CN104053816A - Cvd反应器和用于cvd反应器的基板支架 - Google Patents

Cvd反应器和用于cvd反应器的基板支架 Download PDF

Info

Publication number
CN104053816A
CN104053816A CN201280064947.8A CN201280064947A CN104053816A CN 104053816 A CN104053816 A CN 104053816A CN 201280064947 A CN201280064947 A CN 201280064947A CN 104053816 A CN104053816 A CN 104053816A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate holder
groove
substrate
middle section
gap
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201280064947.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104053816B (zh
Inventor
A.博伊德
D.克莱森斯
H.希尔瓦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Aixtron SE
Original Assignee
Aixtron SE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aixtron SE filed Critical Aixtron SE
Publication of CN104053816A publication Critical patent/CN104053816A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104053816B publication Critical patent/CN104053816B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate

Abstract

本发明涉及一种CVD反应器，具有反应器壳体(1)和处理室(4)，借助进气机构(2)能将处理气体输入处理室(4)内；具有基板支架(3)，其上侧(3’)具有一个或多个凹槽，如此设计使得基板(7)仅安设在相对于凹槽的底部被升高的支承区域(6)上；具有加热器(9)，其通过间隙与基板支架(3)的下侧(3”)间隔，基板支架(3)的下侧(3”)在处于凹槽(5)中心区域下面的中央区域(b)内在从加热器(9)至基板支架(3)的热传递方面设计得与包围中央区域(b)的、处于凹槽(5)靠近边缘区域下方的周边区域(a)不同。加热器(9)设计为基本平坦的热源。气体冲洗装置(11)借助冲洗气体冲洗间隙(12)。间隙(12)具有间隙高度(s，t)，当从具有第一导热率的第一冲洗气体更换为具有第二导热率的第二冲洗气体时，在周边区域(a)内从加热器(9)至基板支架(3)的热量传输所发生的变化与在中央区域(b)内是不同的。

Description

CVD反应器和用于CVD反应器的基板支架
本发明首先涉及一种CVD(化学气相沉积)反应器，具有反应器壳体和安置在其内的处理室，借助进气机构能够将至少一种处理气体输入所述处理室内，所述CVD反应器还具有基板支架，所述基板支架在其朝向所述处理室的上侧具有一个或多个凹槽，如此设计所述凹槽，使得基板相应地仅安设在所选择的、相对于所述凹槽的底部被升高的支承区域上，所述CVD反应器还具有安置在所述基板支架下方的加热器，所述加热器通过间隙与所述基板支架的下侧相间隔，其中，所述基板支架的下侧在处于所述凹槽的中心区域下面的中央区域内在从所述加热器至所述基板支架的热传递方面设计得与包围所述中央区域的、处于所述凹槽的靠近边缘区域下方的周边区域不同
这种CVD反应器在JP2002-146540A中有所描述。基板支架具有设计为凹陷的凹槽，这种凹槽在它的中心区域内具有另一个凹陷。基板安设在如此构成的边缘阶梯上，该边缘阶梯相对于凹槽的底部的中央区域升高。加热器处于基板支架下方，该加热器与基板支架的下侧被间隙所隔开。该加热器由多个圆周部段组成，这些圆周部段被凹陷相互隔开。基板支架的下侧在设在凹槽的中心区域下方的中央区域内具有凹陷，从而在那隔热间隙的间隙高度大于在包围中央区域的周边区域内的高度。在中央区域的下方存在中央加热件，借助该中央加热件能加热中央区域。因此，沿径向通过间隙间隔地还存在另一个包围第一加热件的加热件，该加热件能够独立地加热周边区域。
EP0 160 220B2描述了一种基板支架，其中，基板同样只安设在凹槽的边缘上。
US2011/0049779A1致力于解决一个技术问题，即在具有不同层的CVD反应器中在不同的温度下被覆层的基板可能由于不同的层特性发生拱曲。例如如果在覆层过程中具有比基板更大的热膨胀系数的层在基板上沉积，并且该基板在下面处理步骤中被降低到较低的温度或者升高到较高的温度，则基板沿一个方向或不同方向发生拱曲。因为基板只是支撑在选择的支承区域上并且尤其只支撑在边缘上，并且此外在凹槽的底部上自由延伸，所以该基板基本上借助热传递通过在基板和凹槽底部之间的气体被加热。在向上拱曲的情况下，在中心区域内的气体间隙被扩大，从而在那向基板传输较少的热量，由此基板的表面在那具有比在边缘区域更低的温度。这导致在基板上沉积的电活化或光活化层具有横向的相互不同的特性。尤其在制造发光二极管和在那制造多层量子阱(MQW)时，这种不均匀性是很大的缺点。
DE10 2006 018 514A1描述了一种基板支架，其中在多个凹槽内分别安设旋转驱动的支承体，该支承体能够分别承载一个或者多个基板。基板设在能转动的支承体的上侧上。能转动的支承体支承在气垫上。构成该气垫的气体可具有不同的导热率。在支承体的下侧设有留空，从而在凹槽底部和支承体的下侧之间的气垫具有不同间隙高度的区域。通过气体的导热率的多样性，能够影响在支承体的上侧上的温度特征，并且由此局部影响基板温度。
因此，本发明所要解决的技术问题在于，提供一种措施，借此能改善尤其由第三主族和第四主族元素组成的多层结构的均匀性。
所述技术问题通过在权利要求中给出的技术方案所解决，其中，首先基本如此设置，将加热器设计为基本上平坦的热源。所述加热器在此可以由螺旋形加热丝构成。各个螺旋线间的间距可处于间隙宽度的数量级上。这种平坦的热源在其整个表面上提供沿基板支架方向的均匀热功率。热量不仅通过热辐射还通过热传递传送到基板支架上。设置有气体冲洗装置，用于借助具有不同导热率的冲洗气体冲洗间隙。如果使用具有较高导热率的冲洗气体、例如氢气来冲洗间隙，则在热传输时热传递占主导。如果相反地使用具有较低导热率的冲洗气体冲洗间隙，则在热传输时热辐射占主导。根据本发明，所述间隙具有这样的间隙高度，使得当从具有第一导热率的第一冲洗气体更换为具有第二导热率的第二冲洗气体时，在周边区域内从加热器至基板支架的热量传输所发生的变化与在中央区域内是不同的。一方面由于基板支架的结构设计，和另一方面由于相对于平坦的基本上均匀的热源的布置方式，通过拱曲所引起的向基板的热流不均匀性能够被补偿。补偿方式根据本发明是补偿从加热器到基板支架的热传递不均匀性，其中，通过改变冲洗气体的导热率引起热流局部不同的改变。
在第一变型方案中规定，所述间隙在中央区域下面的间隙高度不同于在周边区域下面的间隙高度。如果如此实施生长过程，使得凹槽的底部不仅在中心区域还在近边缘区域内具有相同的温度，则使用低导热性的冲洗气体。从加热器到基板支架的热量传输则主要通过热辐射进行，从而不同的间隙高度只具有较低地对热量传输的影响。如果相反地在处理步骤中，其中基板的中央向下拱曲，则通过在凹槽底部和基板之间减小的间隙补偿加强的热量传输，方法是凹槽底部的中心区域比周边区域获得更低的温度，如此在加热器和基板支架之间的间隙借助强导热性冲洗气体来冲洗，使得热量传输是热传递占主导，在较高间隙高度区域内的热量传输低于在较低间隙高度区域内的热量传输。相应地调节加热器的功率。基板支架的下侧能够在中央区域内具有凹陷。但是，基板支架的下侧还能够在中央区域具有指向加热器的材料堆积，例如凸起。凹槽的底部或者凹陷的底部或者指向加热器的材料堆积的端面可以是拱曲的。这种拱曲可设计为阶梯状的。在第二变型方案中，其也能够与第一变型方案相组合，基板支架的下侧在中央区域具有与在周边区域不同的反射性。如果中央区域例如具有较高的反射性，则在热传递占主导的热量传输中在周边区域内要比在中央区域内吸收更多的热量，因为在周边区域内的吸收度要大于在中央区域内的吸收度。还能够考虑，中央区域具有比周边区域更高的吸收度。周边区域优选具有比中央区域更高的反射度。不同发射性或不同吸收度的区域能够通过基板支架下侧的涂层实现。在这种结构设计中，当在加热器和基板支架之间的热量传输是以热传递占主导时，即例如使用氢气作为冲洗气体时，凹槽的底部获得基本上横向均匀的温度分布。但是，如果凹槽的底部的中央区域应该获得比基板下方的周边区域更低的温度，则使用具有较低导热率的气体、例如氮气作为冲洗气体，从而使得热量传输是以热辐射为主导。
CVD反应器的基板支架还具有的特征在于，支承基板的肋条沿着基本上圆形的凹槽的边缘延伸。在此，肋条可以与凹槽的壁相间隔。此外，CVD反应器的特征还在于，从凹槽的边缘向着凹槽内突出的凸起，以便保持安设在肋条上的基板与凹槽壁的在整个圆周上的相同的边缘间距。此外，CVD反应器的特征还在于，优选圆周上均匀分布的肋条在凸起区域内分别具有中断。在基板安设在肋条上的区域内，从基板支架到基板的热量传输借助热传递通过直接的材料接触实现。在凸起的区域内具有基板支架与基板的附加接触面。但是，至少在那相对于剩余的圆周局部由于较低的间距向基板传递较多的热量，因而能够在那导致局部温度提高。为了补偿这种局部对基板的升高的热流，本发明建议一种特别的与现有技术不同的改进方案，即肋条在凸起区域内被中断。中断的周向长度可大致上与凸起的周向长度相一致。
根据本发明的基板支架可由石墨制成。但是还可规定，基板支架由石英、金属或者晶体材料制成。热源优选是通电的电阻、尤其以加热丝的形式。
根据本发明设计的基板支架能够优选具有圆形形状，并且能够绕着它的中轴被旋转驱动。基板支架在其上侧具有多个圆形的绕着中央安置的凹槽。该凹槽还能够安设在中央。加热器不需要随着一起转动，因为该加热器被如此设计，使得它在其整个表面上具有基本上均匀的温度分布。CVD反应器因此具有附加的特征，即基板支架借助旋转驱动装置相对于位置固定的配属于反应器壳体的加热器可被旋转驱动。
以下结合附图阐述本发明的实施例。在附图中：
图1示出具有总共七个凹槽5的基板支架3的俯视图，其中，六个凹槽均匀地绕着中央凹槽5布置；
图2示出沿图1的线II-II剖切所得的剖面图；
图3示出根据图2的示图，但是单个凹槽的区域被放大了；
图4示出根据图3的具有向下拱曲的基板7的示图；
图5示出根据图3的具有向上拱曲的基板7的第二实施例的示图；
图6示出根据图3的本发明第三实施例的示图；
图7示出根据图3的第四实施例的示图；
图8示出根据图3的第五实施例的示图；
图9示出根据图3的第六实施例的示图；
图10示出单个凹槽的俯视图。
图2示出CVD反应器的截面图。该CVD反应器具有对外气密的壳体1。在壳体1内设有输入管路13。从壳体1中还引出输出管路14。通过输入管路13能够将合适的处理气体导入进气机构2，所述处理气体包括例如三甲基镓、三甲基铟或者三甲基铝。进气机构2仅被示意性地示出。在进气机构2内不仅可以导入包括第三主族元素的原材料，还可导入包括第四主族元素的原材料。原材料的导入能够相应地借助运载气体、例如氢气来进行。在图2中示意性示出的进气机构2是喷头。它具有大量的出气孔15，处理气体能够通过出气孔流入安置在下方的处理室4内。在进气机构2内存在不同的、相互隔开的腔室，这些腔室能够相应地导引处理气体。因此，能够将相互隔开的、不同的处理气体引入处理室4内。
在未示出的实施例中，进气机构2具有不同的设计，例如设计为中央进气机构，从而竖直地流过处理室。
处理室4的底板由例如石墨制成的基板支架的上侧3’构成。基板支架3具有和进气机构2同样的圆形设计。在基板支架3的上侧3’设有多个凹陷5。图1示出这种凹陷5的空间结构。所述凹陷5构成圆形凹槽。凹槽5的壁5”径向内侧分别延伸有肋条6。在此，所述肋条是圆形肋条6，其上可安设基板7的边缘部段。肋条上侧例如相对于上侧3’有一定下沉，使得基板表面与上侧3’齐平地延伸。
凹槽5的底部5’在图2至5所示的第一实施例中被设计为平坦地，从而在基板下侧和凹槽底部5’之间设有气体间隙，该气体间隙在非拱形基板上各处都具有相同的间隙高度。
基板支架3的下侧3”具有留空8。在图2至4所示的实施例中，留空8具有平坦的、与凹槽底部5’平行延伸的留空底部8’。凹槽8具有沿着圆弧线延伸的凹槽壁8”，其中，留空8的壁8’的圆弧线与凹槽5的壁5”同轴地延伸。留空8仅在中央区域b上延伸，该中央区域b设在凹槽底部5’的中心区域的下方。中央区域b被周边区域a所包围，该周边区域a在凹槽5的边缘区域下方延伸。
在基板支架3的下方，与基板支架3平行地延伸有加热器9。在附图中只是简要地示出加热器9。可以看出，加热器9由螺旋形加热丝10构成。电流流过加热丝10使其加热。由这种加热线圈10输出的加热功率在加热器9的整个表面上基本上恒定，从而加热器9输出基本上均匀的面热功率。加热器9在基板支架3的整个由凹槽5占据的区域下方延伸，且与凹槽5相隔几毫米。因此，在基板支架3和加热器9的上侧9’之间构成热传递间隙12。
间隙12的间隙宽度s有特别重要的意义，下面继续详细地加以阐述。
用附图标记11表示冲洗气体进气装置，借助该冲洗气体进气装置能够将冲洗气体导入间隙12中。这种冲洗气体可以是单纯气体，例如氢气、氮气、氩气或者氦气。但是也可以是上述或其它、尤其惰性气体的混合气体。如此选择间隙宽度s，使得当处理温度在500℃至1100℃之间时，仅能通过所选择的冲洗气体在热传递占主导和热辐射占主导之间改变从加热器9到基板支架3的热量传输。如果热量传输应该是热传递占主导，则向间隙12内导入具有较高热导率的气体、如氢气。如果热量传输应该是热辐射占主导，则向间隙12内导入具有较低热导率的气体、如氮气。
如此选择留空8的深度、即从下侧3”到底部8’的距离，使得在热传递占主导的热量传输中传递较低的热功率到周围环境区域中。
从加热器9到基板支架3所传输的热量通过热辐射或热传递从基板支架3穿过处理室4向着被冷却的处理室盖散发。在实施例中，喷头2在此具有未示出的其内流过冷却剂的冷却通道，从而冷却喷头2的朝向处理室4的下侧。
在图5所示的第二实施例中，基板支架3下侧的包围留空8的边缘部段被涂覆反射性表面21。
在图6所示的第三实施例中，凹槽5的底部5’壳式地加深。底部5’在此构成阶梯式的凹陷18。但是，底部5’还能够可选地具有尤其阶梯状的拱形。
在图7所示的第四实施例中，留空8的底部8’设计为碗状的。该底部8’构成阶梯状的凹陷19。因此，间隙12在周边区域a的区域内具有最低的间隙高度s。在中央区域b、即在留空8延伸跨过的区域内间隙12具有不同的间隙高度t、t’、t”，这些高度都比间隙高度s要高。在此，取代内拱形还能够设置外拱形。
在图8所示的第五实施例中，基板支架3的下侧3’在中央区域b的区域内具有较高的反射性。在此，该中央区域b具有附带较强反射性表面的区域20。该表面在此涉及一种涂层，其能够强烈地反射从加热器9发出的红外线光。至少表面部段20的反射性在中央区域b内强于在周边区域a内的下侧3”的表面的反射性。在那，由加热器9发出的辐射比在中央区域b中被更多地吸收。
在所有的实施例中，基板支架3基本上对于由加热器9输出的热辐射是不可透过的，而例如由蓝宝石构成的基板7是绝对可透过热辐射的。从凹槽5的底部5’到基板7的热量传输因此在多数情况下通过气体的热传递来进行，该气体存在于基板7的下侧和凹槽5的底部之间。
在图9所示的第六实施例中，与在图8所示的第五实施例不同的是，中央区域不设有反射表面20，反而周边区域a如在图5所示第二实施例中设有较强发射性的表面21。
图10示出凹槽5的俯视图，例如在图2至5所示的第一实施例中的凹槽5。其上安置有基板7的边缘区域的支承区域由圆形肋条6构成，该肋条在圆内保留有自由空间，并且该肋条与凹槽的壁5”具有微小的间距。肋条6在多个均匀分布在肋条6的圆周上的位置上被截断。因此，该肋条6被分为多个分肋条，它们的端部6’被间隔空间16隔开。因此，间隔空间构成肋条6的中断。
在这种中断16的区域中，从凹槽5的边缘5”径向向内突出有凸起17。凸起17沿周向的延伸基本上与中断16的沿周向的延伸相一致。借助该凸起17将基板7的边缘7’保持在与凹槽5的边缘5”的间隙间隔位置。
肋条6如此与凹槽5的壁5”相间隔，使得在肋条6和壁5”之间形成通道。
所述设备的运行方式如下：
借助该设备关闭蓝宝石基板上的LED装置。在第一制作步骤中，将基板表面加热到大约1100℃。当温度处于500℃到1000℃之间时会沉积晶核层。气态的原料、例如第三主族元素和第四主族元素的氢化物的金属有机化合物在此通过输入管路13和进气机构2被导入到处理室4中。气态的反应生成物以及运载气体再次从输出管路14中导出。在沉积晶核层时，基板7基本不弯曲，从而基板下侧和底部5’之间的距离在图3所示的实施例中基本上处处相同。在该处理步骤中，氮气通过冲洗气体进气装置11被导入到间隙12中。从加热器9到基板支架3的热量传输由此通过热辐射来实现，因而将周边区域a和中央区域b加热到大致相同的温度。
在下述处理步骤中，当温度处于1050℃至1100℃之间时，首先沉积出由氮化镓(GaN)构成的缓冲层。在该层上随后沉积n掺杂氮化镓(n-dotierte GaN)层。在该处理中，基板7如在图4中所示向着凹槽底部5’弯曲。这会导致当区域a、b具有相同的温度时，在中央区域b内比在周边区域a内向基板7传递更高的热功率。为了在两个区域内保持大致相同的热量传输，实施根据本发明的措施，用于临时降低在中央区域b内从加热器9向基板支架3的热量传输。为此，通过冲洗气体进气装置11将气体、例如具有较高导热率的氢气导入间隙12中。由此，所述气体在间隙高度s最小的周边区域a内向基板支架3单位时间传递的热量比在间隙高度t大于间隙高度s的中央区域b内更多。因此，凹槽底部5’在中央区域b内比在周边区域a内加热到大约更低的温度。从下面输送的热量通过热传递或者热辐射，从基板表面传导到被冷却的处理室盖上。
因此在n掺杂缓冲层上，沉积出InGaN-GaN多层量子阱结构。这种多层量子阱结构在温度达到700℃至800℃之间时沉积。在这种温度下基板基本上平坦地设在肋条6上，如图3所示。
但是还能够看出，基板7向上拱曲，如图5所示。在此为了通过局部控制热流实现补偿，则中央区域b必须比周边区域a被加热到更高的温度。这例如由此实现，即在热辐射占主导的热量传输区域内降低向周边区域a的热量输送，这例如能够通过反射表面21实现。例如，基板支架下侧3”在此可覆有反射层21。通过平衡两种导热率差异巨大的气体的混合比例还能够实现在图3和4中所示的状态，在该状态下周边区域a和中央区域b被相同程度地加热，或者，周边区域a比中央区域b被更强烈地加热。
在多量子阱结构上，在最后一个步骤中沉积出由p掺杂氮化铝镓(AlGaN)构成的p接触层。这在处理温度达到800℃至950℃之间时实现。在此，基板7朝向凹槽底部5’形成的轻微的弯曲能够结合图4所示的方式来被考虑。
全部的处理步骤能够在持续转动的基板支架3中进行。为此，基板支架3借助未示出的驱动装置绕着它的中轴线被旋转驱动。在间距12都相同的情况下，基板支架3相对于位置固定的加热器9转动。
在图8和9所示的实施例中，周边区域a和中央区域b在热传递占主导区域内，即在使用较强导热性的冲洗气体的情况下均匀地被加热。当使用例如氮气作为冲洗气体或者使用其他较低导热性的冲洗气体时，在此，在凹槽底部5’区域内的局部的温度不均匀性在热辐射占主导的区域内被调节。随后，在图8所示的第四实施例中，对周边区域a加热比中央区域b更强，或者在图9所示的第五实施例中，对中央区域b的加热比周边区域a更强。
安置在支承区域6上的基板7在支承面的区域内、即在边缘区域内被更强地加热，因为在此与肋条6相接触。还进行从凹槽边缘5”到基板支架边缘7’的热传递。这种热量传输在凸起17的区域内被扩大，因为在此凸起17和基板支架边缘7’之间的间隙比凹槽边缘5”和基板支架边缘7’之间的间隙更小。为了补偿这种局部扩大的热量输送，则在肋条6内设置上述中断16，该中断基本上在相同的长度上延伸，跨过凸起17。
所有公开的特征(本身)都有发明意义或发明价值。在本申请的公开文件中，所属/附属的优先权文本(在先申请文件)的公开内容也被完全包括在内，为此也将该优先权文本中的特征纳入本申请的权利要求书中。从属权利要求中的那些可选择的并列设计方案都是对于现有技术有独立发明意义或价值的改进设计，尤其可以这些从属权利要求为基础提出分案申请。
附图标记列表
1       反应器壳体
2       进气机构
3       基板支架
3’     基板支架上侧
3”     基板支架下侧
4       处理室
5       凹槽
5’     凹槽底部
5”     凹槽边缘
6       支承区域，肋条
6’     端部
7       基板
7’     基板支架边缘
8       留空
8’     底部
8”     凹槽壁
9       加热器
10      加热线圈
11      冲洗气体进气装置
12      间隙
13      气体输入管路
14      气体输出管路
15      出气孔
16      中断
17      凸起
18      凹陷，壳状
19      凹陷
20      反射表面
21      反射表面
a       周边区域
b       中央区域
s       间隙高度
t       间隙高度

Claims (13)

1.一种CVD反应器，具有反应器壳体(1)和安置在其内的处理室(4)，借助进气机构(2)能够将至少一种处理气体输入所述处理室(4)内，所述CVD反应器还具有基板支架(3)，所述基板支架(3)在其朝向所述处理室(4)的上侧(3’)具有一个或多个凹槽(5)，如此设计所述凹槽(5)，使得基板(7)相应地仅安设在所选择的、相对于所述凹槽(5)的底部(5’)被升高的支承区域(6)上，所述CVD反应器还具有安置在所述基板支架(3)下方的加热器(9)，所述加热器(9)通过间隙(12)与所述基板支架(3)的下侧(3”)相间隔，其中，所述基板支架(3)的下侧(3”)在处于所述凹槽(5)的中心区域下面的中央区域(b)内在从所述加热器(9)至所述基板支架(3)的热传递方面设计得与包围所述中央区域(b)的、处于所述凹槽(5)的靠近边缘区域下方的周边区域(a)不同，其特征在于，所述加热器(9)被设计为基本平坦的热源，设置有气体冲洗装置(11)，用于借助具有不同导热率的冲洗气体冲洗所述间隙(12)，并且所述间隙(12)具有这样的间隙高度(s，t)，使得当从具有第一导热率的第一冲洗气体更换为具有第二导热率的第二冲洗气体时，在所述周边区域(a)内从所述加热器(9)至所述基板支架(3)的热量传输所发生的变化与在所述中央区域(b)内是不同的。
2.根据权利要求1或者尤其之后的权利要求所述的CVD反应器，其特征在于，所述间隙(12)在所述中央区域(b)下面的间隙高度(t，t’，t”)不同于在所述周边区域(a)下面的间隙高度(s)。
3.根据上述权利要求中的一个或者多个或者尤其之后的权利要求所述的CVD反应器，其特征在于，所述基板支架(3)的下侧(3”)在所述中央区域(b)内具有凹陷(8)。
4.根据上述权利要求中的一个或者多个或者尤其之后的权利要求所述的CVD反应器，其特征在于，所述凹槽(5)或者留空(8)的底部(5’，8’)例如碗状地拱曲。
5.根据上述权利要求中的一个或者多个或者尤其之后的权利要求所述的CVD反应器，其特征在于，所述底部(5’，8’)的拱曲接近于阶梯形状。
6.根据上述权利要求中的一个或者多个或者尤其之后的权利要求所述的CVD反应器，其特征在于，所述基板支架(3)的下侧(3’)在所述中央区域(b)内具有与所述周边区域(a)不同的反射性。
7.根据上述权利要求中的一个或者多个或者尤其之后的权利要求所述的CVD反应器，其特征在于，所述中央区域(b)和/或周边区域(a)被涂覆有反射涂层。
8.根据上述权利要求中的一个或者多个或者尤其之后的权利要求所述的CVD反应器，其特征在于，所述加热器(9)由螺旋状安置的加热丝(10)构成。
9.一种在尤其根据上述权利要求中的一个或者多个所述的CVD反应器中的基板(7)上在相应的处理步骤中沉积多个相叠设置的层的方法，其中，在至少一个第一处理步骤中在第一温度下沉积具有第一组成成分的第一层，并且在至少一个第二处理步骤中在第二温度下沉积具有第二组成成分的第二层，其中，两种组成成分和两种温度互不相同，其特征在于，在所述第一处理步骤中向间隙(12)内输入第一冲洗气体或冲洗气体混合物，并且在所述第二处理步骤中向间隙内输入第二冲洗气体或冲洗气体混合物，其中，所述第一冲洗气体或冲洗气体混合物与所述第二冲洗气体或冲洗气体混合物至少通过其导热率相区分。
10.根据权利要求9或者尤其之后的权利要求所述的方法，其特征在于，在所述第一处理步骤中在所述两个区域(a，b)中的至少一个内，从加热器(9)至基板支架(3)的热量传输是热辐射占主导的，并且在所述第二处理步骤中是热传递占主导的。
11.根据权利要求9和10中的一个或者多个或者尤其之后的权利要求所述的方法，其特征在于，在所述第一处理步骤中在凹槽(5)的底部(5’)的中心区域内的平均温度大约与所述底部(5’)的边缘区域的平均温度相一致，并且在所述第二处理步骤中，所述两个温度是彼此不同的。
12.一种具有一个或多个凹槽(5)的基板支架，所述凹槽(5)具有由沿着其边缘(5”)延伸的肋条(6)构成的且相对于所述凹槽(5)的底部(5’)升高的用于基板(7)的支承区域，并且从所述凹槽(5)的边缘(5”)向着所述凹槽(5)内部突出多个凸起(17)，用于保持所述基板(7)的边缘(7’)与所述凹槽(5)的边缘(5”)相间隔，其特征在于，所述肋条(6)在所述凸起(17)的区域内被中断。
13.根据权利要求12或者尤其之后的权利要求所述的基板支架，其特征在于，所述中断(16)的周向长度大约等于所述凸起(17)的周向长度。
CN201280064947.8A 2011-11-04 2012-11-02 Cvd反应器和用于cvd反应器的基板支架 Active CN104053816B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011055061.5 2011-11-04
DE102011055061A DE102011055061A1 (de) 2011-11-04 2011-11-04 CVD-Reaktor bzw. Substrathalter für einen CVD-Reaktor
PCT/EP2012/071687 WO2013064613A2 (de) 2011-11-04 2012-11-02 Cvd-reaktor bzw. substrathalter für einen cvd-reaktor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104053816A true CN104053816A (zh) 2014-09-17
CN104053816B CN104053816B (zh) 2016-07-06

Family

ID=47178621

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280064947.8A Active CN104053816B (zh) 2011-11-04 2012-11-02 Cvd反应器和用于cvd反应器的基板支架

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20140287142A1 (zh)
KR (1) KR102099216B1 (zh)
CN (1) CN104053816B (zh)
DE (1) DE102011055061A1 (zh)
TW (1) TWI573895B (zh)
WO (1) WO2013064613A2 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105369220A (zh) * 2015-12-14 2016-03-02 华中科技大学 一种用于气相沉积薄膜的装置
CN107002238A (zh) * 2014-11-28 2017-08-01 艾克斯特朗欧洲公司 基板保持装置
CN108884565A (zh) * 2016-02-29 2018-11-23 艾克斯特朗欧洲公司 具有自环形槽突出的支承突出部的基材固持设备
CN109841542A (zh) * 2017-11-24 2019-06-04 昭和电工株式会社 SiC外延生长装置

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2562291A1 (en) * 2008-08-29 2013-02-27 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with varying thermal resistance
DE102011055061A1 (de) * 2011-11-04 2013-05-08 Aixtron Se CVD-Reaktor bzw. Substrathalter für einen CVD-Reaktor
US10316412B2 (en) 2012-04-18 2019-06-11 Veeco Instruments Inc. Wafter carrier for chemical vapor deposition systems
DE102012108986A1 (de) 2012-09-24 2014-03-27 Aixtron Se Substrathalter einer CVD-Vorrichtung
US10167571B2 (en) 2013-03-15 2019-01-01 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems
DE102013105896A1 (de) 2013-06-07 2014-12-11 Aixtron Se Fertigungseinrichtung mit einem Magnetschienentransportsystem
DE102014100024A1 (de) * 2014-01-02 2015-07-02 Aixtron Se Vorrichtung zur Anordnung von Substraten, insbesondere Suszeptor eines CVD-Reaktors
DE102014104218A1 (de) * 2014-03-26 2015-10-01 Aixtron Se CVD-Reaktor mit Vorlaufzonen-Temperaturregelung
US20150292815A1 (en) * 2014-04-10 2015-10-15 Applied Materials, Inc. Susceptor with radiation source compensation
DE102014114947A1 (de) 2014-05-16 2015-11-19 Aixtron Se Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleiterschichten sowie einen Suszeptor zur Verwendung in einer derartigen Vorrichtung
DE102014109327A1 (de) 2014-07-03 2016-01-07 Aixtron Se Beschichtetes flaches scheibenförmiges Bauteil in einem CVD-Reaktor
US9748113B2 (en) 2015-07-30 2017-08-29 Veeco Intruments Inc. Method and apparatus for controlled dopant incorporation and activation in a chemical vapor deposition system
DE102015113956B4 (de) * 2015-08-24 2024-03-07 Meyer Burger (Germany) Gmbh Substratträger
JP6707827B2 (ja) * 2015-09-28 2020-06-10 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US10161041B2 (en) 2015-10-14 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Thermal chemical vapor deposition system and operating method thereof
US20180148835A1 (en) * 2016-11-29 2018-05-31 Lam Research Corporation Substrate support with varying depths of areas between mesas and corresponding temperature dependent method of fabricating
DE102017105947A1 (de) * 2017-03-20 2018-09-20 Aixtron Se Suszeptor für einen CVD-Reaktor
KR102369676B1 (ko) 2017-04-10 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
JP7321768B2 (ja) * 2018-05-23 2023-08-07 信越化学工業株式会社 化学気相成長装置および被膜形成方法
EP3863043A4 (en) * 2018-10-04 2021-11-03 Toyo Tanso Co., Ltd. SUSCEPTOR
DE102018131987A1 (de) * 2018-12-12 2020-06-18 Aixtron Se Substrathalter zur Verwendung in einem CVD-Reaktor
DE102018132673A1 (de) * 2018-12-18 2020-06-18 Aixtron Se Suszeptor für einen CVD-Reaktor
DE102019104433A1 (de) * 2019-02-21 2020-08-27 Aixtron Se CVD-Reaktor mit Mitteln zur lokalen Beeinflussung der Suszeptortemperatur
US11542604B2 (en) 2019-11-06 2023-01-03 PlayNitride Display Co., Ltd. Heating apparatus and chemical vapor deposition system
TWI711717B (zh) * 2019-11-06 2020-12-01 錼創顯示科技股份有限公司 加熱裝置及化學氣相沉積系統
TWI727907B (zh) * 2019-11-06 2021-05-11 錼創顯示科技股份有限公司 加熱裝置及化學氣相沉積系統
DE102020105753A1 (de) 2020-03-04 2021-09-09 Aixtron Se Auf einer Unterseite mit einer Vielzahl von Strukturelementen versehener Substrathalter für einen CVD-Reaktor
DE102020107517A1 (de) 2020-03-18 2021-09-23 Aixtron Se Suszeptor für einen CVD-Reaktor
KR102405332B1 (ko) 2020-05-07 2022-06-02 한국세라믹기술원 수직형 화학 증착기
DE102020120449A1 (de) * 2020-08-03 2022-02-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Wafer-carrier und system für eine epitaxievorrichtung
US20220076988A1 (en) * 2020-09-10 2022-03-10 Applied Materials, Inc. Back side design for flat silicon carbide susceptor
DE102021003326B3 (de) * 2021-06-28 2022-09-08 Singulus Technologies Aktiengesellschaft Substratträger
DE102022101721A1 (de) 2022-01-25 2023-07-27 Meyer Burger (Germany) Gmbh PECVD Beschichtungsverfahren

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005142529A (ja) * 2003-10-16 2005-06-02 Tokyo Electron Ltd 成膜装置
US20050223994A1 (en) * 2004-04-08 2005-10-13 Blomiley Eric R Substrate susceptors for receiving semiconductor substrates to be deposited upon and methods of depositing materials over semiconductor substrates
CN101043018A (zh) * 2006-03-23 2007-09-26 大日本网目版制造株式会社 基板支撑结构及其制造方法、第一片状物、热处理装置及基板吸附方法
TW200821407A (en) * 2006-11-02 2008-05-16 Eugene Technology Co Ltd Chemical vapor deposition apparatus for equalizing heating temperature
CN101426954A (zh) * 2006-04-21 2009-05-06 艾克斯特朗股份公司 用于控制工艺过程腔室内的基片表面温度的装置和方法
CN101772836A (zh) * 2007-06-19 2010-07-07 Memc电子材料有限公司 用于提高产量和减少晶片损坏的基座
KR100990746B1 (ko) * 2009-11-19 2010-11-02 (주)앤피에스 기판 처리 장치
US20110049779A1 (en) * 2009-08-28 2011-03-03 Applied Materials, Inc. Substrate carrier design for improved photoluminescence uniformity

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7209297A (zh) * 1972-07-01 1974-01-03
US4512841A (en) 1984-04-02 1985-04-23 International Business Machines Corporation RF Coupling techniques
JPH01256118A (ja) * 1988-04-05 1989-10-12 Sumitomo Metal Ind Ltd 気相反応装置
JPH05166757A (ja) * 1991-12-13 1993-07-02 Tokyo Electron Ltd 被処理体の温調装置
US5226383A (en) * 1992-03-12 1993-07-13 Bell Communications Research, Inc. Gas foil rotating substrate holder
JPH0610140A (ja) * 1992-06-24 1994-01-18 Fuji Film Micro Device Kk 薄膜堆積装置
US5645646A (en) * 1994-02-25 1997-07-08 Applied Materials, Inc. Susceptor for deposition apparatus
FI97730C (fi) * 1994-11-28 1997-02-10 Mikrokemia Oy Laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi
US6616767B2 (en) * 1997-02-12 2003-09-09 Applied Materials, Inc. High temperature ceramic heater assembly with RF capability
US6432479B2 (en) * 1997-12-02 2002-08-13 Applied Materials, Inc. Method for in-situ, post deposition surface passivation of a chemical vapor deposited film
JP2001168086A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Kawasaki Steel Corp 半導体装置の製造方法および製造装置
DE10056029A1 (de) * 2000-11-11 2002-05-16 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zur Temperatursteuerung der Oberflächentemperaturen von Substraten in einem CVD-Reaktor
JP2002146540A (ja) 2000-11-14 2002-05-22 Ebara Corp 基板加熱装置
US6755150B2 (en) * 2001-04-20 2004-06-29 Applied Materials Inc. Multi-core transformer plasma source
EP1271620B1 (en) * 2001-06-21 2013-05-29 Hyoung June Kim Method and apparatus for heat treatment of semiconductor films
DE10133914A1 (de) * 2001-07-12 2003-01-23 Aixtron Ag Prozesskammer mit abschnittsweise unterschiedlich drehangetriebenem Boden und Schichtabscheideverfahren in einer derartigen Prozesskammer
US20030089457A1 (en) * 2001-11-13 2003-05-15 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling a thermal conductivity profile for a pedestal in a semiconductor wafer processing chamber
WO2003048414A1 (en) * 2001-12-04 2003-06-12 Primaxx, Inc. Chemical vapor deposition reactor
KR100476370B1 (ko) * 2002-07-19 2005-03-16 주식회사 하이닉스반도체 배치형 원자층증착장치 및 그의 인시튜 세정 방법
JP4669476B2 (ja) * 2003-08-01 2011-04-13 エスゲーエル カーボン ソシエタス ヨーロピア 半導体製造時にウェハを支持するホルダ
WO2005057744A1 (ja) * 2003-12-15 2005-06-23 The Furukawa Electric Co., Ltd. 半導体素子の製造方法
US20050217585A1 (en) * 2004-04-01 2005-10-06 Blomiley Eric R Substrate susceptor for receiving a substrate to be deposited upon
DE202004013741U1 (de) 2004-09-01 2004-11-04 Sennheiser Electronic Gmbh & Co. Kg Mikrofonhalter
DE102005055252A1 (de) * 2005-11-19 2007-05-24 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit gleitgelagerten Suszeptorhalter
DE102005056320A1 (de) * 2005-11-25 2007-06-06 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit einem Gaseinlassorgan
US8603248B2 (en) * 2006-02-10 2013-12-10 Veeco Instruments Inc. System and method for varying wafer surface temperature via wafer-carrier temperature offset
KR101483522B1 (ko) * 2007-01-12 2015-01-16 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 가스 처리 시스템
EP2562291A1 (en) * 2008-08-29 2013-02-27 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with varying thermal resistance
JP4709945B2 (ja) * 2009-04-13 2011-06-29 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
DE102009043960A1 (de) * 2009-09-08 2011-03-10 Aixtron Ag CVD-Reaktor
DE102009044276A1 (de) * 2009-10-16 2011-05-05 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit auf einem mehrere Zonen aufweisenden Gaspolster liegenden Substrathalter
US20110259879A1 (en) * 2010-04-22 2011-10-27 Applied Materials, Inc. Multi-Zone Induction Heating for Improved Temperature Uniformity in MOCVD and HVPE Chambers
US20120309115A1 (en) * 2011-06-02 2012-12-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for supporting and controlling a substrate
DE102011055061A1 (de) * 2011-11-04 2013-05-08 Aixtron Se CVD-Reaktor bzw. Substrathalter für einen CVD-Reaktor
US10932323B2 (en) * 2015-08-03 2021-02-23 Alta Devices, Inc. Reflector and susceptor assembly for chemical vapor deposition reactor

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005142529A (ja) * 2003-10-16 2005-06-02 Tokyo Electron Ltd 成膜装置
US20050223994A1 (en) * 2004-04-08 2005-10-13 Blomiley Eric R Substrate susceptors for receiving semiconductor substrates to be deposited upon and methods of depositing materials over semiconductor substrates
CN101043018A (zh) * 2006-03-23 2007-09-26 大日本网目版制造株式会社 基板支撑结构及其制造方法、第一片状物、热处理装置及基板吸附方法
CN101426954A (zh) * 2006-04-21 2009-05-06 艾克斯特朗股份公司 用于控制工艺过程腔室内的基片表面温度的装置和方法
TW200821407A (en) * 2006-11-02 2008-05-16 Eugene Technology Co Ltd Chemical vapor deposition apparatus for equalizing heating temperature
CN101772836A (zh) * 2007-06-19 2010-07-07 Memc电子材料有限公司 用于提高产量和减少晶片损坏的基座
US20110049779A1 (en) * 2009-08-28 2011-03-03 Applied Materials, Inc. Substrate carrier design for improved photoluminescence uniformity
KR100990746B1 (ko) * 2009-11-19 2010-11-02 (주)앤피에스 기판 처리 장치

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107002238A (zh) * 2014-11-28 2017-08-01 艾克斯特朗欧洲公司 基板保持装置
CN105369220A (zh) * 2015-12-14 2016-03-02 华中科技大学 一种用于气相沉积薄膜的装置
CN105369220B (zh) * 2015-12-14 2018-06-19 华中科技大学 一种用于气相沉积薄膜的装置
CN108884565A (zh) * 2016-02-29 2018-11-23 艾克斯特朗欧洲公司 具有自环形槽突出的支承突出部的基材固持设备
CN109841542A (zh) * 2017-11-24 2019-06-04 昭和电工株式会社 SiC外延生长装置
CN109841542B (zh) * 2017-11-24 2023-09-26 株式会社力森诺科 SiC外延生长装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20140287142A1 (en) 2014-09-25
WO2013064613A2 (de) 2013-05-10
US10526705B2 (en) 2020-01-07
TWI573895B (zh) 2017-03-11
TW201329281A (zh) 2013-07-16
KR102099216B1 (ko) 2020-04-10
KR20140096341A (ko) 2014-08-05
CN104053816B (zh) 2016-07-06
US20180223425A1 (en) 2018-08-09
WO2013064613A3 (de) 2013-11-14
DE102011055061A1 (de) 2013-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104053816A (zh) Cvd反应器和用于cvd反应器的基板支架
CN102421934B (zh) 高产量多晶片外延反应器
US9695508B2 (en) Liner assembly for chemical vapor deposition chamber
US20120003389A1 (en) Mocvd reactor having a ceiling panel coupled locally differently to a heat dissipation member
KR101349945B1 (ko) 성막 장치 및 성막 방법
KR101115697B1 (ko) 에너지 효율을 높여주는 복사열 차단막을 갖는 화학기상증착 반응기
CN103890911B (zh) 气体分散设备
CN102485953B (zh) 托盘装置及结晶膜生长设备
CN102612571A (zh) 化学气相沉积反应器
KR20120083470A (ko) 복수의 구역을 포함하는 가스 쿠션 상에 놓인 기판 홀더를 구비한 ｃｖｄ 반응기
CN101925980A (zh) 化学汽相沉积设备
CN103443904B (zh) 基座及使用此基座的外延晶片的制造方法
CN103026465A (zh) 基板衬托器及具有其的沉积装置
KR101420126B1 (ko) 성막 장치 및 성막 방법
CN109207962B (zh) 化学气相生长装置
CN104471678A (zh) 用于输送工艺气体至基板的方法和设备
TW201321546A (zh) 化學氣相沈積的氣體預熱系統
CN102677164A (zh) 托盘、腔室装置和外延设备
CN110998793B (zh) 用于外延沉积工艺的注入组件
CN103305815A (zh) 一种mocvd设备及其加热装置
JP6257437B2 (ja) 結晶成長装置
JP4972356B2 (ja) 気相成長装置
TW202140845A (zh) 具有雙重前置區板的cvd反應器
JP4281565B2 (ja) Ｃｖｄ装置
CN104192848A (zh) 三氯硅烷制造装置及制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant