CN104004025A - 有机金属配合物、发光元件、发光装置、电子设备及照明装置 - Google Patents
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Abstract
本发明的一个方式提供一种能够发射磷光的新颖物质。有机金属配合物以通式（G3）或（G5）表示。在该通式中，M表示铱、铂、钯或铑，R1表示取代或未取代的碳数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳数为6至10的芳基，R2至R7分别独立地表示氢或者取代或未取代的碳数为1至6的烷基。，
Description
技术领域
本发明的一个方式涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、它们的驱动方法或它们的制造方法。本发明的一个方式涉及一种有机金属配合物。尤其是，本发明涉及一种能够将三重激发态转换为发光的有机金属配合物。另外，本发明涉及各使用该有机金属配合物的发光元件、发光装置、电子设备及照明装置。
背景技术
近年来，对将具有发光性的有机化合物或无机化合物用作发光物质的发光元件正在进行积极的开发。尤其是，被称为EL（Electro Luminescence：电致发光）元件的发光元件的结构是在电极之间仅设置包含发光物质的发光层的简单的结构，并且具有能够实现薄型轻量、能够高速地响应输入信号且能够实现直流低电压驱动等的特性，由此作为下一代的平板显示元件受到关注。此外，使用这种发光元件的显示器还具有对比度和画质良好、视角宽的特点。再者，因为这种发光元件是面状光源，所以也考虑到应用于液晶显示器的背光灯和照明等光源。
在发光物质是发光有机化合物的情况下，发光元件的发光机理是载流子注入型。换言之，通过将发光层夹在电极之间并施加电压，从电极注入的电子和空穴重新结合，从而发光物质成为激发态，当该激发态回到基态时发光。并且，作为激发态的种类，可以是单重激发态(S*)和三重激发态(T*)。此外，在发光元件中，单重激发态和三重激发态的统计学上的生成比率被认为是S*:T*=1:3。
通常，发光有机化合物的基态是单重态。由此，因为起因于单重激发态(S*)的发光是相同的多重性之间的电子跃迁，所以被称为荧光。另一方面，因为起因于三重激发态(T*)的发光是不同的多重性之间的电子跃迁，所以被称为磷光。在此，发射荧光的化合物（以下称为荧光化合物）通常在室温下仅观察到荧光，而观察不到磷光。因此，基于S*：T*=1：3的关系，使用荧光化合物的发光元件中的内量子效率（所产生的光子相对于所注入的载流子的比率）的理论上的极限被认为是25%。
另一方面，如果使用上述磷光化合物，则在理论上可以将内量子效率设定为100%。换言之，可以实现荧光化合物的4倍的发光效率。根据这些理由，为了实现高效率的发光元件，近年来对使用磷光化合物的发光元件的开发积极地进行开发。尤其是，作为磷光化合物，以铱等为中心金属的有机金属配合物因其高磷光量子效率而已受到关注,例如，专利文献1公开了以铱为中心金属的有机金属配合物作为磷光材料。
使用高效率的发光元件的优点是可降低使用该发光元件的电子设备的功耗等。能源问题近来被讨论且功耗正在变成影响消费者购买电子设备种类的主要因素，因此，功耗是非常重要的因素。
现有技术文献
[专利文献1] 国际公开第00/70655号小册子。
发明内容
本发明的一个方式的目的之一是提供能够发射磷光的新颖物质。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供使用该新颖物质的发光元件、发光装置、电子设备或照明装置。
另外，本发明的一个方式的目的之一是提供高发光效率的发光元件。本发明的另一个方式的目的之一是提供高发光效率的发光装置。本发明的另一个方式的目的之一是提供低功耗的电子设备或照明装置。本发明的另一个方式的目的之一是提供长使用寿命的发光元件等。本发明的另一个方式的目的之一是提供高可靠性的发光元件等。
注意，这些课题的记载不妨碍其他课题的存在。此外，本发明的一个方式并不需要同时解决所有上述课题。另外，这些课题之外的课题根据说明书、附图、权利要求书等的记载是显而易见的。
本发明的一个方式的有机金属配合物至少包括铱、铂、钯和铑中的任一种以及包含苯并喹唑啉骨架的配体。具体地，本发明的一个方式是具有以通式（G1）表示的结构的有机金属配合物。
[化学式1]
在通式（G1）中，M表示铱、铂、钯或铑，R1表示取代或未取代的碳数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳数为6至10的芳基，R2至R7分别独立地表示氢或者取代或未取代的碳数为1至6的烷基。
在通式（G1）中，当R2至R7为氢时容易进行合成，所以是优选的。
本发明的一个方式是具有以通式（G3）表示的有机金属配合物。
[化学式2]
在通式（G3）中，M表示铱、铂、钯或铑，R1表示取代或未取代的碳数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳数为6至10的芳基，R2至R7分别独立地表示氢或者取代或未取代的碳数为1至6的烷基，L表示单阴离子配体，当该M为铱或铑时n=2，当该M为铂或钯时n=1。
在通式（G3）中，当R2至R7为氢时容易进行合成，所以是优选的。
在以通式（G3）表示的本发明的一个方式的有机金属配合物中，单阴离子配体优选为具有β-二酮结构的单阴离子双齿螯合配体或者两个配位元素都是氮的单阴离子双齿螯合配体。另外，单阴离子配体优选以通式（L1）或通式（L2）表示。
[化学式3]
在通式（L1）至通式（L2）中，R11至R17分别独立地表示氢或者取代或未取代的碳数为1至6的烷基，A1至A3分别独立地表示氮或者与氢或取代基R键合的碳，该取代基R表示碳数为1至6的烷基或苯基。
本发明的一个方式是以通式（G5）表示的有机金属配合物。
[化学式4]
在通式（G5）中，M表示铱、铂、钯或铑，R1表示取代或未取代的碳数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳数为6至10的芳基，R2至R7分别独立地表示氢或者取代或未取代的碳数为1至6的烷基，当该M为铱或铑时n=2，当该M为铂或钯时n=1。
在通式（G5）中，当R2至R7为氢时容易进行合成，所以是优选的。
另外，本发明的一个方式是一种一对电极之间具有上述有机金属配合物的发光元件。尤其是，优选为一对电极之间具有发光层，其中该发光层含有上述有机金属配合物的发光元件。
本发明的另一个方式是一种具有上述发光元件的发光装置。本发明的另一个方式是一种将该发光装置包含于显示部中的显示装置。本发明的另一个方式是一种将该发光装置包含于照明部中的照明装置。
注意，本说明书中的发光装置包括使用发光元件的图像显示装置。此外，如下模块都可以包括在发光装置中：发光元件安装有连接器诸如各向异性导电薄膜或TCP(Tape Carrier Package：带载封装)的模块；在TCP的端部设置有印刷线路板的模块；通过COG(Chip On Glass：玻璃覆晶封装)方式在发光元件上直接安装有IC(集成电路)的模块：设置有触摸传感器的模块。即，也可以将该模块看作本说明书中的发光装置。
根据本发明的一个方式，可以提供能够发射磷光的新颖物质。根据本发明的一个方式，可以提供使用该新颖物质的发光元件、发光装置、电子设备或照明装置。
附图说明
图1A至图1D是示出发光元件的一个实例的图；
图2A和图2B是示出发光装置的一个实例的图；
图3A至图3C是示出发光装置的一个实例的图；
图4A至图4E是示出电子设备的一个实例的图；
图5A和图5B是示出照明装置的一个实例的图；
图6是以结构式（101）表示的有机金属配合物的1H NMR图；
图7是以结构式（101）表示的有机金属配合物的紫外-可见吸收光谱及发射光谱；
图8是以结构式（101）表示的有机金属配合物的LC/MS分析结果的图；
图9是示出实施例2的发光元件的图；
图10是示出实施例2的发光元件的发射光谱的图；
图11A和图11B是示出发光装置的一个实例的图；
图12A和图12B是示出发光装置的一个实例的图；
图13A至图13E是示出发光装置的一个实例的图；
图14A和图14B是示出触摸传感器的一个实例的图；
图15是说明触摸传感器的电路图；
图16是示出触摸传感器的一个实例的图；
图17是示出显示模块的一个实例的图；
图18是以结构式（118）表示的有机金属配合物的1H NMR图；
图19是以结构式（118）表示的有机金属配合物的紫外-可见吸收光谱及发射光谱；
图20是以结构式（118）表示的有机金属配合物的LC/MS分析结果的图。
具体实施方式
参照附图对实施方式进行详细说明。但是，本发明不局限于以下说明，而所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。注意，在下面说明的发明结构中，在不同的附图中共同使用相同的附图标记来表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反复说明。
实施方式1
在本实施方式中，说明本发明的一个方式的有机金属配合物。
本发明的一个方式的有机金属配合物至少包括铱、铂、钯和铑中的任一种以及包含苯并喹唑啉骨架的配体。
具体地，本发明的一个方式是具有以通式（G1）表示的结构的有机金属配合物。
[化学式5]
在通式（G1）中，M表示铱、铂、钯或铑，R1表示取代或未取代的碳数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳数为6至10的芳基，R2至R7分别独立地表示氢或者取代或未取代的碳数为1至6的烷基。
作为碳原子数为1至6的烷基，可以具体地举出甲基、乙基、n-丙基、异丙基、n-丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、n-己基、n-戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、新戊基、己基、异己基、仲己基、叔己基、新己基、3-甲基戊基、2-甲基戊基、2-乙基丁基、1，2-二甲基丁基以及2，3-二甲基丁基等。
作为碳原子数为6至10的芳基，可以具体地举出未取代的苯基、由1个以上碳数为1至4的烷基取代的苯基、由1个以上碳数为1至4的烷氧基取代的苯基、由1个以上碳数为1至4的烷硫基取代的苯基、由1个以上碳数为6至10的芳基取代的苯基、由1个以上卤素取代的苯基、由1个以上碳数为1至4的卤代烷基取代的苯基、取代或未取代的萘-基等。
本发明的一个方式是具有以通式（G2）表示的结构的有机金属配合物。
[化学式6]
在通式（G2）中，M表示铱、铂、钯或铑，R1表示取代或未取代的碳数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳数为6至10的芳基。
本发明的一个方式是具有以通式（G3）表示的有机金属配合物。
[化学式7]
在通式（G3）中，M表示铱、铂、钯或铑，R1表示取代或未取代的碳数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳数为6至10的芳基，R2至R7分别独立地表示氢或者取代或未取代的碳数为1至6的烷基，L表示单阴离子配体，当该M为铱或铑时n=2，当该M为铂或钯时n=1。
本发明的一个方式是以通式（G4）表示的有机金属配合物。
[化学式8]
在通式（G4）中，M表示铱、铂、钯或铑，R1表示取代或未取代的碳数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳数为6至10的芳基，L表示单阴离子配体，当该M为铱或铑时n=2，当该M为铂或钯时n=1。
在通式（G3）至通式（G4）中，单阴离子配体优选为具有β-二酮结构的单阴离子双齿螯合配体或者两个配位元素都是氮的单阴离子双齿螯合配体。特别优选为具有β-二酮结构的单阴离子双齿螯合配体。通过具有β-二酮结构，有机金属配合物在有机溶剂中的溶解度得到提高而更易于纯化，所以是优选的。另外，通过具有β-二酮结构，可以得到发光效率高的有机金属配合物，所以是优选的。此外，通过具有β-二酮结构，有升华性得到提高且具有优良的蒸镀性能的优点。
或者，在通式（G3）至通式（G4）中，单阴离子双齿螯合配体优选以通式（L1）或通式（L2）表示。
[化学式9]
在通式（L1）至通式（L2）中，R11至R17分别独立地表示氢或者取代或未取代的碳数为1至6的烷基，A1至A3分别独立地表示氮或者与氢或取代基R键合的碳，该取代基R表示碳数为1至6的烷基或苯基。
本发明的一个方式是以通式（G5）表示的有机金属配合物。
[化学式10]
在通式（G5）中，M表示铱、铂、钯或铑，R1表示取代或未取代的碳数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳数为6至10的芳基，R2至R7分别独立地表示氢或者取代或未取代的碳数为1至6的烷基，当该M为铱或铑时n=2，当该M为铂或钯时n=1。
本发明的一个方式是以通式（G6）表示的有机金属配合物。
[化学式11]
在通式（G6）中，M表示铱、铂、钯或铑，R1表示取代或未取代的碳数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳数为6至10的芳基，当该M为铱或铑时n=2，当该M为铂或钯时n=1。
在具有以通式（G1）或通式（G2）表示的结构的有机金属配合物中，当M为铑时，与当M为铱、铂或钯时相比，其分子量小。在具有以通式（G3）至通式（G6）中的任一表示的有机金属配合物中，当M为三价铑时，与当M为三价铱时相比，其分子量小。在具有以通式（G3）至通式（G6）中的任一表示的有机金属配合物中，当M为铂或钯时n=1，所以与当M为铱时相比其分子量小。当本发明的一个方式的有机金属配合物的分子量小时，可以使形成时的蒸镀温度小。
《以通式（G0）表示的苯并喹唑啉衍生物的合成方法》
说明以通式（G0）表示的苯并喹唑啉衍生物的合成方法的一个实例。通过使用取代或未取代的苯并喹唑啉的氯化物可以合成以通式（G0）表示的苯并喹唑啉衍生物。
[化学式12]
在通式（G0）中，R1表示取代或未取代的碳数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳数为6至10的芳基，R2至R7分别独立地表示氢或者取代或未取代的碳数为1至6的烷基。
例如，通过以下所示的简易合成方案（A），可以合成以通式（G0）表示的苯并喹唑啉衍生物。
[化学式13]
可以合成多种上述取代或未取代的苯并喹唑啉的氯化物，所以也可以合成出多种以通式（G0）表示的苯并喹唑啉衍生物。因此，本发明的一个方式的有机金属配合物有其配体的种类丰富的特征。
接着，说明使以通式（G0）表示的苯并喹唑啉衍生物产生邻位金属化反应并合成以通式（G3）、通式（G5）表示的有机金属配合物的方法的一个实例。
《以通式（G3）表示的本发明的一个方式的有机金属配合物的合成方法》
首先，如以下合成方案（B）所示，通过使用无溶剂、单独使用醇类溶剂（甘油、乙二醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇等）或者使用一种以上的醇类溶剂和水的混合溶剂，且在惰性气体气氛下加热以通式（G0）表示的苯并喹唑啉衍生物和包含卤素的金属化合物（氯化钯、氯化铱、溴化铱、碘化铱、四氯铂酸钾等），可以得到作为新颖物质的双核配合物（P），所述双核配合物（P）是一种具有由卤素交联的结构的有机金属配合物。
另外，在本实施方式中所说明的合成方法中，对加热方法没有特别的限制，也可以使用油浴、沙浴或铝块。此外，还可以作为加热方法使用微波。
[化学式14]
在合成方案（B）中，X表示卤素，M表示铱、铂、钯或铑，R1表示取代或未取代的碳数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳数为6至10的芳基，R2至R7分别独立地表示氢或者取代或未取代的碳数为1至6的烷基。当该M为铱或铑时n=2，当该M为铂或钯时n=1。
再者，如下述合成方案（C）所示，在惰性气体气氛下使通过上述合成方案（B）得到的双核配合物（P）和单阴离子配体的原料HL起反应，使得HL的质子脱离而L配位到中心金属M，从而得到以通式（G3）表示的本发明的一个方式的有机金属配合物。
[化学式15]
在合成方案（C）中，X表示卤素，M表示铱、铂、钯或铑，L表示单阴离子配体，R1表示取代或未取代的碳数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳数为6至10的芳基，R2至R7分别独立地表示氢或者取代或未取代的碳数为1至6的烷基。当该M为铱或铑时n=2，当该M为铂或钯时n=1。
《以通式（G5）表示的本发明的一个方式的有机金属配合物的合成方法》
通过以下合成方案（D）可以合成以通式（G5）表示的本发明的一个方式的有机金属配合物。就是说，在将以通式（G0）表示的苯并喹唑啉衍生物与包含卤素的金属化合物（水合氯化铑、氯化钯、氯化铱、溴化铱、碘化铱、四氯铂酸钾等）或有机金属配合物化合物（乙酰丙酮根配合物、二乙硫醚配合物等）混合之后进行加热，从而可以得到以通式（G5）表示的本发明的一个方式的有机金属配合物。此外，也可以在将以通式（G0）表示的苯并喹唑啉衍生物和包含卤素的金属化合物或有机金属配合物化合物溶解在醇类溶剂（甘油、乙二醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇等）中之后进行该加热工序。
[化学式16]
在合成方案（D）中，M表示铱、铂、钯或铑，R1表示取代或未取代的碳数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳数为6至10的芳基，R2至R7分别独立地表示氢或者取代或未取代的碳数为1至6的烷基。当该M为铱或铑时n=2，当该M为铂或钯时n=1。
本发明的一个方式的有机金属配合物的具体结构式示于如下结构式（100）至（120）。注意，本发明不局限于此。
[化学式17]
[化学式18]
[化学式19]
注意，作为以上述结构式（100）至（120）表示的有机金属配合物，根据配体种类可能有立体异构体，但是本发明的一个方式的有机金属配合物包括这些异构体。
本发明的一个方式的有机金属配合物能够发射磷光，且在红色至黄绿色的波长范围内具有宽发射光谱，因此可以将它用作发光材料或发光元件的发光物质。
通过使用本发明的一个方式的有机金属配合物，可以实现具有高发光效率的发光元件、发光装置、电子设备或照明装置。或者，可以实现具有低功耗的发光元件、发光装置、电子设备或照明装置。
通过使用本发明的一个方式的有机金属配合物，可以实现具有高可靠性的发光元件、发光装置、电子设备或照明装置。
本实施方式可以适当地组合其他实施方式所示的结构而使用。
实施方式2
在本实施方式中，参照图1A至图1D说明本发明的一个方式的发光元件。
本发明的一个方式的发光元件具有一对电极之间的本发明的一个方式的有机金属配合物。在本实施方式中，说明如下发光元件：作为发光物质，至少包括铱、铂、钯和铑中的任一种以及包含苯并喹唑啉骨架的配体的有机金属配合物。
《发光元件的结构实例》
图1A所示的发光元件在第一电极201和第二电极205之间包含EL层203。在本实施方式中，第一电极201用作阳极，而第二电极205用作阴极。
当对第一电极201和第二电极205之间施加高于发光元件的阈值电压的电压时，空穴从第一电极201一侧注入EL层203，而电子从第二电极205一侧注入EL层203。被注入的电子和空穴在EL层203中重新结合，由此，包含在EL层203中的发光物质发光。
EL层203至少包括包含发光物质的发光层303。在本实施方式中，下面说明发光层303包含实施方式1所记载的本发明的一个方式的有机金属配合物作为发光物质的情况。
另外，通过在EL层中设置多个发光层且使每个发光层的发光颜色互不相同，发光元件整体可以得到所需颜色的光。例如，通过在具有两个发光层的发光元件中使第一发光层和第二发光层的发光颜色成为互补色，也可以得到发光元件整体发射白色光的发光元件。注意，“互补色”是指当颜色混合时得到非彩色的颜色关系。换言之，通过将从发射处于互补色关系的颜色的光的物质得到的光混合，可以得到白色发光。另外，同样原理可以应用于具有三个以上的发光层的发光元件。注意，具有多个发光层的本发明的一个方式的发光元件既可以采用至少一个发光层包含本发明的一个方式的有机金属配合物的结构，又可以采用所有发光层包含该有机金属配合物的结构。
另外，在EL层203中，作为发光层以外的层，还可以包括包含空穴注入性高的物质、空穴传输性高的物质、电子传输性高的物质、电子注入性高的物质或双极性的物质（电子传输性及空穴传输性高的物质）等的层。作为EL层203既可以使用低分子化合物，也可以使用高分子化合物，并还也可以包含无机化合物。
图1B所示的发光元件在第一电极201和第二电极205之间具有EL层203，在该EL层203中，从第一电极201一侧依次层叠有空穴注入层301、空穴传输层302、发光层303、电子传输层304以及电子注入层305。
如图1C和图1D所示的发光元件，也可以在第一电极201和第二电极205之间层叠有多个EL层。在此情况下，优选在层叠的EL层之间设置有中间层207。中间层207至少包含电荷产生区域。
例如，图1C所示的发光元件在第一EL层203a和第二EL层203b之间具有中间层207。另外，图1D所示的发光元件具有n个EL层（n是2以上的自然数），并在各EL层之间设置有中间层207。
对设置在EL层203（m）和EL层203（m+1）之间的中间层207中的电子和空穴的行为进行说明。当对第一电极201和第二电极205之间施加高于发光元件的阈值电压的电压时，在中间层207中产生空穴和电子，空穴移动到设置在第二电极205一侧的EL层203（m+1），电子移动到设置在第一电极201一侧的EL层203（m）。注入到EL层203（m+1）的空穴与从第二电极205一侧注入的电子重新结合，由此包含在该EL层203（m+1）中的发光物质发光。另外，注入到EL层203（m）的电子与从第一电极201一侧注入的空穴重新结合，由此包含在该EL层203（m）中的发光物质发光。因此，在中间层207中产生的空穴和电子在不同的EL层中发光。
另外，对于使EL层彼此接触的设置，当二者中间形成有与中间层同样的结构时，可以以不隔着中间层而使EL层彼此接触的方式设置。例如，在EL层的一个表面上形成有电荷产生区域的情况下，可以以与该表面接触的方式设置EL层。
另外，通过使每个EL层的发光颜色互不相同，发光元件整体可以得到所需颜色的光。例如，在具有两个EL层的发光元件中，使第一EL层和第二EL层的发光颜色成为互补色，也可以得到发光元件整体发射白色光的发光元件。另外，同样原理可以应用于具有三个以上的EL层的发光元件。
《发光元件的材料》
以下例示出可以用于各层的材料。注意，各层不局限于单层，也可以采用两层以上的叠层。
〈阳极〉
用作阳极的电极（在本实施方式中，第一电极201）可以使用导电性金属、导电性合金、导电性化合物等中的一种或多种而形成。尤其是，优选使用功函数大（4.0eV以上）的材料。例如，可以举出铟锡氧化物（ITO：Indium Tin
Oxide）、含有硅或氧化硅的铟锡氧化物、铟锌氧化物、含有氧化钨及氧化锌的氧化铟、石墨烯、金、铂、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯、钛或金属材料的氮化物（例如氮化钛）等。
另外，当阳极与电荷产生区域接触时，与功函数的大小无关，可以使用各种各样的导电材料。例如，可以使用铝、银、包含铝的合金等。
〈阴极〉
用作阴极的电极（在本实施方式中，第二电极205）可以使用导电性金属、导电性合金、导电性化合物等中的一种或多种而形成。尤其是，优选使用功函数小（3.8eV以下）的材料。例如，可以使用属于元素周期表中第1族或第2族的元素（例如，锂或铯等碱金属、钙或锶等碱土金属、镁等）、包含上述元素的合金（例如，Mg-Ag或Al-Li）、铕或镱等稀土金属、包含上述稀土金属的合金、铝、银等。
另外，当阴极与电荷产生区域接触时，与功函数的大小无关，可以使用各种各样的导电材料。例如，可以使用ITO、含有硅或氧化硅的铟锡氧化物等。
各个电极可以使用真空蒸镀法或溅射法形成。另外，在使用银膏等的情况下，可以使用涂敷法或喷墨法。
〈发光层〉
如上所述，在本实施方式的发光元件中，发光层303包含实施方式1所记载的本发明的一个方式的有机金属配合物作为发光物质。发光层除了该有机金属配合物以外，还可以包含其他化合物。另外，本发明的一个方式的发光元件还可以包括包含该有机金属配合物以外的包含其他化合物的发光层。此时，作为发光物质，可以使用荧光化合物、磷光化合物或呈现热活化延迟荧光的物质。
优选使发光物质（客体材料）分散于主体材料而使用。在发光层中，通过采用将客体材料分散在主体材料中的结构，可以抑制发光层的结晶化。另外，可以抑制由于客体材料的高浓度而导致的浓度猝灭并提高发光元件的发光效率。作为主体材料，可以使用后述的容易接受电子的化合物或容易接受空穴的化合物。
另外，优选主体材料（或者包含在发光层中的客体材料以外的材料）的T1能级高于客体材料的T1能级。这是因为如下缘故：如果主体材料的T1能级低于客体材料的T1能级，则主体材料使有助于发光的客体材料的三重激发态能猝灭（quench），而导致发光效率的降低。
在此，为了提高从主体材料到客体材料的能量转移效率，优选的是，考虑到作为分子之间的能量转移机理而周知的福斯特（Förster）机理（偶极-偶极相互作用）及德克斯特（Dexter）机理（电子交换相互作用），主体材料的发射光谱（涉及由单重激发态的能量转移时为荧光光谱，涉及由三重激发态的能量转移时为磷光光谱）与客体材料的吸收光谱（更详细地说，最长波长（低能量）一侧的吸收带中的光谱）重叠的部分大。
但是，通常难以使主体材料的荧光光谱与客体材料的最长波长（低能量）一侧的吸收带中的吸收光谱重叠。这是因为如下缘故：因为主体材料的磷光光谱位于比荧光光谱长的波长（低能量）一侧，所以如果那样做，则主体材料的T1能级低于磷光化合物的T1能级，而导致上述猝灭的问题。另一方面，为了避免猝灭的问题，当将主体材料的T1能级设定为高于磷光化合物的T1能级时，主体材料的荧光光谱漂移到短波长（高能量）一侧，因此该荧光光谱不与客体材料的最长波长（低能量）一侧的吸收带中的吸收光谱重叠。因此，通常，难以使主体材料的荧光光谱与客体材料的最长波长（低能量）一侧的吸收带中的吸收光谱重叠并最大限度地提高主体材料的由单重激发态的能量转移。
于是，优选在本发明的一个方式的发光元件中，除了磷光化合物和主体材料（分别看作包含在发光层中的第一物质、第二物质）以外，还包含第三物质，主体材料和第三物质优选是形成激基复合物（也称为exciplex）的组合。此时，当在发光层中载流子（电子及空穴）重新结合时，主体材料和第三物质形成激基复合物。由此，在发光层中，使主体材料的荧光光谱及第三物质的荧光光谱转换为位于更长波长一侧的激基复合物的发射光谱。并且，若通过以使激基复合物的发射光谱与客体材料的吸收光谱重叠的部分变大的方式选择主体材料和第三物质，则可以最大限度地提高由单重激发态的能量转移。另外，关于三重激发态，也可以认为产生由激基复合物的能量转移，而不产生由主体材料的能量转移。在适用这种结构的本发明的一个方式中，通过利用激基复合物的发射光谱与磷光化合物的吸收光谱重叠的能量转移，可以提高能量转移效率，因此可以实现外量子效率高的发光元件。
作为客体材料，可以使用本发明的一个方式的有机金属配合物。另外，作为主体材料和第三物质，只要是形成激基复合物的组合即可，但是，优选组合容易接受电子的化合物（电子俘获性化合物）和容易接受空穴的化合物（空穴俘获性化合物）。
作为可以用作主体材料或第三物质的容易接受空穴的化合物，例如有富π电子型杂芳族化合物（例如，咔唑衍生物或吲哚衍生物）或芳香胺化合物。
具体而言，可以举出4-苯基-4'-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）三苯胺（简称：PCBA1BP）、4,4'-二（1-萘基）-4''-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）三苯胺（简称：PCBNBB）、3-[N-（1-萘基）-N-（9-苯基咔唑-3-基）氨基]-9-苯基咔唑（简称：PCzPCN1）、4,4',4''-三[N-（1-萘基）-N-苯基氨基]三苯胺（简称：1'-TNATA）、2,7-双[N-（4-二苯基氨基苯基）-N-苯基氨基]-螺环-9,9'-二芴（简称：DPA2SF）、N,N'-双（9-苯基咔唑-3-基）-N,N'-二苯基苯-1,3-二胺（简称：PCA2B）、N-（9，9-二甲基-2-二苯氨基-9H-芴-7-基）二苯基胺（简称：DPNF）、N，N'，N''-三苯基-N,N',N''-三（9-苯基咔唑-3-基）苯-1,3,5-三胺（简称：PCA3B）、2-[N-（9-苯基咔唑-3-基）-N-苯基氨基]螺环-9,9'-二芴（简称：PCASF）、2-[N-（4-二苯氨基苯基）-N-苯基氨基]螺环-9,9'-二芴（简称：DPASF）、N,N'-双[4-（咔唑-9-基）苯基]-N,N'-二苯基-9，9-二甲基芴-2,7-二胺（简称：YGA2F）、N,N'-双（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺（简称：TPD）、4,4'-双[N-（4-二苯基氨基苯基）-N-苯基氨基]联苯（简称：DPAB）、N-（9,9-二甲基-9H-芴-2-基）-N-｛9，9-二甲基-2-[N'-苯基-N'-（9,9-二甲基-9H-芴-2-基）氨基]-9H-芴-7-基｝苯基胺（简称：DFLADFL）、3-[N-（9-苯基咔唑-3-基）-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑（简称：PCzPCA1）、3,6-双[N-（9-苯基咔唑-3-基）-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑（简称：PCzPCA2）、3-[N-（4-二苯氨基苯基）-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑（简称：PCzDPA1）、3,6-双[N-（4-二苯氨基苯基）-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑（简称：PCzDPA2）、4,4'-双（N-｛4-[N'-（3-甲基苯基）-N'-苯基氨基]苯基｝-N-苯基氨基）联苯（简称：DNTPD）、3,6-双[N-（4-二苯氨基苯基）-N-（1-萘基）氨基]-9-苯基咔唑（简称：PCzTPN2）等。
而且，还可以举出4,4'-双[N-（1-萘基）-N-苯基氨基]联苯（简称：NPB或α-NPD）、4,4',4''-三（N,N-二苯基氨基）三苯胺（简称：TDATA）、4,4',4''-三[N-（3-甲基苯基）-N-苯基氨基]三苯胺（简称：MTDATA）、4,4'-双[N-（螺环-9,9'-联芴-2-基）-N-苯基氨基]联苯（简称：BSPB）、4，4'，4''-三（N-咔唑基）三苯胺（简称：TCTA）、4-苯基-4'-（9-苯基芴-9-基）三苯胺（简称：BPAFLP）、4，4'-双[N-（9，9-二甲基芴-2-基）-N-苯基胺基]联苯（简称：DFLDPBi）等芳香胺化合物；或者4，4'-二（N-咔唑基）联苯（简称：CBP）、9-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑（简称：CzPA）、9-苯基-3-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑（简称：PCzPA）等咔唑衍生物。此外可以举出聚（N-乙烯基咔唑）（简称：PVK）、聚（4-乙烯基三苯胺）（简称：PVTPA）、聚[N-（4-{N'-[4-（4-二苯基氨基）苯基]苯基-N'-苯基氨基}苯基）甲基丙烯酰胺]（简称：PTPDMA）、聚[N,N'-双（4-丁基苯基）-N,N'-双（苯基）联苯胺]（简称：Poly-TPD）等高分子化合物。
作为可以用作主体材料或第三物质的容易接受电子的化合物，例如可以举出诸如含氮杂芳族化合物的缺π电子型杂芳族化合物、具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金属配合物以及具有噁唑基配体或噻唑基配体的金属配合物等。
具体而言，可以举出：双（10-羟基苯并[h]喹啉根）合铍（简称：BeBq2）、双（2-甲基-8-羟基喹啉根）（4-苯基苯酚根）合铝（简称：BAlq）、双（8-羟基喹啉根）合锌（Ⅱ）（简称：Znq）、双[2-（2-羟基苯基）苯并噁唑根]合锌（Ⅱ）（简称：Zn（BOX）2）、双[2-（2-羟基苯基）苯并噻唑根]合锌（Ⅱ）（简称：Zn（BTZ）2）等金属配合物；2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基苯基）-1,3,4-噁二唑（简称：PBD）、3-（4-联苯基）-4-苯基-5-（4-叔丁基苯基）-1,2,4-三唑（简称：TAZ）、1,3-双[5-（对叔丁基苯基）-1,3,4-噁二唑-2-基]苯（简称：OXD-7）、9-[4-（5-苯基-1,3,4-噁二唑-2-基）苯基]-9H-咔唑（简称：CO11）、2,2',2''-（1,3,5-苯三基）三（1-苯基-1H-苯并咪唑）（简称：TPBI）、2-[3-（二苯并噻吩-4-基）苯基]-1-苯基-1H-苯并咪唑（简称：mDBTBIm-Ⅱ）等具有聚唑（polyazole）骨架的杂环化合物；2-[3-（二苯并噻吩-4-基）苯基]二苯并[f,h]喹喔啉（简称：2mDBTPDBq-Ⅱ）、2-[3'-（二苯并噻吩-4-基）联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉（简称：2mDBTBPDBq-Ⅱ）、2-[4-（3，6-二苯基-9H-咔唑-9-基）苯基]二苯并[f，h]喹喔啉（简称：2CzPDBq-III）、7-[3-（二苯并噻吩-4-基）苯基]二苯并[f，h]喹喔啉（简称：7mDBTPDBq-Ⅱ）、6-[3-（二苯并噻吩-4-基）苯基]二苯并[f,h]喹喔啉（简称：6mDBTPDBq-Ⅱ）以及2-[3'-（9H-咔唑-9-基）联苯-3-基]二苯并[f,h]喹喔啉（简称：2mCzBPDBq）等具有喹喔啉骨架或二苯并喹喔啉骨架的杂环化合物；4,6-双[3-（菲-9-基）苯基]嘧啶（简称：4,6mPnP2Pm）、4,6-双[3-（9H-咔唑-9-基）苯基]嘧啶（简称：4,6mCzP2Pm）、4,6-双[3-（4-二苯并噻吩基）苯基]嘧啶（简称：4,6mDBTP2Pm-Ⅱ）等具有二嗪骨架（嘧啶骨架或吡嗪骨架）的杂环化合物；3，5-双[3-（9H-咔唑-9-基）苯基]吡啶（简称：3,5DCzPPy）、1,3,5-三[3-（3-吡啶基）苯基]苯（简称：TmPyPB）、3,3',5,5'-四[（间-吡啶基）-苯（Phen）-3-基]联苯（简称：BP4mPy）等具有吡啶骨架的杂环化合物。其中，具有喹喔啉骨架或二苯并喹喔啉骨架的杂环化合物、具有二嗪骨架的杂环化合物、具有吡啶骨架的杂环化合物具有高可靠性，所以是优选的。
而且，可以举出：三（8-羟基喹啉根）合铝（III）（简称：Alq）、三（4-甲基-8-羟基喹啉根）合铝（III）（简称：Almq3）等具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金属配合物；红菲绕啉（简称：BPhen）、浴铜灵（简称：BCP）、3-（4-叔丁基苯基）-4-（4-乙基苯基）-5-（4-联苯基）-1,2,4-三唑（简称：p-EtTAZ）、4,4'-双（5-甲基苯并噁唑-2-基）二苯乙烯（简称：BzOs）等杂芳族化合物。此外，还可以举出聚（2,5-吡啶二基）（简称：PPy）、聚[（9,9-二己基芴-2,7-二基）-co-（吡啶-3,5-二基）]（简称：PF-Py）、聚[（9,9-二辛基芴-2,7-二基）-co-（2,2'-联吡啶-6,6'-二基）]（简称：PF-BPy）等高分子化合物。
可以用于主体材料和第三物质的材料不局限于上述材料，只要满足以下条件即可：能够形成激基复合物的组合，并且该激基复合物的发射光谱与客体材料的吸收光谱重叠，与客体材料的吸收光谱的峰值相比，该激基复合物的发射光谱的峰值位于长波长一侧。
另外，当形成主体材料和第三物质使用容易接受电子的化合物和容易接受空穴的化合物时，可以根据其混合比控制载流子平衡。具体而言，主体材料和第三物质的比例优选为1：9至9：1。
此外，激基复合物也可以在两层界面中形成。例如，通过层叠包含容易接受电子的化合物的层和包含容易接受空穴的化合物的层，激基复合物被形成在其界面附近形成激基复合物，也可以将该两层用作本发明的一个方式的发光元件中的发光层。在此情况下，磷光化合物添加到该界面附近即可。此外，磷光化合物被添加到两层中的至少一方或双方即可。
〈空穴传输层〉
空穴传输层302是包含空穴传输性高的物质的层。
作为空穴传输性高的物质，只要是空穴传输性高于电子传输性的物质，即可，尤其是，优选使用空穴迁移率为10-6cm2/Vs以上的物质。
作为空穴传输层302，例如可以适用作为可以用于发光层303的物质例示出的容易接受电子的化合物。
此外，也可以使用2-叔丁基-9,10-二（2-萘基）蒽（简称：t-BuDNA）、9,10-二（2-萘基）蒽（简称：DNA）、9,10-二苯基蒽（简称：DPAnth）等芳香烃化合物。
〈电子传输层〉
电子传输层304是包含电子传输性高的物质的层。
作为电子传输性高的物质，只要是电子传输性高于空穴传输性的有机化合物，即可，尤其是，优选使用电子迁移率为10-6cm2/Vs以上的物质。
作为电子传输层304，例如可以适用作为可以用于发光层303的物质例示出的容易接受电子的化合物。
〈空穴注入层〉
空穴注入层301是包含空穴注入性高的物质的层。
作为空穴注入性高的物质，例如可以使用金属氧化物，诸如钼氧化物、钛氧化物、钒氧化物、铼氧化物、钌氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、银氧化物、钨氧化物和锰氧化物等。
此外，也可以使用酞菁（简称：H2Pc）、酞菁铜（Ⅱ）（简称：CuPc）等酞菁类化合物。
此外，可以使用低分子有机化合物、诸如TDATA、MTDATA、DPAB、DNTPD、1,3,5-三[N-（4-二苯基氨基苯基）-N-苯基氨基]苯（简称：DPA3B）、PCzPCA1、PCzPCA2、PCzPCN1等芳香胺化合物。
另外，可以使用PVK、PVTPA、PTPDMA、Poly-TPD等高分子化合物或者聚（3,4-亚乙基二氧噻吩）／聚（苯乙烯磺酸）（PEDOT／PSS）、聚苯胺/聚（苯乙烯磺酸）（PAni/PSS）等添加有酸的高分子化合物。
另外，也可以将空穴注入层301用作电荷产生区域。当将接触于阳极的空穴注入层301用作电荷产生区域时，与功函数无关，可以将各种导电材料用于该阳极。对于构成电荷产生区域的材料，在后面进行说明。
〈电子注入层〉
电子注入层305是包含电子注入性高的物质的层。
作为电子注入性高的物质，例如可以使用锂、铯、钙、氧化锂、碳酸锂、碳酸铯、氟化锂、氟化铯、氟化钙或者氟化铒等碱金属、碱土金属、稀土金属或它们的化合物（氧化物、碳酸盐、卤化物等）。
另外，也可以将电子注入层305用作电荷产生区域。当将接触于阴极的电子注入层305用作电荷产生区域时，与功函数无关，可以将各种导电材料用于该阴极。对于构成电荷产生区域的材料，在后面进行说明。
〈电荷产生区域〉
电荷产生区域既可以对空穴传输性高的有机化合物添加有电子受体（受体）的结构，又可以对电子传输性高的有机化合物添加有电子供体（供体）的结构。此外，也可以层叠这两层。
作为空穴传输性高的有机化合物，例如可以举出上述可以用于空穴传输层的材料，并且作为电子传输性高的有机化合物，例如可以举出上述可以用于电子传输层的材料。
另外，作为电子受体，可以举出7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷（简称：F4-TCNQ）、氯醌等。此外，可以举出过渡金属氧化物。此外，可以举出属于元素周期表中第4族至第8族的金属氧化物。具体而言，优选使用氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰和氧化铼，这是因为它们具有高电子接受性。特别优选使用氧化钼，因为氧化钼在大气中稳定，吸湿性低，容易处理。
另外，作为电子供体，可以使用碱金属、碱土金属、稀土金属、属于元素周期表中第2或第13族的金属及它们的氧化物和碳酸盐。具体而言，优选使用锂、铯、镁、钙、镱、铟、氧化锂、碳酸铯等。此外，也可以将如四硫萘并萘（tetrathianaphthacene）的有机化合物用作电子供体。
此外，构成上述EL层203及中间层207的层都可以通过蒸镀法（包括真空蒸镀法）、转印法、印刷法、喷墨法、涂敷法等的方法形成。
可以使用本实施方式所示的发光元件来制造无源矩阵型发光装置或由晶体管控制发光元件的驱动的有源矩阵型发光装置。另外，可以将该发光装置用于电子设备或照明装置等。
如上所述，在本发明的一个方式的发光元件中，将至少具有铱、铂、钯和铑中的任一种以及包含苯并喹唑啉骨架的配体的有机金属配合物包含在一对电极之间。由此，可以获得发光效率高的发光元件。
本实施方式可以与其他实施方式自由地组合。
实施方式3
在本实施方式中，参照图2A和图2B、图3A至图3C、图11A至图13E对本发明的一个方式的发光装置进行说明。本实施方式的发光装置包含本发明的一个方式的发光元件。因为该发光元件的发光效率高，所以能够实现功耗低的发光装置。
图2A是示出本发明的一个方式的发光装置的平面图，图2B是沿着图2A中的点划线A-B切断的截面图。
图2A和图2B所示的发光装置在由支撑衬底401、密封衬底405以及密封剂407包围的空间415内具备发光元件403。发光元件403是具有底部发射结构的有机EL元件，具体而言，在支撑衬底401上设置有使可见光透过的第一电极421，在第一电极421上设置有EL层423，并且在EL层423上设置有反射可见光的第二电极425。发光元件403是使用本发明的一个方式的发光元件，EL层423包括至少具有铱、铂、钯和铑中的任一种以及包含苯并喹唑啉骨架的配体的有机金属配合物。
第一端子409a与辅助布线417及第一电极421电连接。在第一电极421上的与辅助布线417重叠的区域中设置有绝缘层419。第一端子409a与第二电极425由绝缘层419电绝缘。第二端子409b与第二电极425电连接。另外，在本实施方式中，虽然示出在辅助布线417上形成有第一电极421的结构，但是也可以在第一电极421上形成辅助布线417。
优选在支撑衬底401与大气的界面设置光提取结构411a。通过在大气与支撑衬底401的界面设置光提取结构411a，可以减少因全反射而不能提取到大气中的光，由此可以提高发光装置的光提取效率。
另外，优选在发光元件403与支撑衬底401的界面设置光提取结构411b。当光提取结构411b具有凹凸时，优选在光提取结构411b与第一电极421之间设置平坦化层413。由此，可以将第一电极421形成为平坦的膜，并且可以抑制因第一电极421的凹凸而在EL层423中产生泄漏电流。此外，因为在平坦化层413与支撑衬底401的界面设置有光提取结构411b，所以可以减少因全反射而不能提取到大气中的光，由此可以提高发光装置的光提取效率。
作为光提取结构411a及光提取结构411b的材料，例如，可以使用树脂。另外，作为光提取结构411a及光提取结构411b，也可以使用半球透镜、微透镜阵列、具有凹凸结构的膜或光扩散膜等。例如，将该透镜或该膜通过使用折射率与支撑衬底401、该透镜或该膜相同程度的粘合剂等粘合在支撑衬底401上，可以形成光提取结构411a及光提取结构411b。
平坦化层413的与第一电极421接触的面比平坦化层413的与光提取结构411b接触的面更平坦。作为平坦化层413的材料，可以使用具有透光性及高折射率的材料（例如，折射液体等液状物质、玻璃或树脂等）。
图3A是示出本发明的一个方式的发光装置的平面图，图3B是沿着图3A中的点划线C-D切断的截面图，图3C是示出发光部的变形实例的截面图。
图3A至图3C所示的有源矩阵型发光装置在支撑衬底501上设置有发光部551（其截面是图3B的发光部551a或图3C的发光部551b）、驱动电路部552（栅极侧驱动电路部）、驱动电路部553（源极侧驱动电路部）以及密封材料507。在由支撑衬底501、密封衬底505以及密封材料507形成的空间515中密封有发光部551、驱动电路部552及驱动电路部553。另外，当采用顶部发射结构时，也可以通过在密封衬底505的外侧的面（不与支撑衬底501对置的面）上形成透明导电膜来设置on-cell式的触摸传感器。同样地，当采用底部发射结构时，也可以通过在支撑衬底501的外侧的面（不与密封衬底505对置的面）上形成透明导电膜来设置on-cell式的触摸传感器。
本发明的一个方式的发光装置可以采用分别涂布方式、滤色片方式和颜色转换方式中的任何方式。图3B示出利用滤色片方式制造的发光部551a，图3C示出利用分别涂布方式制造的发光部551b。发光部具有使用本发明的一个方式的发光元件，该发光元件的EL层包括至少具有铱、铂、钯和铑中的任一种以及包含苯并喹唑啉骨架的配体的有机金属配合物。
发光部551a和发光部551b都由多个发光单元形成，该多个发光单元的每一个包括开关晶体管541a、电流控制晶体管541b以及与电流控制晶体管541b的布线（源电极或漏电极）电连接的第二电极525。
发光部551a所具有的发光元件503具有底部发射结构，并由使可见光透过的第一电极521、EL层523以及第二电极525构成。另外，覆盖第一电极521的端部地形成有隔壁519。
发光部551b所具有的发光元件504具有顶部发射结构并包括第一电极561、EL层563和使可见光透过的第二电极565。此外，覆盖第一电极561的端部地形成有隔壁519。在EL层563中，至少由根据发光元件不同的材料构成的层（例如，发光层）被分别涂布。
在支撑衬底501上设置有用来连接外部输入端子的引线517，通过该外部输入端子，将来自外部的信号（例如，视频信号、时钟信号、启动信号或复位信号等）或电位传输到驱动电路部552和驱动电路部553。在此，示出作为外部输入端子设置FPC（Flexible Printed Circuit：柔性印刷电路）509的实例。
驱动电路部552和驱动电路部553包含多个晶体管。在图3B中示出驱动电路部552所具有的晶体管中的两个晶体管（晶体管542及晶体管543）。
为了防止工序数的增加，引线517和用于发光部或驱动电路部的电极或布线优选以同一材料、同一工序制造。在本实施方式中，示出引线517和包括在发光部551及驱动电路部552中的晶体管的源电极和漏电极以同一材料、同一工序制造的实例。
在图3B中，密封材料507与引线517上的第一绝缘层511接触。有时，密封材料507与金属的粘合性低。因此，密封材料507优选与设置在引线517上的无机绝缘膜接触。通过采用这种结构，可以实现密封性和粘合性高、可靠性高的发光装置。作为无机绝缘膜，可以举出金属或半导体的氧化物膜、金属或半导体的氮化物膜、金属或半导体的氧氮化物膜，具体而言，可以举出氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜、氧化钛膜等。
另外，第一绝缘层511具有抑制杂质扩散到构成晶体管的半导体的效果。此外，为了减小起因于晶体管的表面的凹凸，优选作为第二绝缘层513选择具有平坦化功能的绝缘膜。
对用于本发明的一个方式的发光装置的晶体管的结构、材料没有特别的限制，既可以使用顶栅型晶体管，又可以使用反交错型等底栅型晶体管。另外，既可以使用沟道蚀刻型晶体管，又可以使用沟道保护型晶体管。此外，既可以使用n沟道型晶体管，又可以使用p沟道型晶体管。
半导体层可以使用硅或氧化物半导体形成。作为半导体层使用In-Ga-Zn类金属氧化物的氧化物半导体，来形成关态电流（off-state
current）低的晶体管，可以抑制发光元件处于关闭状态时的泄漏电流，因此是优选的。
在图3B所示的密封衬底505中，与发光元件503（的发光区域）重叠的位置上设置有作为着色层的滤色片533，与分隔壁519重叠的位置上设置有黑矩阵531。另外，还设置有覆盖滤色片533及黑矩阵531的保护层535。此外，在图3C所示的密封衬底505上设置有干燥剂506。
图11A是示出本发明的一个方式的发光装置的平面图，图11B是沿着图11A的点划线E-F切断的截面图。
图11A所示的发光装置在第一衬底2001上具有包括发光元件的发光部2002。此外，发光装置具有以围绕发光部2002的外周的方式设置有第一密封剂2005a，以围绕第一密封剂2005a的外周的方式设置有第二密封剂2005b的结构（所谓的双重密封结构）。发光部2002具有使用本发明的一个方式的发光元件，该发光元件的EL层包括至少具有铱、铂、钯和铑中的任一种以及包含苯并喹唑啉骨架的配体的有机金属配合物。
因此，发光部2002配置在由第一衬底2001、第二衬底2006和第一密封剂2005a围绕的空间中。
注意，在本说明书中，第一密封剂2005a和第二密封剂2005b不一定接触第一衬底2001和第二衬底2006。例如，也可以具有形成在第一衬底2001上的绝缘膜或导电膜与第一密封剂2005a接触的结构。
在上述结构中，作为第一密封剂2005a使用包含干燥剂的树脂层，作为第二密封剂2005b使用玻璃层。通过采用上述结构，可以提高抑制来自外部的水分或氧等杂质的侵入的效果（也记载为密封性）。
通过作为第一密封剂2005a使用树脂层，可以抑制作为第二密封剂2005b的玻璃层发生破裂或开裂（以下，也记载为裂缝）。另外，在第二密封剂2005b的密封性不足够的情况下，即使在水分或氧等杂质侵入第一空间2013中时，由于第一密封剂2005a的高密封性，而可以抑制杂质侵入第二空间2011中。因此，可以抑制水分或氧等杂质侵入发光部2002中，而包含在发光元件中的有机化合物或金属材料等劣化。
此外，作为另一个结构，如图11B所示那样，也可以作为第一密封剂2005a使用玻璃层，作为第二密封剂2005b使用包含干燥剂的树脂层。
在发光装置中，越靠向外周部，外力等所导致的应变越大。由此，通过作为外力等所导致的应变较小的第一密封剂2005a使用玻璃层，作为第二密封剂2005b使用具有良好的抗冲击性及良好的耐热性并由于外力等的变形而不容易破坏的树脂层，可以抑制水分或氧等杂质侵入第一空间2013中。
除了上述结构以外，也可以采用第一空间2013或第二空间2011包含用作干燥剂的材料的结构。
当作为第一密封剂2005a或第二密封剂2005b使用玻璃层时，例如可以使用玻璃粉或玻璃带等。注意，玻璃粉或玻璃带至少包含玻璃材料。
当使用玻璃粉形成玻璃层时，例如在衬底上涂敷玻璃粉浆，对其进行加热处理或激光照射等。玻璃粉浆包含玻璃材料、有机溶剂或粘合剂（也称为树脂）。玻璃粉浆料可以使用各种材料及结构。另外，也可以使用对玻璃粉材料添加了吸收激光的波长的光的吸收剂的材料。作为激光器，优选例如使用Nd：YAG激光器或半导体激光器等。进行激光照射时的激光的照射形状也可以圆形或四角形。
此外，所形成的玻璃层的热膨胀系数优选与衬底的热膨胀系数接近。两者的热膨胀系数越近，越可以抑制由于热应力在玻璃层或衬底中产生裂缝。
当作为第一密封剂2005a或第二密封剂2005b使用树脂层时，可以使用紫外线固化树脂等光固化树脂或热固化树脂等各种材料，但是特别优选使用不使水分或氧透过的材料。尤其是，优选使用光固化树脂。发光元件有时包含耐热性低的材料。由于光固化树脂通过光被照射来固化，所以可以抑制在对发光元件进行加热时产生的膜质的变化及有机化合物本身的劣化。
此外，作为上述树脂层、第一空间2013或第二空间2011所包含的干燥剂，可以使用各种材料。作为干燥剂，可以使用通过化学吸附来吸附水分等的物质或者通过物理吸附来吸附水分等的物质。例如，可以举出碱金属的氧化物、碱土金属的氧化物（氧化钙或氧化钡等）、硫酸盐、金属卤化物、高氯酸盐、沸石或硅胶等。
上述第一空间2013和第二空间2011中的一方或双方例如也可以包含稀有气体或氮气体等惰性气体或者有机树脂等。此外，这些空间内处于大气压状态或减压状态。
如上所述，本发明的一个方式所示的发光装置具有作为双重密封结构的可以在内部包含干燥剂的结构，由此可以提高抑制来自外部的水分或氧等杂质的侵入的密封性，该双重密封结构是指第一密封剂2005a和第二密封剂2005b中的一个包括具有良好的生产率或密封性的玻璃层，另一个包括具有良好的抗冲击性或耐热性并不易被由于外力等造成的变形破坏的树脂层的结构。
因此，通过使用本实施方式所示的结构，可以提供一种水分及氧等杂质所导致的发光元件的劣化被抑制的发光装置。
图12A及图12B是示出本发明的一个方式的发光装置的截面图。图12A及图12B所示的发光装置具有多个发光元件。
图12A所示的发光装置3000具有发光元件3020a、发光元件3020b以及发光元件3020c。
在发光装置3000中，在衬底3001上设置有相互被隔开成岛状的下部电极3003a、下部电极3003b、下部电极3003c。可以将下部电极3003a、下部电极3003b、下部电极3003c用作发光元件的阳极。另外，也可以都将反射电极设置在下部电极3003a、下部电极3003b、下部电极3003c之下。另外，也可以在下部电极3003a、下部电极3003b、下部电极3003c上设置透明导电层3005a、透明导电层3005b、透明导电层3005c。优选的是，透明导电层3005a、透明导电层3005b、透明导电层3005c的各厚度根据发射不同颜色的元件而不同。
此外，发光装置3000包括设置在下部电极3003a、下部电极3003b、下部电极3003c之间的分隔壁3007a、分隔壁3007b、分隔壁3007c、分隔壁3007d。
此外，在发光装置3000中，在下部电极3003a、下部电极3003b、下部电极3003c以及分隔壁3007a、分隔壁3007b、分隔壁3007c、分隔壁3007d上设置有空穴注入层3009。在发光装置3000中，在空穴注入层3009上设置有空穴传输层3011。在空穴传输层3011上设置有发光层3013a、发光层3013b、发光层3013c。发光层3013a、发光层3013b、发光层3013c中的至少一个包括至少具有铱、铂、钯和铑中的任一种以及包含苯并喹唑啉骨架的配体的有机金属配合物。
另外，在发光层3013a、发光层3013b、发光层3013c上设置有电子传输层3015。在发光装置3000中，在电子传输层3015上设置有电子注入层3017。在电子注入层3017上设置有上部电极3019。可以将上部电极3019用作发光元件的阴极。
此外，虽然图12A示出将下部电极3003a、下部电极3003b、下部电极3003c用作发光元件的阳极并将上部电极3019用作发光元件的阴极的实例，但也可以调换阴极与阳极的叠层顺序。此时，适当地调换电子注入层、电子传输层、空穴传输层以及空穴注入层的叠层顺序，即可。
图12B所示的发光装置3100包括发光元件3120a、发光元件3120b、发光元件3120c。发光元件3120a、发光元件3120b、发光元件3120c是在下部电极3103a、下部电极3103b、下部电极3103c与上部电极3119之间包括多个发光层的串联型发光元件。
在发光装置3100中，在衬底3101上设置有相互被隔开成岛状的下部电极3103a、下部电极3103b、下部电极3103c。可以将下部电极3103a、下部电极3103b、下部电极3103c用作发光元件的阳极。另外，也可以在下部电极3103a、下部电极3103b上设置透明导电层3105a、透明导电层3105b。优选的是，透明导电层3105a、透明导电层3105b的各厚度根据发射不同颜色的元件而不同。虽然未图示，但也可以在下部电极3103c上设置透明导电层。
此外，发光装置3100包括设置在下部电极3103a、下部电极3103b、下部电极3103c之间的分隔壁3107a、分隔壁3107b、分隔壁3107c、分隔壁3107d。
另外，在发光装置3100中，在下部电极3103a、下部电极3103b、下部电极3103c以及分隔壁3107a、分隔壁3107b、分隔壁3107c、分隔壁3107d上设置有空穴注入层以及空穴传输层3110。
此外，在发光装置3100中，在空穴注入层以及空穴传输层3110上设置有第一发光层3112。另外，在第一发光层3112上隔着电荷产生层3114设置有第二发光层3116。第一发光层3112和第二发光层3116中的至少一个包括至少具有铱、铂、钯和铑中的任一种以及包含苯并喹唑啉骨架的配体的有机金属配合物。
此外，在发光装置3100中，在第二发光层3116上设置有电子传输层以及电子注入层3118。并且，在电子传输层以及电子注入层3118上设置有上部电极3119。可以将上部电极3119用作发光元件的阴极。
此外，虽然图12B示出将下部电极3103a、下部电极3103b、下部电极3103c用作发光元件的阳极并将上部电极3119用作发光元件的阴极的实例，但也可以调换阴极与阳极的叠层顺序。此时，适当地调换电子注入层、电子传输层、空穴传输层以及空穴注入层的叠层顺序，即可。
图13A是示出本发明的一个方式的发光装置的平面图，图13B是沿着图13A的点划线G-H切断的截面图。图13C至图13E是示出本发明的一个方式的发光装置的截面图。
在图13A和图13B所示的发光装置4000中，在衬底4005上设置有发光元件4007。另外，在衬底4005的外侧设置有具有凹凸的衬底4003。发光元件4007包括下部电极4013、EL层4014以及上部电极4015。EL层4014包括至少具有铱、铂、钯和铑中的任一种以及包含苯并喹唑啉骨架的配体的有机金属配合物。
下部电极4013与电极4009电连接，上部电极4015与电极4011电连接。另外，也可以设置与下部电极4013电连接的辅助布线4017。
衬底4005与密封衬底4019由密封剂4021粘合。另外，优选在密封衬底4019与发光元件4007之间设置有干燥剂4023。
由于衬底4003具有如图13A所示那样的凹凸，因此可以提高取出在发光元件4007中产生的光的效率。另外，如图13C所示的发光装置4001那样，也可以在衬底4025的外侧设置扩散板4027代替衬底4003。
图13D及图13E示出顶部发射型发光装置。
在图13D所示的发光装置4100中，在衬底4125上设置有发光元件4107。发光元件4107包括下部电极4113、EL层4114以及上部电极4115。
下部电极4113与电极4109电连接，上部电极4115与电极4111电连接。另外，也可以设置与上部电极4115电连接的辅助布线4117。另外，也可以在辅助布线4117下设置绝缘层4131。
衬底4125与具有凹凸的密封衬底4103由密封剂4121粘合。另外，也可以在密封衬底4103与发光元件4107之间设置平坦化膜4105以及阻挡膜4129。
由于密封衬底4103具有如图13D所示那样的凹凸，因此可以提高取出在发光元件4107中产生的光的效率。另外，如图13E所示的发光装置4101那样，也可以在发光元件4107上设置扩散板4127代替密封衬底4103。
本实施方式可以与其他的实施方式适当地组合。
实施方式4
在本实施方式中，使用图14A至图17说明可以与本发明的一个方式的发光装置组合的触摸传感器及显示模块。
图14A是示出触摸传感器4500的结构实例的分解斜视图，图14B是示出触摸传感器4500的电极的结构实例的平面图。
在图14A和图14B所示的触摸传感器4500中，在衬底4910上形成有在X轴方向上排列的多个导电层4510、在与X轴方向交叉的Y轴方向上排列的多个导电层4520。在图14A和图14B中，分离而示出触摸传感器4500的形成有多个导电层4510的平面图和形成有多个导电层4520的平面图。
图15是图14A和图14B所示的触摸传感器4500中的导电层4510与导电层4520的交叉部分的等效电路图。如图15所示那样，在导电层4510与导电层4520交叉的部分形成电容4540。
导电层4510、导电层4520具有多个四边形状的导电膜彼此连接的结构。以导电膜的四边形状的部分的位置不重叠的方式配置有多个导电层4510及多个导电层4520。在导电层4510与导电层4520交叉的部分处，在其间设置有绝缘膜，以防止导电层4510和导电层4520接触。
图16是图14A和图14B所示的触摸传感器4500的导电层4510（导电层4510a、导电层4510b和导电层4510c）与导电层4520交叉的部分的截面图。
如图16所示那样，导电层4510由第一层的导电层4510a和导电层4510b以及绝缘层4810上的第二层的导电层4510c构成。导电层4510a和导电层4510b通过导电层4510c连接。导电层4520使用第一层的导电膜形成。以覆盖导电层4510、导电层4520以及电极4710的方式形成绝缘层4820。作为绝缘层4810、绝缘层4820，例如形成氧氮化硅膜即可。此外，也可以在衬底4910与导电层4510以及电极4710之间形成由绝缘膜而成的基底膜。作为基底膜，例如可以形成氧氮化硅膜。
导电层4510和导电层4520由对可见光具有透光性的导电材料形成。例如，作为具有透光性的导电材料，有包含氧化硅的氧化铟锡、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、添加有镓的氧化锌等。
导电层4510a与电极4710连接。电极4710构成与FPC的连接用端子。导电层4520也与导电层4510相同地连接到其他电极4710。电极4710例如可以使用钨膜形成。
以覆盖导电层4510、导电层4520和电极4710的方式形成绝缘层4820。为了使电极4710与FPC电连接，在电极4710上的绝缘层4810及绝缘层4820中形成有开口。在绝缘层4820上，由粘合剂或胶膜等粘合有衬底4920。通过使用粘合剂或胶膜使衬底4910一侧设置在显示面板的滤色片衬底上，构成触摸面板。
接着，使用图17说明可以使用本发明的一个方式的发光装置的显示模块。
图17所示的显示模块8000在上部外壳8001和下部外壳8002之间包括连接到FPC8003的触摸面板8004、连接到FPC8005的显示面板8006、背光灯单元8007、框架8009、印刷衬底8010和电池8011。
根据触摸面板8004及显示面板8006的尺寸，可以适当地改变上部外壳8001及下部外壳8002的形状或尺寸。
可以使电阻膜方式或静电容量方式的触摸面板重叠于显示面板8006来使用触摸面板8004。另外，也可以使显示面板8006的对置衬底（密封衬底）具有触摸面板功能。也可以在显示面板8006的各像素内设置光传感器，而用作光学触摸面板。
背光灯单元8007具有光源8008。例如，也可以采用在背光灯单元8007的端部配置光源8008，而且使用光扩散板的结构。
框架8009除了具有保护显示面板8006的功能以外，还具有用来遮断因印刷衬底8010的工作而产生的电磁波的电磁屏蔽的功能。此外，框架8009也可以具有散热板的功能。
印刷衬底8010具有用来输出电源电路、视频信号及时钟信号的信号处理电路。将电力供应到电源电路的电源可以是外部的商业电源或另行设置的电池8011的电源。当使用商业电源时，可以省略电池8011。
此外，在显示模块8000中也可以还设置偏振片、相位差板、棱镜片等的构件。
本实施方式可以与其他实施方式适当地组合而实施。
实施方式5
在本实施方式中，参照图4A至图5B对使用应用本发明的一个方式的发光元件来制造的发光装置的电子设备及照明装置的一个实例进行说明。
本实施方式中的电子设备在其显示部中具有本发明的一个方式的发光装置。此外，本实施方式中的照明装置在其发光部（照明部）中具有本发明的一个方式的发光装置。通过应用本发明的一个方式的发光装置，可以实现低功耗的电子设备及照明装置。
作为应用发光装置的电子设备，例如可以举出电视装置（也称为电视或电视接收机）、用于计算机等的显示器、数码相机、数码摄像机、数码相框、移动电话机（也称为移动电话、移动电话装置）、便携式游戏机、便携式信息终端、音频回放装置、弹珠机等的大型游戏机等。图4A至图5B示出这些电子设备及照明装置的具体实例。
图4A示出电视装置的一个实例。在电视装置7100中，框体7101组装有显示部7102。在显示部7102上能够显示影像。可以将应用本发明的一个方式的发光装置用于显示部7102。此外，在此示出利用支架7103支撑框体7101的结构。
可以通过利用框体7101所具备的操作开关、另外提供的遥控操作机7111进行电视装置7100的操作。通过利用遥控操作机7111所具备的操作键，可以进行频道及音量的操作，并可以对在显示部7102上显示的图像进行操作。此外，也可以采用在遥控操作机7111中设置显示从该遥控操作机7111输出的信息的显示部的结构。
另外，电视装置7100采用具备接收机及调制解调器等的结构。可以通过利用接收机接收一般的电视广播。再者，通过调制解调器将电视装置7100连接到有线或无线方式的通信网络，从而进行单向（从发送者到接收者）或双向（发送者和接收者之间或接收者之间等）的信息通信。
图4B示出计算机的一个实例。计算机7200包括主体7201、框体7202、显示部7203、键盘7204、外部连接端口7205、指向装置7206等。此外，该计算机是通过将本发明的一个方式的发光装置用于其显示部7203来制造的。
图4C示出便携式游戏机的一个实例。便携式游戏机7300包括框体7301a和框体7301b的两个框体，并且通过连接部7302可以开闭地连接。框体7301a组装有显示部7303a，而框体7301b组装有显示部7303b。此外，图4C所示的便携式游戏机具备扬声器部7304、记录介质插入部7305、操作键7306、连接端子7307、传感器7308（包括测定如下因素的功能：力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、转动数、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、斜率、振动、气味或红外线）、LED灯、麦克风等。当然，便携式游戏机的结构不局限于上述结构，只要在显示部7303a及显示部7303b的双方或一方中使用本发明的一个方式的发光装置，即可。此外，还可以采用适当地设置其他辅助设备的结构。图4C所示的便携式游戏机具有如下功能：读出储存在记录介质中的程序或数据并将其显示在显示部上；以及通过与其他便携式游戏机进行无线通信而实现信息共享。另外，图4C所示的便携式游戏机的功能不局限于此，而可以具有各种各样的功能。
图4D示出移动电话机的一个实例。移动电话机7400除了组装在框体7401中的显示部7402之外还具备操作按钮7403、外部连接端口7404、扬声器7405、麦克风7406等。另外，移动电话机7400是通过将本发明的一个方式的发光装置用于显示部7402来制造的。
图4D所示的移动电话机7400可以用手指等触摸显示部7402来输入信息。此外，可以用手指等触摸显示部7402来进行打电话或制作电子邮件的操作。
显示部7402的屏幕主要有如下三个模式：第一是以图像显示为主的显示模式；第二是以文字等信息输入为主的输入模式；第三是混合显示模式与输入模式的两个模式的显示+输入模式。
例如，在打电话或制作电子邮件的情况下，将显示部7402设定为以文字输入为主的输入模式，并进行显示在屏幕上的文字的输入操作，即可。
另外，通过在移动电话机7400内部设置具有陀螺仪传感器和加速度传感器等检测倾斜度的传感器的检测装置，判断移动电话机7400的方向（纵向或横向），而可以对显示部7402的屏幕显示进行自动切换。
此外，通过触摸显示部7402或对框体7401的操作按钮7403进行操作，切换屏幕模式。也可以根据显示在显示部7402上的图像种类切换屏幕模式。例如，当显示在显示部上的图像信号为动态图像的数据时，将屏幕模式切换成显示模式，而当显示在显示部上的图像信号为文字数据时，将屏幕模式切换成输入模式。
另外，当在输入模式下通过检测出显示部7402的光传感器所检测的信号得知在一定期间内没有显示部7402的触摸操作输入时，也可以控制为将屏面模式从输入模式切换成显示模式。
还可以将显示部7402用作图像传感器。例如，通过用手掌或手指触摸显示部7402，来拍摄掌纹、指纹等，而可以进行身份识别。此外，通过在显示部中使用发射近红外光的背光灯或发射近红外光的感测光源，也可以拍摄手指静脉、手掌静脉等。
图4E示出能够进行对折的平板终端(打开状态)的一个实例。平板终端7500包括框体7501a、框体7501b、显示部7502a、显示部7502b。框体7501a和框体7501b由轴部7503彼此连接，并且可以以该轴部7503为轴进行开闭动作。此外，框体7501a包括电源7504、操作键7505、扬声器7506等。另外，将本发明的一个方式的发光装置用于显示部7502a和显示部7502b中的一方或双方来制造该平板终端7500。
在显示部7502a及显示部7502b中，可以将其至少一部分用作触摸面板的区域，并且可以通过按触所显示的操作键来输入数据。例如，可以使显示部7502a的整个面显示键盘按钮来将其用作触摸面板，并且将显示部7502b用作显示画面。
图5A所示的室内照明装置7601、卷动型(roll-type)照明装置7602、台式照明装置7603以及面状照明装置7604都是使用本发明的一个方式的发光装置的照明装置的一个实例。由于本发明一个实施方式的发光装置可具有较大的面积，因此它可用作具有大面积的照明装置。另外，因为其厚度薄，所以可以将其安装在墙上而使用。
图5B所示的台式照明装置包括照明部7701、支柱7703、支架7705等。在照明部7701中使用本发明的一个方式的发光装置。在本发明的一个方式中，可以实现发光部具有曲面的照明装置或包括具有柔性的照明部的照明装置。如上所述，通过将具有柔性的发光装置用于照明装置，不但提高照明装置的设计的自由度，而且可以将照明装置设置在例如汽车的天花板上和仪表板上等具有曲面的地方。
本实施方式可以与其他的实施方式适当地组合。
实施例1
（合成实例1）
说明下述结构式（101）所示的双[4-(2,5-二甲基苯基) 苯并[h] 喹唑啉-10-基-κC，κN] (2,2’,6,6’-四甲基-3,5-庚二酮根-κ2O,O’)合铱(III)（简称：[Ir(dmpbqn)2(dpm)]）的合成方法。
[化学式20]
<步骤1；5，6-二氢苯并[h]喹唑啉的合成>
将16.8g（115 mmol）的α-四氢萘酮、31.8g（250mmol）的N，N'，N''-次甲基三甲酰胺以及35mL的甲酰胺放入500mL的三口烧瓶中。对该混合物添加1.2g（6.2mmol）的p-甲苯磺酸-水合物，在氮气流下且在160℃的温度下搅拌9小时。在搅拌之后，将该反应物注入到2N氢氧化钠水溶液，搅拌30分钟。在搅拌之后，添加己烷而使有机层和水层分离，使用水对有机层进行洗涤两次。在洗涤之后，对有机层添加无水硫酸镁以进行干燥。对所得到的混合物进行自然过滤，并浓缩滤液，以40%的收率得到8.5g的白色固体。通过核磁共振法(NMR)，确认到获得的白色固体为5，6-二氢苯并[h]喹唑啉。下面示出步骤1的合成方案（a-1）。
[化学式21]
<步骤2；苯并[h]喹唑啉的合成>
将步骤1得到的8.5g（35.1mmol）的5，6-二氢苯并[h]喹唑啉分为两批，每批为4.3g，在如下条件下进行反应。将4.3g（23.3mmol）的5，6-二氢苯并[h]喹唑啉及1.5g（46.6mmol）的硫（结晶）加入反应容器中，在氮气流下且在235℃的温度下搅拌2小时。在结束反应之后，对两批反应溶液添加氯仿及水而使有机层和水层分离，使用饱和碳酸氢钠水溶液及饱和食盐水对有机层进行洗涤。在洗涤之后，对有机层添加无水硫酸镁以进行干燥。对所得到的混合物进行自然过滤，并浓缩滤液，得到黄色固体。通过硅胶柱层析纯化得到的固体。作为展开溶剂，使用己烷：乙酸乙酯＝5：1的混合溶剂。浓缩所获得的馏分而获得黄色固体。对该固体添加己烷，进行自然过滤。浓缩所得到的滤液，以73%的收率得到6.1g的黄色固体。通过NMR，确认到获得的黄色固体为苯并[h]喹唑啉。下面示出步骤2的合成方案（a-2）。
[化学式22]
<步骤3：苯并[h]喹唑啉-4（3H）-酮的合成>
将步骤2中合成的4.1g（22.8mmol）的苯并[h]喹唑啉及30mL的冰醋酸放入300mL的茄形烧瓶中，搅拌两个物质。对该混合溶液添加使50g（91.2mmol）的醋酸铵铈（Ⅳ）溶解于137mL的水的混合溶液，在室温下搅拌1小时。在经过规定时间之后，对沉淀物进行抽滤，获得棕色固体。对该固体添加300mL的乙酸乙酯，使用热板进行加热而进行自然过滤，而去除杂质。对得到的滤液添加无水硫酸镁进行干燥。对所得到的混合物进行自然过滤，并浓缩滤液，得到黄色固体。对该黄色固体添加饱和碳酸氢钠水溶液，照射超声波，进行抽滤，以得到0.92g的黄色固体。
另外，蒸馏而去除第一次的抽滤而获得的滤液的醋酸。使用乙酸乙酯萃取得到的液体，并用饱和碳酸氢钠水溶液和饱和食盐水对得到的萃取溶液进行洗涤。在洗涤之后，对有机层添加无水硫酸镁以进行干燥。对所得到的混合物进行自然过滤，并浓缩滤液，得到黄色固体。对得到的固体添加乙酸乙酯，照射超声波，进行抽滤，以得到1.3g的黄色固体。该黄色固体与之前得到的黄色固体加起来，以49%的收率得到2.2g的黄色固体。通过NMR，确认到获得的黄色固体为苯并[h]喹唑啉-4（3H）-酮。下面示出步骤3的合成方案（a-3）。
[化学式23]
<步骤4：4-氯苯并[h]喹唑啉的合成>
将步骤3中合成的2.2g（11.2mmol）的苯并[h]喹唑啉-4（3H）-酮及20mL的磷酰氯放入100mL的三口烧瓶中，在氮气流下且在100℃的温度下进行加热5小时。在减压下蒸馏从该混合物去除磷酰氯。将得到的残渣溶解于乙酸乙酯，对饱和碳酸氢钠水溶液逐渐添加该溶液。使该混合物的水层和有机层分离，使用乙酸乙酯萃取水层中的有机物。将得到的萃取溶液和有机层合并，使用饱和碳酸氢钠水溶液及饱和食盐水进行洗涤。在进行洗涤之后，对有机层添加无水硫酸镁以进行干燥，对所得到的混合物进行自然过滤，而获得滤液。浓缩获得的滤液以得到固体。通过硅胶柱层析纯化该固体。作为展开溶剂，使用己烷：乙酸乙酯＝2：1的混合溶剂。浓缩所得到的馏分，以73%的收率得到1.7g的黄色固体。通过NMR，确认到获得的黄色固体为4-氯苯并[h]喹唑啉。下面示出步骤4的合成方案（a-4）。
[化学式24]
<步骤5：4-（2，5-二甲基苯基）苯并[h]喹唑啉的合成>
将步骤4中合成的1.9g（8.7mmol）的4-氯苯并[h]喹唑啉、2.0g（13mmol）的2，5-二甲基苯基硼酸、1.4g（13mmol）的碳酸钠、0.072g（0.102mmol）的双（三苯基膦）二氯化钯（Ⅱ）、20mL的乙腈及20mL的水放入100mL的圆底烧瓶中，用氩气置换烧瓶内部的空气。对该反应容器照射2小时的微波（2.45GHz、100W），而使其起反应。此外，使用微波合成装置（CEM公司制造，Discover）照射微波。对得到的反应混合物添加水，使用二氯甲烷萃取水层。使用饱和碳酸氢钠水溶液及饱和食盐水对得到的萃取溶液进行洗涤，并对有机层添加无水硫酸镁以进行干燥。对所得到的混合物进行自然过滤，并浓缩滤液，以得到油状物。通过硅胶柱层析纯化所得到的油状物。作为展开溶剂，使用己烷：乙酸乙酯＝10：1的混合溶剂。浓缩所得到的馏分，以74%的收率得到1.8g的黄色油状物。通过NMR，确认到获得的黄色油状物为4-（2，5-二甲基苯基）苯并[h]喹唑啉。下面示出步骤5的合成方案（a-5）。
[化学式25]
<步骤6：二-μ-氯-四[4-（2，5-二甲基苯基）苯并[h]喹唑啉]-10-基-κC，κN] 二铱（III）（简称：[Ir（dmpbqn）2Cl]2）的合成>
将步骤5中合成的1.8g（6.4mmol）的4-（2，5-二甲基苯基）苯并[h]喹唑啉、0.896 g（3.0 mmol）的氯化铱-水合物、20 mL的2-乙氧基乙醇及5mL的水放入100mL的圆底烧瓶中，用氩气置换烧瓶内部的空气。对该反应容器照射1小时的微波（2.45GHz、100W），而使其起反应。在进行反应之后，浓缩反应溶液得到固体。对该固体添加乙醇照射超音波，进行抽滤，而以81%的收率得到1.9g的棕色固体。下面示出步骤6的合成方案（a-6）。
[化学式26]
<步骤7： [Ir（dmpbqn）2（dpm）]）的合成>
将30 mL的2-乙氧基乙醇、1.0g（0.63mmol）的[Ir（dmpbqn）2Cl]、 0.35g（1.9mmol）的二新戊酰基甲烷及0.67g（6.3mmol）的碳酸钠放入100mL的圆底烧瓶中，用氩气置换烧瓶内部的空气。对该反应容器照射2小时的微波（2.45GHz、120W），而使其起反应。在进行反应之后，对得到的反应混合物添加水，使用二氯甲烷萃取水层。使用饱和食盐水对得到的萃取溶液进行洗涤，并对有机层添加无水硫酸镁以进行干燥。对所得到的混合物进行自然过滤，得到滤液。浓缩该滤液，得到红色油状物。通过硅胶柱层析纯化所得到的油状物。作为展开溶剂，使用己烷：乙酸乙酯＝10：1的混合溶剂。浓缩所得到的馏分，得到红色固体。对所得到的固体添加乙醇并使该固体溶解，然后添加水，而析出固体。对所得到的固体进行抽滤，而以61%的收率得到0.73g的红色固体。下面示出步骤7的合成方案（a-7）。
[化学式27]
下面示出利用1H-NMR（核磁共振法）对通过上述步骤7获得的红色固体进行分析的结果。另外，图6示出1H NMR图。由此可知，在本合成实例中可以获得[Ir（dmpbqn）2（dpm）]。
1HNMR.δ(CDCl3):0.86 (brs,18H), 2.17 (brs,6H), 2.46 (s,6H), 5.62
(s,1H), 6.64 (brs,2H), 7.13 (t,2H), 7.24-7.39 (m,10H), 7.78 (d,2H), 9.35(s,2H)。
接着，对[Ir（dmpbqn）2（dpm）]的二氯甲烷溶液的紫外可见吸收光谱（以下，简单地称为吸收光谱）及发射光谱进行测量。在吸收光谱的测量中，使用紫外可见分光光度计（日本分光株式会社制造的V550型），将二氯甲烷溶液（0.085mmol/L）放在石英皿中，并在室温下进行测量。此外，在发射光谱的测量中，使用荧光光度计（日本滨松光子学株式会社（Hamamatsu Photonics K.K.)制造的FS920），将脱气的二氯甲烷溶液（0.085mmol/L）放在石英皿中，在室温下进行。图7示出所得到的吸收光谱及发射光谱的测量结果。横轴表示波长，而纵轴表示吸收强度及发光强度。注意，图7所示的吸收光谱表示从将二氯甲烷溶液（0.085mmol/L）放在石英皿而进行测量的吸收光谱减去只将二氯甲烷放在石英皿而进行测量的吸收光谱来得到的结果。
如图7所示，在[Ir（dmpbqn）2（dpm）]的发射光谱在602nm具有发光峰值，从二氯甲烷溶液观察到橙色发光。
接着，利用液相层析质谱分析（Liquid Chromatography
Mass Spectrometry（简称：LC/MS分析））对通过本实施例得到的[Ir（dmpbqn）2（dpm）]进行质量（MS）分析。
在LC/MS分析中，使用Waters(沃特世)Corration制造的Acquity UPLC及Waters Corporation制造的Xevo G2 Tof MS。
在MS分析中，通过电喷雾电离法(ElectroSpray Ionization（简称：ESI)）进行离子化。此时，将毛细管电压设定为3.0kV，将样品锥孔电压设定为30V，并且以正模式（positive mode）进行检测。将以上述条件被离子化了的m/z＝943.36的成分在碰撞室（collision cell）内碰撞到氩气体来使其离解为子离子。将氩碰撞时的能量（碰撞能量）设定为30eV。另外，将所检测的质量范围设定为m/z=100至1200。图8示出利用飞行时间质谱（TOF）型MS检测被解离的子离子的结果。
从图8的结果可知，在[Ir（dmpbqn）2（dpm）]中，主要在m/z＝759.21附近检测出子离子。另外，图8所示的结果表示来源于[Ir（dmpbqn）2（dpm）]的特征，因此是在鉴定混合物所包含的[Ir（dmpbqn）2（dpm）]方面的重要数据。
另外，m/z＝759.21附近的子离子推定为处于
[Ir（dmpbqn）2（dpm）]中的二新戊酰基甲烷脱离的状态的阳离子，这意味着[Ir（dmpbqn）2（dpm）]包含二新戊酰基甲烷。
实施例2
在本实施例中，参照图9说明本发明的一个方式的发光元件。以下示出本实施例中使用的材料的化学式。
[化学式28]
下面，示出本实施例的发光元件1的制造方法。
（发光元件1）
首先，在玻璃衬底1100上通过溅射法形成包含氧化硅的铟锡氧化物（ITSO）膜，以形成第一电极1101。另外，将其厚度设定为110nm，且将其电极面积设定为2mm×2mm。在此，第一电极1101用作发光元件的阳极。
接着，作为用来在玻璃衬底1100上形成发光元件的预处理，在用水洗涤衬底1100表面并在200℃下进行焙烧1小时之后，对该玻璃衬底1100进行UV臭氧处理370秒。
然后，将玻璃衬底1100放进到真空蒸镀装置中，其内部被减压到10-4Pa左右。在真空蒸镀装置内的加热室中，在170℃下进行30分钟的真空焙烧，然后使玻璃衬底1100冷却30分钟左右。
接着，以使形成有第一电极1101的面朝下的方式将形成有第一电极1101的玻璃衬底1100固定在设置在真空蒸镀装置内的衬底支架上，并将压力降低到10-4Pa左右，然后在第一电极1101上通过使用电阻加热的蒸镀法共蒸镀4,4',4''-（1,3,5-苯三基）三（二苯并噻吩）（简称：DBT3P-Ⅱ）和氧化钼（Ⅵ），从而形成空穴注入层1111。将空穴注入层1111的厚度设定为20nm，将DBT3P-Ⅱ与氧化钼的重量比调节为4:2（＝DBT3P-Ⅱ:氧化钼）。另外，共蒸镀法是指在一个处理室中从多个蒸发源同时进行蒸镀的蒸镀法。
接着，在空穴注入层1111上形成厚度为20nm的4-苯基-4'-（9-苯基芴-9-基）三苯胺（简称：BPAFLP）的膜，来形成空穴传输层1112。
而且，共蒸镀2-[3-（二苯并噻吩-4-基）苯基]二苯并[f,h]喹喔啉（简称：2mDBTPDBq-Ⅱ）、4,4'-双[N-（1-萘基）-N-苯基氨基]联苯（简称：NPB）以及双[4-(2,5-二甲基苯基) 苯并[h]喹唑啉-10-基-κC，κN] (2,2’,6,6’-四甲基-3,5-庚二酮根-κ2O,O’)合铱(III)（简称：[Ir(dmpbqn)2(dpm)]），来在空穴传输层1112上形成发光层1113。在此，以将2mDBTPDBq-Ⅱ、NPB和[Ir(dmpbqn)2(dpm)]的重量比调节为0.8:0.2:0.01（＝2mDBTPDBq-Ⅱ: NPB: [Ir(dmpbqn)2(dpm)]）的方式形成发光层。另外，以发光层1113的厚度为40nm的方式形成。
接着，通过在发光层1113上形成厚度为20nm的2mDBTPDBq-Ⅱ的膜并形成厚度为20nm的红菲绕啉（简称：BPhen）的膜，形成电子传输层1114。
然后，在电子传输层1114上以1nm的厚度蒸镀氟化锂（LiF）,来形成电子注入层1115。
最后，作为用作阴极的第二电极1103通过以200nm的厚度蒸镀铝来制造本实施例的发光元件1。
此外，作为上述过程中的蒸镀，都采用电阻加热法。
表1示出通过上述步骤得到的本实施例中的发光元件的元件结构。
[表1]
在氮气气氛的手套箱中，以不使发光元件暴露于大气的方式使用玻璃衬底密封发光元件1，然后，对发光元件1的工作特性进行测量。另外，在室温（保持为25℃的气氛）下进行测量。
表2示出亮度为900cd/m2时的发光元件1的电压(V)、电流密度(mA/cm2)、CIE色度坐标(x,y)、电流效率(cd/A)、功率效率(lm/W)以及外量子效率(%)。
[表2]
从表2可知，发光元件1是驱动电压低且电流效率及外量子效率高的发光元件。
另外，如表2所示，亮度为900cd/m2时的发光元件1的CIE色度坐标为（x，y）＝（0.54，0.45）。由此可知，发光元件1可以获得来源于[Ir(dmpbqn)2(dpm)]的橙色发光。
此外，图10示出以2.5mA/cm2的电流密度使电流流过发光元件1时的发射光谱。如图10所示，发光元件1的发射光谱在578nm附近具有发光峰值。从此可知，也意味着发光元件1的发光来源于发光层1113所包含的[Ir(dmpbqn)2(dpm)]的发光。
实施例3
（合成实例2）
说明下述结构式（118）所示的双[4-异丁基苯并[h]喹唑啉-10-基-κC，κN] (2,4-戊二酮根-κ2O，O’）合铱（III）（简称：Ir（iBubqn）2（acac））的合成方法。
[化学式29]
<步骤1；4-异丁基苯并[h]喹唑啉的合成>
将0.53g（2.5mmol）的4-氯苯并[h]喹唑啉、52mg（0.148mmol）的三（2,4-戊二酮根）铁（III）（简称：Fe（acac）3）、25mL的脱水四氢呋喃（THF）及2.0mL的1-甲基-2-吡咯烷酮（NMP）放入100mL的三口烧瓶中，用氩气置换烧瓶内部的空气。在用冰冷却烧瓶之后，对该烧瓶添加2.6mL的异丁镁溴化物（1M THF溶液）（简称：iBuMgBr），并且在室温下搅拌16小时。然后，在该溶液中加1M盐酸，使用乙酸乙酯萃取有机层。使用饱和碳酸氢钠水溶液及饱和食盐水对得到的萃取溶液进行洗涤，并使用硫酸镁进行干燥。在洗涤之后，对有机层添加无水硫酸镁以进行干燥。对所得到的混合物进行自然过滤，并浓缩滤液，得到残渣。通过硅胶柱层析纯化所得到的残渣。作为展开溶剂，首先使用二氯甲烷。然后，使用二氯甲烷：乙酸乙酯＝10：1的混合溶剂。浓缩所得到的滤液，以24%的收率得到0.14g的橙色油状物。下面示出步骤1的合成方案（b-1）。
[化学式30]
<步骤2：二-μ-氯-四[4-异丁基苯并[h]喹唑啉-10-基-κC，κN] 二铱（III）（简称：[Ir（iBubqn）2Cl]2）的合成>
将0.14g（0.59mmol）的4-异丁基苯并[h]喹唑啉、0.088g（0.30mmol）的氯化铱-水合物、15 mL的2-乙氧基乙醇及5mL的水放入100mL的圆底烧瓶中，用氩气置换烧瓶内部的空气。对该反应容器照射１小时的微波（2.45GHz、100W），而使其起反应。在进行反应之后，浓缩反应溶液得到固体。对该固体添加二氯甲烷及水而使有机层和水层分离，使用饱和食盐水对有机层进行洗涤。在洗涤之后，对有机层添加无水硫酸镁以进行干燥。对所得到的混合物进行自然过滤，并浓缩滤液，以72%的收率得到0.15g的橙色固体。下面示出步骤2的合成方案（b-2）。
[化学式31]
<步骤3：[Ir（iBubqn）2（acac）]的合成>
将30 mL的2-乙氧基乙醇、0.15g（0.11mmol）的[Ir（iBubqn）2Cl]2、0.074g（0.74mmol）的乙酰丙酮及0.16g（1.5mmol）的碳酸钠放入100mL的圆底烧瓶中，用氩气置换烧瓶内部的空气。对该反应容器照射1小时的微波（2.45GHz、120W），而使其起反应。在进行反应之后，浓缩反应溶液得到固体。对该固体添加二氯甲烷及水而使有机层和水层分离，使用饱和食盐水对有机层进行洗涤。在洗涤之后，对有机层添加无水硫酸镁以进行干燥。浓缩该滤液，得到固体。通过硅胶柱层析纯化所得到的固体。作为展开溶剂，使用二氯甲烷：乙酸乙酯＝20：1的混合溶剂。浓缩所得到的馏分，以30%的收率得到50mg的黄色固体。下面示出步骤3的合成方案（b-3）。
[化学式32]
下面示出利用1H-NMR对通过上述步骤3获得的黄色固体进行分析的结果。另外，图18示出1H NMR图。由此可知，在本合成实例中可以获得[Ir（iBubqn）2（acac）]。
1H-NMR.δ(CDCl3): 1.13 (d,12H), 1.80 (s,6H), 2.45-2.52 (m,2H),
3.33-3.42 (m,4H), 5.32 (s,1H), 6.34 (d,2H), 7.03 (t,2H), 7.26-7.28
(m,2H),7.76-7.82 (m,4H), 9.31 (s,2H)。
接着，对[Ir（iBubqn）2（acac）]的二氯甲烷溶液的紫外可见吸收光谱（以下，简单地称为吸收光谱）及发射光谱进行测量。测定方法与实施例1相同。图19示出所得到的吸收光谱及发射光谱的测量结果。横轴表示波长，而纵轴表示吸收强度及发光强度。注意，图19所示的吸收光谱表示从将二氯甲烷溶液（0.085mmol/L）放在石英皿而进行测量的吸收光谱减去只将二氯甲烷放在石英皿而进行测量的吸收光谱来得到的结果。
如图19所示，在[Ir（iBubqn）2（acac）]的发射光谱在569nm具有发光峰值，从二氯甲烷溶液观察到黄色发光。
接着，通过LC/MS分析，对本实施例中所得到的[Ir（iBubqn）2（acac）]进行质量分析。
将以与实施例1相同的条件被离子化了的m/z＝762.25的成分在碰撞室（collision cell）内碰撞到氩气体来使其离解为子离子。将氩碰撞时的能量（碰撞能量）设定为30eV。另外，将所检测的质量范围设定为m/z=100至1200。图20示出利用飞行时间质谱（TOF）型MS检测被解离的子离子的结果。
从图20的结果可知，在[Ir（iBubqn）2（acac）]中，主要在m/z＝663.21附近检测出子离子。另外，图20所示的结果表示来源于[Ir（iBubqn）2（acac）]的特征，由此可以说是在鉴别混合物所包含的[Ir（iBubqn）2（acac）]方面的重要的数据。
另外，m/z＝663.21附近的子离子推定为处于
[Ir（iBubqn）2（acac）]中的乙酰丙酮脱离的状态的阳离子，这意味着[Ir（iBubqn）2（acac）]包含乙酰丙酮。
符号说明
201 第一电极
203 EL层
203a 第一EL层
203b 第二EL层
205 第二电极
207 中间层
301 空穴注入层
302 空穴传输层
303 发光层
304 电子传输层
305 电子注入层
401 支撑衬底
403 发光元件
405 密封衬底
407 密封剂
409a 第一端子
409b 第二端子
411a 光提取结构
411b 光提取结构
413 平坦化层
415 空间
417 辅助布线
419 绝缘层
421 第一电极
423 EL层
425 第二电极
501 支撑衬底
503 发光元件
504 发光元件
505 密封衬底
506 干燥剂
507 密封材料
509 FPC
511 绝缘层
513 绝缘层
515 空间
517 布线
519 分隔壁
521 第一电极
523 EL层
525 第二电极
531 黑矩阵
533 滤色片
535 保护层
541a 晶体管
541b 晶体管
542 晶体管
543 晶体管
551 发光部
551a 发光部
551b 发光部
552 驱动电路部
553 驱动电路部
561 第一电极
563 EL层
565 第二电极
1100 玻璃衬底
1101 第一电极
1103 第二电极
1111 空穴注入层
1112 空穴传输层
1113 发光层
1114 电子传输层
1115 电子注入层
2001 第一衬底
2002 发光部
2005a 第一密封剂
2005b 第二密封剂
2006 第二衬底
2011 第二空间
2013 第一空间
3000 发光装置
3001 衬底
3003a 下部电极
3003b 下部电极
3003c 下部电极
3005a 透明导电层
3005b 透明导电层
3005c 透明导电层
3007a 分隔壁
3007b 分隔壁
3007c 分隔壁
3007d 分隔壁
3009 空穴注入层
3011 空穴传输层
3013a 发光层
3013b 发光层
3013c 发光层
3015 电子传输层
3017 电子注入层
3019 上部电极
3020a 发光元件
3020b 发光元件
3020c 发光元件
3100 发光装置
3101 衬底
3103a 下部电极
3103b 下部电极
3103c 下部电极
3105a 透明导电层
3105b 透明导电层
3107a 分隔壁
3107b 分隔壁
3107c 分隔壁
3107d 分隔壁
3110 空穴传输层
3112 发光层
3114 电荷产生层
3116 发光层
3118 电子注入层
3119 上部电极
3120a 发光元件
3120b 发光元件
3120c 发光元件
4000 发光装置
4001 发光装置
4003 衬底
4005 衬底
4007 发光元件
4009 电极
4011 电极
4013 下部电极
4014 EL层
4015 上部电极
4017 辅助布线
4019 密封衬底
4021 密封剂
4023 干燥剂
4025 衬底
4027 扩散板
4100 发光装置
4101 发光装置
4103 密封衬底
4105 平坦化膜
4107 发光元件
4109 电极
4111 电极
4113 下部电极
4114 EL层
4115 上部电极
4117 辅助布线
4121 密封剂
4125 衬底
4127 扩散板
4129 阻挡膜
4131 绝缘层
4500 触摸传感器
4510 导电层
4510a 导电层
4510b 导电层
4510c 导电层
4520 导电层
4540 电容
4710 电极
4810 绝缘层
4820 绝缘层
4910 衬底
4920 衬底
7100 电视装置
7101 框体
7102 显示部
7103 支架
7111 遥控操作机
7200 计算机
7201 主体
7202 框体
7203 显示部
7204 键盘
7205 外部连接端口
7206 指向装置
7300 便携式游戏机
7301a 框体
7301b 框体
7302 连接部
7303a 显示部
7303b 显示部
7304 扬声器部
7305 记录介质插入部
7306 操作键
7307 连接端子
7308 传感器
7400 移动电话机
7401 框体
7402 显示部
7403 操作按钮
7404 外部连接端口
7405 扬声器
7406 麦克风
7500 平板终端
7501a 框体
7501b 框体
7502a 显示部
7502b 显示部
7503 轴部
7504 电源
7505 操作键
7506 扬声器
7601 照明装置
7602 照明装置
7603 台式照明装置
7604 面状照明装置
7701 照明部
7703 支柱
7705 支架
8000 显示模块
8001 上部外壳
8002 下部外壳
8003 FPC
8004 触摸面板
8005 FPC
8006 显示面板
8007 背光灯单元
8008 光源
8009 框架
8010 印刷衬底
8011 电池。
Claims (26)
1.一种包括金属及包含苯并喹唑啉骨架的配体的化合物。
2.根据权利要求1所述的化合物，
其中：
所述配体以化学式（G0）表示：
；
R1表示取代或未取代的碳数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳数为6至10的芳基，
并且R2至R7分别独立地表示氢或者取代或未取代的碳数为1至6的烷基。
3.根据权利要求2所述的化合物，
其中：
所述化合物具有以化学式（G1）表示的结构：
；
并且M表示金属。
4.根据权利要求2或3所述的化合物，其中所述金属选自铱、铂、钯和铑。
5.根据权利要求3所述的化合物，其中所述结构以化学式（G2）表示：
。
6.根据权利要求2所述的化合物，
其中：
所述化合物以化学式（G3）表示：
；
M表示金属，
并且L表示单阴离子配体。
7.根据权利要求6所述的化合物，其中所述化合物以化学式（G4）表示：
。
8.根据权利要求6所述的化合物，其中所述单阴离子配体是具有β-二酮结构的单阴离子双齿螯合配体或者两个配位元素都是氮的单阴离子双齿螯合配体。
9.根据权利要求8所述的化合物，
其中：
所述所述单阴离子配体以化学式（L1）或化学式（L2）表示：
；
R11至R17分别独立地表示氢或者取代或未取代的碳数为1至6的烷基，
A1至A3分别独立地表示氮或者与氢或取代基R键合的碳，
并且该取代基R表示碳数为1至6的烷基或苯基。
10.根据权利要求2所述的化合物，
其中：
所述化合物以化学式（G5）表示：
；
并且M表示金属。
11.根据权利要求6或10所述的化合物，
其中：
所述金属选自铱、铂、钯和铑，
当M表示铱或铑时n为2，
并且当M表示铂或钯时n为1。
12.根据权利要求10所述的化合物，其中所述化合物以化学式（G6）表示：
。
13.一种发光装置，包括：
一对电极之间的发光层，所述发光层包括含有金属及包含苯并喹唑啉骨架的配体的化合物。
14.根据权利要求13所述的发光装置，
其中：
所述配体以化学式（G0）表示：
；
R1表示取代或未取代的碳数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳数为6至10的芳基，
并且R2至R7分别独立地表示氢或者取代或未取代的碳数为1至6的烷基。
15.根据权利要求14所述的发光装置，
其中：
所述化合物具有以化学式（G1）表示的结构：
；
并且M表示金属。
16.根据权利要求14或15所述的发光装置，其中所述金属选自铱、铂、钯和铑。
17.根据权利要求15所述的发光装置，其中所述结构以化学式（G2）表示：
。
18.根据权利要求14所述的发光装置，
其中：
所述化合物以化学式（G3）表示：
；
M表示金属，
并且L表示单阴离子配体。
19.根据权利要求18所述的发光装置，其中所述化合物以化学式（G4）表示：
。
20.根据权利要求18所述的发光装置，其中所述单阴离子配体是具有β-二酮结构的单阴离子双齿螯合配体或者两个配位元素都是氮的单阴离子双齿螯合配体。
21.根据权利要求20所述的发光装置，
其中：
所述所述单阴离子配体以化学式（L1）或化学式（L2）表示：
；
R11至R17分别独立地表示氢或者取代或未取代的碳数为1至6的烷基，
A1至A3分别独立地表示氮或者与氢或取代基R键合的碳，
并且该取代基R表示碳数为1至6的烷基或苯基。
22.根据权利要求14所述的发光装置，
其中：
所述化合物以化学式（G5）表示：
；
并且M表示金属。
23.根据权利要求18或22所述的发光装置，
其中：
所述金属选自铱、铂、钯和铑，
当M表示铱或铑时n为2，
并且当M表示铂或钯时n为1。
24.根据权利要求22所述的发光装置，其中所述化合物以化学式（G6）表示：
。
25.一种包括根据权利要求13所述的发光装置的电子设备。
26.一种包括根据权利要求13所述的发光装置的照明装置。
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