CN104112473A - 一种低功耗快速升压flash电荷泵控制电路 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种低功耗快速升压FLASH电荷泵控制电路,包括编程擦除控制电路、电压调整电路、降压电路、时钟产生电路、四相位时钟电路、电荷泵和稳压电路。其中降压电路分为两路,一路用于快速启动,在电荷泵输出电压较低时工作;一路用于电荷泵电压微调,在电荷泵输出电压接近目标值时工作,为降低功耗,本发明降压电路通过反偏二极管和正偏二极管进行降压;时钟产生电路用于产生电荷泵工作所需时钟,其频率可调,在启动初期,在可调节范围内以最快的频率运行,电荷泵电压快速爬升;电荷泵电压接近目标值时,时钟频率根据电荷泵反馈的电压进行微调,使电荷泵电压维持在合理范围内,本发明控制电路降低Flash存储器功耗以及提高Flash存储器编程擦除速度。
Description
技术领域
本发明属于集成电路领域,涉及FLASH电荷泵控制电路,尤其涉及一种低功耗快速升压FLASH电荷泵控制电路,适用于对功耗要求比较严格,需要电荷泵快速升压的FLASH应用场合。
背景技术
在嵌入式系统中,Flash存储器是一种常用的数据和程序存储器件。随着半导体工艺技术的不断进步,Flash产品线日渐丰富,市场竞争尤为激烈,Flash设计也向着高密度、高速、低功耗、低成本等方向发展。Flash的性能成为各家公司在市场竞争中一种重要的手段。
Flash在编程和擦除操作时都需要升压,对Flash电荷泵要求较高。传统FLASH电荷泵在满足正常工作需求时存在功耗较大,升压慢的缺点,不利于手持设备,电池供电等低功耗产品使用以及对编程、擦除速度要求高的应用场合。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的上述不足,提供一种低功耗快速升压FLASH电荷泵控制电路,该控制电路能够实现在较低功耗下电荷泵快速升压,降低Flash存储器功耗以及提高Flash存储器编程擦除速度。
本发明的上述目的主要是通过如下技术方案予以实现的:
一种低功耗快速升压FLASH电荷泵控制电路,包括编程擦除控制电路、电压调整电路、降压电路、时钟产生电路、四相位时钟电路、电荷泵和稳压电路,其中:
编程擦除控制电路:控制电压调整电路,降压电路和时钟产生电路的开启和关断;当FLASH处于读操作时关断降压电路,电压调整电路和时钟产生电路;当FLASH处于编程操作或擦除操作时打开电压调整电路,降压电路和时钟产生电路,电荷泵工作;
电压调整电路:产生电压配置信息,并将电压配置信息输出给降压电路;
降压电路:接收电压调整电路输出的电压配置信息和稳压电路输出的编程电压或擦除电压,根据电压配置信息对编程电压或擦除电压进行降压,并将降压调整后的编程电压或擦除电压输出给时钟产生电路;
时钟产生电路:接收降压电路输出降压调整后的编程电压或擦除电压,产生时钟信号,并将时钟信号输出给四相位时钟电路,时钟信号的时钟频率与降压调整后的编程电压或擦除电压的电压值相关,电压值越大,时钟频率越块;
四相位时钟电路:将时钟产生电路输出时钟信号生成四个相位相错90度的时钟来驱动电荷泵,以减小电荷泵输出文波;
电荷泵:通过四相位时钟电路驱动,将电源电压升压,产生编程电压或擦除电压,并将产生的编程电压或擦除电压输出给稳压电路;
稳压电路:将两组电荷泵输出电压并联,并减少电荷泵输出文波,稳定输出电压,输出分为两路,一路向外输出,提供编程电压或擦除电压;另外一路输出给降压电路。
在上述低功耗快速升压FLASH电荷泵控制电路中,电荷泵级数远高于正常编程擦除所需电压,电荷泵级数采用13级。
在上述低功耗快速升压FLASH电荷泵控制电路中,降压电路的组成和连接关系如下:
二或门OR_1的输入端连接编程擦除控制电路输出的控制信号WRT、ERASE,输出端连接开关管N1,反相器INV_1和反相器INV_3;反相器INV_1输出端连接控制开关管N3,反相器INV_3输出端连接控制开关管N6,开关管N1、N3、N6用于片上FLASH处于编程擦除操作时启动降压电路;电阻RES_1、RES_2、RES_3、RES_4,二极管N2与开关管N1串联构成偏置电路为开关管N4、N5提供偏置电压;
NMOS管MF_1~MF_11构成左边支路,用于快速启动,其中MF_1~MF_8以二极管方式相连并串接在一起,MF_8源端连接MF_10、MF_9的漏端,MF_10栅端接控制信号WRT,MF_9与MF_11串联,MF_11栅端接控制信号ERASE;MF_10、MF_11开关管用于区分编程操作和擦除操作;MF_10、MF_11源端与开关管N3、偏置管N4漏端相连,其输出经反相器INV_2和INV_4控制传输门C1及PMOS管P3导通和关断;P1管栅端接反相器INV_2的输出端,P1管漏端接反相器INV_2的输入端,用于加速低电平产生;
二极管DIODE_1、NMOS管ML_1~ML_17构成右边支路,用于对电荷泵输出电压进行降压,其中ML_1~ML_5以二极管方式相连并与反偏二极管DIODE_1串接在一起,MF_5源端输出接三路,分别为:由二极管连接方式相连的ML_6、ML_7和栅端接A1信号的开关管ML_8构成第一路;由栅端接A2信号的开关管ML_9构成第二路;由二极管方式相连的ML_10和栅端接A3信号的开关管ML_11构成第三路;其中控制信号A1、A2、A3来自电压调整电路,与擦除操作相关;MF_1源端输出接三路,分别为:由二极管方式相连的ML_12、ML_13和栅端接A4信号的开关管ML_14构成第一路;由栅端接A5信号的开关管ML_15构成第二路;由二极管方式相连的ML_16和栅端接A6信号的开关管ML_17构成第三路;其中控制信号A4、A5、A6来自电压调整电路,与编程操作相关;ML_8、ML_9、ML_11、ML_14、ML_15、ML_17管源端与开关管N6和偏置管N5漏端相连,其输出接到N7管栅极,P2管栅漏短接作为负载管与N7管构成放大电路,其输出接传输门C1的输入端。
在上述低功耗快速升压FLASH电荷泵控制电路中,时钟产生电路的组成和连接关系如下:
二或门OR_1输入接WR、ERASE信号,输出端接开关管P3、P7、反相器INV_1、二与非NAND_1的B1端,反相器INV_1输出端接弱上拉倒比管P9,下拉管P10,开关管N1、N3、N8、N11;开关管N8、N11、P3、P7用于FLASH处于编程擦除操作时启动时钟产生电路;P1,P2、N5、N4、R1构成阈值基准电路,输出接P5管栅极,提供P5管基准电流;弱上拉倒比管P9的漏端接下拉管P10的源端、开关管N1的漏端,输出端接N2的栅极;N2管源端接N3管漏端,输出端接所述阈值基准电路;P9,P10、N1、N2、N3构成启动电路,用于启动所述阈值基准电路;降压电路输出的信号进入A端,接P4管栅极,P4管漏端接N6管,N6管栅漏短接,与P4管构成放大电路;A端信号经P4、N6放大后输出接N7管栅极,N7管漏端接电流源P5管的漏端,输出经电流镜N9、N10、P6传递到Y1端,Y1端接延迟单元的C1端,Y1端同时接P8管栅端,P8的漏端接开关管N11,NMOS管N12的栅漏端;Y1经P8、N12反向输出到Y2端,Y2端接延迟单元的C2端;延迟单元Delay_1的A端接二与非NAND_1的输出,延迟单元Delay_1的输出Y端接延迟单元Delay_2的输入A端,依次类推,共有偶数级延迟单元,最后一级延迟单元Delay_n输出Y端接二与非NAND_1的B2端。
在上述低功耗快速升压FLASH电荷泵控制电路中,时钟产生电路中延迟单元的组成及连接关系如下:
P1、P2管源端接电源,栅端连接C1端,由C1端控制输入电流;N3、N4管源端接地,栅端连接C2端,由C2端控制下拉电流;P3,N1的栅端接到A端,P3源端接P1管漏端,N1源端接N3管漏端,P3,N1的漏端连接P4、N2的栅端;P4源端接P2管漏端,N2源端接N4管漏端;P4,N2的漏端连接输出端Y。
本发明与现有技术相比具有如下有益效果:
(1)、本发明低功耗快速升压FLASH电荷泵控制电路结构简单,功耗低,便于在芯片上实现,并且快速升压,达到相同的电压值时,速度可提高一倍,降低Flash存储器功耗以及提高Flash存储器编程擦除速度;此外加入调试逻辑,方便在工艺发生变化时进行调整;
(2)、本发明对控制电路中的降压电路结构进行了创新设计,为了提高电荷泵升压速度,本发明将降压电路分为两路,一路用于快速启动,在电荷泵输出电压较低时工作;一路用于电荷泵电压微调,在电荷泵输出电压接近目标值时工作;为降低功耗,本发明降压电路没有采用传统的电阻分压结构,而是通过反偏二极管和正偏二极管进行降压;因反偏二极管和正偏二极管对制造工艺敏感,在设计时,加入了调试逻辑,方便用户在工艺发生变化时快速找到最佳工作点;
(3)、本发明对控制电路中的时钟产生电路进行了创新设计,时钟产生电路用于产生电荷泵工作所需时钟,其频率可调;在启动初期,电荷泵电压较低,时钟产生电路在可调节范围内以最快的频率运行,电荷泵电压能快速爬升;电荷泵电压接近目标值时,时钟频率根据电荷泵反馈回来的电压进行微调,使电荷泵电压维持在合理范围内,从而实现电荷泵快速升压目的,提高Flash存储器编程擦除速度。
(4)、本发明控制电路中的电荷泵采用高级数电荷泵,将电荷泵级数提高到13级,代替传统电荷泵电路中常规电荷泵采用7级,高级数的电荷泵达到相同电压时比低级数电荷泵缩短约一半时间,大大提高了响应速度。
附图说明
图1为本发明低功耗快速升压FLASH电荷泵控制电路结构框图;
图2为本发明控制电路中降压电路结构示意图;
图3为本发明控制电路中时钟产生电路结构示意图;
图4为本发明时钟产生电路中延迟单元电路结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细的描述:
如图1所示为本发明低功耗快速升压FLASH电荷泵控制电路结构框图,由图可知本发明低功耗快速升压FLASH电荷泵控制电路由编程擦除控制电路、电压调整电路、降压电路、时钟产生电路、四相位时钟电路、电荷泵和稳压电路组成。
编程擦除控制电路控制电压调整电路,降压电路和时钟产生电路的开启和关断;当FLASH处于读操作时关断降压电路,电压调整电路和时钟产生电路;当FLASH处于编程擦除操作时打开电压调整电路,降压电路和时钟产生电路,电荷泵开始工作。编程擦除控制电路用于电荷泵使能,电荷泵只有在编程擦除时打开,在读操作时电荷泵,降压电路,时钟产生电路,电压调整电路关闭,降低读操作功耗。
电压调整电路产生电压配置信息,并将电压配置信息输出给降压电路;
降压电路接收电压调整电路输出的电压配置信息和稳压电路输出的编程电压或擦除电压,根据电压配置信息对编程电压或擦除电压进行不同程度的降压,并将降压调整后的编程电压或擦除电压输出给时钟产生电路;
时钟产生电路接收降压电路输出降压调整后的编程电压或擦除电压,产生时钟信号,并将时钟信号输出给四相位时钟电路,其中时钟信号的频率与降压调整后的编程电压或擦除电压的输出电压值相关,电压值越大,时钟频率越块。时钟产生电路根据电荷泵经降压过来的反馈信号调节时钟频率,当电荷泵电压较低时,时钟以最快的频率工作。当电荷泵电压接近设定电压时,时钟频率降低。
四相位时钟电路将时钟产生电路输出时钟信号生成四个相位相错90度的时钟来驱动电荷泵,以减小电荷泵输出文波。
电荷泵通过四相位时钟电路驱动,将电源电压升压,产生编程电压和擦除电压,并将产生的编程电压和擦除电压输出给稳压电路。正常设置电荷泵仅需7级,本发明用两组13级的电荷泵进行并联,这样在电荷泵工作时可快速达到目标电压,提高编程,擦除速度。
稳压电路将两组电荷泵输出电压并联,进一步减少电荷泵输出文波,稳定输出电压,输出分为两路,一路向外输出,提供编程电压或擦除电压;另外一路输出给降压电路。
控制电路的具体工作过程如下:
当处于编程,擦除模式时,时钟产生电路启动,电荷泵开始升压。降压电路根据当前电荷泵输出电压进行判断,若电压与设定值差别较大,则直接控制时钟产生电路,以最快的时钟进行,电荷泵开始快速升压,当接近目标电压值时,将降压后的反馈电压送入时钟产生电路,降低电荷泵时钟频率,对电荷泵输出电压进行微调。电压调整电路作用于降压电路,作用有两个:其一可以对擦除和编程分别设置不同电压值;其二当工艺发生变化或FLASH控制电路开发初期,通过控制电路对电荷泵输出电压进行调节,加快产品开发速度。
如图2所示为本发明控制电路中降压电路结构示意图,由图可知降压电路的组成和连接关系如下:
二或门OR_1的输入端连接编程擦除控制电路输出的控制信号WRT、ERASE,输出端连接开关管N1,反相器INV_1和反相器INV_3;反相器INV_1输出端连接控制开关管N3,反相器INV_3输出端连接控制开关管N6,开关管N1、N3、N6用于片上FLASH处于编程擦除操作时启动降压电路;电阻RES_1、RES_2、RES_3、RES_4,二极管N2与开关管N1串联构成偏置电路为开关管N4、N5提供偏置电压;
NMOS管MF_1~MF_11构成左边支路,用于快速启动,其中MF_1~MF_8以二极管方式相连并串接在一起,MF_8源端连接MF_10、MF_9的漏端,MF_10栅端接控制信号WRT,MF_9与MF_11串联,MF_11栅端接控制信号ERASE;MF_10、MF_11开关管用于区分编程操作和擦除操作;MF_10、MF_11源端与开关管N3、偏置管N4漏端相连,其输出经反相器INV_2和INV_4控制传输门C1及PMOS管P3导通和关断;P1管栅端接反相器INV_2的输出端,P1管漏端接反相器INV_2的输入端,用于加速低电平产生;
二极管DIODE_1、NMOS管ML_1~ML_17构成右边支路,用于对电荷泵输出电压进行降压,其中ML_1~ML_5以二极管方式相连并与反偏二极管DIODE_1串接在一起,MF_5源端输出接三路,分别为:由二极管连接方式相连的ML_6、ML_7和栅端接A1信号的开关管ML_8构成第一路;由栅端接A2信号的开关管ML_9构成第二路;由二极管方式相连的ML_10和栅端接A3信号的开关管ML_11构成第三路;其中控制信号A1、A2、A3来自电压调整电路,与擦除操作相关;MF_1源端输出接三路,分别为:由二极管方式相连的ML_12、ML_13和栅端接A4信号的开关管ML_14构成第一路;由栅端接A5信号的开关管ML_15构成第二路;由二极管方式相连的ML_16和栅端接A6信号的开关管ML_17构成第三路;其中控制信号A4、A5、A6来自电压调整电路,与编程操作相关;ML_8、ML_9、ML_11、ML_14、ML_15、ML_17管源端与开关管N6和偏置管N5漏端相连,其输出接到N7管栅极,P2管栅漏短接作为负载管与N7管构成放大电路,其输出接传输门C1的输入端。
降压电路的具体工作过程如下:
当FLASH进入编程或擦除模式时,二或门OR_1输出高电平,N3,N6管关断,N1管打开。由电阻RES_1、RES_2、RES_3、RES_4和N2管构成的偏置电路提供N4,N5管偏置电压,降压电路开始工作。电荷泵输出的电压经输入引脚pump_out进入降压电路。降压电路分为两路,MF_1到MF_10构成左边支路,用于快速启动。二极管DIODE_1、ML_1到ML_17构成右边支路,用于对电荷泵输出电压进行微调。当电荷泵输出电压远低于设定电压,节点J1输出低电平,传输门C1关断,P3管打开,左边支路起作用,Y端输出电源电压,该电压送入时钟产生电路,控制时钟以最快的频率运行,加快电荷泵升压;当电荷泵电压接近设定电压,节点J1输出高电平,传输门C1打开,P3管关断,左边支路关断。右边支路电压经P2和N7反向放大后通过传输门C1将降压后的电压输出,送入时钟产生电路,该电压调节时钟产生电路的时钟频率,对电荷泵输出电压进行微调。为降低功耗,右边降压电路没有采用传统电阻分压形式,本发明采用反偏二极管和耐高压N管构成的正偏二极管组成降压电路。因擦除电压和编程电压不同,右边之路根据编程和擦除分成两路。A1,A2,A3在擦除模式时起作用;A4,A5,A6在编程模式起作用。通过擦除时对A1,A2,A3或编程时对A4,A5,A6选择,在工艺发生变化时或FLASH开发初期方便对电荷泵电压进行调整。A1到A6的控制信号由电压调整电路产生。
如图3所示为本发明控制电路中时钟产生电路结构示意图,由图可知时钟产生电路的组成和连接关系如下:
二或门OR_1输入接WR、ERASE信号,输出端接开关管P3、P7、反相器INV_1、二与非NAND_1的B1端,反相器INV_1输出端接弱上拉倒比管P9,下拉管P10,开关管N1、N3、N8、N11;开关管N8、N11、P3、P7用于FLASH处于编程擦除操作时启动时钟产生电路;P1,P2、N5、N4、R1构成阈值基准电路,输出接P5管栅极,提供P5管基准电流;弱上拉倒比管P9的漏端接下拉管P10的源端、开关管N1的漏端,输出端接N2的栅极;N2管源端接N3管漏端,输出端接所述阈值基准电路;P9,P10、N1、N2、N3构成启动电路,用于启动所述阈值基准电路;降压电路输出的信号进入A端,接P4管栅极,P4管漏端接N6管,N6管栅漏短接,与P4管构成放大电路;A端信号经P4、N6放大后输出接N7管栅极,N7管漏端接电流源P5管的漏端,输出经电流镜N9、N10、P6传递到Y1端,Y1端接延迟单元的C1端,Y1端同时接P8管栅端,P8的漏端接开关管N11,NMOS管N12的栅漏端;Y1经P8、N12反向输出到Y2端,Y2端接延迟单元的C2端;延迟单元Delay_1的A端接二与非NAND_1的输出,延迟单元Delay_1的输出Y端接延迟单元Delay_2的输入A端,依次类推,共有偶数级延迟单元,最后一级延迟单元Delay_n输出Y端接二与非NAND_1的B2端。
时钟产生电路的具体工作过程如下:
当FLASH进入编程或擦除模式时,或门O1输出高电平,P3、P7、N1、N3、N8、N11关断,时钟产生电路开始工作。P1、P2、N4、R1和N5构成阈值基准电路,提供基准电流。P9、P10、N2构成启动电路,用于启动阈值基准电路。当阈值基准电路启动后,N5栅端电压升高,N2管截至,启动电路关闭。电荷泵降压电路过来的信号进入A端,经P4、N6管反向后接N7管。N7管电流变化经N9、N10、P6、P8、N12镜像放大后通过Y1,Y2输出。Y1,Y2分别接接延迟单元的C1、C2端,通过控制延迟单元的电流大小调节延迟时间,偶数延迟单元和二与非门构成震荡回路,提供电荷泵工作所需时钟。
如图4所示为本发明时钟产生电路中延迟单元电路结构示意图,由图可知延迟单元的组成及连接关系如下:
P1、P2管源端接电源,栅端连接C1端,由C1端控制输入电流;N3、N4管源端接地,栅端连接C2端,由C2端控制下拉电流;P3,N1的栅端接到A端,P3源端接P1管漏端,N1源端接N3管漏端,P3,N1的漏端连接P4、N2的栅端;P4源端接P2管漏端,N2源端接N4管漏端;P4,N2的漏端连接输出端Y。
以上所述,仅为本发明最佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
本发明说明书中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员的公知技术。
Claims (5)
1.一种低功耗快速升压FLASH电荷泵控制电路,其特征在于:包括编程擦除控制电路、电压调整电路、降压电路、时钟产生电路、四相位时钟电路、电荷泵和稳压电路,其中:
编程擦除控制电路:控制电压调整电路,降压电路和时钟产生电路的开启和关断;当FLASH处于读操作时关断降压电路,电压调整电路和时钟产生电路;当FLASH处于编程操作或擦除操作时打开电压调整电路,降压电路和时钟产生电路,电荷泵工作;
电压调整电路:产生电压配置信息,并将电压配置信息输出给降压电路;
降压电路:接收电压调整电路输出的电压配置信息和稳压电路输出的编程电压或擦除电压,根据电压配置信息对编程电压或擦除电压进行降压,并将降压调整后的编程电压或擦除电压输出给时钟产生电路;
时钟产生电路:接收降压电路输出降压调整后的编程电压或擦除电压,产生时钟信号,并将时钟信号输出给四相位时钟电路,时钟信号的时钟频率与降压调整后的编程电压或擦除电压的电压值相关,电压值越大,时钟频率越块;
四相位时钟电路:将时钟产生电路输出时钟信号生成四个相位相错90度的时钟来驱动电荷泵,以减小电荷泵输出文波;
电荷泵:通过四相位时钟电路驱动,将电源电压升压,产生编程电压或擦除电压,并将产生的编程电压或擦除电压输出给稳压电路;
稳压电路:将两组电荷泵输出电压并联,并减少电荷泵输出文波,稳定输出电压,输出分为两路,一路向外输出,提供编程电压或擦除电压;另外一路输出给降压电路。
2.根据权利要求1所述的一种低功耗快速升压FLASH电荷泵控制电路,其特征在于:所述电荷泵级数远高于正常编程擦除所需电压,电荷泵级数采用13级。
3.根据权利要求1所述的一种低功耗快速升压FLASH电荷泵控制电路,其特征在于:所述降压电路的组成和连接关系如下:
二或门OR_1的输入端连接编程擦除控制电路输出的控制信号WRT、ERASE,输出端连接开关管N1,反相器INV_1和反相器INV_3;反相器INV_1输出端连接控制开关管N3,反相器INV_3输出端连接控制开关管N6,开关管N1、N3、N6用于片上FLASH处于编程擦除操作时启动降压电路;电阻RES_1、RES_2、RES_3、RES_4,二极管N2与开关管N1串联构成偏置电路为开关管N4、N5提供偏置电压;
NMOS管MF_1~MF_11构成左边支路,用于快速启动,其中MF_1~MF_8以二极管方式相连并串接在一起,MF_8源端连接MF_10、MF_9的漏端,MF_10栅端接控制信号WRT,MF_9与MF_11串联,MF_11栅端接控制信号ERASE;MF_10、MF_11开关管用于区分编程操作和擦除操作;MF_10、MF_11源端与开关管N3、偏置管N4漏端相连,其输出经反相器INV_2和INV_4控制传输门C1及PMOS管P3导通和关断;P1管栅端接反相器INV_2的输出端,P1管漏端接反相器INV_2的输入端,用于加速低电平产生;
二极管DIODE_1、NMOS管ML_1~ML_17构成右边支路,用于对电荷泵输出电压进行降压,其中ML_1~ML_5以二极管方式相连并与反偏二极管DIODE_1串接在一起,MF_5源端输出接三路,分别为:由二极管连接方式相连的ML_6、ML_7和栅端接A1信号的开关管ML_8构成第一路;由栅端接A2信号的开关管ML_9构成第二路;由二极管方式相连的ML_10和栅端接A3信号的开关管ML_11构成第三路;其中控制信号A1、A2、A3来自电压调整电路,与擦除操作相关;MF_1源端输出接三路,分别为:由二极管方式相连的ML_12、ML_13和栅端接A4信号的开关管ML_14构成第一路;由栅端接A5信号的开关管ML_15构成第二路;由二极管方式相连的ML_16和栅端接A6信号的开关管ML_17构成第三路;其中控制信号A4、A5、A6来自电压调整电路,与编程操作相关;ML_8、ML_9、ML_11、ML_14、ML_15、ML_17管源端与开关管N6和偏置管N5漏端相连,其输出接到N7管栅极,P2管栅漏短接作为负载管与N7管构成放大电路,其输出接传输门C1的输入端。
4.根据权利要求1所述的一种低功耗快速升压FLASH电荷泵控制电路,其特征在于:所述时钟产生电路的组成和连接关系如下:
二或门OR_1输入接WR、ERASE信号,输出端接开关管P3、P7、反相器INV_1、二与非NAND_1的B1端,反相器INV_1输出端接弱上拉倒比管P9,下拉管P10,开关管N1、N3、N8、N11;开关管N8、N11、P3、P7用于FLASH处于编程擦除操作时启动时钟产生电路;P1,P2、N5、N4、R1构成阈值基准电路,输出接P5管栅极,提供P5管基准电流;弱上拉倒比管P9的漏端接下拉管P10的源端、开关管N1的漏端,输出端接N2的栅极;N2管源端接N3管漏端,输出端接所述阈值基准电路;P9,P10、N1、N2、N3构成启动电路,用于启动所述阈值基准电路;降压电路输出的信号进入A端,接P4管栅极,P4管漏端接N6管,N6管栅漏短接,与P4管构成放大电路;A端信号经P4、N6放大后输出接N7管栅极,N7管漏端接电流源P5管的漏端,输出经电流镜N9、N10、P6传递到Y1端,Y1端接延迟单元的C1端,Y1端同时接P8管栅端,P8的漏端接开关管N11,NMOS管N12的栅漏端;Y1经P8、N12反向输出到Y2端,Y2端接延迟单元的C2端;延迟单元Delay_1的A端接二与非NAND_1的输出,延迟单元Delay_1的输出Y端接延迟单元Delay_2的输入A端,依次类推,共有偶数级延迟单元,最后一级延迟单元Delay_n输出Y端接二与非NAND_1的B2端。
5.根据权利要求4所述的一种低功耗快速升压FLASH电荷泵控制电路,其特征在于:所述时钟产生电路中延迟单元的组成及连接关系如下:
P1、P2管源端接电源,栅端连接C1端,由C1端控制输入电流;N3、N4管源端接地,栅端连接C2端,由C2端控制下拉电流;P3,N1的栅端接到A端,P3源端接P1管漏端,N1源端接N3管漏端,P3,N1的漏端连接P4、N2的栅端;P4源端接P2管漏端,N2源端接N4管漏端;P4,N2的漏端连接输出端Y。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104778968A (zh) * | 2015-04-01 | 2015-07-15 | 山东华芯半导体有限公司 | 一种rram电压产生系统 |
CN105280234A (zh) * | 2015-10-29 | 2016-01-27 | 深圳芯邦科技股份有限公司 | 一种闪存控制芯片 |
CN106384605A (zh) * | 2016-09-09 | 2017-02-08 | 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 | 一种低功耗非易失性电子可编程存储器 |
CN106504793A (zh) * | 2016-11-03 | 2017-03-15 | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 | 一种为flash存储器芯片提供编程电压的升压电路 |
CN108986866A (zh) * | 2018-07-20 | 2018-12-11 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种读高压传输电路 |
CN110299173A (zh) * | 2019-07-05 | 2019-10-01 | 合肥联诺科技有限公司 | 一种用于nor flash编程处理的可控放电模块 |
CN112037828A (zh) * | 2020-11-09 | 2020-12-04 | 深圳市芯天下技术有限公司 | 电荷泵输出电压稳定检测方法、电路及非易失型存储器 |
CN112863580A (zh) * | 2021-01-22 | 2021-05-28 | 珠海创飞芯科技有限公司 | 一种存储器的编程方法及存储器 |
CN112951304A (zh) * | 2019-12-10 | 2021-06-11 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种存储设备及其控制装置和控制方法 |
CN117789798A (zh) * | 2023-12-28 | 2024-03-29 | 湖南进芯电子科技有限公司 | 一种Flash状态转换时间可调的方法 |
CN117789798B (zh) * | 2023-12-28 | 2024-05-28 | 湖南进芯电子科技有限公司 | 一种Flash状态转换时间可调的方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1503440A (zh) * | 2002-11-26 | 2004-06-09 | ������������ʽ���� | 降压电路、电源电路及半导体集成电路 |
-
2014
- 2014-04-28 CN CN201410174816.6A patent/CN104112473B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1503440A (zh) * | 2002-11-26 | 2004-06-09 | ������������ʽ���� | 降压电路、电源电路及半导体集成电路 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016155322A1 (zh) * | 2015-04-01 | 2016-10-06 | 山东华芯半导体有限公司 | 一种rram电压产生系统 |
CN104778968B (zh) * | 2015-04-01 | 2017-10-03 | 西安紫光国芯半导体有限公司 | 一种rram电压产生系统 |
CN104778968A (zh) * | 2015-04-01 | 2015-07-15 | 山东华芯半导体有限公司 | 一种rram电压产生系统 |
CN105280234A (zh) * | 2015-10-29 | 2016-01-27 | 深圳芯邦科技股份有限公司 | 一种闪存控制芯片 |
CN105280234B (zh) * | 2015-10-29 | 2019-07-30 | 深圳芯邦科技股份有限公司 | 一种闪存控制芯片 |
CN106384605B (zh) * | 2016-09-09 | 2019-12-10 | 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 | 一种低功耗非易失性电子可编程存储器 |
CN106384605A (zh) * | 2016-09-09 | 2017-02-08 | 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 | 一种低功耗非易失性电子可编程存储器 |
CN106504793A (zh) * | 2016-11-03 | 2017-03-15 | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 | 一种为flash存储器芯片提供编程电压的升压电路 |
CN106504793B (zh) * | 2016-11-03 | 2020-01-24 | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 | 一种为flash存储器芯片提供编程电压的升压电路 |
CN108986866B (zh) * | 2018-07-20 | 2020-12-11 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种读高压传输电路 |
CN108986866A (zh) * | 2018-07-20 | 2018-12-11 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种读高压传输电路 |
CN110299173A (zh) * | 2019-07-05 | 2019-10-01 | 合肥联诺科技有限公司 | 一种用于nor flash编程处理的可控放电模块 |
CN112951304A (zh) * | 2019-12-10 | 2021-06-11 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种存储设备及其控制装置和控制方法 |
CN112037828A (zh) * | 2020-11-09 | 2020-12-04 | 深圳市芯天下技术有限公司 | 电荷泵输出电压稳定检测方法、电路及非易失型存储器 |
CN112863580A (zh) * | 2021-01-22 | 2021-05-28 | 珠海创飞芯科技有限公司 | 一种存储器的编程方法及存储器 |
CN117789798A (zh) * | 2023-12-28 | 2024-03-29 | 湖南进芯电子科技有限公司 | 一种Flash状态转换时间可调的方法 |
CN117789798B (zh) * | 2023-12-28 | 2024-05-28 | 湖南进芯电子科技有限公司 | 一种Flash状态转换时间可调的方法 |
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Publication number | Publication date |
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CN104112473B (zh) | 2017-12-01 |
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