JPS5942222A - 放電加工装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、加工片の表面を精Ｘ（１１に什」二げるため
に所定の波形の低エネルギ市原、パルスを発生する発生
？ニ、及び枠措゛造から絶縁さ第１ているためにｔな枠
構造との間に前記表面の加工状９１βを劣化ぜしめるよ
うに作ＬＴ）−１−る寄生容畢を持つ工具電４１）ホル
ダーなゼ（＃ｌｊ　Ｌ／　、工具ｎ１極によって加工片
型枠をｒ４食方ヶ′巾加工するための装置１′７に係る
ものである。

寄生容箱は、加工が高強バＩで行なわれている場合には
、即ち第１１加工中には不都合なものではない。

ところが、什」二加工の場合にはこの寄生容１・１が１
ｈタエネルギを蓄積して各ｈヶ市４ｏにそれを角γ方ｆ
１するので、この客車が解放するエネルギよりも小さい
放↑１１を用いる加工が困Ｐｌｆになる。

仕上加工中の表面の状ｋＩツを０１　Ｍ＋；な限り酸性
するための種々の方法が枡阿・されている。４５　Ｋ　
、粗加工及び半仕土に必要な？−１力を便船するパルス
発生器を切自１１シて出力に小さい客用を有している但
市：力発生器をその場所に接続することが示唆されてい
る。また発生器と箱棒とを接続するケーブルの容Ｍを司
卵な限り減少させる試みが）、ｃされ、更に、各短離パ
ルスの波形を制（ＦｔｌＩする、特に勾配の比軟的ゆる
いＮｉ上りＩｉを７！するための種々の千ト：）が私１
幹されている。

こ第１らの朽ｌ々の角了以Ｉπ１は１ｊｉ６め１をｆ１
石＋、Ｉｔするものではない。そのＮｉＥ　ｔ！σＬに
、我々は朱だにこのγイ生容口に悩まさＪしているので
ある。

寄生容ト）を減少２＜−仕るために、ノ「Ｉｉヘッドを
枠構造に対して絶縁するだけでけフ：ｃ　＜　、加ユニ
片も枠構造に対して１，１１・ｔ−（−することが４“
ｔりニーされＣいる。このように−するど、ｊ’ｒ、　
／の’ｆ：、（！］＝容１バに直列に第λの衛生容叶が
接片峙されることになり、合ハ１容６＋４力穐表少する
ようになる（ドイツ国ｌｉ′Ｔげ゛１３，０．２ｇ、３
０９号参照）。このよりなく、ｑ、成にすると高佃ｌに
なり、更に加工片を高Ａ′１°ｔ　ＩｉＴ　＆て加］−
シたい地合に不ｔ＝Ｊ欠の装置６の構造の堅ろう１ソ１
“を１Ｌｊねるようになる。

これもまた枦り１１８月っ１曽、１山な別のＦｌｌ沈フ
（）（ドイツ置物ｉＴ　、：ｙ、　／　３７０　Ｊ　７
号詮照）によれば、衛生容量の一音１凡を、極めて舎ｊ
（・に月つ高ｆｌＶ度にトリガしなければならないトラ
ンジスタを含む分路を介して放牝、させている。

本発明の目的は、工具１１（棒ホルダーの寄生容ば：の
不都合〕、（効４（ｊを犬ｒｌ］に減少させることがＦ
ｉｌ能なｐｉｉ　、ｌＩ’、　−（：　’Ｉｔ′１Ｉｌ
ｌｉ　’ｌｘ　Ｆｊ’　７ｊｌ　ヲｐＡイＪしｊ　Ｚｌ
　コトテあル。、＝）「１的を１幸酵するための本発明
による装置丙は加工ヘッド、枠措゛造、両１（（イケ及
び加二ｒ放１（Ｉから１．ｃ　６寄生容ＦＡ！　ｋ　ｔ
！’１回路内に直列に誘導素子を挿入したことを’ｒ！
ｒ（’１！々トｔ−，−Ｃイア）。

以下に４７．＋附図面な外器して本発明の′ｐ施例を説
明する。

ｐ＋１．　／＋ツ１にｉｉモ１装置Ｐ７は枠構造１を含
み、この枠］１□′ｆｊり１１はタン、り２及び加工す
べき加工片４を仙″持するようにブｆっているテーブル
３を和持しＣいる。

枠Ｄｒ　’ｌｆｊ　Ｉの十γ１１（には力１ビ丁ヘッド
５が設けて、ｔ−）って、二ｌ−，，、ｆｊ　’＋Ｉ＋
、　４ｉΦ６０ダ位を制６’ｌｌｌ　Ｌ−（ニーｊ−！
、、　ｉ口枠６と加］：ハ４との間のスノぞ一キング距
角１１をｆ’ｌ［’４４値にイイ１つようになっている
ザーデを世（１６を含Ａ７でいる。中作力１１］：に月
１いられる′リーボイ抑措け、公知であり訂絆（な説明
は心裏゛ないであろう。加工ヘッド５は枠構造１に対し
て侑位ｒ＋Ｊ部であり、’１１ｉ４永ホルダー８を固定
するための拒（台）をｒ’ｒ　１．、−Ｃいる。台７は
絶紗物９によって加工ヘッド５から絶ｉ４さねている。

加工中ｖ！？　１ｆ（（ｉｅ　、１１／　ス４’ｊ電；
　７．１：　ｌ：、’　ｌ　Ｑ　ｌ）ｚらイ（１給され
ａ。＊Ｍ生器も公知でありＨ’ｒ’　１ｌｌｌな説明は
省略する。発生器１０け嘴体１１及び１．２によってそ
第１ぞＪ１箱極小ルダ−８及び加工片４に接続さ第１て
いる。

勿論、箱枠ホルダー−８は装置ｉ＝’ｊの枠構造１に対
しで容量をｈつように）、【す、この？ｆｆｔＪ゛容１
，１の大部分は板（台）と加ｊニヘッド５との間の株価
した間隔によるものである。実際妬け１へ・ごろう件の
理由から絶縁物９は比１１：’的れノーくし、てあり、
容イｉのイｉｒｉは／ｎＦ程度であることがくもい。

７Ｅ＋’　（ｋホルダ８０円Ｉｓ形部／Ａ８ａは、Ｉ′
ｚ　祷１１“り６率イ！’　ＩＩ＄、１１の磁気回路１
３によつＣＪＩＶ巻かれている。

η中容ｆｎ）作月１をｐ＋’ｔ　、２図及び３Ｂ　、３
１’、ｙｌを然１１（４，Ｌ　−ＣＶ１卯明−する。第
一図に目、げ）体１１及び１２を介して工具７４．４’
＆ｔ　６と加工片４との間の加］゛ゾーンに接続されて
いる発生器１０が示さＪｌている。こ第１らの導体はイ
ンダクタを形成するが、そのインダクタンスを第一図で
はｙ＋、Ｒ？ｉｉ　Ｌ−、で示し、てｋ、る。発生器１
０の出力回路にはＲ４で表わさ１する若干の抵抗と、コ
ンデンサＣ５で表わされる若干の容′Ｍ−が春作してい
る。

１１１色的には、台７とｌｎｎビーヘッド５との間のこ
の寄生容トペは４カ・（１−１拮１、デープル３、加工
片４、加工ゾーン、Ｉ　、Ｆｌ、７ｆｌｉ、　ＩＦ　６
、％’　４ｉＦ　７］−、ルダー８及び台７からｔ（る
ループで分路さＪｌている。この坏生容畠ばｐ４’Ｈ，
，２ｒツ１ではコンデンサＣ２で示しＣあり、またこの
ループは抵抗Ｒ２、ＭびインダクタンスＬ２　　でうし
わしである。・ｆングクタンスＬエ　で５表わさハてい
る伊気回路ｈ”１１．　、ｉ；ｈ６と直列に挿入され、
寄生テ１５′ＩＣ，の効用１を減少させていて）。

？１′ｒ、３Ｉｖｌは昇ブ、ぐる状Ｆ７〔ｉにおけるＬ
　ｆ＋１＋、　ｚ？、ｎ−ｙ、　）＄３（、；を示すも
のである。曲線ａは台Ｎ１杓ル谷ｈ；及びインダクタン
スか炉い９１合の発４ｔＲＳＩＯの出力＋ＩυＪｌであ
る。ｒＩｌ目′がｂは装置〆ｌにインダクタンスＬ１　
　がａす＝オド〔いない場合に寄生容１１に１１〕て牛
−イ′ろ出υ１ｒ岐形である。曲線ｃはｐｒｌ、　ｉ　
［ソ１に示ずｕ　ｆｉ’ｆにｉｔ「れろ１１１流波形で
力）る。

を生部１０が′１１ｒ、圧パルスを（ｉｔ；約すると、
−齢に、加工ゾーンがｌｌｌづｊｌさ第１て力’Ｉ　’
ｉｊ・ｌへ、Ｍｌ、ががｉ’ｔｌイ（）るようになるま
でに若干の５１）２れが春作する。この旬かい１皆間の
間に容ＩＸ’　Ｃ７Ｚ１′−充″市され、極小６と加工
片４との間にスノ９−りが腎、生ずると、枠＋１・ＩＪ
Ｊｌによって形成さねているループの、１１１抗汲びイ
ンダクタンスは（ＩＩすｈｌできるので、賓ＫｔＣ２け
Ａ；☆・めて９檄に散報される。

この角、激ブ、仁１ｊｋ　ｔｌｉは・ｅ）レスの立１ニ
リ針゛をイ布めて命峻なものとするが、これは前述のよ
うにＮ’７上りがゆるやかな勾血１でｔ）ろｌｌｌ　１
（ｊＪパルスと棒・めて対照的で力、る。このよ７＞　
１．ｃ　１４［を始′Ｔｉ流がか「、れると飾い？σ食
効叩が発生し、加工表面のクレータの体］１′１を増加
さぜるのでイ１ｑ密ブ〔イ１七げ加Ｔが妨げられるよう
になる。

インダクタンスＬ□　が春作すると各Ｆ、ＩＣ２の故知
５回路にインピーダンスが発／１ニジて容ｌｉｔ　Ｃ２
の放霜、電流が急激にｌｊｌ’）加するのを防ぐように
なるから、故知の初ＪＩＪＩ　Ｗｉ：流を効果的に減衰
さ一部、ろことになる。

曲線Ｃは放ｔ（１，ｔｌｌ、、　６ｉｍが、理想回路に
おける放７１１汲形に栖めて近くなっていることな示し
ている。

勿論、等価回路−ヒでは、インダクタンスＬ□　を容−
ＦＡ−Ｃ２の数組回路内の伺処に押入するかはｆＦ＋′
＃−なことではない。しかし、実直的な理由から、イン
ダクタンスヒエ　　な枠構造１自体が形成して℃・る回
路の一部しこ挿入することは困帥である。

しかし、テーブル３を枠檜茫１から給線し、テーブル３
の下に西」１芦したコイル状の近体によってテーブル３
と枠棉°造１とをｍ　ｔ＝ｉ＋’　してもよい。しかし
、このような置端は第７図に示す構造よりも遥かに２５
価になる。

何れの九！１台にも、インダクタンスし□　は高周波Ｅ
９に対してその効シ（シを発生するのに遣：してい／ｆ
けオ（げならず、そのためには？１１．ニア包回路１３
をフェライトのトロ・ｆダル部利とすることが有利であ
る。

第７図は１（ｒ、　４’ｌｆｉホルダの一部１５が矩形
であるような場合に適しているゆ形フェライトのコア１
４を示すものである。

自己誘導係数をできる眠り大きくするために、コア１４
はできる限り導箱性部分１５に接近させる。この係数は
？１Ｇ重量部の硅、、　ｌｙｅ　ｍ拐にも依看するから
、コア１４の−り衾ｈＪｔｔこ体脩及び使用拐木１σ−
）り六らＪまた透五１゛ζ率しτ対してはコア１４をで
きる１ζ１（り部分１５に接１１ｊさせ、部分１５の長
さに沿つ−〔で踵るμ［−１り伸げずことが右利である
。

図示の例では、インダクタンス１−０が発生器１０から
供給さ」１．るパルスの力ｂ　’［ｌｉ、回路内に挿入
さり、ていることも理解さ第１たい。装置が比ｑ（θ的
弁速１ｆ加工１例女げ第１１加工成は半什ト加Ｔに用い
られている場合には強大〕、「１↑ｊ、　７ｊｉ「、　
／にルスを月１い立十りを浄１唆とすること／）′−有
利であるから、インダクタンスＬ□　が望ましく　１．
Ｃい効用１ヤもたらすことにｌする。

望むならほこのインダクタンスＬエ　を除くためのｐな
る館ト決ｆｆｉを用いることができる。

第１Ｉ図１に示すように、フェライト・コア１４はλつ
の部分１４Ａ及び１４ｂからなっており、取外すことを
望む場合には容品にΩつに分離するようにしである。

第Ｓ図に示すように、コ°ア１４には、用衆抵抗１７に
またがって接動されている巻線１６が施しである。この
枦抗１７をＲ’へ１　整することによって、インダクタ
ンスＬエ　の効果を、烈Ｐ′、＋１６を短絡さぜた場合
にイ］ｔらｉｚるようなＲ１己小まで減少さ・ｌ−るこ
とができる。

Ｐｎｎ同図コア１４は高透透Ｐρ率のノつの部分１４ａ
及び１４ｂからなっており、この磁り回路を分イ永さ４
１・るためのλつの永久磁石１４ｃ及び＋４ｄを含んで
いる。この杆“・ｉ告は、？Ｉｆ流１パルスによって牛
する磁〃′１が鏝勿回路の望ましい損碍力番て対して小
さ過ぎるかｊνは太き；Ａ：ＡぎるすＳ合に！１″！「
に有用である。

ｇｒ＋、　７１ン１は（１１Ｚ全ｉ的に分綺させるため
の別の例を示すものである。この牛ｊＫＦ例ではフェラ
イト・コア１４に巻かねた巻線１６には、インダクタン
ス１７．１ＴＩｍ（、？ｙＩ７１１８及び用り和わ１１
９Ｖｒ、よって’ＴＩ’＋　Ｍｌｉが供給さｈる。分（
ｊを反ｌＩ（、させるためのスイッチ２０を梓ｉ、ｉ’
　ｊ、てもよい。インダクタンス１７は分俺用１！１．
流通路に生ずる高周波″ｒ）＋流をｔ・沖するものであ
る。

【図面の簡単な説明】

印、７図は本発明を実施した舷ｌｉｔの１１１１面図で
ふって、一部を断面で示してあり、 館λ図は醍植の舛価回路図であり、 第３図は若干の’（ＩＴ、　７＋ｉｆパルスの１１〃形
１ツ１であり、そｔ７て 第４１１ｖ＋乃至印７図は砧１；’／内に用いられる磁
ケ、回路の若干の実施例を示す眉四■１である。 １・・・・・・枠構皓、　　２・・・・・・タンク、　
　３・・・・・・デープル、　　４・・・・・・加エバ
、　　５・・・・・・加］−ヘッド、６・・・・・・、
Ｔ］１　Ｍ　Ｍ’；　棒、７・・・・・・台、　　８・
・・・・・ｔｌｆ４＆ホルダー、　８ａ・・・・・・ホ
ルダーの円筒形部分、９・・・・・・絶縁物、　　１０
・・・・・・背中￥１：、　　１１．１２・・・・・・
渚体、　　Ｉ３・・・・・・研夕ｉ回路、　　１４・・
・・・・フエライ）　ｊｉ（Ｉコ°ｒ、　　　１４ｃ、
１４ｄ・・・・・・永久磁石、１５・・・・・・矩形１
１１４介ボルダ−１１６・・・・・・巻ＩＮ。 １７．１９・・・・・・ｔ＋Ｊり１代・抗、　　１８・
・・・・・１１１流訃、２０・・・・・・スイッチ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ／　加工片の表面を精細に什］−げるために所定の波し
   の低エネルギ常流パルスを発生ずる発生器、及び枠構造
   から絶、縁されておりそのためβに枠措箔との間に前記
   表面の加工状態を劣化せしめるように作用する寄生容Ｍ
   ′を持つ工具η（俸ホルダーを具備し、工具電格・によ
   って加工片１＝「棒をｆ−り１■１加工するための個ｔ
   ６において；加工ヘッド、枠構造、両？１％、　４：苧
   及び加Ｔ、　ｊｊｋ　ｉ’ｌ＋、からなる寄生容Ｒｌｉ
   ’ｉ　’Ｎ・、回路内に１１１列にｎ’ｒ　”ｎ　素子
   を挿入したことを特徴とする放石加工装置酋。 λ　前記のγ′ｒ生容量カク箱回路の一部を取巻いてい
   る高透磁Ｐ１−磁気ＩＦＪｌ路を具１７ａ　ｌ、ている
   ことを特徴とするｌ持Ｍ’＋−請求の範囲／にＭｌ’　
   ｉ・υの放１１、加工伍１イ。 ３　前＊Ｉｊ　）一部が、工Ａ　？Ｉｔ、　４Ｊ：＜　
   ホルｆ　−トＴ　、ｆ”１．　ｔｌｌ　＋ｉとの間に位
   置していることを特徴とする特ｒｒ’Ｉ請求の範囲λに
   記載の放電加工装置。 グ　可ダインダクタンスの素子を具イＩｉｈシているこ
   とを特徴とする！１°’ｌ’　Ｆｔ’Ｉ請止のｆｊｉｌ
   ｊ囲／に￥１：倶ンの於市加工装僅。 一’＋：　　ｒａｆｔ　ｉ、Ｂ　Ｏ）ノＩし’ｌＩ＋　
   ６１＋’、　Ｋ：　ｘ−Ｉ　Ｌ　−ＣＡｉｌ　ｉｉ＋：
   イン、Ｊクタンスを凍゛化させるたｄ）の１１１１日１
   ｌｊｉ回路を其（＋ｆｉｒ　していることをｌｒ：？徴
   どする！１）Ｉ６′「請）Ｊ（の刺ｊ囲グに配詰のｐｊ
   １１’＋加］二く（）三ｆＰイ。