CN104178730A - p型SnO薄膜及其p-n结二极管的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种p型SnO薄膜的制备方法,以SnO陶瓷靶为靶材,采用射频磁控溅射在石英衬底上原位沉积形成p型SnO薄膜,其中,衬底温度为150-300℃,溅射功率为50-150W,工作气体为Ar气,气压为0.5-2.0Pa,气体流量为50-100sccm,相比现有先室温沉积再退火的技术,本制备方法简单易行,适合大规模生产,通过优化衬底温度、溅射功率、气压等工艺参数,大大减少了薄膜内部缺陷,提高了空穴迁移率,大幅提高了p型SnO薄膜的结晶质量和电导率,再以SnO2:Sb陶瓷靶为靶材,通过射频磁控溅射在该p型SnO薄膜上原位沉积形成n型SnO2:Sb薄膜以形成p-n结二极管,可有效提高p-n结二极管的稳定性和光电性能,由此制得的p-n结二极管具有阈值电压高、漏电流低、制备简单、成本低等特点,可用作透明电子器件的基本元件。
Description
技术领域
本发明涉及一种p型SnO薄膜及其p-n结二极管的制备方法。
背景技术
透明导电氧化物(TCO)上世纪初已经出现,并且作为透明导体早已得到广泛的应用。但是,作为宽禁带半导体的应用却严重受制于缺乏高性能的p型TCO,严重阻碍了透明发光器件、透明晶体管乃至透明集成电路的实现。所以,寻找和研究新的p型TCO材料,提高现有p型TCO材料的性能具有十分重要的意义。
缺少p型TCO材料的主要原因是金属氧化物的电子结构特性。由于氧的电负性很强,金属氧化物中氧原子的2p能级往往远低于金属原子的价带电子能级,故具有离子化合物的性质,这种离子键结合导致宽带隙,同时能抑制浅受主的形成。通过掺杂引入的空穴局域在氧离子附近,即使在外加电场作用下也很难在晶格中自由移动;换句话说,也就是空穴形成了深受主能级。因此,减弱空穴局域化的程度是设计p型TCO薄膜面临的最关键问题。
价带化学修饰(CMVB)的设计概念,为解决空穴局域化问题提供了一个良好的新思路。CMVB的基本思想是在金属-氧键间引入共价键来减弱空穴局域化程度。引入的阳离子的最外层电子能级要与O2-的2p能级相当并且要具有满壳层电子构型(d10s0和d10s2)。Sn2+具有d10s2电子构型,Sn2+与O2-能级非常接近。所以SnO应该是非常好的p型TCO候选材料。
脉冲激光沉积、电子束蒸发、原子层沉积、射频磁控溅射等方法都被用于制备p型SnO薄膜,但是制备出的p型SnO薄膜的电导率都比较低。这些现有方法都是先在室温下制备p型SnO薄膜,然后再通过退火来提高薄膜质量和电导率。例如以SnO陶瓷靶为靶材,采用射频磁控溅射在石英衬底上形成p型SnO薄膜的方法,其中,溅射功率为50W左右,工作气体为Ar气,气压为0.2Pa左右,在室温下的石英衬底上形成p型SnO薄膜之后,再通过退火来提高薄膜质量和电导率。该方法工艺复杂,得到的p型SnO薄膜的结晶质量和电导率仍无法满足电子产品例如p-n结二极管的性能需求,有待进一步提高。
目前,p-n结二极管主要使用传统的IV族(如Si、Ge)、III-V族(如GaN、GaAs)、II-VI族(ZnS、CdTe、ZnO等)半导体材料。其中,基于宽禁带半导体GaN的发光二极管已经实现了商品化,而基于宽禁带氧化物半导体的二极管目前还存在一些问题,比如p型ZnO的稳定性很差,在较短时间内就退化为绝缘体甚至n型ZnO,因此ZnO基二极管的寿命很短,尚不实用;尽管在石英衬底上依次覆盖一层n型掺杂F的SnO2(n-SnO2:F)薄膜和一层p型掺杂Ga的SnO2(p-SnO2:Ga)薄膜的p-n结二极管已经有报道,但是p-SnO2:Ga薄膜的导电性仍然较差,而且由于掺杂引起的结构缺陷也较多,影响了该二极管的光电性能。
SnO不需要掺杂即是一种优异的p型透明半导体,可避免因掺杂引起的结构缺陷,将其用于制备p-n结二极管可提高p-n结二极管的稳定性和光电性能,因此,目前对于制备高结晶质量、高电导率的p型SnO薄膜具有强烈需求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种p型SnO薄膜及其p-n结二极管的制备方法,工艺简单易行,适合大规模生产,有利于提高p型SnO薄膜的结晶质量和电导率,以及p-n结二极管的稳定性和光电性能。
为实现上述目的,本发明的技术方案如下:
一种p型SnO薄膜的制备方法,以SnO陶瓷靶为靶材,采用射频磁控溅射在石英衬底上原位沉积形成p型SnO薄膜,其中,衬底温度为150-300℃,溅射功率为50-150W,工作气体为Ar气,气压为0.5-2.0Pa,气体流量为50-100sccm。
所述制备方法不涉及对所述p型SnO薄膜进行退火的操作。
所述SnO陶瓷靶的纯度为99.99wt%。
一种p-n结二极管的制备方法,包括如下步骤:
(1)以SnO陶瓷靶为靶材,采用射频磁控溅射在石英衬底上原位沉积形成p型SnO薄膜,其中,衬底温度为150-300℃,溅射功率为50-150W,工作气体为Ar气,气压为0.5-2.0Pa,气体流量为50-100sccm;
(2)以SnO2:Sb陶瓷靶为靶材,采用射频磁控溅射在所述p型SnO薄膜上原位沉积形成n型SnO2:Sb薄膜,其中,衬底温度为150-300℃,溅射功率为50-150W,工作气体为Ar气,气压为0.5-2.0Pa,气体流量为50-100sccm;
(3)所述n型SnO2:Sb薄膜与位于其下方的p型SnO薄膜形成所述p-n结二极管。
所述制备方法不涉及对所述p型SnO薄膜和所述n型SnO2:Sb薄膜进行退火的操作。
所述SnO陶瓷靶的纯度为99.99wt%。
一种根据上述方法制备的p-n结二极管,包括石英衬底;形成在所述石英衬底上的p型SnO薄膜;以及形成在所述p型SnO薄膜上的n型SnO2:Sb薄膜。
所述p型SnO薄膜的厚度为200-300nm。
所述n型SnO2:Sb薄膜的厚度为200-300nm。
所述n型SnO2:Sb薄膜的面积小于所述p型SnO薄膜的面积。
本发明的p型SnO薄膜的制备方法,以SnO陶瓷靶为靶材,采用射频磁控溅射方式在石英衬底上原位沉积形成p型SnO薄膜,相比现有先室温沉积再退火的技术,本制备方法简单易行,适合大规模生产,通过优化衬底温度、溅射功率、气压等工艺参数,大大减少了薄膜内部缺陷,提高了空穴迁移率,因而大幅提高了p型SnO薄膜的结晶质量和电导率,再以SnO2:Sb陶瓷靶为靶材,通过射频磁控溅射在该p型SnO薄膜上原位沉积形成n型SnO2:Sb薄膜以形成所述p-n结二极管,可有效提高p-n结二极管的稳定性和光电性能,由此制得的p-n结二极管具有阈值电压高、漏电流低、制备简单、成本低等特点,可用作透明电子器件的基本元件。
附图说明
图1为本发明的p-n结二极管的结构示意图;
图2为本发明的p-n结二极管的电流-电压(I-V)特征曲线。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的特点。
本发明的p-n结二极管的制备方法,包括如下步骤:
(1)以SnO陶瓷靶(纯度优选为99.99wt%)为靶材,采用射频磁控溅射在石英衬底上原位沉积形成p型SnO薄膜,其中,衬底温度为150-300℃,溅射功率为50-150W,工作气体为Ar气,气压为0.5-2.0Pa,气体流量为50-100sccm,通过控制溅射时间将p型SnO薄膜的厚度保持在200-300nm;
(2)以SnO2:Sb陶瓷靶(Sb的掺杂浓度优选为4-6at.%)为靶材,采用射频磁控溅射在所述p型SnO薄膜上原位沉积形成n型SnO2:Sb薄膜,其中,衬底温度为150-300℃,溅射功率为50-150W,工作气体为Ar气,气压为0.5-2.0Pa,气体流量为50-100sccm,通过控制溅射时间将n型SnO2:Sb薄膜的厚度保持在200-300nm;
(3)所述n型SnO2:Sb薄膜与位于其下方的p型SnO薄膜形成所述p-n结二极管。
实施例1
首先以SnO陶瓷靶(纯度为99.99wt%)为靶材,采用射频磁控溅射在石英衬底1(例如100取向的石英晶体)上原位沉积形成p型SnO薄膜2,其中,衬底温度为200℃,溅射功率为100W,工作气体为Ar气,气压为1.0Pa,气体流量为80sccm,通过控制溅射时间将p型SnO薄膜的厚度保持在250nm;然后以SnO2:Sb陶瓷靶(Sb的掺杂浓度为5at.%)为靶材,采用射频磁控溅射在所述p型SnO薄膜上原位沉积形成n型SnO2:Sb薄膜3,其中,衬底温度为200℃,溅射功率为100W,工作气体为Ar气,气压为1.0Pa,气体流量为80sccm,通过控制溅射时间将n型SnO2:Sb薄膜的厚度保持在250nm;所述n型SnO2:Sb薄膜3与位于其下方的p型SnO薄膜2形成所述p-n结二极管,其结构示意图如图1所示,其中,n型SnO2:Sb薄膜3的面积小于p型SnO薄膜2的面积电流-电压(I-V)特征曲线如图2所示,具有典型的整流特性,漏电流很小,正向阈值电压约为2.88V。
实施例2
首先以SnO陶瓷靶(纯度为99.99wt%)为靶材,采用射频磁控溅射在石英衬底1(例如石英玻璃)上原位沉积形成p型SnO薄膜2,其中,衬底温度为150℃,溅射功率为50W,工作气体为Ar气,气压为0.5Pa,气体流量为50sccm,通过控制溅射时间将p型SnO薄膜的厚度保持在200nm;然后以SnO2:Sb陶瓷靶(Sb的掺杂浓度为4at.%)为靶材,采用射频磁控溅射在所述p型SnO薄膜上原位沉积形成n型SnO2:Sb薄膜3,其中,衬底温度为150℃,溅射功率为50W,工作气体为Ar气,气压为1.0Pa,气体流量为50sccm,通过控制溅射时间将n型SnO2:Sb薄膜的厚度保持在200nm;所述n型SnO2:Sb薄膜3与位于其下方的p型SnO薄膜2形成所述p-n结二极管。
实施例3
首先以SnO陶瓷靶(纯度为99.99wt%)为靶材,采用射频磁控溅射在石英衬底1(例如石英玻璃)上原位沉积形成p型SnO薄膜2,其中,衬底温度为300℃,溅射功率为150W,工作气体为Ar气,气压为2.0Pa,气体流量为100sccm,通过控制溅射时间将p型SnO薄膜的厚度保持在300nm;然后以SnO2:Sb陶瓷靶(Sb的掺杂浓度为6at.%)为靶材,采用射频磁控溅射在所述p型SnO薄膜上原位沉积形成n型SnO2:Sb薄膜3,其中,衬底温度为300℃,溅射功率为150W,工作气体为Ar气,气压为2.0Pa,气体流量为100sccm,通过控制溅射时间将n型SnO2:Sb薄膜的厚度保持在300nm;所述n型SnO2:Sb薄膜3与位于其下方的p型SnO薄膜2形成所述p-n结二极管。
本发明的p型SnO薄膜的制备方法,以SnO陶瓷靶为靶材,采用射频磁控溅射方式在石英衬底上原位沉积形成p型SnO薄膜,相比现有先室温沉积再退火的技术,本制备方法简单易行,适合大规模生产,通过优化衬底温度、溅射功率、气压等工艺参数,大大减少了薄膜内部缺陷,提高了空穴迁移率,因而大幅提高了p型SnO薄膜的结晶质量和电导率,再以SnO2:Sb陶瓷靶为靶材,通过射频磁控溅射在该p型SnO薄膜上原位沉积形成n型SnO2:Sb薄膜以形成所述p-n结二极管,可有效提高p-n结二极管的稳定性和光电性能,由此制得的p-n结二极管具有阈值电压高、漏电流低、制备简单、成本低等特点,可用作透明电子器件的基本元件。
前面提供了对较佳实施例的描述,以使本领域内的任何技术人员可使用或利用本发明。对该较佳实施例,本领域内的技术人员在不脱离本发明原理的基础上,可以作出各种修改或者变换。应当理解,这些修改或者变换都不脱离本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种p型SnO薄膜的制备方法,其特征在于,以SnO陶瓷靶为靶材,采用射频磁控溅射在石英衬底上原位沉积形成p型SnO薄膜,其中,衬底温度为150-300℃,溅射功率为50-150W,工作气体为Ar气,气压为0.5-2.0Pa,气体流量为50-100sccm。
2.如权利要求1所述的p型SnO薄膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法不涉及对所述p型SnO薄膜进行退火的操作。
3.如权利要求1所述的p型SnO薄膜的制备方法,其特征在于,所述SnO陶瓷靶的纯度为99.99wt%。
4.一种p-n结二极管的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)以SnO陶瓷靶为靶材,采用射频磁控溅射在石英衬底上原位沉积形成p型SnO薄膜,其中,衬底温度为150-300℃,溅射功率为50-150W,工作气体为Ar气,气压为0.5-2.0Pa,气体流量为50-100sccm;
(2)以SnO2:Sb陶瓷靶为靶材,采用射频磁控溅射在所述p型SnO薄膜上原位沉积形成n型SnO2:Sb薄膜,其中,衬底温度为150-300℃,溅射功率为50-150W,工作气体为Ar气,气压为0.5-2.0Pa,气体流量为50-100sccm;
(3)所述n型SnO2:Sb薄膜与位于其下方的p型SnO薄膜形成所述p-n结二极管。
5.如权利要求4所述的p-n结二极管的制备方法,其特征在于,所述制备方法不涉及对所述p型SnO薄膜和所述n型SnO2:Sb薄膜进行退火的操作。
6.如权利要求4所述的p型SnO薄膜的制备方法,其特征在于,所述SnO陶瓷靶的纯度为99.99wt%。
7.一种根据权利要求4的方法制备的p-n结二极管,其特征在于,包括
石英衬底;
形成在所述石英衬底上的p型SnO薄膜;以及
形成在所述p型SnO薄膜上的n型SnO2:Sb薄膜。
8.如权利要求7所述的p-n结二极管,其特征在于,所述p型SnO薄膜的厚度为200-300nm。
9.如权利要求7所述的p-n结二极管,其特征在于,所述n型SnO2:Sb薄膜的厚度为200-300nm。
10.如权利要求7所述的p-n结二极管,其特征在于,所述n型SnO2:Sb薄膜的面积小于所述p型SnO薄膜的面积。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20141203 |
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WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |