CN104099652A - 一种电子铜箔的表面处理粗化工艺 - Google Patents

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王维河
王海振
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温世兴
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赵东
王天堂
尹瑞权
赵海燕
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Abstract

本发明属于铜箔表面处理生产技术领域，尤其涉及一种电子铜箔的表面处理粗化工艺，步骤如下：将阴极铜、浓硫酸混合溶解，配制粗化液；其中，Cu2+:20-40g/L，H2SO4：80-150g/L，粗化液温度为25-40℃；将得到的粗化液混合充分后进入粗化槽，依次经高电流密度、中电流密度和低电流密度进行电镀。本发明采用的粗化工艺使用一种电镀液来代替两种不同成分的粗化液和固化液，通过控制不同的电流密度来实现高比表面积、低峰值和高结合力的电解铜箔，应用于Tg170及以上板材时具有优良的剥离强度。

Description

一种电子铜箔的表面处理粗化工艺
技术领域
本发明属于铜箔表面处理生产技术领域，尤其涉及一种电子铜箔的表面处理粗化工艺。
背景技术
电子铜箔是覆铜板及印制电路板制造的基础材料。随着电子行业的高速发展，投放于市场的新电子和电气设备中含有的铅、汞、镉、六价铬、聚溴二苯醚或聚溴联苯等危险物质给环境和人类健康带来危害。近几年，国家逐渐加大了对环境保护的重视，促使电子行业向更环保的方向发展，随之而来的就是技术的提升。环保板材已经逐渐占据主导地位，特别是阻燃效果优良的无卤板发展速度飞快，现在Tg170以上的板材已经成为主力，且有继续升高的趋势。
Tg170板材的压合温度升高，必然要提高铜箔的各项性能，特别是提高铜箔的剥离强度，现有的铜箔表面粗化工艺一般采用粗化液、固化液相结合后，经固定电流电镀，由此方法处理后的铜箔，其抗剥离强度并没有得到显著提高，且操作工作较复杂。因此研发生产出低粗糙度、高结合力、抗剥离强度大的电子铜箔具有深远的价值意义。
发明内容
本发明针对上述现有技术存在的不足，提供一种能够实现铜箔高比表面积的粗化效果、对铜箔剥离强度有明显提高的粗化工艺。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种电子铜箔的表面处理粗化工艺，步骤如下：
(1)将阴极铜、浓硫酸混合溶解，配制粗化液；其中，Cu2+:20-40g/L，H2SO4：80-150g/L，粗化液温度为25-40℃；
(2)将步骤(1)得到的粗化液混合充分后进入粗化槽，依次经高电流密度、中电流密度和低电流密度进行电镀。
本发明的有益效果是：本发明采用的粗化工艺使用一种电镀液来代替两种不同成分的粗化液和固化液，通过控制不同的电流密度来实现高比表面积、低峰值和高结合力的电解铜箔，应用于Tg170及以上板材时具有优良的剥离强度。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
进一步，步骤(2)中所述的高电流密度为140-200A/dm2，电镀时间为1.5-6s；所述的中电流密度为70-90A/dm2，电镀时间为1.5-6s；所述的低电流密度为30-50A/dm2，电镀时间为1.5-6s。
附图说明
图1为对比例1的铜箔表面粗化效果的SEM图谱；
图2为采用本发明实施例1的铜箔表面粗化效果的SEM图谱。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
本发明实施例采用KYKY-2800系列实用型扫描电子显微镜观测样品表面粗化效果。
对比例1
一种18μm电子铜箔的表面处理粗化工艺，采用两种不同的电解液，分别为粗化液Cu2+：10g/L，H2SO4：180g/L和固化液Cu2+：60g/L，H2SO4：110g/L，经固定电流电镀。
图1为对比例1的铜箔表面粗化效果的SEM图谱。
实施例1
一种18μm电子铜箔的表面处理粗化工艺，步骤如下：
(1)将阴极铜、浓硫酸混合溶解，配制粗化液；其中，Cu2+:20g/L，H2SO4：80g/L，粗化液温度为25℃；
(2)将步骤(1)得到的粗化液混合充分后进入粗化槽，依次经高电流密度、中电流密度和低电流密度进行电镀，其中所述的高电流密度为140A/dm2，电镀时间为6s；所述的中电流密度为70A/dm2，电镀时间为6s；所述的低电流密度为30A/dm2，电镀时间为4.5s。
图2为采用本发明实施例1的铜箔表面粗化效果的SEM图谱。
将图1和图2进行比较可以看到，图2中本发明的粗化层基本上是横向生长，在保证“铜牙”高度变化较小的情况下，尽可能地向峰谷方向生长，增大粗化层的比表面积，提高铜箔的剥离强度。
将此铜箔压合Tg170板材，检测其剥离强度，见表1。
表1
由表1可见，采用本发明工艺处理后的铜箔压合Tg170板材，与对比例1相比较，其剥离强度显著提高。
实施例2
一种电子铜箔的表面处理粗化工艺，步骤如下：
(1)将阴极铜、浓硫酸混合溶解，配制粗化液；其中，Cu2+:40g/L，H2SO4：150g/L，粗化液温度为40℃；
(2)将步骤(1)得到的粗化液混合充分后进入粗化槽，依次经高电流密度、中电流密度和低电流密度进行电镀，其中所述的高电流密度为200A/dm2，电镀时间为6s；所述的中电流密度为90A/dm2，电镀时间为4.5s；所述的低电流密度为50A/dm2，电镀时间为6s。
实施例3
一种电子铜箔的表面处理粗化工艺，步骤如下：
(1)将阴极铜、浓硫酸混合溶解，配制粗化液；其中，Cu2+:30g/L，H2SO4：100g/L，粗化液温度为35℃；
(2)将步骤(1)得到的粗化液混合充分后进入粗化槽，依次经高电流密度、中电流密度和低电流密度进行电镀，其中所述的高电流密度为160A/dm2，电镀时间为4.5s；所述的中电流密度为80A/dm2，电镀时间为6s；所述的低电流密度为40A/dm2，电镀时间为6s。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (2)

1.一种电子铜箔的表面处理粗化工艺，其特征在于步骤如下：
(1)将阴极铜、浓硫酸混合溶解，配制粗化液；其中，Cu2+:20-40g/L，H2SO4：80-150g/L，粗化液温度为25-40℃；
(2)将步骤(1)得到的粗化液混合充分后进入粗化槽，依次经高电流密度、中电流密度和低电流密度进行电镀。
2.根据权利要求1所述的一种电子铜箔的表面处理粗化工艺，其特征在于步骤(2)中所述的高电流密度为140-200A/dm2，电镀时间为1.5-6s；所述的中电流密度为70-90A/dm2，电镀时间为1.5-6s；所述的低电流密度为30-50A/dm2，电镀时间为1.5-6s。
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