CN103998571A - 荧光体、其制备方法及发光装置 - Google Patents
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- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 25
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 19
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 claims description 18
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 17
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 16
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 12
- -1 carbide Chemical class 0.000 claims description 12
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 3
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000006353 environmental stress Effects 0.000 claims description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 abstract 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 abstract 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 15
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M Chlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 1
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N [N].[O] Chemical compound [N].[O] OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(oxo)silane Chemical compound O[Si](O)=O IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N hydroxyformaldehyde Chemical compound O[14CH]=O BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/77348—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供荧光体、其制备方法及发光装置，该荧光体是具有与以往的蓝色荧光体不同的发光峰值波长的蓝色荧光体，该发光装置是使用该荧光体的高亮度发光装置。本发明的荧光体是由通式：MeaRebAlcSidOeNf（其中，Me包含Sr或Ba作为必需的第一元素，并可以包含选自Mg、Ca、Sc、Y及La中的一种以上元素作为第二元素，Re包含Eu作为必需的第一元素，并可以包含选自Mn、Ce、Tb、Yb及Sm中的一种以上元素作为第二元素）。表示的晶体，组成比a、b、c、d、e及f具有以下关系：a+b=1、0.005<b<0.25、1.60<c<2.60、2.50<d<4.05、3.05<e<5.00、2.75<f<4.40。
Description
技术领域
本发明涉及一种荧光体、该荧光体的制备方法及使用该荧光体的发光装置，所述荧光体具有复合氧氮化物的基质晶体，并能够在从紫外线到近紫外线的波长区域被有效激发，从而发出高亮度的蓝色光。
背景技术
荧光体能够被真空紫外线、紫外线、电子射线、近紫外线等具有高能量的激发源激发，并发出可见光线，但是，如果荧光体长时间暴露在激发源下，则存在荧光体的亮度下降的问题，所以正寻求一种即使长时间使用、亮度下降也小的荧光体。
因此，提出以下方案：使用化学稳定性高、且具有已知能作为耐热结构材料的氧氮化物类基质的荧光体，来代替以往的具有氧化物基质的荧光体、例如硅酸盐荧光体、磷酸盐荧光体、铝酸盐荧光体、或具有硫化物类基质的荧光体（专利文献1至3）。
【现有技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】国际公开第2006/093298号
【专利文献2】国际公开第2007/037059号
【专利文献3】国际公开第2007/105631号
发明内容
具有氧氮化物类基质的荧光体，是将铕等稀土元素固溶到称为赛隆（SiAlON）的晶体中而得到的。
本发明人等在对赛隆的晶体结构与稀土元素的关系进行研究时，发现当赛隆的晶体结构与稀土元素满足特定条件时，可形成一种具有与以往已知的蓝色荧光体不同的发光峰值波长、且亮度高的蓝色荧光体，从而完成了本发明。
即，本发明的目的是提供一种具有与以往的蓝色荧光体不同的发光峰值波长的蓝色荧光体、其制备方法以及使用该荧光体的高亮度的发光装置。
本发明是一种荧光体，该荧光体是由通式：MeaRebAlcSidOeNf（其中，Me是选自Sr以及Ba中的一种以上元素，Re是Eu。）表示的晶体，组成比a、b、c、d、e及f具有以下关系。
a+b=1
0.005<b<0.25
1.60<c<2.60
2.45<d<4.05
3.05<e<5.00
2.75<f<4.40
本发明的荧光体的c、d、e及f优选具有0.500<c/d<0.720及0.900<e/f<1.570的关系。
优选为，本发明的荧光体能够被波长300nm以上至420nm以下的光激发，并在波长450nm以上至485nm以下具有发光峰值波长。
其他方面的发明是用于制备本发明的荧光体的方法，包括以下工序：对下面所示的（1）至（4）的化合物进行混合的混合工序；对混合工序后的混合物进行烧成的烧成工序；在烧成工序后进行退火处理的退火工序；在退火工序后进行酸处理的酸处理工序，
（1）由Me表示的元素（其中，Me是选自Sr以及Ba中的一种以上元素。）的碳酸盐、氧化物、氮化物、碳化物、氢化物或硅化物中的一种或多种；
（2）由Re表示的元素（其中，Re是Eu。）的碳酸盐、氧化物、卤化物、氮化物、碳化物、氢化物或硅化物中的一种或多种；
（3）选自Al的氧化物、Al的卤化物、Al的氮化物或铝金属中的一种或多种铝化合物；
（4）选自Si的氮化物、Si的氧化物、Si的氧氮化物及硅金属中的一种或多种硅化合物。
上述烧成工序优选在1个大气压以上的环境气体压力下、并在1400℃以上至1800℃以下的温度条件下进行。
上述退火工序优选在1200℃以上至1600℃以下进行处理。
在本发明的制备方法中，可以对上述（1）至（4）、以及烧成工序在1个大气压以上的环境压力下、1400℃以上至1800℃以下的温度条件下进行烧成而得到的荧光体进行混合。
其他方面的发明是包括发光元件和本发明的荧光体的发光装置。
本发明的发光装置优选为，还包括一种以上与本发明的荧光体相比在更长的波长处具有发光峰值波长的荧光体。
上述发光元件优选采用具有340nm以上至450nm以下的发光的无机发光元件或有机发光元件中的任一种。
上述发光元件优选为LED元件。
发光装置优选是液晶TV用背光源、投影仪的光源装置、照明装置或信号装置。
由于与以往的蓝色荧光体的发光峰值波长相比，本发明的荧光体的发光峰值波长向长波长一侧位移，且发光带宽较宽，并且含有可见度良好的波长区域，所以呈现亮度更高的蓝色。根据其他方面的发明、即荧光体的制备方法，能够制备亮度比以往的荧光体更高的呈现蓝色的荧光体。根据其他方面的发明、即发光装置，能够提供具有亮度更高的呈现蓝色的荧光体的发光装置。
附图说明
图1是表示本发明的比较例1及实施例1、4、6、9、13、16的荧光体的发光光谱的图。
图2是表示本发明的比较例1及实施例1、4、6、9、13、16的荧光体的激发光谱的图。
具体实施方式
本发明是一种荧光体，该荧光体是由通式：MeaRebAlcSidOeNf（其中，Me是选自Sr以及Ba中的一种以上元素，Re是Eu。）表示的晶体，并且组成比a、b、c、d、e及f具有以下关系。
a+b=1
0.005<b<0.25
1.60<c<2.60
2.45<d<4.05
3.05<e<5.00
2.75<f<4.40
如上所述，Me是选自Sr以及Ba中的一种以上元素，并且优选为Ba单体，在含有Sr以及Ba二者的情况下，优选含有较多Ba。这是由于含有Ba时，晶体结构变得更稳定，并且发光效率提高。
另外，Me除了Sr、Ba以外，还可以含有选自Mg、Ca、Sc、Y以及La的一种以上元素。
Re元素除了Eu以外，还可以含有选自Mn、Ce、Tb、Yb以及Sm中的一种以上元素。作为Eu以外的元素，优选Ce或Yb。
组成比a至f表示元素的摩尔比，将a至f乘以任意正数而得到的元素比也给出相同的组成式。即，由于在本发明中，以a+b=1的方式来限定元素之比，所以，通过用a+b=1而求出的a至f，能够判断某一材料的组成式与本发明的权利范围的关系。
在本发明的荧光体中，表示由Re所示的Eu等发光元素的离子浓度的b为0.005<b<0.25的范围，优选0.01<b<0.20的范围，更优选0.02<b<0.10的范围。当b低于0.005时，由于发光元素离子的原子数少，因此不能得到充分的发光效率。另一方面，当b高于0.25时，由于发光元素离子的原子数变得过多，并发生相邻发光离子之间的激发能量的再吸收效应、即称为浓度猝灭（concentrationquenching）的现象，因此同样也不能得到充分的发光效率。
在本发明的荧光体中，Al元素、Si元素、O元素及N元素的比率由c至f表示，并分别在1.60<c<2.60、2.45<d<4.05、3.05<e<5.00、2.75<f<4.40的范围。在满足上述组成比a至f的所有条件的范围时，本发明的荧光体的晶体结构稳定。如果上述数值低于其下限值、或者高于其上限值，则由于在制备时可促进第二相烧成物的形成，或者制备得到的荧光体的发光效率降低，所以不优选。
上述组成比c至f的条件更优选为1.83<c<2.20、2.73<d<3.50、3.28<e<4.90、3.12<f<4.23。
本发明的荧光体的c/d以及e/f优选具有0.500<c/d<0.720及0.900<e/f<1.570的关系。
确定Al元素和Si元素之比的c/d以及确定O元素和N元素之比的e/f分别为0.500<c/d<0.720、0.900<e/f<1.570，优选为0.610<c/d<0.690、1.000<e/f<1.450，并且，当设为0.620<c/d<0.675、1.007<e/f<1.320时，晶体结构更稳定，并且发光效率更高，所以更优选。与c/d及e/f在范围内的荧光体相比，c/d及e/f超出了上述范围的荧光体的发光效率降低。
当本发明的荧光体的组成比a至f设为0.90<a<0.98、0.02<b<0.10、1.83<c<2.20、2.73<d<3.50、3.28<e<4.47、3.12<f<4.04、0.620<c/d<0.675、1.007<e/f<1.320时，晶体结构更稳定，并且发光峰值波长也稳定在470nm附近，所以优选。
优选为，本发明的荧光体被波长300nm以上至420nm以下的光激发，并在波长450nm以上至485nm以下具有发光峰值波长，更优选为，发光峰值波长属于波长469nm±8nm的范围。
本发明的荧光体的制备方法包括：对如下所示的（1）至（4）的化合物进行混合的混合工序；对混合工序后的混合物进行烧成的烧成工序；在烧成工序后进行退火处理的退火工序；在退火工序后进行酸处理的酸处理工序。
（1）由Me表示的元素（其中，Me是选自Sr以及Ba中的一种以上元素，并可以进一步含有选自Mg、Ca、Sc、Y、La中的一种以上元素。）的碳酸盐、氧化物、氮化物、碳化物、氢化物或硅化物中的一种或多种。
（2）由Re表示的元素（其中，Re由Eu构成，并可以进一步含有选自Mn、Ce、Tb、Yb、Sm中的一种以上元素。）的碳酸盐、氧化物、卤化物、氮化物、碳化物、氢化物或硅化物中的一种或多种。
（3）选自Al的氧化物、Al的卤化物、Al的氮化物或铝金属中的一种或多种铝化合物。
（4）选自Si的氮化物、Si的氧化物、Si的氧氮化物、硅金属中的一种或多种硅化合物。
化合物（1）至（4）的混合比例，基于组成比a至f进行设计即可。可以向化合物（1）至（4）中加入助熔剂。作为助熔剂，可以使用碱金属的卤化物、碱土金属的卤化物、Al的卤化物等，例如，相对于100wt%的化合物（1）至（4），可以在0.01～20wt%的范围添加上述助熔剂。
Me元素以及Re元素如上所述。
在烧成工序中，优选在1个大气压以上的环境气体压力下、并在1400℃以上至1800℃以下进行烧成，进一步优选在1500℃以上至1700℃以下进行烧成。当烧成温度为1400℃以下时，由于化合物之间不进行充分的反应，所以会引起第二相的生成和结晶性的下降。当烧成温度为1800℃以上时，通过以液相为媒介的反应，烧成物完全变成烧结体，对其进行粉末化时所进行的机械粉碎等会导致发光效率的下降和结晶性的下降。烧成工序优选在氮气环境中于1个大气压以上的压力下进行。
在烧成工序的最高温度下的保持时间根据烧成温度而改变，但通常保持时间是1～20小时。
退火工序优选在1200℃以上至1600℃以下进行退火处理。退火工序的环境气体可以是氮气、氩气及氢气中的一种或二种以上的混合气体。
用于酸处理工序的酸性溶液可以是盐酸、硫酸、硝酸中的一种或二种以上的混合溶液、或者是用离子交换水稀释该混合溶液而得到的溶液。
可以在上述（1）至（4）的化合物中，混合有通过上述制备方法进行制备的荧光体。在原料中加入荧光体的比例，可以是相对于混合后的原料为20wt%以下的范围。
本发明的发光装置包括发光元件和本发明的荧光体。所述发光装置可以使用本发明的荧光体以及一种以上与本发明的荧光体相比在更长的波长处具有发光峰值波长的荧光体。
与本发明的荧光体相比在更长的波长处具有发光峰值波长的荧光体是指，在485nm以上的波长区域具有发光峰值的荧光体，例如有β-SiAlON：Eu、（Ba，Sr）2SiO4：Eu、Sr-SiAlON：Eu、α-SiAlON：Eu、(Li,Ca)(Al,Si)2(N,O)3：Ce、(Ca，Sr,Ba)2Si5N8：Eu、SrAlSi4N7：Eu、（Ca,Sr）AlSiN3：Eu、La2O2S：Eu。
发光元件优选为，具有300nm以上至420nm以下的发光的无机发光元件或有机发光元件中的任意一种。
例如，发光元件优选为LED元件。
发光装置可以是液晶电视用背光源、投影仪的光源装置、照明装置或信号装置。
【实施例】
下面对本发明的实施例进行详细说明。
作为荧光体的原料，使用Si3N4（氮化硅）、Al2O3（氧化铝）、SrCO3（碳酸锶）、BaCO3（碳酸钡）及Eu2O3（氧化铕）的粉末。称量上述原料，用乳钵进行干式混合，并使形成的混合粉末的通式：MeaRebAlcSidOeNf为规定组成比。另外，Me元素为Sr及Ba（在实施例11、12、13中，Me元素仅为Ba，在实施例15中，Me元素仅为Sr），Re元素仅为Eu。
将得到的混合粉末填充到BN（氮化硼）制的坩埚中。
将填充有混合粉末的BN制坩埚，放置在以碳纤维形成体作为绝热材料并使用石墨加热器加热方式的电炉中，对混合粉末进行烧成。如下进行烧成，即，通过回转泵及扩散泵使电炉的加热框体内成为真空，然后于室温下填充氮气直至达到1个大气压，并以每小时500℃的速度从室温升温至1600℃，并在1600℃下保持4小时。
对烧成物进行粉碎，制成了荧光体粉末。
利用以下方法对荧光体的发光效率进行测定。
通过分光器将从作为光源的Xe灯发射出的光分光成405nm，从而得到激发光，利用光纤对放置在积分球内的荧光体照射激发光，并使用大塚电子株式会社制造的MCPD-7000，观测由该激发光引起的荧光体的发光。
表1记载的相对发光效率是以比较例1的荧光体（通称为BAM、并具有氧化物基质的以往的蓝色荧光体，代表性组成是BaMgAl10O17：Eu，峰值波长为455nm。）的发光效率作为100%时的相对值。由光谱特征可知，实施例1至17、比较例2及3的荧光体是高亮度的荧光体，所以，相对发光效率是90%以上，是合格值。
基于荧光体的实施例的分析值求出荧光体的组成比a至f。Me元素、Re元素、Al及Si的阳离子元素使用由ICP得到的分析值，O及N的阴离子使用由氧氮分析仪得到的分析值。结果示于表1。
【表1】
实施例1的荧光体是（Sr，Ba）0.93Eu0.07Al2.14Si3.25O4.47N3.40。Sr、Ba的组成比（摩尔比）为Sr：Ba=1.00：1.25。在比较例1的市售荧光体的发光效率为100%时，实施例1的荧光体的相对发光效率为92%，其在合格值以上。虽然在表1中没有记载，但实施例1的荧光体的发光峰值波长在469nm±8nm的范围内。
实施例2的荧光体是在氮气环境中（大气压）于1200℃对实施例1的荧光体粉末进行8小时的退火处理而得到的荧光体。实施例2的荧光体的相对发光效率为97%，虽然在表1中没有记载，但其发光峰值波长在469nm±8nm的范围内。通过退火处理，提高了相对发光效率。
实施例3的荧光体是在氮气环境中（大气压）于1300℃对实施例1的荧光体粉末进行8小时的退火处理而得到的荧光体。实施例3的荧光体的相对发光效率为100%，虽然在表1中没有记载，但其发光峰值波长在469nm±8nm的范围内。通过改变退火处理的条件，提高了相对发光效率。
实施例4的荧光体是在氮气环境中（大气压）于1400℃对实施例1的荧光体粉末进行8小时的退火处理而得到的荧光体。实施例4的荧光体的相对发光效率为107%，虽然在表1中没有记载，但其发光峰值波长在469nm±8nm的范围内。通过改变退火处理的条件，提高了相对发光效率。
实施例5的荧光体是在氮气环境中（大气压）于1500℃对实施例1的荧光体粉末进行8小时的退火处理而得到的荧光体。实施例5的荧光体的相对发光效率为108%，虽然在表1中没有记载，但其发光峰值波长在469nm±8nm的范围内。通过改变退火处理的条件，提高了相对发光效率。
实施例6的荧光体是对实施例1的荧光体粉末进行酸处理而得到的荧光体。在本实施例的酸处理工序中，经30～60分钟将在实施例1中制备的荧光体粉末投入到用离子交换水稀释硝酸而得到的酸性溶液（溶液温度为30℃）中。硝酸的稀释率以体积比计为12%。实施例6的荧光体的相对发光效率为99%，虽然在表1中没有记载，但其发光峰值波长在469nm±8nm的范围内。通过进行酸处理，提高了相对发光效率。在后述的实施例7、10以及实施例13的实施例中也相同。
实施例7的荧光体是，对实施例2的荧光体粉末进行与实施例6的酸处理工序相同的酸处理工序而得到的荧光体。实施例7的荧光体的相对发光效率为105%，虽然在表1中没有记载，但其发光峰值波长在469nm±8nm的范围内。
实施例8的荧光体是，对实施例3的荧光体粉末进行与实施例6的酸处理工序相同的酸处理工序而得到的荧光体。实施例8的荧光体的相对发光效率为111%，虽然在表1中没有记载，但其发光峰值波长在469nm±8nm的范围内。
实施例9的荧光体是，对实施例4的荧光体粉末进行与实施例6的酸处理工序相同的酸处理工序而得到的荧光体。实施例9的荧光体的相对发光效率为115%，虽然在表1中没有记载，但其发光峰值波长在469nm±8nm的范围内。
实施例10的荧光体是，对实施例5的荧光体粉末进行与实施例6的酸处理工序相同的酸处理工序而得到的荧光体。实施例10的荧光体的相对发光效率为112%，虽然在表1中没有记载，但其发光峰值波长在469nm±8nm的范围内。
实施例11的荧光体中Me元素仅为Ba，并利用与实施例1相同的方法制备得到，该荧光体是Ba0.93Eu0.07Al1.84Si2.73O3.49N3.17。实施例11的荧光体的相对发光效率是97%，虽然在表1中没有记载，但其发光峰值波长在469nm±8nm的范围内。
实施例12的荧光体是在氮气环境中（大气压）于1400℃对实施例11的荧光体粉末进行8小时的退火处理而得到的荧光体。实施例4的荧光体的相对发光效率是112%，虽然在表1中没有记载，但其发光峰值波长在469nm±8nm的范围内。通过退火处理，相对发光效率进一步提高。
实施例13的荧光体是对实施例12的荧光体粉末进行与实施例6的酸处理工序相同的酸处理工序而得到的荧光体。实施例13的荧光体的相对发光效率是119%，该相对发光效率是实施例中的最高值。虽然在表1中没有记载，但其发光峰值波长在469nm±8nm的范围内。
实施例14的荧光体是(Sr,Ba)0.93Eu0.07Al2.06Si3.94O3.92N4.23。Sr、Ba的组成比是Sr:Ba=1.00:1.41。实施例14的荧光体的相对发光效率是91%，虽然在表1中没有记载，但其发光峰值波长在469nm±8nm的范围内。
在实施例15的荧光体中Me元素仅为Sr，并利用与实施例1相同的方法制备得到，该荧光体是Sr0.92Eu0.08Al2.09Si3.03O4.31N3.32。实施例11的荧光体的相对发光效率是93%，虽然在表1中没有记载，但其发光峰值波长在469nm±8nm的范围内。
实施例16的荧光体是(Sr,Ba)0.98Eu0.02Al1.90Si2.90O3.66N3.18。Sr、Ba的组成比是Sr:Ba=1.00:1.19。实施例16的荧光体的相对发光效率是90%，虽然在表1中没有记载，但其发光峰值波长在469nm±8nm的范围内。
实施例17的荧光体是(Sr,Ba)0.90Eu0.10Al2.15Si3.09O4.90N3.16。Sr、Ba的组成比是Sr:Ba=1.00:1.14。实施例17的荧光体的相对发光效率是92%，虽然在表1中没有记载，但其发光峰值波长在469nm±8nm的范围内。
比较例2的荧光体是（Sr，Ba）0.92Eu0.08Al1.58Si2.42O3.61N2.57，Al、Si、N的组成比c、d、f没有包含在本发明的比率范围内。比较例2的荧光体的相对发光效率为31%，低于合格值。
比较例3的荧光体是（Sr，Ba）0.92Eu0.08Al2.72Si4.09O5.01N4.59，Al、Si、O、N的组成比c、d、e、f没有包含在本发明的比率范围内。比较例3的荧光体的相对发光效率为74%，低于合格值。
与比较例1的蓝色荧光体的发光峰值相比，实施例1至17的荧光体的发光峰值波长向长波长一侧位移，所以是亮度更高的蓝色。
实施例1至17的荧光体的相对发光效率都在合格值以上，而不满足组成a至f的数值限定、特别是不满足c至f的比较例2及比较例3的荧光体的相对发光效率低于合格值。
表2表示实施例的制备条件。
【表2】
图1表示本发明的比较例1及实施例1、4、6、9、13、16的荧光体的发光光谱。图2表示本发明的比较例1及实施例1、4、6、9、13、16的荧光体的激发光谱的测定结果。
图1的纵轴是使比较例1及实施例1、4、6、9、13、16的荧光体的发光光谱的峰值为1时的标准强度。与比较例1的市售荧光体相比，本发明的荧光体的发光峰值波长位于长波长一侧。即，比较例1的发光峰值波长为456nm，而实施例1、4、6、9、13、16的发光峰值波长在469nm±8nm的范围内。与比较例1的荧光体相比，本发明的荧光体由于发光带宽较宽且包括大量可见度良好的波长区域的可见光，所以发光的亮度相对强。
图2的纵轴是使比较例1及实施例1、4、6、9、13、16的激发光谱的峰值为1时的标准强度。本发明的荧光体在波长250nm～430nm附近具有基本平坦的激发强度。与比较例1的荧光体相比，本发明的实施例1、4、6、9、13、16的荧光体尤其能有效地被波长380nm～420nm的近紫外区域的光激发。由该结果可知，本发明的荧光体通过近紫外发光二极管而有效地进行发光。
Claims (12)
1.一种荧光体，由通式：MeaRebAlcSidOeNf表示，其中，Me是选自Sr以及Ba中的一种以上元素，Re是Eu，组成比a、b、c、d、e及f具有以下关系，
a+b=1，
0.005<b<0.25，
1.60<c<2.60，
2.45<d<4.05，
3.05<e<5.00，
2.75<f<4.40。
2.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述组成比c、d、e及f具有以下关系，
0.500<c/d<0.720，
0.900<e/f<1.570。
3.根据权利要求1或2所述的荧光体，所述荧光体能够被波长300nm以上至420nm以下的光激发，并在波长450nm以上至485nm以下具有发光峰值波长。
4.一种荧光体的制备方法，用于制备权利要求1所述的荧光体，所述制备方法包括以下工序：对下面所示的（1）至（4）的化合物进行混合的混合工序；对混合工序后的混合物进行烧成的烧成工序；在烧成工序后进行退火处理的退火工序；在退火工序后进行酸处理的酸处理工序，
（1）由Me表示的元素的碳酸盐、氧化物、氮化物、碳化物、氢化物或硅化物中的一种或多种，所述Me是选自Sr以及Ba中的一种以上元素，
（2）由Re表示的元素的碳酸盐、氧化物、卤化物、氮化物、碳化物、氢化物或硅化物中的一种或多种，所述Re是Eu，
（3）选自Al的氧化物、Al的卤化物、Al的氮化物或铝金属中的一种或多种铝化合物，
（4）选自Si的氮化物、Si的氧化物、Si的氧氮化物及硅金属中的一种或多种硅化合物。
5.根据权利要求4所述的荧光体的制备方法，其中，所述烧成工序是在1个大气压以上的环境压力下、并在1400℃以上至1800℃以下的温度下进行烧成。
6.根据权利要求4或5所述的荧光体的制备方法，其中，所述退火工序是在1200℃以上至1600℃以下的温度下进行退火处理。
7.一种荧光体的制备方法，用于制备权利要求1所述的荧光体，所述制备方法包括以下工序：对下面所示的（1）至（4）的化合物以及利用权利要求5得到的荧光体进行混合的混合工序；对混合工序后的混合物进行烧成的烧成工序；在烧成工序后进行退火处理的退火工序；在退火工序后进行酸处理的酸处理工序，
（1）由Me表示的元素的碳酸盐、氧化物、氮化物、碳化物、氢化物或硅化物中的一种或多种，所述Me是选自Sr以及Ba中的一种以上元素，
（2）由Re表示的元素的碳酸盐、氧化物、卤化物、氮化物、碳化物、氢化物或硅化物中的一种或多种，所述Re是Eu，
（3）选自Al的氧化物、Al的卤化物、Al的氮化物或铝金属中的一种或多种铝化合物，
（4）选自Si的氮化物、Si的氧化物、Si的氧氮化物及硅金属中的一种或多种硅化合物。
8.一种发光装置，包括发光元件和权利要求1至3中任一项所述的荧光体。
9.一种发光装置，包括发光元件、权利要求1至3中任一项所述的荧光体以及一种以上与权利要求1至3中任一项所述的荧光体相比在更长的波长处具有发光峰值波长的荧光体。
10.根据权利要求8所述的发光装置，其中，所述发光元件是具有340nm以上至450nm以下的发光的无机发光元件或有机发光元件。
11.根据权利要求8所述的发光装置，其中，所述发光元件是LED元件。
12.根据权利要求8所述的发光装置，所述发光装置是液晶TV用背光源、投影仪的光源装置、照明装置或信号装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012274112 | 2012-12-14 | ||
| JP2012-274112 | 2012-12-14 | ||
| PCT/JP2013/060109 WO2014091776A1 (ja) | 2012-12-14 | 2013-04-02 | 蛍光体、その製造方法及び発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103998571A true CN103998571A (zh) | 2014-08-20 |
| CN103998571B CN103998571B (zh) | 2016-03-23 |
Family
ID=50934080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201380000342.7A Active CN103998571B (zh) | 2012-12-14 | 2013-04-02 | 荧光体、其制备方法及发光装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP2767573B1 (zh) |
| JP (1) | JP5557360B1 (zh) |
| KR (1) | KR101484429B1 (zh) |
| CN (1) | CN103998571B (zh) |
| TW (1) | TWI521046B (zh) |
| WO (1) | WO2014091776A1 (zh) |
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2013
- 2013-04-02 CN CN201380000342.7A patent/CN103998571B/zh active Active
- 2013-04-02 KR KR1020137012455A patent/KR101484429B1/ko active IP Right Grant
- 2013-04-02 JP JP2013516827A patent/JP5557360B1/ja active Active
- 2013-04-02 WO PCT/JP2013/060109 patent/WO2014091776A1/ja active Application Filing
- 2013-04-02 EP EP13727795.0A patent/EP2767573B1/en active Active
- 2013-04-03 TW TW102112117A patent/TWI521046B/zh active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI521046B (zh) | 2016-02-11 |
| KR20140090559A (ko) | 2014-07-17 |
| WO2014091776A1 (ja) | 2014-06-19 |
| KR101484429B1 (ko) | 2015-01-19 |
| EP2767573A4 (en) | 2015-05-06 |
| JP5557360B1 (ja) | 2014-07-23 |
| JPWO2014091776A1 (ja) | 2017-01-05 |
| EP2767573B1 (en) | 2016-09-28 |
| EP2767573A1 (en) | 2014-08-20 |
| TW201422778A (zh) | 2014-06-16 |
| CN103998571B (zh) | 2016-03-23 |
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant |