CN104144898A - 复合层叠陶瓷电子部件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种具备被共烧成的低介电常数陶瓷层和高介电常数陶瓷层、且在低介电常数陶瓷层以及高介电常数陶瓷层的各个层中可得到相应的特性的复合层叠陶瓷电子部件。由玻璃陶瓷构成低介电常数陶瓷层(3)和高介电常数陶瓷层(4)，在低介电常数陶瓷层(3)和高介电常数陶瓷层(4)中使玻璃等的含有比率不同，其中该玻璃陶瓷包含：由MgAl2O4和/或Mg2SiO4构成的第一陶瓷；由BaO、RE2O3(RE为稀土类元素)以及TiO2构成的第二陶瓷；分别包含44.0～69.0重量％的RO(R为碱土类金属)、14.2～30.0重量％的SiO2、10.0～20.0重量％的B2O3、0.5～4.0重量％的Al2O3、0.3～7.5重量％的Li2O、以及0.1～5.5重量％的MgO的玻璃；和MnO。
Description
技术领域
本发明涉及在内部构成例如微波用谐振器、滤波器或电容器等的多层陶瓷基板那样的层叠陶瓷电子部件，特别涉及具备层叠了具有比较低的相对介电常数的低介电常数陶瓷层和具有比较高的相对介电常数的高介电常数陶瓷层的复合结构的复合层叠陶瓷电子部件。
背景技术
近年来，伴随着电子设备的小型化、轻量化以及薄型化，而要求在电子设备中使用的电子部件的小型化。但是，以往电容器、谐振器等电子部件分别地被单独构成，仅是将这些部件小型化，从而对于电子设备的小型化而言存在极限。为此，提出各种在内部构成电容器、谐振器等元件的多层陶瓷基板。
另外，为了应对多层陶瓷基板的进一步的小型化以及近年来的高频化的潮流，还提出各种具有层叠了低介电常数陶瓷层和高介电常数陶瓷层的复合结构的多层陶瓷基板。例如，如日本特开2002-29827号公报(专利文献1)以及日本特开2003-63861号公报(专利文献2)所记载的那样，提出被形成了布线或安装了半导体元件等的低介电常数陶瓷层夹持、而配置高介电常数且低介电损失的材料所构成的高介电常数陶瓷层，在其中构成有电容器、谐振器等元件的多层陶瓷基板。
在上述专利文献1以及专利文献2中，另外还记载了适于形成低介电常数陶瓷层的玻璃陶瓷组合物、或适于形成高介电常数陶瓷层的玻璃陶瓷组合物。
更具体地，在专利文献1中，在其权利要求1中记载了包含MgAl2O4系陶瓷和玻璃的玻璃陶瓷组合物。更详细地，记载了包含MgAl2O4系陶瓷粉末、下述玻璃粉末的玻璃陶瓷组合物，该玻璃粉末包含以SiO2换算的13～50重量％的氧化硅、以B2O3换算的8～60重量％的氧化硼、以Al2O3换算的0～20重量％的氧化铝、以MgO换算的10～55重量％的氧化镁。
另外，在专利文献1中，在其权利要求2中记载了也可以进一步包含20重量％以下的比例的碱土类金属氧化物，在其权利要求6中记载了优选玻璃的含量为整体的20～80重量％的内容。
根据专利文献1所记载的玻璃陶瓷组合物，在其烧结体中，可得到如相对介电常数例如为8以下那样的比较低的相对介电常数，且能适于高频用途。
接下来，作为构成具有比较高的相对介电常数的高介电常数陶瓷层的高介电常数材料，在专利文献2中记载了包含BaO-TiO2-RE2O3(RE为稀土类元素)系电介质以及玻璃的材料。根据专利文献2的权利要求2，玻璃包含：10～25重量％的SiO2、10～40重量％的B2O3、25～55重量％的MgO、0～20重量％的ZnO、0～15重量％的Al2O3、0.5～10重量％的Li2O、和0～10重量％的RO(R为Ba、Sr以及Ca中的至少一种)。另外，如专利文献2的权利要求4所记载的那样，优选玻璃的含量为15～35重量％。
另一方面，作为构成上述低介电常数陶瓷层的低介电常数材料，在专利文献2中记载了与专利文献1类似的材料。
对上述那样的专利文献1以及2所记载的各玻璃陶瓷组合物，本申请发明人重复了实验，结果发现，首先关于绝缘可靠性而找出应该继续改善的点。其原因如以下那样推测。
专利文献1以及2各自记载的玻璃陶瓷组合物中包含的玻璃虽然是用于可以在1000℃以下的温度下进行烧成的玻璃，但是却成为易于结晶化的组成。在专利文献1以及2所记载的玻璃陶瓷组合物中，由于在烧成过程中玻璃成分和陶瓷成分发生反应而析出结晶，因此使在烧成完成时间点的结晶的量和玻璃成分的量稳定化较为困难。而且，推测为这样的在烧成完成时间点的结晶的量和玻璃成分的量的不稳定性使绝缘可靠性降低。
例如，虽然专利文献1以及2各自记载的玻璃陶瓷组合物中含有的玻璃包含较多的MgO，但是这样一来若玻璃中的MgO较多，则认为会从玻璃成分中析出MgAl2O4和/或Mg2SiO4的结晶，推测为这会招致绝缘可靠性的降低。
另外，特别地，专利文献2所记载的高介电常数材料，为了能在1000℃以下的温度下进行烧成而需要添加玻璃，另一方面，为了提高相对介电常数而需要包含BaO-TiO2-RE2O3系电介质。但是，从该BaO-TiO2-RE2O3系电介质游离出的Ti离子会引起氧缺陷。而且，这样的氧缺陷尤其可成为使高温、高电压、长时间等的使用下的绝缘可靠性降低的原因。
另外，本申请发明人重复了实验，结果认识到如下问题，即：在专利文献1以及2所记载的各玻璃陶瓷组合物所具有的组成中，难以在相对介电常数低到相对介电常数高的宽幅范围内稳定地得到期望的相对介电常数。
即，专利文献1以及2所记载的玻璃陶瓷组合物中包含的玻璃如前述那样，在烧成过程易于与陶瓷成分发生反应而结晶化。由于若析出结晶则相对介电常数就会变化，因此难以得到期望的相对介电常数。
另外，专利文献1以及2所记载的玻璃陶瓷组合物中包含的玻璃相对于MgAl2O4系陶瓷或BaO-TiO2-RE2O3系电介质的湿润性并不良好。因而，若没有将玻璃添加得比较多，则无法使玻璃陶瓷组合物烧结。但是，若玻璃的添加量较多，则相对介电常数会降低。由此，特别难以制作高介电常数材料。
此外，作为复合层叠陶瓷电子部件独有的课题，还不得不考虑单独为低介电常数陶瓷层的情况下得到的特性、和单独为高介电常数陶瓷层的情况下得到的特性，在低介电常数陶瓷层和高介电常数陶瓷层的共烧成的情况下是否会基本得到维持。特别是，由于专利文献1以及2各自记载的玻璃陶瓷组合物中包含的玻璃成为易于结晶化的组成，因此难以使烧成完成时间点的结晶的量和玻璃成分的量稳定化，根据这一点推测为低介电常数陶瓷层和高介电常数陶瓷层的共烧成的结果是失去各陶瓷层的单独时特性的可能性充分存在。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-29827号公报
专利文献2：日本特开2003-63861号公报
发明内容
发明要解决的课题
因此，本发明的目的在于提供一种复合层叠陶瓷电子部件，能共烧成低介电常数陶瓷层和高介电常数陶瓷层，在低介电常数陶瓷层以及高介电常数陶瓷层的各个层中可得到相应的特性。
用于解决课题的手段
本发明面向具备被层叠的低介电常数陶瓷层和高介电常数陶瓷层的复合层叠陶瓷电子部件，为了解决上述技术课题，特征在于具备如下那样的构成。
低介电常数陶瓷层和高介电常数陶瓷层均由玻璃陶瓷构成，该玻璃陶瓷包含：(1)由选自MgAl2O4以及Mg2SiO4中的至少一方构成的第一陶瓷；(2)由BaO、RE2O3(RE为稀土类元素)以及TiO2构成的第二陶瓷；(3)分别包含44.0～69.0重量％的RO(R为从Ba、Ca以及Sr中选出的至少一种碱土类金属)、14.2～30.0重量％的SiO2、10.0～20.0重量％的B2O3、0.5～4.0重量％的Al2O3、0.3～7.5重量％的Li2O以及0.1～5.5重量％的MgO的玻璃；和(4)MnO。
并且，在低介电常数陶瓷层中，包含15.5～47重量％的上述第一陶瓷，包含7～20重量％的上述玻璃，包含5.5～20.5重量％的上述MnO，作为上述第二陶瓷而分别包含2.1～5.2重量％的BaO、13.2～34.75重量％的RE2O3、以及9.5～24.75重量％的TiO2，相对介电常数为20以上且25以下。
另一方面，在高介电常数陶瓷层中，包含1～15重量％的上述第一陶瓷，包含3～15重量％的上述玻璃，包含2.3～10重量％的上述MnO，作为上述第二陶瓷而分别包含2.5～15.7重量％的BaO、24.6～65.3重量％的RE2O3、以及11.2～36.4重量％的TiO2，相对介电常数为30以上。
优选地，低介电常数陶瓷层中包含的玻璃的含量GL以及高介电常数陶瓷层中包含的玻璃的含量GH满足0.88≤GL/GH≤2.16的条件。如从后述的实验例获知那样，若满足该条件，则尤其能提升低介电常数陶瓷层的绝缘可靠性。
另外，优选地，低介电常数陶瓷层中包含的MnO的含量ML以及高介电常数陶瓷层中包含的MnO的含量MH满足1.00≤ML/MH≤2.93的条件。如从后述的实验例获知那样，若满足该条件，则尤其能提升高介电常数陶瓷层的绝缘可靠性。
更优选地，满足上述两个条件的双方。由此，如从后述的实验例获知那样，对于低介电常数陶瓷层以及高介电常数陶瓷层双方，能进一步提升绝缘可靠性。
另外，优选低介电常数陶瓷层还包含1.5～7.5重量％的由选自Mg2Al4Si5O18以及BaAl2Si2O8中的至少一方构成的第三陶瓷。由此，如从后述的实验例获知那样，在复合层叠陶瓷电子部件中能更不易产生弯曲。
低介电常数陶瓷层也可还包含1.2重量％以下的CuO，另外高介电常数陶瓷层也可还包含1.2重量％以下的CuO。
发明效果
根据本发明，由于低介电常数陶瓷层以及高介电常数陶瓷层由包含公共的元素的玻璃陶瓷构成，因此能没有问题地使低介电常数陶瓷层和高介电常数陶瓷层共烧结。
另外，对于低介电常数陶瓷层以及高介电常数陶瓷层的各个层，由于包含于其中的玻璃难以结晶化、且包含MnO，因此能提高绝缘可靠性。
另外，在低介电常数陶瓷层中，能得到相对介电常数为20以上且25以下、绝缘可靠性高、Qf值高、静电容温度系数(TCC)的绝对值为60ppm/K以下这样的特性。
另一方面，在高介电常数陶瓷层中，能得到相对介电常数为30以上、绝缘可靠性高、Qf值高、静电容温度系数(TCC)的绝对值为150ppm/K以下这样的特性。
附图说明
图1是表示作为本发明所涉及的复合层叠陶瓷电子部件的一例的具备多层陶瓷基板2的陶瓷多层模块1的截面图。
图2是分解表示图1所示的陶瓷多层模块1的立体图。
图3是表示作为本发明所涉及的复合层叠陶瓷电子部件的其他示例的LC滤波器21的外观的立体图。
图4是图3所示的LC滤波器21所给出的等效电路图。
图5是分解表示图3所示的LC滤波器21中具备的部件主体23的立体图。
图6是表示在实验例中制作出的两个种类的共烧结体的截面图。
具体实施方式
参照图1以及图2来说明作为本发明所涉及的复合层叠陶瓷电子部件的一例的具备多层陶瓷基板2的陶瓷多层模块1。
陶瓷多层模块1中具备的多层陶瓷基板2具备被层叠的多个低介电常数陶瓷层3以及被层叠的多个高介电常数陶瓷层4，多个低介电常数陶瓷层3位于夹着多个高介电常数陶瓷层4的位置，将它们共烧成。
低介电常数陶瓷层3和高介电常数陶瓷层4均由玻璃陶瓷构成，该玻璃陶瓷包含：
(1)由选自MgAl2O4以及Mg2SiO4中的至少一方构成的第一陶瓷；
(2)由BaO、RE2O3(RE为稀土类元素)以及TiO2构成的第二陶瓷；
(3)分别包含44.0～69.0重量％的RO(R为从Ba、Ca以及Sr中选出的至少一种碱土类金属)、14.2～30.0重量％的SiO2、10.0～20.0重量％的B2O3、0.5～4.0重量％的Al2O3、0.3～7.5重量％的Li2O、以及0.1～5.5重量％的MgO的玻璃；和
(4)MnO。
如此，由于低介电常数陶瓷层3以及高介电常数陶瓷层4由包含公共的元素的玻璃陶瓷构成，因此能没有问题地使低介电常数陶瓷层3和高介电常数陶瓷层4共烧结。
另外，根据在本发明中使用的上述玻璃陶瓷，如从后述的实验例中明确的那样，能起到如下的效果。
(A)绝缘可靠性高。
该玻璃陶瓷中包含的玻璃成为难以结晶化的组成。因而，在烧成完成时间点的结晶量和玻璃成分量稳定，由此能使绝缘可靠性提升。这是因为，该玻璃与专利文献1以及2所记载的玻璃陶瓷中包含的玻璃相比，由于MgO含量较少，因此能抑制MgAl2O4、Mg2SiO4这样的结晶的析出，并且通过使RO含量较多从而成为不结晶化的组成。
另外，上述玻璃陶瓷组合物包含MnO。专利文献1以及2所记载的玻璃陶瓷组合物不包含MnO。由于Ti氧化物的还原而产生的Ti离子引起氧缺陷，这能成为使高温、高电压、长时间等的使用下的绝缘可靠性降低的原因。在本发明中，通过将Mn置换到Ti位来抑制氧缺陷的产生。推测为这也有助于绝缘可靠性的提升。
(B)在相对介电常数低到相对介电常数高的宽幅范围内能够容易地得到期望的相对介电常数的产品。
如前述那样，专利文献1以及2所记载的玻璃易于与陶瓷成分发生反应而结晶化，因而相对介电常数易于发生变化。与此相对，由于本发明中使用的玻璃陶瓷中包含的玻璃难以结晶化，因此容易制作具有期望的相对介电常数的产品。
另外，本发明中使用的玻璃陶瓷中包含的玻璃是相对于上述第一陶瓷以及上述第二陶瓷的湿润性高且反应性低的玻璃。因此，该玻璃陶瓷即使玻璃成分较少也能使其烧结，反之，即使玻璃成分较多也难以反应而稳定。因此，在玻璃陶瓷中，能宽幅地调整陶瓷成分以及玻璃成分各自的含量，因而仅调整陶瓷成分以及玻璃成分的各含量就能容易地提供从低介电常数产品到高介电常数产品的宽幅的产品。即，如以下说明的那样，能提供适于构成低介电常数陶瓷层3的玻璃陶瓷、和适于构成高介电常数陶瓷层4的玻璃陶瓷。
需要说明的是，本发明中使用的玻璃陶瓷在烧成前后组成没有大的变动。虽然存在玻璃中的B2O3、Li2O于烧成时挥发的情况，但是即便在该情况下烧成后的其他成分的比率也与烧成前几乎没有变化。
在构成低介电常数陶瓷层3的玻璃陶瓷中，包含15.5～47重量％的第一陶瓷，包含7～20重量％的玻璃，包含5.5～20.5重量％的MnO，作为第二陶瓷而分别包含2.1～5.2重量％的BaO、13.2～34.75重量％的RE2O3、以及9.5～24.75重量％的TiO2。
在低介电常数陶瓷层3中，能得到如下特性：相对介电常数为20以上且25以下、绝缘可靠性高、Qf值高、静电容温度系数(TCC)的绝对值为60ppm/K以下。
另一方面，在构成高介电常数陶瓷层4的玻璃陶瓷中，包含1～15重量％的第一陶瓷，包含3～15重量％的玻璃，包含2.3～10重量％的MnO，作为第二陶瓷而分别包含2.5～15.7重量％的BaO、24.6～65.3重量％的RE2O3、以及11.2～36.4重量％的TiO2。
在高介电常数陶瓷层4中，能得到如下特性：相对介电常数为30以上、绝缘可靠性高、Qf值高、静电容温度系数(TCC)的绝对值为150ppm/K以下。
优选地，低介电常数陶瓷层3中包含的玻璃的含量GL以及高介电常数陶瓷层4中包含的玻璃的含量GH满足0.88≤GL/GH≤2.16的条件。如从后述的实验例获知那样，若满足该条件，则尤其能提升低介电常数陶瓷层3的绝缘可靠性。推测这是因为，能抑制在低介电常数陶瓷层3的玻璃成分和高介电常数陶瓷层4的玻璃成分之间的相互扩散。
另外，优选地，低介电常数陶瓷层3中包含的MnO的含量ML以及高介电常数陶瓷层4中包含的MnO的含量MH满足1.00≤ML/MH≤2.93的条件。如从后述的实验例获知那样，若满足该条件，则尤其能提升高介电常数陶瓷层4的绝缘可靠性。推测这是因为，能抑制在低介电常数陶瓷层3的MnO成分和高介电常数陶瓷层4的MnO成分之间的相互扩散。
更优选地，满足上述两个条件的双方。由此，如从后述的实验例获知那样，对于低介电常数陶瓷层3以及高介电常数陶瓷层4双方，能进一步提升绝缘可靠性。
另外，优选低介电常数陶瓷层3还包含1.5～7.5重量％的由选自Mg2Al4Si5O18以及BaAl2Si2O8中的至少一方构成的第三陶瓷。由此，如从后述的实验例获知那样，在多层陶瓷基板2中能更不易产生弯曲。
低介电常数陶瓷层3也可还包含1.2重量％以下的CuO，另外高介电常数陶瓷层4也可还包含1.2重量％以下的CuO。
多层陶瓷基板2具备各种布线导体。作为布线导体，典型地有：沿着陶瓷层3与4之间的特定的界面所形成的内部导体膜6、贯通陶瓷层3以及4的特定的陶瓷层地延伸的通孔导体7、以及形成于多层陶瓷基板2的外表面上的外部导体膜8。
上述内部导体膜6之中与高介电常数陶瓷层4关联而设的几个内部导体膜被配置成提供静电容，由此构成了电容器元件。
在多层陶瓷基板2的上表面搭载有多个电子部件9～17。图示的电子部件9～17之中，例如电子部件9是二极管，电子部件11是层叠陶瓷电容器，电子部件16是半导体IC。这些电子部件9～17与在多层陶瓷基板2的上表面所形成的外部导体膜8的特定的外部导体膜电连接，同时与在多层陶瓷基板2的内部所形成的布线导体一起，构成了对于陶瓷多层模块1而言必要的电路。
在多层陶瓷基板2的上表面，固定有用于对电子部件9～17进行屏蔽的导电性帽18。导电性帽18与前述的通孔导体7的特定的通孔导体电连接。
另外，陶瓷多层模块1将在多层陶瓷基板2的下表面上所形成的外部导体膜8的特定的外部导体膜作为连接用端子而安装在未图示的母板上。
多层陶瓷基板2能使用公知的陶瓷层叠一体烧成技术来制造。
即，首先制作用于低介电常数陶瓷层3的陶瓷生片。更具体地，在提供上述的玻璃陶瓷的原料组合物中添加包含粘合剂树脂以及溶剂的有机载体，得到陶瓷浆料。例如用刮刀法将该陶瓷浆料成形为片状，在干燥后，冲裁为规定的尺寸，由此得到陶瓷生片。然后，为了在该陶瓷生片形成布线导体，例如用期望的图案来赋予以铜或银为主成分的导电性糊剂。
另一方面，以与用于低介电常数陶瓷层3的陶瓷生片的情况相同的方法，来制作包含提供构成高介电常数陶瓷层4的玻璃陶瓷的原料组合物的陶瓷生片。然后，为了在该陶瓷生片形成布线导体，例如用期望的图案赋予以铜或银为主成分的导电性糊剂。
接下来，分别以给定的顺序分别层叠规定片数的如上述那样得到的用于低介电常数陶瓷层3的陶瓷生片以及用于高介电常数陶瓷层4的陶瓷生片，接下来在厚度方向上进行加压。
接下来，通过在1000℃以下例如800～1000℃温度下烧成如上述那样得到的原始的层叠体，从而能得到多层陶瓷基板2。在此，在布线导体以铜为主成分的情况下，烧成在氮气氛等非氧化性气氛中实施，在布线导体以银为主成分的情况下，烧成在大气等氧化性气氛中实施。
接下来，应用钎焊等在多层陶瓷基板2的表面搭载电子部件9～17，安装导电性帽18，由此完成陶瓷多层模块1。
根据以上那样的陶瓷多层模块1，因为在多层陶瓷基板2中具备的低介电常数陶瓷层3中，相对介电常数为20以上且25以下、Qf值高、静电容温度系数的绝对值为60ppm/K以下，而在高介电常数陶瓷层4中相对介电常数为30以上、Qf值高、静电容温度系数(TCC)的绝对值为150ppm/K以下，所以能适于高频用途且可靠性优异。另外，还能使陶瓷多层模块1的绝缘可靠性优异。
接下来，参照图3到图5来说明作为本发明所涉及的复合层叠陶瓷电子部件的其他示例的LC滤波器21。
如图3所示，LC滤波器21具备作为具有多个的被层叠的玻璃陶瓷层而构成的层叠结构物的部件主体23，在该部件主体23的外表面上的各端部设置有端子电极24以及25，在各侧面的中间部设置有端子电极26以及27。
如图4所示，LC滤波器21为：在端子电极24与25之间构成被串联连接的两个电感L1以及L2，在电感L1以及L2的连接点与端子电极26以及27之间构成电容C。
如图5所示，部件主体23具备多个的被层叠的陶瓷层28～40。需要说明的是，陶瓷层的层叠数并不限定于图示的数量。
陶瓷层28～40分别如下那样得到：在提供玻璃陶瓷的原料组合物中添加由粘合剂树脂以及溶剂构成的有机载体，将它们混合而得到的陶瓷浆料利用刮刀法成形为片状，在干燥后冲裁成规定的大小，然后对由此得到的陶瓷生片进行烧成，最终形成陶瓷层28～40。
另外，为了提供图4所示那样的电感L1以及L2和电容C，按照以下那样的方式与陶瓷层28～40的特定的陶瓷层关联地设置布线导体。
在陶瓷层30形成构成电感L1的一部分的线圈图案41，并且形成从该线圈图案41的一端延伸的引出图案42，在线圈图案41的另一端设置通孔导体43。引出图案42与端子电极24连接。
在陶瓷层31形成构成电感L1的一部分的线圈图案44，并且在其一端设置通孔导体45。线圈图案44的另一端与前述的通孔导体43连接。
在陶瓷层32设置与上述的通孔导体45连接的通孔导体46。
在陶瓷层33形成构成电容C的一部分的电容器图案47，并且形成从电容器图案47延伸的引出图案48以及49。引出图案48以及49与端子电极26以及27连接。另外，在陶瓷层33设置与前述的通孔导体46连接的通孔导体50。
在陶瓷层34形成构成电容C的一部分的电容器图案51，并且设置与电容器图案51连接的通孔导体52。电容器图案51与前述的通孔导体50连接。
在陶瓷层35形成构成电容C的一部分的电容器图案53，并且形成从该电容器图案53延伸的引出图案54以及55。引出图案54以及55与端子电极26以及27连接。另外，在该陶瓷层35设置与前述的通孔导体52连接的通孔导体56。
在陶瓷层36设置与上述的通孔导体56连接的通孔导体57。
在陶瓷层37形成构成电感L2的一部分的线圈图案58，并且在其一端设置通孔导体59。线圈图案58的另一端与前述的通孔导体57连接。
在陶瓷层38形成构成电感L2的一部分的线圈图案60，并且形成从该线圈图案60的一端延伸的引出图案61。引出图案61与端子电极25连接。线圈图案60的另一端与前述的通孔导体59连接。
在形成以上那样的作为布线导体的线圈图案41、44、58以及60、引出图案42、48、49、54、55以及61、通孔导体43、45、46、50、52、56、57以及59、还有电容器图案47、51以及53时，例如使用以铜或银为主成分的导电性糊剂，为了赋予该导电性糊剂，例如应用丝网印刷。
然后，为了得到部件主体23，按照规定的顺序来层叠将成为上述的各个陶瓷层28～40的陶瓷生片，在厚度方向上进行加压，之后在1000℃以下例如800～1000℃的温度下烧成。在此，与前述的陶瓷多层模块1的情况相同，在布线导体以铜为主成分的情况下，烧成在氮气氛等非氧化性气氛下实施，在布线导体以银为主成分的情况下，烧成在大气等氧化性气氛中实施。
另外，为了形成位于部件主体23的外表面上的端子电极24～27，例如应用以铜或银为主成分的导电性糊剂的涂敷以及烧结、或蒸镀、镀敷或溅射等薄膜形成法等。
在以上那样的LC滤波器21中，关于陶瓷层28～40之中特别对电容C的构成直接做出贡献的陶瓷层33以及34，由与构成前述图1所示的陶瓷多层模块1所具备的高介电常数陶瓷层4的材料相同的高介电常数陶瓷材料构成，关于其他的陶瓷层28～32以及35～40，由与构成陶瓷多层模块1所具备的低介电常数陶瓷层3的材料相同的低介电常数陶瓷材料构成。
本发明还能应用于图示那样的陶瓷多层模块1或LC滤波器21以外的复合层叠陶瓷电子部件。
接下来，说明为了评价由本发明中使用的玻璃陶瓷得到的特性、以及使用该玻璃陶瓷所构成的复合层叠陶瓷电子部件具有的特性而实施的实验例。
[准备玻璃]
首先，作为玻璃陶瓷中包含的玻璃、即在以下实验例中公共使用的玻璃，将以表1所示的组成来进行调和的组成在1100～1400℃的温度下熔融、骤冷而玻璃化，之后进行了湿式粉碎，由此准备了各种组成的玻璃粉末。
[表1]
[实验例1]
在实验例1中，进行用于高介电常数陶瓷层的玻璃陶瓷单体的评价。
首先，作为第一陶瓷，以规定的比率调和MgCO3和Al2O3并进行预烧、湿式粉碎，由此制作尖晶石化合物：MgAl2O4，并且以规定的比率调和MgCO3和SiO2并进行预烧、湿式粉碎，由此制作镁橄榄石化合物：Mg2SiO4。
接下来，调和表1所示的玻璃、MgAl2O4、Mg2SiO4、BaO、TiO2、作为RE2O3的Nd2O3、MnO以及CuO的各粉末以成为表2以及表3所示的组成，在混合之后加入有机溶剂以及粘合剂，从而制作了浆料。
[表2]
[表3]
接下来，用刮刀法将上述浆料成形为片状，并进行干燥，由此得到了陶瓷生片。使用该陶瓷生片来适宜地制作试样，如表4以及表5所示那样，评价了相对介电常数(εr)、Qf、静电容温度系数(β)以及绝缘可靠性。
更具体地，在测定εr以及Qf时，切割上述陶瓷生片，并进行层叠、压接，由此制作了具有0.6mm×50mm×50mm的尺寸的压接体。通过将其在990℃的温度下进行烧成，由此得到了成为试样的陶瓷基板。使用该陶瓷基板，通过空腔谐振器法来测定了εr以及Qf。此时，将测定频率设为约25GHz。
在该实验例中，目的在于得到εr为30以上的电介质材料。关于Qf，将不足5000的试样判定为不合格。
在测定β以及评价绝缘可靠性时，为了在切割上述陶瓷生片后形成内部电极，在陶瓷生片上印刷包含Cu的导电性糊剂，然后经过层叠、压接、烧成、外部电极形成的各工序，得到了成为试样的层叠陶瓷电容器。该层叠陶瓷电容器中的相邻的内部电极间距离为10μm，重合的电极面积为4mm□。
然后，在-40℃～85℃的范围测定上述层叠陶瓷电容器静电容，求取以20℃为基准的静电容温度系数β。关于β，将绝对值超过150ppm/K的试样判定为不合格。
另外，关于上述层叠陶瓷电容器，在150℃的温度下施加100个小时的DC200V的试验后测定绝缘电阻，在该试验后的log(IR[Ω])不足11的情况下判定为不合格，在4以及表5的“绝缘可靠性”的栏中用“×”进行表示，另一方面，在log(IR[Ω])成为11以上的情况下判定为合格，在表4以及表5的“绝缘可靠性”的栏中用“○”进行了表示。
需要说明的是，关于未充分烧结的试样，在表4以及表5的“备注”栏中表示为“未烧结”，另外，关于玻璃未玻璃化的试样，在“备注”栏中表示为“未玻璃化”，在这些试样中未进行εr、Qf、β以及绝缘可靠性的各评价。另外，在“备注”栏中简洁记载关于在该实验例成为不合格的试样的不合格理由。
[表4]
[表5]
在表4以及表5中，对在该实验例中判定为不合格的试样，在其试样编号上附加*。
从表1到表5获知以下情况。
首先考察表2以及表4所示的试样1～36。在试样1～36中，关于表1所示的全部玻璃G1～G36，使用其中任一者。需要说明的是，关于“玻璃”的含量，在全部试样1～36中设为“9重量％”且恒定。
在试样1中未充分烧结。推测这是因为使用了Li2O含量少于0.3重量％的玻璃G1。
在试样5中绝缘可靠性降低。推测这是因为使用了Li2O含量多于7.5重量％的玻璃G5。
在试样8中εr低、绝缘可靠性降低。推测这是因为使用了碱土类金属含量少于44.0重量％的玻璃G8。
在试样13中未充分烧结。推测这是因为使用了碱土类金属含量多于69.0重量％的玻璃G13。
在试样15中未充分烧结。推测这是因为使用了B2O3含量少于10.0重量％的玻璃G15。
在试样17中未充分烧结。推测这是因为使用了SiO2含量多于30.0重量％的玻璃G17。
在试样19中绝缘可靠性降低。推测这是因为使用了B2O3含量多于20.0重量％的玻璃G19。
在试样32中Qf降低。推测这是因为使用了MgO含量少于0.1重量％的玻璃G32。
在试样33中绝缘可靠性降低。推测这是因为使用了MgO含量多于5.5重量％的玻璃G33。
在试样34中未玻璃化。推测这是因为使用了SiO2含量少于14.2重量％的玻璃G34。
在试样35中绝缘可靠性降低。推测这是因为使用了Al2O3含量少于0.5重量％的玻璃G35。
在试样36中绝缘可靠性降低。推测这是因为使用了Al2O3含量多于4.0重量％的玻璃G36。
在上述试样1、5、8、13、15、17、19、及32～26以外的表2及表4中示出的试样2～4、6、7、9～12、14、16、18、及20～31中，εr为30以上，另外，Qf为5000GHz以上、β以绝对值计为150ppm/K以下，在绝缘可靠性方面显示出以log(IR[Ω])计为11以上的结果。
推测这是因为使用了满足碱土类金属含量为44.0～69.0重量％、SiO2含量为14.2～30.0重量％、B2O3含量为10.0～20.0重量％、Al2O3含量为0.5～4.0重量％、Li2O含量为0.3～7.5重量％、以及MgO含量为0.1～5.5重量％这一条件的玻璃G2、G3、G4、G6、G7、G9、G10、G11、G12、G14、G16、G18、G20、G21、G22、G23、G24、G25、G26、G27、G28、G29、G30、以及G31中的任一者。
接下来，考察表3以及表5所示的试样37～73。在试样37～73中，作为“玻璃”使用表1所示的玻璃G22，同时变更了“玻璃”、“第一陶瓷”、“第二陶瓷”、“MnO”、以及“CuO”的各含量。
在试样37中绝缘可靠性降低。推测这是因为第二陶瓷中的BaO含量多于15.7重量％。
在试样38中εr低于30。推测这是因为第二陶瓷中的BaO含量少于2.5重量％。
在试样40中绝缘可靠性降低。推测这是因为第二陶瓷中的TiO2含量少于11.2重量％。
在试样43中εr低于30。推测这是因为第二陶瓷中的TiO2含量多于36.4重量％。
在试样45中未充分烧结。推测这是因为第二陶瓷中的作为RE2O3的Nd2O3含量多于65.3重量％。
在试样49中εr低于30。推测这是因为第二陶瓷中的作为RE2O3的Nd2O3含量少于24.6重量％。
在试样50中未充分烧结。推测这是因为玻璃含量少于3重量％。
在试样55中绝缘可靠性降低。推测这是因为玻璃含量多于15重量％。
在试样56及试样60中静电容温度系数β变差。推测这是因为作为第一陶瓷的MgAl2O4或Mg2SiO4的含量多于15重量％。
在试样59及试样63中静电容温度系数β变差。推测这是因为作为第一陶瓷的MgAl2O4或Mg2SiO4的含量少于1重量％。
在试样64中绝缘可靠性降低。推测这是因为MnO含量少于2.3重量％。
在试样66中Qf降低。推测这是因为MnO含量多于10重量％。
在试样70中绝缘可靠性降低。推测这是因为CuO含量多于1.2重量％。
在上述试样37、38、40、43、45、49、50、55、56、59、60、63、64、66及70以外的表3及表5示出的试样39、41、42、44、46～48、51～54、57、58、61、62、65、67～69、及71～73中，在Qf、β及绝缘可靠性方面显示出良好的结果。
推测这是因为满足了第一陶瓷含量为1～15重量％、玻璃含量为3～15重量％、MnO含量为2.3～10重量％、BaO含量为2.5～15.7重量％、RE2O3含量为24.6～65.3重量％、TiO2含量为11.2～36.4重量％、以及CuO含量为1.2重量％以下这一条件。
需要说明的是，在实验例1中，作为第二陶瓷中的RE2O3而使用了Nd2O3，但确认以Sm2O3为代表而使用了其他稀土类元素的情况也显示出相同的倾向。
[实验例2]
在实验例2中，进行用于低介电常数陶瓷层的玻璃陶瓷单体的评价。
与实验例1的情况相同，准备了作为第一陶瓷的尖晶石化合物：MgAl2O4以及镁橄榄石化合物：Mg2SiO4、形成第二陶瓷的BaO、TiO2、作为RE2O3的Nd2O3以及Sm2O3、MnO、还有CuO的各粉末。
另外，在该实验例2中，如表7和表8所示，以规定的比率调和MgCO3、Al2O3和SiO2并进行预烧、湿式粉碎，由此制作了作为第三陶瓷的堇青石化合物：Mg2Al4Si5O18的粉末。另外，如相同的表7和表8所示，以规定的比率调和BaCO3、Al2O3和SiO2并进行预烧、湿式粉碎，由此制作了作为第三陶瓷的钡长石化合物：BaAl2Si2O8的粉末。
接下来，调合了表1所示的玻璃、MgAl2O4、Mg2SiO4、BaO、TiO2、作为RE2O3的Nd2O3及Sm2O3、MnO、CuO、Mg2Al4Si5O18及BaAl2Si2O8的各粉末以成为表6至表8所述的组成，进行混合后，加入有机溶剂以及粘合剂，从而制作了浆料。
[表6]
以后，以与实验例1的情况相同的要领来制作试样，如表9和表10所示，评价了相对介电常数(εr)、Qf、静电容温度系数(β)以及绝缘可靠性。在该实验例中，目的在于得到如εr为20～25的范围那样具有较低εr的电介质材料。需要说明的是，关于β，更严格地将以绝对值计超过60ppm/K的试样判定为不合格。在表9及表10的“绝缘可靠性”栏中，将实施与实验例1的情况相同的试验且试验后的log(IR[Ω])低于11的情况表示为“×”，另一方面，将log(IR[Ω])为11以上的情况表示为“○”。
需要说明的是，在表9和表10的“备注”栏中简洁记载关于该实验例中成为不合格的试样的不合格理由。
[表9]
[表10]
在表9以及表10中，对在该实验例中判定为不合格的试样，在其试样编号上附加*。
从表6到表10获知以下情况。
首先，考察表6及表9所示的试样101～148。在试样101～148中，关于表1所示的全部玻璃G1～G36，使用其中任一者。需要说明的是，关于“玻璃”的含量，在试样101～148中，设为“11.1重量％”及“11.5重量％”中任一者。
在试样101及102中未充分烧结。推测这是因为使用了Li2O含量少于0.3重量％的玻璃G1。
在试样106及107中绝缘可靠性降低。推测这是因为使用了Li2O含量多于7.5重量％的玻璃G5。
在试样111及112中Qf降低。推测这是因为使用了碱土类金属含量少于44.0重量％的玻璃G8。
在试样118中未充分烧结。推测这是因为使用了碱土类金属含量多于69.0重量％的玻璃G13。
在试样120中未充分烧结。推测这是因为使用了B2O3含量少于10.0重量％的玻璃G15。
在试样122中未充分烧结。推测这是因为使用了SiO2含量多于30.0重量％的玻璃G17。
在试样124中绝缘可靠性降低。推测这是因为使用了B2O3含量多于20.0重量的玻璃G19。
在试样139及140中静电容温度系数β变差。推测这是因为使用了MgO含量少于0.1重量％的玻璃G32。
在试样141及142中绝缘可靠性降低。推测这是因为使用了MgO含量多于5.5重量％的玻璃G33。
在试样143及144中未玻璃化。推测这是因为使用了SiO2含量少于14.2重量％的玻璃G34。
在试样145及146中绝缘可靠性降低。推测这是因为使用了Al2O3含量少于0.5重量％的玻璃G35。
在试样147及148中绝缘可靠性降低。推测这是因为使用了Al2O3含量多于4.0重量％的玻璃G36。
在上述试样101、102、106、107、111、112、118、120、122、124、及139～148以外的表6及表9所示的试样103～105、108～110、113～117、119、121、123、及125～138中，显示出如εr处于20～25的范围、Qf为7000GHz以上、β以绝对值计为60ppm/K以下、以及绝缘可靠性以log(IR[Ω])计为11以上这样良好的结果。
推测这是因为使用了满足碱土类金属含量为44.0～69.0重量％、SiO2含量为14.2～30.0重量％、B2O3含量为10.0～20.0重量％、Al2O3含量为0.5～4.0重量％、Li2O含量为0.3～7.5重量％、以及MgO含量为0.1～5.5重量％这一条件的玻璃G2、G3、G4、G6、G7、G9、G10、G11、G12、G14、G16、G18、G20、G21、G22、G23、G24、G25、G26、G27、G28、G29、G30、以及G31中的任一者。
接下来，考察表7及表8以及表10所示的试样149～195。在试样149～195中，作为“玻璃”使用表1所示的玻璃G22，同时变更了“玻璃”、”第一陶瓷”、“第二陶瓷”、“MnO”、“CuO”、“Mg2Al4Si5O18”及“BaAl2Si2O8”的各含量。
在试样149中未充分烧结。推测这是因为玻璃含量少于7重量％。
在试样152中绝缘可靠性降低。推测这是因为玻璃含量多于20重量％。
在试样153中Qf降低。推测这是因为作为第一陶瓷的MgAl2O4或Mg2SiO4的含量少于15.5重量％。
在试样156中静电容温度系数β变差。推测这是因为作为第一陶瓷的MgAl2O4或Mg2SiO4的含量多于47重量％。
在试样163中εr低于20。推测这是因为第二陶瓷中的BaO含量少于2.1重量％。
在试样167中绝缘可靠性降低。推测这是因为第二陶瓷中的BaO含量多于5.2重量％。
在试样168中εr低于20。推测这是因为第二陶瓷中的TiO2含量少于9.5重量％。
在试样174中绝缘可靠性降低。推测这是因为第二陶瓷中的TiO2含量多于24.75重量％。
在试样175中εr低于20。推测这是因为作为第二陶瓷中的RE2O3的Nd2O3含量少于13.2重量％。
在试样181中绝缘可靠性降低。推测这是因为作为第二陶瓷中的RE2O3的Nd2O3含量多于34.75重量％。
在试样182中未充分烧结。推测这是因为MnO含量少于5.5重量％。
在试样185中Qf降低。推测这是因为MnO含量多于20.5重量％。
在试样192中静电容温度系数β变差。推测这是因为由选自Mg2Al4Si5O18及BaAl2Si2O8中的至少一方构成的第三陶瓷的含量多于7.5重量％。
在试样195中Qf降低。推测这是因为CuO含量多于1.2重量％。
在上述试样149、152、153、156、163、167、168、174、175、181、182、185、192及195以外的表7及表8以及表10所示的试样150、151、154、155、157～162、164～166、169～173、176～180、183、184、186～191、193及194中，显示出如εr处于20～25的范围、Qf为7000GHz以上、β以绝对值计为60ppm/K以下、及绝缘可靠性以log(IR[Ω])计为11以上这样良好的结果。
推测这是因为满足了第一陶瓷含量为15.5～47重量％、玻璃含量为7～20重量％、MnO含量为5.5～20.5重量％、BaO含量为2.1～5.2重量％、RE2O3含量为13.2～34.75重量％、TiO2含量为9.5～24.75重量％、CuO含量为1.2重量％以下、以及由选自Mg2Al4Si5O18及BaAl2Si2O8中的至少一方构成的第三陶瓷的含量为7.5重量％以下这一条件。
需要说明，在实验例2中，作为第二陶瓷中的RE2O3而使用了Nd2O3及Sm2O3，但确认使用了其他稀土类元素的情况也显示出相同的倾向。
[实验例3]
在实验例3中，对于各低介电常数陶瓷层和高介电常数陶瓷层，调查使它们成为共烧结体的情况下对特性的影响，特别调查对相对介电常数εr以及静电容温度系数β的影响。在图6(A)以及图6(B)中，以截面图分别示出在该实验例中制作出的两个种类的共烧结体71以及72。
图6(A)所示的共烧结体71具有以厚度0.5mm的两个高介电常数陶瓷层74以及75夹着厚度10μm的低介电常数陶瓷层73的结构。在低介电常数陶瓷层73与各高介电常数陶瓷层74、75之间分别形成为内部电极76以及77在一部分上相互对置，在相对置的端面上形成有与内部电极76以及77分别电连接的外部电极78以及79。
图6(B)所示的共烧结体72的低介电常数陶瓷层与高介电常数陶瓷层之间的位置关系和图6(A)所示的共烧结体71相反，具有以厚度0.5mm的两个低介电常数陶瓷层81以及82夹着厚度10μm的高介电常数陶瓷层80的结构。在高介电常数陶瓷层80与各低介电常数陶瓷层81以及82之间分别形成为内部电极83以及84在一部分上相互对置，在相对置的端面上形成有与内部电极83以及84分别电连接的外部电极85以及86。该内部电极间距离为10μm，电极面积为4mm□。
在上述共烧结体71以及72中，平面尺寸设为10mm×10mm。另外，通过以Cu为导电成分的导电性糊剂的印刷而形成了内部电极76、77、83以及84还有外部电极78、79、85以及86。
在评价前述实验例1中制作出的高介电常数玻璃陶瓷成为共烧结体时的特性的情况下，使用了图6(A)所示的共烧结体71，在评价实验例2中制作出的低介电常数玻璃陶瓷成为共烧结体时的特性的情况下，使用了图6(B)所示的共烧结体72。
针对共烧结体71中的低介电常数陶瓷层73以及共烧结体72中的高介电常数陶瓷层80的各个层，求取相对介电常数εr以及静电容温度系数β，得到了与低介电常数玻璃陶瓷单体以及高介电常数玻璃陶瓷单体的各情况同等的结果。
更具体地，用LCR仪表测定1MHz下的静电容值，根据该值、对置电极的面积与距离，通过以下的式子来求取相对介电常数εr。
εr＝(d×Cap)/(ε0×S)
在此，d为电极间距离[m]，S为对置电极面积[m2]，Cap为静电容[F]，ε0为真空的介电常数(8.854×10-12[F/])。
另外，通过与实验例1的情况相同的方法来求取静电容温度系数β。
需要说明的是，关于Qf虽未特别评价，但如上述那样，由于相对介电常数εr以及静电容温度系数β同等，据此推测为关于Qf也与单体的情况同等。
[实验例4]
在实验例4中，实施了如下实验：用于调查在低介电常数陶瓷层和高介电常数陶瓷层的共烧结体中，关于低介电常数陶瓷层中包含的玻璃的含量GL与高介电常数陶瓷层中包含的玻璃的含量GH的比率GL/GH、还有低介电常数陶瓷层中包含的MnO的含量ML与高介电常数陶瓷层中包含的MnO的含量MH的比率ML/MH是否存在优选的范围，若存在则优选怎样的范围。
为了得到使上述比率GL/GH以及比率ML/MH种种不同的试样，组合附加了表11的“高介电常数层试样编号”的栏所示的试样编号的表3所示的高介电常数玻璃陶瓷、和附加了表11的“低介电常数试样编号”的栏所示的试样编号的表7或表8所示的低介电常数玻璃陶瓷，制作了图6(A)以及(B)分别所示那样的共烧结体71以及72。
在表11的“GL/GH”以及“ML/MH”的各栏中，分别示出针对被组合的低介电常数玻璃陶瓷和高介电常数玻璃陶瓷的上述比率GL/GH以及上述比率ML/MH。
在该实验例中，使用图6(A)所示的共烧结体71来评价低介电常数玻璃陶瓷的绝缘可靠性，并且使用图6(B)所示的共烧结体72来评价高介电常数玻璃陶瓷的绝缘可靠性。
为了评价绝缘可靠性，实施了在150℃的温度下在共烧结体71的外部电极78与79之间、或共烧结体72的外部电极85与86之间施加100个小时的DC200V、100V以及50V的各电压的试验。在试验后测定绝缘电阻，在该试验后的log(IR[Ω])不足11的情况下判定为不合格。
在表11的“低介电常数侧可靠性”的栏中示出低介电常数陶瓷层侧的绝缘可靠性，在“高介电常数侧可靠性”的栏中示出高介电常数陶瓷层侧的绝缘可靠性，用“◎”来表示即使施加电压为200V绝缘电阻也未劣化的情况，用“○”来表示在200V下发生劣化但在100V下未劣化的情况，用“△”来表示在200V以及100V下发生劣化但在50V下发生劣化的情况。
[表11]
在表11中，首先关注“GL/GH”，在满足0.88≤GL/GH≤2.16的条件的试样202～204以及213～218中，特别关于“低介电常数侧可靠性”而得到了“○”或“◎”的评价。
接下来，关注“ML/MH”，在满足1.00≤ML/MH≤2.93的条件的试样207～211以及213～218中，特别关于“高介电常数侧可靠性”而得到了“○”或“◎”的评价。
此外，在满足0.88≤GL/GH≤2.16的条件以及1.00≤ML/MH≤2.93的条件双方的试样213～218中，关于“低介电常数侧可靠性”以及“高介电常数侧可靠性”双方而得到了“◎”的评价。
[实验例5]
在实验例5中，与实验例4的情况相同，调查共烧结体中的玻璃的含量的比率GL/GH以及MnO的含量的比率ML/MH给绝缘可靠性带来的影响，并且调查了低介电常数陶瓷层进一步包含由选自Mg2Al4Si5O18以及BaAl2Si2O8中的至少一方构成的第三陶瓷的情况下的弯曲抑制效果。
在该实验例5中，为了得到使上述比率GL/GH及比率ML/MH种种不同的试样，组合附加了表12的“高介电常数层试样编号”的栏所示的试样编号的表3所示的高介电常数玻璃陶瓷、和附加了表12的“低介电常数试样编号”的栏所示的试样编号的表8所示的低介电常数玻璃陶瓷，制作了图6(A)以及(B)分别所示那样的共烧结体71以及72。
接下来，以与实验例4的情况相同的要领，如表12所示，评价了“低介电常数侧可靠性”及“高介电常数侧可靠性”。
在该实验例5中，进一步如表12所示，评价了“弯曲”。对于“弯曲”而言，制作出将厚0.5mm的低介电常数陶瓷层与厚0.5mm的高介电常数陶瓷层层叠而得的、平面尺寸为50mm×50mm且厚度为1mm的复合基板，使该复合基板载置于平台，测定最高点高度，求出从所测得的最高点高度中减去复合基板的厚度而得的值作为弯曲量。将弯曲量为0.1mm以下的试样判定为合格，在表14的“弯曲”一栏中表示为“○”，将弯曲量超过0.1mm的试样判定为不合格，在同一栏中表示为“×”。
[表12]
关于表12的“低介电常数侧可靠性”及“高介电常数侧可靠性”，显示出与实验例4的情况相同的倾向。
即，在表12中，首先关注“GL/GH”，试样301～308全部满足0.88≤GL/GH≤2.16这一条件，且关于“低介电常数侧可靠性”，获得了“○”的评价。
接下来，关注“ML/MH”，试样301～308全部满足1.00≤ML/MH≤2.93这一条件，且关于“高介电常数侧可靠性”，获得了“○”的评价。
接下来，关注“弯曲”，由于试样301～308全部使用了在“低介电常数层”中还包含1.5～7.5重量％的由选自Mg2Al2Si5O15及BaAl2Si2O8中的至少一方构成的第三陶瓷的试样173及187～189所涉及的低介电常数玻璃陶瓷，因此获得了“○”的评价。
需要说明的是，由于试样301～308如上所述使用了在“低介电常数层”中包含第三陶瓷的试样173及187～189所涉及的低介电常数玻璃陶瓷，因此即使满足0.88≤GL/GH≤2.16这一条件及1.00≤ML/MH≤2.93这一条件这两者，也与实验例4的情况不同，关于“低介电常数侧可靠性”及“高介电常数侧可靠性”这两者未获得“◎”的评价。
符号说明
1 陶瓷多层模块
2 多层陶瓷基板
3、73、81、82 低介电常数陶瓷层
4、74、75、80 高介电常数陶瓷层
21 LC滤波器
23 部件主体
28～32、35～40 低介电常数陶瓷层
33、34 高介电常数陶瓷层
71、72 共烧结体
Claims (7)
1.一种复合层叠陶瓷电子部件，具备被层叠的低介电常数陶瓷层和高介电常数陶瓷层，
所述低介电常数陶瓷层和所述高介电常数陶瓷层均由玻璃陶瓷构成，该玻璃陶瓷包含：
(1)由选自MgAl2O4以及Mg2SiO4中的至少一方构成的第一陶瓷；
(2)由BaO、RE2O3以及TiO2构成的第二陶瓷，其中RE为稀土类元素；
(3)分别包含44.0～69.0重量％的RO、14.2～30.0重量％的SiO2、10.0～20.0重量％的B2O3、0.5～4.0重量％的Al2O3、0.3～7.5重量％的Li2O、以及0.1～5.5重量％的MgO的玻璃，其中R为从Ba、Ca以及Sr中选出的至少一种碱土类金属；和
(4)MnO，
在所述低介电常数陶瓷层中，
包含15.5～47重量％的所述第一陶瓷，
包含7～20重量％的所述玻璃，
包含5.5～20.5重量％的所述MnO，
作为所述第二陶瓷而分别包含2.1～5.2重量％的BaO、13.2～34.75重量％的RE2O3、以及9.5～24.75重量％的TiO2，
所述低介电常数陶瓷层的相对介电常数为20以上且25以下，
在所述高介电常数陶瓷层中，
包含1～15重量％的所述第一陶瓷，
包含3～15重量％的所述玻璃，
包含2.3～10重量％的所述MnO，
作为所述第二陶瓷而分别包含2.5～15.7重量％的BaO、24.6～65.3重量％的RE2O3、以及11.2～36.4重量％的TiO2，
所述高介电常数陶瓷层的相对介电常数为30以上。
2.根据权利要求1所述的复合层叠陶瓷电子部件，其中，
所述低介电常数陶瓷层中包含的所述玻璃的含量GL以及所述高介电常数陶瓷层中包含的所述玻璃的含量GH满足0.88≤GL/GH≤2.16的条件。
3.根据权利要求1所述的复合层叠陶瓷电子部件，其中，
所述低介电常数陶瓷层中包含的所述MnO的含量ML以及所述高介电常数陶瓷层中包含的所述MnO的含量MH满足1.00≤ML/MH≤2.93的条件。
4.根据权利要求1所述的复合层叠陶瓷电子部件，其中，
所述低介电常数陶瓷层中包含的所述玻璃的含量GL以及所述高介电常数陶瓷层中包含的所述玻璃的含量GH满足0.88≤GL/GH≤2.16的条件，并且，
所述低介电常数陶瓷层中包含的所述MnO的含量ML以及所述高介电常数陶瓷层中包含的所述MnO的含量MH满足1.00≤ML/MH≤2.93的条件。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的复合层叠陶瓷电子部件，其中，
所述低介电常数陶瓷层还包含1.5～7.5重量％的由选自Mg2Al4Si5O18以及BaAl2Si2O8中的至少一方构成的第三陶瓷。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的复合层叠陶瓷电子部件，其中，
所述低介电常数陶瓷层还包含1.2重量％以下的CuO。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的复合层叠陶瓷电子部件，其中，
所述高介电常数陶瓷层还包含1.2重量％以下的CuO。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1334255A (zh) * | 2000-07-21 | 2002-02-06 | 株式会社村田制作所 | 绝缘陶瓷压块 |
| CN1360320A (zh) * | 2000-12-19 | 2002-07-24 | 株式会社村田制作所 | 合成多层陶瓷电子部件及其制造方法 |
| JP2005268663A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Fdk Corp | 複合積層セラミック部品及びその製造方法 |
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Patent Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
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| CN1360320A (zh) * | 2000-12-19 | 2002-07-24 | 株式会社村田制作所 | 合成多层陶瓷电子部件及其制造方法 |
| CN1826299A (zh) * | 2004-03-01 | 2006-08-30 | 株式会社村田制作所 | 绝缘体陶瓷组合物、绝缘性陶瓷烧结体及层叠型陶瓷电子部件 |
| JP2005268663A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Fdk Corp | 複合積層セラミック部品及びその製造方法 |
| CN101031524A (zh) * | 2004-09-30 | 2007-09-05 | Tdk株式会社 | 电介质陶瓷组合物及其制造方法 |
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