间的重量比为4~5:6~5;
c、合成块放入六面顶压机高温高压合成过程中,实际合成压力为5.5~6.0GPa,合成温度为1300~1400℃,实际合成压力和合成温度分别采用控制压力曲线及功率曲线完成;
所述控制压力曲线:先将压力在40~50s由0Mpa升至暂停压力80~85Mpa,开始加热,保压200~260s后;将压力由暂停压力升压至95~100Mpa,升压时间为10s~15s,接着在20~30s将压力升至最终压力,升至最终压力后保压20~30s,保持结束时加热结束,加热结束后90~110s后卸压,卸压完成后合成结束;所述最终压力为103~105MPa;
所述控制功率曲线:设置起始功率为3200W,最高功率为8000~8300W;加热后在30~40s内功率由起始功率缓升至最高功率,升至最高功率后保持200~240s;然后设置功率下降,5~10s功率由最高功率降至7300~7500W,保持该功率60~80s后停热结束。
2.根据权利要求1所述的超细颗粒金刚石单晶的合成方法,其特征在于:所述石墨粉为杂质含量小于20ppm的球形石墨,石墨粉的粒度为600~1000目。
3.根据权利要求2所述的超细颗粒金刚石单晶的合成方法,其特征在于: 600~1000目的石墨粉,使用前在烘箱内烘烤4~6h,烘烤温度为200℃。
4.根据权利要求1所述的超细颗粒金刚石单晶的合成方法,其特征在于:所述石墨粉与Ni基合金触媒粉末二者的重量比为4:6或5:5。
5.根据权利要求1所述的超细颗粒金刚石单晶的合成方法,其特征在于:所述混合原料置于三维混料机中混合时,混合时间为5~6h。
6.根据权利要求1所述的超细颗粒金刚石单晶的合成方法,其特征在于:所述等静压处理时控制压力为230~260MPa。
7.根据权利要求1所述的超细颗粒金刚石单晶的合成方法,其特征在于:所述等静压处理后进行造粒,造粒成3~4mm的球形颗粒混合物料。
8.根据权利要求1所述的超细颗粒金刚石单晶的合成方法,其特征在于:所述成型后的芯柱放入真空炉中处理,是在1100℃条件下真空处理。
9.根据权利要求1所述的超细颗粒金刚石单晶的合成方法,其特征在于:所述功率曲线的最高功率为8300W。
CN201410463444.9A 2014-09-12 2014-09-12 一种超细颗粒金刚石单晶的合成方法 Active CN104264210B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410463444.9A CN104264210B (zh) 2014-09-12 2014-09-12 一种超细颗粒金刚石单晶的合成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410463444.9A CN104264210B (zh) 2014-09-12 2014-09-12 一种超细颗粒金刚石单晶的合成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104264210A CN104264210A (zh) 2015-01-07
CN104264210B true CN104264210B (zh) 2016-08-24

Family

ID=52155778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410463444.9A Active CN104264210B (zh) 2014-09-12 2014-09-12 一种超细颗粒金刚石单晶的合成方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104264210B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105498634A (zh) * 2015-12-15 2016-04-20 南京紫东智能技术有限公司 金刚石石墨芯柱的自动化生产工艺
CN106984245A (zh) * 2017-04-29 2017-07-28 河南飞孟金刚石工业有限公司 一种黑色金刚石带电卸压工艺
CN107626261A (zh) * 2017-09-26 2018-01-26 北京工业大学 一种采用触媒提高金刚石品级的制备方法
CN108579615B (zh) * 2018-05-17 2020-11-03 长沙石立超硬材料有限公司 一种原核植入法提高单晶金刚石单产的合成工艺
CN109234793A (zh) * 2018-10-23 2019-01-18 营口鑫成达新型建材有限公司 一种合成单晶金刚石的方法
CN109621843B (zh) * 2019-01-24 2021-12-03 河南厚德钻石科技有限公司 一种梯度功能化的金刚石合成柱及其制备方法
CN109825741B (zh) * 2019-03-25 2021-01-22 河南省力量钻石股份有限公司 一种Ni基金属触媒及其利用触媒制备IC芯片抛光垫修整用特种金刚石的方法
CN110670137B (zh) * 2019-09-02 2020-11-24 郑州中南杰特超硬材料有限公司 一种微粉级立方氮化硼单晶的合成方法
CN111304731A (zh) * 2020-04-20 2020-06-19 河南黄河旋风股份有限公司 异形表面形貌金刚石单晶及其制造方法
CN112064120B (zh) * 2020-08-13 2021-09-03 中南钻石有限公司 一种大尺寸培育金刚石用籽晶及其制备方法
CN114790570B (zh) * 2022-05-18 2024-02-27 南平市亿泽磨料磨具科技有限公司 一种实验室培育钻石的工艺及其制造设备
CN115449892B (zh) * 2022-09-22 2024-02-23 山东昌润钻石股份有限公司 一种原生黑色半导体金刚石的合成方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1061918A (zh) * 1990-12-05 1992-06-17 郭朝林 合成细粒度金刚石用碳化物粉末触媒
CN1281748A (zh) * 1999-07-21 2001-01-31 中国科学院山西煤炭化学研究所 一种由超细炭粉合成金刚石粉粒体的制备方法
CN1428194A (zh) * 2001-12-26 2003-07-09 北京有色金属研究总院 一种合成粗颗粒、高强度金刚石用粉末触媒
CN1428195A (zh) * 2001-12-26 2003-07-09 北京有色金属研究总院 一种合成细粒度金刚石用粉末触媒
CN101062472A (zh) * 2006-04-27 2007-10-31 彭国强 高透明度优质细-微细粒人造金刚石的生产工艺
CN101829587A (zh) * 2010-05-28 2010-09-15 山东聊城昌润超硬材料有限公司 一种合成八面体金刚石用粉末触媒
CN101837267A (zh) * 2010-06-02 2010-09-22 山东聊城昌润超硬材料有限公司 一种方晶金刚石合成工艺
CN102935346A (zh) * 2012-11-23 2013-02-20 山东昌润钻石股份有限公司 一种微米级细颗粒金刚石合成工艺
CN102941038A (zh) * 2012-11-23 2013-02-27 山东昌润钻石股份有限公司 一种高自锐性金刚石的合成工艺
CN103566830A (zh) * 2013-03-11 2014-02-12 河南省力量新材料有限公司 一种八面体金刚石的合成方法
CN103846058A (zh) * 2012-11-28 2014-06-11 周存文 一种超细级金刚石合成工艺
CN103846057A (zh) * 2012-11-28 2014-06-11 周冰 一种磨粒自脱落金刚石的合成工艺

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1061918A (zh) * 1990-12-05 1992-06-17 郭朝林 合成细粒度金刚石用碳化物粉末触媒
CN1281748A (zh) * 1999-07-21 2001-01-31 中国科学院山西煤炭化学研究所 一种由超细炭粉合成金刚石粉粒体的制备方法
CN1428194A (zh) * 2001-12-26 2003-07-09 北京有色金属研究总院 一种合成粗颗粒、高强度金刚石用粉末触媒
CN1428195A (zh) * 2001-12-26 2003-07-09 北京有色金属研究总院 一种合成细粒度金刚石用粉末触媒
CN101062472A (zh) * 2006-04-27 2007-10-31 彭国强 高透明度优质细-微细粒人造金刚石的生产工艺
CN101829587A (zh) * 2010-05-28 2010-09-15 山东聊城昌润超硬材料有限公司 一种合成八面体金刚石用粉末触媒
CN101837267A (zh) * 2010-06-02 2010-09-22 山东聊城昌润超硬材料有限公司 一种方晶金刚石合成工艺
CN102935346A (zh) * 2012-11-23 2013-02-20 山东昌润钻石股份有限公司 一种微米级细颗粒金刚石合成工艺
CN102941038A (zh) * 2012-11-23 2013-02-27 山东昌润钻石股份有限公司 一种高自锐性金刚石的合成工艺
CN103846058A (zh) * 2012-11-28 2014-06-11 周存文 一种超细级金刚石合成工艺
CN103846057A (zh) * 2012-11-28 2014-06-11 周冰 一种磨粒自脱落金刚石的合成工艺
CN103566830A (zh) * 2013-03-11 2014-02-12 河南省力量新材料有限公司 一种八面体金刚石的合成方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104264210A (zh) 2015-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104264210B (zh) 一种超细颗粒金刚石单晶的合成方法
US20150344758A1 (en) Abrasive grain with controlled aspect ratio and thickness
CN102935346B (zh) 一种微米级细颗粒金刚石合成工艺
CN104114727B (zh) 包括含聚晶金刚石材料的物体的超硬结构或物体
CN103521132B (zh) 一种高品级自锐性多晶金刚石的合成工艺技术
JP2015507087A5 (zh)
CN112915922A (zh) 一种超细金刚石的原生合成方法
CN101766976A (zh) 钻石颗粒合成方法及其钻石
CN104607110A (zh) 立方氮化硼晶体的制造方法
CN107857594A (zh) 一种氮化铝陶瓷异型件及其制备方法
Zhang et al. Preparation of white alumina spherical composite magnetic abrasive by gas atomization and rapid solidification
CN103566830B (zh) 一种八面体金刚石的合成方法
CN103395009A (zh) 一种陶瓷空心球多层钎焊金刚石节块及其制作方法
CN102233606B (zh) 一种氧化铝单晶块状原料的制造方法
CN106041764A (zh) 一种复合结合剂金刚石砂轮
CN103964874A (zh) 锆莫来石匣钵
CN108772564A (zh) 一种选区激光熔化成形石墨烯增强铝基复合材料及其制备方法
CN106747468B (zh) 用于气雾化钛及钛合金粉末的导液管材料及其制备方法
CN103521133A (zh) 高冲击韧性立方氮化硼及其合成方法和应用
CN103846058A (zh) 一种超细级金刚石合成工艺
KR20170026734A (ko) 사파이어 그로잉용 펠릿 및 그 제조방법
CN104667826B (zh) 立方氮化硼晶体的制造方法
CN107175593B (zh) 不含纯铜粉的金刚石磨轮的制作方法
CN109652707A (zh) 一种含Ni3Al的WC-Co硬质合金
CN103272529A (zh) 合成立方氮化硼聚晶颗粒的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 476200 Henan Shangqiu Zhecheng County Industrial Agglomeration Area

Applicant after: HENAN POWER DIAMOND CO., LTD.

Address before: 476200 Henan Shangqiu Zhecheng County Industrial Agglomeration Area

Applicant before: HENAN POWER NEW MATERIAL CO., LTD.

COR Change of bibliographic data
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of invention: A synthesis method of ultrafine diamond single crystal

Effective date of registration: 20201119

Granted publication date: 20160824

Pledgee: Bank of China Limited by Share Ltd. Zhecheng branch

Pledgor: HENAN LILIANG DIAMOND Co.,Ltd.

Registration number: Y2020980008211