CN103988273B - 电容元件制造用夹具和电容元件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种电容元件制造用夹具，其能够高精度地对处理液中的阳极体的浸渍位置进行控制，在电容元件的制造过程中需要热处理的情况下能够无障碍地进行热处理。具备第1基板11和沿着第1基板的下表面的平面部呈平行状配置的第2基板12以及安装于第2基板的下表面的多个插座1，第1基板11的下表面的第1电连接端子41分别与向电容器用阳极体供给电流的电源电连接，第2基板12的上表面的第2电连接端子42与插座1电连接，在第2基板12平行地重合配置在第1基板11的下表面侧时，第1电连接端子41与第2电连接端子42接触而电连接，插座通过该连接而与电源电连接，插座1具有将电容器用阳极体的导线电连接时的插入口37，插入口37朝向第2基板12的下方开口。

Description

电容元件制造用夹具和电容元件的制造方法
技术领域
本发明涉及在例如制造固体电解电容器等所使用的电容元件时使用的电容元件制造用夹具和使用了该电容元件制造用夹具的电容元件的制造方法。
背景技术
个人计算机等所使用的CPU(中央演算处理装置)周围的电容器，为了抑制电压变动并将高脉动(ripple)通过时的发热抑制得较低，而被要求高容量且低ESR(等效串联电阻)。使用铝固体电解电容器、钽固体电解电容器等作为这种电容器。已知这些固体电解电容器包括一个电极(阳极体)、形成在该电极的表面的电介质层和形成在该电介质层上的另一个电极(通常为半导体层)，该一个电极包括在表面层具有微细的细孔的铝箔或烧结在内部具有微小的细孔的钽粉而成的烧结体。
已知有如下方法作为所述固体电解电容器的制造方法：将从阳极体延伸的导线的一端连接于阳极体的支承基板的下端部，将多张该支承基板铅垂竖立且等间隔配置，从而将多个阳极体沿该基板的一边方向整齐地并列固定，并且将该阳极体浸渍于化成处理液，将该阳极体侧作为阳极并在与配置在上述化成处理液中的阴极之间施加电压而通电，从而在阳极体的表面形成电介质层，接下来，将在表面设置有电介质层的上述阳极体浸渍于半导体层形成溶液，进一步在所述阳极体表面的电介质层的表面形成半导体层(参照专利文献1)。
另一方面，根据电解电容器的用途，存在必须在高温下对电容元件进行热处理的情况，若对整个支承基板进行热处理，则支承基板容易产生尤其是相对于基板面垂直方向的变形(翘曲)。
另外，支承基板虽然在铅垂竖立的状态下难以受到重力所导致的变形，但在保持为水平的状态下容易受到。
以往，为了对阳极体浸渍于化成处理液等的处理液时的浸渍位置(高度)高精度地进行控制，在难以出现上述变形的影响的铅垂竖立的状态下使用支承基板。
此外，在不对阳极体浸渍于处理液时的浸渍位置(高度)高精度地进行控制的情况下，例如，形成在阳极体的半导体层的形成位置(尤其是高度)在每件产品上不是统一的。半导体层超过在阳极体中的确定位置而形成的电容器成为不良品的概率高，使成品率大幅度下降。尤其是在较小的阳极体中，要求以更高的精度对浸渍位置(高度)进行控制。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2010/107011号手册
发明内容
发明要解决的问题
然而，如上述那样，在并列固定于铅垂竖立地配置的支承基板的下端部的多个阳极体上形成电介质层、半导体层的情况下，只能将阳极体连接于支承基板的下端部，因此在1张支承基板上能够处理的阳极体的数量少，存在生产效率低这一问题。
本发明是鉴于该技术背景而完成的发明，目的在于提供一种电容元件制造用夹具和电容元件的制造方法，其在1张基板上能够处理的阳极体的数量多、生产效率优异，能够对阳极体相对于处理液的浸渍位置(高度)高精度地进行控制，并且在制造电容元件的过程中需要进行热处理的情况下能够毫无障碍地进行热处理。
用于解决问题的技术方案
为了达到所述目的，本发明提供以下方法。
[1]一种电容元件制造用夹具，其特征在于，
具备：
第1基板，其在下表面具有平面部；
第2基板，其沿所述第1基板的下表面的平面部呈平行状配置；以及
多个插座，其安装于所述第2基板的下表面，
在所述第1基板的下表面的平面部设置有第1电连接端子，该第1电连接端子分别电连接于向电容器用阳极体供给电流的电源，
在所述第2基板的上表面设置有第2电连接端子，该第2电连接端子电连接于所述插座，
在所述第1基板的下表面侧以相对于该第1基板的下表面的平面部平行地重合的方式配置有所述第2基板时，所述第1电连接端子与所述第2电连接端子接触而电连接，所述插座通过该连接而电连接于所述电源，
所述插座具有插入口，该插入口是电连接具有导线的电容器用阳极体的导线时的该导线的插入口，所述插入口朝向所述第2基板的下方开口。[2]根据前项1所述的电容元件制造用夹具，其中，所述电源包括形成在所述第1基板的至少一面的电路，各个所述第1电连接端子分别电连接于各个所述电源。
[3]根据前项2所述的电容元件制造用夹具，其中，所述电路为恒流电路。
[4]根据前项2或3所述的电容元件制造用夹具，其中，所述电路也是按各所述插座中的每一个来限制电压的电路。
[5]根据前项2～4中任一项所述的电容元件制造用夹具，其特征在于，
所述第1电连接端子的下端从所述第1基板的下表面的平面部朝向下方突出，
在所述第1基板设置有通孔，导电性的电连接部配置在该通孔内，该电连接部的一端部电连接于所述第1基板的上表面的电路，所述电连接部的另一端部电连接于所述第1电连接端子，
在所述第1基板的下表面侧以相对于该第1基板的下表面的平面部平行地重合的方式配置有所述第2基板时，从所述第1基板的下表面的平面部突出的第1电连接端子的下端接触并电连接于所述第2基板的上表面的第2电连接端子。
[6]根据前项5所述的电容元件制造用夹具，其中，所述导电性电连接部是弹簧端子。
[7]根据前项1～6中任一项所述的电容元件制造用夹具，其中，所述第1基板的厚度大于所述第2基板的厚度。
[8]根据前项7所述的电容元件制造用夹具，其中，所述第1基板的厚度为5mm以上。
[9]一种电容元件的制造方法，其特征在于，包括：
电介质层形成工序，在下述状态下将阳极体作为阳极而通电，从而在所述阳极体的表面形成电介质层，该状态为：电容器用阳极体连接于前项1～8中的任一项所述的电容元件制造用夹具的插座、并且在所述第1基板的下表面侧以相对于该第1基板平行地重合的方式配置有所述第2基板、第1电连接端子接触并电连接于第2电连接端子，所述两基板被保持为水平，并且，所述阳极体被浸渍于化成处理液中；
分离工序，在所述电介质层形成工序之后，将阳极体连接于插座的状态下的第2基板从第1基板分离；以及
热处理工序，在所述分离工序之后，对连接于所述第2基板的插座的状态下的阳极体进行热处理。
[10]一种电容元件的制造方法，其特征在于，包括：
半导体层形成工序，在下述状态下将阳极体作为阳极而通电，从而在所述电介质层的表面形成半导体层，该状态为：在表面设置有电介质层的阳极体连接于前项1～8中的任一项所述的电容元件制造用夹具的插座、并且在所述第1基板的下表面侧以相对于该第1基板平行地重合的方式配置有所述第2基板、第1电连接端子接触并电连接于第2电连接端子，所述两基板被保持为水平，并且，所述阳极体被浸渍于半导体层形成用溶液中；
分离工序，在所述半导体层形成工序之后，将阳极体连接于插座的状态下的第2基板从第1基板分离；以及
热处理工序，在所述分离工序之后，对连接于所述第2基板的插座的状态下的阳极体进行热处理。
[11]一种电容元件的制造方法，其特征在于，包括：
电介质层形成工序，在下述状态下将阳极体作为阳极而通电，从而在所述阳极体的表面形成电介质层，该状态为：电容器用阳极体连接于前项1～8中的任一项所述的电容元件制造用夹具的插座、并且在所述第1基板的下表面侧以相对于该第1基板平行地重合的方式配置有所述第2基板、第1电连接端子接触并电连接于第2电连接端子，所述两基板被保持为水平，并且，所述阳极体被浸渍于化成处理液中；以及
半导体层形成工序，在所述电介质层形成工序之后，在下述状态下将阳极体作为阳极而通电，从而在所述阳极体表面的电介质层的表面形成半导体层，该状态为：在所述第1基板的下表面侧以相对于该第1基板平行地重合的方式配置有处于阳极体连接于插座的状态的所述第2基板、第1电连接端子接触并电连接于第2电连接端子，所述两基板被保持为水平，并且，所述阳极体被浸渍于半导体层形成用溶液中；
在所述电介质层形成工序与所述半导体层形成工序之间和/或所述半导体层形成工序之后，还包括：
分离·热处理工序，将阳极体连接于插座的状态下的第2基板从第1基板分离，接下来对连接于所述第2基板的插座的状态下的阳极体进行热处理。
[12]根据前项9～11中任一项所述的电容元件的制造方法，其中，在200℃～500℃下进行所述热处理。
[13]一种电容器的制造方法，其中，将电极端子分别电连接于利用前项9～12中的任一项所述的制造方法获得的电容元件的阳极体和半导体层，留下所述电极端子的一部分进行密封。
发明的效果
在[1]的发明中，第2基板即使具有挠曲等变形(翘曲)，并且在被保持在由于重力而容易产生变形的水平状态的状态下，通过将第2基板以平行地重合的方式配置于在下表面侧具有平面部的第1基板下表面的该平面部，而缓和了第2基板的变形。优选的是，第1基板采用刚性高于第2基板的结构，从而进一步使第2基板减少挠曲等的变形(翘曲)。在与该电容元件制造用夹具的第2基板的插座连接的阳极体浸渍于处理液中时，各阳极体的高度位置高精度地相同，由此，能够将各阳极体中的例如电介质层和/或半导体层的形成高度位置高精度地控制为相同高度，能够制造出高品质的电容元件。
另外，安装在第2基板的下表面的多个插座的插入口向第2基板的下方开口，因此，能够例如在第2基板的下表面的较多区域(大致整面等)安装多个电容器阳极体，如此在1张电路基板上能够处理的阳极体的数量多、生产性优异。
并且，在制造电容元件的过程中进行热处理的情况下，能够将阳极体连接于插座的第2基板从第1基板分离，而对阳极体连接于插座的第2基板进行热处理(即能够避免对第1基板实施热处理)，因此能够不对第1基板下表面的平面部的平面性产生不良影响地、顺利地进行热处理。在热处理后需要进行进一步的处理的情况下，在热处理后，在第1基板的下表面侧以相对于该第1基板平行地重合的方式配置第2基板，使第1基板的下表面的第1电连接端子与第2基板的上表面的第2电连接端子接触而电连接，通电而进行处理即可。
在[2]的发明中，电源形成在第1基板，因此作为电容元件制造系统能够构成为节省空间，另外，能够不使构成电源的电路中的电子零件暴露于热处理。并且，各第1电连接端子分别与各电源电连接，因此能够对分别向各电容器用阳极体供给的电流进行控制。
在[3]的发明中，电路为恒流电路，因此具有能够减少所获得的电容元件的偏差的优点。
在[4]的发明中，电路也是按所述插座中的每一个来限制电压的电路，因此即使流动较大的电流，也限制施加于阳极体的最大电压值，由此具有能够缩短化成和/或半导体层形成的处理时间的优点。
在[5]的发明中，仅通过在第1基板的下表面侧以相对于该第1基板平行地重合的方式配置第2基板，就能够使从第1基板的下表面的平面部突出的第1电连接端子的下端与第2基板的上表面的第2电连接端子接触而电连接，因此能够使第2基板的下表面的插座容易地与第1基板的电路电连接。
在[6]的发明中，导电性电连接部是弹簧端子，因此在第1基板的下表面侧以相对于该第1基板平行地重合的方式配置第2基板时，能够使第1电连接端子稳定而可靠地与第2电连接端子接触。
在[7]和[8]的发明中，第1基板的厚度大于第2基板的厚度，因此第1基板难以变形，因而在第1基板的下表面侧以相对于该第1基板平行地重合的方式配置厚度较薄的第2基板的状态下，第2基板的挠曲等的变形容易被缓和，因此在与该第2基板的插座连接的阳极体浸渍于处理液中时，各阳极体的高度位置高精度地相同，由此，能够将各阳极体中的例如电介质层和/或半导体层的形成高度位置高精度地控制为相同高度，能够制造出高品质的电容元件。
在[9]的发明中，在电介质层形成工序之后，将阳极体连接于插座的状态下的第2基板从第1基板分离，在该分离后，能够对连接于第2基板的插座的状态下的阳极体进行热处理。
在[10]的发明中，在半导体层形成工序之后，将阳极体连接于插座的状态下的第2基板从第1基板分离，在该分离后，能够对连接于第2基板的插座的状态下的阳极体进行热处理。
在[11]的发明中，在电介质层形成工序与所述半导体层形成工序之间和/或在所述半导体层形成工序之后，将阳极体连接于插座的状态下的第2基板从第1基板分离，在该分离后，能够对连接于第2基板的插座的状态下的阳极体进行热处理。
如此，在[9]、[10]和[11]的发明中，能够避免对第1基板应用热处理，不会对第1基板下表面的平面部的平面性和/或形成在第1基板的电路等产生不良影响而能够顺利地进行热处理。这样能够不对夹具的功能等产生不良影响地制造电容元件。
在[12]的发明中，在200℃～500℃下进行热处理，因此能够制造出可靠性高的电容元件。
在[13]的发明中，不会对电容元件制造用夹具产生不良影响，能够制造出生产性优异且高品质的电容器(能够制造出高精度地将阳极体中的例如电介质层和/或半导体层的形成高度位置控制为预定高度的高品质的电容器)。
附图说明
图1是以第1基板与第2基板分离开的状态表示本发明涉及的电容元件制造用夹具的一个实施方式的立体图。
图2是表示安装状态下的第1基板的俯视图。
图3是表示安装状态下的第1基板的仰视图。
图4是沿图2中的X-X线的放大剖视图。
图5是表示安装有插座的第2基板的俯视图。
图6是表示安装有插座的第2基板的仰视图。
图7是放大地表示图2的俯视图的电路的一部分的示意图。
图8是表示将第2基板重合于第1基板的下表面而将两基板相互固定的状态下的局部放大剖视图。
图9是表示使用了本发明的电容元件制造用夹具的电容元件的制造方法的简略主视图(省略了在两基板间的第1电连接端子与第2电连接端子的接触状态的图示。其接触状态在图8、10中以放大的方式示出)。
图10是表示图9中的插座与阳极体的连接方式的剖视图。
图11是以电路的形式表示本发明的电容元件的制造方法的示意图(仅示出了电容元件制造用夹具的电路中的2个电路)。
图12是表示电容元件制造用夹具的第1基板的电路的其他例子的电路图。
图13是表示利用本发明的制造方法制造出的电容元件的一个实施方式的局部剖视图。
图14是表示将第2基板重合于第1基板的下表面而相互固定的方法的其他例子的图，(A)是第1基板的角部的仰视图，(B)是第2基板的角部的俯视图，(C)是表示固定方法的局部的侧视图，(D)是表示将两基板相互固定的状态的局部的侧视图。
具体实施方式
在图1～8中表示本发明涉及的电容元件制造用夹具10的一个实施方式。上述电容元件制造用夹具10具备第1基板11、第2基板12和多个插座1。上述多个插座1安装在所述第2基板12的下表面。
上述插座1具有在下表面设置有导线插入口37的导电性的插座主体部2(参照图8)。
上述插座主体部2是起到作为与阳极体(导电体)52等电连接的电连接端子的作用的部件，为了获得电导通而含有金属材料等导电性材料。
在本实施方式中，上述插座主体部2包括圆柱部21和以从该圆柱部21的底面的周边部朝向下方并向外侧扩展的方式延伸的倾斜面部22(参照图8)，该圆柱部21和该倾斜面部22含有金属材料等导电性材料。通过被上述倾斜面部22包围而形成有导线插入口37(参照图8)。在上述圆柱部21的内部设置有空腔部23，该空腔部23在底面具有开口。该空腔部23与上述导线插入口37的空间相连通。在上述空腔部23的内周面连接有金属制弹簧部件24，由该金属制弹簧部件24包围而形成有导线插通孔38。上述导线插通孔38与上述导线插入口37的空间相连通。阳极体(导电体)52的导线53等呈接触状态地插通配置在所述导线插通孔38，从而所述插座主体部2与所述阳极体(导电体)52电连接。
如图2、3所示，在所述第1基板11形成有具有一对电气端子14、15的电路30。所述一对电气端子14、15与电力供给源(以下，称为“电源32”)电连接(参照图11)。
所述电路30具有限制电流的电路(例如，图11、图12的电路等)，经由插座1和与插座1连接的导线53，对各阳极体(导电体)52中的每一个独立地供给电流。即，所述电路30按所述各插座主体部2中的每一个来限制电流。
因而，在各阳极体(导电体)52流动的最大电流值成为所述电路的电流限制值。作为限制电流的电路，为了尽可能地减少所获得的电容器的偏差，优选是恒流电路(例如，图11)。
另外，更为优选的是，所述电路30还是按各插座主体部2中的每一个来限制电压的电路。即，更为优选的是，所述电路30还是限制施加于各阳极体(导电体)52的电压的电路。在这种情况下，即使较大的电流流动，由于施加于阳极体52的最大电压值被限制，因此能够缩短化成和/或半导体层形成的处理时间。
所述一对电气端子14、15设置在所述电路基板11的宽度方向的一端部(参照图1～3)。一个电气端子是电流限制端子14，通过施加于该端子14的电压来设定电流的限制值。例如，在图11的电路的情况下，能够通过电流限制端子14与后述的电压限制端子15的电位差来设定，在图12的电路的情况下，能够通过电流限制端子14与阴极板51的电位差来设定。
所述另一个电气端子是电压限制端子15，通过施加于该端子15的电压来限制施加于各阳极体(导电体)52的最大电压值。例如，在图11和图12的电路的情况下，能够通过电压限制端子15与阴极板51的电位差来设定。
对本实施方式中的、形成在所述第1基板11的电路30的详情进行说明。如图2～4、7、11所示，在所述第1基板11的上表面安装有晶体管19和电阻器18，所述晶体管19的发射极E与电阻器18的一端电连接，所述电阻器18的另一端与电流限制端子14电连接，所述晶体管19的基极B与电压限制端子15电连接，所述晶体管19的集电极C与导电性的电连接部44的一端部(上端部)电连接，在所述电连接部44的另一端部(下端部)电连接有第1电连接端子41。
所述电连接部44配置在所述第1基板11的第1通孔43内(参照图4)。另外，所述第1电连接端子41的至少上端部配置在所述第1通孔43内(参照图4)。在图4中，20是软焊料，该软焊料20将所述电连接部44的一端部(上端部)与所述电路30(晶体管19的集电极C)电连接。
所述第1电连接端子41的下端从所述第1基板11的下表面的平面部11a朝向下方突出(参照图4)。所述第1电连接端子41由于所述导电性电连接部44为伸缩自如的部件而自如地伸缩移动。在不伸缩的状态下的第1电连接端子41下端的突出长度L是将第2基板12以平行地重合的方式配置在第1基板11的下表面时所述下端能够到达后述的第2电连接端子42的长度即可，通常优选设定为1mm～10mm(参照图4)。
通过上述那样的结构，在所述第1基板11的下表面设置第1电连接端子41，该第1电连接端子41与所述第1基板11的电路30电连接。
在本实施方式中，所述导电性电连接部44包括金属制弹簧等金属制弹簧部件(参照图4)。
另一方面，所述插座1的插座主体部2的上部侧的一部分别插通配置在形成于所述第2基板12的多个第3通孔49中，通过在该插座主体部2与所述第3通孔49的间隙填充粘合剂等填充材料39，插座主体部2的上部侧的一部分固定在所述第2基板12的第3通孔49内(参照图8)。即，所述插座1安装固定在所述第2基板12(参照图6)。所述插座1的插座主体部2的下部侧从所述第2基板12的下表面朝向下方突出(参照图8)。如此，所述多个插座1安装在所述第2基板12的下表面(参照图6、8)。
所述插座主体部2的上表面成为第2电连接端子42(参照图5、8)。所述第2电连接端子42由以铜、铁、镍和铝中的至少任一种金属为主要成分的金属等的金属薄膜形成。
在本实施方式中，所述插座主体部2的上表面(所述第2电连接端子42的上表面)与所述第2基板12的上表面成为同一平面(参照图8)。此外，所述第2电连接端子42的上表面的位置既可以比所述第2基板12的上表面向上方突出些许(例如0.1mm～0.5mm)，也可以比所述第2基板12的上表面向下方沉陷(凹陷)些许(例如0.1mm～0.5mm)。
如图8所示，安装在所述第2基板12的多个插座1的导线插入口37在该第2基板12的下表面侧朝向下方开口。在将具有导线53的电容器用阳极体52的该导线53电连接于所述插座1的下表面的插入口37时，该导线53的插入方向为相对于所述第2基板12的下表面垂直的方向(参照图9、10)。
在本实施方式中，所述插座1沿着第2基板12的长度方向以大致等间隔(包含等间隔在内)设置有多个(例如64个)，这些沿一列延伸的多个插座1沿着第2基板12的宽度方向以大致等间隔(包含等间隔在内)设置有多列(例如8列、9列、10列、11列等)(参照图6)。所述插座1的配置方式并不特别限定于图6所示的配置方式，也可以采用其他的二维配置方式。能够举出例如正方形网格(正方格子)状的配置方式、六边形网格(六方格子)状的配置方式等。另外，虽然也与第2基板12的大小有关，但在每一张第2基板12上能够设置200个以上所述插座1、作为容易处理的范围而设置200个～80000个所述插座1、优选设置400个～30000个所述插座1。
在本发明中，电容元件制造用夹具10中的电路30并不限定于图11所示的结构，也可以是例如图12所示那样的电路结构。在图12中，31是二极管。
在所述第1基板11的上表面的周边部固定有多个磁铁61。即，在所述第1基板11的上表面的4个角部和沿长度方向延伸的一对边部的该长度方向的中间部共计6个部位固定有磁铁61(参照图1、2)。这些磁铁61以至少一部分埋设在形成于所述第1基板11的上表面的埋设用凹部内的方式固定(参照图9)。
在所述第1基板11的上表面的中央部(除边部之外的区域)固定有磁铁63。即，在所述第1基板11的上表面的中央区域中的从长度方向的中间向一端侧的位置固定有磁铁63，在所述第1基板11的上表面的中央区域中的从长度方向的中间向另一端侧的位置固定有磁铁63(参照图3)。这些磁铁63以至少一部分埋设在形成于所述第1基板11的上表面的埋设用凹部内的方式固定(参照图9)。
另外，在所述第1基板11的下表面的周边部，朝向下方突出设置有多个定位用突起62。即，在所述第1基板11的下表面的4个角部朝向下方突出设置有定位用突起62(参照图3、9)。
在所述第2基板12的上表面的周边部固定有多个磁铁64。即，在所述第2基板12的上表面的4个角部和沿长度方向延伸的一对边部的该长度方向的中间部共计6个部位固定有磁铁64(参照图1、5)。
在固定在所述第2基板12的4个角部的磁铁64的上表面的中央部形成有定位用孔65(参照图5)。该定位用孔65形成为能够以合适状态容纳所述定位用突起62的大小。
另外，在所述第2基板12的上表面的中央部(除边部之外的区域)固定有磁铁66。即，在所述第2基板12的上表面的中央区域中的从长度方向的中间向一端侧的位置固定有磁铁66，在所述第2基板12的上表面的中央区域中的从长度方向的中间向另一端侧的位置固定有磁铁66(参照图1、5)。如此，在所述第2基板12的边部以外也设置固定的部位，缩短这些固定的部位间的间隔，从而更容易地消除所述第2基板12的挠曲(翘曲)。因此，也能够使所述第2基板12更大型化。此外，若所述固定的部位的间隔过短，则固定部位增多因此成本上升。与所述第2基板12的材质和/或被允许的翘曲的程度等相配合地确定所述固定的部位的间隔即可。
于是，在所述第1基板11的下表面侧以相对于该第1基板的下表面的平面部11a平行地重合、并且彼此的周边一致的状态配置所述第2基板12时，第1基板11的周边部的磁铁61与第2基板12的周边部的磁铁64成为彼此上下对应的位置而分别以磁力互相吸引，第1基板11的中央部的磁铁63与第2基板12的中央部的磁铁66成为彼此上下对应的位置而分别以磁力互相吸引，从而第2基板12重合地配置在第1基板11的下表面侧而彼此固定，但此时，第1基板11的下表面的角部的定位用突起62收纳到第2基板12的角部的磁铁64的定位用孔65内，从而进行了第1基板11与第2基板12的重合定位(参照图1、9)。
在本发明中，所述第1基板11优选刚性高的。在所述第1基板11使用通常被作为电路基板使用的材质(酰亚胺树脂、玻璃环氧树脂等)的绝缘板的情况下，从充分确保刚性的观点来看，优选所述第1基板11的厚度T设定为5mm以上，另外从易处理性来看尤其优选设定为7mm～30mm。
作为充分确保所述第1基板11的刚性的方法，除了所述厚度的设定(5mm以上)以外，能够举出例如使用层叠金属材料和/或陶瓷材料的基板而成的层叠基板的方法等。
所述第1基板11既可以包括1张板，也可以是多张板层叠而成的层叠板。在采用层叠板作为所述第1基板11的情况下，例如，可以是相邻的板之间未粘合而只是重合的状态的层叠板，更优选的是相邻的板之间粘合了的层叠板。
作为所述第1基板11，使用绝缘性基板。作为所述绝缘性基板的材质，虽然没有特别限定，但能够举出例如玻璃环氧树脂、酰亚胺树脂、陶瓷等。或者，即便是中间层使用金属材料的层叠板，只要是通孔内表面(孔的内周面)被绝缘加工过的就能够与所述绝缘性基板一样地使用。
并且，在所述第2基板12使用与所述第1基板11一样的材质的绝缘性基板的情况下，优选所述第2基板12的厚度S设定为小于所述第1基板11的厚度T。由此，所述第2基板12的翘曲容易被所述第1基板11矫正。在其中，优选所述第2基板12的厚度S设定为0.5mm～2mm。在采用层叠板作为所述第2基板12的情况下，例如，既可以是相邻的板之间未粘合而只是重合的状态的层叠板，也可以是相邻的板之间粘合了的层叠板。
接着，对使用了上述电容元件制造用夹具10的电容元件的制造方法进行说明。在图9中以简要图示出电容元件的制造方法的一例。图11是以电路形式表示该电容元件的制造方法的示意图。
首先，准备在其中投放有处理液59的处理容器50。作为所述处理液59，能够举出用于形成电介质层54的化成处理液、用于形成半导体层55的半导体层形成用溶液等。
另一方面，若在所述第1基板11的下表面侧以相对于该第1基板的下表面的平面部11a呈平行状重合、并且彼此的周边一致的状态配置所述第2基板12，则第1基板11的周边部的磁铁61与第2基板12的周边部的磁铁64成为彼此上下对应的位置而分别以磁力相互吸引，第1基板11的中央部的磁铁63与第2基板12的中央部的磁铁66成为彼此上下对应的位置而分别以磁力相互吸引，因此第2基板12相对于该第1基板的下表面的平面部11a呈平行状地重合地被配置在第1基板11的下表面侧而两基板11、12被相互固定(参照图9)。此时，第1基板11的下表面的角部的定位用突起62收纳到第2基板12的第2基板12的角部的磁铁64的定位用孔65内，从而进行了第1基板11与第2基板12的重合定位(参照图9)。
在如此使第2基板12在第1基板11的下表面侧相对于该第1基板的下表面的平面部11a平行地重合而将两基板11、12之间在定位的同时相互固定的状态下，如图8、10所示，从所述第1基板11的下表面的平面部11a突出的第1电连接端子41的下端与所述第2基板12的上表面的第2电连接端子42接触而电连接。通过如此将第1电连接端子41与第2电连接端子42电连接，所述插座1的插座主体部2与所述第1基板11的电路30电连接(参照图8)。
此外，在本说明书中，“在第1基板的下表面侧以相对于该第1基板的下表面的平面部平行地重合的方式配置第2基板”的语句(文字)，以包含如下结构的意思而使用：第1基板的一部分与第2基板的一部分经由上述那样的磁铁64、66接触而这些基板之间呈平行状地重合的结构(即在局部区域中在第1基板11与第2基板12之间存在间隙等空间的结构)。优选该间隙较小，通常为5mm以下，优选为2mm以下。
接着，通过机械输送装置(未图示)将处于如下状态的两基板11、12保持为水平(参照图9)：在所述第1基板11的下表面侧以相对于该第1基板的下表面的平面部11a平行地重合的方式配置所述第2基板12，第1电连接端子41与第2电连接端子42接触，这些端子41、42之间电连接。
接下来，将具有导线53的阳极体(导电体)52分别连接到安装在所述电容元件制造用夹具10的第2基板12的下表面的各插座1中。即，将阳极体52的导线53插入安装在所述电容元件制造用夹具10的第2基板12的下表面的插座1的底面的导线插入口37中，经由导线插入口37将该导线53插通于导线插通孔38，从而将阳极体(导电体)52与插座1电连接(参照图10)。所述导线53的顶端侧成为与所述插座主体部2的空腔部23内的金属制弹簧部件24相接触的接触状态，因此插座1与阳极体(导电体)52电连接。
接下来，将设置有所述阳极体(导电体)52的电容元件制造用夹具10水平地配置在所述处理容器50的上方位置，在保持该制造用夹具10的水平状态(第2基板12的下表面为水平的状态)的同时，使夹具10下降直到所述阳极体(导电体)52的至少一部分(通常为全部)浸渍于所述处理液59的状态为止并在该高度位置固定夹具10(参照图9)。
然后，在所述阳极体(导电体)52的浸渍状态下，将所述阳极体52作为阳极，将配置在所述处理液59中的阴极板51作为阴极而通电(参照图9、11)。若使用化成处理液作为第1号处理液59，则通过所述通电能够在导电体52的表面形成电介质层54(参照图13)(电介质层形成工序)。
接下来，根据需要对在表面具备所述电介质层54的阳极体52进行水洗、干燥，而后在与所述处理容器不同的处理容器50内新投放半导体层形成用溶液59，若与所述相同地，在将夹具10保持为水平状态(第2基板12的下表面为水平的状态)的同时使其下降直到所述阳极体52的至少一部分(通常为全部)浸渍于所述半导体层形成用溶液59的状态为止，并在该高度位置固定夹具10，并将所述阳极体52作为阳极，将配置在所述半导体层形成用溶液59中的阴极板51作为阴极而通电，即若使用半导体层形成用溶液作为第2号处理液59而通电，则能够在阳极体52表面的电介质层54的表面形成半导体层55(半导体层形成工序)，如此，能够制造在阳极体52的表面层叠有电介质层54、而且在该电介质层54的表面层叠有半导体层55而成的电容元件56(参照图13)。
并且，在本发明涉及的电容元件的制造方法中，例如，在所述电介质层形成工序与所述半导体层形成工序之间和/或在半导体层形成工序之后，将阳极体52连接于插座1的状态下的第2基板12从第1基板11分离(分离工序)，对该分离后的阳极体52所带的第2基板12进行热处理(热处理工序)。第1基板11与第2基板12的分离通过克服磁铁之间的吸引力而使第1基板11与第2基板12离开从而能够完成，因此基板之间的分离操作比较容易。在进行这样的分离操作后进行热处理，从而能够避免应用对第1基板11的电路30等的热处理，不会对夹具10的电路30等产生不良影响而能够顺利地进行热处理。
主要以提高电容器的可靠性为目的进行所述热处理，但根据其用途，进行热处理的定时种种不同。在电介质层形成工序与半导体层形成工序之间进行的热处理的加热温度通常为200℃～500℃，在半导体层形成工序与碳糊形成工序之间进行的热处理的加热温度通常为150℃～300℃，在碳糊形成工序与银糊形成工序之间进行的热处理的加热温度通常为150℃～300℃。
所述热处理时的气氛，优选为氩气等惰性气体气氛或减压气氛。此外，氮气与铌等阳极体材料在300℃左右的温度下也会反应，因此在这种情况下不将氮气作为惰性气体。
在所述热处理后进行进一步的处理时，在该热处理后，再次将第1基板11与第2基板12(阳极体52连接于插座1的状态下的第2基板12)相互固定而与所述相同地进行电连接即可。
所述插座1的大小没有特别的限制，使其为与浸渍于处理液59时的电容元件的配置相配合的大小等即可。
作为所述阳极体52，虽然没有特别限定，但能够例示例如选自由阀作用金属(起阀作用的金属)和阀作用金属的导电性氧化物构成的群中的阳极体的至少1种。作为这些的具体例，能够举出铝、钽、铌、钛、锆、一氧化铌、一氧化锆等。
作为所述阳极体52的形状，没有特别限定，能够举出例如箔状、板状、棒状、长方体状等。
作为所述化成处理液59，并没有特别限定，能够举出溶解或悬浊有例如有机酸或其盐(例如，己二酸、醋酸、己二酸铵、安息香酸等)、无机酸或其盐(例如，磷酸、硅酸、磷酸铵、硅酸铵、硫酸、硫酸铵等)等以往公知的电解质所得的液体等。通过使用这样的化成处理液而进行所述通电，能够在阳极体52的表面形成含有Ta2O5、Al2O3、Zr2O3、Nb2O5等绝缘性金属氧化物的电介质层54。
此外，也可以省略使用了这种化成处理液的电介质层形成工序，而向所述半导体层形成工序提供已在表面设置有电介质层54的阳极体52。作为这样的表面的电介质层54，能够举出以从绝缘性氧化物中选出的至少一种作为主成分的电介质层、在陶瓷电容器和/或薄膜电容器的领域中以往公知的电介质层。
作为所述半导体层形成用溶液59，只要是通过通电能够形成半导体的溶液即可，没有特别限定，能够举出例如含有苯胺、噻吩、吡咯、甲基吡咯、它们的置换衍生物(例如，3，4-乙撑二氧噻吩(3,4-ethylenedioxithiophene)等)等的溶液等。也可以再向所述半导体层形成用溶液59添加掺杂剂。作为所述掺杂剂，没有特别限定，能够举出例如，芳基磺酸(allyl sulfone酸)或其盐、烷基磺酸(alkyl sulfone酸)或其盐、各种高分子磺酸或其盐等公知的掺杂剂等。通过使用这样的半导体层形成用溶液59而进行所述通电，能够在所述阳极体52表面的电介质层54的表面形成含有例如导电性高分子(例如聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚甲基吡咯、它们的衍生物等)的半导体层55。
此外，在上述实施方式中，作为使第2基板12相对于该第1基板11平行地重合于第1基板11的下表面侧而将两基板11、12相互固定(在第1电连接端子41与第2电连接端子42接触而这些端子41、42之间电连接的状态下将两基板11、12相互固定)的方法，使用了磁铁61、63、64、66，但作为相互固定方法，并没有特别限定于这样的方法。也可以代替这些而采用例如图14所示那样的相互固定方法。
在图14的结构中，在第1基板11的下表面突出设置有固定用突起71。所述固定用突起71具备：从第1基板11的下表面朝向下方突出设置的轴部72；和固定在该轴部的下端的盘状部73(参照图14(C))。所述盘状部73的俯视形状为圆形状(参照图14(A))。
另外，在第2基板12的下表面形成有固定用孔74(参照图14(B))。所述固定用孔74包括突起插入用孔76和与该突起插入用孔76相连通的滑动移动用孔75。所述突起插入用孔76形成为俯视为圆形状，并形成为能够容纳所述固定用突起71的盘状部73的大小。另外，所述滑动移动用孔75形成为能够容纳所述固定用突起71的轴部72的大小，并且设定为比所述盘状部73小的大小。
如图14(C)所示，将第2基板12相对于该第1基板11平行地配置在第1基板11的下表面侧，在使第1基板11的固定用突起71的盘状部73插通并通过第2基板12的固定用孔74的突起插入用孔76内后，再使固定用突起71的轴部72在第2基板12的滑动移动用孔75内(向图视右方向)滑动移动，从而能够在使第2基板12在第1基板11的下表面侧相对于该第1基板的下表面的平面部11a呈平行状地重合的状态下将两基板11、12相互固定(参照图14(D))。
在本发明中，也可以在利用上述制造方法获得的电容元件56的半导体层55之上设置电极层，以使与电容器的外部引出用电极端子(例如，引线框)的电接触良好。
所述电极层能够通过例如导电糊的固化、电镀、金属蒸镀、耐热性的导电树脂薄膜的形成等形成。作为导电糊，优选银糊、铜糊、铝糊、碳糊、镍糊等。
在如此获得的电容元件56的阳极体52和半导体层55，分别电连接电极端子(例如，将导线53焊接于一个电极端子，利用银糊等将电极层(半导体层)55与另一个电极端子粘合)，留下所述电极端子的一部分进行密封，从而获得电容器。
密封方法没有特别限定，例如有树脂模具外装、树脂外壳外装、金属制外壳外装、利用树脂的浸渍的外装、利用叠片薄膜的外装等。在其中，从能够简单地进行小型化和低成本化的观点来看，优选树脂模具外装。
实施例
接着，对本发明的具体实施例进行说明，但是本发明并不限定于这些实施例。
<实施例1>
[阳极体(导电体)52的制作]
准备640个在长度0.80mm×宽度0.53mm×厚度0.43mm的长方体形状的钽烧结体(阳极体)52的0.53mm×0.43mm的面(上表面)上直立有长度10.4±0.3mm、直径0.15mm的钽线(导线)53的部件。并且，将外径0.40mm、内径0.10mm、厚度0.10mm的聚四氟乙烯制的环状的垫片安装(外装)到导线53的根部为止。
[本发明的固体电解电容元件制造用夹具10的制作]
(安装有电子零件的第1基板)
准备长度180mm×宽度96mm×厚度1.6mm的玻璃环氧基板(构成第1基板11的5张板中的配置在最上位置的板)。如图2所示，在该玻璃环氧基板沿该基板的长度方向以2.54mm的间隔形成64个第1通孔43，这些沿一列延伸的64个第1通孔43的群沿基板的宽度方向以8mm的间隔形成有共计10列(此外，在图2中，由于作图上的原因只记载了9列)。即，在所述玻璃环氧基板，共计形成有640个第1通孔43。
在所述玻璃环氧基板(构成第1基板11的5张板中的配置在最上位置的板)的下表面粘合一体化4张相同尺寸(长度180mm×宽度96mm×厚度2.0mm)且在相同位置形成有640个第1通孔43的玻璃环氧基板，获得层叠这5张板而成的厚度T为8mm的第1基板11(此外，在图1、4等中，省略了层叠结构的图示)。
在所述第1基板11形成有在前项中详述了的图2、3所示的电路30等。即，在所述第1基板11的上表面的、沿长度方向延伸的一对边部中的、一个边部的该长度方向的中间部，设置有电流限制端子14和电压限制端子15(参照图2、3)。
另外，以在前项中详述了的图2～4、7、11所示的结构将各种电子零件(晶体管19和电阻器18)安装于所述第1基板11。将各晶体管19的集电极C作为输出。所述第1电连接端子41的下端从所述第1基板11的下表面的平面部11a朝向下方突出1mm(突出长度L为1mm；参照图4)。
作为所述导电性电连接部44，使用了宫下弹簧制作所制的金属制弹簧(产品序号:MS-038弹簧销)。作为所述电阻器18，使用了1KΩ(误差±0.5％以内)的片式电阻器，作为所述晶体管19使用了东芝制的“晶体管2SA2154”。
(安装有插座的第2基板)
第2基板12包括长度180mm×宽度96mm×厚度1.6mm的玻璃环氧基板。在所述第2基板12形成有第3通孔49(参照图5、8)。所述第3通孔49沿第2基板12的长度方向以2.54mm的间隔设置有64个，这些沿一列延伸的64个第3通孔49沿第2基板12的宽度方向以8mm的间隔设置有共计10列(参照图5，在图5中由于作图上的原因只示出了9列)。
在设置在所述第2基板12的640个第3通孔49中分别插入配置而固定有所述插座1的一部分。在各插座1的上表面设置有包括实施金属镀敷而成的金属薄膜的第2电连接端子42(参照图5、8)。于是，所述多个插座1安装于所述第2基板12的下表面(参照图6、8)。
如此，获得了一种固体电解电容元件制造用夹具10，其具备第1基板11、安装于该第1基板11的电子零件、第2基板12以及安装于该第2基板12的下表面的多个插座1(参照图1～8)。
[电容元件的制造]
以在前项中详述了的图9所示的结构，使第2基板12在第1基板11的下表面侧相对于该第1基板的下表面的平面部11a平行地重合而将两基板11、12之间定位，同时将两基板11、12相互固定(参照图9)。由此，如图8、图10所示，从所述第1基板11的下表面突出的第1电连接端子41的下端与所述第2基板12的上表面的第2电连接端子42接触而电连接。
接着，通过机械输送装置(未图示)将处于如下状态的两基板11、12保持为水平(参照图9)：在所述第1基板11的下表面侧以相对于该第1基板的下表面的平面部11a平行地重合的方式配置所述第2基板12，第1电连接端子41与第2电连接端子42接触而这些端子41、42之间电连接。
接下来，将具有导线53的阳极体(导电体)52分别与安装于所述电容元件制造用夹具10的第2基板12的下表面的多个插座1连接。所述导线53的向插座1的插入方向为相对于第2基板12垂直的方向(参照图10)。
接下来，在其中盛装有2质量％磷酸水溶液(处理液)59的金属(不锈钢)制的处理容器50的上方位置将设置有所述阳极体(导电体)52的电容元件制造用夹具10配置为水平状态。所述金属制处理容器50也同时起到阴极板51的作用。
操作所述机械输送装置，将所述夹具10保持为水平状态的同时使其下降以使得所述阳极体52的全部和导线53的下端5mm部分浸渍于所述处理液59并固定在该高度位置(参照图9)。在该浸渍状态下，在电压限制端子15与阴极板(包括金属制处理容器50)51之间施加电压以使得电压限制值(化成电压)成为8.3V，在电流限制端子14与电压限制端子15之间施加电压以使得各阳极体中的每一个的电流限制值成为2.1mA、并通电。在将所述化成处理液59的温度维持为65℃的状态下进行8小时阳极氧化，从而在所述导电性烧结体52的细孔和外表面以及导线的一部分(5mm部分)的表面形成了电介质层54。此外，在所述阳极氧化期间，从经过4小时后到经过8小时为止的后半程的4小时，使电流限制值以每1小时0.5mA的程度连续减少(电介质层形成工序)。
将在表面具备所述电介质层54的阳极体52在水洗、干燥后，浸渍于20质量％的乙撑二氧噻吩乙醇溶液中，另一方面，在与所述处理容器50不同的处理容器50内投放半导体层形成用溶液59(使由质量份数70的水和质量份数30的乙二醇构成的混合溶剂含有乙撑二氧噻吩0.4质量％、蒽醌磺酸0.6质量％后得到的溶液)后，将所述夹具10保持为水平状态的同时使其下降以将在表面具备所述电介质层54的阳极体52的全部和导线53的下端5mm部分浸渍于所述半导体层形成用溶液59，并固定在该高度位置。在该浸渍状态下，在20℃下对每个阳极体以5μA的恒定电流进行电解聚合50分钟。这之后，将在表面具备所述电介质层54的阳极体52从溶液59中拉上来，进行水洗、乙醇清洗、干燥。通过再进行6次这样的由电解聚合(对每个阳极体以5μA的恒定电流电解聚合50分钟)、水洗、乙醇清洗、干燥构成的操作，在表面形成有电介质层54的阳极体52的、该电介质层54的表面，形成了含有导电性高分子的半导体层55(半导体层形成工序)。
接下来，通过进行再化成而将所述电介质层54修复。使用与所述阳极氧化时相同的溶液，限制电压为6.3V、各阳极体中的每一个的限制电流为0.1mA，该再化成进行15分钟(再化成处理工序)。
接着，将阳极体52连接于插座1的状态下的第2基板12从第1基板11分离(分离工序)，在半导体层55的表面涂敷碳糊(アチソン社制“エレクトロダッグPR-406”)后，将阳极体52连接于插座1的状态下的第2基板12放置在160℃的气氛中3小时，从而进行干燥(碳层形成工序)。
接着，将由电介质层54、半导体层55和碳层层叠而成的阳极体52水洗、干燥后，在碳层的表面涂敷银糊，接下来将阳极体52连接于插座1的状态下的第2基板12放置在180℃的气氛中3小时，从而进行干燥(银糊层叠工序)。如此获得电容元件56。
经过上述一连串的工序而能够制作出640个电容元件56，通过将其再实施39次(即总共进行40次)，制作了共计25600个电容元件56。
对这些25600个电容元件，目视检查在导线53的根部(基端)的聚四氟乙烯制垫片(厚度0.10mm)之上的位置是否溢出形成有半导体层，其结果，半导体层溢出的电容元件为0个。
并且，在该实施例1中，在制造电容元件时有热处理工序，对与第1基板分离后的第2基板(阳极体连接于插座的状态下的第2基板)进行热处理，因此没有出现安装于第1基板的电子零件产生误工作等的不良状况。即上述一连串的工序总共进行了40次，在全部40次中在安装于第1基板的电子零件都没有产生误工作等的不良状况。
<比较例1>
准备了如下的比较例：代替电连接部44和第1电连接端子41，而使在实施例1中使用了的插座1插通配置于在实施例1中使用的构成第1基板的5张板中的配置在最上位置的厚度1.6mm的玻璃环氧基板(与实施例1相同地如图2～4所示那样形成电路，并且在上表面同样地也安装有电子零件)的第1通孔43内，并将晶体管19的集电极C电连接于该插座1，在厚度1.6mm的基板的下表面安装有640个插座1(在该比较例1中，不使用构成第1基板的5张板中的下4张板和第2基板)。
接下来，与实施例1同样地将具有导线53的阳极体(导电体)52分别连接于安装在所述基板的下表面的多个插座1。
然后，与实施例1同样地进行这之后的工序(电介质层形成工序等)而制作了电容元件56。
经过上述一连串的工序而能够制作出640个电容元件56，通过再将该一连串的工序实施3次(即总共进行4次)，制造了共计2560个电容元件56。
在导线53的根部(基端)的聚四氟乙烯制垫片(厚度0.10mm)之上的位置溢出形成有半导体层的元件的数量为1352个。在该比较例1中，从第3次实施开始，在被保持为水平的厚度1.6mm的玻璃环氧基板上比较明显地产生翘曲变形，在第3次实施之后，在垫片之上的位置溢出形成有半导体层的元件的数量明显变多。
并且，由于第1次实施中的热处理工序中的热处理(对阳极体连接于插座的状态下的基板的整体进行的热处理)的影响，从第2次实施开始，出现了未变为所设定的电压和电流的限制值的插座，因此没有正常地形成半导体层的有321个。
本申请伴随主张于2011年12月7日提出申请的日本国专利申请的特愿2011-267542号的优先权，其公开内容直接构成本申请的一部分。
在此所使用的用语和表述是为了进行说明而使用的，并不是用于限定性地解释，不排除在此所示且所述的特征事项的任何相等事项，须认识到也允许本发明的技术方案内的各种变形。
本发明能够以多个不同的方式具体化，应将本公开看作是提供本发明的原理的实施例的，在理解了这些实施例的意图并不是将本发明限定于在此记载并且/或者图示的优选的实施方式的基础上，将多个图示实施方式记载于此。
在此记载了几个本发明的图示实施方式，但本发明并不限定于在此记载的各种优选的实施方式，也包含具有由本领域技术人员基于本公开所能够理解到的、均等的要素、修正、删除、组合(例如，跨各种实施方式的特征的组合)、改良和/或变更的所有实施方式。权利要求的限定事项应基于该权利要求中所使用的用语来宽泛地解释，不应该限定于本说明书或本申请的审查过程中所记载的实施例，应该解释为那样的实施例是非排他性的。例如，在本公开中，“优选”这一用语是非排他性的，表示“虽优选但并不限定于此”的意思。在本公开和本申请的审查过程中，方法加效果或步骤加效果的限定事项与特定权利要求的限定事项相关，仅在a)明确地记载有“用于……的技术方案(方法)”或者“用于……工序”，并且b)明确地记载有与其对应的功能，并且c)没有提及能够支持该结构的结构、材料或行为的、这些条件全部存在于该限定事项的情况下才适用。在本公开及本申请的审查过程中，“本发明”或“发明”这些用语有时被用作提到本公开范围内的1个或多个方面。该本发明或发明这些用语不应该被不适当地解释为区别临界，不应该被不适当地解释为适用于所有方面即所有实施方式(即，必须将本发明理解为具有多个方面和实施方式)，不应该不适当地解释为限定本申请或权利要求的范围。在本公开和本申请的审查过程中，“实施方式”这一用语也被用于记载任意的方面、特征、过程或步骤、它们的任意的组合、和/或它们的任意的部分等的情况。在几个实施例中，存在各种实施方式包含重复的特征的情况。
产业上的可利用性
本发明涉及的电容元件制造用夹具适用于电解电容元件制造用夹具，但并不特别限定于这样的用途。另外，通过本发明的制造方法获得的电容器能够利用于例如个人计算机、照相机、游戏机、AV设备、移动电话等数码设备、和/或各种电源等的电子设备。
附图标记说明
1…插座 10…电容元件制造用夹具
11…第1基板 11a…平面部
12…第2基板 14…电流限制端子
15…电压限制端子 18…电阻器
19…晶体管 30…电路
32…电源 37…导线插入口
41…第1电连接端子 42…第2电连接端子
43…第1通孔 44…电连接部
51…阴极板 52…阳极体(导电体)
53…导线 54…电介质层
55…半导体层 56…电容元件
59…处理液(化成处理液、半导体层形成用溶液)

Claims (11)

1.一种电容元件制造用夹具，其特征在于，
具备：
第1基板，其在下表面具有平面部；
第2基板，其沿所述第1基板的下表面的平面部平行且重合地配置；以及
多个插座，其以二维的配置方式安装于所述第2基板的下表面，
在所述第1基板的下表面的平面部设置有第1电连接端子，该第1电连接端子分别电连接于向电容器用阳极体供给电流的电源，
在所述第2基板的上表面设置有第2电连接端子，该第2电连接端子电连接于所述插座，
在所述第1基板的下表面侧以相对于该第1基板的下表面的平面部平行地重合的方式配置有所述第2基板时，所述第1电连接端子与所述第2电连接端子接触而电连接，所述插座通过该连接而电连接于所述电源，
所述插座具有插入口，该插入口是电连接具有导线的电容器用阳极体的导线时的该导线的插入口，所述插入口朝向所述第2基板的下方开口，
所述电源电连接于形成在所述第1基板的至少一面的电路，
所述第1电连接端子的下端从所述第1基板的下表面的平面部朝向下方突出，
在所述第1基板设置有通孔，导电性的电连接部配置在该通孔内，该电连接部的一端部电连接于所述第1基板的上表面的电路，所述电连接部的另一端部电连接于所述第1电连接端子，
在所述第1基板的下表面侧以相对于该第1基板的下表面的平面部平行地重合的方式配置有所述第2基板时，从所述第1基板的下表面的平面部突出的第1电连接端子的下端接触并电连接于所述第2基板的上表面的第2电连接端子。
2.根据权利要求1所述的电容元件制造用夹具，其中，
所述电路为恒流电路。
3.根据权利要求1或2所述的电容元件制造用夹具，其中，
所述电路也是按所述插座中的每一个来限制电压的电路。
4.根据权利要求1或2所述的电容元件制造用夹具，其中，
所述导电性电连接部是弹簧端子。
5.根据权利要求1或2所述的电容元件制造用夹具，其中，
所述第1基板的厚度大于所述第2基板的厚度。
6.根据权利要求5所述的电容元件制造用夹具，其中，
所述第1基板的厚度为5mm以上。
7.一种电容元件的制造方法，其特征在于，包括：
电介质层形成工序，在下述状态下将阳极体作为阳极而通电，从而在所述阳极体的表面形成电介质层，该状态为：电容器用阳极体连接于权利要求1～6中的任一项所述的电容元件制造用夹具的插座、并且在所述第1基板的下表面侧以相对于该第1基板平行地重合的方式配置有所述第2基板、第1电连接端子接触并电连接于第2电连接端子，所述两基板被保持为水平，并且，所述阳极体被浸渍于化成处理液中；
分离工序，在所述电介质层形成工序之后，将阳极体连接于插座的状态下的第2基板从第1基板分离；以及
热处理工序，在所述分离工序之后，对连接于所述第2基板的插座的状态下的阳极体进行热处理。
8.一种电容元件的制造方法，其特征在于，包括：
半导体层形成工序，在下述状态下将阳极体作为阳极而通电，从而在电介质层的表面形成半导体层，该状态为：在表面设置有所述电介质层的阳极体连接于权利要求1～6中的任一项所述的电容元件制造用夹具的插座、并且在所述第1基板的下表面侧以相对于该第1基板平行地重合的方式配置有所述第2基板、第1电连接端子接触并电连接于第2电连接端子，所述两基板被保持为水平，并且，所述阳极体被浸渍于半导体层形成用溶液中；
分离工序，在所述半导体层形成工序之后，将阳极体连接于插座的状态下的第2基板从第1基板分离；以及
热处理工序，在所述分离工序之后，对连接于所述第2基板的插座的状态下的阳极体进行热处理。
9.一种电容元件的制造方法，其特征在于，包括：
电介质层形成工序，在下述状态下将阳极体作为阳极而通电，从而在所述阳极体的表面形成电介质层，该状态为：电容器用阳极体连接于权利要求1～6中的任一项所述的电容元件制造用夹具的插座、并且在所述第1基板的下表面侧以相对于该第1基板平行地重合的方式配置有所述第2基板、第1电连接端子接触并电连接于第2电连接端子，所述两基板被保持为水平，并且，所述阳极体被浸渍于化成处理液中；以及
半导体层形成工序，在所述电介质层形成工序之后，在下述状态下将阳极体作为阳极而通电，从而在所述阳极体表面的电介质层的表面形成半导体层，该状态为：在所述第1基板的下表面侧以相对于该第1基板平行地重合的方式配置有处于阳极体连接于插座的状态的所述第2基板、第1电连接端子接触并电连接于第2电连接端子，所述两基板被保持为水平，并且，所述阳极体被浸渍于半导体层形成用溶液中；
在所述电介质层形成工序与所述半导体层形成工序之间和/或所述半导体层形成工序之后，还包括：
分离·热处理工序，将阳极体连接于插座的状态下的第2基板从第1基板分离，接下来对连接于所述第2基板的插座的状态下的阳极体进行热处理。
10.根据权利要求7～9中的任一项所述的电容元件的制造方法，其中，
在200℃～500℃下进行所述热处理。
11.一种电容器的制造方法，其中，
将电极端子分别电连接于利用权利要求7～10中的任一项所述的制造方法获得的电容元件的阳极体和半导体层，留下所述电极端子的一部分进行密封。
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