CN104124208A - 晶片的加工方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供晶片的加工方法，能够将晶片分割为各个光器件而不会降低光器件的品质。该晶片的加工方法包括：改性层形成工序，以使聚光点位于内部的方式，从基板的背面侧照射激光光线，在基板的内部形成改性层；以及晶片分割工序，沿着形成有改性层的分割预定线折断晶片，在该改性层形成工序中，使激光光线的线偏振光的偏振面定位在垂直于分割预定线的方向上，相对于聚光器的聚光镜头的光轴，使激光光线的光束中心在与分割预定线垂直的方向上偏移，使激光光线的聚光点位置向与光束中心的偏移方向相同的方向偏移，以无助于形成改性层的光成为漏出光且使向发光层侧漏出的光的强度在分割预定线的区域中增强、在光器件的区域中减弱的方式进行调整。

Description

晶片的加工方法

技术领域

本发明涉及沿着对器件进行划分的多个分割预定线对在表面形成有多个该器件的晶片进行分割的晶片的加工方法。

背景技术

如本领域技术人员所公知，在半导体器件制造工艺中，在硅等基板的正面形成半导体晶片，该半导体晶片通过层叠有绝缘膜和功能膜的功能层而以矩阵状形成了多个IC、LSI等器件。在这样形成的半导体晶片中，上述器件通过分割预定线而被划分，通过沿着该分割预定线进行分割，从而制造各个半导体器件。

另外，在光器件制造工艺中，在蓝宝石基板或碳化硅基板的正面层叠有由n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层构成的光器件层，在通过形成为格子状的多个分割预定线划分而成的多个区域中形成发光二极管、激光二极管等光器件，从而构成光器件晶片。然后，沿着分割预定线折断光器件晶片，从而对形成有光器件的区域进行分割，制造各个光器件。作为对上述半导体晶片或光器件晶片等晶片进行分割的方法，还尝试了如下的激光加工方法：使用对于晶片具有透射性的波长的脉冲激光光线，使聚光点对准到应进行分割的区域的内部来照射脉冲激光光线。使用了该激光加工方法的分割方法是如下技术：以使聚光点对准到内部的方式从晶片的一个面侧照射对于晶片具有透射性的波长的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线连续形成改性层，沿着由于形成该改性层而使强度降低的分割预定线施加外力，从而对晶片进行分割（例如，参照专利文献1）。

在晶片的内部形成改性层的激光加工方法中，由于使用对于晶片具有透射性的波长的激光光线，因此在晶片由硅形成的情况下，使用波长为1064nm的激光光线，在晶片由蓝宝石形成的情况下，使用波长为1064nm或532nm的激光光线。

另外，当在晶片的内部沿着分割预定线形成改性层的情况下，可知当使激光光线的线偏振光的偏振面定位在对于分割预定线垂直的方向上并照射激光光线时，能够形成良好的改性层。因此，从在蓝宝石基板的正面层叠有发光层并在通过形成为格子状的多个分割预定线划分而成的多个区域中形成有光器件的光器件晶片的背面侧，以使激光光线的聚光点定位于内部的方式沿着分割预定线照射激光光线，由此能够在光器件晶片的内部沿着分割预定线形成良好的改性层。

专利文献1：日本特许第3408805号公报

而且，在上述的在晶片的内部沿着分割预定线形成改性层的方法中，无助于形成改性层的激光光线在发光层侧成为漏出光，漏出到分割预定线的两侧，因此存在在发光层产生损伤而使光器件的品质降低的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要技术课题在于，提供能够将晶片分割为各个光器件而不会降低光器件的品质的晶片的加工方法。

为了解决上述主要技术课题，根据本发明，提供一种晶片的加工方法，对于在基板的正面层叠有发光层并在通过形成为格子状的多个分割预定线划分而成的多个区域中形成有光器件的晶片，沿着分割预定线分割为各个光器件，该加工方法的特征在于，包括：

改性层形成工序，以使聚光点位于内部的方式，从基板的背面侧沿着分割预定线照射对于基板具有透射性的波长的激光光线，在基板的内部沿着分割预定线形成改性层；以及

晶片分割工序，对实施了该改性层形成工序之后的晶片施加外力，以改性层为分割起点沿着分割预定线折断晶片，将其分割为各个光器件，

在该改性层形成工序中，使激光光线的线偏振光的偏振面定位在垂直于分割预定线的方向上，相对于对激光光线进行聚光的聚光器的聚光镜头的光轴，使激光光线的光束中心在与分割预定线垂直的方向上偏移，并且使激光光线的由聚光镜头实现的聚光点位置向与激光光线的光束中心的偏移方向相同的方向偏移，以无助于形成改性层的光成为漏出光且使向发光层侧漏出的光的强度在分割预定线的区域中增强、在光器件的区域中减弱的方式进行调整。

在本发明的晶片的加工方法中，在改性层形成工序中，以使聚光点定位于内部的方式，从基板的背面侧沿着分割预定线照射对于基板具有透射性的波长的激光光线，在基板的内部沿着分割预定线形成改性层，在该改性层形成工序中，使激光光线的线偏振光的偏振面定位在垂直于分割预定线的方向上，相对于对激光光线进行聚光的聚光器的聚光镜头的光轴，使激光光线的光束中心在与分割预定线垂直的方向上偏移，并且使激光光线的由聚光镜头实现的聚光点位置向与激光光线的光束中心的偏移方向相同的方向偏移，以无助于形成改性层的光成为漏出光且使漏出到发光层侧的光的强度在分割预定线的区域中增强、在光器件的区域中减弱的方式进行调整，因此作用于光器件的区域的漏出光为光强度较弱的漏出光，从而几乎没有对光器件造成损伤的影响。

附图说明

图1是用于实施本发明的晶片的加工方法的激光加工装置的立体图。

图2是装配在图1所示的激光加工装置上的激光光线照射单元的结构框图。

图3是光器件晶片的立体图和放大示出主要部分的剖面图。

图4是示出将图3所示的光器件晶片粘贴在安装于环状的框架的切割带上的状态的立体图。

图5是改性层形成工序的说明图。

图6是示出激光光线的光束中心与聚光镜头的光轴一致的情况下的漏出光的光强度的说明图。

图7是示出使激光光线的光束中心在与分割预定线垂直的方向上从聚光镜头的光轴偏移的情况下的漏出光的光强度的说明图。

图8是示出从图7所示的状态起使激光光线的由聚光镜头实现的聚光点位置向与激光光线的光束中心的偏移方向相同的方向偏移的情况下的漏出光所作用的位置的说明图。

图9是用于实施晶片分割工序的分割装置的立体图。

图10是晶片分割工序的说明图。

标号说明

2：静止基台；3：卡盘工作台机构；36：卡盘工作台；37：X轴移动单元；38：第一Y轴移动单元；4：激光光线照射单元支承机构；43：第二Y轴移动单元；5：激光光线照射单元；52：激光光线照射单元；522：脉冲激光光线振荡单元；523：输出调整单元；524：1/2波长板；525：聚光器；53：聚光点位置调整单元；55：摄像单元；10：光器件晶片；100：蓝宝石基板；110：发光层；111：分割预定线；112：光器件；120：改性层；F：环状的框架；T：切割带。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的晶片的加工方法的优选实施方式进行更详细的说明。

图1示出用于实施本发明的晶片的加工方法的激光加工装置1的立体图。图1所示的激光加工装置1具有：静止基台2；卡盘工作台机构3，其以能够在箭头X所示的加工进给方向（X轴方向）上移动的方式配设在该静止基台2上，保持作为被加工物的晶片；激光光线照射单元支承机构4，其以能够在与X轴方向垂直的箭头Y所示的分度进给方向（Y轴方向）上移动的方式配设在静止基台2上；以及激光光线照射单元5，其以能够在箭头Z所示的聚光点位置调整方向（Z轴方向）上移动的方式配设在该激光光线照射单元支承机构4上。

上述卡盘工作台机构3具有：沿着X轴方向平行地配设在静止基台2上的一对导轨31、31；以能够在X轴方向上移动的方式配设在该导轨31、31上的第一滑动块32；以能够在Y轴方向上移动的方式配设在该第一滑动块32上的第二滑动块33；通过圆筒部件34支承在该第二滑动块33上的罩台35；以及作为被加工物保持单元的卡盘工作台36。该卡盘工作台36具有由多孔性材料形成的吸附卡盘361，通过未图示的吸引单元在吸附卡盘361上保持作为被加工物的例如圆盘状的半导体晶片。通过配设在圆筒部件34内的未图示的脉冲电机使如上所述构成的卡盘工作台36旋转。另外，在卡盘工作台36上配设有用于对后述的环状的框架进行固定的夹钳362。

上述第一滑动块32在其下表面设置有与上述一对导轨31、31嵌合的一对被引导槽321、321，并且在上述第一滑动块32的上表面设置有沿着Y轴方向平行地形成的一对导轨322、322。这样构成的第一滑动块32构成为，使被引导槽321、321与一对导轨31、31嵌合，从而能够沿着一对导轨31、31在X轴方向上移动。图示的实施方式中的卡盘工作台机构3具有用于使第一滑动块32沿着一对导轨31、31在X轴方向上移动的X轴移动单元37。该X轴移动单元37包括在上述一对导轨31与31之间平行地配设的外螺纹杆371、以及用于对该外螺纹杆371进行旋转驱动的脉冲电机372等驱动源。外螺纹杆371的一端以旋转自如的方式支承在轴承块373上，该轴承块373固定于上述静止基台2，外螺纹杆371的另一端与上述脉冲电机372的输出轴传动连结。另外，外螺纹杆371与形成在未图示的内螺纹块上的贯通内螺纹孔螺合，该内螺纹块突出设置在第一滑动块32的中央部下表面。因此，利用脉冲电机372对外螺纹杆371进行正转和反转驱动，从而使第一滑动块32沿着导轨31、31在X轴方向上移动。

激光加工装置1具有用于检测上述卡盘工作台36的加工进给量、即X轴方向位置的X轴方向位置检测单元374。X轴方向位置检测单元374由沿着导轨31配设的线性刻度374a、以及配设在第一滑动块32上并与第一滑动块32一起沿着线性刻度374a移动的读取头374b构成。在图示的实施方式中，该X轴方向位置检测单元374的读取头374b对于每1μm将一个脉冲的脉冲信号发送到后述的控制单元。然后，后述的控制单元通过对所输入的脉冲信号进行计数，检测卡盘工作台36的加工进给量、即X轴方向的位置。另外，在将脉冲电机372使用为上述加工进给单元37的驱动源的情况下，也可以对将驱动信号输出到脉冲电机372的未图示的控制单元的驱动脉冲进行计数，由此检测卡盘工作台36的加工进给量、即X轴方向的位置。

上述第二滑动块33构成为，在其下表面设置有与一对导轨322、322嵌合的一对被引导槽331、331，该一对导轨322、322设置于上述第一滑动块32的上表面，使该被引导槽331、331与一对导轨322、322嵌合，从而能够在Y轴方向上移动。卡盘工作台机构3具有用于使第二滑动块33沿着设置于第一滑动块32上的一对导轨322、322在Y轴方向上移动的第一Y轴移动单元38。该第一Y轴移动单元38包括在上述一对导轨322与322之间平行地配设的外螺纹杆381、以及用于对该外螺纹杆381进行旋转驱动的脉冲电机382等驱动源。外螺纹杆381的一端以旋转自如的方式支承在轴承块383上，该轴承块383固定于上述第一滑动块32的上表面，外螺纹杆381的另一端与上述脉冲电机382的输出轴传动连结。另外，外螺纹杆381与形成在未图示的内螺纹块上的贯通内螺纹孔螺合，该内螺纹块突出设置在第二滑动块33的中央部下表面。因此，通过利用脉冲电机382对外螺纹杆381进行正转和反转驱动，使第二滑动块33沿着导轨322、322在Y轴方向上移动。

激光加工装置1具有用于检测上述第二滑动块33的分度加工进给量、即Y轴方向位置的Y轴方向位置检测单元384。该Y轴方向位置检测单元384由沿着导轨322配设的线性刻度384a、以及配设在第二滑动块33上并与第二滑动块33一起沿着线性刻度384a移动的读取头384b构成。在本实施方式中，该Y轴方向位置检测单元384的读取头384b对于每1μm将一个脉冲的脉冲信号发送到后述的控制单元。然后，后述的控制单元对所输入的脉冲信号进行计数，由此检测卡盘工作台36的分度进给量、即Y轴方向的位置。另外，在将脉冲电机382使用为上述第一Y轴移动单元38的驱动源的情况下，也可以对将驱动信号输出到脉冲电机382的未图示的控制单元的驱动脉冲进行计数，由此检测卡盘工作台36的分度进给量、即Y轴方向的位置。

上述激光光线照射单元支承机构4具有沿着Y轴方向平行地配设在静止基台2上的一对导轨41、41、以及以能够在箭头Y所示的方向上移动的方式配设在该导轨41、41上的可动支承基台42。该可动支承基台42由以能够移动的方式配设在导轨41、41上的移动支承部421、以及安装在该移动支承部421上的安装部422构成。安装部422在一侧面平行地设置有在Z轴方向上延伸的一对导轨423、423。激光光线照射单元支承机构4具有用于使可动支承基台42沿着一对导轨41、41在Y轴方向上移动的第二Y轴移动单元43。该第二Y轴移动单元43包括在上述一对导轨41、41之间平行地配设的外螺纹杆431、以及用于对该外螺纹杆431进行旋转驱动的脉冲电机432等驱动源。外螺纹杆431的一端以旋转自如的方式支承在未图示的轴承块上，该未图示的轴承块固定于上述静止基台2，该外螺纹杆431的另一端与上述脉冲电机432的输出轴传动连结。另外，外螺纹杆431与形成在未图示的内螺纹块上的内螺纹孔螺合，该内螺纹块突出设置在构成可动支承基台42的移动支承部421的中央部下表面。因此，通过利用脉冲电机432对外螺纹杆431进行正转和反转驱动，使可动支承基台42沿着导轨41、41在Y轴方向上移动。

激光光线照射单元5具有单元保持架51、以及安装在该单元保持架51上的激光光线照射单元52。在单元保持架51上设置有一对被引导槽511、511，该一对被引导槽511、511以能够滑动的方式与设置在上述安装部422上的一对导轨423、423嵌合，通过使该被引导槽511、511与上述导轨423、423嵌合，从而以能够在Z轴方向上移动的方式支承单元保持架51。

激光光线照射单元5具有用于使单元保持架51沿着一对导轨423、423在Z轴方向上移动的聚光点位置调整单元53。聚光点位置调整单元53包括在一对导轨423、423之间配设的外螺纹杆（未图示）、以及用于对该外螺纹杆进行旋转驱动的脉冲电机532等驱动源，通过利用脉冲电机532对未图示的外螺纹杆进行正转和反转驱动，使单元保持架51和激光光线照射单元52沿着导轨423、423在Z轴方向上移动。另外，在本实施方式中，通过对脉冲电机532进行正转驱动，使激光光线照射单元52向上方移动，通过对脉冲电机532进行反转驱动，使激光光线照射单元52向下方移动。

激光光线照射单元52包括固定在上述单元保持架51上且实质上水平延伸的圆筒形状的壳体521。参照图2对该激光光线照射单元52进行说明。激光光线照射单元52具有配设在上述壳体521内的脉冲激光光线振荡单元522、对通过该脉冲激光光线振荡单元522振荡的脉冲激光光线的输出进行调整的输出调整单元523、对通过该输出调整单元523调整了输出后的脉冲激光光线的偏振面进行调整的1/2波长板524、以及对保持在上述卡盘工作台36的保持面上的被加工物W照射通过该1/2波长板而调整了偏振面后的脉冲激光光线的聚光器525。

上述脉冲激光光线振荡单元522由使线偏振光的脉冲激光光线LB进行振荡的脉冲激光光线振荡器522a、以及对脉冲激光光线振荡器522a振荡的脉冲激光光线的重复频率进行设定的重复频率设定单元522b构成。上述输出调整单元523将从脉冲激光光线振荡单元522振荡的脉冲激光光线的输出调整为规定的输出。上述1/2波长板524使通过输出调整单元523调整了输出后的脉冲激光光线的线偏振光的偏振面旋转，以使其成为箭头Y所示的分度进给方向、即Y轴方向。

上述聚光器525具有：方向转换镜525a，其对从脉冲激光光线振荡单元522振荡并通过输出调整单元523调整了输出之后对偏振面进行调整以使其成为Y轴方向的脉冲激光光线进行方向转换，以使其朝向卡盘工作台36的保持面；以及聚光镜头525b，其使通过该方向转换镜525a进行了方向转换后的脉冲激光光线聚光，对保持在卡盘工作台36上的被加工物W进行照射。如图1所示，这样构成的聚光器525安装在壳体521的前端。另外，在本实施方式的聚光器525中，构成为能够在箭头Y所示的分度进给方向、即Y轴方向上移动调节方向转换镜525a。因此，当使方向转换镜525a从图2中实线所示的位置位于双点划线所示的位置时，入射到聚光镜头525b的脉冲激光光线LB的光束中心相对于聚光镜头525b的光轴525c在Y轴方向上偏移。

当返回图1继续进行说明时，在构成上述激光光线照射单元52的壳体521的前端部配设有摄像单元55，该摄像单元55检测应通过激光光线照射单元52进行激光加工的加工区域。在本实施方式中，除了通过可视光线进行摄像的通常的摄像元件（CCD）以外，该摄像单元55还具有对被加工物照射红外线的红外线照明单元、捕捉由该红外线照明单元照射的红外线的光学系统、输出与由该光学系统捕捉到的红外线对应的电信号的摄像元件（红外线CCD）等，将进行摄像而得到的图像信号发送到未图示的控制单元。

接着，对使用上述激光加工装置在晶片上形成改性层的方法进行说明。图3示出通过本发明的晶片的加工方法加工的光器件晶片的立体图和放大示出主要部分的剖面图。图3所示的光器件晶片10通过外延生长法在大致圆板形状的蓝宝石基板100的正面100a形成由n型氮化镓半导体层和p型氮化镓半导体层构成的发光层110。在该发光层110中，在通过形成为格子状的多个分割预定线111划分而成的多个区域中形成有LED等光器件112。另外，在本实施方式中，分割预定线111的宽度被设定为30μm。

关于上述图3所示的光器件晶片10，如图4所示，在安装于环状的框架F上的切割带T的正面粘贴发光层110侧（晶片粘贴工序）。因此，在粘贴在切割带T的正面上的光器件晶片10中，蓝宝石基板100的背面100b成为上侧。

在实施了上述的晶片粘贴工序后，在图1所示的激光加工装置的卡盘工作台36上载置光器件晶片10的切割带T侧。然后，通过使未图示的吸引单元工作，隔着切割带T将光器件晶片10吸引保持在卡盘工作台36上（晶片保持工序）。因此，在保持在卡盘工作台36上的光器件晶片10中，蓝宝石基板100的背面100b成为上侧。另外，环状的框架F通过夹钳362而被固定。

如上所述，吸引保持着光器件晶片10的卡盘工作台36通过X轴移动单元37而定位于摄像单元55的正下方。这样，当卡盘工作台36定位于摄像单元55的正下方时，通过摄像单元55和未图示的控制单元来执行对光器件晶片10的应进行激光加工的加工区域进行检测的对准作业。即，摄像单元55和未图示的控制单元执行用于进行在光器件晶片10的第一方向上形成的分割预定线111与构成沿着该分割预定线111照射激光光线的激光光线照射单元52的聚光器525之间的位置对齐的图案匹配等图像处理，执行激光光线照射位置的对准。另外，对于在与光器件晶片10上形成的上述分割预定线111垂直的方向上延伸的分割预定线111，也同样执行激光光线照射位置的对准。此时，虽然光器件晶片10的形成有分割预定线111的发光层110位于下侧，但是，如上所述，由于摄像单元55是由红外线照明单元、捕捉红外线的光学系统以及输出与红外线对应的电信号的摄像元件（红外线CCD）等构成的摄像单元，因此能够从蓝宝石基板100的背面100b进行透射并对分割预定线111进行摄像。

如上所述，对在保持于卡盘工作台36的光器件晶片10上形成的分割预定线111进行检测并进行了激光光线照射位置的对准之后，如图5的（a）所示，使卡盘工作台36移动到照射激光光线的激光光线照射单元52的聚光器525所在的激光光线照射区域，使规定的分割预定线111的一端（图5的（a）中为左端）位于激光光线照射单元52的聚光器525的正下方。接着，如图6的（a）所示，使从聚光器525的聚光镜头525b照射的脉冲激光光线LB的聚光点P对准到构成光器件晶片10的蓝宝石基板100的厚度方向中央部。另外，在图6的（a）所示的状态下，脉冲激光光线LB的光束中心LBa与聚光镜头525b的光轴525c一致。这样，当在图6的（a）所示的状态下照射脉冲激光光线LB时，以聚光点P为中心在构成光器件晶片10的蓝宝石基板100上形成改性层120，但是，无助于形成改性层120的脉冲激光光线LB在发光层110侧成为漏出光LB1a、LB1b而发挥作用。如图6的（b）所示，该漏出光LB1a、LB1b漏出到分割预定线111的两侧，对发光层110造成损伤，降低光器件112的品质。另外，在图6的（a）所示的状态下，漏出光LB1a与LB1b的光强度相同。

为了消除上述问题，在本发明中，首先，如图7的（a）所示，使脉冲激光光线LB的光束中心LBa相对于聚光镜头525b的光轴525c向Y轴方向、即与分割预定线111垂直的方向偏移。该偏移量（α）例如被设定为10μm。这样，当使脉冲激光光线LB的光束中心LBa相对于聚光镜头525b的光轴525c在与分割预定线111垂直的方向偏移时，如图7的（b）所示，无助于形成改性层120的漏出光LB2a的光强度比上述漏出光LB1a、LB1b的光强度弱，几乎没有对光器件112造成损伤的影响。另一方面，如图7的（b）所示，漏出光LB2b的光强度比上述漏出光LB1a、LB1b的光强度强，对光器件112造成损伤的影响较大。

因此，在本发明中，为了不使漏出光LB2b作用于光器件112，从上述图7的（a）所示的状态起，如图8的（a）所示，使脉冲激光光线LB的由聚光镜头525b实现的聚光点P的位置向与脉冲激光光线LB的光束中心LBa偏移的方向相同的方向偏移，以成为无助于形成改性层120的漏出光且漏出到发光层110侧的光的强度在分割预定线111的区域中增强、在光器件112的区域中减弱的方式进行调整。另外，作为使脉冲激光光线LB的由聚光镜头525b实现的聚光点P的位置向与脉冲激光光线LB的光束中心LBa偏移的方向相同的方向偏移的方法，可以使聚光器525在Y轴方向上移动，也可以使保持光器件112的卡盘工作台36在Y轴方向上移动。上述脉冲激光光线LB的由聚光镜头525b实现的聚光点P位置的偏移量（β）例如被设定为10μm。其结果，如图8的（b）所示，光强度较强的漏出光LB2b作用于分割预定线111的区域，光强度较弱的漏出光LB2a作用于光器件112的区域。这样，由于作用于光器件112的区域的漏出光是光强度较弱的漏出光LB2a，因此几乎没有对光器件112造成损伤的影响。

如上所述，将脉冲激光光线LB的由聚光镜头525b实现的聚光点P位置调整为图8的（a）所示的状态之后，使激光光线照射单元52工作，从聚光器525照射对于蓝宝石基板具有透射性的波长的脉冲激光光线，并且使卡盘工作台36以规定的进给速度在图5的（a）中箭头X1所示的方向上移动。并且，如图5的（b）所示，当激光光线照射单元52的聚光器525的照射位置到达分割预定线111的另一端的位置时，停止脉冲激光光线的照射，并且停止卡盘工作台36的移动。其结果，在构成光器件晶片10的蓝宝石基板100的内部，如图5的（c）所示，在厚度方向中央部形成改性层120，并且从该改性层120的下端朝向分割预定线111的区域生成第一裂缝121，并且从改性层120的上端朝向蓝宝石基板100的背面100b生成第二裂缝122（改性层形成工序）。

上述改性层形成工序中的加工条件例如被设定为如下。

光源：YAG脉冲激光器

波长：1064nm

重复频率：100kHz

平均输出：0.5W

脉冲宽度：120ns

聚光点直径：

加工进给速度：200mm/秒

漏出光的输出：0.2W

分割预定线上：0.18W

光器件上：0.02W

如上所述，在沿着规定的分割预定线111实施了上述改性层形成工序之后，使卡盘工作台36在箭头Y所示的方向上分度移动形成于光器件晶片10上的分割预定线111的间隔量（分度工序），执行上述改性层形成工序。这样，沿着在第一方向上形成的所有的分割预定线111实施了上述改性层形成工序之后，使卡盘工作台36转动90度，沿着在与上述第一方向上形成的分割预定线111垂直的方向上延伸的分割预定线111，执行上述改性层形成工序。

在实施了上述的改性层形成工序之后，实施对光器件晶片10施加外力并沿着形成有改性层120的分割预定线111将光器件晶片10分割为各个光器件的晶片分割工序。使用图9所示的分割装置6来实施晶片分割工序。图9所示的分割装置6具有保持上述环状的框架F的框架保持单元61、对保持在该框架保持单元61上的环状的框架F上安装的光器件晶片10进行扩张的带扩张单元62、以及拾取夹63。框架保持单元61由环状的框架保持部件611、以及配设在该框架保持部件611的外周的作为固定单元的多个夹钳612构成。框架保持部件611的上表面形成载置环状的框架F的载置面611a，在该载置面611a上载置环状的框架F。并且，载置在载置面611a上的环状的框架F通过夹钳612而固定于框架保持部件611上。这样构成的框架保持单元61通过带扩张单元62而被支承为能够在上下方向上进退。

带扩张单元62具有配设在上述环状的框架保持部件611的内侧的扩张鼓621。该扩张鼓621具有比环状的框架F的内径小、且比安装在该环状的框架F上的切割带T上粘贴的光器件晶片10的外径大的内径和外径。另外，扩张鼓621在下端具有支承凸缘622。图示的实施方式中的带扩张单元62具有使上述环状的框架保持部件611能够在上下方向上进退的支承单元623。该支承单元623由配设在上述支承凸缘622上的多个气缸623a构成，其活塞杆623b与上述环状的框架保持部件611的下表面连结。这样，由多个气缸623a构成的支承单元623使环状的框架保持部件611在如图10的（a）所示的载置面611a与扩张鼓621的上端大致相同高度的基准位置、与如图10的（b）所示的扩张鼓621的上端下方规定量的扩张位置之间在上下方向上移动。

参照图10对使用如上所述构成的分割装置6实施的晶片分割工序进行说明。即，如图10的（a）所示，将安装有切割带T的环状的框架F载置在构成框架保持单元61的框架保持部件611的载置面611a上，并通过夹钳612固定在框架保持部件611上，其中，在该切割带T上粘贴有光器件晶片10（框架保持工序）。此时，框架保持部件611定位于图10的（a）所示的基准位置。接着，使构成带扩张单元62的作为支承单元623的多个气缸623a工作，使环状的框架保持部件611下降到图10的（b）所示的扩张位置。因此，固定在框架保持部件611的载置面611a上的环状的框架F也下降，因此如图10的（b）所示，安装在环状的框架F上的切割带T与扩张鼓621的上端缘接触而扩张（带扩张工序）。其结果，由于拉伸力呈放射状作用于粘贴在切割带T上的光器件晶片10，因此沿着形成有改性层120、第一裂缝121以及第二裂缝122且使强度降低的分割预定线111而分离为各个光器件112，并且在光器件112之间形成间隔S。

接着，如图10的（c）所示，使拾取夹63工作而吸附光器件112，从切割带T剥离并进行拾取，搬送到未图示的托盘或芯片接合工序。另外，在拾取工序中，如上所述，由于粘贴在切割带T上的各个光器件112之间的间隙S扩大，因此能够容易地进行拾取而不会与相邻的光器件112接触。

Claims (1)

1.一种晶片的加工方法，对于在基板的正面层叠有发光层并在通过形成为格子状的多个分割预定线划分而成的多个区域中形成有光器件的晶片，沿着分割预定线分割为各个光器件，该加工方法的特征在于，包括：

改性层形成工序，以使聚光点位于内部的方式，从基板的背面侧沿着分割预定线照射对于基板具有透射性的波长的激光光线，在基板的内部沿着分割预定线形成改性层；以及

晶片分割工序，对实施了该改性层形成工序之后的晶片施加外力，以改性层为分割起点沿着分割预定线折断晶片，将其分割为各个光器件，

在该改性层形成工序中，使激光光线的线偏振光的偏振面定位在垂直于分割预定线的方向上，相对于对激光光线进行聚光的聚光器的聚光镜头的光轴，使激光光线的光束中心在与分割预定线垂直的方向上偏移，并且使激光光线的由聚光镜头实现的聚光点位置向与激光光线的光束中心的偏移方向相同的方向偏移，以无助于形成改性层的光成为漏出光且使向发光层侧漏出的光的强度在分割预定线的区域中增强、在光器件的区域中减弱的方式进行调整。