CN105713045A - 有机金属配合物、发光元件、发光装置、电子设备及照明装置 - Google Patents

有机金属配合物、发光元件、发光装置、电子设备及照明装置 Download PDF

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Abstract

作为一种新颖物质，提供发光效率及耐热性良好的呈现黄绿色发光的有机金属配合物。一种具有由如下通式（G1）表示的结构的有机金属配合物，其包括金属和配体，配体为苯并[h]喹唑啉骨架，苯并[h]喹唑啉骨架具有通过共有苯并[h]喹唑啉的5位与6位的碳-碳键而形成的稠环，并且苯并[h]喹唑啉骨架与金属键合。式中，M表示属于第9族或第10族的金属。R1至R4分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳原子数为6至10的芳基，R5表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的苯基。另外，环X表示取代或未取代的由碳或碳及氮形成的六元芳环。

Description

有机金属配合物、发光元件、发光装置、电子设备及照明装置
技术领域
本发明的一个方式涉及一种有机金属配合物。尤其是，本发明的一个方式涉及一种能够将三重态激发能转换成发光的有机金属配合物。另外，本发明的一个方式涉及一种使用有机金属配合物的发光元件、发光装置、电子设备及照明装置。
注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本发明的一个方式涉及一种工序（process）、机器（machine）、产品（manufacture）或组合物（compositionofmatter）。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的一个例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、蓄电装置、存储装置、摄像装置、这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。
背景技术
近年来，对利用电致发光（Electroluminescence：EL）的发光元件的研究开发日益火热。这种发光元件的基本结构是在一对电极之间夹有包含发光物质的层（EL层）。通过对这种元件施加电压，可以得到来自发光物质的发光。
由于上述发光元件是自发光型发光元件，所以使用该发光元件的显示装置具有良好的可见度、不需要背光源及耗电量低等优点。此外，使用上述发光元件的显示装置还具有能够被制造得薄且轻以及响应速度快等优点。
在将有机金属配合物用于发光物质且在一对电极之间设置有含有该有机金属配合物的EL层的有机EL元件中，通过对一对电极之间施加电压，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到发光性的EL层中，而形成电流。另外，被注入的电子与空穴复合而使该有机金属配合物成为激发态，由此可以从被激发的该有机金属配合物获得发光。
作为由有机金属配合物形成的激发态的种类，可以举出单重激发态（S1）和三重激发态（T1），来自于单重激发态的发光被称为荧光，而来自于三重激发态的发光被称为磷光。此外，在发光元件中，单重激发态和三重激发态的统计学上的生成比被认为是S1:T1＝1:3。
此外，在上述有机金属配合物中，能够将单重态激发能转换成发光的化合物被称为荧光化合物（荧光材料），能够将三重态激发能转换成发光的化合物被称为磷光化合物（磷光材料）。
因此，基于S1：T1＝1：3的关系，使用荧光材料的发光元件中的内部量子效率（所产生的光子相对于所注入的载流子的比例）的理论上的极限被认为是25%，而使用磷光材料的发光元件中的内部量子效率的理论上的极限被认为是75%。
因此，与使用荧光材料的发光元件相比，使用磷光材料的发光元件可以获得更高的发光效率。因此，近年来，对能够将三重态激发能转换为发光的磷光材料的研究开发日益火热。尤其是，以铱等为中心金属的有机金属配合物由于其高磷光量子产率而备受关注。例如，专利文献1及专利文献2中作为磷光材料公开了一种以铱等为中心金属的有机金属配合物。
[专利文献1]日本专利申请公开第2013-053158号公报
[专利文献2]日本专利申请公开第2008-069221号公报。
发明内容
虽然如在上述专利文献1及专利文献2中所公开地已对呈现各种发光颜色的磷光材料进行了研究开发，但是期望更高效率的新颖的有机金属配合物的开发。
于是，本发明的一个方式的目的之一是提供一种可发射磷光的新颖的有机金属配合物。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种可发射蓝绿色至黄绿色的磷光的新颖的有机金属配合物。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有高发光效率的新颖的有机金属配合物。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种耐热性良好的新颖的有机金属配合物。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种使用该新颖的有机金属配合物的发光元件、发光装置、电子设备或照明装置。
另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种发光效率高的发光元件、发光装置、电子设备或照明装置。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的发光元件、发光装置、电子设备或照明装置。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种耗电量低的发光元件、发光装置、电子设备或照明装置。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的发光元件、发光装置、电子设备或照明装置。
注意，这些目的的记载并不妨碍其他目的的存在。本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。另外，从说明书、附图、权利要求书等的记载中可明显看出这些目的以外的目的，而可以从说明书、附图、权利要求书等的记载中抽出这些目的以外的目的。
本发明的一个方式是一种有机金属配合物，其包括：属于第9族或第10族的金属；以及苯并[h]喹唑啉骨架。其中，苯并[h]喹唑啉骨架具有共有苯并[h]喹唑啉的5位与6位的碳-碳键而形成的稠环结构，并且苯并[h]喹唑啉骨架与金属键合。
另外，本发明的另一个方式是一种有机金属配合物，其包括：属于第9族或第10族的金属；第一配体；以及第二配体。其中，第一配体为苯并[h]喹唑啉骨架，苯并[h]喹唑啉骨架具有共有苯并[h]喹唑啉的5位与6位的碳-碳键而形成的稠环，第二配体是具有β-二酮结构的单阴离子双齿螯合配体、具有羧基的单阴离子双齿螯合配体、具有酚羟基的单阴离子双齿螯合配体或者两个配体元素都是氮的单阴离子双齿螯合配体，作为第一配体的上述苯并[h]喹唑啉骨架与金属键合，第二配体与金属键合。
此外，本发明的另一个方式是一种包括以下述通式（G1）表示的结构的有机金属配合物。
在通式（G1）中，M表示属于第9族或第10族的金属，R1至R4分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳原子数为6至10的芳基，R5表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的苯基。另外，环X表示取代或未取代的碳或氮形成的六元芳环。
此外，本发明的另一个方式是以下述通式（G2）表示的有机金属配合物。
在通式（G2）中，M表示属于第9族或第10族的金属，L表示单阴离子配体，R1至R4分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳原子数为6至10的芳基，R5表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的苯基。另外，环X表示取代或未取代的碳或氮形成的六元芳环。另外，当M表示属于第9族的金属时，m表示3，n表示1至3，当M表示属于第10族的金属时，m表示2，n表示1或2。
在通式（G2）中，单阴离子配体是具有β-二酮结构的单阴离子双齿螯合配体、具有羧基的单阴离子双齿螯合配体、具有酚羟基的单阴离子双齿螯合配体或两个配体元素都是氮的单阴离子双齿螯合配体。尤其是，当单阴离子配体是具有β-二酮结构的单阴离子双齿螯合配体时，由于具有β-二酮结构，有机金属配合物在有机溶剂中的溶解度得到提高而容易进行纯化，因此是优选的。另外，通过具有β-二酮结构，可以得到发光效率高的有机金属配合物，所以是优选的。此外，通过具有β-二酮结构，具有升华性得到提高且蒸镀能力良好的优点。
另外，在上述各结构中，单阴离子配体优选为通式（L1）至通式（L7）中的任一个。因为这些配体的配位能力高且价格低，所以是有用的。
注意，在通式中，R71至R109分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基、卤基、乙烯基、取代或未取代的碳原子数为1至6的卤代烷基、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷氧基或者取代或未取代的碳原子数为1至6的烷硫基。此外，A1至A3分别独立地表示氮、与氢键合的sp2杂化碳或者具有取代基的sp2杂化碳，该取代基表示碳原子数为1至6的烷基、卤基、碳原子数为1至6的卤代烷基或苯基。
此外，本发明的另一个方式是以下述通式（G3）表示的有机金属配合物。
在通式（G3）中，R1至R4及R6及R7分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳原子数为6至10的芳基，R5表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的苯基。另外，环X表示取代或未取代的碳或氮形成的六元芳环。
此外，本发明的另一个方式是以下述通式（G4）表示的有机金属配合物。
在通式（G4）中，R1至R4分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳原子数为6至10的芳基，R5表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的苯基。另外，环X表示取代或未取代的碳或氮形成的六元芳环。
此外，本发明的另一个方式是以下述结构式（100）表示的有机金属配合物。
此外，本发明的另一个方式是以下述结构式（101）表示的有机金属配合物。
此外，本发明的另一个方式是以下述结构式（104）表示的有机金属配合物。
此外，本发明的另一个方式是以下述结构式（114）表示的有机金属配合物。
另外，在根据本发明的一个方式的有机金属配合物中，由于作为环金属化配体的苯并[h]喹唑啉骨架具有共有苯并[h]喹唑啉的5位与6位的碳-碳键而形成的稠环，耐热性得到提高而具有较高的可靠性。另外，将具有通过共有苯并[h]喹唑啉的5位与6位的碳-碳键而形成的稠环的结构作为配体的本发明的一个方式的有机金属配合物，由于具有该稠环，共轭扩展被抑制，发光波长被短波长化而可以得到高效率的蓝绿色至黄绿色的发光。
此外，本发明的一个方式的有机金属配合物可发射磷光，即能够从三重激发态得到发光，所以通过将其应用于发光元件，可以实现高效率化，所以是非常有效的。因此，本发明的一个方式也包括使用本发明的一个方式的有机金属配合物的发光元件。
此外，本发明的一个方式不仅包括具有发光元件的发光装置，而且还包括具有发光装置的照明装置。因此，本说明书中的发光装置是指图像显示装置或光源（包括照明装置）。另外，发光装置有时还包括如下模块：在发光装置中安装有连接器诸如FPC（Flexibleprintedcircuit：柔性印刷电路）或TCP（TapeCarrierPackage：载带封装）的模块；在TCP端部中设置有印刷线路板的模块；或者IC（集成电路）通过COG（ChipOnGlass：玻璃上芯片）方式直接安装在发光元件上的模块。
根据本发明的一个方式可以提供一种可发射磷光的新颖的有机金属配合物。另外，可以提供一种高发光效率的新颖的有机金属配合物。另外，可以提供一种耐热性高的新颖的有机金属配合物。另外，可以提供一种可发射蓝绿色至黄绿色的磷光的新颖的有机金属配合物。另外，可以提供一种使用该新颖的有机金属配合物的发光装置、电子设备或照明装置。
另外，可以提供一种发光效率高的发光元件、发光装置、电子设备或照明装置。另外，可以提供一种可靠性高的发光元件、发光装置、电子设备或照明装置。另外，可以提供一种耗电量低的发光元件、发光装置、电子设备或照明装置。另外，可以提供一种新颖的有机金属配合物。另外，可以提供一种新颖的发光元件、发光装置、电子设备或照明装置。
注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。此外，本发明的一个方式并不需要具有所有上述效果。另外，从说明书、附图、权利要求书等的记载中可明显看出这些效果以外的效果，而可以从说明书、附图、权利要求书等的记载中抽出这些效果以外的效果。
附图说明
图1是说明发光元件的结构的图；
图2A和图2B是说明发光元件的结构的图；
图3A至图3C是说明发光装置的图；
图4A至图4D2是说明电子设备的图；
图5A至图5C是说明电子设备的图；
图6A至图6D是说明照明装置的图；
图7是说明照明装置的图；
图8A和图8B是示出触摸面板的一个例子的图；
图9A和图9B是示出触摸面板的一个例子的图；
图10A和图10B是示出触摸面板的一个例子的图；
图11A和图11B是触摸传感器的方框图及时序图；
图12是触摸传感器的电路图；
图13A和图13B是示出结构式（500）及结构式（600）所示的有机金属配合物的自旋密度分布的图；
图14A和图14B是示出结构式（500）及结构式（600）所示的有机金属配合物的C-C键位置的图；
图15是结构式（100）所示的有机金属配合物的1H-NMR图；
图16是结构式（100）所示的有机金属配合物的紫外-可见吸收光谱及发射光谱；
图17是示出结构式（100）所示的有机金属配合物的LC-MS测定结果的图；
图18是结构式（101）所示的有机金属配合物的1H-NMR图；
图19是结构式（101）所示的有机金属配合物的紫外-可见吸收光谱及发射光谱；
图20是示出结构式（101）所示的有机金属配合物的LC-MS测定结果的图；
图21是结构式（104）所示的有机金属配合物的1H-NMR图；
图22是结构式（104）所示的有机金属配合物的紫外-可见吸收光谱及发射光谱；
图23是示出结构式（114）所示的有机金属配合物的EI-MS测定结果的图；
图24是说明发光元件的图；
图25是示出发光元件1的电压-亮度特性的图；
图26是示出发光元件1的亮度-电流效率特性的图；
图27是示出发光元件1的发射光谱的图；
图28是示出发光元件2的电压-亮度特性的图；
图29是示出发光元件2的亮度-电流效率特性的图；
图30是示出发光元件2的发射光谱的图；
图31是示出发光元件2的可靠性的图。
具体实施方式
下面，参照附图对实施方式进行详细说明。但是，本发明不局限于以下说明，而所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是，其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。
另外，根据情况或状况，可以互相调换“膜”和“层”。例如，有时可以将“导电层”更换为“导电膜”。此外，有时可以将“绝缘膜”更换为“绝缘层”。
实施方式1
在本实施方式中，对本发明的一个方式的有机金属配合物进行说明。
本发明的一个方式的有机金属配合物包括金属与配体，其中配体为苯并[h]喹唑啉骨架，苯并[h]喹唑啉骨架具有共有苯并[h]喹唑啉的5位与6位的碳-碳键而形成的稠环，并且苯并[h]喹唑啉骨架与金属键合。另外，在本实施方式中说明的有机金属配合物的一个方式是具有以下述通式（G1）表示的结构的有机金属配合物。
在通式（G1）中，M表示属于第9族或第10族的金属，R1至R4分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳原子数为6至10的芳基，R5表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的苯基。另外，环X表示取代或未取代的碳或氮形成的六元芳环。
另外，在本实施方式中说明的有机金属配合物的一个方式是具有以下述通式（G2）表示的结构的有机金属配合物。
在通式（G2）中，M表示属于第9族或第10族的金属，L表示单阴离子配体，R1至R4分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳原子数为6至10的芳基，R5表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的苯基。另外，环X表示取代或未取代的碳或氮形成的六元芳环。另外，当M表示属于第9族的金属时，m表示3，n表示1至3，当M表示属于第10族的金属时，m表示2，n表示1或2。
在通式（G2）中，单阴离子配体是具有β-二酮结构的单阴离子双齿螯合配体、具有羧基的单阴离子双齿螯合配体、具有酚羟基的单阴离子双齿螯合配体或两个配体元素都是氮的单阴离子双齿螯合配体。尤其是，当单阴离子配体是具有β-二酮结构的单阴离子双齿螯合配体时，由于具有β-二酮结构，有机金属配合物在有机溶剂中的溶解度得到提高而容易进行纯化，因此是优选的。
具体而言，单阴离子配体优选为通式（L1）至通式（L7）中的任一个。
注意，在通式中，R71至R109分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基、卤基、乙烯基、取代或未取代的碳原子数为1至6的卤代烷基、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷氧基或者取代或未取代的碳原子数为1至6的烷硫基。此外，A1至A3分别独立地表示氮、与氢键合的sp2杂化碳或者具有取代基的sp2杂化碳，该取代基表示碳原子数为1至6的烷基、卤基、碳原子数为1至6的卤代烷基或苯基。
另外，本发明的一个方式的有机金属配合物在苯并[h]喹唑啉骨架中具有稠环。像这样，通过使苯并[h]喹唑啉骨架具有稠环，可以提高有机金属配合物的耐热性，当将其用于发光元件时，可以提高元件的可靠性。另外，通过含有苯并[h]喹唑啉骨架可以提高发光效率。另外，通过本发明的一个方式的有机金属配合物，可以得到发光效率高的蓝绿色至黄绿色发光材料。
此外，本发明的另一个方式是以下述通式（G4）表示的有机金属配合物。
在通式（G4）中，R1至R4分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳原子数为6至10的芳基，R5表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的苯基。另外，环X表示取代或未取代的碳或氮形成的六元芳环。
此外，作为上述通式（G1）、（G2）、（G4）中的R1至R5的碳原子数为1至6的烷基的具体例子，可以举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、新戊基、己基、异己基、仲己基、叔己基、新己基、3-甲基戊基、2-甲基戊基、2-乙基丁基、1，2-二甲基丁基以及2，3-二甲基丁基等。
接着，示出上述本发明的一个方式的有机金属配合物的具体结构式（下述结构式（100）至（119））。注意，本发明不局限于此。
另外，以上述结构式（100）至（119）表示的有机金属配合物是可发射磷光的新颖物质。此外，作为这些物质，根据配体的种类可能有几何异构体和立体异构体，但是本发明的一个方式的有机金属配合物包括所有这些异构体。
接着，对本发明的一个方式的有机金属配合物的合成方法的一个例子进行说明。
《以通式（G0）表示的喹唑啉衍生物的合成方法》
首先，对以如下通式（G0）表示的喹唑啉衍生物的合成方法的一个例子进行说明。
在通式（G0）中，R1至R4分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳原子数为6至10的芳基，R5表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的苯基。另外，环X表示取代或未取代的碳或氮形成的六元芳环。
由通式（G0）表示的喹唑啉衍生物可以通过如下简单的合成方案A或（A’）合成。如以下合成方案A所示，通过使嘧啶化合物（A1）与氧化剂或酸或者与氧化剂以及酸发生反应获得。
或者，如以下合成方案（A’）所示，可以通过使卤化嘧啶化合物（A1’）与锡化合物双耦合（doublecoupling）来获得。另外，在合成方案（A’）中，Q表示卤素。
由于各种上述化合物（A1）,（A1'）均有市售或可合成，因此可以合成多种由通式（G0）表示的喹唑啉衍生物。因此，本发明的一个方式的有机金属配合物的配体的种类丰富。
《通式（G2）表示的本发明的一个方式的有机金属配合物的合成方法》
接着，对由通式（G2）表示的本发明的一个方式的有机金属配合物的合成方法的一个例子进行说明。首先，如以下合成方案（B-1）所示，通过在惰性气体气氛下对由通式（G0）表示的喹唑啉衍生物和含有卤素的金属化合物（氯化钯、氯化铱、溴化铱、碘化铱、四氯铂酸钾等）进行加热，可以得到作为新颖物质的双核配合物（P），该双核配合物（P）是一种具有由卤素交联的结构的有机金属配合物。另外，上述反应可以使用醇类溶剂（甘油、乙二醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇等）或者一种以上的醇类溶剂和水的混合溶剂。对加热方法没有特别的限制，也可以使用油浴、沙浴或铝块。此外，还可以作为加热单元使用微波。另外，在合成方案（B-1）中，M表示属于第9族或第10族的金属。此外，当M是属于第9族的金属时，n＝2，当M是属于第10族的金属时，n＝1。
在合成方案（B-1）中，Q表示卤素，R1至R4分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳原子数为6至10的芳基，R5表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的苯基。另外，环X表示取代或未取代的碳或氮形成的六元芳环。另外，当M表示属于第9族的金属时，n表示2，当M表示属于第10族的金属时，n表示1。
再者，如下述合成方案（B-2）所示，通过在惰性气体气氛下对通过上述合成方案（B-1）得到的双核配合物（P）和单阴离子配体的原料HL进行加热，HL的质子脱离而使L配位到中心金属M，由此得到以通式（G2）表示的本发明的一个方式的有机金属配合物。对加热方法没有特别的限制，也可以使用油浴、沙浴或铝块。此外，还可以作为加热单元使用微波。另外，在合成方案（B-2）中，M表示属于第9族或第10族的金属。此外，当M是属于第9族的金属时，m＝3，n＝2，当M是属于第10族的金属时，m＝2，n＝1。
在合成方案（B-2）中，L表示单阴离子配体，Q表示卤素，R1至R4分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳原子数为6至10的芳基，R5表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的苯基。另外，环X表示取代或未取代的碳或氮形成的六元芳环。另外，当M表示属于第9族的金属时，m表示3，n表示2，当M表示属于第10族的金属时，m表示2，n表示1。
在本发明中，为了得到将由通式（G0）表示的衍生物作为配体的邻位金属配合物，优选对R5导入取代基。尤其是，作为R5优选使用取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的苯基。由此，与作为R5使用氢的情况相比，合成方案（B-1）所合成了的由卤素交联的双核金属配合物在合成方案（B-2）所示的反应中分解的情况被抑制，且可得到极高的收率。因此，溶解度得到提高而使使用溶液的纯化变得容易，从而可以提高材料的纯度。由此，当将邻位金属配合物用于发光元件的掺杂剂时，特性变稳定，可靠性也变高。另外，当将邻位金属配合物用于发光元件的掺杂剂时，分散性变高，由此防止猝灭，发光效率变高。
另外，在通式（G2）中的单阴离子配体L是具有β-二酮结构的单阴离子双齿螯合配体、具有羧基的单阴离子双齿螯合配体、具有酚羟基的单阴离子双齿螯合配体或两个配体元素都是氮的单阴离子双齿螯合配体。尤其是，当单阴离子配体是具有β-二酮结构的单阴离子双齿螯合配体时，由于具有β-二酮结构，有机金属配合物在有机溶剂中的溶解度得到提高而容易进行纯化，因此是优选的。另外，通过具有β-二酮结构，可以得到发光效率高的有机金属配合物，所以是优选的。此外，通过具有β-二酮结构，具有升华性得到提高且蒸镀能力良好的优点。
另外，单阴离子配体优选为通式（L1）至通式（L7）中的任一个。因为这些配体的配位能力高且价格低，所以是有用的。
注意，在通式中，R71至R109分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基、卤基、乙烯基、取代或未取代的碳原子数为1至6的卤代烷基、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷氧基或者取代或未取代的碳原子数为1至6的烷硫基。此外，A1至A3分别独立地表示氮、与氢键合的sp2杂化碳或者具有取代基的sp2杂化碳，该取代基表示碳原子数为1至6的烷基、卤基、碳原子数为1至6的卤代烷基或苯基。
《通式（G2'）表示的本发明的一个方式的有机金属配合物的合成方法》
接着，对由通式（G2'）表示的本发明的一个方式的有机金属配合物的合成方法的一个例子进行说明。如以下合成方案（C）所示那样，在将由通式（G0）表示的衍生物与包含卤素的第9族或第10族的金属化合物（氯化铑水合物、氯化钯、氯化铱水合物、六氯铱酸铵、四氯铂酸钾等）或第9族或第10族的有机金属配合物化合物（乙酰丙酮根配合物、二乙硫醚配合物等）混合之后进行加热，从而可以得到具有由通式（G2'）表示的结构的有机金属配合物。此外，也可以在将由通式（G0）表示的喹唑啉衍生物和包含卤素的第9族或第10族的金属化合物或第9族或第10族的有机金属配合物化合物溶解在醇类溶剂（甘油、乙二醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇等）中之后进行该加热工序。另外，在合成方案（C）中，M表示属于第9族或第10族的金属。此外，当M是属于第9族的金属时，n＝3，当M是属于第10族的金属时，n＝2。
在合成方案（C）中，R1至R4分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳原子数为6至10的芳基，R5表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的苯基。另外，环X表示取代或未取代的碳或氮形成的六元芳环。另外，当M表示属于第9族的金属时，n表示3，当M表示属于第10族的金属时，n表示2。
在本发明中，为了得到将由通式（G0）表示的衍生物作为配体的邻位金属配合物，优选对R5导入取代基。尤其是，作为R5优选使用取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的苯基。由此，与作为R5使用氢的情况相比，可以提高合成方案（C）中的收率。
以上，虽然说明了本发明的一个方式的有机金属配合物的合成方法的一个例子，但是本发明不局限于此，也可以通过任何其他的合成方法合成。
另外，因为上述本发明的一个方式的有机金属配合物能够发射磷光，所以可以将其用作发光材料或发光元件的发光物质。
实施方式2
在本实施方式中，作为根据本发明的一个方式的有机金属配合物，对因分子结构的发光波长变短的情况进行说明。
虽然环金属化配体通过与苯环稠合可以使其耐热性得到提高，但是由于稠合共轭扩展在很多情况下使发光波长变长。但是，当配体为苯并[h]喹唑啉骨架时，根据苯环稠合的位置，共轭扩展得到抑制，发光波长被短波长化。也就是说，耐热性得到提高，从而可以实现发光波长的短波长化。如后文所述，通过分子轨道计算可知自旋密度分布的扩展得到抑制。由此，T1能级变高，而使发光波长的短波长化变为可能。
对通过计算得出的分子轨道分布进行说明。另外，所使用的有机金属配合物为如下由结构式（500）表示的有机金属配合物、双（二苯并[f，h]喹唑啉-12-基-κC，κN）（2，4-戊二酮根-κ2O，O’）铱（III）（简称：[Ir（dbqz）2（acac）]）。
另外，作为比较，使用如下由结构式（600）表示的有机金属配合物、双（苯并[h]喹唑啉-10-基-κC，κN）（2，4-戊二酮根-κ2O，O’）铱（Ⅲ）（简称：[Ir（bqn）2（acac）]）。[Ir（bqn）2（acac）]是呈现黄色发光的材料。
《计算例》
利用密度泛函理论（DFT）计算出根据本发明的一个方式的有机金属配合物[Ir（dbqz）2（acac）]与作为比较材料的[Ir（bqn）2（acac）]的单重基态（S0）与最低三重激发态（T1）中的最稳定结构，并对其最稳定结构分别进行振动分析，从S0与T1的整体能量差计算出T1能级。以势能、电子间静电能、电子的运动能、包括所有的其他复杂的电子间的互相作用的交换相关能的总和表示DFT的所有的能量。在DFT中，由于使用以电子密度表示的单电子势的泛函（函数的另一个函数）来近似表示交换相关作用，所以计算速度快。在此，使用作为混合泛函的B3PW91来规定涉及交换相关能的各参数的权重。
此外，将作为基底函数的6-311G（对各原子价轨道使用三个缩短函数的三重分裂价层（triplesplitvalence）基底类的基底函数）用于H、C、N、O原子，将作为基底函数的LanL2DZ用于Ir原子。通过上述基底函数，例如关于氢原子，考虑到1s至3s的轨道，并且关于碳原子，考虑到1s至4s、2p至4p的轨道。再者，为了提高计算精度，作为极化基底类，对氢原子加上p函数，对氢原子以外的原子加上d函数。另外，利用极化连续模型（polarizablecontinuummodel）并考虑到溶剂效果（影响），以相当于二氯甲烷溶剂的介电常数（ε＝8.93）进行了计算。此外，作为量子化学计算程序，使用Gaussian09。使用高性能计算机（SGI株式会社制造，Altix4700）来进行计算。
分别对由结构式（500）表示的有机金属配合物[Ir（dbqz）2（acac）]与由结构式（600）表示的有机金属配合物[Ir（bqn）2（acac）]的S0与T1进行结构最优化，并算出T1能级与自旋密度分布。图13A和图13B示出自旋密度分布。
算出的T1能级为：[Ir（dbqz）2（acac）]为2.22eV，[Ir（bqn）2（acac）]为2.13eV。可知与[Ir（bqn）2（acac）]相比，[Ir（dbqz）2（acac）]中的发光波长变为短波。
另外，如示出自旋密度分布的图13A和图13B中的区域401a及区域401b所示，[Ir（dbqz）2（acac）]的区域401a与[Ir（bqn）2（acac）]的区域401b相比自旋密度分布较少，由此可知自旋密度分布的扩展得到抑制。作为其原因，可以举出C-C键距离的不同等。
图14A和图14B示出如下C-C键的位置：[Ir（dbqz）2（acac）]中的苯环Y的C-C键402（Y）、C-C键403（Y）以及[Ir（bqn）2（acac）]中的苯环Z的C-C键402（Z）及C-C键403（Z）。[Ir（dbqz）2（acac）]的苯环Y中的C-C键402（Y）的C-C键距离为0.1465nm，C-C键403（Y）的C-C键距离为0.1457nm；[Ir（bqn）2（acac）]的苯环Z中的C-C键402（Z）的C-C键距离为0.1438nm，C-C键403（Z）的C-C键距离为0.1432nm。由此可知，与C-C键402（Z）及C-C键403（Z）相比，C-C键402（Y）及C-C键403（Y）的C-C键距离更长。作为其原因，当考虑共振结构时，可以认为：与C-C键402（Z）和403（Z）相比，C-C键402（Y）和403（Y）变为单键状态的可能性高于变为双键状态的可能性。由此，C-C键402（Y）及C-C键403（Y）的C-C键距离比C-C键402（Z）和403（Z）的C-C键距离长，在[Ir（dbqz）2（acac）]中，共轭扩展被抑制，从而自旋密度分布的扩展也被抑制。因此，[Ir（dbqz）2（acac）]的T1能级变高，发光波长被短波长化。
另外，表1分别示出[Ir（dbqz）2（acac）]及[Ir（bqn）2（acac）]的各部分中的自旋密度分布比率的计算结果。
[表1]
[Ir（dbqz）2（acac）] [Ir（bqn）2（acac）]
Ir 25.0% 19.9%
环金属化配体_1 66.7% 73.5%
环金属化配体_2 5.4% 3.7%
单阴离子配体 2.9% 2.8%
由表1可知，在[Ir（dbqz）2（acac）]中，作为中心金属的Ir的自旋密度分布比率为25.0%，在[Ir（bqn）2（acac）]中，Ir的自旋密度分布比率为19.9%，与[Ir（bqn）2（acac）]相比，[Ir（dbqz）2（acac）]的Ir的自旋密度分布比率更大。由此可以估测，由于[Ir（dbqz）2（acac）]的作为中心金属的Ir的自旋密度分布比率高，电荷向配体的迁移，即MLCT（MetaltoLigandChargeTransfer）性变高。通常，已知高效率的磷光发光迁移金属配合物的发光机制为MLCT，因此，由计算结果可知[Ir（dbqz）2（acac）]的发光效率得到提高。
由上述结果可知，通过采用对[Ir（bqn）2（acac）]的环金属化配体稠合了苯环的[Ir（dbqz）2（acac）]，自旋密度分布的扩展得到抑制，T1能级变高。由此可知，[Ir（dbqz）2（acac）]将[Ir（bqn）2（acac）]的黄色发光的发光波长短波长化，而成为发射蓝绿色至黄绿色的光的具有优良耐热性及发光效率的有机金属配合物。
实施方式3
在本实施方式中，作为本发明的一个方式，参照图1对将实施方式1所示的有机金属配合物用于发光层的发光元件进行说明。
图1示出在第一电极101与第二电极103之间具有EL层102的发光元件的图。EL层102包括发光层113，发光层113含有实施方式1中说明的有机金属配合物。另外，EL层102除了包括发光层113之外还包括空穴注入层111、空穴传输层112、电子传输层114及电子注入层115等。
通过对这种发光元件施加电压，从第一电极101一侧注入的空穴和从第二电极103一侧注入的电子在发光层113中复合以使有机金属配合物成为激发态。并且，当该处于激发态的有机金属配合物回到基态时发光。像这样，本发明的一个方式的有机金属配合物被用作发光元件中的发光物质。另外，在本实施方式中所示的发光元件中，第一电极101被用作阳极，第二电极103被用作阴极。
另外，EL层102中的空穴注入层111是包含空穴传输性高的物质和受主物质而形成的层，由于受主物质从空穴传输性高的物质抽出电子，由此产生空穴。因此，空穴从空穴注入层111经过空穴传输层112注入到发光层113。
下面，对制造实施方式所示的发光元件时的具体例子进行说明。
用作阳极的第一电极101优选使用功函数大（具体为4.0eV以上）的金属、合金、导电化合物以及它们的混合物等。具体而言，例如可以举出氧化铟锡（ITO：IndiumTinOxide）、含有硅或氧化硅的氧化铟锡、氧化铟锌（IndiumZincOxide）以及含有氧化钨及氧化锌的氧化铟等。除此之外，还可以使用金（Au）、铂（Pt）、镍（Ni）、钨（W）、铬（Cr）、钼（Mo）、铁（Fe）、钴（Co）、铜（Cu）、钯（Pd）、钛（Ti）、银（Ag）、铝（Al）等。但是，在EL层102中，当与第一电极101接触地形成的层使用将后面所述的有机化合物和电子受体（受体）混合而成的复合材料形成时，作为用于第一电极101的物质可以使用金属、合金、导电化合物以及它们的混合物等，而不考虑功函数的大小。
第一电极101例如可以通过溅射法或蒸镀法（包括真空蒸镀法）等形成。在使用银糊等的情况下，可以采用涂敷法、喷墨法等。
形成在第一电极101之上的EL层102至少包括发光层113，该发光层113包含实施方式1所说明的有机金属配合物。可以对EL层102的一部分使用各种物质，也可以使用低分子化合物或高分子化合物。另外，形成EL层102的物质都可以具有只由有机化合物构成的结构或者可以部分包含无机化合物的结构。
作为用于空穴注入层111及空穴传输层112的空穴传输性高的物质，例如可例举4，4’-双[N-（1-萘基）-N-苯基氨基]联苯（简称：NPB或α-NPD）、N，N’-双（3-甲基苯基）-N，N’-二苯基-[1，1’-联苯]-4，4’-二胺（简称：TPD）、4，4’，4’’-三（咔唑-9-基）三苯胺（简称：TCTA）、4，4’，4’’-三（N，N-二苯基氨基）三苯胺（简称：TDATA）、4，4’，4’’-三[N-（3-甲基苯基）-N-苯基氨基]三苯胺（简称：MTDATA）、4，4’-双[N-（螺-9，9’-二芴-2-基）-N-苯基氨基]联苯（简称：BSPB）等芳香胺化合物、3-[N-（9-苯基咔唑-3-基）-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑（简称：PCzPCA1）、3，6-双[N-（9-苯基咔唑-3-基）-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑（简称：PCzPCA2）、3-[N-（1-萘基）-N-（9-苯基咔唑-3-基）氨基]-9-苯基咔唑（简称：PCzPCN1）等。除上述以外，还可以使用4，4’-二（N-咔唑基）联苯（简称：CBP）、1，3，5-三[4-（N-咔唑基）苯基]苯（简称：TCPB）、9-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑（简称：CzPA）等咔唑衍生物等。这里所述的物质主要是具有10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率的物质。但是，只要是空穴传输性高于电子传输性的物质，也可以使用上述物质之外的物质。
再者，还可以使用聚（N-乙烯基咔唑）（简称：PVK）、聚（4-乙烯基三苯胺）（简称：PVTPA）、聚[N-（4-｛N'-[4-（4-二苯基氨基）苯基]苯基-N'-苯基氨基｝苯基）甲基丙烯酰胺]（简称：PTPDMA）、聚[N,N'-双（4-丁基苯基）-N,N'-双（苯基）联苯胺]（简称：Poly-TPD）等高分子化合物。
作为用于空穴注入层111的受主物质，可以举出属于元素周期表中第4族至第8族的金属的氧化物。具体地，氧化钼是特别优选的。
发光层113是包括发光物质的层。此外，作为发光物质可以使用实施方式1所示的有机金属配合物，且作为主体材料使用其三重激发能量比该有机金属配合物（客体材料）的三重激发能量大的物质，来形成发光层113。另外，除了发光物质以外，还可以包含在发光层中的载流子（电子及空穴）复合时能够形成激基复合物（exciplex）的组合的两种有机化合物（也可以为上述主体材料中的任一种）。
作为能够用于形成主体材料及激基复合物的两种有机化合物的有机化合物，例如除了2，3-双（4-二苯基氨基苯基）喹喔啉（简称：TPAQn）、NPB等具有芳基胺骨架的化合物之外，优选CBP、4，4’，4’’-三（咔唑-9-基）三苯胺（简称：TCTA）等咔唑衍生物、双[2-（2-羟基苯基）吡啶根合]锌（简称：Znpp2）、双[2-（2-羟基苯基）苯并噁唑]锌（简称：Zn（BOX）2）、双（2-甲基-8-羟基喹啉）（4-苯基苯酚）铝（简称：BAlq）、三（8-羟基喹啉）铝（简称：Alq3）等金属配合物。
另外，通过包含能够形成有机金属配合物（客体材料）及上述主体材料或上述激基复合物的两种有机化合物形成发光层113，可以从发光层113得到发光效率高的磷光发光。
另外，在发光层113中，除了本发明的一个方式的有机金属配合物以外，还可以使用能够将单重激发能量转换为发光的发光物质或者能够将三重激发能量转换为发光的发光物质。在此情况下，这些发光物质与上述有机金属配合物既可以存在于同一层，也可以存在于不同层。另外，通过使这些发光物质的发光颜色不同，可以使发光元件整体发射所需颜色的光。例如，当存在三个发光层时，可以使第一发光层的发光颜色为红色，使第二发光层的发光颜色为绿色，并使第三发光层的发光颜色为蓝色，由此作为整个发光元件可以获得白色的发光。另外，作为上述发光物质，例如可以举出如下材料。
作为能够将单重激发能量转换为发光的发光物质，例如可以举出发射荧光的物质（荧光性化合物）。
作为发射荧光的物质，可例举N,N’-双[4-（9H-咔唑-9-基）苯基]-N,N’-二苯基芪-4,4’-二胺（简称：YGA2S）、4-（9H-咔唑-9-基）-4’-（10-苯基-9-蒽基）三苯胺（简称：YGAPA）、4-（9H-咔唑-9-基）-4’-（9,10-二苯基-2-蒽基）三苯胺（简称：2YGAPPA）、N,9-二苯基-N-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑-3-胺（简称：PCAPA）、二萘嵌苯、2,5,8,11-四-叔丁基二萘嵌苯（简称：TBP）、4-（10-苯基-9-蒽基）-4’-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）三苯胺（简称：PCBAPA）、N,N’’-（2-叔丁基蒽-9，10-二基二-4，1-亚苯基）双[N,N’,N’-三苯基-1，4-苯二胺]（简称：DPABPA）、N,9-二苯基-N-[4-（9，10-二苯基-2-蒽基）苯基]-9H-咔唑-3-胺（简称：2PCAPPA）、N-[4-（9，10-二苯基-2-蒽基）苯基]-N,N’,N’-三苯基-1，4-苯二胺（简称：2DPAPPA）、N,N,N’,N’,N’’,N’’，N’’’，N’’’-八苯基二苯并[g,p]?-2，7，10，15-四胺（简称：DBC1）、香豆素30、N-（9，10-二苯基-2-蒽基）-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺（简称：2PCAPA）、N-[9,10-双（1，1’-联苯-2-基）-2-蒽基]-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺（简称：2PCABPhA）、N-（9,10-二苯基-2-蒽基）-N,N’,N’-三苯基-1，4-苯二胺（简称：2DPAPA）、N-[9,10-双（1，1’-联苯-2-基）-2-蒽基]-N,N’,N’-三苯基-1，4-苯二胺（简称：2DPABPhA）、9,10-双（1，1’-联苯-2-基）-N-[4-（9H-咔唑-9-基）苯基]-N-苯基蒽-2-胺（简称：2YGABPhA）、N，N,9-三苯基蒽-9-胺（简称：DPhAPhA）、香豆素545T、N，N’-二苯基喹吖酮（简称：DPQd）、红荧烯、5,12-双（1，1’-联苯-4-基）-6，11-二苯基并四苯（简称：BPT）、2-（2-{2-[4-（二甲氨基）苯基]乙烯基}-6-甲基-4H-吡喃-4-亚基）丙烷二腈（简称：DCM1）、2-{2-甲基-6-[2-（2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基）乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙烷二腈（简称：DCM2）、N,N,N’,N’-四（4-甲基苯基）并四苯-5，11-二胺（简称：p-mPhTD）、7，14-二苯基-N,N,N’,N’-四（4-甲基苯基）苊并[1，2-a]荧蒽-3,10-二胺（简称：p-mPhAFD）、2-{2-异丙基-6-[2-（1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基）乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙烷二腈（简称：DCJTI）、2-{2-叔丁基-6-[2-（1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基）乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙烷二腈（简称：DCJTB）、2-（2，6-双{2-[4-（二甲氨基）苯基]乙烯基}-4H-吡喃-4-亚基）丙烷二腈（简称：BisDCM）、2-{2，6-双[2-（8-甲氧基-1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基）乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙烷二腈（简称：BisDCJTM）等。
作为将三重激发能量转换为发光的发光物质，例如可以举出发射磷光的物质（磷光化合物）或热活化延迟荧光（TADF）材料。此外，TADF材料中的延迟荧光是指虽然具有与通常的荧光相同的光谱，但是具有非常长的寿命的发光。其寿命为10-6秒以上，优选为10-3秒以上。
作为发射磷光的物质，可以举出双{2-[3',5'-双（三氟甲基）苯基]吡啶-N,C2'}铱（III）吡啶甲酸酯（简称：[Ir（CF3ppy）2（pic）]）、双[2-（4',6'-二氟苯基）吡啶-N,C2']铱（III）乙酰丙酮（简称：FIracac）、三（2-苯基吡啶）铱（III）（简称：[Ir（ppy3]）、双（2-苯基吡啶）铱（III）乙酰丙酮（简称：[Ir（ppy）2（acac）]）、三（乙酰丙酮）（一菲咯啉）铽（III）（简称：[Tb（acac）3（Phen）]）、双（苯并[h]喹啉）铱（III）乙酰丙酮（简称：[Ir（bzq）2（acac）]）、双（2,4-二苯基-1,3-噁唑-N,C2'）铱（III）乙酰丙酮（简称：[Ir（dpo）2（acac）]）、双{2-[4'-（全氟苯基）苯基]吡啶-N,C2'}铱（III）乙酰丙酮（简称：[Ir（p-PF-ph）2（acac）]）、双（2-苯基苯并噻唑-N,C2'）铱（III）乙酰丙酮（简称：[Ir（bt）2（acac）]）、双[2-（2'-苯并[4,5-α]噻吩基）吡啶-N,C3']铱（III）乙酰丙酮（简称：[Ir（btp）2（acac）]）、双（1-苯基异喹啉-N,C2'）铱（III）乙酰丙酮（简称：[Ir（piq）2（acac）]）、（乙酰丙酮）双[2，3-双（4-氟苯基）喹喔啉合（quinoxalinato）]铱（III）（简称：[Ir（Fdpq）2（acac）]）、（乙酰丙酮）双（3，5-二甲基-2-苯基吡嗪）铱（III）（简称：[Ir（mppr-Me）2（acac）]）、（乙酰丙酮）双（5-异丙基-3-甲基-2-苯基吡嗪）铱（III）（简称：[Ir（mppr-iPr）2（acac）]）、（乙酰丙酮）双（2,3,5-三苯基吡嗪）合铱（Ⅲ）（简称：[Ir（tppr）2（acac）]）、双（2,3,5-三苯基吡嗪根）（二新戊酰基甲烷根）合铱（III）（简称：[Ir（tppr）2（dpm）]）、（乙酰丙酮）双（6-叔丁基-4-苯基嘧啶）铱（III）（简称：[Ir（tBuppm）2（acac）]）、（乙酰丙酮）双（4,6-二苯基嘧啶）铱（III）（简称：[Ir（dppm）2（acac）]）、2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H，23H-卟啉铂（II）（简称：PtOEP）、三（1，3-二苯基-1，3-丙二酮）（一菲咯啉）铕（III）（简称：[Eu（DBM）3（Phen）]）、三[1-（2-噻吩甲酰基）-3,3,3-三氟丙酮]（一菲咯啉）铕（III）（简称：[Eu（TTA）3（Phen）]）等。
另外，作为TADF材料，例如可以举出富勒烯、其衍生物、普鲁黄素等吖啶衍生物、伊红等。此外，可以举出包含镁（Mg）、锌（Zn）、镉（Cd）、锡（Sn）、铂（Pt）、铟（In）或钯（Pd）等的含金属卟啉。作为该含金属卟啉，例如可以举出原卟啉-氟化锡配合物（SnF2（ProtoIX））、中卟啉-氟化锡配合物（SnF2（MesoIX））、血卟啉-氟化锡配合物（SnF2（HematoIX））、粪卟啉四甲基酯-氟化锡配合物（SnF2（CoproIII-4Me））、八乙基卟啉-氟化锡配合物（SnF2（OEP））、初卟啉-氟化锡配合物（SnF2（EtioI））、八乙基卟啉-氯化铂配合物（PtCl2OEP）等。并且，可以使用2-（联苯-4-基）-4，6-双（12-苯基吲哚并[2，3-a]咔唑-11-基）-1，3，5-三嗪（PIC-TRZ）等具有富π电子型杂芳环及缺π电子型杂芳环的杂环化合物。另外，在富π电子型杂芳环和缺π电子型杂芳环直接结合的物质中，富π电子型杂芳环的施主性和缺π电子型杂芳环的受主性都强，而S1和T1的能量差变小，所以是特别优选的。
电子传输层114是包含电子传输性高的物质（也称为电子传输化合物）的层。电子传输层114可以使用三（8-羟基喹啉）铝（简称：Alq3）、三（4-甲基-8-羟基喹啉）铝（简称：Almq3）、双（10-羟基苯并[h]-喹啉）铍（简称：BeBq2）、双（2-甲基-8-羟基喹啉）（4-苯基苯酚）铝（简称：BAlq）、双[2-（2-羟基苯基）苯并噁唑]锌（简称Zn（BOX）2）、双[2-（2-羟基苯基）-苯并噻唑]锌（简称：Zn（BTZ）2）等金属配合物。此外，也可以使用2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基苯基）-1，3，4-噁二唑（简称：PBD）、1，3-双[5-（对叔丁基苯基）-1，3，4-噁二唑-2-基]苯（简称：OXD-7）、3-（4’-叔丁基苯基）-4-苯基-5-（4’’-联苯基）-1，2，4-三唑（简称：TAZ）、3-（4-叔丁基苯基）-4-（4-乙基苯基）-5-（4-联苯基）-1，2，4-三唑（简称：p-EtTAZ）、红菲咯啉（简称：BPhen）、浴铜灵（简称：BCP）、4，4’-双（5-甲基苯并噁唑-2-基）芪（简称：BzOs）等杂芳族化合物。另外，还可以使用聚（2，5-吡啶二基）（简称：PPy）、聚[（9，9-二己基芴-2，7-二基）-共-（吡啶-3，5-二基）]（简称：PF-Py）、聚[（9，9-二辛基芴-2，7-二基）-共-（2，2’-联吡啶-6，6’-二基）]（简称：PF-BPy）等高分子化合物。在此所述的物质主要是电子迁移率在10- 6cm2/Vs以上的物质。注意，只要是电子传输性比空穴传输性高的物质，就可以将上述物质之外的物质用于电子传输层114。
电子传输层114既可以为单层，又可以为由上述物质构成的层的两层以上的叠层。
电子注入层115是包含电子注入性高的物质的层。电子注入层115可以使用氟化锂（LiF）、氟化铯（CsF）、氟化钙（CaF2）、锂氧化物（LiOx）等碱金属、碱土金属或它们的化合物。此外，可以使用氟化铒（ErF3）等稀土金属化合物。此外，也可以将电子盐用于电子注入层115。作为该电子盐，例如可以举出对氧化钙-氧化铝以高浓度添加电子的物质等。另外，也可以使用如上所述的构成电子传输层114的物质。
另外，也可以将有机化合物与电子给体（供体）混合形成的复合材料用于电子注入层115。这种复合材料因为通过电子给体在有机化合物中产生电子而具有优异的电子注入性和电子传输性。在此情况下，有机化合物优选是在传输所产生的电子方面性能优异的材料，具体而言，例如，可以使用如上所述的构成电子传输层114的物质（金属配合物、杂芳族化合物等）。作为电子给体，只要是对有机化合物呈现电子供给性的物质即可。具体而言，优选碱金属、碱土金属、稀土金属，可以举出锂、铯、镁、钙、铒、镱等。另外，优选碱金属氧化物、碱土金属氧化物，可以举出锂氧化物、钙氧化物、钡氧化物等。此外，可以使用氧化镁等路易斯碱。另外，也可以使用四硫富瓦烯（简称：TTF）等有机化合物。
上述空穴注入层111、空穴传输层112、发光层113、电子传输层114及电子注入层115分别可以通过蒸镀法（包括真空蒸镀法）、印刷法（例如，凸版印刷、凹版印刷、照相凹版印刷、平板印刷及孔版印刷等）、喷墨法、涂敷法等方法形成。
用作阴极的第二电极103优选使用功函数小（具体为3.8eV以下）的金属、合金、导电化合物以及它们的混合物等。具体地，可以使用如下材料：属于元素周期表中第1族或第2族的元素，即碱金属诸如锂或铯等；碱土金属诸如镁、钙或锶等；包含上述金属的合金（例如，Mg-Ag、Al-Li）；稀土金属诸如铕、镱等；包含上述金属的合金；铝；或银等。但是，当在EL层102中，在与第二电极103接触地形成的层使用将上述的有机化合物和电子给体（供体）混合而构成的复合材料时，可以使用各种导电材料诸如Al、Ag、ITO、含有硅或氧化硅的氧化铟锡等，而不考虑功函数的大小。
另外，第二电极103可以采用真空蒸镀法或溅射法形成。在使用银糊等的情况下，可以采用涂敷法、喷墨法等。
在上述发光元件中，因为在第一电极101和第二电极103之间产生的电位差而电流流过，并且因为在EL层102中空穴和电子复合而发光。然后，该光穿过第一电极101和第二电极103中的任一个或两个提取到外部。因此，第一电极101和第二电极103中的任一个或两个为具有透光性的电极。
因为如上所说明的发光元件可以得到来源于有机金属配合物的磷光发光，所以与只使用荧光化合物的发光元件相比，可以实现高效率的发光元件。
另外，本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合而使用。
实施方式4
在本实施方式中，将本发明的一个方式的有机金属配合物作为EL材料用于EL层，对具有夹着电荷产生层具有多个EL层的结构的发光元件（以下，称为叠层型发光元件）进行说明。
本实施方式所示的发光元件是如图2A所示的在一对电极（第一电极201与第二电极204）之间具有多个EL层（第一EL层202（1）和第二EL层202（2））的叠层型发光元件。
在本实施方式中，第一电极201是用作阳极的电极，第二电极204是用作阴极的电极。另外，作为第一电极201及第二电极204，可以采用与实施方式3相同的结构。此外，多个EL层（第一EL层202（1）和第二EL层202（2））既可以具有与实施方式3所示的EL层的结构相同的结构，又可以使上述EL层中的任一方具有与实施方式3所示的EL层的结构相同的结构。换言之，第一EL层202（1）和第二EL层202（2）既可以具有相同结构，又可以具有互不相同的结构，作为其结构，可以适用与实施方式3相同的结构。
另外，在多个EL层（第一EL层202（1）和第二EL层202（2））之间设置有电荷产生层205。电荷产生层205具有如下功能：当对第一电极201和第二电极204施加电压时，将电子注入到一方EL层中，且将空穴注入到另一方EL层中。在本实施方式中，对第一电极201施加电位高于第二电极204的电压时，电子从电荷产生层205被注入到第一EL层202（1）中，且空穴被注入到第二EL层202（2）中。
另外，从光提取效率的观点来看，电荷产生层205优选具有使可见光透射的性质（具体而言，电荷产生层205的可见光的透射率为40%以上）。另外，电荷产生层205即使其导电率小于第一电极201或第二电极204也可以发挥作用。
电荷产生层205既可以具有对空穴传输性高的有机化合物添加有电子受体（接受体）的结构，又可以具有对电子传输性高的有机化合物添加有电子给体（供体）的结构。或者，也可以层叠有这两种结构。
当采用对空穴传输性高的有机化合物添加电子受体的结构时，作为空穴传输性高的有机化合物，例如，可以使用NPB、TPD、TDATA、MTDATA、BSPB等芳香族胺化合物等。这里所述的物质主要是具有10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率的物质。注意，只要是空穴传输性比电子传输性高的有机化合物，就可以使用上述物质之外的物质。
另外，作为电子受体，可以举出7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟醌二甲烷（简称：F4-TCNQ）、氯醌等。另外，可以举出属于元素周期表中第4族至第8族的金属的氧化物。具体而言，优选使用氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰和氧化铼，这是因为它们具有高电子接收性。尤其优选使用氧化钼，因为氧化钼在大气中也稳定，吸湿性低，且操作容易。
另外，当采用对电子传输性高的有机化合物添加电子给体的结构时，作为电子传输性高的有机化合物，例如可以使用Alq、Almq3、BeBq2、BAlq等具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金属配合物等。除此以外还可以使用具有Zn（BOX）2、Zn（BTZ）2等噁唑基配体、噻唑基配体的金属配合物等。再者，除了金属配合物以外，还可以使用PBD或OXD-7、TAZ、BPhen、BCP等。这里所述的物质主要是具有10-6cm2/Vs以上的电子迁移率的物质。另外，只要是电子传输性比空穴传输性高的有机化合物，就可以使用上述物质之外的物质。
另外，作为电子给体，可以使用碱金属、碱土金属、稀土金属、或属于元素周期表中第2、第13族的金属及它们的氧化物或碳酸盐。具体而言，优选使用锂（Li）、铯（Cs）、镁（Mg）、钙（Ca）、镱（Yb）、铟（In）、氧化锂、碳酸铯等。此外，也可以将如四硫萘并萘（tetrathianaphthacene）的有机化合物用作电子给体。
另外，通过使用上述材料形成电荷产生层205，可以抑制层叠EL层时造成的驱动电压的增大。
虽然在本实施方式中，对具有两个EL层的发光元件进行说明，但是，如图2B所示，本发明的一个方式可以同样地应用于层叠n个（其中，n是3以上）EL层（202（1）至202（n））的发光元件。当如根据本实施方式的发光元件那样在一对电极之间具有多个EL层时，通过将电荷产生层（205（1）至205（n-1））分别设置在EL层与EL层之间，可以在保持低电流密度的同时实现高亮度区域中的发光。因为可以保持低电流密度，所以可以实现长寿命的元件。当应用于具有大发光面的发光装置、电子设备及照明装置等时，可以减少由于电极材料的电阻导致的电压下降，所以可以实现大面积的均匀发光。
此外，通过使各EL层的发光颜色互不相同，可以使发光元件整体发射所需颜色的光。例如，在具有两个EL层的发光元件中，使第一EL层的发光颜色和第二EL层的发光颜色处于补色关系，因此还可以得到发光元件整体发射白色光的发光元件。注意，“补色”表示在颜色混合时得到非彩色的颜色关系。也就是说，通过混合处于补色关系的颜色的光，可以得到白色发光。
另外，具有三个EL层的发光元件的情况也与此相同，例如，当第一EL层的发光颜色是红色，第二EL层的发光颜色是绿色，第三EL层的发光颜色是蓝色时，发光元件作为整体可以得到白色发光。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合而实施。
实施方式5
在本实施方式中，对具有将本发明的一个方式的有机金属配合物用于EL层的发光元件的发光装置进行说明。
上述发光装置既可以是无源矩阵型发光装置，也可以是有源矩阵型发光装置。此外，可以将其他实施方式所示的发光元件应用于本实施方式所示的发光装置。
在本实施方式中，首先参照图3A及图3B说明有源矩阵型发光装置。
图3A是发光装置的俯视图，图3B是沿图3A中的点划线A-A’进行切割的截面图。本实施方式的有源矩阵型发光装置具有设置在元件衬底301上的像素部302、驱动电路部（源极线驱动电路）303以及驱动电路部（栅极线驱动电路）304a、304b。将像素部302、驱动电路部303以及驱动电路部304a、304b用密封材料305密封在元件衬底301与密封衬底306之间。
在元件衬底301上设置引导布线307，该引导布线307用来连接对驱动电路部303及驱动电路部304a、304b传递来自外部的信号（例如，视频信号、时钟信号、起始信号或复位信号等）或电位的外部输入端子。在此，示出作为外部输入端子设置FPC308的例子。虽然在此仅对FPC进行了图示，但是该FPC也可以安装有印刷线路板（PWB）。本说明书中的发光装置不仅包括发光装置主体，而且还包括安装有FPC或PWB的发光装置。
接着，参照图3B说明截面结构。在元件衬底301上形成有驱动电路部及像素部，在此示出作为源极线驱动电路的驱动电路部303及像素部302。
在此示出组合FET309和FET310构成驱动电路部303的例子。驱动电路部303既可以由包含单极性（N型或P型）晶体管的电路形成，也可以由包含N型晶体管及P型晶体管的CMOS电路形成。在本实施方式中，虽然示出将驱动电路形成在衬底上的驱动器一体型，但是不一定必须如此，也可以将驱动电路形成在衬底的外部而不形成在衬底上。
此外，像素部302由包括开关用FET311、电流控制用FET312及与电流控制用FET312的布线（源电极或漏电极）电连接的第一电极313的多个像素形成。此外，虽然在本实施方式中示出由开关用FET311、电流控制用FET312的两个FET构成像素部302的例子，但不局限于此。例如，像素部302也可以包括三个以上的FET及电容元件。
作为FET309、310、311、312，例如可以适当地使用交错型晶体管或反交错型晶体管。作为可以用于FET309、310、311、312的半导体材料，例如可以使用第13族半导体、第14族半导体、化合物半导体、氧化物半导体、有机半导体。此外，对该半导体材料的结晶性也没有特别的限制，例如可以使用非晶半导体膜或结晶半导体膜。尤其是，FET309、310、311、312优选使用氧化物半导体。作为该氧化物半导体，例如可以举出In-Ga氧化物、In-M-Zn氧化物（M为Al、Ga、Y、Zr、La、Ce或Nd）等。作为FET309、310、311、312，例如使用能隙为2eV以上，优选为2.5eV以上，更优选为3eV以上的氧化物半导体材料，由此可以降低晶体管的关态电流（off-statecurrent）。
另外，以覆盖第一电极313的端部的方式形成有绝缘物314。在此，使用正型光敏丙烯酸树脂形成绝缘物314。此外，在本实施方式中，将第一电极313用作阳极。
优选将绝缘物314的上端部或下端部形成为具有曲率的曲面。通过将绝缘物314形成为上述形状，可以提高形成在绝缘物314上的膜的覆盖性。例如，作为绝缘物314的材料，可以使用负型光敏树脂或正型光敏树脂，不局限于有机化合物，还可以使用无机化合物诸如氧化硅、氧氮化硅、氮化硅等。
发光元件317为第一电极（阳极）313、EL层315及第二电极（阴极）316的叠层结构，在EL层315中至少设置有发光层。另外，在EL层315中，除了发光层之外，还可以适当地设置空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、电荷产生层等。
作为用于第一电极313、EL层315及第二电极316的材料，可以使用实施方式3所示的材料。此外，虽然在此未图示，但是第二电极316与外部输入端子FPC308电连接。
虽然在图3B所示的截面图中仅示出一个发光元件317，但是，在像素部302中多个发光元件被配置为矩阵状。通过在像素部302中分别选择性地形成能够得到三种（R、G、B）颜色的发光的发光元件，可以形成能够进行全彩色显示的发光装置。此外，除了可以得到三种（R、G、B）颜色的发光的发光元件以外，例如也可以形成能够得到白色（W）、黄色（Y）、品红色（M）、青色（C）等颜色的发光的发光元件。例如，通过对能够得到三种（R、G、B）颜色的发光的发光元件追加能够得到上述多种发光的发光元件，可以获得色纯度的提高、耗电量的降低等效果。此外，也可以通过与滤色片组合来实现能够进行全彩色显示的发光装置。再者，也可以实现通过与量子点组合来提高发光效率，且耗电量得到降低的发光装置。
再者，通过使用密封材料305将密封衬底306与元件衬底301贴合在一起，在由元件衬底301、密封衬底306和密封材料305围绕的空间318中设置发光元件317。空间318可以填充有惰性气体（如氮气或氩气等），也可以填充有密封材料305。当涂敷密封材料进行贴合时，优选进行UV处理或热处理或者组合这些处理。
优选将环氧类树脂或玻璃料用作密封材料305。此外，这些材料优选是尽量未使水分和氧透过的材料。此外，作为密封衬底306，除了玻璃衬底和石英衬底之外，还可以使用由FRP（Fiber-ReinforcedPlastics：纤维增强塑料）、PVF（polyvinylfluoride：聚氟乙烯）、聚酯、丙烯酸树脂等构成的塑料衬底。从粘合性的观点来看，在作为密封材料使用玻璃料的情况下，作为元件衬底301及密封衬底306优选使用玻璃衬底。
如上所述，可以得到有源矩阵型发光装置。
包括将本发明的一个方式的有机金属配合物用于EL层的发光元件的发光装置可以用于无源矩阵型发光装置，而不局限于上述有源矩阵型发光装置。
图3C示出采用无源矩阵型发光装置时的像素部的截面图。
如图3C所示，在衬底351上形成有包括第一电极352、EL层354、第二电极353的发光元件350。另外，虽然没有图示，在衬底351上形成有多个条纹状（条状）的第一电极352，并且以填埋第一电极352上方及第一电极352的端部的方式形成有绝缘膜355。此外，该绝缘膜355在第一电极352上的一部分中具有开口部。
在绝缘膜355上设置有使用绝缘材料形成的分隔壁356。分隔壁356的侧壁具有倾斜而使两个侧壁之间的距离向衬底面的方向逐渐变窄。换句话说，分隔壁356的短边方向的截面是梯形，底边（朝向与绝缘膜355的面方向相同的方向并与绝缘膜355接触的边）比上边（朝向与绝缘膜355的面方向相同的方向并与绝缘膜355不接触的边）短。像这样，通过设置分隔壁356，能够防止因静电等而导致的发光元件的缺陷。在形成分隔壁356之后，通过形成EL层354，在第一电极352上的一部分中具有的开口部中形成与第一电极352接触的EL层354。
再者，在形成EL层354之后，形成第二电极353。因此，在EL层354上（根据情况在绝缘膜355上）形成不与第一电极352接触的第二电极353。此外，由于在形成分隔壁356之后形成EL层354及第二电极353，所以在分隔壁356上依次层叠EL层354及第二电极353。
注意，关于密封方法，可以与有源矩阵型发光装置的情况同样地采用，在此省略其说明。
通过上述步骤，可以得到无源矩阵型发光装置。
例如在本说明书等中，可以使用各种衬底形成晶体管或发光元件。对衬底的种类没有特别的限制。作为该衬底的一个例子，例如可以举出半导体衬底（例如，单晶衬底或硅衬底）、SOI衬底、玻璃衬底、石英衬底、塑料衬底、不锈钢衬底或钨衬底等的金属衬底、贴合薄膜、包含纤维状的材料的纸或者基材薄膜等的柔性衬底。作为玻璃衬底的一个例子，有钡硼硅酸盐玻璃、铝硼硅酸盐玻璃、钠钙玻璃等。作为柔性衬底的一个例子，可以举出如下例子。例如可以举出以聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚醚砜（PES）、聚四氟乙烯（PTFE）、聚丙烯、聚酯、聚氟化乙烯、聚氯乙烯、聚酰胺、聚酰亚胺、芳族聚酰胺、环氧树脂等为代表的塑料。或者，可以举出丙烯酸等的合成树脂等。再者，可以举出无机蒸镀薄膜、纸类等。
另外，通过使用半导体衬底、单晶衬底或SOI衬底等制造晶体管，可以制造特性、尺寸或形状等的不均匀性小、尺寸小的晶体管。当利用上述晶体管构成电路时，可以实现电路的低功耗化或电路的高集成化。
另外，当作为衬底使用上述柔性衬底时，可以在柔性衬底上直接形成晶体管或发光元件。或者，也可以在衬底上隔着剥离层形成晶体管或发光元件的一部分或全部之后，将其与衬底分离并转置到其他衬底上。如此，通过利用剥离层将晶体管或发光元件转置到其他衬底上，可以在耐热性低的衬底或直接形成比较困难的柔性衬底上形成晶体管或发光元件。作为上述剥离层，例如可以使用钨膜与氧化硅膜的无机膜的叠层结构或衬底上的聚酰亚胺等有机树脂薄膜等。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合而实施。
实施方式6
在本实施方式中，使用图4A、图4B、图4C、图4D、图4D1及图4D2对适用本发明的一个方式的发光装置而完成的各种各样的电子设备的例子进行说明。
作为适用发光装置的电子设备，例如可以举出电视装置（也称为电视或电视接收机）、用于计算机等的监视器、数码相机、数码摄像机等影像拍摄装置、数码相框、移动电话机（也称为移动电话、移动电话装置）、便携式游戏机、便携式信息终端、音频再现装置、弹珠机等固定型游戏机等。
图4A示出电视装置的一个例子。在电视装置7100中，框体7101中组装有显示部7103。由显示部7103能够显示图像，也可以采用安装有触摸传感器（输入装置）的触摸屏（输入输出装置）。此外，可以将本发明的一个方式的发光装置用于显示部7103。在此示出利用支架7105支撑框体7101的结构。
通过利用框体7101所具备的操作开关、或另外提供的遥控操作机7110可以进行电视装置7100的操作。通过利用遥控操作机7110所具备的操作键7109，可以进行频道、音量的操作，并可以对在显示部7103上显示的图像进行操作。此外，也可以采用在遥控操作机7110中设置显示从该遥控操作机7110输出的信息的显示部7107的结构。
电视装置7100采用具备接收机、调制解调器等的结构。通过接收机可以接收一般的电视广播。再者，通过调制解调器连接到有线或无线方式的通信网络，可以进行单向（从发送者到接收者）或双向（发送者和接收者之间或接收者彼此之间等）的信息通信。
图4B为计算机，该计算机包括主体7201、框体7202、显示部7203、键盘7204、外部连接端口7205、指向装置7206等。该计算机可以通过将本发明的一个方式的发光装置用于其显示部7203来制造。此外，显示部7203也可以为安装有触摸传感器（输入装置）的触摸屏（输入输出装置）。
图4C是智能手表，该智能手表包括框体7302、显示面板7304、操作按钮7311、操作按钮7312、连接端子7313、腕带7321、表带扣7322等。
安装在兼作框架（bezel）部分的框体7302中的显示面板7304具有非矩形状的显示区域。显示面板7304可以显示表示时间的图标7305以及其他图标7306等。此外，显示面板7304也可以为安装有触摸传感器（输入装置）的触摸屏（输入输出装置）。
在图4C所示的智能手表可以具有各种功能。例如，可以具有如下功能：在显示部分上显示多种信息（静态图像、运动图像、文字图像等）的功能；触摸屏功能；显示日历、日期或时间等的功能；以多种软件（程序）控制处理的功能；使用无线通信功能与多种计算机网络连接的功能；使用无线通信功能发送及接收多种数据的功能；以及读取储存于存储介质内的程序或数据并且将该程序或数据显示于显示部分上的功能等。
框体7302的内部可具有扬声器、传感器（包括测定或检测如下因素的功能：力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、斜率、振动、气味或红外线）、麦克风等。另外，智能手表可以通过将发光装置用于其显示面板7304来制造。
图4D示出移动电话机（包括智能手机）的一个例子。移动电话机7400在框体7401中具备显示部7402、麦克风7406、扬声器7405、照相机7407、外部连接部7404、操作按钮7403等。当将本发明的一个方式的发光元件形成在具有柔性的衬底来制造发光装置时，可以应用于如图4D所示那样的具有曲面的显示部7402。
图4D所示的移动电话机7400可以用手指等触摸显示部7402来输入信息。此外，可以用手指等触摸显示部7402来进行打电话或写电子邮件等的操作。
显示部7402的屏幕主要有如下三种模式：第一是以图像显示为主的显示模式；第二是以文字等信息输入为主的输入模式；第三是混合显示模式与输入模式的两种模式的显示及输入模式。
例如，在打电话或写电子邮件的情况下，将显示部7402设定为以文字输入为主的文字输入模式，并进行显示在屏幕的文字的输入操作即可。在此情况下，优选的是，在显示部7402的屏幕的大部分上显示键盘或号码按钮。
另外，通过在移动电话机7400内部设置陀螺仪和加速度传感器等检测装置，判断移动电话机7400的方向（纵向或横向），由此可以对显示部7402的屏幕显示进行自动切换。
通过触摸显示部7402或对框体7401的操作按钮7403进行操作，切换屏幕模式。或者，可以根据显示在显示部7402上的图像的类型而切换屏幕模式。例如，当显示在显示部上的图像信号为运动图像时，将屏幕模式切换成显示模式，而当显示在显示部上的图像为文字时，将屏幕模式切换成输入模式。
另外，在输入模式中，当利用显示部7402的光传感器判断在一定时间内未进行显示部7402的触摸操作输入时，也可以进行控制将画面模式从输入模式切换成显示模式。
还可以将显示部7402用作图像传感器。例如，可以通过用手掌或手指触摸显示部7402来拍摄掌纹、指纹等，进行个人识别。另外，还可以通过将发出近红外光的背光或发出近红外光的传感用光源用于显示部，拍摄手指静脉、手掌静脉等。
再者，作为移动电话机（包括智能手机）的其他结构，也可以采用具有图4D1及图4D2所示的结构的移动电话机。
在具有图4D1和图4D2所示结构的移动电话机中，不仅在框体7500（1）、框体7500（2）的第一面7501（1）、第一面7501（2）上，而且还在第二面7502（1）、第二面7502（2）上显示文字信息或图像信息等。借助于这种结构，使用者能够在将移动电话机收纳在上衣口袋中的状态下容易确认在第二面7502（1）、第二面7502（2）等上显示的文字信息或图像信息等。
图5A至图5C示出能够折叠的便携式信息终端9310。图5A示出展开状态的便携式信息终端9310。图5B示出从展开状态和折叠状态中的一个状态变为另一个状态的中途的状态的便携式信息终端9310。图5C示出折叠状态的便携式信息终端9310。便携式信息终端9310在折叠状态下可携带性好，在展开状态下因为具有无缝拼接的较大的显示区域所以显示一览性强。
显示面板9311由铰链9313所连接的三个框体9315来支撑。此外，显示面板9311也可以为安装有触摸传感器（输入装置）的触摸屏（输入输出装置）。此外，显示面板9311通过铰链9313使两个框体9315之间弯折，由此可以使便携式信息终端9310从展开状态可逆性地变为折叠状态。可以将本发明的一个方式的发光装置用于显示面板9311。显示面板9311中的显示区域9312是位于折叠状态的便携式信息终端9310的侧面的显示区域。在显示区域9312中可以显示信息图标或者使用频率高的应用软件或程序的快捷方式等，能够顺利地进行信息的确认或软件的开启。
如上所述，本发明的一个方式的发光装置可以应用于各种领域的电子设备，而不局限于本实施方式所示的电子设备。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合而实施。
实施方式7
在本实施方式中，参照图6A至图6D说明应用本发明的一个方式的发光元件而制造的照明装置的结构。
图6A至图6D示出照明装置的截面图的例子。图6A及图6B是在衬底一侧提取光的底部发射型照明装置，而图6C及图6D是在密封衬底一侧提取光的顶部发射型照明装置。
在图6A所示的照明装置4000中，在衬底4001上设置有发光元件4002。另外，在衬底4001的外侧设置有具有凹凸的衬底4003。发光元件4002包括第一电极4004、EL层4005以及第二电极4006。
第一电极4004与电极4007电连接，第二电极4006与电极4008电连接。另外，也可以设置与第一电极4004电连接的辅助布线4009。此外，在辅助布线4009上形成有绝缘层4010。
衬底4001与密封衬底4011由密封材料4012粘合。另外，优选在密封衬底4011与发光元件4002之间设置有干燥剂4013。由于衬底4003具有如图6A所示那样的凹凸，因此可以提高提取在发光元件4002中产生的光的效率。
另外，如图6B所示的照明装置4100那样，也可以在衬底4001的外侧设置扩散板4015代替衬底4003。
在图6C所示的照明装置4200中，在衬底4201上设置有发光元件4002。发光元件4002包括第一电极4204、EL层4205以及第二电极4206。
第一电极4204与电极4207电连接，第二电极4206与电极4208电连接。另外，也可以设置与第二电极4206电连接的辅助布线4209。另外，也可以在辅助布线4209下设置绝缘层4210。
衬底4201与具有凹凸的密封衬底4202由密封材料4212粘合。另外，也可以在密封衬底4202与发光元件4002之间设置阻挡膜4213及平坦化膜4214。由于密封衬底4202具有如图6C所示那样的凹凸，因此可以提高提取在发光元件4002中产生的光的效率。
另外，如图6D所示的照明装置4300那样，也可以在发光元件4002上设置扩散板4215代替密封衬底4202。
对本实施方式所示的EL层4005、4205可以使用本发明的一个方式的有机金属配合物。此时，可以提供耗电量低的照明装置。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合。
实施方式8
在本实施方式中，参照图7对应用了本发明的一个方式的发光装置的照明装置的例子进行说明。
图7是将发光装置用于室内照明装置8001的例子。另外，因为发光装置可以实现大面积化，所以也可以形成大面积的照明装置。此外，也可以通过使用具有曲面的框体来形成发光区域具有曲面的照明装置8002。包括在本实施方式所示的发光装置中的发光元件为薄膜状，所以框体设计的自由度高。因此，可以形成能够对应各种设计的照明装置。再者，室内的墙面也可以设置有大型的照明装置8003。
另外，通过将发光装置用于桌子的表面，可以提供具有桌子的功能的照明装置8004。此外，通过将发光装置用于其他家具的一部分，可以提供具有家具的功能的照明装置。
如上所述，可以得到适用发光装置的各种各样的照明装置。另外，这种照明装置包括在本发明的一个方式中。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合而实施。
实施方式9
在本实施方式中，参照图8A至图12对具有本发明的一个方式的发光元件或本发明的一个方式的发光装置的触控面板进行说明。
图8A和图8B是触控面板2000的透视图。注意，在图8A和图8B中，为了容易理解，示出触控面板2000的典型的构成要素。
触控面板2000具备显示部2501及触摸传感器2595（参照图8B）。触控面板2000还具有衬底2510、衬底2570以及衬底2590。衬底2510、衬底2570以及衬底2590都具有柔性。
显示部2501包括衬底2510上的多个像素以及能够向该像素供应信号的多个布线2511。多个布线2511被引导到衬底2510的外周部，其一部分构成端子2519。端子2519与FPC2509（1）电连接。
衬底2590具备触摸传感器2595以及多个与触摸传感器2595电连接的布线2598。多个布线2598被引导在衬底2590的外周部，其一部分构成端子2599。端子2599与FPC2509（2）电连接。另外，为了容易理解，在图8B中由实线示出设置在衬底2590的背面一侧（与衬底2510相对的面的一侧）的触摸传感器2595的电极以及布线等。
作为触摸传感器2595，例如可以使用电容式触摸传感器。作为电容式触摸传感器，可以举出表面电容式触摸传感器、投影电容式触摸传感器等。
作为投影电容式触摸传感器，可以举出自电容式触摸传感器、互电容式触摸传感器等，这些主要根据驱动方式的差异而区分。当使用互电容式触摸传感器时，可以同时进行多点检测，所以是优选的。
首先，参照图8B对采用投影电容式触摸传感器的情况进行说明。投影电容式触摸传感器可以应用能够检测出手指等检测对象的靠近或接触的各种传感器。
投影电容式触摸传感器2595具有电极2591及电极2592。电极2591及电极2592分别与多个布线2598中的不同的布线电连接。如图8A和图8B所示，电极2592具有在一个方向上连续地配置的多个四边形的角部通过布线2594相互连接的形状。电极2591也同样地具有多个四边形的角部连接的形状，但是电极2591的连接方向与电极2592的连接方向交叉。注意，电极2591的连接方向与电极2592的连接方向不一定需要垂直，它们之间的角度也可以大于0度且小于90度。
优选尽量减小布线2594与电极2592的交叉部的面积。由此，可以减小没有设置电极的区域的面积，从而可以降低透射率的不均匀。其结果，可以降低透过触摸传感器2595的光的亮度不均匀。
另外，电极2591及电极2592的形状不局限于此，可以具有各种形状。例如，也可以以尽量没有间隙的方式配置多个电极2591，并且隔着绝缘膜设置多个电极2592。此时，通过在相邻的两个电极2592之间设置与它们电绝缘的虚拟电极，可以减小透射率不同的区域的面积，所以是优选的。
接着，参照图9A和图9B对触控面板2000进行详细说明。图9A和图9B相当于图8A所示的点划线X1-X2之间的截面图。
触摸传感器2595包括衬底2590上的配置为交错形状的电极2591及电极2592、覆盖电极2591及电极2592的绝缘层2593以及使相邻的电极2591电连接的布线2594。
在布线2594之下设置有粘合层2597。粘合层2597以触摸传感器2595与显示部2501重叠的方式将衬底2590贴合于衬底2570。
电极2591及电极2592使用透光导电材料形成。作为透光导电材料，可以使用氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、添加有镓的氧化锌等导电氧化物。另外，也可以使用包含石墨烯的膜。包含石墨烯的膜例如可以通过使膜状的氧化石墨烯还原来形成。作为还原方法，可以采用进行加热的方法等。
例如，在通过溅射法在衬底2590上形成透光导电材料之后，可以通过光刻法等各种图案化技术去除不需要的部分来形成电极2591及电极2592。
作为绝缘层2593的材料，例如，除了丙烯酸树脂、环氧树脂、硅酮等具有硅氧烷键的树脂之外，还可以使用氧化硅、氧氮化硅、氧化铝等无机绝缘材料。
通过在设置在绝缘层2593中的开口部中形成布线2594，来使相邻的电极2591电连接。作为布线2594优选使用透光导电材料，因为可以提高触控面板的开口率。另外，作为布线2594优选使用其导电性高于电极2591及电极2592的材料，因为可以降低电阻。
一对的电极2591通过布线2594彼此电连接。另外，一对的电极2591之间设置有电极2592。
布线2598与电极2591或电极2592电连接。布线2598的一部分被用作端子。布线2598例如可以使用金属材料诸如铝、金、铂、银、镍、钛、钨、铬、钼、铁、钴、铜或钯等或者包含该金属材料的合金材料。
通过端子2599使布线2598与FPC2509（2）电连接。端子2599可以使用各种各向异性导电膜（ACF：AnisotropicConductiveFilm）、各向异性导电膏（ACP：AnisotropicConductivePaste）等。
粘合层2597具有透光性。例如，可以使用热固化树脂、紫外线固化树脂，具体而言，可以使用丙烯酸类树脂、聚氨酯类树脂、环氧类树脂或硅氧烷类树脂等。
显示部2501具备配置为矩阵状的多个像素。该像素具备显示元件及驱动该显示元件的像素电路。
作为衬底2510及衬底2570，例如可以使用水蒸气透过率为10-5g/（m2·天）以下，优选为10-6g/（m2·天）以下的柔性材料。另外，优选的是作为衬底2510及衬底2570使用热膨胀率大致相同的材料。例如，衬底2510及衬底2570都可以使用线性膨胀系数为1×10-3/K以下，优选为5×10-5/K以下，更优选为1×10-5/K以下的材料。
密封层2560的折射率优选比空气大。另外，如图9A和图9B所示那样，在将光提取到密封层2560一侧的情况下，密封层2560可以兼作光学元件。
显示部2501包含像素2502R。像素2502R包括发光模块2580R。
像素2502R具备发光元件2550R以及能够向发光元件2550R供应电力的晶体管2502t。晶体管2502t被用作像素电路的一部分。发光模块2580R具备发光元件2550R以及着色层2567R。
发光元件2550R包括下部电极、上部电极以及下部电极与上部电极之间的EL层。
另外，在密封层2560设置在提取光的一侧的情况下，密封层2560接触于发光元件2550R及着色层2567R。
着色层2567R位于与发光元件2550R重叠的位置。由此，发光元件2550R所发射的光的一部分透过着色层2567R，而向图9A所示的箭头的方向发射到发光模块2580R的外部。
显示部2501在光提取一侧设置有遮光层2567BM。以包围着色层2567R的方式设置有遮光层2567BM。
显示部2501在与像素重叠的位置具备反射防止层2567p。作为反射防止层2567p，例如可以使用圆偏振片。
显示部2501具备绝缘层2521。该绝缘层2521覆盖晶体管2502t。绝缘层2521具有使起因于像素电路的凹凸平坦化的功能。此外，也可以使绝缘层2521具有抑制杂质扩散的功能。由此，能够抑制因杂质的扩散而产生的晶体管2502t等的可靠性的下降。
发光元件2550R形成在绝缘层2521上。在发光元件2550R所具有的下部电极上设置有与该下部电极的端部重叠的分隔壁2528。另外，也可以在分隔壁2528上形成用来控制衬底2510与衬底2570的间隔的间隔物。
扫描线驱动电路2503g（1）包括晶体管2503t以及电容器2503c。可以通过与像素电路相同的制造工序在相同的衬底上形成驱动电路。
在衬底2510上设置有能够供应信号的布线2511。在布线2511上设置有端子2519。端子2519与FPC2509（1）电连接。FPC2509（1）具有供应图像信号及同步信号等信号的功能。FPC2509（1）也可以安装有印刷线路板（PWB）。
在显示部2501中，可以使用各种结构的晶体管。图9A示出使用底栅型晶体管的情况。图9A所示的晶体管2502t及晶体管2503t可以使用包含氧化物半导体的半导体层作为沟道区。或者，晶体管2502t及晶体管2503t也可以使用包含非晶硅的半导体层作为沟道区。或者，晶体管2502t及晶体管2503t还可以使用包含通过激光退火法等处理而结晶化的多晶硅的半导体层作为沟道区。
另外，图9B示出使用顶栅型晶体管时的显示部2501的结构。
当使用顶栅型晶体管时，除了可用于底栅型晶体管的半导体层之外，还可以使用包含从多晶硅衬底或从单晶硅衬底转置的膜等的半导体层作为沟道区。
接着，参照图10A和图10B对与图9A和图9B不同结构的触控面板进行说明。
图10A和图10B是触控面板2001的截面图。图10A和图10B所示的触控面板2001与图9A和图9B所示的触控面板2000的不同之处为相对于显示部2501的触摸传感器2595的位置。在此，对不同之处进行详细说明，关于可以使用同样的结构的部分，援用触控面板2000的说明。
着色层2567R位于与发光元件2550R重叠的位置。图10A所示的发光元件2550R向设置有晶体管2502t的一侧发射光。由此，发光元件2550R发射的光的一部分透过着色层2567R，而向在图10A中的箭头的方向发射到发光模块2580R的外部。
显示部2501在光提取一侧具有遮光层2567BM。以包围着色层2567R的方式设置有遮光层2567BM。
触摸传感器2595设置在显示部2501的衬底2510一侧（参照图10A）。
粘合层2597设置在衬底2510与衬底2590之间，贴合显示部2501和触摸传感器2595。
在显示部2501中，可以使用各种结构的晶体管。图10A示出使用底栅型晶体管的情况。图10B示出使用顶栅型晶体管的情况。
接着，参照图11A和图11B对触控面板的驱动方法的一个例子进行说明。
图11A是示出互电容式触摸传感器的结构的方框图。在图11A中，示出脉冲电压输出电路2601、电流检测电路2602。另外，在图11A中，以6个布线X1至X6表示被施加脉冲电压的电极2621，并以6个布线Y1至Y6表示检测电流的变化的电极2622。此外，在图11A中，示出使电极2621与电极2622重叠而形成的电容器2603。注意，电极2621与电极2622的功能可以互相调换。
脉冲电压输出电路2601是用来依次将脉冲电压施加到布线X1至X6的电路。当对布线X1至X6施加脉冲电压时，在形成电容器2603的电极2621与电极2622之间产生电场。当在该电极之间产生的电场被遮蔽等时，产生电容器2603的互电容变化，通过利用该变化，可以检测检测对象的靠近或接触。
电流检测电路2602是用来检测电容器2603的互电容变化所引起的布线Y1至Y6的电流变化的电路。在布线Y1至Y6中，如果没有检测对象的靠近或接触，则所检测的电流值不发生变化，另一方面，在由于检测对象的靠近或接触而互电容减少的情况下，所检测的电流值减少。另外，通过积分电路等检测电流即可。
接着，图11B示出图11A所示的互电容式触摸传感器中的输入/输出波形的时序图。在图11B中，在一个帧期间中进行各行列中的检测对象的检测。另外，在图11B中，示出没有检测出检测对象（未触摸）时和检测出检测对象（触摸）时的两种情况。此外，布线Y1至Y6的波形表示对应于所检测出的电流值的电压值。
依次对布线X1至X6施加脉冲电压，布线Y1至Y6的波形根据该脉冲电压而变化。当没有检测对象的靠近或接触时，布线Y1至Y6的波形根据布线X1至X6的电压变化而变化。另一方面，在有检测对象靠近或接触的部分电流值减少，因而与其相应的电压值的波形也产生变化。如此，通过检测互电容的变化，可以检测检测对象的靠近或接触。
作为触摸传感器，图11A虽然示出仅在布线的交叉部设置电容器2603的无源矩阵型触摸传感器的结构，但是也可以采用具备晶体管和电容器的有源矩阵型触摸传感器。图12示出有源矩阵型触摸传感器所包括的一个传感器电路的例子。
图12所示的传感器电路包括电容器2603、晶体管2611、晶体管2612及晶体管2613。
对晶体管2613的栅极施加信号G2，对晶体管2613的源极和漏极中的一个施加电压VRES，并且晶体管2613的源极和漏极中的另一个与电容器2603的一个电极及晶体管2611的栅极电连接。晶体管2611的源极和漏极中的一个与晶体管2612的源极和漏极中的一个电连接，对另一个施加电压VSS。对晶体管2612的栅极施加信号G1，晶体管2612的源极和漏极中的另一个与布线ML电连接。对电容器2603的另一个电极施加电压VSS。
接着，对图12所示的传感器电路的工作进行说明。首先，通过作为信号G2施加使晶体管2613成为开启状态的电位，对应于电压VRES的电位被施加到与晶体管2611的栅极连接的节点n。接着，通过作为信号G2施加使晶体管2613成为关闭状态的电位，节点n的电位得到保持。接着，由于手指等检测对象的靠近或接触，电容器2603的互电容产生变化，节点n的电位随之从VRES变化。
在读出工作中，对信号G1施加使晶体管2612成为开启状态的电位。流过晶体管2611的电流，即流过布线ML的电流根据节点n的电位而产生变化。通过检测该电流，可以检测出检测对象的靠近或接触。
在晶体管2611、晶体管2612及晶体管2613中，优选将氧化物半导体层用于形成有沟道区的半导体层。尤其是通过将这种晶体管用于晶体管2613，能够长期间保持节点n的电位，由此可以减少对节点n再次供应VRES的工作（刷新工作）的频度。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
实施例1
在本实施例中，对实施方式1中作为结构式（100）示出的双（4-甲基二苯并[f，h]喹唑啉-12-基-κC，κN）（2，4-戊二酮根-κ2O，O’）铱（III）（简称：[Ir（mdbqz）2（acac）]）的合成方法进行说明。以下，示出[Ir（mdbqz）2（acac）]的结构。
〈步骤1；5-（2-联苯）-4-甲基嘧啶的合成〉
将5-溴-4-甲基嘧啶2.9g（16.8mmol）、2-联苯硼酸3.6g（18.0mmol）、磷酸三钾9.6g（45.0mmol）、2-二环己基膦基-2’，6’-二甲氧基联苯（S-phos）0.369g（0.900mmol）、甲苯40mL放入300mL的三口烧瓶中，对烧瓶内进行氮气置换，然后边减压边搅拌来进行脱气。在脱气后，对烧瓶内进行氮气置换，加入醋酸钯（II）0.101g（0.450mmol），并在氮气流下以100℃搅拌13小时。对获得的反应溶液加水，使反应溶液分成有机层和水层，并使用氯仿萃取水层。使用饱和食盐水对有机层和得到的萃取溶液进行洗涤，并添加无水硫酸镁进行干燥。对所得到的混合物进行重力过滤，并且浓缩滤液，以得到固体。利用硅胶柱层析法对该固体进行精制。作为展开溶剂，使用己烷：乙酸乙酯＝4：1的混合溶剂。对所得到的目的物的馏分进行浓缩，以98%的收率得到白色固体4.1g，并确认出利用核磁共振法（NMR）得到的白色固体为5-（2-联苯）-4-甲基嘧啶。如下式子（a-0）示出步骤1的合成方案。
〈步骤2；4-甲基二苯并[f，h]喹唑啉（简称：Hmdbqz）的合成〉
将利用步骤1合成的5-（2-联苯）-4-甲基嘧啶4.1g（16.4mmol）放入100mL的三口烧瓶中，在减压条件下进行搅拌来进行脱气，并对烧瓶内进行了氮气置换。对该固体添加脱水二氯甲烷40mL、浓硫酸1.2g（12.3mmol）。对该混合溶液添加氯化铁（III）10.6g（65.6mmol）并在室温下搅拌20小时。在经过预定时间后，将得到的混合物倒入甲醇中，并在室温下搅拌16小时。对该反应溶液添加水和二氯甲烷使该反应溶液分成有机层和水层，并使用二氯甲烷萃取水层。使用水、饱和食盐水对得到的萃取溶液及有机层进行洗涤，然后添加无水硫酸镁进行干燥。对所得到的混合物进行重力过滤，并且浓缩滤液，以得到固体。对得到的固体添加1L甲醇，并进行1小时的热回流，进行重力过滤，来去除不溶物。浓缩得到的滤液，由此得到固体。利用甲醇使得到的固体再结晶，以54%的收率得到白色固体2.2g。利用核磁共振法（NMR）确认出得到的白色固体为4-甲基二苯并[f，h]喹唑啉。如下式子（b-0）示出步骤2的合成方案。
〈步骤3；二-μ-氯-四（4-甲基二苯并[f，h]喹唑啉-12-基-κC，κN）二铱（III）（简称：[Ir（mdbqz）2Cl]2）的合成〉
将步骤2中合成的4-甲基二苯并[f，h]喹唑啉（简称：Hmdbqz）2.2g（8.9mmol）、氯化铱水合物0.266g（0.89mmol）及乙二醇40mL放入100mL的圆底烧瓶中，并对烧瓶内进行氩气置换。通过对该反应容器照射1小时的微波（2.45GHz100W）使其起反应。反应后，对反应溶液进行抽滤，并利用甲醇、水、二氯甲烷对得到的固体进行洗涤，以58%的收率得到黄色固体0.37g。如下式子（c-0）示出步骤3的合成方案。
〈步骤4；双（4-甲基二苯并[f，h]喹唑啉-12-基-κC，κN）（2，4-戊二酮根-κ2O，O’）铱（III）（简称：[Ir（mdbqz）2（acac）]）的合成〉
将2-乙氧基乙醇15mL、利用步骤3合成的[Ir（mdbqz）2Cl]20.370g（0.26mmol）、乙酰丙酮0.260g（2.6mmol）、碳酸钠0.276g（2.6mmol）放入50mL的茄形烧瓶中，并对烧瓶内进行氩气置换。通过对该反应容器照射2小时的微波（2.45GHz120W），使其起反应。反应后，对得到的反应混合物添加水，并使用二氯甲烷进行萃取。利用饱和食盐水对得到的萃取溶液进行洗涤，并添加无水硫酸镁进行干燥。对所得到的混合物进行重力过滤，并且浓缩滤液，以得到固体。利用二氯甲烷/乙醇的混合溶剂使所得到的固体再结晶，以40%的收率得到黄色固体160mg。如下式子（d-0）示出步骤4的合成方案。
利用核磁共振法（NMR）对通过上述步骤4得到的黄色固体的质子（1H）进行了测定。下面示出得到的值。另外，图15示出1H-NMR图。由此可知，在本合成例1中得到了上述结构式（100）表示的本发明的一个方式的有机金属配合物[Ir（mdbqz）2（acac）]。
1H-NMR.δ（CDCl3）：1.80（s，6H），3.56（s，6H），5.31（s，1H），6.45（d，2H），7.06（t，2H），7.71-7.76（m，4H），7.89（d，2H），8.64（d，2H），8.80（d，2H），9.28（s，2H）。
接着，对[Ir（mdbqz）2（acac）]的二氯甲烷溶液的紫外可见吸收光谱（以下，简单地称为吸收光谱）及发射光谱进行测量。作为吸收光谱的测量，使用紫外可见分光光度计（由日本分光株式会社制造，V550型），将二氯甲烷溶液（0.010mmol/L）放在石英皿中，并在室温下进行测量。另外，作为发射光谱的测量，使用荧光分光光度计（日本滨松光子学株式会社制造，FS920），将脱气的二氯甲烷溶液（0.010mmol/L）放在石英皿中，并在室温下进行测量。图16示出得到的吸收光谱及发射光谱的测定结果。横轴表示波长，纵轴表示吸收强度及发光强度。另外，图16所示的吸收光谱表示从将二氯甲烷溶液（0.010mmol/L）放在石英皿中而测量的吸收光谱减去只将二氯甲烷放在石英皿中而测量的吸收光谱来得到的结果。
如图16所示，本实施例中说明的有机金属配合物[Ir（mdbqz）2（acac）]在557nm具有发光峰值，并观测到来自二氯甲烷溶液的黄绿色发光。
接着，利用液相色谱-质谱联用分析（LiquidChromatographyMassSpectrometry（简称：LC/MS分析））对本实施例所得到的[Ir（mdbqz）2（acac）]进行质量（MS）分析。
在LC/MS分析中，利用沃特世（Waters）公司制造的AcquityUPLC（注册商标）进行LC（液相层析）分离，并利用沃特世公司制造的XevoG2TofMS进行MS分析（质量分析）。在LC分离中使用沃特世公司制造的色谱柱为AcquityUPLC（注册商标）BEHC8（2.1×100mm，1.7μm），柱温为40℃。作为流动相A使用乙腈，作为流动相B使用0.1%甲酸水溶液。另外，以任意浓度将[Ir（mdbqz）2（acac）]溶解于氯仿中，并且利用乙腈稀释来调节样品。此时，将注入量设定为5.0μL。
在LC分离中利用改变流动相的组成的梯度法，测量开始后0分钟至1分钟时的比例为流动相A：流动相B=40：60，然后改变组成，测量开始后过了10分钟时的比例为流动相A：流动相B=95：5。线性地改变比率。
在MS分析中，通过电喷雾电离（ElectroSprayIonization（简称：ESI））法进行离子化。此时的毛细管电压为3.0kV，样品锥孔电压为30V，并以正模式进行检测。在碰撞室（collisioncell）内，使通过上述条件离子化了的m/z＝779.20的成分与氩气体碰撞，以使其离解为多个子离子。碰撞氩时的能量（碰撞能量：collisionenergy）为30eV。另外，所检测的质量范围是m/z＝100至1200。图17示出利用飞行时间（TOF）型MS检测被解离的子离子的结果。
由图17的结果可知，[Ir（mdbqz）2（acac）]主要在m/z＝679附近检测出子离子。另外，由于图17所示的结果示出来源于[Ir（mdbqz）2（acac）]的典型的结果，所以可以说是确定包含于混合物中的[Ir（mdbqz）2（acac）]时的重要数据。
另外，估计m/z＝679附近的子离子是[Ir（mdbqz）2（acac）]中的乙酰丙酮脱离的状态的阳离子，由此说明[Ir（mdbqz）2（acac）]包含乙酰丙酮。
实施例2
《合成例2》
在本实施例中，对实施方式1中作为结构式（101）示出的双（4-甲基二苯并[f，h]喹唑啉-12-基-κC，κN）（2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮-κ2O，O’）铱（III）（简称：[Ir（mdbqz）2（dpm）]）的合成方法进行说明。以下，示出[Ir（mdbqz）2（dpm）]的结构。
〈步骤1；双-μ-氯-四（4-甲基二苯并[f，h]喹唑啉-12-基-κC，κN）二铱（III）（简称：[Ir（mdbqz）2Cl]2）的合成〉
将4-甲基二苯并[f，h]喹唑啉（简称：Hmdbqz）2.0g（8.2mmol）、氯化铱水合物1.2g（4.0mmol）、2-乙氧基乙醇30mL、水10mL放入100mL的圆底烧瓶中，并对烧瓶内进行氩气置换。通过对该反应容器照射微波（2.45GHz100W）2小时来使其发生反应。反应后，对反应溶液进行抽滤，并使用甲醇对得到的固体进行洗涤，以86%的收率得到茶色固体2.5g。如下式子（c-1）示出步骤1的合成方案。
〈步骤2；双（4-甲基二苯并[f，h]喹唑啉-12-基-κC，κN）（2，2’，6，6’-四甲基-3，5-庚二酮-κ2O，O’）铱（III）（简称：[Ir（mdbqz）2（dpm）]）的合成〉
将2-乙氧基乙醇40mL、通过步骤1合成的[Ir（mdbqz）2Cl]22.5g（1.7mmol）、二叔戊酰甲烷3.1g（17mmol）、碳酸钠1.8g（17mmol）放入100mL的圆底烧瓶中，并对烧瓶内进行氩气置换。通过对该反应容器照射微波（2.45GHz120W）2小时来使其发生反应。反应后，对得到的反应混合物添加水，并使用二氯甲烷进行萃取。利用饱和食盐水对得到的萃取溶液进行洗涤，并添加无水硫酸镁进行干燥。对所得到的混合物进行重力过滤得到滤液，并对该滤液进行浓缩得到固体。对得到的固体添加二氯甲烷，并使用硅藻土（日本和光纯药工业株式会社、目录号码：531-16855）和氧化铝（矾土）的叠层物进行抽滤。对所得到的滤液进行浓缩，得到固体。利用二氯甲烷/乙醇的混合溶剂使所得到的固体再结晶，以6%的收率得到黄色固体190mg。如下式子（d-2）示出步骤2的合成方案。
利用核磁共振法（NMR）对通过上述步骤2得到的黄色固体的质子（1H）进行了测定。下面示出得到的值。另外，图18示出1H-NMR图。由此可知，在本合成例2中得到了上述结构式（101）表示的本发明的一个方式的有机金属配合物[Ir（mdbqz）2（dpm）]。
1H-NMR.δ（CDCl3）：0.87（s，18H），3.54（s，6H），5.61（s，1H），6.52（d，2H），7.06（t，2H），7.70-7.75（m，4H），7.89（d，2H），8.64（d，2H），8.79（d，2H），9.17（s，2H）。
接着，对[Ir（mdbqz）2（dpm）]的二氯甲烷溶液的紫外可见吸收光谱（以下，简单地称为吸收光谱）及发射光谱进行测量。作为吸收光谱的测量，使用紫外可见分光光度计（由日本分光株式会社制造，V550型），将二氯甲烷溶液（0.0096mmol/L）放在石英皿中，并在室温下进行测量。另外，作为发射光谱的测量，使用荧光分光光度计（日本滨松光子学株式会社制造，FS920），将脱气的二氯甲烷溶液（0.0096mmol/L）放在石英皿中，并在室温下进行测量。图19示出得到的吸收光谱及发射光谱的测定结果。横轴表示波长，纵轴表示吸收强度及发光强度。另外，图19所示的吸收光谱表示从将二氯甲烷溶液（0.0096mmol/L）放在石英皿中而测量的吸收光谱减去只将二氯甲烷放在石英皿中而测量的吸收光谱来得到的结果。
如图19所示，本实施例中说明的有机金属配合物[Ir（mdbqz）2（dpm）]在557nm具有发光峰值，并观测到来自二氯甲烷溶液的黄绿色发光。
接着，利用液相色谱-质谱联用分析（LiquidChromatographyMassSpectrometry（简称：LC/MS分析））对本实施例所得到的[Ir（mdbqz）2（dpm）]进行质量（MS）分析。
在LC/MS分析中，利用沃特世（Waters）公司制造的AcquityUPLC（注册商标）进行LC（液相层析）分离，并利用沃特世公司制造的XevoG2TofMS进行MS分析（质量分析）。在LC分离中使用沃特世公司制造的色谱柱AcquityUPLC（注册商标）BEHC8（2.1×100mm，1.7μm），柱温为40℃。作为流动相A使用乙腈，作为流动相B使用0.1%甲酸水溶液。另外，以任意浓度将[Ir（mdbqz）2（dpm）]溶解于氯仿中，并且利用乙腈稀释来调节样品。此时，将注入量设定为5.0μL。
在LC分离中利用改变流动相的组成的梯度法，测量开始后0分钟至1分钟时的比例为流动相A：流动相B=70：30，然后改变组成，测量开始后过了10分钟时的比例为流动相A：流动相B=95：5。线性地改变比率。
在MS分析中，通过电喷雾电离（ElectroSprayIonization（简称：ESI））法进行离子化。此时的毛细管电压为3.0kV，样品锥孔电压为30V，并以正模式进行检测。在碰撞室（collisioncell）内，使通过上述条件离子化了的m/z＝863.29的成分与氩气体碰撞，以使其离解为多个子离子。碰撞氩时的能量（碰撞能量：collisionenergy）为30eV。另外，所检测的质量范围是m/z＝100至1200。图20示出利用飞行时间（TOF）型MS检测被解离的子离子的结果。
由图20的结果可知，[Ir（mdbqz）2（dpm）]主要在m/z＝679附近检测出子离子。另外，由于图20所示的结果示出来源于[Ir（mdbqz）2（dpm）]的典型的结果，所以可以说是确定包含于混合物中的[Ir（mdbqz）2（dpm）]时的重要数据。
另外，估计m/z＝679附近的子离子是[Ir（mdbqz）2（dpm）]中的二叔戊酰甲烷脱离的状态的阳离子，由此说明[Ir（mdbqz）2（dpm）]包含二叔戊酰甲烷。
实施例3
《合成例3》
在本实施例中，对实施方式1中作为结构式（104）示出的双（4-甲基二苯并[f，h]喹唑啉-12-基-κC，κN）（2，8-二甲基-4，6-壬烷二酮-κ2O，O’）铱（III）（简称：[Ir（mdbqz）2（divm）]）的合成方法进行说明。以下示出[Ir（mdbqz）2（divm）]的结构。
〈双（4-甲基二苯并[f，h]喹唑啉-12-基-κC，κN）（2，8-二甲基-4，6-壬烷二酮-κ2O，O’）铱（III）（简称：[Ir（mdbqz）2（divm）]）的合成〉
将2-乙氧基乙醇40mL、[Ir（mdbqz）2Cl]22.1g（1.5mmol）、二异戊酰基甲烷1.7g（9.2mmol）、碳酸钠1.6g（15mmol）放入100mL的圆底烧瓶中，并对烧瓶内进行氩气置换。通过对该反应容器照射1小时的微波（2.45GHz120W），使其起反应。反应后，对反应溶液添加二氯甲烷进行抽滤，去除固体得到滤液。浓缩得到的滤液得到固体。利用硅胶柱色谱法对得到的固体进行精制。作为展开溶剂使用二氯甲烷。浓缩得到的目的物的馏分，得到固体。利用乙酸乙酯/己烷的混合溶剂使得到的固体再结晶，以9%的收率得到黄色固体110mg。如下式子（d-1）示出合成方案。
利用核磁共振法（NMR）对通过上述步骤得到的黄色固体的质子（1H）进行测定。下面示出得到的值。另外，图21示出1H-NMR图。由此可知，在本合成例3中得到了上述结构式（104）表示的本发明的一个方式的有机金属配合物[Ir（mdbqz）2（divm）]。
1H-NMR.δ（CDCl3）：
0.57（d，6H），0.63（d，6H），1.63-1.71（m，2H），1.84-1.92（m，4H），3.54（s，6H），5.27（s，1H），6.51（d，2H），7.07（t，2H），7.72-7.77（m，4H），7.91（d，2H），8.65（d，2H），8.80（d，2H），9.27（s，2H）。
接着，对[Ir（mdbqz）2（divm）]的二氯甲烷溶液的紫外可见吸收光谱（以下，简单地称为吸收光谱）及发射光谱进行测量。作为吸收光谱的测量，使用紫外可见分光光度计（由日本分光株式会社制造，V550型），将二氯甲烷溶液（0.0099mmol/L）放在石英皿中，并在室温下进行测量。另外，作为发射光谱的测量，使用绝对PL量子产率测定装置（日本滨松光子学公司制造，C11347-01），在手套箱（日本Bright公司制造，LABstarM13（1250/780））中，在氮气氛下将二氯甲烷脱氧溶液（0.0099mmol/L）放在石英皿中，密封，并在室温下进行测定。图22示出得到的吸收光谱及发射光谱的测定结果。横轴表示波长，纵轴表示吸收强度及发光强度。另外，图22所示的吸收光谱表示从将二氯甲烷溶液（0.0099mmol/L）放在石英皿中而测量的吸收光谱减去只将二氯甲烷放在石英皿中而测量的吸收光谱来得到的结果。
如图22所示，本实施例中说明的有机金属配合物[Ir（mdbqz）2（divm）]在553nm具有发光峰值，并观测到来自二氯甲烷溶液的黄绿色发光。
实施例4
《合成例4》
在本实施例中，对实施方式1中作为结构式（114）示出的三（4-甲基二苯并[f，h]喹唑啉-12-基-κC，κN）铱（III）（简称：[Ir（mdbqz）3]）的合成方法进行说明。以下，示出[Ir（mdbqz）3]的结构。
〈三（4-甲基二苯并[f，h]喹唑啉-12-基-κC，κN）铱（III）（简称：[Ir（mdbqz）3]）的合成〉
将4-甲基二苯并[f，h]喹唑啉（简称：Hmdbqz）1.1g（4.5mmol）、三（乙酰丙酮根）铱（III）0.44g（0.90mmol）放入安装有三通旋塞的反应容器中，在氩气流下，以250℃进行42小时的加热。对得到的反应混合物添加二氯甲烷，进行抽滤，得到固体。对得到的固体添加甲苯200ml，并进行了30分钟的热回流。对该混合物进行过滤，得到固体。对得到的固体添加1，1，2，2-四氯乙烷100ml，并以140℃加热30分钟。对该混合物进行过滤，以47%的收率得到橙色固体0.39g。如下式子（c-2）示出合成方案。
对通过上述步骤得到的橙色固体进行了EI-MS测定（ElectronImpact-MassSpectrometry：电子轰击质谱）。使用70eV的加速电子进行离子化。图23示出质量光谱。另外，在图23中，横轴表示m/z（质量电荷比）、纵轴表示强度（任意单位）。根据图23所示的光谱可知，m/z＝922来源于分子离子。来源于4-甲基二苯并[f，h]喹唑啉（简称：Hmdbqz）配体的碎片m/z＝243成为基准峰值，而几乎没有来源于分子离子的峰值（m/z＝922），这意味着该分裂极易发生。另外，m/z＝679是由于两个键同时从分子离子断开而失去一个4-甲基二苯并[f，h]喹唑啉（简称：Hmdbqz）配体而得到的碎片。另外，还知道4-甲基二苯并[f，h]喹唑啉（简称：Hmdbqz）配体进一步裂开而产生碎片。由此可知，在本合成例4中得到了上述结构式（114）表示的本发明的一个方式的有机金属配合物[Ir（mdbqz）3]。
实施例5
在本实施例中，制造将本发明的一个方式的有机金属配合物[Ir（mdbqz）2（acac）]（结构式（100））用于发光层的发光元件1，并对其工作特性进行了测定。另外，对制造的发光元件1的发射光谱进行了测定。使用图24对发光元件1的制造进行说明。另外，以下示出本实施例所使用的材料的化学式。
《发光元件1的制造》
首先，在玻璃衬底900上通过溅射法形成铟锡氧化物（ITO）的膜，由此形成用作阳极的第一电极901。另外，将厚度设定为110nm，并且将电极面积设定为2mm×2mm。
接着，作为用来在衬底900上形成发光元件1的预处理，使用水对衬底表面进行洗涤，并以200℃进行1小时的焙烧，然后进行370秒的UV臭氧处理。
然后，将衬底放入到其内部被减压到10-4Pa左右的真空蒸镀装置中，并在真空蒸镀装置内的加热室中，以170℃进行30分钟的真空焙烧，然后对衬底900进行30分钟左右的冷却。
接着，以使形成有第一电极901的面朝下的方式将衬底900固定到设置于真空蒸镀装置内的支架。在本实施例中，说明通过真空蒸镀法依次形成构成EL层902的空穴注入层911、空穴传输层912、发光层913、电子传输层914及电子注入层915的情况。
在将真空蒸镀装置的内部减压到10-4Pa之后，通过将1,3,5-三（二苯并噻吩-4-基）苯（简称：DBT3P-Ⅱ）及氧化钼以DBT3P-Ⅱ:氧化钼=4：2（质量比）的比例共蒸镀，从而在第一电极901上形成空穴注入层911。将其厚度设定为20nm。注意，共蒸镀是指使多个不同的物质分别从不同的蒸发源同时蒸发的蒸镀法。
接着，以厚度为20nm的方式蒸镀4-苯基-4’-（9-苯基芴-9-基）三苯胺（简称：BPAFLP）来形成空穴传输层912。
接着，在空穴传输层912上形成发光层913。共蒸镀2-[3’-（二苯并噻吩-4-基）联苯-3-基]二苯并[f,h]喹喔啉（简称：2mDBTBPDBq-Ⅱ）、N-（1,1’-联苯-4-基）-9,9-二甲基-N-[4-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）苯基]-9H-芴-2-胺（简称：PCBBiF）以及[Ir（mdbqz）2（acac）]，以满足2mDBTBPDBq-Ⅱ：PCBBiF：[Ir（mdbqz）2（acac）]＝0.8：0.2：0.025（质量比）的关系。另外，将发光层913的厚度设定为40nm。
接着，在发光层913上以厚度为20nm的方式蒸镀2mDBTBPDBq-Ⅱ，然后以厚度为10nm的方式蒸镀红菲绕啉（简称：BPhen）来形成电子传输层914。并且，在电子传输层914上以厚度为1nm的方式蒸镀氟化锂来形成电子注入层915。
最后，在电子注入层915上以厚度为200nm的方式蒸镀铝来形成用作阴极的第二电极903，以得到发光元件1。注意，在上述蒸镀过程中，蒸镀都利用电阻加热法进行。
表2示出通过上述步骤得到的发光元件1的元件结构。
[表2]
此外，以使发光元件不暴露于大气的方式在氮气氛的手套箱中密封所制造的发光元件1（将密封材料涂敷于元件的周围，并且在密封时进行UV处理并以80℃进行1小时的热处理）。
《发光元件1的工作特性》
对所制造的发光元件1的工作特性进行测量。另外，在室温（保持为25℃的气氛）下进行测量。
图25示出发光元件1的电压-亮度特性，图26示出发光元件1的亮度-电流效率特性。
从上述结果可知，本发明的一个方式的发光元件1是高效率的元件。此外，下面的表3示出1000cd/m2附近的发光元件1的主要初期特性值。
[表3]
从上述结果可知，在本实施例中制造的发光元件1是亮度高且电流效率良好的发光元件。
此外，图27示出以2.5mA/cm2的电流密度使电流流过发光元件1时的发射光谱。如图27所示那样，发光元件1的发射光谱在544nm附近具有峰值，可知该光谱来源于本发明的一个方式的有机金属配合物[Ir（mdbqz）2（acac）]的发光。
实施例6
在本实施例中，制造将本发明的一个方式的有机金属配合物[Ir（mdbqz）2（dpm）]（结构式（101））用于发光层的发光元件2，并对其工作特性进行了测定。另外，对制造的发光元件2的发射光谱进行了测定。发光元件2与实施例5所示的发光元件1具有相同的结构，使用图24对其进行说明。另外，以下示出本实施例所使用的材料的化学式。
《发光元件2的制造》
首先，在玻璃衬底900上通过溅射法形成铟锡氧化物（ITO）的膜，由此形成用作阳极的第一电极901。另外，将厚度设定为110nm，并且将电极面积设定为2mm×2mm。
接着，作为用来在衬底900上形成发光元件2的预处理，使用水对衬底表面进行洗涤，并以200℃进行1小时的焙烧，然后进行370秒的UV臭氧处理。
然后，将衬底放入到其内部被减压到10-4Pa左右的真空蒸镀装置中，并在真空蒸镀装置内的加热室中，以170℃进行30分钟的真空焙烧，然后对衬底900进行30分钟左右的冷却。
接着，以使形成有第一电极901的面朝下的方式将衬底900固定到设置于真空蒸镀装置内的支架。在本实施例中，说明通过真空蒸镀法依次形成构成EL层902的空穴注入层911、空穴传输层912、发光层913、电子传输层914及电子注入层915的情况。
在将真空蒸镀装置的内部减压到10-4Pa之后，通过将1,3,5-三（二苯并噻吩-4-基）苯（简称：DBT3P-Ⅱ）及氧化钼以DBT3P-Ⅱ:氧化钼=4：2（质量比）的比例共蒸镀，从而在第一电极901上形成空穴注入层911。将其厚度设定为20nm。注意，共蒸镀是指使多个不同的物质分别从不同的蒸发源同时蒸发的蒸镀法。
接着，以厚度为20nm的方式蒸镀4-苯基-4’-（9-苯基芴-9-基）三苯胺（简称：BPAFLP）来形成空穴传输层912。
接着，在空穴传输层912上形成发光层913。将2-[3’-（二苯并噻吩-4-基）联苯-3-基]二苯并[f,h]喹喔啉（简称：2mDBTBPDBq-Ⅱ）、N-（1,1’-联苯-4-基）-9,9-二甲基-N-[4-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）苯基]-9H-芴-2-胺（简称：PCBBiF）以及[Ir（mdbqz）2（dpm）]以满足2mDBTBPDBq-Ⅱ：PCBBiF：[Ir（mdbqz）2（dpm）]＝0.7：0.3：0.05（质量比）且成为20nm的方式进行共蒸镀，然后以2mDBTBPDBq-II：PCBBiF：[Ir（mdbqz）2（dpm）]＝0.8：0.2：0.025（质量比）且成为20nm的方式进行共蒸镀。
接着，在发光层913上以厚度为20nm的方式蒸镀2mDBTBPDBq-Ⅱ，然后以厚度为10nm的方式蒸镀红菲绕啉（简称：BPhen）来形成电子传输层914。并且，在电子传输层914上以厚度为1nm的方式蒸镀氟化锂来形成电子注入层915。
最后，在电子注入层915上以厚度为200nm的方式蒸镀铝来形成用作阴极的第二电极903，以得到发光元件2。注意，在上述蒸镀过程中，蒸镀都利用电阻加热法进行。
表4示出通过上述步骤得到的发光元件2的元件结构。
[表4]
此外，以使发光元件不暴露于大气的方式在氮气氛的手套箱中密封所制造的发光元件2（将密封材料涂敷于元件的周围，并且在密封时进行UV处理并以80℃进行1小时的热处理）。
《发光元件2的工作特性》
对所制造的发光元件2的工作特性进行测量。另外，在室温（保持为25℃的气氛）下进行测量。
图28示出发光元件2的电压-亮度特性，图29示出发光元件2的亮度-电流效率特性。
从上述结果可知，本发明的一个方式的发光元件2是高效率的元件。此外，下面的表5示出1000cd/m2附近的发光元件2的主要初期特性值。
[表5]
从上述结果可知，在本实施例中制造的发光元件2是电流效率良好的发光元件。
此外，图30示出以2.5mA/cm2的电流密度使电流流过发光元件2时的发射光谱。如图30所示那样，发光元件2的发射光谱在553nm附近具有峰值，可知该光谱来源于本发明的一个方式的有机金属配合物[Ir（mdbqz）2（dpm）]的发光。
另外，图31示出发光元件2的可靠性测试的结果。在图31中，纵轴表示起始亮度为100%时的归一化亮度（%），而横轴表示元件的驱动时间（h）。此外，在可靠性测试中，在将初始亮度设定为5000cd/m2且电流密度为恒定的条件下，驱动发光元件2。其结果，可知发光元件2为长寿命发光元件。
标记说明
101第一电极
102　EL层
103　第二电极
111　空穴注入层
112　空穴传输层
113　发光层
114　电子传输层
115　电子注入层
201　第一电极
202(1)　第一EL层
202(2)　第二EL层
202(n)第(n)EL层
204　第二电极
205　电荷发生层
205(n-1)第(n-1)电荷发生层
301　元件衬底
302　像素部
303　驱动电路部
304a　驱动电路部
304b　驱动电路部
305　密封材料
306　密封衬底
307　布线
308　FPC(柔性印刷电路)
309　FET
310　FET
311　开关用FET
312　电流控制用FET
313　电极
314　绝缘物
315　EL层
316　电极
317　发光元件
318　空间
350　发光元件
351　衬底
352　电极
353　电极
354　EL层
355　绝缘膜
356　分隔壁
401(a)　区域
401(b)　区域
402(Y)　C-C键
403(Y)　C-C键
402(Z)　C-C键
403(Y)　C-C键
900　衬底
901　电极
902　EL层
903　电极
911　空穴注入层
912　空穴传输层
913　发光层
914　电子传输层
915　电子注入层
2000　触控面板
2001　触控面板
2501　显示部
2502R　像素
2502t　晶体管
2503c　电容元件
2503g　扫描线驱动电路
2503t　晶体管
2509(1)　FPC
2509(2)　FPC
2510　衬底
2511　布线
2519　端子
2521　绝缘层
2528　分隔壁
2550R　发光元件
2560　密封层
2567BM　遮光层
2567p　反射防止层
2567R　着色层
2570　衬底
2580R　发光模块
2590　衬底
2591　电极
2592　电极
2593　绝缘层
2594　布线
2595　触摸传感器
2597　粘合层
2598　布线
2599　端子
2601　脉冲电压输出电路
2602　电流检测电路
2603　电容器
2611　晶体管
2612　晶体管
2613　晶体管
2621　电极
2622　电极
4000　照明装置
4001　衬底
4002　发光元件
4003　衬底
4004　电极
4005　EL层
4006　电极
4007　电极
4008　电极
4009　辅助布线
4010　绝缘层
4011　密封衬底
4012　密封材料
4013　干燥剂
4015　扩散板
4100　照明装置
4200　照明装置
4201　衬底
4202　密封衬底
4204　电极
4205　EL层
4206　电极
4207　电极
4208　电极
4209　辅助布线
4210　绝缘层
4212　密封材料
4213　阻挡膜
4214　平坦化膜
4215　扩散板
4300　照明装置
7100　电视装置
7101　框体
7103　显示部
7105　支架
7107　显示部
7109　操作键
7110　遥控操作机
7201　主体
7202　框体
7203　显示部
7204　键盘
7205　外部连接端口
7206　指向装置
7302　框体
7304　显示面板
7305　表示时间的图标
7306　其他图标
7311　操作按钮
7312　操作按钮
7313　连接端子
7321　腕带
7322　表带扣
7400　移动电话机
7401　框体
7402　显示部
7403　操作按钮
7404　外部连接部
7405　扬声器
7406　麦克风
7407　照相机
7500(1)　框体
7500(2)　框体
7501(1)　第一面
7501(2)　第一面
7502(1)　第二面
7502(2)　第二面
8001照明装置
8002　照明装置
8003　照明装置
8004　照明装置
9310　便携式信息终端
9311　显示面板
9312　显示区域
9313　铰链
9315　框体。

Claims (14)

1.一种有机金属配合物，包括：
属于第9族或第10族的金属；以及
苯并[h]喹唑啉骨架，
其中，所述苯并[h]喹唑啉骨架具有与苯并[h]喹唑啉共有5位与6位之间的碳-碳键的稠环，
并且，所述苯并[h]喹唑啉骨架与所述金属键合。
2.根据权利要求1所述的有机金属配合物，
其中所述有机金属配合物还包括选自具有β-二酮结构的单阴离子双齿螯合配体、具有羧基的单阴离子双齿螯合配体、具有酚羟基的单阴离子双齿螯合配体及两个配体元素都是氮的单阴离子双齿螯合配体中的配体，
并且，所述配体与所述金属键合。
3.根据权利要求1所述的有机金属配合物，其中所述稠环是由碳或碳及氮形成的取代或未取代的六元芳环。
4.一种具有由通式（G1）表示的结构的有机金属配合物，
其中，M表示属于第9族或第10族的金属，
R1至R4分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳原子数为6至10的芳基，
R5表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的苯基，
并且，环X表示由碳或碳及氮形成的取代或未取代的六元芳环。
5.根据权利要求4所述的有机金属配合物，
其中所述有机金属配合物由通式（G2）表示，
M表示属于第9族或第10族的金属，
L表示单阴离子配体，
R1至R4分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳原子数为6至10的芳基，
R5表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的苯基，
环X表示由碳或碳及氮形成的取代或未取代的六元芳环，
当所述金属属于第9族时，m为3，n为1、2或3，
并且，当所述金属属于第10族时，m为2，n为1或2。
6.根据权利要求5所述的有机金属配合物，其中所述单阴离子配体是具有β-二酮结构的单阴离子双齿螯合配体、具有羧基的单阴离子双齿螯合配体、具有酚羟基的单阴离子双齿螯合配体或两个配体元素都是氮的单阴离子双齿螯合配体。
7.根据权利要求5所述的有机金属配合物，
其中所述单阴离子配体由通式（L1）至通式（L7）中的任一个表示，
R71至R109分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基、卤基、乙烯基、取代或未取代的碳原子数为1至6的卤代烷基、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷氧基或者取代或未取代的碳原子数为1至6的烷硫基，
A1至A3分别独立地表示氮、与氢键合的sp2杂化碳或者具有取代基的sp2杂化碳，该取代基为碳原子数为1至6的烷基、卤基、碳原子数为1至6的卤代烷基或苯基。
8.根据权利要求4所述的有机金属配合物，
其中所述有机金属配合物由通式（G3）表示，
R1至R4分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳原子数为6至10的芳基，
R5表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的苯基，
R6及R7分别独立地表示氢或者取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基，
并且，环X表示由碳或碳及氮形成的取代或未取代的六元芳环。
9.根据权利要求4所述的有机金属配合物，
其中，所述有机金属配合物由通式（G4）表示，
R1至R4分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的碳原子数为6至10的芳基，
R5表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的苯基，
并且，环X表示由碳或碳及氮形成的取代或未取代的六元芳环。
10.根据权利要求4所述的有机金属配合物，
其中，所述有机金属配合物由通式（100）、通式（101）、通式（104）及通式（114）中的任一个表示，
。
11.一种包括夹在一对电极间的EL层的发光元件，所述EL层包括权利要求4所述的有机金属配合物。
12.一种发光装置，包括：
权利要求11所述的发光元件；以及
晶体管和衬底中的至少一个。
13.一种电子装置，包括：
权利要求12所述的发光装置；以及
麦克风、照相机、操作按钮、外部连接部及扬声器中的至少一个。
14.一种照明装置，包括：
权利要求12所述的发光装置，以及
框体。
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