CN104066540A - 放电加工装置 - Google Patents

Abstract

本发明的放电加工装置具有电源、由电极和被加工物形成的极间、以及插入在所述电源和所述极间之间的对地杂散电容电流抑制线圈，因此，可以使从电源向极间的电容(极间并联电容器以及极间并联杂散电容)充电的充电路径低阻抗化，并且可以使向对地杂散电容充电的充电路径高阻抗化，可以抑制放电加工时的来自对地杂散电容的电流。

Description

放电加工装置

技术领域

本发明涉及一种放电加工装置。

背景技术

放电加工装置是利用电弧放电对被加工物进行熔融除去从而进行加工的装置，其中，该电弧放电产生在由电极和被加工物形成的极间。在该放电加工装置中，从使用比较大的加工电流（几十微秒程度）的粗加工条件开始，逐渐减小加工电流，最终利用电流脉冲为几十纳秒程度的精加工条件使表面粗糙度精细化。

另外，在精加工的用途中，由于可以容易地缩短脉宽，因而考虑使用RC电路。该电路结构由下述部分形成，即，由电极和被加工物形成的极间、用于向极间施加电压的电源、用于对来自电源的电流进行限制的限流电阻、以及积蓄放电能量的极间并联电容器。另外，虽然并非是作为元件而插入在电路上，但存在在机械构造及电缆中包含的电容成分的杂散电容。在RC电路结构中，如果施加电源电压，则在极间并联电容器以及杂散电容中积蓄电荷，使极间电压上升。如果极间电压上升，并进一步缩短极间距离，则极间的绝缘被破坏，积蓄在极间并联电容器和杂散电容中的电荷通过极间而流动。是利用由该电流产生的热量，对被加工物进行熔融除去从而进行加工的电路方式。

在专利文献1中记载有：在放电加工装置中，与刀具电极串联地连接磁路。由此，根据专利文献1，防止由框结构、工作台、加工片、加工区域、刀具电极、电极保持架以及基座构成的环路的寄生电容的放电电流急剧地增加，有效地使放电的初始电流衰减。

在专利文献2中记载有：在线电极切割放电加工装置中，在电磁开闭器的触点前侧的配线中设置可变电阻器，在从电磁开闭器的触点至被加工物为止的配线中设置电感元件。由此，根据专利文献2，由可变电阻器和电感元件构成向加工间隙供给微小放电能量的电路，并且电感元件兼具用于抵消配线中的杂散电容成分的功能。

在专利文献3中记载有：在高频放电加工装置中，在高频电力发生器和同轴电缆的始端之间设置阻抗匹配电路，并且在同轴电缆的末端和放电电极之间设置阻抗匹配电路。由此，根据专利文献3，可以将高频电力发生器的输出阻抗变换为同轴电缆的特性阻抗，将高频电力发生器的输出电力高效地导入同轴电缆，将从放电负载侧观察的阻抗匹配电路的输出阻抗视为纯电阻，从而减少放电部分的静电电容。

专利文献1：日本特开昭59－042222号公报

专利文献2：日本特开2000－052151号公报

专利文献3：日本特开平1－240223号公报

发明内容

另一方面，本发明人对放电加工装置的杂散电容进行了详细研究。在放电加工装置中，对于在机械构造及电缆中存在的杂散电容，按照其产生位置，认为大致存在2种。第一种是极间并联杂散电容，第二种是对地杂散电容。为了使表面粗糙度精细化，在省去了极间并联电容器的RC电路中，来自极间并联杂散电容的电流和来自对地杂散电容的电流这2种电流处于支配地位。为了进一步使表面粗糙度精细化，而需要使这2种电流减少。

在专利文献1～3中，仅有关于极间并联杂散电容的记载，没有任何关于对地杂散电容的记载。因此，在专利文献1～3中，对于如何抑制来自对地杂散电容的电流这一点，没有任何记载。

本发明就是鉴于上述情况而提出的，其目的在于得到一种能够抑制来自对地杂散电容的电流的放电加工装置。

为了解决上述课题，实现目的，本发明的1个方式所涉及的放电加工装置的特征在于，具有电源、由电极和被加工物形成的极间、以及插入在所述电源和所述极间之间的对地杂散电容电流抑制线圈。

发明的效果

根据本发明，将对地杂散电容电流抑制线圈插入至电源和极间之间。由此，可以使从电源向极间的电容（极间并联电容器以及极间并联杂散电容）充电的充电路径低阻抗化，并且可以使向对地杂散电容充电的充电路径高阻抗化，因此，可以选择性地抑制对地杂散电容的影响，可以抑制放电加工时的来自对地杂散电容的电流。

附图说明

图1是表示实施方式1所涉及的放电加工装置的结构的电路图。

图2是表示实施方式1中的对地杂散电容电流抑制线圈的结构例的图。

图3是表示实施方式2所涉及的放电加工装置的结构的电路图。

图4是表示实施方式2中的对地杂散电容电流抑制线圈的结构例的图。

图5是表示实施方式2中的对地杂散电容电流抑制线圈的其他结构例的图。

图6是表示实施方式3所涉及的放电加工装置的结构的电路图。

图7是表示实施方式3中的放电时的电压以及电流的波形的图。

具体实施方式

下面，基于附图，详细说明本发明所涉及的放电加工装置的实施方式。此外，本发明并不受本实施方式限定。

实施方式1

使用图1，对实施方式1所涉及的放电加工装置100进行说明。图1是表示放电加工装置100的结构的电路图。

放电加工装置100具有电源V1、开关电路1a、对地杂散电容电流抑制电路1b、极间4、电缆5a、5b、电缆6a、6b。

电源V1例如是直流电源，产生直流电力。电源V1经由开关电路1a与极间4连接。例如，电源V1是向极间4施加与精加工条件相匹配的加工用电压，在极间4产生精加工所需的放电的电源装置。

此外，电源V1也可以是交流电源。在电源V1为交流电源的情况下，也可以在电源V1和开关电路1a之间设置整流电路。

开关电路1a与电源V1和极间4之间电连接，例如与电源V1和电缆5a、5b之间电连接。开关电路1a用于使从电源V1向极间4施加的电压接通/断开，并且对从电源V1向极间4施加的电压的极性进行切换。

对地杂散电容电流抑制电路1b是用于抑制来自对地杂散电容Cy21～Cy24的电流的电路。对地杂散电容电流抑制电路1b的详细内容在后面记述。

极间4由电极2和被加工物3形成。具体地说，电极2和被加工物3隔着加工间隙而相对。

电缆5a、5b将开关电路1a和对地杂散电容电流抑制电路1b连接。电缆5a、5b例如是同轴电缆，在绝缘外皮的内侧同轴状地具有用于将开关电路1a和对地杂散电容电流抑制电路1b连接的电力线、以及地线。

电缆6a、6b将对地杂散电容电流抑制电路1b和极间4连接。电缆6a、6b例如是同轴电缆，在绝缘外皮的内侧同轴状地具有用于将对地杂散电容电流抑制电路1b和极间4连接的电力线、以及地线。

在放电加工装置100中，在放电加工机主体（未图示）和/或电缆5a、5b、6a、6b中存在杂散的电容成分。该杂散电容大体分为2种，图1所示的Cy1表示与极间4并联地存在的极间并联杂散电容，Cy21～Cy24表示相对于大地而存在的对地杂散电容。

此外，在图1中，例示出了使用电缆5a、5b、6a、6b的情况，但不需要一定使用电缆，特别地，优选将对地杂散电容电流抑制电路1b和极间4之间的电缆尽可能缩短，从而使该电缆中包含的极间并联杂散电容减少。

对地杂散电容电流抑制电路1b具有对地杂散电容电流抑制线圈La、限流电阻R1、时间常数调整线圈L1、以及极间并联电容器C1。

具体地说，在对地杂散电容电流抑制电路1b中，对地杂散电容电流抑制线圈La插入至电源V1和极间4之间，例如插入至限流电阻R1、时间常数调整线圈L1及极间并联电容器C1，与电缆5a、5b之间。限流电阻R1串联连接在电源V1和极间4之间，例如，串联连接在对地杂散电容电流抑制线圈La和极间4之间。时间常数调整线圈L1串联连接在电源V1和极间4之间，例如串联连接在对地杂散电容电流抑制线圈La和极间4之间。极间并联电容器C1相对于电源V1与极间4并联连接。

更具体地说，对地杂散电容电流抑制线圈La例如具有铁心La3（参照图2）、第1绕组La1、以及第2绕组La2。铁心La3例如由铁素体形成。

第1绕组La1连接在电源V1和电极2之间，例如在将电源V1和电极2连接的线上串联连接。第1绕组La1例如串联连接在限流电阻R1、时间常数调整线圈L1及极间并联电容器C1，与电缆5a之间。第1绕组La1沿与第2绕组La2相反的方向卷绕在铁心La3上。

第2绕组La2连接在电源V1和被加工物3之间，例如串联连接在将电源V1和被加工物3连接的线上。第2绕组La2例如串联连接在电缆6a和电缆5a之间。第2绕组La2沿与第1绕组La1相反的方向卷绕在铁心La3上。

对地杂散电容电流抑制电路1b配置在极间4（放电加工机主体）的附近，以减少极间并联杂散电容Cy1。但是，该结构示出的是使对地杂散电容电流抑制电路1b后段的极间并联杂散电容Cy1的影响减少的最佳方式的例子。另外，在对来自极间并联杂散电容Cy1的电流的抑制中，最佳方式为，将对地杂散电容电流抑制电路1b的结构要素全部配置在极间4的附近，但只要插入结构要素中的至少1个，就具有抑制效果。但是，为了对来自对地杂散电容Cy21～Cy24的电流进行抑制，需要将对地杂散电容电流抑制线圈La插入至电源V1和极间4之间，与此相对，限流电阻R1和时间常数调整线圈L1的插入位置是任意的。

开关电路1a具有开关元件SW1～SW4以及限流电阻R2。在开关电路1a中，开关元件SW1～SW4例如由全桥型构成，从未图示的控制电路供给控制信号。开关元件SW1～SW4的功能为，对向电极2和被加工物3施加的电压的极性进行切换以及对所施加的电压的脉冲进行控制。

例如，在放电加工中，对于将开关元件SW1和开关元件SW4设为接通，将开关元件SW2和开关元件SW3设为断开而得到的反极性加工，表面粗糙度小，速度慢。相反地，对于将开关元件SW1和开关元件SW4设为断开，将开关元件SW2和开关元件SW3设为接通而得到的正极性加工，具有表面粗糙度大且速度快的倾向。即，极性的切换意味着可以实现该加工特性的选择。关于脉冲控制，通过在放电结束时、短路时、电弧电流持续时等，适当地输入控制信号从而具有使加工稳定的效果。但是，并不一定需要脉冲控制和全桥电路，也可以是半桥型或单一开关型，也可以在开关元件中使用半导体开关或机械式继电器。

开关电路1a内的限流电阻R2，例如在开关电路1a内相对于开关元件SW1～SW4设置在输出侧，防止元件或电缆在开关电路1a的输出端发生故障而短路时形成过电流。其在利用电缆将开关电路1a和对地杂散电容电流抑制电路1b连接等的物理距离较远的情况下是有效的。此外，在构成为对地杂散电容电流抑制电路1b包含在开关电路1a内的情况下，不一定需要限流电阻R2。

对地杂散电容电流抑制电路1b内的限流电阻R1在放电时以及短路时对来自电源V1的电流进行限制，防止电弧电流持续。另外，在放电时可以对来自与限流电阻R1相比位于后段的极间并联杂散电容Cy1的电流进行限制，实现表面粗糙度的精细化。

优选限流电阻R1大于或等于500Ω而小于或等于2kΩ。如果限流电阻R1大于2kΩ，则因限流电阻R1而妨碍向极间并联电容器C1或者极间并联杂散电容Cy1的充电速度，可能使放电频度即放电频率下降，使加工速度降低。或者，如果限流电阻R1小于500Ω，则在放电时以及短路时难以对来自电源V1的电流进行限制。

优选在限流电阻R1大于或等于500Ω而小于或等于2kΩ时，限流电阻R2大于或等于8Ω而小于或等于100Ω。如果限流电阻R2大于100Ω，则因限流电阻R2而妨碍向极间并联电容器C1或者极间并联杂散电容Cy1的充电速度，可能使放电频度即放电频率减少，使加工速度降低。或者，如果限流电阻R2小于8Ω，则难以防止元件或电缆在开关电路1a的输出端发生故障而短路时形成过电流。

优选在限流电阻R1大于或等于500Ω而小于或等于2kΩ时，极间并联电容器C1大于或等于100pF而小于或等于2nF。如果极间并联电容器C1大于2nF，则充电速度变慢，可能使放电频度即放电频率下降，使加工速度降低。或者，如果极间并联电容器C1小于100pF，则难以在短时间内积蓄充分的放电能量。

对地杂散电容电流抑制电路1b内的时间常数调整线圈L1，用于对向极间并联电容器C1以及极间并联杂散电容Cy1充电的充电时间常数进行调整，得到大于或等于RC电路的充电速度。通过使充电速度提高，从而可以使放电频率增加，使加工速度提高。通过该线圈的作用而成为RLC电路，通过满足下述式（1）（临界条件），从而能够以大于或等于RC电路的充电时间常数的时间常数对极间并联杂散电容Cy1进行充电。

$R=2\sqrt{\mathrm{}}(L/C)\·\·\·\left(1\right)$

对于该时间常数调整线圈L1，需要与限流电阻R1、极间并联电容器C1以及极间并联杂散电容Cy1的值相对应而选择适当的值。但是，时间常数调整线圈L1不与对来自对地杂散电容Cy21～Cy24的电流的抑制直接相关，而是以调整时间常数为目的，在不需要调整时间常数的情况下，也可以将其取消。

通过对对地杂散电容电流抑制电路1b内的极间并联电容器C1的容量进行选择，从而可以选择表面粗糙度和加工速度的关系。如果增大容量，则表面粗糙度变大但加工速度快。相反地，如果减少容量，则表面粗糙度变小但加工速度变慢。但是，并不一定需要极间并联电容器C1，为了得到更精细的表面粗糙度，也可以取消极间并联电容器C1而仅使用极间并联杂散电容Cy1。

下面，参照图2，说明对地杂散电容电流抑制电路1b内的对地杂散电容电流抑制线圈La的原理。图2是表示对地杂散电容电流抑制线圈La的结构的图。

对地杂散电容电流抑制线圈La例如是在铁素体等的铁心La3上分别卷绕第1绕组La1以及第2绕组La2而形成的，以使得在去路（第1绕组La1）和回路（第2绕组La2）的电流彼此逆向流动时，在铁心La3内产生的磁通量彼此抵消。即，第1绕组La1以及第2绕组La2相对于铁心La3的卷绕方向彼此相反。在磁通量产生泄漏的情况下无法得到充分的抵消效果，在路径上残留电抗器成分。为了防止这一情况，优选去路（第1绕组La1）和回路（第2绕组La2）中的绕数、卷绕间隔等相等。

下面，参照图1，对实施方式1的动作原理进行说明。作为例子，对将开关元件SW1和开关元件SW4设为接通，将开关元件SW2和开关元件SW3设为断开的反极性加工（表面粗糙度小、速度慢的加工）进行说明。

如果开关元件SW1和开关元件SW4接通，则从电源V1开始以开关元件SW1、限流电阻R2、对地杂散电容电流抑制线圈La（第1绕组La1）、限流电阻R1、时间常数调整线圈L1、电极2、被加工物3、对地杂散电容电流抑制线圈La（第2绕组La2）、开关元件SW4、电源V1的路径，对极间并联电容器C1以及极间并联杂散电容Cy1进行充电。这时，通过成为去路和回路的路径的电流流过对地杂散电容电流抑制线圈La，获得对地杂散电容电流抑制线圈La内的磁通量抵消的效果，成为低阻抗的路径。

下面，作为向对地杂散电容的充电，对例如由对地杂散电容Cy21和对地杂散电容Cy24形成的路径进行说明。如果施加电压，则经由电源V1、开关元件SW1、限流电阻R2、对地杂散电容Cy21、接地，以对地杂散电容Cy24、对地杂散电容电流抑制线圈La（第2绕组La2）、开关元件SW4的顺序流过电流。但是，由于在对地杂散电容电流抑制线圈La中不存在彼此逆向的电流，因此无法得到磁通量抵消的效果，因此，相对于该路径作为大阻抗起作用。即，在对地杂散电容Cy21以及对地杂散电容Cy24中难以积蓄电荷。其结果，在使极间4放电时，可以将来自上述对地杂散电容Cy21、对地杂散电容Cy24的电流抑制得较小，可以容易地使放电加工获得的表面粗糙度较小。

如果不将限流电阻R1设置在去路侧而设置在回路侧，则可以认为能够抑制向对地杂散电容Cy21、对地杂散电容Cy24的充电电流。但是，对地杂散电容可能存在于各个部分处，难以对例如由对地杂散电容Cy22和对地杂散电容Cy24形成的路径的电流进行抑制。另外，在不将限流电阻R1设置于去路侧而设置于回路侧的情况下，也可能难以在放电时以及短路时对来自电源V1的电流进行限制。

如果在去路和回路上均插入限流电阻R1，则可以期待对其它路径的电流的抑制，但原本向极间4充电的充电路径、即从电源V1向电极2、被加工物3的充电路径也作为高阻抗起作用，因此，可能使放电频率降低，加工速度降低。

或者，如果将时间常数调整线圈L1的值设为足够大，并且插入至去路和回路中，则也可以期待对其它路径的电流的抑制，但在此情况下，向极间充电的充电路径自身作为高阻抗起作用，因此，可能无法得到充分的加工速度。另外，在向极间并联电容器C1以及极间并联杂散电容Cy1充电的充电路径中，由于RLC电路的时间常数与最佳值不同，所以存在充电速度降低或发生因过冲引起的电压波形紊乱的情况。

如上述所示，在实施方式1中，在放电加工装置100中，对地杂散电容电流抑制线圈La插入至电源V1和极间4之间。由此，可以使从电源V1向极间4的电容（极间并联电容器C1以及极间并联杂散电容Cy1）充电的充电路径低阻抗化，并且可以使向对地杂散电容Cy21～Cy24充电的充电路径高阻抗化，因此，可以选择性地抑制对地杂散电容的影响，可以抑制放电加工时的来自对地杂散电容的电流。因此，能够高速地进行从电源V1向极间4的充电，可以使放电频率增加，并且可以将放电加工时流过极间4的放电电流限制得较小，因此，可以同时实现加工速度的提高和表面粗糙度的改善。

另外，在实施方式1中，开关电路1a对从电源V1向极间4施加的电压的极性进行切换。由此，可以对表面粗糙度大而速度快的正极性加工、以及表面粗糙度小而速度慢的反极性加工进行切换，可以实现加工特性的选择，并且可以使通过脉冲控制实现的加工稳定。

另外，在实施方式1中，限流电阻R1串联连接在电源V1和极间4之间。由此，能够在放电时以及短路时限制从电源V1向极间4流入的电流，可以防止电弧电流的持续。另外，可以在放电时对来自与限流电阻R1相比位于后段的极间并联杂散电容Cy1的电流进行限制，实现表面粗糙度的精细化。

另外，在实施方式1中，时间常数调整线圈L1串联连接在电源V1和极间4之间。由此，与限流电阻R1以及极间4的电容（极间并联电容器C1以及极间并联杂散电容Cy1）一起构成RLC电路，因此，可以实现大于或等于RC电路的电压上升速度。因此，可以使放电频率增加，由此可以实现加工速度的提高。

另外，在实施方式1中，限流电阻R1、时间常数调整线圈L1以及对地杂散电容电流抑制线圈La中的至少1个配置在极间4的附近。由此，可以抑制在极间并联杂散电容Cy1中积蓄的电荷在放电时流过极间4，可以将放电加工时流过极间4的放电电流限制得较小，因此，可以实现表面粗糙度的精细化。

另外，在实施方式1中，在对地杂散电容电流抑制线圈La中，第1绕组La1连接在电源V1和电极2之间，第2绕组La2连接在电源V1和被加工物3之间。第1绕组La1和第2绕组La2沿彼此相反的方向卷绕在铁心La3上。由此，在从电源V1向极间4的电容（极间并联电容器C1以及极间并联杂散电容Cy1）充电时，由第1绕组La1的电流引起的磁通量和由第2绕组La2的电流引起的磁通量彼此抵消，实质上不作为电感起作用，在向对地杂散电容Cy21～Cy24充电时，在第1绕组La1以及第2绕组La2中的一个中流过电流，不具有磁通量抵消的效果，因此作为电感起作用。其结果，可以使从电源V1向极间4的电容（极间并联电容器C1以及极间并联杂散电容Cy1）充电的充电路径低阻抗化，并且可以使向对地杂散电容Cy21～Cy24充电的充电路径高阻抗化。

实施方式2

下面，使用图3～图5，对实施方式2所涉及的放电加工装置100i进行说明。图3是表示放电加工装置100i的结构的电路图。图4是表示对地杂散电容电流抑制线圈Lai的结构例的图。图5是表示对地杂散电容电流抑制线圈Lai’的其他结构例的图。此外，下面，以与实施方式1不同的部分为中心进行说明。

在实施方式1中，利用时间常数调整线圈L1对极间并联电容器C1以及极间并联杂散电容Cy1的充电时间常数进行调整，通过放电频率的增加而实现加工速度的提高。但是，由于追加线圈，所以使部件个数增加，可能使电路的体积增加。

因此，在本实施方式2中，对地杂散电容电流抑制线圈Lai除了具有与实施方式1的对地杂散电容电流抑制线圈La相同的功能（对地杂散电容电流的抑制功能）之外，还具有时间常数调整线圈L1的功能。

具体地说，在放电加工装置100i中取代对地杂散电容电流抑制电路1b而具有对地杂散电容电流抑制电路1bi。对地杂散电容电流抑制电路1bi不具有时间常数调整线圈L1（参照图1），取代对地杂散电容电流抑制线圈La而具有对地杂散电容电流抑制线圈Lai。

在对地杂散电容电流抑制线圈Lai中，取代第1绕组La1以及第2绕组La2而分别具有第1绕组La1i以及第2绕组La2i。第1绕组La1i和第2绕组La2i的绕数以及卷绕间隔中的至少一个不同。

例如，在图4所示的对地杂散电容电流抑制线圈Lai中，第1绕组La1i和第2绕组La2i的绕数彼此不同。由此，由第1绕组La1i的电流引起的磁通量和由第2绕组La2i的电流引起的磁通量不平衡，本来相互抵消的磁通量，残留由绕数多的一方产生的磁通量，因此在即使流过彼此反向的电流的情况下，相对于该电流，对地杂散电容电流抑制线圈Lai也起到通常线圈的作用。因此，利用该结构，可以实现与时间常数调整线圈L1相同的功能。

或者，例如在图5所示的对地杂散电容电流抑制线圈Lai’中，第1绕组La1i’和第2绕组La2i’的卷绕间隔彼此不同。由此，由第1绕组La1i’的电流引起的磁通量和由第2绕组La2i’的电流引起的磁通量不平衡，本来相互抵消的磁通量，残留由绕数多的一方产生的磁通量，因此，在流过彼此反向的电流的情况下，相对于该电流，对地杂散电容电流抑制线圈Lai’起到通常线圈的作用。因此，利用该结构，也可以实现与时间常数调整线圈L1相同的功能。

如上述所示，在实施方式2中，在放电加工装置100i中，对地杂散电容电流抑制线圈Lai的第1绕组La1i和第2绕组La2i的绕数以及卷绕间隔中的至少一个不同。由此，磁通量不平衡，本来相互抵消的磁通量，残留由绕数多的一方产生的磁通量，因此，即使在第1绕组La1i和第2绕组La2i中流过彼此反向的电流的情况下，相对于该电流，对地杂散电容电流抑制线圈Lai起到通常线圈的作用。因此，利用该结构，可以实现与时间常数调整线圈相同的功能。其结果，不需要安装时间常数调整线圈L1（参照图1），因此可以节省空间，实现低成本化。

实施方式3

下面，使用图6、图7，对实施方式3所涉及的放电加工装置100j进行说明。图6是表示放电加工装置100j的结构的电路图。图7是表示放电时的电压以及电流的波形的图。此外，下面，以与实施方式1不同的部分为中心进行说明。

在实施方式1中，没有特别地考虑放电电流的振荡。但是，根据极间4的电容（极间并联电容器C1以及极间并联杂散电容Cy1）的不同，有时由于电流的振荡而连续放电。

因此，在本实施方式3中，实施用于抑制放电电流的振荡的改良。

具体地说，在放电加工装置100j中，取代对地杂散电容电流抑制电路1b而具有对地杂散电容电流抑制电路1bj。对地杂散电容电流抑制电路1bj还具有振荡抑制二极管D1。振荡抑制二极管D1串联连接在对地杂散电容电流抑制线圈La和极间4之间，例如串联插入至极间并联电容器C1和极间4之间。由此，可以抑制放电电流的振荡，减少放电电流。

例如，在图7中，示出在插入有振荡抑制二极管D1的情况下的放电电压以及电流的波形。如图7所示，通过插入振荡抑制二极管D1，从而放电时的顺向流动的电流流过极间4，但可以抑制由振荡引起的反方向的电流，使电流量减少。

如上述所示，在实施方式3中，在放电加工装置100j中，振荡抑制二极管D1串联连接在对地杂散电容电流抑制线圈La和极间4之间。由此，可以抑制放电电流的振荡成分，使电流量减少，因此可以使表面粗糙度变小。

工业实用性

如上述所示，本发明所涉及的放电加工装置适用于放电加工。

符号的说明

1a开关电路，1b、1bi、1bj对地杂散电容电流抑制电路，2电极，3被加工物，4极间，5a、5b电缆，6a、6b电缆，100、100i、100j放电加工装置，R1限流电阻，R2限流电阻，C1极间并联电容器，Cy1极间并联杂散电容，La对地杂散电容电流抑制线圈，SW1～SW4开关元件（半导体开关或者机械式继电器），Cy21～Cy24对地杂散电容，L1时间常数调整线圈，Lai对地杂散电容电流抑制线圈（调整绕数），Lai’对地杂散电容电流抑制线圈（调整卷绕间隔），D1振荡抑制二极管。

Claims (8)

1.一种放电加工装置，其特征在于，具有：

电源；

极间，其由电极和被加工物形成；以及

对地杂散电容电流抑制线圈，其插入在所述电源和所述极间之间。

2.根据权利要求1所述的放电加工装置，其特征在于，

还具有开关电路，该开关电路对从所述电源向所述极间施加的电压的极性进行切换。

3.根据权利要求1所述的放电加工装置，其特征在于，

还具有限流电阻，该限流电阻串联连接在所述电源和所述极间之间。

4.根据权利要求1所述的放电加工装置，其特征在于，

还具有时间常数调整线圈，该时间常数调整线圈串联连接在所述电源和所述极间之间。

5.根据权利要求1所述的放电加工装置，其特征在于，

串联连接在所述电源和所述极间之间的限流电阻、

串联连接在所述电源和所述极间之间的时间常数调整线圈、以及

所述对地杂散电容电流抑制线圈中的至少1个配置在所述极间的附近。

6.根据权利要求1所述的放电加工装置，其特征在于，

所述对地杂散电容电流抑制线圈具有：

铁心；

第1绕组，其连接在所述电源和所述电极之间，卷绕在所述铁心上；

第2绕组，其连接在所述电源和所述被加工物之间，沿与所述第1绕组相反的方向卷绕在所述铁心上。

7.根据权利要求6所述的放电加工装置，其特征在于，

所述第1绕组和所述第2绕组的绕数以及卷绕间隔中的至少一个不同。

8.根据权利要求1所述的放电加工装置，其特征在于，

还具有二极管，该二极管串联连接在所述对地杂散电容电流抑制线圈和所述极间之间。