CN103268911B - p-NiO/n-ZnO异质结发光器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种p-NiO/n-ZnO异质结发光器件及其制备方法。自下而上依次有衬底、Zn0.95Mn0.03Li0.02O缓冲层、n型ZnO层、电子阻挡层和p型NiO层。采用的衬底是r面蓝宝石或（100）面LaAlO3，Zn0.95Mn0.02Li0.02O缓冲层和n型ZnO层为非极性a面（110）取向，电子阻挡层是Ni1-xMgxO或Zn1-xMgxO、p型NiO层采用的是（111）取向的Li掺杂的LiyNi1-yO层，其中x值为0.5<x<0.6，y值为0.05<y<0.10。本发明的优点是通过引入缓冲层，改善了a面ZnO层的晶体质量，克服了晶格极化效应，同时结合电子阻挡层，减少漏电流，提高器件的光电性能。
Description
技术领域
本发明涉及一种p-NiO/n-ZnO异质结发光器件；特别涉及引入缓冲层和电子阻挡层以提高晶体质量和器件光电性能。属于新型光电子功能器件领域。
技术背景
ZnO作为一种直接宽禁带半导体，常温下带隙宽为3.37eV，激子束缚能高达60meV，使得它可用于蓝/紫外区域的光电器件。在自然条件下ZnO为六方纤锌矿结构，理论和实验都表明ZnO晶体薄膜趋向于沿c轴（0002）极性方向生长，具有很强的自发极化效应。这就导致在其异质结构体系，如pn结或多量子阱器件中形成内建电场，严重影响ZnO基器件的发光效率。为了避免这种极化效应的负面影响，研究ZnO非极性面生长成为可行的选择和当前的研究热点。
另一方面，由于目前p型ZnO在稳定性及制备可重复性上还无法令人满意，同时存在空穴载流子浓度不高等问题，使得制备高质量同质ZnO基pn结相对困难。因此，制备ZnO异质pn结是一种较好的备选方案。NiO作为一种本征的p型直接禁带半导体，其禁带宽度为3.6~4.0eV，具有稳定性好、原料易获得、价格低廉等优点。此外，NiO与ZnO晶格失配小，禁带宽度相近，可与ZnO形成异质结制备半导体光电器件。本发明提出在r面蓝宝石或（100）面LaAlO3上，通过引入缓冲层，提高（110）取向的ZnO晶体质量；通过引入电子阻挡层，提高器件的电流－电压特性，减少漏电流，提高器件的光电性能。
发明内容
本发明的目的是提供一种高效的、基于非极性衬底的p-NiO/n-ZnO异质结发光器件，丰富ZnO基发光器件的品种。
本发明的非极性ZnO基发光器件自下而上依次有衬底、Zn0.95Mn0.03Li0.02O缓冲层、n型ZnO层、电子阻挡层和p型NiO层。
进一步地，本发明所述衬底为r面蓝宝石或（100）面LaAlO3。
进一步地，本发明所述Zn0.95Mn0.03Li0.02O缓冲层是（110）取向，厚度为10~40nm；所述电子阻挡层的厚度为50~100nm。
进一步地，本发明所述电子阻挡层是Ni1-xMgxO或Zn1-xMgxO，所述p型NiO层为Li掺杂的LiyNi1-yO层，其中0.5<x<0.6，0.05<y<0.10。
所述的p-NiO/n-ZnO异质结发光器件的制备方法，在衬底上自下而上沉积（110）取向的Zn0.95Mn0.03Li0.02O缓冲层2，在生长有缓冲层的基片上沉积(110)取向的纯的n型ZnO薄膜层，接着沉积Ni0.45Mg0.55O电子阻挡层，最后沉积(111)取向的p型Li0.07Ni0.93O薄膜层。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
1)以r面蓝宝石或（100）面LaAlO3为衬底，所制备的n型ZnO层为(110)面非极性取向，无内建电场存在，有利于提高ZnO的发光效率。
2)在衬底和n型ZnO薄膜层中引入一定厚度的Zn0.95Mn0.03Li0.02O缓冲层，有效地提高了非极性n型ZnO的结晶质量，优化了其电学性能。
3）在n型ZnO和p型NiO间插入一定厚度的电子阻挡层，提升了器件的电流－电压特性，减小漏电流，观察到明显的整流特性。
附图说明
图1是本发明p-NiO/n-ZnO异质结发光器件的结构示意图。
图中：1为衬底、2为Zn0.95Mn0.03Li0.02O缓冲层、3为n型ZnO层、4为电子阻挡层、5为p型NiO层。
图2是实施例1制得的p-NiO/n-ZnO异质结的I-V整流特性图。
具体实施方式
以下结合附图详细叙述本发明。
实施例1：
在r面蓝宝石衬底1上自下而上沉积（110）取向的厚度为10nm的Zn0.95Mn0.03Li0.02O缓冲层2，在生长有缓冲层2的基片上沉积约270nm厚(110)取向的纯的n型ZnO薄膜层3，接着在3上沉积Ni0.45Mg0.55O电子阻挡层4，厚度为50nm，最后在4上沉积200nm厚的(111)取向的p型Li0.07Ni0.93O薄膜层。制得的结构即为p-NiO/n-ZnO异质结发光原型器件，其结构示意图如图1所示，其I-V整流特性图如图2所示。
实施例2：
在（100）面LaAlO3衬底1上自下而上沉积（110）取向的厚度为25nm的Zn0.95Mn0.03Li0.02O缓冲层2，在生长有缓冲层2的基片上沉积约200nm厚(110)取向的纯的n型ZnO薄膜层3，接着在3上沉积75nm厚的Zn0.47Mg0.53O电子阻挡层4，最后在4上沉积(111)取向的p型Li0.06Ni0.94O薄膜层，厚度约300nm。制得的结构即为p-NiO/n-ZnO异质结发光原型器件。
实施例3：
在r面蓝宝石衬底1上自下而上沉积（110）取向的厚度为40nm的Zn0.95Mn0.03Li0.02O缓冲层2，在生长有缓冲层2的基片上沉积约220nm厚(110)取向的纯的n型ZnO薄膜层3，接着在3上沉积100nm厚的Zn0.45Mg0.55O电子阻挡层4，最后在4上沉积300nm厚的(111)取向的p型Li0.09Ni0.91O薄膜层。制得的结构即为p-NiO/n-ZnO异质结发光原型器件。
Claims (3)
1.一种p-NiO/n-ZnO异质结发光器件，其特征是：自下而上依次有r面蓝宝石或（100）面LaAlO3衬底、厚度为10~40nm的Zn0.95Mn0.03Li0.02O缓冲层、(110)取向的n型ZnO层、Ni1-xMgxO或Zn1-xMgxO电子阻挡层和p型NiO层。
2.根据权利要求1所述的p-NiO/n-ZnO异质结发光器件，其特征是所述Ni1-xMgxO或Zn1- xMgxO电子阻挡层厚度为50~100nm，所述p型NiO层为Li掺杂的LiyNi1-yO层，其中0.5<x<0.6，0.05<y<0.10。
3.一种根据权利要求1所述的p-NiO/n-ZnO异质结发光器件的制备方法，其特征是过程如下：在衬底上自下而上沉积（110）取向的Zn0.95Mn0.03Li0.02O缓冲层，在生长有缓冲层的基片上沉积(110)取向的纯的n型ZnO薄膜层，接着沉积Ni0.45Mg0.55O电子阻挡层，最后沉积(111)取向的p型Li0.07Ni0.93O薄膜层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310139795.XA CN103268911B (zh) | 2013-04-22 | 2013-04-22 | p-NiO/n-ZnO异质结发光器件及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310139795.XA CN103268911B (zh) | 2013-04-22 | 2013-04-22 | p-NiO/n-ZnO异质结发光器件及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103268911A CN103268911A (zh) | 2013-08-28 |
| CN103268911B true CN103268911B (zh) | 2016-05-18 |
Family
ID=49012531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310139795.XA Expired - Fee Related CN103268911B (zh) | 2013-04-22 | 2013-04-22 | p-NiO/n-ZnO异质结发光器件及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103268911B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103633204B (zh) * | 2013-12-04 | 2016-08-17 | 武汉大学 | 一种Ta2O5/ZnO/HfO2非对称双异质结发光二极管及其制备方法 |
| CN104600162B (zh) * | 2014-03-24 | 2016-01-27 | 上海卓霖半导体科技有限公司 | 基于lao衬底的非极性蓝光led外延片的制备方法 |
| CN104465987B (zh) * | 2014-11-14 | 2017-05-03 | 西南大学 | 一种ZnO/NiO异质结构有序多孔薄膜及其制备方法 |
| CN105789399B (zh) * | 2016-05-03 | 2018-04-06 | 金华吉大光电技术研究所有限公司 | p型宽禁带氧化物和ZnO组合垂直结构发光器件及其制备方法 |
| CN106410001B (zh) * | 2016-06-23 | 2018-10-19 | 孙月静 | 一种AlGaN基紫外发光二极管 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3399392B2 (ja) * | 1999-02-19 | 2003-04-21 | 株式会社村田製作所 | 半導体発光素子、およびその製造方法 |
| JP4568197B2 (ja) * | 2005-09-15 | 2010-10-27 | 三洋電機株式会社 | 酸化物半導体素子 |
| TWI492405B (zh) * | 2009-09-25 | 2015-07-11 | Univ Chang Gung | A light emitting type transparent solar cell device |
-
2013
- 2013-04-22 CN CN201310139795.XA patent/CN103268911B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103268911A (zh) | 2013-08-28 |
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Legal Events
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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Granted publication date: 20160518 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |