CN101760199B - 一种双液型酸性蚀刻液氧化剂 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种用于各式氯化铜蚀刻系统的双液型酸性蚀刻液氧化剂。各组分及含量为:氯酸钠35%~37%,氯化钠6%~8%,添加剂0.15%~0.25%,水55%~58%。本发明溶铜量高,侧蚀小,使用过程无沉淀产生,稳定性高。
Description
技术领域
本发明涉及一种蚀刻液组合物,尤其是涉及一种用于各式氯化铜蚀刻系统的双液型酸性蚀刻液氧化剂。
背景技术
目前不论是在半导体制造或是在平面显示器的制造中,多会使用铬、银、钼、铜、铝、钯、铂,钦等金属或是合金来作为导电材料。以往多使用包含酸类与氧化剂的蚀刻组合物来对铝、铬或是银金属及其合金进行蚀刻,但是因为所需要蚀刻的程度不同以及所要蚀刻的金属种类也不同。因此,多是靠适当的选择酸类以及氧化剂的种类后,再搭配适当的浓度调整来取得最佳的蚀刻效果。特别是对于印刷电路板蚀刻,目前,氯化铜体系酸性蚀刻液使用过程有沉淀产生,侧蚀严重,溶铜量低,稳定性差。
发明内容
所要解决的技术问题:本发明目的提供一种无沉淀产生、侧蚀小的双液型酸性蚀刻液氧化剂。
技术方案:本发明一种双液型酸性蚀刻液氧化剂,各组分及含量为:
氯酸钠35%~37%,氯化钠6%~8%,添加剂0.15%~0.25%,水55%~58%。
优选地,氯酸钠36%,氯化钠7%,添加剂0.2%,水56.8%。
以上所有百分数为重量百分数。
本发明氯酸钠纯度99%以上,氯化钠纯度99%,添加剂是硫酸钠与碳酸钠的混合物,水是自来水、软水或去离子水。
本发明将各定量的原料加入搅拌池内进行搅拌,使原料完全溶解即可。
本发明与现有技术相比,具有如下优点:溶铜量高,侧蚀小,使用过程无沉淀产生,稳定性高,适用于各式氯化铜蚀刻系统。
具体实施方式
下面所有百分数为重量百分数。
实施例1
本实施例含量为:氯酸钠35%,氯化钠8%,添加剂是硫酸钠与碳酸钠的混合物0.25%,自来水56.75%,氯化钠是工业级的,纯度99%。氯酸钠是工业级的,纯度99%以上。将各定量的原料加入搅拌池内进行搅拌,使原料完全溶解即可。
实施例2
本实施例含量为:氯酸钠37%,氯化钠6%,添加剂是硫酸钠与碳酸钠的混合物0.15%,软水56.85%。氯化钠是工业级的,纯度99%。氯酸钠是工业级的,纯度99%以上。
实施例3
本实施例含量为:氯酸钠35.32%,氯化钠6.5%,添加剂是硫酸钠与碳酸钠的混合物0.18%,去离子水58%。氯化钠是工业级的,纯度99%。氯酸钠是工业级的,纯度99%以上。
实施例4
本实施例含量为:氯酸钠36%,氯化钠7%,添加剂是硫酸钠与碳酸钠的混合物0.2%,去离子水56.8%。氯化钠是工业级的,纯度99%。氯酸钠是工业级的,纯度99%以上。本实施例溶铜量最高,侧蚀小,为最佳实施例。
实施例5
本实施例含量为:氯酸钠37%,氯化钠7.82%,添加剂是硫酸钠与碳酸钠的混合物0.18%,去离子水55%。氯化钠是工业级的,纯度99%。氯酸钠是工业级的,纯度99%以上。
Claims (3)
1.一种双液型酸性蚀刻液氧化剂,其特征是各组分及含量为:
氯酸钠 35%~37%,氯化钠6%~8%,添加剂为硫酸钠与碳酸钠的混合物0.15%~0.25%,水 55%~58%,所有百分数为重量百分数。
2.根据权利要求1所述的一种双液型酸性蚀刻液氧化剂,其特征是:氯酸钠36%,氯化钠7%,添加剂为硫酸钠与碳酸钠的混合物0.2%,水56.8%,所有百分数为重量百分数。
3.根据权利要求1或2所述的一种双液型酸性蚀刻液氧化剂,其特征是:氯酸钠纯度99%以上,氯化钠纯度99%,水是自来水、软水或去离子水。
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