CN104007594B - Tft阵列基板结构 - Google Patents

Tft阵列基板结构 Download PDF

Info

Publication number
CN104007594B
CN104007594B CN201410271346.5A CN201410271346A CN104007594B CN 104007594 B CN104007594 B CN 104007594B CN 201410271346 A CN201410271346 A CN 201410271346A CN 104007594 B CN104007594 B CN 104007594B
Authority
CN
China
Prior art keywords
drain electrode
grid
overlapping region
edge
array substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201410271346.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104007594A (zh
Inventor
姚晓慧
许哲豪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201410271346.5A priority Critical patent/CN104007594B/zh
Priority to GB1621049.4A priority patent/GB2541342B/en
Priority to PCT/CN2014/082503 priority patent/WO2015192436A1/zh
Priority to US14/382,018 priority patent/US9417497B1/en
Priority to KR1020167036312A priority patent/KR101944602B1/ko
Priority to JP2016573046A priority patent/JP6470767B2/ja
Publication of CN104007594A publication Critical patent/CN104007594A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104007594B publication Critical patent/CN104007594B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
    • H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133742—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers for homeotropic alignment
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/56—Substrates having a particular shape, e.g. non-rectangular

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种TFT阵列基板结构，包括第一与第二栅极(11、13)、半导体层(20)、第一与第二源极(31、33)及第一与第二漏极(42、44)，第一栅极(11)与第一漏极(42)在空间上交叠设置形成第一交叠区域(D)，第二栅极(13)与第二漏极(44)在空间上交叠设置形成第二交叠区域(E)，第一栅极(11)对应第一交叠区域(D)具有第一边缘(113)，第二栅极(13)对应第二交叠区域(E)具有第二边缘(133)，第一边缘(113)与第一漏极(42)在空间上斜交，第二边缘(133)与第二漏极(44)在空间上斜交，当第一、第二漏极(42、44)相对于第一、第二栅极(11、13)发生相对移动时，第一交叠区域(D)与第二交叠区域(E)的面积产生同向变化。

Description

TFT阵列基板结构
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板结构。
背景技术
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。
通常液晶显示装置包括壳体、设于壳体内的液晶显示面板及设于壳体内的背光模组(Backlight module)。如图1所示，现有的液晶显示面板包括TFT阵列基板100、位于TFT阵列基板100上方并与之贴合设置的一彩膜基板(Color Filter，CF)300、设于阵列基板100与彩膜基板300之间的液晶层(Liquid Crystal Layer)500及密封胶框700，其工作原理是通过在TFT阵列基板100、彩膜基板300间施加驱动电压来控制液晶层500的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。
就目前主流市场上的液晶显示面板而言，按照液晶分子排列方式的不同可分为三大类，分别是TN(扭曲向列)/STN(超级扭曲向列)、IPS(板内切换)/FFS(边缘切换)及VA(垂直配向)型。其中，VA(Vertical Alignment，垂直配向)型液晶显示器具有高对比度、宽视角、颜色表现好等优点。但由于VA型显示器采用的是垂直转动型的液晶，大视角下会存在色偏现象，针对该现象，目前的设计是将子像素区域划分为主(main)和次(sub)两个区域来显示，主区域和次区域液晶两侧所加电压不同使主区域和次区域液晶偏转角不同，从而解决色偏问题。
如图2所示，为一现有的用于VA型液晶显示器的TFT阵列基板结构示意图，该TFT阵列基板结构包括第一与第二栅极101、103、设于第一与第二栅极101、103上方的半导体层200、设于半导体层200上的第一与第二源极301、303及设于半导体层200上的第一与第二漏极402、404，所述第一与第二栅极101、103电性连接，第一与第二源极301、303电性连接，所述第一栅极101与第一漏极402在空间上交叠设置，形成第一交叠区域A，所述第一栅极101对应第一交叠区域A具有第一边缘105，其与第一漏极402在空间上垂直相交。所述第二栅极103与第二漏极404在空间上交叠设置，形成第二交叠区域B，所述第二栅极103对应第二交叠区域B具有第二边缘107，其与第二漏极404在空间上垂直相交。第一漏极402对应第一交叠区域A的部分与第二漏极404对应第二交叠区域B的部分分别呈条形，且两条形的朝向垂直。第一源极301电性连接于数据线；第一栅极101电性连接于栅极扫描线；第一、第二漏极402、404分别电性连接于主、次区域的像素电极。第一交叠区域A产生第一寄生电容及Cgs1，第二交叠区域B产生第二寄生电容Cgs2。以第一漏极402的条形朝向为竖直方向，当第一、第二漏极402、404相对于第一、第二栅极101、103在竖直方向上相对移动时，第一交叠区域A的面积发生变化，而第二交叠区域B的面积保持不变，从而导致第一寄生电容Cgs1发生变化而第二寄生电容Cgs2不变。
根据溃通电压公式：
馈通电压
其中：C1c为液晶盒产生的电容，Cs为存储电容，Cgs为栅极与漏极间的寄生电容的容值，Vp-p为栅极改变的电压。
可知：第一馈通电压ΔV1变化而第二馈通电压ΔV2不变，二者的压差相应发生变化，从而引起主、次区域之间的液晶分子的偏转参考电压VCOM变化。
同理，当第一、第二漏极402、404相对于第一、第二栅极101、103在水平方向上相对移动时，第一交叠区域A的面积不变，而第二交叠区域B的面积发生变化，使得第一寄生电容Cgs1不变而第二寄生电容Cgs2变化，进而引起第一馈通电压ΔV1不变、第二馈通电压ΔV2变化，最终引起VCOM变化。
VCOM不稳定会引发液晶显示面板产生闪烁、残影等问题，影响显示品质，显然需要对现有的TFT阵列基板结构做进一步改进。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT阵列基板结构，通过将两栅极对应交叠区域的部分的两边缘分别相对于两漏极倾斜设置，使得在发生漏极相对于栅极移动时，两交叠区域的面积变化量趋同，从而使得子像素主、次区域之间的液晶分子偏转参考电压VCOM稳定，且结构简单，易实现。
为实现上述目的，本发明提供一种TFT阵列基板结构，包括：第一与第二栅极、设于第一与第二栅极上方的半导体层、设于半导体层上的第一与第二源极及设于半导体层上的第一与第二漏极，所述第一与第二栅极电性连接，第一与第二源极电性连接，所述第一栅极与第一漏极在空间上交叠设置形成第一交叠区域，所述第二栅极与第二漏极在空间上交叠设置形成第二交叠区域，所述第一栅极对应第一交叠区域具有第一边缘，所述第二栅极对应第二交叠区域具有第二边缘，其特征在于，所述第一边缘与第一漏极在空间上斜交，所述第二边缘与第二漏极在空间上斜交，从而，当第一、第二漏极相对于第一、第二栅极发生相对移动时，第一交叠区域与第二交叠区域的面积产生同向的变化。
当第一、第二漏极相对于第一、第二栅极发生相对移动时，第一交叠区域与第二交叠区域的面积产生相同的变化。
第一边缘相对于第一漏极的倾斜方向与第二边缘相对于第二漏极的倾斜方向相反。
所述第一漏极对应于第一交叠区域的部分呈条形，第二漏极对应于第二交叠区域的部分呈条形，且两条形的朝向垂直。
第一漏极对应第一交叠区域的宽度为W1，第二漏极对应第二交叠区域的宽度为W2，第一边缘与第一漏极形成的锐角夹角α1＝arccot(W2/W1)，第二边缘与第二漏极形成的锐角夹角α2＝arccot(W1/W2)。
第一源极呈开口朝上的U形，第二源极呈开口朝右的U形，且第一源极的右部分与第二源极的左部分连接。
所述第一漏极伸入第一源极的U形开口内，所述第二漏极伸入第二源极的U形开口内。
所述TFT阵列基板结构用于垂直配向型液晶显示面板。
所述TFT阵列基板结构用于曲面液晶显示面板。
本发明的有益效果：本发明提供的阵列基板结构，通过将两栅极对应交叠区域的部分的两边缘分别相对于两漏极倾斜设置，使得在发生漏极相对于栅极移动时，两交叠区域的面积变化量趋同，从而使得子像素主、次区域之间的液晶分子偏转参考电压VCOM稳定，使TFT阵列基板具有VCOM自调节功能，克服了因VCOM不稳定而导致的液晶显示面板闪烁、残影等问题，提高了整体的显示品质。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有的液晶显示面板的剖面示意图；
图2为现有阵列基板结构的示意图；
图3为本发明阵列基板结构的示意图；
图4为漏极相对栅极发生竖直方向偏移时的示意图，其中实线表示偏移前的情况，双点划线表示偏移后的情况；
图5为漏极相对栅极发生水平向偏移时的示意图，其中实线表示偏移前的情况，双点划线表示偏移后的情况。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图3，本发明提供的一种TFT阵列基板结构，包括：第一与第二栅极11、13、设于第一与第二栅极11、13上方的半导体层20、设于半导体层20上的第一与第二源极31、33及设于半导体层20上的第一与第二漏极42、44，所述第一与第二栅极11、13电性连接，第一与第二源极31、33电性连接，所述第一栅极11与第一漏极42在空间上交叠设置形成第一交叠区域D，所述第二栅极13与第二漏极44在空间上交叠设置形成第二交叠区域E，所述第一栅极11对应第一交叠区域D具有第一边缘113，所述第二栅极13对应第二交叠区域E具有第二边缘133；所述第一边缘113与第一漏极42在空间上斜交，所述第二边缘133与第二漏极44在空间上斜交，且第一边缘113相对于第一漏极42的倾斜方向与第二边缘133相对于第二漏极44的倾斜方向相反。在本实施例中，所述第一边缘113相对于第一漏极42自左至右向下倾斜，而第二边缘133相对于第二漏极44自左至右向上倾斜。
从而，当第一、第二漏极42、44相对于第一、第二栅极11、13发生相对移动时，第一交叠区域D与第二交叠区域E的面积产生同向的变化。
进一步的，当第一、第二漏极42、44相对于第一、第二栅极11、13发生相对移动时，第一交叠区域D与第二交叠区域E的面积产生相同的变化。
所述第一漏极42对应于第一交叠区域D的部分呈条形，第二漏极44对应于第二交叠区域E的部分呈条形，且两条形的朝向垂直。
第一漏极42对应第一交叠区域D的宽度为W1，第二漏极44对应第二交叠区域E的宽度为W2，第一边缘113与第一漏极42形成的锐角夹角α1＝arccot(W2/W1)，第二边缘133与第二漏极44形成的锐角夹角α2＝arccot(W1/W2)。
第一源极31呈开口朝上的U形，第二源极33呈开口朝右的U形，且第一源极31的右部分与第二源极33的左部分连接。
所述第一漏极42伸入第一源极31的U形开口内，所述第二漏极44伸入第二源极33的U形开口内。
所述第一源极31电性连接于数据线50，所述第一栅极11电性连接于栅极扫描线(未图示)，所述第一漏极42、第二漏极44分别电性连接于像素电极(未图示)。
请参阅图4，以第一漏极42的条形朝向为竖直方向，当第一、第二漏极42、44相对于第一、第二栅极11、13沿竖直方向向上相对移动时，第一栅极11与第一漏极42之间的第一交叠区域D的面积减小，所述第二栅极13与第二漏极44之间的第二交叠区域E面积也相应减小。
设相对移动量为V，第一、第二交叠区域D、E的面积分别减小ΔS1、ΔS2，由平行四边形的面积计算公式得：
ΔS1＝W1×V
ΔS2＝W2×V×cotα2
代入α2＝arccot(W1/W2)
ΔS2＝W2×V×(W1/W2)＝W1×V
即得出：ΔS1＝ΔS2
同理，当第一、第二漏极42、44相对于第一、第二栅极11、13沿竖直方向向下相对移动时，第一交叠区域D的面积增大，第二交叠区域E面积也相应等值增大。
请参阅图5，当第一、第二漏极42、44相对于第一、第二栅极11、13沿水平方向向左相对移动时，第一栅极11与第一漏极42之间的第一交叠区域D的面积减小，所述第二栅极13与第二漏极44之间的第二交叠区域E面积也相应减小。
设相对移动量为H，第二、第一交叠区域D、E的面积分别减小ΔS2’、ΔS1’，由平行四边形的面积计算公式得：
ΔS2’＝W2×H
ΔS1＝W2×H×cotα1
代入α1＝arccot(W2/W1)
ΔS1＝W1×H×(W2/W1)＝W2×H
即得出：ΔS1’＝ΔS2’
同理，当第一、第二漏极42、44相对于第一、第二栅极11、13沿水平方向向右相对移动时，第一交叠区域D的面积增大，第二交叠区域E面积也相应等值增大。
由此可见，当所述第一、第二漏极42、44相对于第一、第二栅极11、13发生相对移动时，第一交叠区域D、第二交叠区域E的面积变化趋势一致且变化量相等，那么由第一交叠区域D产生的第一寄生电容CgS1、与由第二交叠区域E产生的第二寄生电容CgS2同趋势且等量变化。由此根据馈通电压公式推得，第一馈通电压ΔV1与第二馈通电压ΔV2的变化趋势及变化量亦相同，即二者的压差不变，从而使得子像素主、次区域之间的液晶分子的偏转参考电压VCOM保持相对稳定。因此，本发明TFT阵列基板结构可用于垂直配向型液晶显示面板，也可用于曲面液晶显示面板，还可用于垂直配向型曲面液晶显示面板。
本发明提供的TFT阵列基板结构，通过将两栅极对应交叠区域的部分的两边缘分别相对于两漏极倾斜设置，使得在发生漏极相对于栅极移动时，两交叠区域的面积变化量趋同，从而使得子像素主、次区域之间的液晶分子偏转参考电压VCOM稳定，使TFT阵列基板具有VCOM自调节功能，克服了因液晶分子偏转参考电压VCOM不稳定而导致的液晶显示面板闪烁、残影等问题，提高了整体的显示品质，且结构简单，易实现。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (5)

1.一种TFT阵列基板结构，包括：第一与第二栅极(11、13)、设于第一与第二栅极(11、13)上方的半导体层(20)、设于半导体层(20)上的第一与第二源极(31、33)及设于半导体层(20)上的第一与第二漏极(42、44)，所述第一与第二栅极(11、13)电性连接，第一与第二源极(31、33)电性连接，所述第一栅极(11)与第一漏极(42)在空间上交叠设置形成第一交叠区域(D)，所述第二栅极(13)与第二漏极(44)在空间上交叠设置形成第二交叠区域(E)，所述第一栅极(11)对应第一交叠区域(D)具有第一边缘(113)，所述第二栅极(13)对应第二交叠区域(E)具有第二边缘(133)，其特征在于，所述第一边缘(113)与第一漏极(42)在空间上斜交，所述第二边缘(133)与第二漏极(44)在空间上斜交，从而，当第一、第二漏极(42、44)相对于第一、第二栅极(11、13)发生相对移动时，第一交叠区域(D)与第二交叠区域(E)的面积产生同向的变化；
第一边缘(113)相对于第一漏极(42)的倾斜方向与第二边缘(133)相对于第二漏极(44)的倾斜方向相反；
所述第一漏极(42)对应于第一交叠区域(D)的部分呈条形，第二漏极(44)对应于第二交叠区域(E)的部分呈条形，且两条形的朝向垂直；
第一漏极(42)对应第一交叠区域(D)的宽度为W1，第二漏极(44)对应第二交叠区域(E)的宽度为W2，第一边缘(113)与第一漏极(42)形成的锐角夹角α1＝arccot(W2/W1)，第二边缘(133)与第二漏极(44)形成的锐角夹角α2＝arccot(W1/W2)；
第一源极(31)呈开口朝上的U形，第二源极(33)呈开口朝右的U形，且第一源极(31)的右部分与第二源极(33)的左部分连接。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板结构，其特征在于，当第一、第二漏极(42、44)相对于第一、第二栅极(11、13)发生相对移动时，第一交叠区域(D)与第二交叠区域(E)的面积产生相同的变化。
3.如权利要求1所述的TFT阵列基板结构，其特征在于，所述第一漏极(42)伸入第一源极(31)的U形开口内，所述第二漏极(44)伸入第二源极(33)的U形开口内。
4.如权利要求1所述的TFT阵列基板结构，其特征在于，所述TFT阵列基板结构用于垂直配向型液晶显示面板。
5.如权利要求1所述的TFT阵列基板结构，其特征在于，所述TFT阵列基板结构用于曲面液晶显示面板。
CN201410271346.5A 2014-06-17 2014-06-17 Tft阵列基板结构 Expired - Fee Related CN104007594B (zh)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410271346.5A CN104007594B (zh) 2014-06-17 2014-06-17 Tft阵列基板结构
GB1621049.4A GB2541342B (en) 2014-06-17 2014-07-18 TFT array substrate structure
PCT/CN2014/082503 WO2015192436A1 (zh) 2014-06-17 2014-07-18 Tft阵列基板结构
US14/382,018 US9417497B1 (en) 2014-06-17 2014-07-18 TFT array substrate structure
KR1020167036312A KR101944602B1 (ko) 2014-06-17 2014-07-18 Tft 어레이 기판 구조
JP2016573046A JP6470767B2 (ja) 2014-06-17 2014-07-18 Ｔｆｔマトリックス基板の構造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410271346.5A CN104007594B (zh) 2014-06-17 2014-06-17 Tft阵列基板结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104007594A CN104007594A (zh) 2014-08-27
CN104007594B true CN104007594B (zh) 2017-12-29

Family

ID=51368327

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410271346.5A Expired - Fee Related CN104007594B (zh) 2014-06-17 2014-06-17 Tft阵列基板结构

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9417497B1 (zh)
JP (1) JP6470767B2 (zh)
KR (1) KR101944602B1 (zh)
CN (1) CN104007594B (zh)
GB (1) GB2541342B (zh)
WO (1) WO2015192436A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103489923B (zh) * 2013-10-16 2017-02-08 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、修复方法和阵列基板
CN205067935U (zh) 2015-11-05 2016-03-02 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN110783204B (zh) * 2019-10-29 2022-04-12 南京京东方显示技术有限公司 一种双沟道立体tft器件、显示面板及其制造方法
CN113467131B (zh) * 2021-06-28 2022-05-24 北海惠科光电技术有限公司 配向膜制作方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1501152A (zh) * 2002-11-14 2004-06-02 三星电子株式会社 液晶显示器及其薄膜晶体管阵列面板
CN101140743A (zh) * 2006-08-29 2008-03-12 三星电子株式会社 显示面板及其驱动方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7190000B2 (en) * 2003-08-11 2007-03-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
JP4007308B2 (ja) * 2003-10-28 2007-11-14 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法
WO2006064789A1 (ja) * 2004-12-14 2006-06-22 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置および液晶表示装置の欠陥修正方法
JP5004606B2 (ja) * 2006-05-31 2012-08-22 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置
KR101427708B1 (ko) * 2007-02-01 2014-08-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 패널
JP5159385B2 (ja) * 2008-03-21 2013-03-06 三菱電機株式会社 液晶表示装置
KR101499242B1 (ko) * 2008-08-29 2015-03-06 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치의 제조 방법
KR101517034B1 (ko) * 2008-12-04 2015-05-04 엘지디스플레이 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판
US10163911B2 (en) * 2009-06-05 2018-12-25 Texas Instruments Incorporated SRAM cell with T-shaped contact
KR20120021537A (ko) * 2010-08-06 2012-03-09 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
CN102254917B (zh) * 2011-07-07 2014-05-21 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制法
KR101941984B1 (ko) * 2011-09-27 2019-04-12 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치
WO2013061556A1 (ja) * 2011-10-27 2013-05-02 シャープ株式会社 液晶表示パネル及びその製造方法
KR101930000B1 (ko) * 2012-02-22 2018-12-19 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN102544110B (zh) * 2012-03-19 2014-08-13 深圳市华星光电技术有限公司 具有寄生电容补正结构的薄膜晶体管及用该薄膜晶体管的液晶显示器
KR20130139548A (ko) * 2012-06-13 2013-12-23 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1501152A (zh) * 2002-11-14 2004-06-02 三星电子株式会社 液晶显示器及其薄膜晶体管阵列面板
CN101140743A (zh) * 2006-08-29 2008-03-12 三星电子株式会社 显示面板及其驱动方法

Also Published As

Publication number Publication date
GB2541342B (en) 2018-12-12
JP6470767B2 (ja) 2019-02-13
GB201621049D0 (en) 2017-01-25
US9417497B1 (en) 2016-08-16
US20160238913A1 (en) 2016-08-18
KR20170010849A (ko) 2017-02-01
CN104007594A (zh) 2014-08-27
JP2017525990A (ja) 2017-09-07
WO2015192436A1 (zh) 2015-12-23
KR101944602B1 (ko) 2019-04-17
GB2541342A (en) 2017-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9046713B2 (en) Liquid crystal display
WO2018184258A1 (zh) 液晶显示器像素驱动电路及tft基板
CN103488011B (zh) 阵列基板及液晶显示装置
US20130010248A1 (en) Pixel electrode structure
TW201805705A (zh) 視角可切換的液晶顯示裝置及其視角切換方法
CN104007594B (zh) Tft阵列基板结构
CN103383510B (zh) 一种液晶面板和显示装置
CN103901681A (zh) 一种液晶显示器的单位像素结构
CN102636924B (zh) 液晶显示装置
WO2019075781A1 (zh) 一种具有新型像素设计的液晶显示面板
WO2018192048A1 (zh) 八畴像素结构
US9406702B2 (en) Array substrate, method for fabricating the same and display device
US20130033668A1 (en) Pva pixel electrode and liquid crystal display apparatus using the same
CN105739195A (zh) 液晶显示装置及其驱动方法
WO2014180091A1 (zh) 像素结构及其驱动方法、显示装置
WO2015168960A1 (zh) 用于psva液晶显示装置的液晶配向方法
WO2018188145A1 (zh) 一种显示面板和显示装置
CN102636920A (zh) 一种硬屏液晶显示的装置和实现方法及其应用
US20130286332A1 (en) Liquid crystal display and liquid crystal display panel
JP2014038326A (ja) カラーフィルタ基板、液晶パネル及び液晶表示装置
CN102629028A (zh) 一种面内开关液晶显示器及其制造方法
CN103676353B (zh) 像素结构、阵列基板及显示装置
CN105204244B (zh) 像素电极结构
CN102654694A (zh) 一种液晶显示面板及液晶显示器
CN202285073U (zh) 彩膜基板及显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20171229