CN104253017B - 基片刻蚀方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供的基片刻蚀方法，其包括以下步骤：主刻蚀步骤，向反应腔室通入刻蚀气体和辅助气体，并开启激励电源和偏压电源，以对基片刻蚀预定刻蚀深度，其中，所述辅助气体包括氟化物气体；过刻蚀步骤，向反应腔室内通入所述刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以调节基片的沟槽形貌。本发明提供的基片刻蚀方法，其不仅可以提高工艺的灵活性，而且还可以提高基片沟槽底部的平整性。

Description

基片刻蚀方法
技术领域
本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种基片刻蚀方法。
背景技术
PSS(Patterned Sapp Substrates，图形化蓝宝石基片)技术是目前普遍采用的一种提高GaN(氮化镓)基LED器件的出光效率的方法。在进行PSS工艺的过程中，其通常采用ICP技术刻蚀基片表面，以形成需要的图形，再采用外延工艺在刻蚀后的基片表面上生长GaN薄膜。刻蚀工艺所获得的基片沟槽底部的平整性越好，越有利于后续的外延工艺，外延GaN薄膜的晶体质量越高。
目前，在采用电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，以下简称ICP)设备对基片表面进行刻蚀时，例如，在12英寸ICP设备中，通常采用BCl3(氯化硼)作为刻蚀气体，且PSS刻蚀工艺包括两个步骤，即：主刻蚀步骤和过刻蚀步骤。其中，主刻蚀步骤用于控制工艺的刻蚀速率和刻蚀选择比，其典型的工艺参数为：反应腔室的腔室压力的范围在3～5mT；激励功率的范围在2000～2400W；偏压功率的范围在100～300W；BCl3的流量范围在50～150sccm。过刻蚀步骤用于调节基片形貌，其典型的工艺参数为：反应腔室的腔室压力的范围在1.5～2mT；激励功率的范围在1400～2000W；偏压功率的范围在2100～700W；BCl3的流量范围在30～100sccm。
上述PSS刻蚀工艺在实际应用中不可避免地存在以下问题：
其一，在主刻蚀步骤中，由于仅采用BCl3作为刻蚀气体，刻蚀气体的种类单一，导致上述PSS刻蚀工艺的工艺调节窗口较小，从而降低了工艺的灵活性。
其二，在进行主刻蚀步骤时，由于BCl3在辉光放电的条件下离化生成的离化粒子，其所含的BClx粒子的数量较多，而Cl自由基的数量较少，导致起物理刻蚀作用的高能离子所占比例高于起化学刻蚀作用的自由基所占比例，这使得溅射至沟槽底部的离子流的密度较大，并且由于沟槽侧壁会将溅射至其上的离子流朝向侧壁与底部的拐角处反射，导致该拐角处因离子流的密度增大而受到更多的刻蚀，从而随着刻蚀时间的积累，最终在该拐角处形成凹槽，如图2所示，这会导致基片沟槽的底部不平整，从而给后续的外延工艺产生不良影响，降低了外延薄膜的质量。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种基片刻蚀方法，其不仅可以提高工艺的灵活性，而且还可以提高基片沟槽底部的平整性。
为实现本发明的目的而提供一种基片刻蚀方法，包括以下步骤：
主刻蚀步骤，向反应腔室通入刻蚀气体和辅助气体，并开启激励电源和偏压电源，以对基片刻蚀预定刻蚀深度，其中，所述辅助气体包括氟化物气体；
过刻蚀步骤，向反应腔室内通入所述刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以调节基片的沟槽形貌。
其中，所述氟化物气体包括三氟氢化碳、氟氢化碳、三氟化氮和氟硫化合物中的一种或多种。
优选地，在所述主刻蚀步骤和过刻蚀步骤中，所述刻蚀气体包括氯化硼。
优选地，在所述主刻蚀步骤中，所述刻蚀气体的流量范围在80～100sccm。
优选地，在所述主刻蚀步骤中，所述辅助气体的流量范围在5～20sccm。
优选地，在所述主刻蚀步骤中，所述激励电源输出激励功率的范围在1400～2000W。
优选地，在所述主刻蚀步骤中，所述反应腔室的腔室压力的范围在1.5～2.5mT。
优选地，在所述主刻蚀步骤中，所述偏压电源输出偏压功率的范围在100～400W。
优选地，在所述过刻蚀步骤中，所述刻蚀气体的流量范围在40～70sccm。
优选地，在所述过刻蚀步骤中，所述反应腔室的腔室压力的范围在1.5～2mT。
优选地，在所述过刻蚀步骤中，所述激励电源输出激励功率的范围在1400～2000W。
优选地，在所述过刻蚀步骤中，所述偏压电源输出偏压功率的范围在500～700W。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的基片刻蚀方法，其在主刻蚀步骤中，在向反应腔室通入刻蚀气体的同时，通入作为辅助气体的氟化物气体。由于氟化物气体的离化粒子中，氟离子的电负性较大，这有利于置换出更多的自由基，且减小高能离子的浓度，以使离化粒子中的自由基与高能离子的比例平衡，从而可以增加对基片沟槽底部的化学刻蚀，而减少物理刻蚀，进而可以减小沟槽底部的凹槽，提高沟槽底部的平整性，从而有利于后续的外延工艺外延薄膜质量的提高。而且，通过在向反应腔室通入刻蚀气体的同时，通入作为辅助气体的氟化物气体，还可以增大工艺调节窗口，从而可以提高工艺的灵活性。
附图说明
图1为采用现有的刻蚀方法刻蚀基片获得的沟槽底部的扫描电镜图；
图2为本发明提供的基片刻蚀方法的流程框图；
图3A为采用本实施例提供的刻蚀方法刻蚀获得的沟槽侧壁的扫描电镜图；以及
图3B为采用本实施例提供的刻蚀方法刻蚀获得的沟槽侧壁的剖面图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的基片刻蚀方法进行详细描述。
图2为本发明提供的基片刻蚀方法的流程框图。请参阅图2，该方法包括以下步骤：
主刻蚀步骤，向反应腔室通入刻蚀气体和辅助气体，并开启激励电源(例如射频电源)，激励电源向反应腔室施加激励功率，以使反应腔室内的刻蚀气体激发形成等离子体；开启偏压电源，偏压电源向基片施加偏压功率，以使等离子体刻蚀基片，直至对基片刻蚀预定刻蚀深度。
过刻蚀步骤，向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以调节基片的沟槽形貌。其中，刻蚀气体包括BCl3(氯化硼)。
在主刻蚀步骤中，刻蚀气体包括BCl3；辅助气体包括氟化物气体，其包括CHF3(三氟氢化碳)、CHF(氟氢化碳)、NF3(三氟化氮)和SxFy(氟硫化合物)中的一种或多种。优选地，主刻蚀步骤的工艺参数为：刻蚀气体的流量范围在80～100sccm；辅助气体的流量范围在5～20sccm；激励电源输出激励功率的范围在1400～2000W；反应腔室的腔室压力的范围在1.5～2.5mT；偏压电源输出偏压功率的范围在100～400W。
在过刻蚀步骤中，刻蚀气体包括BCl3，过刻蚀步骤相对于主刻蚀步骤采用较小的刻蚀气体流量、较低的腔室压力和偏压功率，用以调节基片的沟槽形貌，即，调节沟槽侧壁形貌及倾斜角度。优选地，过刻蚀步骤的工艺参数为：刻蚀气体的流量范围在40～70sccm；反应腔室的腔室压力的范围在1.5～2mT；激励电源输出激励功率的范围在1400～2000W；偏压电源输出偏压功率的范围在500～700W。
下面通过刻蚀实验对本发明提供的基片刻蚀方法和现有技术的基片刻蚀方法进行比较，在该刻蚀实验中，本实施例和现有技术均使用12英寸ICP设备，并且，本实施例和现有技术的主刻蚀步骤的工艺参数如下述表1所示。
表1
由表1可知，本实施例与现有技术相比，其包括以下区别：
其一，就现有技术的基片刻蚀方法而言，其在主刻蚀步骤中仅向反应腔室内通入BCl3，通过实验发现，由BCl3在辉光放电的条件下离化生成的离化粒子，其所含的BClx粒子的数量较多，而Cl自由基的数量较少，导致起物理刻蚀作用的高能离子所占比例高于起化学刻蚀作用的自由基所占比例，这使得溅射至沟槽底部的离子流的密度较大，从而导致基片沟槽的底部不平整，进而给后续的外延工艺产生不良影响，降低了外延薄膜的质量。而本实施例提供的基片刻蚀方法，其在主刻蚀步骤中，在向反应腔室通入刻蚀气体的同时，通入作为辅助气体的氟化物气体(例如CHF3)。由于氟化物气体的离化粒子中，氟离子的电负性较大，这有利于置换出更多的Cl自由基，且减小高能离子的浓度，从而可以增加对基片沟槽底部的化学刻蚀，而减少物理刻蚀，进而可以减小沟槽底部的凹槽，提高沟槽底部的平整性，从而有利于后续的外延工艺外延薄膜质量的提高。通过实验可知，如图3A和3B所示，分别为采用本实施例提供的刻蚀方法刻蚀获得的沟槽底部的扫描电镜图和剖面图。由图中可知，沟槽底部没有凹槽，具有较高的平整性。
其二，由于现有技术的基片刻蚀方法仅采用BCl3作为刻蚀气体，刻蚀气体的种类单一，导致上述PSS刻蚀工艺的工艺调节窗口较小，从而降低了工艺的灵活性。而本实施例提供的基片刻蚀方法，其通过在向反应腔室通入刻蚀气体的同时，通入作为辅助气体的氟化物气体，还可以增大工艺调节窗口，从而可以提高工艺的灵活性。
其三，在现有技术的主刻蚀步骤中，激励功率的范围在2000～2400W，而在本实施例的主刻蚀步骤中，激励功率的范围在1400～2000W，即，本实施例提供基片刻蚀方法，其主刻蚀步骤采用较低的激励功率，这可以进一步减少离化粒子中高能离子所占比例，以使高能离子和自由基的比例趋于平衡，从而可以进一步提高沟槽底部的平整性。
其四，在现有技术的主刻蚀步骤中，反应腔室的腔室压力的范围在3～5mT；而在本实施例的主刻蚀步骤中，反应腔室的腔室压力的范围在1.5～2.5mT，即，本实施例提供基片刻蚀方法，其主刻蚀步骤采用较低的腔室压力，这不仅可以增大离化粒子中活性粒子的自由程，增强活性离子的有效反应，而且还有利于排出沉积在沟槽侧壁和底部的刻蚀反应物，从而可以减少刻蚀反应物的沉积量，进而可以进一步减小沟槽底部的凹槽。
综上所述，本实施例提供的基片刻蚀方法，其通过在主刻蚀步骤中，向反应腔室通入刻蚀气体的同时，通入作为辅助气体的氟化物气体，与此同时，优选地，还通过采用较低的激励功率和/或腔室压力，可以减小沟槽底部的凹槽，从而可以提高沟槽底部的平整性，进而有利于后续的外延工艺外延薄膜质量的提高。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种基片刻蚀方法，其特征在于，所述基片为蓝宝石基片，包括以下步骤：
主刻蚀步骤，向反应腔室通入刻蚀气体和辅助气体，并开启激励电源和偏压电源，以对基片刻蚀预定刻蚀深度，其中，所述辅助气体包括氟化物气体，所述辅助气体用于减小高能离子的浓度；
过刻蚀步骤，向反应腔室内通入所述刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以调节基片的沟槽形貌。
2.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，所述氟化物气体包括三氟氢化碳、氟氢化碳、三氟化氮和氟硫化合物中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在所述主刻蚀步骤和过刻蚀步骤中，所述刻蚀气体包括氯化硼。
4.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在所述主刻蚀步骤中，所述刻蚀气体的流量范围在80～100sccm。
5.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在所述主刻蚀步骤中，所述辅助气体的流量范围在5～20sccm。
6.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在所述主刻蚀步骤中，所述激励电源输出激励功率的范围在1400～2000W。
7.如权利要求 1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在所述主刻蚀步骤中，所述反应腔室的腔室压力的范围在1.5～2.5mT。
8.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在所述主刻蚀步骤中，所述偏压电源输出偏压功率的范围在100～400W。
9.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在所述过刻蚀步骤中，所述刻蚀气体的流量范围在40～70sccm。
10.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在所述过刻蚀步骤中，所述反应腔室的腔室压力的范围在1.5～2mT。
11.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在所述过刻蚀步骤中，所述激励电源输出激励功率的范围在1400～2000W。
12.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在所述过刻蚀步骤中，所述偏压电源输出偏压功率的范围在500～700W。
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