CN102212853A - 一种能够提高铜箔剥离强度的表面处理粗化工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种可以提高铜箔剥离强度的表面处理粗化工艺,属于电解铜箔表面处理生产技术领域。一种能够提高铜箔剥离强度的表面处理粗化工艺,其特征在于,在原粗化液的基础上添加几种添加剂,让其形成“铜+A+B”混合溶液,电镀为合金电镀,再配合浓度、温度、电流密度、电镀时间的工艺要求,生产出铜箔结晶核多,且都分布在铜箔毛面的大部。这样可以有效地提高无卤无铅覆铜板铜箔剥离强度。

Description

一种能够提高铜箔剥离强度的表面处理粗化工艺
技术领域
本发明涉及一种可以提高铜箔剥离强度的表面处理粗化工艺,属于电解铜箔表面处理生产技术领域。
背景技术
电子铜箔(Electrode posited copper foil)是覆铜板(CCL)及印制电路板(PCB)制造的基础材料。早在2003年,欧盟的《关于在电子电气设备中限制使用某些有害物质指令》(简称ROHS指令)就规定,各成员国将确保从2006年7月1日起,投放于市场的新电子和电气设备中不能包含铅,汞,镉,六价铬,聚溴二苯醚(PBDE)或聚溴联苯(PBB)这六种对人类健康和环境形成危险的物质,传统的覆铜板阻燃剂采用的大都为溴系,由于限制使用,很多厂家研发出无卤无铅覆铜板,由于阻燃剂、固化剂、填充剂的变化,导致板材的铜箔剥离强度大幅度下降,以前的铜箔表面处理工艺已经不能满足无卤无铅覆铜板的需要。
原来表面处理粗化液的造液过程为:将阴极铜、浓硫酸、软水、蒸汽、压缩空气按比例加入溶铜罐中溶解,生成硫酸铜溶液,然后循环到粗化低位罐中,再由泵打到表面处理机粗化槽中,送电电镀,然后溢流回低位罐和溶铜罐中,这种粗化工艺,产生的铜箔结晶核少,且都集中在铜箔毛面的顶端,无法满足无卤无铅覆铜板对剥离强度的要求。
发明内容
本发明的目的在于解决上述已有技术存在的不足之处,提供一种能够提高铜箔剥离强度的表面处理粗化工艺,该工艺是将表面处理粗化液由原来的单一镀铜改为合金电镀,从而增加铜箔的粗化结晶核,从而达到提高无卤无铅覆铜板铜箔的剥离强度。
本发明是通过以下技术方案实现的:
一种能够提高铜箔剥离强度的表面处理粗化工艺,其特殊之处在于,在原粗化液的基础上添加几种添加剂,让其形成“铜+A+B”混合溶液,电镀为合金电镀,再配合浓度、温度、电流密度、电镀时间的工艺要求,生产出铜箔结晶核多,且都分布在铜箔毛面的大部。这样可以有效地提高无卤无铅覆铜板铜箔剥离强度。
具体工艺步骤如下:
1、将阴极铜、浓硫酸、软水、蒸汽混合溶解,生成硫酸铜溶液;
2、向硫酸铜溶液中加入添加剂;
3、混合充分后进入粗化槽进行电镀;
其工艺要求范围为Cu2+ 10-18g/l,H2SO4 160-200g/l,温度为25-40℃;电镀电流密度0.3-0.5A/cm2,电镀时间6-8S,在此范围均可提高用在无卤无铅覆铜板上的剥离强度。
更进一步的,其工艺要求最佳范围为:Cu2+ 15-18g/l,H2SO4 190-200g/l,温度为25-30℃,电镀的电流密度0.45A/cm2,电镀时间7S,此范围提高剥离强度最大。
所述添加剂包含:表面活性剂(SDBS)、Fe2+化合物、Co2+化合物
添加剂的工艺范围分别为:表面活性剂SDBS:0.1-0.5g/l、Fe2+:2-4g/l、Co2+:1-3g/l;在此范围铜箔毛面均可增加结晶核。
添加剂的最佳工艺范围为:SDBS:0.4g/l、Fe2+:3g/l、Co2+:2g/l;此范围铜箔毛面增加结晶核最多。
本发明一种能够提高铜箔剥离强度的表面处理粗化工艺,能够提高电解铜箔的抗剥离强度0.3-0.6N/mm,可以增加铜箔毛面结晶核,使铜箔毛面表面积增加10-20%,有助于解决现有技术中存在的高Tg、无卤无铅覆铜板抗剥离强度偏低的问题。
附图说明
图1:无添加剂粗化效果示意图;
图2:本发明一种能够提高铜箔剥离强度的表面处理粗化效果示意图;
具体实施方式
以下给出几个本发明的具体实施方式,用来对本发明作进一步的说明,但本发明的实施并不限于以下实施例。
实施例1
一种能够提高铜箔剥离强度的表面处理粗化工艺,具体工艺步骤如下:
1、将阴极铜、浓硫酸、软水、蒸汽混合溶解,生成硫酸铜溶液;
2、向硫酸铜溶液中加入添加剂;
3、混合充分后进入粗化槽进行电镀;
其工艺要求范围为Cu2+ 10g/l,H2SO4 160g/l,温度为25℃;电镀电流密度0.3A/cm2,电镀时间6S,在此范围均可提高用在无卤无铅覆铜板上的剥离强度。
所述添加剂为:表面活性剂(SDBS)、Fe2+化合物、Co2+化合物,添加剂的工艺范围分别为:表面活性剂SDBS:0.1g/l、Fe2+:1g/l、Co2+:1g/l;在此范围铜箔毛面均可增加结晶核。
实施例2
本实施例与实施例1的不同之处在于
所述工艺要求范围为Cu2+ 18g/l,H2SO4200g/l,温度为40℃;电镀电流密度0.5A/cm2,电镀时间8S;
所述添加剂的工艺范围为表面活性剂SDBS:0.5g/l、Fe2+:4g/l、Co2+:2g/l。
实施例3
本实施例与实施例1的不同之处在于
所述工艺要求最佳范围为:Cu2+ 16g/l,H2SO4 195g/l,温度为28℃,电镀的电流密度0.45A/cm2,电镀时间7S,此范围提高剥离强度最大。
所述添加剂的最佳工艺范围为:SDBS:0.4g/l、Fe2+:3g/l、Co2+:2g/l;此范围铜箔毛面增加结晶核最多。
本发明经实验得到的抗剥强度及视觉观察毛面状态结果如下表
实验事例:铜箔抗剥强度采用压FR4板测试;
Figure BSA00000492545000031
Figure BSA00000492545000041
通过上述实验事例数据分析得到以下几点结论:
1、在粗化电解液中添加表面活性剂(SDBS)、Fe2+化合物、Co2+化合物后,抗剥强度都有所增加。
2、但Fe2+达到4g/l以上、Co2+达到4g/l以上时,虽然抗剥离强度增加了,但铜箔毛面出现不均匀现象。
3、实验数据中SDBS:0.4g/l、Fe2+:3g/l、Co2+:2g/l时,测试的抗剥强度增加最多。
本发明具有如下特点:
1、表面处理粗化工艺可以提高电解铜箔的抗剥离强度0.3-0.6N/mm。
2、表面处理粗化工艺可以增加粗化基点,使铜箔毛面表面积增加10-20%。(如图1)
电解铜箔生产各厂家后处理设备有所差异,但只要采用本专利技术方案的粗化工艺及添加剂,都可以在原基础上提高抗剥离强度。

Claims (3)

1.一种能够提高铜箔剥离强度的表面处理粗化工艺,其特征在于,具体工艺步骤如下:
1)、将阴极铜、浓硫酸、软水、蒸汽混合溶解,生成硫酸铜溶液;
2)、向硫酸铜溶液中加入添加剂;
3)、混合充分后进入粗化槽进行电镀;
其工艺要求范围为Cu2+ 10-18g/l,H2SO4 160-200g/l,温度为25-40℃;电镀电流密度0.3-0.5A/cm2,电镀时间6-8S;
所述添加剂包含表面活性剂SDBS和Fe2+化合物和Co2+化合物;
添加剂的工艺范围分别为表面活性剂SDBS:0.1-0.5g/l、Fe2+:2-4g/l、Co2+:1-3g/l。
2.按照权利要求1所述一种能够提高铜箔剥离强度的表面处理粗化工艺,其特征在于
工艺要求最佳范围为Cu2+ 15-18g/l,H2SO4 190-200g/l,温度为25-30℃,电镀的电流密度0.45A/cm2,电镀时间7S。
3.按照权利要求1所述一种能够提高铜箔剥离强度的表面处理粗化工艺,其特征在于
添加剂的最佳工艺范围为:SDBS:0.4g/l、Fe2+:3g/l、Co2+:2g/l。
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